JP2009147331A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009147331A JP2009147331A JP2008310857A JP2008310857A JP2009147331A JP 2009147331 A JP2009147331 A JP 2009147331A JP 2008310857 A JP2008310857 A JP 2008310857A JP 2008310857 A JP2008310857 A JP 2008310857A JP 2009147331 A JP2009147331 A JP 2009147331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- domain
- pattern
- layer
- domains
- fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 126
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 100
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012667 polymer degradation Methods 0.000 claims 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 193
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 88
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Chemical group 0.000 description 66
- 239000004926 polymethyl methacrylate Chemical group 0.000 description 66
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 description 46
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 40
- 239000002585 base Substances 0.000 description 38
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 38
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 33
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 21
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 8
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 7
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 7
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical group Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 5
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 5
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 4
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 4
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005232 molecular self-assembly Methods 0.000 description 3
- 229920001485 poly(butyl acrylate) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920005553 polystyrene-acrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical class [H]S* 0.000 description 2
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 2
- FMYXZXAKZWIOHO-UHFFFAOYSA-N trichloro(2-phenylethyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCC1=CC=CC=C1 FMYXZXAKZWIOHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002720 polyhexylacrylate Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0338—Process specially adapted to improve the resolution of the mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】基板115上に相異なる反復単位を有する第1高分子ブロック、第2高分子ブロック及び第3高分子ブロックを有するブロック共重合体層を形成し、ブロック共重合体層140´を相分離させて、第1高分子ブロックを含有する複数個の第1ドメイン140A、第2高分子ブロックを含有する複数個の第2ドメイン140B、及び第3高分子ブロックを含有する複数個の第3ドメイン140Cを形成し、第1ドメイン140Aから第3ドメイン140Cのうち少なくとも一つのドメインを選択的に除去して微細マスクパターンを形成する。
【選択図】図1F
Description
フォトリソグラフィ技術での分解能限界を克服し、次世代の微細加工技術を開発するための努力のうちの一つとして、分子の自己組立現象を利用したボトムアップ方式の微細構造形成方法が試みられた。しかし、これまで提案された分子の自己組立を利用した微細パターン形成方法は、実験的なレベルに過ぎず、実際の半導体素子の製造のための微細パターンの実現に適用するには困難であった。特に、分子の自己組立を利用して微細パターンを形成する場合、ライン幅とスペース幅との比率を自在に調節することが容易ではなかった。
本発明が解決しようとする他の課題は、フォトリソグラフィ工程での解像限界を超える微細パターン形成方法を提供するところにある。
一態様において、前記基板は、第1領域及び第2領域を有し、前記ブロック共重合体層は、前記第1領域及び前記第2領域上に形成される。前記相分離されたブロック共重合体層は、前記第1領域及び前記第2領域上で第1ドメイン−第2ドメイン−第3ドメイン−第2ドメインの同じドメイン反復単位を有する。前記第1から第3ドメインのうち、前記第1領域上で選択的に除去される部分と前記第2領域上で選択的に除去される部分とは異なりうる。
前記ブロック共重合体層を形成する前に、前記基板上に表面特性の相異なる第1部分及び第2部分が反復配置されたイメージパターン層を形成するが、前記第1部分は、第1ピッチで配列される。前記第1部分の表面は、第2部分の表面に比べて親水性がさらに高い。前記イメージパターン層を形成することは、基板上にイメージ層を形成した後、前記イメージ層の一部領域上に選択的に外部刺激を加えて前記第1部分を形成することによって行える。
(発明の効果)
本発明によれば、第1に、第1高分子ブロックを含有する第1ドメイン、第2高分子ブロックを含有する第2ドメイン、及び第3高分子ブロックを含有する第3ドメインを形成した後、前記第1から第3ドメインのうち少なくとも一つのドメインを選択的に除去して、微細マスクパターンを形成することによって、選択的に除去されるドメインの種類によって多様なピッチを有する微細パターンを形成できる。
ブロック共重合体としてジブロック共重合体を使用する場合には、ジブロック共重合体の種類によって幅比率の変化が制限されるバー及びスペースパターンを形成せざるを得ない。しかし、実際の半導体製造工程では、多様な幅比率のバー及びスペースパターンを必要とする。このためには、多様な種類のジブロック共重合体を使用せねばならない。
図1Aから図1Iは、本発明の一実施形態による微細パターン形成方法を工程順序によって示す断面図である。
図1Aに示すように、基板115は、ベース基板100と、ベース基板100上に形成された被エッチング膜110と、を備える。ベース基板100は、例えば、シリコン基板のような半導体基板でありうる。被エッチング膜110は、絶縁膜、半導体膜、金属膜または金属シリサイド膜でありうる。具体的に、被エッチング膜110は、酸化膜、窒化膜、酸化窒化膜のような絶縁膜;多結晶シリコン膜、非晶質シリコン膜のような半導体膜;Al,W,Au,Ag,Pt,Cuのような金属膜;またはタングステンシリサイド、コバルトシリサイド、ニッケルシリサイドのような金属シリサイド膜でありうる。ベース基板100をエッチングしてパターンを形成しようとする場合には、被エッチング膜110は省略しうる。
例えば、イメージ層124は、有機置換基を有するシラン、有機置換基を有するクロロシラン、有機置換基を有するアルコキシシラン、有機置換基を有するシラザン、有機置換基を有するチオールまたは有機置換基を有するジスルフィドを含有する。前記有機置換基を有するシランは、(R1)3−SiHであり、前記有機置換基を有するクロロシランは、(R2)−SiCl3または(R3)3−SiClであり、有機置換基を有するアルコキシシランは、(R4)Si(OCH2CH3)3,(R5)Si(OCH3)3であり、有機置換基を有するチオールは、(R6)−SHであり、有機置換基を有するジスルフィドは、(R7)−S−S−(R8)でありうる。R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7及びR8は、それぞれ置換または非置換のC1からC20の脂肪族または方向族炭化水素基である。
ベース層120が金属膜である場合、またはベース層120が省略し、被エッチング膜110が金属膜である場合に、前記金属膜上に反応性分子である有機置換基を有するチオールまたは有機置換基を有するジスルフィドを提供して、金属−硫黄結合を通じて前記金属膜上に自己組立されたイメージ層124を形成できる。
一実施形態において、開口部130hの幅をXというとき、フォトレジストパターン130のパターンピッチPHは4nXでありうる。ここで、nは、正の整数であるが、望ましくは、2以上の整数でありうる。一例として、図1Cは、nが2である場合を示す。
外部刺激135により、第1部分124Aの表面または全体は選択的に酸化される。この場合、第1部分124Aは、表面エネルギーが変わって、第2部分124Bに比べて親水性が向上する。したがって、第1部分124Aは、極性分子に対するぬれ性が向上する。外部刺激135の一例は、酸素雰囲気での輻射線でありうる。前記輻射線は、DUV(Deep UV)、ソフトX線またはEビームでありうる。具体的に、大気中で1kWのHg−Arcランプを使用して約1から30分間UVを照射できる。外部刺激135の他の例は、酸素プラズマでありうる。さらに説明すれば、開口部130h内に露出されたイメージ層124の表面を酸素プラズマに露出させて、選択的に酸化された第1部分124Aを形成できる。前記酸素プラズマを使用する場合、前記UVランプを利用する場合に比べて工程時間を短縮できる。
イメージパターン層124C上にブロック共重合体層140を形成できる。ブロック共重合体層140は、ディップコーティング法、溶液キャスティング法またはスピンコーティング法を使用して形成できる。
図1Gに示すように、相分離されたブロック共重合体層140´の第1から第3ドメイン140A,140B,140Cのうち少なくともいずれか一つを選択的に除去して、微細マスクパターン140D_1を形成する。一例として、相分離されたブロック共重合体層140´上に高分子分解手段(図1Fの145)を提供して、第1から第3ドメイン140A,140B,140Cのうち少なくとも一つを選択的に分解した後、前記分解されたドメインを、ストリップ工程などを使用して選択的に除去できる。前記高分子分解手段は、輻射線またはプラズマでありうる。前記輻射線は、酸素雰囲気で提供され、DUV、ソフトX線またはEビームでありうる。前記プラズマは、酸素プラズマでありうる。
微細パターン110Aは、スペース及びバーを備える。スペースの幅WS1は、第3ドメイン140Cの幅LCと同一であり、バーの幅WL1は、第1ドメイン140A及びその両側の第2ドメイン140Bの全体の幅、すなわちLA+2LBと同一である。前述したように、第1から第3ドメイン140A,140B,140Cの幅LA,LB,LCは、Xと同一であるので、スペースの幅WS1はXであり、バーの幅WL1は3Xである。したがって、バーの幅WL1とスペースの幅WS1との比は3:1でありうる。
図2Aから図2Cは、本発明の他の実施形態による微細パターン形成方法を工程順序によって示す断面図である。本実施形態による微細パターン形成方法は、後述することを除いては、図1Aから図1Iによる微細パターン形成方法と類似している。
まず、図1Aから図1Fを参照して説明した工程ステップを進む。次いで、相分離されたブロック共重合体層(図1Fの140´)の第1ドメイン(図1Fの140A)及び第3ドメイン(図1Fの140C)を選択的に除去して、微細マスクパターン140D_2を形成する。一例として、前記相分離されたブロック共重合体層(図1Fの140´)上に高分子分解手段(図1Fの145)を提供して、第1ドメイン(図1Fの140A)及び第3ドメイン(図1Fの140C)を選択的分解した後、前記分解されたドメインを、ストリップ工程などを使用して選択的に除去できる。前記高分子分解手段は、輻射線またはプラズマでありうる。前記輻射線は、酸素雰囲気で提供され、DUV、ソフトX線またはEビームでありうる。前記プラズマは、酸素プラズマでありうる。
微細パターン110Bは、スペース及びバーを備える。スペースの幅WS2は、第1ドメインの幅(図1FのLA)または第3ドメインの幅(図1FのLC)と同一であり、バーの幅WL2は、第2ドメインの幅(図1FのLB)と同一である。図1Fを参照して説明したように、第1から第3ドメインの幅LA,LB,LCは、Xと同一であるので、スペースの幅WS2はXであり、バーの幅WL2もXである。したがって、バーの幅WL2とスペースの幅WS2との比は1:1でありうる。
まず、図1Aから図1Fを参照して説明した工程ステップを進む。次いで、相分離されたブロック共重合体層(図1Fの140´)の第1ドメイン(図1Fの140A)及び第2ドメイン(図1Fの140B)を選択的に除去して、微細マスクパターン140D_3を形成する。一例として、前記相分離されたブロック共重合体層(図1Fの140´)上に高分子分解手段(図1Fの145)を提供して、第1ドメイン(図1Fの140A)及び第2ドメイン(図1Fの140B)を選択的に分解した後、前記分解されたドメインを、ストリップ工程などを使用して選択的に除去できる。前記高分子分解手段は、輻射線またはプラズマでありうる。前記輻射線は、酸素雰囲気で提供され、DUV、ソフトX線またはEビームでありうる。前記プラズマは、酸素プラズマでありうる。
微細パターン110Cは、スペース及びバーを備える。スペースの幅WS3は、前記第1ドメイン及びその両側の第2ドメインの全体の幅、すなわち、LA+2LB(図1Fを参照)であり、バーの幅WL3は、第3ドメインの幅(図1FのLC)と同一である。図1Fを参照して説明したように、第1から第3ドメインの幅LA,LB,LCは、Xと同一であるので、スペースの幅WS3は3Xであり、バーの幅WL3はXである。したがって、バーの幅WL3とスペースの幅WS3との比は1:3でありうる。
まず、図1Aから図1Fを参照して説明した工程ステップを進む。次いで、相分離されたブロック共重合体層140´を備える基板の第1領域上に選択的に第1高分子分解手段145を提供する。その結果、前記第1領域の第1から第3ドメイン140A,140B,140Cのうち少なくとも一つ、一例として第3ドメイン140Cが選択的に分解される。前記第1高分子分解手段は、輻射線またはプラズマでありうる。前記輻射線は、酸素雰囲気で提供され、DUV、ソフトX線またはEビームでありうる。前記プラズマは、酸素プラズマでありうる。
微細パターン110A,110Bは、スペース及びバーを備える。第1微細パターン110Aのスペースの幅WS1はXであり、バーの幅WL1は3Xである。第2微細パターン110Bのスペースの幅WS2はXであり、バーの幅WL2もXである。したがって、第1領域上では、バーの幅WL1とスペースの幅WS1との比が3:1であり、第2領域上では、バーの幅WL2とスペースの幅WS2との比が1:1である。
<実験例>
<実験例1>
単結晶シリコンであるベース基板、すなわちシリコンウェーハをTEAHの3mM水溶液に60分間ディッピングした後で取り出して蒸溜水で洗浄した。次いで、常温及び流れる窒素雰囲気で乾燥させた。
前記乾燥されたウェーハを、反射モードのFTIR(Fourier−Transform Infra−Red Spectrometer:商品名Nicolet)を利用して表面分析して、3300から3400cm-1付近でのブロードピークの存在及びその大きさにより、前記シリコンウェーハの上面にSi−OH基が形成されたことを確認した。
表面作用基を形成するためのシリコン酸化膜の表面処理
シリコンウェーハ上にシリコン酸化膜を形成した後、前記シリコン酸化膜が形成された基板をTEAHの3mM水溶液に60分間ディッピングした後で取り出して蒸溜水で洗浄した。次いで、常温及び流れる窒素雰囲気で乾燥させた。
<実験例3>
シリコンウェーハ上にシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜上に反射防止層であるSi−ARC(Sith920、信越社製)を600nmの厚さにスピンコーティングした。前記コーティングされたウェーハを240℃で1分間硬化した。硬化された反射防止層を有するウェーハをTEAHの3mM水溶液に60分間ディッピングした後で取り出して蒸溜水で洗浄した。次いで、常温及び流れる窒素雰囲気で乾燥させた。
<実験例4>
実験例3で得られた表面処理された反射防止層を有するウェーハを、窒素雰囲気で反応性分子であるフェニルエチルトリクロロシランのトルエン溶液(0.5から5体積%)に約60分間ディッピングした。次いで、前記溶液から取り出したウェーハをトルエンで洗浄した後、オーブンで乾燥した。
イメージ層上にフォトレジストパターンの形成
実験例4で形成された自己組立の単分子膜であるイメージ層上にArF用フォトレジストであるIM−PAR8585(住友社製)をスピンコーティングして、約120nmの厚さを有するフォトレジスト層を形成した。前記フォトレジスト層を110℃で60秒間加熱してプリべークした。次いで、ArFスキャナー(商品名Nikon308)を使用して0.92NA条件で前記フォトレジスト層を露光した後で現像して、フォトレジストパターンを形成した。前記フォトレジストパターンは、ラインとスペースとを備えた。次いで、熱的フロー工程を利用して前記フォトレジストパターンのスペースの幅をさらに縮少させて、最終のフォトレジストパターンを形成した。
<実験例6>
実験例5で得られたフォトレジストパターン上に、1kWのHg−Arcランプを使用してUVを10分間照射した。その結果、前記フォトレジストパターンのスペース内に露出されたイメージ層の一部分は選択的に酸化されて親水性が増加し、その結果、親水性が増加した部分とそうでない部分とを含むイメージパターン層が形成された。親水性の増加程度は、水を利用した接触角を測定して確認した。
ブロック共重合体(I)の選択及び自己組立されたブロック共重合体層の形成
PMMA、PS及びPAMSを周知の方法によって重合して、全体分子量(Mn,TOT)が270,000g/molであるPMMA−PS−PAMSブロック共重合体を得た。ここで、PMMAブロックの分子量Mn,PMMAは62,000g/molであり、PSブロックの分子量Mn,PSは68,000g/molであり、PAMSブロックの分子量Mn,PAMSは140,000g/molであった。また、PMMAブロックの体積比ΦPMMAは26%であり、PSブロックの体積比ΦPSは50%であり、PAMSブロックの体積比ΦPAMSは24%であった。
ブロック共重合体(II)の選択及び自己組立されたブロック共重合体層の形成
PMMA、PS及びPAMSを周知の方法によって重合して、全体分子量Mn,TOTが264,000g/molであるPMMA−PAMS−PSブロック共重合体を得た。ここで、PMMAブロックの分子量Mn,PMMAは62,000g/molであり、PAMSブロックの分子量Mn,PAMSは140,000g/molであり、PSブロックの分子量Mn,PSは68,000g/molであった。また、PMMAブロックの体積比ΦPMMAは26%であり、PAMSブロックの体積比ΦPAMSは50%であり、PSブロックの体積比ΦPSは24%であった。
ブロック共重合体(I)を利用した3:1L/Sパターンの形成
実験例7で得られたPMMAドメイン−PSドメイン−PAMSドメイン−PSドメインを反復単位で備えるラメラ形態の自己組立構造が形成されたブロック共重合体層上に、UV(Hg−Arc lamp、1kW)を5分間照射する。UV照射は、真空チャンバー内で行った。その結果、PAMSドメインに選択的に光分解反応が起こった。光分解反応が起こったウェーハを10wt%の酢酸水溶液で洗浄して、光分解されたPAMSドメインを除去した。前記PAMSドメインが除去されたウェーハを、蒸溜水を利用して洗浄して酸を除去した。洗浄されたウェーハを100℃で60秒加熱して乾燥させた。乾燥されたウェーハを、SEMを通じて観察して、PAMSドメインが除去されて形成された幅35nmのスペースと、PMMAドメイン及びその両側のPSドメインからなる幅105nmのラインとを有する微細マスクパターンが形成されたことを確認した。前記微細マスクパターンは、ライン幅とスペース幅との比は3:1であり、パターンピッチは140nmであった。
ブロック共重合体(I)を利用した1:1L/Sパターンの形成
実験例7で得られたPMMAドメイン−PSドメイン−PAMSドメイン−PSドメインを反復単位で備えるラメラ形態の自己組立構造が形成されたブロック共重合体層上に、UV(Hg−Arclamp、1kW)を20分間照射する。UV照射は、真空チャンバー内で行った。その結果、PAMSドメイン及びPMMAドメインに選択的に光分解反応が起こった。光分解反応が起こったウェーハを2wt%の酢酸水溶液で洗浄して、光分解されたPAMSドメインとPMMAドメインとを除去した。前記PAMSドメインとPMMAドメインとが除去されたウェーハを、蒸溜水を利用して洗浄して酸を除去した。洗浄されたウェーハを100℃で60秒加熱して乾燥させた。乾燥されたウェーハをSEMを通じて観察して、PAMSドメインまたはPMMAドメインが除去されて形成された幅35nmのスペースと、PSドメインからなる幅35nmのラインとを有する微細マスクパターンが形成されたことを確認した。整理すれば、前記微細マスクパターンは、ライン幅とスペース幅との比は1:1であり、パターンピッチは70nmであった。
ブロック共重合体(II)を利用した1:3L/Sパターンの形成
実験例8で得られたPMMAドメイン−PAMSドメイン−PSドメイン−PAMSドメインを反復単位で備えるラメラ形態の自己組立構造が形成されたブロック共重合体層上に、UV(Hg−Arclamp、1kW)を20分間照射する。UV照射は、真空チャンバー内で行った。その結果、PAMSドメイン及びPMMAドメインに選択的に光分解反応が起こった。光分解反応が起こったウェーハを2wt%の酢酸水溶液で洗浄して、光分解されたPAMSドメインとPMMAドメインとを除去した。前記PAMSドメインとPMMAドメインとが除去されたウェーハを、蒸溜水を利用して洗浄して酸を除去した。洗浄されたウェーハを100℃で60秒加熱して乾燥させた。乾燥されたウェーハをSEMを通じて観察して、PMMAドメイン及びその両側のPAMSドメインが除去されて形成された幅105nmのスペースと、PSドメインからなる幅35nmのラインとを有する微細マスクパターンが形成されたことを確認した。前記微細マスクパターンは、ライン幅とスペース幅との比は1:3であり、パターンピッチは140nmであった。
ブロック共重合体(I)を利用した3:1L/Sパターン及び1:1L/Sパターンの形成
実験例7で得られたPMMAドメイン−PSドメイン−PAMSドメイン−PSドメインを反復単位で備えるラメラ形態の自己組立構造が形成されたブロック共重合体層を備えるウェーハ上に、第1領域を開口し、第2領域を遮蔽させる第1光学マスクを配置する。次いで、前記第1光学マスクをマスクとして、UV(Hg−Arclamp、1kW)を5分間照射する。UV照射は、真空チャンバー内で行った。その結果、前記第1光学マスクにより開口された第1領域内のPAMSドメインに選択的に光分解反応が起こった。光分解反応が起こったウェーハを10wt%の酢酸水溶液で洗浄して、光分解されたPAMSドメインを除去した。前記PAMSドメインが除去されたウェーハを、蒸溜水を利用して洗浄して酸を除去した。洗浄されたウェーハを100℃で60秒加熱して乾燥させた。
ブロック共重合体(II)を利用した1:1L/Sパターン及び1:3L/Sパターンの形成
実験例8で得られたPMMAドメイン−PAMSドメイン−PSドメイン−PAMSドメインを反復単位で備えるラメラ形態の自己組立構造が形成されたブロック共重合体層を備えるウェーハ上に、第1領域を開口し、第2領域を遮蔽させる第1光学マスクを配置する。次いで、前記第1光学マスクをマスクとして、UV(Hg−Arclamp、1kW)を5分間照射する。UV照射は、真空チャンバー内で行った。その結果、前記第1光学マスクにより開口された第1領域内のPAMSドメインに選択的に光分解反応が起こった。光分解反応が起こったウェーハを10wt%の酢酸水溶液で洗浄して、光分解されたPAMSドメインを除去した。前記PAMSドメインが除去されたウェーハを、蒸溜水を利用して洗浄して酸を除去した。洗浄されたウェーハを100℃で60秒加熱して乾燥させた。
(産業上の利用可能性)
本発明は、半導体素子関連の技術分野に適用可能である。
Claims (25)
- 基板上に相異なる反復単位を有する第1高分子ブロック、第2高分子ブロック及び第3高分子ブロックを有するブロック共重合体層を形成するステップと、
前記ブロック共重合体層を相分離させて、第1高分子ブロックを含有する複数個の第1ドメイン、第2高分子ブロックを含有する複数個の第2ドメイン、及び第3高分子ブロックを含有する複数個の第3ドメインを形成するステップと、
前記第1から第3ドメインのうち少なくとも一つのドメインを選択的に除去して微細マスクパターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。 - 前記第1高分子ブロック、前記第2高分子ブロック及び前記第3高分子ブロックの体積比は、1:2:1であることを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記ドメインは、前記基板上に垂直に立てられたラメラ形態を有することを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記ドメインは、第1ドメイン−第2ドメイン−第3ドメイン−第2ドメインのドメイン反復単位を有するように配列されることを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記ドメインのそれぞれの幅は、互いに実質的に同じであることを特徴とする請求項4に記載の微細パターン形成方法。
- 前記第1から第3ドメインのうち、第3ドメインを選択的に除去して前記微細マスクパターンを形成するが、前記微細マスクパターンは、複数個のバーと複数個のスペースとを有し、前記バーの幅と前記スペースの幅との比は3:1であることを特徴とする請求項4に記載の微細パターン形成方法。
- 前記第1から第3ドメインのうち、第1ドメイン及び第3ドメインを選択的に除去して前記微細マスクパターンを形成するが、前記微細マスクパターンは、複数個のバーと複数個のスペースとを有し、前記バーの幅と前記スペースの幅との比は1:1であることを特徴とする請求項4に記載の微細パターン形成方法。
- 前記第1から第3ドメインのうち、第1ドメイン及び第2ドメインを選択的に除去して前記微細マスクパターンを形成するが、前記微細マスクパターンは、複数個のバーと複数個のスペースとを有し、前記バーの幅と前記スペースの幅との比は1:3であることを特徴とする請求項4に記載の微細パターン形成方法。
- 前記第1から第3ドメインのうち少なくとも一つのドメインを選択的に除去することは、前記相分離されたブロック共重合体層上に高分子分解手段を提供することを含むことを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記高分子分解手段は、輻射線またはプラズマであることを特徴とする請求項9に記載の微細パターン形成方法。
- 前記基板は、第1領域及び第2領域を有し、前記ブロック共重合体層は、前記第1領域及び前記第2領域上に形成され、
前記相分離されたブロック共重合体層は、前記第1領域及び前記第2領域上で第1ドメイン−第2ドメイン−第3ドメイン−第2ドメインの同じドメイン反復単位を有し、
前記第1から第3ドメインのうち、前記第1領域上で選択的に除去される部分と前記第2領域上で選択的に除去される部分とは異なることを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。 - 前記第1領域及び前記第2領域上に相異なる種類またはエネルギーの高分子分解手段を提供して、前記第1から第3ドメインのうち、前記第1領域上で選択的に除去される部分と前記第2領域上で選択的に除去される部分とを異ならせることを特徴とする請求項11に記載の微細パターン形成方法。
- 前記ブロック共重合体層を相分離させるステップは、前記ブロック共重合体層のガラス転移温度Tgより高い温度で前記ブロック共重合体層をアニーリングすることを含むことを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記ブロック共重合体層を形成する前に、前記基板上に表面特性の相異なる第1部分及び第2部分が反復配置されたイメージパターン層を形成するが、前記第1部分は、第1ピッチで配列されたことを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記第1部分の表面は、第2部分の表面に比べて親水性がさらに高いことを特徴とする請求項14に記載の微細パターン形成方法。
- 前記イメージパターン層を形成するステップは、基板上にイメージ層を形成するステップと、前記イメージ層の一部領域上に選択的に外部刺激を加えて前記第1部分を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項14に記載の微細パターン形成方法。
- 前記イメージ層の一部領域上に選択的に外部刺激を加えることは、前記イメージ層の一部領域を選択的に酸化させることを含むことを特徴とする請求項15に記載の微細パターン形成方法。
- 前記外部刺激は、酸素雰囲気での輻射線または酸素プラズマであることを特徴とする請求項17に記載の微細パターン形成方法。
- 前記イメージ層は、前記基板上に化学結合により自己組立された単分子層であることを特徴とする請求項16に記載の微細パターン形成方法。
- 前記イメージ層を形成する前に、前記基板上にベース層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の微細パターン形成方法。
- 前記ベース層は、Si含有の物質層であり、前記イメージ層を形成する前に、前記ベース層を表面処理して前記ベース層の表面にSi−OH基を形成することを特徴とする請求項20に記載の微細パターン形成方法。
- 前記ベース層は、反射防止膜であることを特徴とする請求項20に記載の微細パターン形成方法。
- 前記微細マスクパターンをマスクとして前記基板をエッチングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 基板上に表面特性の相異なる第1部分及び第2部分が反復配置されたイメージパターン層を形成するが、前記第1部分は、第1ピッチで配列されるステップと、
前記イメージパターン層上に相異なる反復単位を有する第1高分子ブロック、第2高分子ブロック及び第3高分子ブロックを備えるが、前記第1から第3高分子ブロックは1:2:1の体積比を有するブロック共重合体層を形成するステップと、
前記ブロック共重合体層を相分離させて、第1高分子ブロックを含有する複数個の第1ドメイン、第2高分子ブロックを含有する複数個の第2ドメイン、及び第3高分子ブロックを含有する複数個の第3ドメインを形成するが、前記ドメインは、第1ドメイン−第2ドメイン−第3ドメイン−第2ドメインのドメイン反復単位で前記基板上に垂直に立てられたラメラ形態に配列され、前記第1ドメインは、次の数式2を満たす第2ピッチで配列されるステップと、
前記第1から第3ドメインのうち少なくとも一つのドメインを選択的に除去して、微細マスクパターンを形成するステップと、
前記微細マスクパターンをマスクとして前記基板をエッチングするステップと、を含むことを特徴とする微細パターン形成方法:
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0131049 | 2007-12-14 | ||
KR1020070131049A KR101355167B1 (ko) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 적어도 세 개의 고분자 블록을 구비하는 블록 공중합체를이용한 미세 패턴 형성 방법 |
US12/283,449 US8053163B2 (en) | 2007-12-14 | 2008-09-12 | Method of fine patterning semiconductor device |
US12/283,449 | 2008-09-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009147331A true JP2009147331A (ja) | 2009-07-02 |
JP5376921B2 JP5376921B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=40753731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008310857A Expired - Fee Related JP5376921B2 (ja) | 2007-12-14 | 2008-12-05 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8053163B2 (ja) |
JP (1) | JP5376921B2 (ja) |
KR (1) | KR101355167B1 (ja) |
CN (1) | CN101458461B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178428A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Toshiba Corp | パターンデータ生成装置、パターンデータ生成方法、及びパターン形成方法 |
JP2013072896A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2013251492A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法、原版及びデータ処理方法 |
JP2014053558A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2014053494A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
WO2014171446A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Jsr株式会社 | 自己組織化リソグラフィプロセスに用いられる組成物 |
KR20140132719A (ko) * | 2012-03-09 | 2014-11-18 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 블록 공중합체에서 금속을 제거하는 방법 및 물질 |
US9034766B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern formation method |
JP2017016104A (ja) * | 2015-06-03 | 2017-01-19 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | パターン処理のための組成物及び方法 |
JP2018046206A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | エッチング装置、基板処理装置、エッチング方法および基板処理方法 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101355167B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2014-01-28 | 삼성전자주식회사 | 적어도 세 개의 고분자 블록을 구비하는 블록 공중합체를이용한 미세 패턴 형성 방법 |
US8088551B2 (en) * | 2008-10-09 | 2012-01-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of utilizing block copolymer to form patterns |
KR101602942B1 (ko) * | 2009-10-07 | 2016-03-15 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 |
US8574950B2 (en) * | 2009-10-30 | 2013-11-05 | International Business Machines Corporation | Electrically contactable grids manufacture |
US8921032B2 (en) * | 2010-06-04 | 2014-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Self-assemblable polymer and method for use in lithography |
JP5300799B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | パターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料 |
JP5112500B2 (ja) * | 2010-11-18 | 2013-01-09 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP5254381B2 (ja) | 2011-02-23 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
CN103177936A (zh) * | 2011-12-26 | 2013-06-26 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体器件制造方法 |
JP5835123B2 (ja) * | 2012-06-21 | 2015-12-24 | Jsr株式会社 | パターン形成用自己組織化組成物及びパターン形成方法 |
KR101529646B1 (ko) * | 2012-09-10 | 2015-06-17 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체 |
CN103682088A (zh) * | 2012-09-10 | 2014-03-26 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制造交叉点器件的方法 |
TWI672788B (zh) | 2013-03-27 | 2019-09-21 | 日商尼康股份有限公司 | 標記形成方法、標記檢測方法、及元件製造方法 |
US9129909B2 (en) * | 2013-11-08 | 2015-09-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of patterning |
KR102233575B1 (ko) * | 2014-02-17 | 2021-03-30 | 삼성전자주식회사 | 미세 패턴 형성 방법 |
JP6129773B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-05-17 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
US9478435B2 (en) * | 2014-08-07 | 2016-10-25 | Tokyo Electron Limited | Method for directed self-assembly and pattern curing |
JP6173989B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2017-08-02 | 東芝メモリ株式会社 | パターン形成方法 |
US9396958B2 (en) * | 2014-10-14 | 2016-07-19 | Tokyo Electron Limited | Self-aligned patterning using directed self-assembly of block copolymers |
KR102335109B1 (ko) | 2014-12-15 | 2021-12-03 | 삼성전자 주식회사 | 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
KR102346515B1 (ko) | 2015-05-19 | 2022-01-04 | 삼성전자주식회사 | 패턴 구조물의 형성 방법 |
KR102508525B1 (ko) | 2015-10-19 | 2023-03-09 | 삼성전자주식회사 | 블록 코폴리머 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
US20180323078A1 (en) * | 2015-12-24 | 2018-11-08 | Intel Corporation | Pitch division using directed self-assembly |
KR102611450B1 (ko) | 2016-01-26 | 2023-12-08 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 |
WO2018125089A1 (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Intel Corporation | Grating layer with variable pitch formed using directed self-assembly of multiblock copolymers |
CN107245133B (zh) * | 2017-06-05 | 2020-04-17 | 复旦大学 | 一种低淬火温度快速组装的小尺寸嵌段高分子材料及其制备和应用 |
KR20210087641A (ko) | 2020-01-03 | 2021-07-13 | 주식회사 에스티원 | 전사 프린팅 방법 및 이에 따라 제조된 세포 배양용 나노섬유매트 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001151834A (ja) * | 1999-06-07 | 2001-06-05 | Toshiba Corp | パターン形成材料、多孔質構造体の製造方法、パターン形成方法、電気化学セル、中空糸フィルター、多孔質カーボン構造体の製造方法、キャパシタの製造方法、および燃料電池の触媒層の製造方法 |
JP2002023356A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Seiko Epson Corp | 微細構造体の製造方法 |
WO2006112887A2 (en) * | 2004-11-22 | 2006-10-26 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Methods and compositions for forming aperiodic patterned copolymer films |
JP2008036491A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン形成方法及びモールド |
JP2008096596A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Canon Inc | パターン形成方法 |
JP2009042760A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Samsung Electronics Co Ltd | ブロック共重合体を利用した微細パターンの形成方法 |
JP2010522643A (ja) * | 2007-02-08 | 2010-07-08 | マイクロン テクノロジー, インク. | サブリソグラフィックパターニングのためにブロック共重合体自己集合を使用する方法 |
JP2010525577A (ja) * | 2007-04-18 | 2010-07-22 | マイクロン テクノロジー, インク. | スタンプを形成する方法、基板をパターン化する方法、ならびにそのためのスタンプおよびパターニングシステム |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6864570B2 (en) | 1993-12-17 | 2005-03-08 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
WO2002073699A2 (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-19 | University Of Massachusetts | Nanofabrication |
US6746825B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-06-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Guided self-assembly of block copolymer films on interferometrically nanopatterned substrates |
US7115305B2 (en) | 2002-02-01 | 2006-10-03 | California Institute Of Technology | Method of producing regular arrays of nano-scale objects using nano-structured block-copolymeric materials |
US8618221B2 (en) * | 2005-10-14 | 2013-12-31 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Directed assembly of triblock copolymers |
US7579278B2 (en) | 2006-03-23 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Topography directed patterning |
US7723009B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-05-25 | Micron Technology, Inc. | Topography based patterning |
KR100771886B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2007-11-01 | 삼성전자주식회사 | 블럭 공중합체를 사용한 미세 콘택홀 형성 방법 및 반도체소자 제조 방법 |
US7999160B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-08-16 | International Business Machines Corporation | Orienting, positioning, and forming nanoscale structures |
KR101355167B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2014-01-28 | 삼성전자주식회사 | 적어도 세 개의 고분자 블록을 구비하는 블록 공중합체를이용한 미세 패턴 형성 방법 |
KR20090083091A (ko) * | 2008-01-29 | 2009-08-03 | 삼성전자주식회사 | 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
US8426313B2 (en) * | 2008-03-21 | 2013-04-23 | Micron Technology, Inc. | Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference |
US7560141B1 (en) * | 2008-11-11 | 2009-07-14 | International Business Machines Corporation | Method of positioning patterns from block copolymer self-assembly |
-
2007
- 2007-12-14 KR KR1020070131049A patent/KR101355167B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-09-12 US US12/283,449 patent/US8053163B2/en active Active
- 2008-12-05 JP JP2008310857A patent/JP5376921B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-15 CN CN200810183747XA patent/CN101458461B/zh active Active
-
2011
- 2011-09-22 US US13/239,555 patent/US8334089B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001151834A (ja) * | 1999-06-07 | 2001-06-05 | Toshiba Corp | パターン形成材料、多孔質構造体の製造方法、パターン形成方法、電気化学セル、中空糸フィルター、多孔質カーボン構造体の製造方法、キャパシタの製造方法、および燃料電池の触媒層の製造方法 |
JP2002023356A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Seiko Epson Corp | 微細構造体の製造方法 |
WO2006112887A2 (en) * | 2004-11-22 | 2006-10-26 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Methods and compositions for forming aperiodic patterned copolymer films |
JP2008036491A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン形成方法及びモールド |
JP2008096596A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Canon Inc | パターン形成方法 |
JP2010522643A (ja) * | 2007-02-08 | 2010-07-08 | マイクロン テクノロジー, インク. | サブリソグラフィックパターニングのためにブロック共重合体自己集合を使用する方法 |
JP2010525577A (ja) * | 2007-04-18 | 2010-07-22 | マイクロン テクノロジー, インク. | スタンプを形成する方法、基板をパターン化する方法、ならびにそのためのスタンプおよびパターニングシステム |
JP2009042760A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Samsung Electronics Co Ltd | ブロック共重合体を利用した微細パターンの形成方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178428A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Toshiba Corp | パターンデータ生成装置、パターンデータ生成方法、及びパターン形成方法 |
JP2013072896A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
KR20140132719A (ko) * | 2012-03-09 | 2014-11-18 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 블록 공중합체에서 금속을 제거하는 방법 및 물질 |
JP2013251492A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法、原版及びデータ処理方法 |
JP2014053494A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
US8785329B2 (en) | 2012-09-07 | 2014-07-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming pattern and method for manufacturing semiconductor device |
JP2014053558A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
WO2014171446A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Jsr株式会社 | 自己組織化リソグラフィプロセスに用いられる組成物 |
JPWO2014171446A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2017-02-23 | Jsr株式会社 | 自己組織化リソグラフィプロセスに用いられる組成物 |
US9034766B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern formation method |
JP2017016104A (ja) * | 2015-06-03 | 2017-01-19 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | パターン処理のための組成物及び方法 |
JP2018046206A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | エッチング装置、基板処理装置、エッチング方法および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120015527A1 (en) | 2012-01-19 |
CN101458461A (zh) | 2009-06-17 |
KR20090063612A (ko) | 2009-06-18 |
CN101458461B (zh) | 2013-03-27 |
KR101355167B1 (ko) | 2014-01-28 |
US8334089B2 (en) | 2012-12-18 |
US20090155725A1 (en) | 2009-06-18 |
JP5376921B2 (ja) | 2013-12-25 |
US8053163B2 (en) | 2011-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5376921B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
KR101291223B1 (ko) | 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 | |
JP5694109B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP4673266B2 (ja) | パターン形成方法及びモールド | |
CN107210197B (zh) | 用于嵌段共聚物的定向自组装的混杂形貌和化学预制图案 | |
JP6139011B2 (ja) | 誘導自己組織化用途における中立層オーバーコートのトポグラフィの最小化 | |
US8808973B2 (en) | Method of forming pattern | |
US8993088B2 (en) | Polymeric materials in self-assembled arrays and semiconductor structures comprising polymeric materials | |
US9159558B2 (en) | Methods of reducing defects in directed self-assembled structures | |
US9152053B2 (en) | Method of forming pattern | |
US8241992B2 (en) | Method for air gap interconnect integration using photo-patternable low k material | |
KR101350072B1 (ko) | 서브 리소그래픽 패터닝을 위해 블록 공중합체 자기 조립을 사용하는 방법 | |
US7846502B2 (en) | Method of positioning patterns from block copolymer self-assembly | |
KR101740276B1 (ko) | 블럭 코폴리머 특성을 제어하는 방법 및 이로부터 제조된 제품 | |
KR20090083091A (ko) | 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 | |
WO2011036778A1 (ja) | パターン形成方法 | |
US9417520B2 (en) | Methods of patterning block copolymer layers and patterned structures | |
KR102012765B1 (ko) | 디바이스 리소그래피에서 사용되는 자가조립가능한 블록 공중합체들에 대한 패터닝된 화학적 에피택시 템플릿을 제공하는 방법들 | |
Borah et al. | Soft-graphoepitaxy using nanoimprinted polyhedral oligomeric silsesquioxane substrates for the directed self-assembly of PS-b-PDMS | |
US11067893B2 (en) | Compositions and processes for self-assembly of block copolymers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111019 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121012 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130805 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130808 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130924 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5376921 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |