JP5875963B2 - マスクデータの作成方法及び集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、第1の実施形態について説明する。
初めに、本実施形態に係る集積回路装置の製造方法の全体のフローについて説明する。
図1(a)〜(e)は、本実施形態に係る集積回路装置の製造方法を例示する工程平面図である。
なお、図1(a)〜(e)は、全体の流れを示す概略的な図であり、実際の工程とは厳密には対応していない。各工程の詳細な内容については後述する。また、図を見やすくするために、配線21はハッチングを付して示しているが、これは断面を表すハッチングではない。後述する他の平面図についても同様である。
次に、図1(d)に示すように、DSA技術を用いて、配線21における領域R2内に配置された部分を除去する。これにより、配線21が分断される。
次に、図1(e)に示すように、配線21同士を結線したい部分に、DSA技術を用いて導電部材39を形成する。これにより、図1(a)に示す回路パタンと同じパタンの集積回路を作製することができる。
上述の如く、本実施形態に係る集積回路装置の製造プロセスは、配線をカットするカットプロセス(図1(c)及び(d)参照)と、配線同士を結線する結線プロセス(図1(e)参照)とに大別される。カットプロセスと結線プロセスの順序は任意である。また、複数回のカットプロセスと複数回の結線プロセスとを、任意の順番で実施してもよい。
<1>カットプロセスのためのマスクデータ作成手順
<2>カットプロセスのための配線形成手順
<3>結線プロセスのためのマスクデータ作成手順
<4>結線プロセスのための配線形成手順
以下、上記<1>〜<4>の各手順について説明する。
図2(a)〜(f)は、本実施形態におけるカットプロセスのためのマスクデータの作成方法を例示する図である。
次に、図2(e)に示すように、各領域V1をY方向両側に延伸させて、領域V2を設定する。領域V2は、Y方向において領域V1を跨ぎ、且つ、隣の配線パタン11には達しないように設定する。
図3(a)〜(e)は、本実施形態におけるカットプロセスのための配線形成方法を例示する工程平面図である。
図4(a)〜(g)は、本実施形態における結線プロセスのためのマスクデータの作成方法を例示する図である。
図4(c)に示すように、領域V4は、配線パタン11に相当する実際の配線21(図1(a)参照)の相互間において、結線される予定の部分に相当する。領域V4は、例えば、ブーリアン処理において、{(回路パタン1)NOT(初期パタン2)}の演算を行うことにより、得ることができる。そして、領域V4を回路パタン1に重ねる。
次に、図4(e)に示すように、領域V4を、この領域V4に接する全ての領域V5を含むように延伸させた領域V6を設定する。すなわち、領域V4を、Y方向両側にそれぞれ配線パタン11の幅だけ延伸させて、領域V6とする。
図5(a)〜(d)は、本実施形態における結線プロセスのための配線形成方法を例示する工程平面図である。
次に、図5(b)に示すように、DSA材料35を塗布し、開口部34内に充填する。
本実施形態によれば、DSA技術を用いて微細な配線をカット及び結線することができる。そして、配線のカット及び結線を繰り返すことにより、任意の回路パタンの集積回路を作製することができる。この結果、集積度が高い集積回路装置を製造することができる。
本実施形態は、上述の<1>カットプロセスのためのマスクデータ作成手順において、領域V1(図2(c)参照)を延伸させて領域V2(図2(d)参照)を設定する工程の変形例である。本実施形態においては、加工の際の合わせズレ及び加工変換差を考慮して、領域V2のサイズを設定する。
図6(a)〜(f)は、本実施形態における領域V2の設定方法を例示する図である。
しかし、図6(b)に示すように、この領域V1をそのまま、実際の配線21を除去する領域として設定すると、加工の際の合わせズレや加工変換差量が発生した場合に、配線21をカットすべき領域において配線21の一部が残留し、うまくカットできない可能性がある。
そこで、図6(c)に示すように、Y方向における領域V2の長さは、少なくとも、元の領域V1の長さに、想定される合わせズレの最大値uを加算した値以上とすることが好ましい。
更に、図6(e)及び(f)に示すように、回路パタン1を初期構造体20に転写するときのX方向における加工変換差量をZxとし、Y方向における加工変換差量をZyとすると、Y方向における領域V2の長さは、元の領域V1の長さに、加工変換差量Zyの2倍の値を加えることが好ましい。なお、加工変換差量Zx及びZyは、正の値及び負の値のいずれもとり得る。
本実施形態は、上述の<1>カットプロセスのためのマスクデータ作成手順において、領域V1(図2(c)参照)に基づいて領域V2(図2(d)参照)を設定する工程の変形例である。本実施形態においては、複数の領域V1をつなげることで、領域V2を設定する。
図7(a)〜(e)は、本実施形態における領域V2の設定方法を例示する図である。
この状態から、図7(b)及び(c)に示すように、複数、例えば2つの領域V1をつなぐ(マージする)ように領域V2を設定する。
なお、このとき、図7(d)に示すように、合わせズレ及び加工変換差量を考慮して、領域V2のサイズを設定してもよい。
本実施形態は、上述の<1>カットプロセスのためのマスクデータ作成手順において、領域V2(図2(e)参照)に基づいて領域V3(図2(f)参照)を設定する工程の変形例である。本実施形態においては、領域V3のデータを収納したデータベースを検索することによって、最適な領域V3を設定する。
図8(a)〜(e)は、本実施形態における領域V3の設定方法を例示する図である。
次に、図8(b)に示すように、図8(a)に示すデータから領域V2を抽出する。
本実施形態は、上述の<1>カットプロセスのためのマスクデータ作成手順において、領域V2(図2(e)参照)に基づいて領域V3(図2(f)参照)を設定する工程の変形例である。本実施形態においては、領域V3を設定する工程を複数回実施する。
図9(a)〜(d)は、本実施形態における領域V3の設定方法を例示する図である。
(1)領域V3同士を近接して配置しない。
(2)1つのマスクに反映させる領域V3は、全て同じ形状で同じサイズとする。
図9(a)に示すような回路パタン1を作成するために、図9(b)に示すような複数の領域V2を設定する。このとき、上述の制約条件(1)及び(2)を遵守するために、複数の領域V2を2つのグループに分ける。そして、図9(c)に示すように、第1のグループの領域V2について領域V3を設定し、マスクデータD11を作成する。一方、図9(d)に示すように、第2のグループの領域V2について領域V3を設定し、マスクデータD12を作成する。
本実施形態は、前述の第5の実施形態のように、<1>カットプロセスのためのマスクデータ作成手順にて領域V3を複数回に分けて設定した場合において、<2>カットプロセスのための配線形成手順を実施する例である。本実施形態においては、DSA処理を複数回実施する。
本実施形態においては、前述の第5の実施形態において説明した方法により、2つのマスクデータD11及びD12が作成されている。
次に、図10(b)に示すように、開口部24a内にDSA材料25を配置し、ブロックAとブロックBとに相分離させる。
次に、図10(c)示すように、前述の第1の実施形態と同様な方法により、ブロックBを除去し、ガイドマスク膜23及びブロックAをマスクとして、配線21を選択的に除去する。
次に、図10(e)に示すように、開口部24b内にDSA材料25を配置し、ブロックAとブロックBとに相分離させる。
次に、図10(f)示すように、前述の第1の実施形態と同様な方法により、ブロックBを除去し、ガイドマスク膜23及びブロックAをマスクとして、配線21を選択的に除去する。これにより、中間構造体30が作製される。
本実施形態は、<2>カットプロセスのための配線形成手順を、ダマシン法によって実現する例である。また、本実施形態においては、DSA材料を相分離させる前に、下地に一方の相に対して親和性が高い材料を配置しておく。
図12(a)〜(d)、図13(a)〜(d)、図14(a)〜(d)、図15(a)〜(d)は、本実施形態に係るカットプロセスのための配線形成方法を例示する工程断面図である。
なお、図12(a)〜(d)、図13(a)〜(d)、図14(a)〜(d)、図15(a)〜(d)に示す断面は、図11(a)に示すA−A’線による断面に相当する。
次に、図12(c)に示すように、ハードマスク膜46上にレジスト膜47を形成する。
次に、図12(d)に示すように、レジスト膜47を露光及び現像し、レジスト膜47における領域R3に位置する部分を除去する。
次に、図13(c)に示すように、開口部46a内にDSA材料45を充填する。DSZ材料45は、上述のDSA材料45a及び45bを含んでいる。
続いて、図14(b)に示すように、溝44内に配置されたDSA材料45aのうち、開口部46bの直下域に配置された部分を除去し、開口部43aを形成する。
次に、図14(c)に示すように、開口部43a内にアモルファスシリコンを埋め戻す。このアモルファスシリコンは、aSi膜43の一部となる。これにより、溝44における配線21がカットされる予定の領域R2においては、aSi膜43が再形成され、溝44が消失する。
次に、図14(d)に示すように、ハードマスク膜46及びDSA材料45bを除去する。
次に、図15(b)に示すように、aSi膜43をマスクとしてエッチングを施し、シリコン酸化膜42における溝44の直下域に相当する部分を除去する。これにより、シリコン酸化膜42に溝42aが形成される。
次に、図15(c)に示すように、aSi膜43を除去する。
次に、図15(d)に示すように、溝42a内に導電材料を埋め込み、上面をCMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械研磨)等により平坦化する。これにより、溝42a内に配線21が形成される。この結果、図3(e)に示すように、配線21が領域R2においてカットされた中間構造体30が作製される。
本実施形態は、<2>カットプロセスのための配線形成手順を、RIE(Reactive Ion Etching:反応性イオンエッチング)法によって実現する例である。また、本実施形態においても、前述の第7の実施形態と同様に、DSA材料を相分離させる前に、下地に一方の相に対して親和性が高い材料を配置しておく。
図17(a)〜(d)、図18(a)〜(d)、図19(a)〜(d)、図20(a)〜(c)は、本実施形態に係るカットプロセスのための配線形成方法を例示する工程断面図である。
なお、図17(a)〜(d)、図18(a)〜(d)、図19(a)〜(d)、図20(a)〜(c)に示す断面は、図16(a)に示すB−B’線による断面に相当する。
次に、図17(b)に示すように、aSi膜43及びDSA材料45bの上方にハードマスク膜46を形成する。
次に、図17(c)に示すように、ハードマスク膜46上にレジスト膜47を形成する。
次に、図17(d)に示すように、レジスト膜47を露光及び現像し、レジスト膜47における領域R3に位置する部分を除去する。
次に、図18(b)に示すように、レジスト膜47を除去する。
次に、図18(d)に示すように、DSA材料45をDSA材料45aとDSA材料45bとに相分離させて固化させる。これにより、開口部46a内において、DSA材料45aとDSA材料45bとが規則的に配列する。このとき、DSA材料45から相分離したDSA材料45bは、溝44内に埋め込まれたDSA材料45bに対する親和性が高いため、溝44内のDSA材料45bに接する位置に配置される。
次に、図19(b)に示すように、ハードマスク膜46及びDSA材料45bをマスクとしてエッチングを施し、aSi膜43及びDSA材料45bのうち、開口部46bの直下域に配置された部分を除去し、開口部43aを形成する。これにより、配線21がカットされる予定の領域においてaSi膜43が消失し、配線21が形成される予定の領域のみにaSi膜43が残留する。また、このエッチングの過程で、マスクとして用いたDSA材料45bも除去される。
次に、図19(c)に示すように、ハードマスク膜46を除去する。
次に、図19(d)に示すように、DSA材料45bを除去する。
次に、図20(b)に示すように、aSi膜43を除去する。この結果、図3(e)に示すように、配線21が領域R2においてカットされた中間構造体30が作製される。
本実施形態は、上述の<3>結線プロセスのためのマスクデータ作成手順において、領域V4(図4(d)参照)をY方向両側の領域V5(図4(d)参照)を包含するように延伸させて領域V6(図4(e)参照)を設定する工程の変形例である。本実施形態においては、加工の際の合わせズレ及び加工変換差を考慮して、領域V6のサイズを設定する。
図21(a)〜(f)は、本実施形態における領域V2の設定方法を例示する図である。
本実施形態は、<4>結線プロセスのための配線形成手順を、ダマシン法によって実現する例である。また、本実施形態においては、DSA材料を相分離させる前に、下地に一方の相に対して親和性が高い材料を配置しておく。
図23(a)〜(d)、図24(a)〜(d)、図25(a)〜(d)、図26(a)〜(d)は、本実施形態に係る結線プロセスのための配線形成方法を例示する工程断面図である。
なお、図23(a)〜(d)、図24(a)〜(d)、図25(a)〜(d)、図26(a)〜(d)に示す断面は、図22(a)に示すC−C’線による断面に相当する。
次に、図23(b)に示すように、aSi膜43及びDSA材料45aの上方にハードマスク膜46を形成する。
次に、図23(c)に示すように、ハードマスク膜46上にレジスト膜47を形成する。
次に、図23(d)に示すように、レジスト膜47を露光及び現像し、レジスト膜47における領域R7に位置する部分を除去する。
次に、図24(b)に示すように、レジスト膜47を除去する。
次に、図24(c)に示すように、開口部46a内にDSA材料45を充填する。DSZ材料45は、上述のDSA材料45a及び45bを含んでいる。
続いて、図25(b)に示すように、溝44内に配置されたDSA材料45aのうち、開口部46bの直下域に配置された部分を除去する。
次に、図25(c)に示すように、ハードマスク膜46及びDSA材料45bをマスクとしてエッチングを行い、開口部46bの直下域に位置するaSi膜43を除去する。これにより、配線21同士が結線される予定の領域R4において、aSi膜43が除去される。
次に、図25(d)に示すように、ハードマスク膜46及びDSA材料45bを除去する。
次に、図26(b)に示すように、aSi膜43をマスクとしてエッチングを施し、シリコン酸化膜42をパターニングする。これにより、シリコン酸化膜42に溝42aが形成される。
次に、図26(c)に示すように、aSi膜43を除去する。
次に、図26(d)に示すように、溝42a内に導電材料を埋め込み、上面をCMP等により平坦化する。これにより、溝42a内に配線21及び導電部材39が形成される。導電部材39は、領域R6に配置される。この結果、図5(e)に示すように、配線21同士が導電部材39によって結線された集積回路装置40が製造される。
本実施形態は、<4>カットプロセスのための配線形成手順を、RIE法によって実現する例である。また、本実施形態においても、前述の第10の実施形態と同様に、DSA材料を相分離させる前に、下地に一方の相に対して親和性が高い材料を配置しておく。
図28(a)〜(d)、図29(a)〜(d)、図30(a)〜(d)、図31(a)〜(c)は、本実施形態に係るカットプロセスのための配線形成方法を例示する工程断面図である。
なお、図28(a)〜(d)、図29(a)〜(d)、図30(a)〜(d)、図31(a)〜(c)に示す断面は、図27(a)に示すD−D’線による断面に相当する。
次に、図28(b)に示すように、aSi膜43及びDSA材料45bの上方にハードマスク膜46を形成する。
次に、図28(c)に示すように、ハードマスク膜46上にレジスト膜47を形成する。
次に、図28(d)に示すように、レジスト膜47を露光及び現像し、レジスト膜47における領域R7に位置する部分を除去する。
次に、図29(b)に示すように、レジスト膜47を除去する。
次に、図29(d)に示すように、DSA材料45をDSA材料45aとDSA材料45bとに相分離させて固化させる。これにより、開口部46a内において、DSA材料45aとDSA材料45bとが規則的に配列する。このとき、DSA材料45から相分離したDSA材料45bは、溝44内に埋め込まれたDSA材料45bに対する親和性が高いため、溝44内のDSA材料45bに接する位置に配置され、領域R6に配置される。
次に、図30(b)に示すように、溝44内に配置され、開口部46bの直下域に位置するDSA材料45bを除去する。これにより、開口部43aが形成される。
次に、図30(c)に示すように、ハードマスク膜46及び開口部46a内に配置されたDSA材料45bを除去する。
次に、図30(d)に示すように、開口部43a内にアモルファスシリコンを埋め戻す。このアモルファスシリコンは、aSi膜43の一部となる。これにより、配線21(図5(e)参照)を形成する予定の領域の他に、導電部材39(図5(e)参照)を形成する予定の領域にもaSi膜43が配置される。
次に、図21(b)に示すように、aSi膜43をマスクとして配線材料膜42をエッチングする。これにより、aSi膜43の直下域のみに配線材料膜42が残留し、配線21及び導電部材39となる。
次に、図21(c)に示すように、aSi膜43を除去する。この結果、図5(e)に示すように、配線21が導電部材39によって結線された集積回路装置40が製造される。
図32(a)〜(e)、図33(a)〜(e)、図34(a)〜(d)は、本実施形態に係る集積回路装置の製造方法を例示する図である。
本実施形態によれば、前述のDSA技術を用いたカットプロセス及び結線プロセスと、リソグラフィによる加工プロセスを組み合わせて、より複雑な形状の回路パタンを作製することができる。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
図35(a)〜(c)、図36(a)及び(b)は、本実施形態におけるカットプロセスを例示する図であり、
図37(a)〜(c)、図38(a)〜(c)は、本実施形態における結線プロセスを例示する図である。
先ず、図35(c)に示すように、初期パタン2に存在し、回路パタン1に存在しない領域V1を抽出する。領域V1は、配線パタン11に相当する実際の配線21において、除去される予定の部分に相当する。領域V1は、例えば、ブーリアン処理において、{(初期パタン2)NOT(回路パタン1)}の演算を行うことにより、得ることができる。
次に、図36(a)及び(b)に示すように、配線21を局所的に除去することにより、配線21のカットを行う。
次に、図38(a)〜(c)に示す処理を行うことにより、配線21同士を結線することができる。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
図39〜図49は、本実施形態に係る集積回路装置の製造方法を例示する図である。
本実施形態によれば、前述のDSA技術を用いたカットプロセス及び結線プロセスと、リソグラフィによる加工プロセスを組み合わせて、パッドを備えた回路パタンを作製することができる。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
図50〜図56は、本実施形態に係る集積回路装置の製造方法を例示する図である。
本実施形態によれば、前述のDSA技術を用いたカットプロセス及び結線プロセスと、リソグラフィによる加工プロセスを組み合わせて、より複雑な形状の回路パタンを作製することができる。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
Claims (10)
- 第1方向に延びる複数本の配線パタンを含む初期パタンに存在し、回路パタンに存在しない第1領域を抽出し、前記第1方向に対して直交する第2方向において前記第1領域を跨ぐように、前記第1領域を前記第2方向に延伸させた第2領域を設定し、1つ以上の前記第2領域を含む第3領域を、前記第3領域内に第1の誘導型自己組織化材料を配置し、第1相からなる第1ブロックと第2相からなる第2ブロックとに相分離させたと仮定したときに、前記第2領域に前記第2ブロックが配置されるように設定することによって作成されたマスクデータに基づいて作製された第1マスクを用いて第1ガイドマスク膜を加工することにより、前記第1ガイドマスク膜における前記第3領域に相当する領域に第1開口部を形成する工程と、
前記第1開口部内に前記第1の誘導型自己組織化材料を配置する工程と、
前記第1の誘導型自己組織化材料を前記第1相からなる第1ブロックと前記第2相からなる第2ブロックとに相分離させて、前記第2領域に相当する領域に前記第2ブロックを配置する工程と、
前記第2ブロックを除去する工程と、
前記第1ガイドマスク膜及び前記第1ブロックをマスクとして処理を行うことにより、前記第1領域に相当する部分がカットされた配線を形成する工程と、
前記回路パタンに存在し前記初期パタンに存在しない第4領域を抽出し、前記配線パタンの一部をなす領域であって、前記第4領域から見て前記第1方向に対して交差する第2方向に位置し、前記第4領域に接する第5領域を抽出し、前記第4領域を、前記第4領域に接する全ての前記第5領域を含むように延伸させた第6領域を設定し、1つ以上の前記第6領域を含む第7領域を、前記第7領域内に第2の誘導型自己組織化材料を配置し、第3相からなる第3ブロックと第4相からなる第4ブロックとに相分離させたと仮定したときに、前記第6領域に前記第4ブロックが配置されるように設定することによって作成されたマスクデータに基づいて作製された第2マスクを用いて第2ガイドマスク膜を加工することにより、前記第2ガイドマスク膜における前記第7領域に相当する領域に第2開口部を形成する工程と、
前記第2開口部内に前記第2の誘導型自己組織化材料を配置する工程と、
前記第2の誘導型自己組織化材料を前記第3相からなる第3ブロックと前記第4相からなる第4ブロックとに相分離させて、前記第6領域に相当する領域に前記第4ブロックを配置する工程と、
前記第4ブロックを除去する工程と、
前記第2ガイドマスク膜及び前記第3ブロックをマスクとして処理を行うことにより、前記第4領域において結線された配線を形成する工程と、
を備えた集積回路装置の製造方法。 - 誘導型自己組織化材料を用いて基板上に回路パタンを形成するためのマスクデータの作成方法であって、
第1方向に延びる複数本の配線パタンを含む初期パタンに存在し、前記回路パタンに存在しない第1領域を抽出する工程と、
前記第1方向に対して交差する第2方向において前記第1領域を跨ぐように、前記第1領域を前記第2方向に延伸させた第2領域を設定する工程と、
1つ以上の前記第2領域を含む第3領域を、前記第3領域内に前記誘導型自己組織化材料を配置し、第1相からなる第1ブロックと第2相からなる第2ブロックとに相分離させたと仮定したときに、前記第2領域に前記第2ブロックが配置されるように設定する工程と、
を備え、
前記第2相は前記第1相に対して選択的に除去することが可能であるマスクデータの作成方法。 - 前記第2方向における前記第2領域の長さを、前記第2方向における前記第1領域の長さ、ガイドマスク膜の加工変換差量及び想定される合わせズレ量に基づいて決定する請求項2記載のマスクデータの作成方法。
- 前記第2領域を、2つの前記第1領域及び前記2つの第1領域の間の領域を含む領域とする請求項2記載のマスクデータの作成方法。
- 請求項2〜4のいずれか1つに記載の方法によって作成されたマスクデータに基づいて作製されたマスクを用いてガイドマスク膜を加工することにより、前記ガイドマスク膜における前記第3領域に相当する領域に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に前記誘導型自己組織化材料を配置する工程と、
前記誘導型自己組織化材料を前記第1相からなる第1ブロックと前記第2相からなる第2ブロックとに相分離させて、前記第2領域に相当する領域に前記第2ブロックを配置する工程と、
前記第2ブロックを除去する工程と、
前記ガイドマスク膜及び前記第1ブロックをマスクとして処理を行う工程と、
を備えた集積回路装置の製造方法。 - 前記ガイドマスク膜の下に、前記第1相又は前記第2相に対して親和性を持つ部材を選択的に配置する工程をさらに備えた請求項5記載の集積回路装置の製造方法。
- 誘導型自己組織化材料を用いて基板上に回路パタンを形成するためのマスクデータの作成方法であって、
前記回路パタンに存在し、第1方向に延びる複数本の配線パタンを含む初期パタンに存在しない第1領域を抽出する工程と、
前記配線パタンの一部をなす領域であって、前記第1領域から見て前記第1方向に対して交差する第2方向に位置し、前記第1領域に接する第2領域を抽出する工程と、
前記第1領域を、前記第1領域に接する全ての前記第2領域を含むように延伸させた第3領域を設定する工程と、
1つ以上の前記第3領域を含む第4領域を、前記4領域内に前記誘導型自己組織化材料を配置し、第1相からなる第1ブロックと第2相からなる第2ブロックとに相分離させたと仮定したときに、前記第3領域に前記第2ブロックが配置されるように設定する工程と、
を備え、
前記第2相は前記第1相に対して選択的に除去することが可能であるマスクデータの作成方法。 - 前記第3領域を設定する工程において、前記延伸の量を、ガイドマスク膜の加工変換差量及び想定される合わせズレ量に基づいて決定する請求項7記載のマスクデータの作成方法。
- 請求項7または8に記載の方法によって作成されたマスクデータに基づいて作製されたマスクを用いてガイドマスク膜を加工することにより、前記ガイドマスク膜における前記第4領域に相当する領域に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に前記誘導型自己組織化材料を配置する工程と、
前記誘導型自己組織化材料を前記第1相からなる第1ブロックと前記第2相からなる第2ブロックとに相分離させて、前記第3領域に相当する領域に前記第2ブロックを配置する工程と、
前記第2ブロックを除去する工程と、
前記ガイドマスク膜及び前記第1ブロックをマスクとして処理を行う工程と、
を備えた集積回路装置の製造方法。 - 前記ガイドマスク膜の下に、前記第1相又は前記第2相に対して親和性を持つ部材を選択的に配置する工程をさらに備えた請求項9記載の集積回路装置の製造方法。
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