JP2011035233A - パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のパターン形成方法は、下地上にパターンサイズの違いに応じた複数の領域1、2を形成する工程と、複数のブロック共重合体のそれぞれを、他のブロック共重合体と分離させて、対応する各領域1、2に偏在させる工程と、各領域1、2のブロック共重合体を相分離させる工程と、相分離した各ブロック共重合体における特定の相を選択的に除去し、各領域1、2ごとにパターンサイズの異なるブロック共重合体のパターンを形成する工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
また、本発明の他の一態様によれば、下地上にパターンサイズの違いに応じた複数の領域を形成する工程と、複数のブロック共重合体のそれぞれを、他のブロック共重合体と分離させて、対応する前記各領域に偏在させる工程と、前記各領域の前記ブロック共重合体を相分離させる工程と、前記相分離した各ブロック共重合体における特定の相を選択的に除去し、前記各領域ごとにパターンサイズの異なる前記ブロック共重合体のパターンを形成する工程と、前記ブロック共重合体における前記下地上に残された相をマスクにして、前記下地を加工する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
Claims (5)
- 下地上にパターンサイズの違いに応じた複数の領域を形成する工程と、
複数のブロック共重合体のそれぞれを、他のブロック共重合体と分離させて、対応する前記各領域に偏在させる工程と、
前記各領域の前記ブロック共重合体を相分離させる工程と、
前記相分離した各ブロック共重合体における特定の相を選択的に除去し、前記各領域ごとにパターンサイズの異なる前記ブロック共重合体のパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。 - 各々の前記ブロック共重合体はポリマー鎖を含み、前記複数のブロック共重合体間で前記ポリマー鎖の分子量が異なることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
- 前記各領域は凹部を有し、前記凹部に前記ブロック共重合体を供給することを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。
- 熱処理を行って前記ブロック共重合体を相分離させることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
- 下地上にパターンサイズの違いに応じた複数の領域を形成する工程と、
複数のブロック共重合体のそれぞれを、他のブロック共重合体と分離させて、対応する前記各領域に偏在させる工程と、
前記各領域の前記ブロック共重合体を相分離させる工程と、
前記相分離した各ブロック共重合体における特定の相を選択的に除去し、前記各領域ごとにパターンサイズの異なる前記ブロック共重合体のパターンを形成する工程と、
前記ブロック共重合体における前記下地上に残された相をマスクにして、前記下地を加工する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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