JP2012178428A - パターンデータ生成装置、パターンデータ生成方法、及びパターン形成方法 - Google Patents
パターンデータ生成装置、パターンデータ生成方法、及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012178428A JP2012178428A JP2011040090A JP2011040090A JP2012178428A JP 2012178428 A JP2012178428 A JP 2012178428A JP 2011040090 A JP2011040090 A JP 2011040090A JP 2011040090 A JP2011040090 A JP 2011040090A JP 2012178428 A JP2012178428 A JP 2012178428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- self
- pattern
- organization
- pattern data
- layout
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】自己組織化材料を用いて様々な微細パターンを低コストに形成する。
【解決手段】本実施形態によれば、パターンデータ生成装置は、パターン寸法毎に、自己組織化材料、前記自己組織化材料の膜厚、及び前記自己組織化材料に対するプロセス条件を組み合わせた自己組織化情報が規定されたテーブルを記憶する記憶部を備える。パターンデータ生成装置は、さらに、デバイスのレイアウトデータをパターン寸法に基づいて分割し、分割レイアウトを作成する分割部と、前記分割レイアウトのパターン寸法に対応する前記自己組織化情報を前記テーブルから抽出する抽出部と、前記分割レイアウトに、前記抽出部により抽出された前記自己組織化情報を割り当ててパターンデータを生成する生成部と、を備える。
【選択図】図1
Description
110 CPU
111 分割部
112 抽出部
113 生成部
120 ディスク装置
130 メインメモリ
140 入出力部
Claims (4)
- パターン寸法毎に、自己組織化材料、前記自己組織化材料の膜厚、及び前記自己組織化材料に対するプロセス条件を組み合わせた自己組織化情報が規定されたテーブルを記憶する記憶部と、
デバイスのレイアウトデータをパターン寸法に基づいて分割し、分割レイアウトを作成する分割部と、
前記分割レイアウトのパターン寸法に対応する前記自己組織化情報を前記テーブルから抽出する抽出部と、
前記分割レイアウトに、前記抽出部により抽出された前記自己組織化情報を割り当ててパターンデータを生成する生成部と、
を備えるパターンデータ生成装置。 - 前記自己組織化情報は、前記自己組織化材料の下地となる自己組織単分子膜も組み合わされていることを特徴とする請求項1に記載のパターンデータ生成装置。
- デバイスのレイアウトデータをパターン寸法に基づいて分割し、分割レイアウトを作成する工程と、
パターン寸法毎に、自己組織化材料、前記自己組織化材料の膜厚、及び前記自己組織化材料に対するプロセス条件を組み合わせた自己組織化情報が規定されたテーブルから、前記分割レイアウトのパターン寸法に対応する前記自己組織化情報を抽出する工程と、
前記分割レイアウトに、抽出した前記自己組織化情報を割り当ててパターンデータを生成する工程と、
を備えるパターンデータ生成方法。 - 請求項3に記載のパターンデータ生成方法により生成された前記パターンデータから、1つの分割レイアウトを選択する工程と、
選択した分割レイアウトに対応するウェーハ上の領域において、この分割レイアウトに割り当てられた前記自己組織化情報に基づいて、前記自己組織化材料を被加工膜上に塗布し、前記プロセス条件に応じた処理を行って前記自己組織化材料の構造を変化させる工程と、
構造変化した前記自己組織化材料をマスクとして、前記被加工膜をパターニングする工程と、
を備えるパターン形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011040090A JP5292423B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | パターンデータ生成装置、パターンデータ生成方法、及びパターン形成方法 |
US13/368,196 US8826194B2 (en) | 2011-02-25 | 2012-02-07 | Pattern data generating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011040090A JP5292423B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | パターンデータ生成装置、パターンデータ生成方法、及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012178428A true JP2012178428A (ja) | 2012-09-13 |
JP5292423B2 JP5292423B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=46719285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011040090A Expired - Fee Related JP5292423B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | パターンデータ生成装置、パターンデータ生成方法、及びパターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8826194B2 (ja) |
JP (1) | JP5292423B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140043694A (ko) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | 블록-공중합체의 식각 |
JP2014120526A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びインプリント用テンプレートの製造方法 |
US9129909B2 (en) | 2013-11-08 | 2015-09-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of patterning |
JP2016513368A (ja) * | 2013-02-14 | 2016-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ブロック共重合体の自己組織化により基板上に間隔をあけて配置されるリソグラフィフィーチャを提供する方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5875963B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-03-02 | 株式会社東芝 | マスクデータの作成方法及び集積回路装置の製造方法 |
US9136140B2 (en) | 2013-09-12 | 2015-09-15 | United Microelectronics Corp. | Patterning method |
US9385026B2 (en) | 2014-05-08 | 2016-07-05 | GlobalFoundries, Inc. | Sublithographic Kelvin structure patterned with DSA |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004237431A (ja) * | 2002-03-15 | 2004-08-26 | Canon Inc | 多孔質体及びその製造方法 |
JP2005061997A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Canon Inc | 分離用素子及び分離用素子の製造方法 |
JP2007266392A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 3次元形状を有する半導体部材を加工する方法およびこの方法を用いて形成されたトランジスタ |
JP2008060092A (ja) * | 2005-01-31 | 2008-03-13 | Sharp Corp | 光機能性膜およびその製造方法 |
JP2008202022A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | 光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009147331A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
JP2010144120A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Kyoto Univ | 高分子薄膜及びパターン媒体並びにこれらの製造方法 |
JP2010269304A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法 |
JP2011035233A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080050659A1 (en) | 2004-09-30 | 2008-02-28 | Japan Science And Technology Agency | Method of Patterning Self-Organizing Material, Patterned Substrate of Self-Organizing Material and Method of Producing the Same, and Photomask Using Patterned Substrate of Self-Organizing Material |
JP4673266B2 (ja) | 2006-08-03 | 2011-04-20 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成方法及びモールド |
JP4398989B2 (ja) | 2007-03-26 | 2010-01-13 | 株式会社東芝 | 三次元集積回路設計方法及び三次元集積回路設計装置 |
US8336003B2 (en) * | 2010-02-19 | 2012-12-18 | International Business Machines Corporation | Method for designing optical lithography masks for directed self-assembly |
-
2011
- 2011-02-25 JP JP2011040090A patent/JP5292423B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-07 US US13/368,196 patent/US8826194B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004237431A (ja) * | 2002-03-15 | 2004-08-26 | Canon Inc | 多孔質体及びその製造方法 |
JP2005061997A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Canon Inc | 分離用素子及び分離用素子の製造方法 |
JP2008060092A (ja) * | 2005-01-31 | 2008-03-13 | Sharp Corp | 光機能性膜およびその製造方法 |
JP2007266392A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 3次元形状を有する半導体部材を加工する方法およびこの方法を用いて形成されたトランジスタ |
JP2008202022A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-09-04 | Fujifilm Corp | 光ナノインプリントリソグラフィ用硬化性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009147331A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
JP2010144120A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Kyoto Univ | 高分子薄膜及びパターン媒体並びにこれらの製造方法 |
JP2010269304A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法 |
JP2011035233A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140043694A (ko) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | 블록-공중합체의 식각 |
JP2014075578A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-24 | Imec | ブロック共重合体のエッチング |
KR102071725B1 (ko) * | 2012-10-02 | 2020-03-02 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | 블록-공중합체의 식각 |
JP2014120526A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びインプリント用テンプレートの製造方法 |
JP2016513368A (ja) * | 2013-02-14 | 2016-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ブロック共重合体の自己組織化により基板上に間隔をあけて配置されるリソグラフィフィーチャを提供する方法 |
US9129909B2 (en) | 2013-11-08 | 2015-09-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of patterning |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8826194B2 (en) | 2014-09-02 |
US20120220136A1 (en) | 2012-08-30 |
JP5292423B2 (ja) | 2013-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5292423B2 (ja) | パターンデータ生成装置、パターンデータ生成方法、及びパターン形成方法 | |
US9176389B2 (en) | Grid refinement method | |
JP5567248B2 (ja) | ゲートパターンを形成するための二重露光二重レジスト層プロセス | |
Chen et al. | Technological merits, process complexity, and cost analysis of self-aligned multiple patterning | |
US9836556B2 (en) | Optical proximity correction for directed-self-assembly guiding patterns | |
CN106328585B (zh) | 集成电路制造的方法 | |
US9330228B2 (en) | Generating guiding patterns for directed self-assembly | |
Liu et al. | Progress towards the integration of optical proximity correction and directed self-assembly of block copolymers with graphoepitaxy | |
JP2008176303A (ja) | マスク生成方法、マスク形成方法、パターン形成方法および半導体装置 | |
US10418245B2 (en) | Method for integrated circuit manufacturing with directed self-assembly (DSA) | |
JP5813607B2 (ja) | パターン形成方法及びリソグラフィ原版の製造方法 | |
JP2009031460A (ja) | マスクパターンの作成方法、作成装置及び露光用マスク | |
Karageorgos et al. | Design strategy for integrating DSA via patterning in sub-7 nm interconnects | |
JP5107619B2 (ja) | 描画データの作成装置及び描画データの作成方法 | |
Muramatsu et al. | Pattern fidelity improvement of chemo-epitaxy DSA process for high-volume manufacturing | |
TW201518856A (zh) | 用於產生定向自組裝之引導模板之方法 | |
Neisser | The 2017 IRDS lithography roadmap | |
JP2012156441A (ja) | フレア値算出方法、フレア補正方法、フレア値算出プログラムおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2008235462A (ja) | 半導体集積回路の製造方法及び設計装置 | |
US10001698B2 (en) | Layout hierachical structure defined in polar coordinate | |
JP2008235553A (ja) | パターン作成方法、パターン検証方法およびプログラム | |
Yaegashi et al. | Sustainable scaling technique on Double-patterning process | |
Chen et al. | Analysis of process characteristics of self-aligned multiple patterning | |
US10282487B2 (en) | Mask data generation method | |
Liu et al. | Model-based proximity effect correction for electron-beam direct-write lithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130610 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5292423 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |