JP3889386B2 - インプリント装置及びインプリント方法 - Google Patents

インプリント装置及びインプリント方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3889386B2
JP3889386B2 JP2003342067A JP2003342067A JP3889386B2 JP 3889386 B2 JP3889386 B2 JP 3889386B2 JP 2003342067 A JP2003342067 A JP 2003342067A JP 2003342067 A JP2003342067 A JP 2003342067A JP 3889386 B2 JP3889386 B2 JP 3889386B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist film
press
laminate
stamper
bottom plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003342067A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005108351A (ja
Inventor
正敏 櫻井
哲 喜々津
尚子 木原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2003342067A priority Critical patent/JP3889386B2/ja
Priority to US10/952,743 priority patent/US7343857B2/en
Publication of JP2005108351A publication Critical patent/JP2005108351A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3889386B2 publication Critical patent/JP3889386B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/855Coating only part of a support with a magnetic layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/86Scanning probe structure
    • Y10S977/875Scanning probe structure with tip detail
    • Y10S977/877Chemically functionalized
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/888Shaping or removal of materials, e.g. etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

本発明は情報記録装置の製造に使用するインプリント技術に関し、特に磁気記録媒体を加工するインプリント装置及びインプリント方法に関する。
近年、汎用のコンピュータ等に用いられている情報記録装置は、音声や動画等の大容量のデータを取り扱うようになり記録容量の増大が進められている。情報記録装置であるハードディスク等の磁気記録媒体においては、記録容量を増やすために媒体表面の磁性層を物理的にパターニングして、トラックや記録ビットを物理的に孤立させる「パターンドメディア」が有望とされている。パターンドメディアに期待される記録密度は500ギガビット/平方インチ(Gbpsi)であり、隣り合う記録ビットの周期は30nm程度以下である。磁気記録媒体をこのサイズにする場合、従来のフォトリソグラフィー法では光の波長の限界から使用できない。また、電子線リソグラフィー法や集束イオンビームリソグラフィー法等では、このサイズの微細加工が可能であるが、スループットの悪さが問題となる。
そこで、電子線リソグラフィー法等で作製したナノオーダの加工原盤によってつくられたスタンパを用いて、磁性層上に塗布したレジスト膜に物理的にプレスすることにより、スタンパ表面の凹凸パターンがレジスト膜に転写される。その後、レジスト膜の凹凸パターンをマスクとして用いてエッチングを行うことで磁性層をパターニングするインプリント法が適用されている(例えば、特許文献1参照。)。
インプリント法には、主に2P法、ホットエンボス法、及び室温大気圧中の高圧プレス法がある。まず、2P法は、基板上に紫外線(UV)硬化性の流動的なレジストを基板の歪みサイズ以上に厚く塗布し、石英等の透明なスタンパを押しつける。その後に透明なスタンパの凹凸を有する面の裏側からUV光を照射して基板上のレジストを硬化する。そうすることでスタンパ表面に接触していたレジストも硬化するため、スタンパを剥離後にスタンパ表面の凹凸が転写されたレジスト膜を得る。
ホットエンボス法は、透明でない金属等のスタンパを用意する。基板上に塗布されたレジストにスタンパをプレスし、プレスしたままで基板、レジスト及びスタンパをレジストのガラス転移温度以上に加熱する。すると基板とスタンパの間に挟まったレジストが軟化し、スタンパ表面の形状が転写される。そして、プレスしたまま基板、レジスト及びスタンパを冷却し、ガラス転移温度以下に冷えたらスタンパを取り除くことでスタンパ表面の凹凸がレジスト膜上に転写される。
室温大気圧中の高圧プレス法は、透明でない金属等のスタンパを用意する。基板上に、なるべく低いガラス転移温度を持つレジストを塗布する。続いてインプリントスタンパを10MPa以上でプレスする。レジストのガラス転移温度はおよそ50℃以下が好ましく、この低いガラス転移温度により室温においても高圧プレスすることによりスタンパ表面の凹凸がレジスト膜上に転写される。
特開2003−157520号公報
インプリント法は基板とスタンパの歪み等が原因で、大面積を均一にプレスするのが困難である。上記した2P法では厚いレジスト膜を用いるので基板の歪みに関係なく、レジスト膜上にスタンパ表面の凹凸をレジスト膜上に転写できる。しかしながら、実質的にスタンパと基板表面のそれぞれの歪みは相殺されないので、結局その間に挟まるレジスト膜の膜厚ムラとして現れてしまう。
ホットエンボス法では、ガラス転移温度以下に温度を下げたレジストは硬いために、インプリント後の表面形状が安定である。しかしながら、加熱及び冷却工程を含むためスループットが悪い。また、基板とスタンパの歪み等に起因するインプリントムラの問題も解決されていない。
室温大気圧中の高圧プレス法では、高圧プレスであるために基板とスタンパの歪みも解消され、大面積均一インプリントも可能になる。ただし、室温でレジストを変形させるために、経時変化によりインプリント後のレジスト表面に歪みが生じる。そこでレジストに低いガラス転移温度特性だけでなく、UV硬化性のある材料を用いてインプリント後にレジスト表面のUV硬化処理を行うことで、レジスト表面の経時変化を抑えようとしている。しかし、レジスト表面の経時変化はインプリント直後から起きるために、UV硬化処理時にはすでにレジスト表面の形状が変化してしまっている。2P法のように石英等の透明な材料のスタンパを用いることができればプレス中にレジストを硬化させることができるが、透明な材料では高圧でプレスする際に強度的に問題があって使用できない。
そこで、本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、基板とスタンパの間で歪みがある場合にも全面均一にインプリントが可能であり、且つレジスト膜の経時変化もしないパターンドメディアを有する磁気記録媒体を高スループットで作製することができるインプリント装置及びインプリント方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第1の特徴は、(イ)基板上に磁性膜とレジスト膜を順次積層させた積層体を載置するプレス底板と、(ロ)プレス底板との間に積層体を挟みプレス底板と対向するプレス天板と、(ハ)プレス天板のプレス底板と対向する面に配置され、レジスト膜に転写すべき凹凸を有するスタンパと、(ニ)積層体と同一平面レベルにおいて、積層体を周囲する位置にレジスト膜の方向を向いて配置され、前記レジスト膜を硬化させる紫外線を出射する光源とを備えるインプリント装置であることを要旨とする。
本発明の第2の特徴は、(イ)基板上に磁性膜とレジスト膜を順次積層させた積層体をプレス底板に載置するステップと、(ロ)積層体とレジスト膜に転写すべき凹凸が形成された面とが向き合うようにスタンパをプレス天板に配置するステップと、(ハ)プレス底板とプレス天板とを互いにプレスすることで、凹凸を積層体に転写し、プレスの途中で積層体の側面からレジスト膜に紫外線を照射してレジスト膜を硬化させるステップと、(ニ)硬化したレジスト膜をマスクとして用いて積層体をエッチングし、パターンドメディアを有する磁気記録媒体を得るステップとを含むインプリント方法であることを要旨とする。
本発明によれば、基板とスタンパの間で歪みがある場合にも全面均一にインプリントが可能であり、且つレジスト膜の経時変化もしないパターンドメディアを有する磁気記録媒体を高スループットで作製することができるインプリント装置及びインプリント方法を提供することができる。
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態に係るインプリント装置2aは、図1に示すように、基板10上に磁性膜11とレジスト膜12を順次積層させた積層体1を載置するプレス底板20と、プレス底板20との間に積層体1を挟みプレス底板20と対向するプレス天板22と、プレス天板22のプレス底板20と対向する面に配置され、レジスト膜12に転写すべき凹凸を有するスタンパ30と、積層体1と同一平面レベルにおいて、積層体1を周囲する位置にレジスト膜12の方向を向いて配置された光源40とを備える。
積層体1のサイズ(直径)は、約46mm、65mm、89mm等が一般的である。基板10には薄板化が可能、且つ耐衝撃性に優れた高強度のアルミ合金及び硬化ガラス等が用いられる。基板10は、中央に貫通穴14の開いたドーナツ型であり、プレス底板20に接する面と磁性膜11を設ける面とは互いに平行な平面である。磁性膜11には、薄層化に伴う記録磁化の熱揺らぎを防ぐために結晶磁気異方性が大きい材料が用いられる。また、磁性膜11には、微細構造に起因する媒体ノイズを低減させるとともに、化学的に安定であり、機械的強度が高い材料が用いられる。そこで、具体的に磁性膜11には、バリウムフェライト(BaFe1219)、鉄−白金(Fe−Pt)合金及びコバルト−白金(Co−Pt)合金等の材料を用いる。レジスト膜12には、UV光が照射されることで硬化するノボラック樹脂系のフォトレジスト等を用いことが好ましい。
プレス底板20の基板10を載置する上面は平面である。プレス底板20の上面の中央には、スタンパ30と積層体1の位置を合わせるために、位置合わせ用円柱24が設けられている。プレス天板22の下面は、プレス底板20の上面と平行である。プレス天板22の下面の中央は、プレス底板20にある位置合わせ用円柱24と嵌合して、積層体1とスタンパ30の位置合わせを行うための第1の嵌合穴26を有する。プレス底板20及びプレス天板22のそれぞれには、積層体1及びスタンパ30を保持する冶具が備えられていてもよい。また、プレス底板20とプレス天板22のそれぞれの表面には、積層体1とスタンパ30を吸引するための真空チャック(図示せず)が設けられている。プレス底板20及びプレス天板22には、ニッケル(Ni)等の不透光性である金属からなる耐圧性材料を用いる。
スタンパ30は、積層体1に磁気記録媒体用トラック形状及びドット形状等の凹凸を転写するひな形である。スタンパ30は、電子線リソグラフィー法等で形成した加工原盤により、表面に微細な凹凸パターンが設けられる。図1の断面図には模式的に4本の凸部が示されているが、実際には幅30〜100nm、ピッチ100〜200nm、高さ30〜100nm程度で、100万〜本500万本程度の断面形状である。ただし、平面図としては渦巻型で現実には1本の凸部で構成してもよい。スタンパ30の凹凸パターンが設けられている反対側の面は、プレス天板22の下面に密接するために平面であることが好ましい。スタンパ30の表面の中央には、プレス底板20にある位置合わせ用円柱24と嵌合して、積層体1とスタンパ30の位置合わせを行うための第2の嵌合穴32を有する。スタンパ30には、10MPa以上〜200MPa以下、好ましくは50MPa以上〜150Pa以下の圧力に耐久性を有するNi等の金属が使用可能である。10MPa以下の圧力ではレジスト膜12とスタンパ30の歪みを相殺できないため、レジスト膜12全面に均一な凹凸パターンの転写が施せない。50MPa以上の圧力では、レジスト膜12全面に均一な凹凸パターンの転写が確実に施せる。また、150MPa以上では圧力が高すぎるために、レジストの膜はがれを生じさせてしまう。特に、200MPa以上では、スタンパに歪みを生じさせたり、基板10の破損を生じさせる可能性が増大する。
光源40は、プレス底板20とプレス天板22とをプレスした際に対面した隙間から積層体1にUV光が届くように、積層体1と同一平面レベルに位置している。また、光源40は、図2に示すように、積層体1、プレス底板20及びプレス天板22を囲んで配置できる内径を有するように筒状のランプをドーナツ形状にしたものである。光源40は、プレス底板20及びプレス天板22と中心を同じにして配置する。光源40には、UV光を出射するハロゲンランプ及び水銀ランプ等を用いる。
以下に、本発明の第1の実施の形態に係るインプリント装置2aのインプリント方法を図3〜7を参照しながら説明する。
(イ)まず、例えば直径65mm、厚さ0.6mmで、中央に内径20mmの貫通穴14の開いたドーナツ型の基板10を用意する。その基板10上に磁性膜11とUV硬化性のレジスト膜12を順次積層させ、積層体1とする。磁性膜11は、例えばスパッタを行うことで基板10上に設けられる。レジスト膜12は、例えばスピンコートを行うことで磁性膜11上にフォトレジストを塗布する。ここで、レジスト膜12の膜厚は100nmとする。そして、積層体1は、図3に示すように、直径80mmのプレス底板20の位置合わせ用円柱24を貫通穴14に嵌合させて載置される。位置合わせ用円柱24は、貫通穴14よりわずかに小さくすることで若干の遊びができればよく、ここでは直径19.98mmとする。
(ロ)次に、例えば直径80mm、厚さ0.3mmで、中央に内径20mmの第2の嵌合穴32の開いたドーナツ型のスタンパ30を用意する。そして、スタンパ30は、図3に示すように、表面に凹凸が形成された面と積層体1とが向き合うように、直径80mmのプレス天板22の下面に固定する。このとき、プレス天板22とスタンパ30にそれぞれ設けられた第1の嵌合穴26及び第2の嵌合穴32が合致するように配置する。
(ハ)次に、図4に示すように、室温・大気圧の雰囲気中で、位置合わせ用円柱24の積層体1から突出した部分が第1の嵌合穴26及び第2の嵌合穴32に嵌めこまれるように、油圧シリンダー等の加圧器(図示せず)でプレス底板20とプレス天板22とを押圧することで、積層体1がプレスされる。例えば、積層体1は100MPaの圧力で、1分間プレスされる。プレス開始から30秒経過時点で、図5に示すように、光源40から積層体1の側面からプレス底板20とプレス天板22との隙間からレジスト膜12に対してUV光を照射する。この結果、レジスト膜12は硬化する。
(ニ)プレス終了後、図6に示すように、プレス底板20及びプレス天板22に備える真空チャックを作動させて、積層体1とプレス底板20、スタンパ30とプレス天板22とをそれぞれ吸着させる。そして、プレス底板20とプレス天板22を引き離すことで、インプリントの施された積層体1とスタンパ30が剥がされる。
(ホ)次に、インプリントが施された積層体1は、インプリント装置2aから反応性イオンエッチング(RIE)装置及びアルゴンイオンミリング装置等の加工装置に移し替える。加工装置に移し替えられた積層体1は、インプリントにより凹凸を転写され、UV硬化したレジスト膜12を磁性膜11の表面に達するまで全面をRIE法によりエッチングする。そして、レジスト膜12をマスクとして用いて、磁性膜11をアルゴンイオンミリング法によりエッチングすることで、図7に示すように、隣り合う記録トラック同士が物理的に分離されたパターンドメディアを有する磁気記録媒体5が得られる。
第1の実施の形態に係るインプリント装置2aによれば、積層体1とスタンパ30に歪みがあっても、高圧プレスであるために歪みも解消され、大面積均一インプリントが可能になるためパターンドメディアを有する磁気記録媒体5を高スループットで作製することができる。また、第1の実施の形態に係るインプリント装置2aによれば、高圧でプレスするので強度に問題のある石英等の透明材料を用いず、インプリント装置2aのすべての部材に透明ではない耐圧性材料を用いても、プレス底板20とプレス天板22とをプレスした際に対面したプレス底板20とプレス天板22との隙間からUV光照射を行うことができるためレジスト膜12の経時変化が起きない。
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態に係るインプリント装置2bは、図8に示すように、図1に示したインプリント装置2aに対して円筒形の遮光板42を更に備える点が異なる。他は図1に示したインプリント装置2aと実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
遮光板42は、光源40から積層体1に照射されるUV光を遮るものであり、積層体1へのUV光の照射を制御する。遮光板42は、例えば上下方向等に移動することで開閉自在なシャッターと同等な機能を奏する。
以下に、本発明の第2の実施の形態に係るインプリント装置2bのインプリント方法を図9〜13を参照しながら説明する。
(イ)まず、例えば直径65mm、厚さ0.6mmで、中央に内径20mmの貫通穴14の開いたドーナツ型の基板10を用意する。その基板10上に磁性膜11とレジスト膜12を順次積層させ、積層体1とする。レジスト膜12は、例えばスピンコートを行うことで磁性膜11上にフォトレジストを設ける。ここで、レジスト膜12の膜厚は100nmとする。そして、積層体1は、図9に示すように、直径80mmのプレス底板20の位置合わせ用円柱24を貫通穴14に嵌合させて載置する。位置合わせ用円柱24は、貫通穴14よりわずかに小さくすることで若干の遊びができればよく、ここでは直径19.98mmとする。
(ロ)次に、例えば直径80mm、厚さ0.3mmで、中央に内径20mmの第2の嵌合穴32の開いたドーナツ型のスタンパ30を用意する。スタンパ30に形成されている凹凸の凹部の深さは100nmとする。そして、スタンパ30は、図9に示すように、表面に凹凸が形成された面と積層体1とが向き合うように、直径80mmのプレス天板22の下面に固定する。このとき、プレス天板22とスタンパ30にそれぞれ設けられた第1の嵌合穴26及び第2の嵌合穴32が合致するように配置する。そして、遮光板42によって積層体1にUV光が到達しないようにした状態で光源40を点灯させ、照度を安定させる。
(ハ)次に、図10に示すように、室温・大気圧の雰囲気中で、位置合わせ用円柱24の積層体1から突出した部分が第1の嵌合穴26及び第2の嵌合穴32に嵌めこまれるように、油圧シリンダー等の加圧器(図示せず)でプレス底板20とプレス天板22とを押圧することで、積層体1がプレスされる。例えば、積層体1は100MPaの圧力で、1分間プレスされる。この時点では、遮光板42は閉鎖してあり、積層体1にUV光は照射されない。プレス開始から30秒経過時点で、図11に示すように、遮光板42を上方又は下方に移動して光源40から積層体1の側面にUV光を照射する。
(ニ)プレス終了後、図12に示すように、プレス底板20及びプレス天板22に備える真空チャックを作動させて、積層体1とプレス底板20、スタンパ30とプレス天板22吸着させる。そして、プレス底板20とプレス天板22を引き離すことで、インプリントの施された積層体1とスタンパ30が剥がされる。
(ホ)次に、インプリントが施された積層体1は、インプリント装置2bからRIE装置及びアルゴンイオンミリング装置等の加工装置に移し替える。加工装置に移し替えられた積層体1は、インプリントにより凹凸を転写されたレジスト膜12を磁性膜11の表面に達するまで全面をRIE法でエッチングする。そして、レジスト膜12をマスクとして用いて、磁性膜11をアルゴンイオンミリング法でエッチングすることで、図13に示すように、隣り合う記録トラック同士が物理的に分離されたパターンドメディアを有する磁気記録媒体5が得られる。
本発明の第2の実施の形態に係るインプリント装置2bによれば、遮光板42を備えることで、積層体1へUV光の照射を遮光板42の移動によって制御できる。つまり、光源40は、遮光板42があるためにインプリントの工程の間ずっと点灯させておいても、インプリント前のレジスト膜12を硬化させることはない。光源40が点灯させたままでよいことで、点灯開始から安定した照度になるまでに時間のかかるハロゲンランプ及び水銀ランプ等の光源40から安定したUV光が得られる。また、安定したUV光を得るために待機しなくてもよくなりスループットも向上する。更に、光源40は、点灯と消灯を繰り返さなくてよくなるので、光源40の寿命も延びる。
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
例えば、第1の実施の形態に係るインプリント装置2aにおいて、光源40は積層体1、プレス底板20及びプレス天板22を囲んで配置できる内径を有するドーナツ形状と記載したが、図14に示すように、プレス底板20とプレス天板22とをプレスした際に対面した隙間から積層体1にUV光が届くように、プレス底板20とプレス天板22の合わせ面に複数の光源41を、例えば図2で示したドーナツ型の光源40の外周に点在させても構わない。
また、第1及び第2の実施の形態に係るインプリント装置2a,2bの構成部材には金属等の不透光性材料を用いると記載したが、10MPa以上〜200MPa以下の圧力に耐久性があれば、透明材料を用いることができる。
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
本発明の第1の実施の形態に係るインプリント装置の模式的断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係るインプリント装置の模式的平面図である。 本発明の第1の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その1)である。 本発明の第1の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その2)である。 本発明の第1の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その3)である。 本発明の第1の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その4)である。 本発明の第1の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その5)である。 本発明の第2の実施の形態に係るインプリント装置の模式的断面図である。 本発明の第2の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その1)である。 本発明の第2の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その2)である。 本発明の第2の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その3)である。 本発明の第2の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その4)である。 本発明の第2の実施の形態に係るインプリント方法の工程断面図(その5)である。 本発明のその他の実施の形態に係るインプリント装置の模式的平面図である。
符号の説明
1…積層体
10…基板
11…磁性膜
12…レジスト膜
14…貫通穴
2a,2b…インプリント装置
20…プレス底板
22…プレス天板
24…位置合わせ用円柱
26…第1の嵌合穴
30…スタンパ
32…第2の嵌合穴
40,41…光源
42…遮光板
5…磁気記録媒体

Claims (5)

  1. 基板上に磁性膜とレジスト膜を順次積層させた積層体を載置するプレス底板と、
    前記プレス底板との間に前記積層体を挟み前記プレス底板と対向するプレス天板と、
    前記プレス天板の前記プレス底板と対向する面に配置され、前記レジスト膜に転写すべき凹凸を有するスタンパと、
    前記積層体と同一平面レベルにおいて、前記積層体を周囲する位置に前記レジスト膜の方向を向いて配置され、前記レジスト膜を硬化させる紫外線を出射する光源
    とを備えることを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記スタンパは、10MPa以上〜200MPa以下の圧力に耐久性を有する材料からなることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記積層体と前記光源の間に配置された遮光板を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。
  4. 基板上に磁性膜とレジスト膜を順次積層させた積層体をプレス底板に載置するステップと、
    前記積層体と前記レジスト膜に転写すべき凹凸が形成された面とが向き合うようにスタンパをプレス天板に配置するステップと、
    前記プレス底板と前記プレス天板とを互いにプレスすることで、前記凹凸を前記積層体に転写し、前記プレスの途中で前記積層体の側面から前記レジスト膜に紫外線を照射して前記レジスト膜を硬化させるステップと、
    硬化した前記レジスト膜をマスクとして用いて前記積層体をエッチングし、パターンドメディアを有する磁気記録媒体を得るステップ
    とを含むことを特徴とするインプリント方法。
  5. 前記レジスト膜を硬化させるステップは、
    前記積層体と前記紫外線を照射する光源の間に配置された遮光板によって前記紫外線を前記レジスト膜に到達させないようにして前記光源の照度を安定させるステップと、
    前記照度の安定後、前記遮光板を移動させて前記積層体の側面から前記レジスト膜に前記紫外線の照射を開始するステップ
    とを含むことを特徴とする請求項4に記載のインプリント方法。
JP2003342067A 2003-09-30 2003-09-30 インプリント装置及びインプリント方法 Expired - Fee Related JP3889386B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003342067A JP3889386B2 (ja) 2003-09-30 2003-09-30 インプリント装置及びインプリント方法
US10/952,743 US7343857B2 (en) 2003-09-30 2004-09-30 Imprint apparatus and method for imprinting

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003342067A JP3889386B2 (ja) 2003-09-30 2003-09-30 インプリント装置及びインプリント方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005108351A JP2005108351A (ja) 2005-04-21
JP3889386B2 true JP3889386B2 (ja) 2007-03-07

Family

ID=34536474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003342067A Expired - Fee Related JP3889386B2 (ja) 2003-09-30 2003-09-30 インプリント装置及びインプリント方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7343857B2 (ja)
JP (1) JP3889386B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8092209B2 (en) 2008-01-30 2012-01-10 Hitachi High-Technologies Corporation Imprinting device

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070023976A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP2007168270A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Tdk Corp 凹凸パターン形成方法および情報記録媒体製造方法
US7500431B2 (en) * 2006-01-12 2009-03-10 Tsai-Wei Wu System, method, and apparatus for membrane, pad, and stamper architecture for uniform base layer and nanoimprinting pressure
JP2007200422A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Toshiba Corp パタンド磁気記録媒体の製造方法
JP4221415B2 (ja) * 2006-02-16 2009-02-12 株式会社東芝 磁気記録媒体の製造方法
JP2007261252A (ja) * 2006-02-28 2007-10-11 Tdk Corp 凹凸パターン形成方法および情報記録媒体製造方法
JP4675812B2 (ja) * 2006-03-30 2011-04-27 株式会社東芝 磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録媒体の製造方法
JP4421582B2 (ja) * 2006-08-15 2010-02-24 株式会社東芝 パターン形成方法
WO2008154907A2 (de) * 2007-06-21 2008-12-24 GeSIM Gesellschaft für Silizium-Mikrosysteme mbH Verfahren und vorrichtung zur übertragung von mikro- oder nanostrukturen durch kontaktstempeln
JP4445538B2 (ja) * 2007-09-26 2010-04-07 株式会社東芝 パターン形成方法
JP2009176352A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録再生装置
JP5101343B2 (ja) * 2008-03-03 2012-12-19 株式会社ダイセル 微細構造物の製造方法
JP5077764B2 (ja) 2008-04-22 2012-11-21 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置
JP5004027B2 (ja) 2008-04-22 2012-08-22 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置
JP2009266901A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Sharp Corp 転写装置、ウエハ状光学装置の製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュールおよび電子情報機器
JP5370806B2 (ja) 2008-04-22 2013-12-18 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置
JP2009277267A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Toshiba Corp パターン転写方法
JP2010113761A (ja) 2008-11-06 2010-05-20 Fuji Electric Device Technology Co Ltd スピンコート方法、および、スピンコート装置の制御装置
JP5218909B2 (ja) 2008-12-22 2013-06-26 富士電機株式会社 インプリント装置
JP5177680B2 (ja) * 2009-02-04 2013-04-03 富士電機株式会社 インプリント装置
JP5498058B2 (ja) * 2009-05-22 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 導電膜の製造方法及び製造装置並びに導電膜
KR101028971B1 (ko) * 2009-05-26 2011-04-19 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그의 제조 방법
DE102009023355A1 (de) * 2009-05-29 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP2011008837A (ja) 2009-06-23 2011-01-13 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
JP2011005773A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Fuji Electric Device Technology Co Ltd インプリント用スタンパおよびインプリント装置
JP5836652B2 (ja) 2011-06-10 2015-12-24 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP5535164B2 (ja) * 2011-09-22 2014-07-02 株式会社東芝 インプリント方法およびインプリント装置
WO2013183263A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 東京エレクトロン株式会社 インプリント装置及びテンプレート
JP6200135B2 (ja) * 2012-07-24 2017-09-20 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および、物品製造方法
CN104681743B (zh) * 2013-11-29 2017-02-15 清华大学 有机发光二极管的制备方法
US20170018285A1 (en) * 2015-07-14 2017-01-19 HGST Netherlands B.V. Barium hexa-ferrite technology for mamr and advanced magnetic recording applications
CN107150491A (zh) * 2016-03-04 2017-09-12 青岛景钢烫印设备有限公司 垃圾桶液压热转印机
FR3055242B1 (fr) 2016-08-25 2018-08-10 I-Ten Outil de pressage a chaud, son procede de mise en oeuvre, installation et procede de fabrication correspondants
FR3080957B1 (fr) 2018-05-07 2020-07-10 I-Ten Electrodes mesoporeuses pour dispositifs electrochimiques en couches minces

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4965454A (en) * 1988-01-21 1990-10-23 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for detecting foreign particle
JPH04372742A (ja) * 1991-06-21 1992-12-25 Tomoegawa Paper Co Ltd スタンパーのスタンパーベースへの固定方法
DE69321627T2 (de) * 1992-02-10 1999-04-22 Canon K.K., Tokio/Tokyo Lithographisches Verfahren
US5937758A (en) * 1997-11-26 1999-08-17 Motorola, Inc. Micro-contact printing stamp
US6671034B1 (en) * 1998-04-30 2003-12-30 Ebara Corporation Microfabrication of pattern imprinting
JP2000113530A (ja) * 1998-10-02 2000-04-21 Jsr Corp 情報記録担体の製造方法および情報記録担体
JP3490356B2 (ja) * 1999-09-29 2004-01-26 シャープ株式会社 光記録媒体、並びに、光記録媒体用原盤およびその製造方法
US6873087B1 (en) * 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
JP2002251801A (ja) 2001-02-23 2002-09-06 Sony Corp ディスク状記録媒体の製造方法及び信号転写装置
US20030071016A1 (en) 2001-10-11 2003-04-17 Wu-Sheng Shih Patterned structure reproduction using nonsticking mold
JP3850718B2 (ja) 2001-11-22 2006-11-29 株式会社東芝 加工方法
JP3907504B2 (ja) 2002-03-14 2007-04-18 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用モールド
JP4103497B2 (ja) * 2002-04-18 2008-06-18 ソニー株式会社 記憶装置とその製造方法および使用方法、半導体装置とその製造方法
US6987627B1 (en) * 2002-08-08 2006-01-17 Seagate Technology Llc Device and method for contact patterning of dual-sided magnetic media
WO2004086471A1 (en) * 2003-03-27 2004-10-07 Korea Institute Of Machinery & Materials Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8092209B2 (en) 2008-01-30 2012-01-10 Hitachi High-Technologies Corporation Imprinting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005108351A (ja) 2005-04-21
US20050284320A1 (en) 2005-12-29
US7343857B2 (en) 2008-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3889386B2 (ja) インプリント装置及びインプリント方法
JP5117318B2 (ja) ナノインプリント用スタンパ及び該スタンパを使用する微細構造転写装置
JP5427389B2 (ja) 樹脂スタンパの製造方法及び製造装置とインプリント方法
US7811077B2 (en) Stamper, imprinting method, and method of manufacturing an information recording medium
JP5370806B2 (ja) インプリント方法およびその装置
US20050285308A1 (en) Stamper, imprinting method, and method of manufacturing an information recording medium
WO2009139448A1 (ja) パターン形成方法
JP2008162101A (ja) モールド構造体の製造方法
JPWO2007099907A1 (ja) インプリント用モールド及びインプリント方法
US7833458B2 (en) Imprinting method and stamper
JP2007194304A (ja) インプリント装置およびインプリント方法
JP2009070483A (ja) インプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いたインプリント方法、並びに、磁気記録媒体
JP5416420B2 (ja) 微細構造転写装置
JP4602452B2 (ja) 記録媒体作製用転写型、記録媒体製造方法及び記録媒体
JP2005339669A (ja) インプリント方法、情報記録媒体製造方法およびインプリント装置
EP1975704A2 (en) Mold structure, imprinting method using the same, magnetic recording medium and production method thereof
JP5033003B2 (ja) モールド構造体及びそれを用いたインプリント方法、並びに磁気記録媒体及びその製造方法
JP2009283076A (ja) スタンパ、凹凸パターン形成方法及び情報記録媒体の製造方法
JP2010267357A (ja) パターンドメディアの製造方法及び製造装置
JP2008276907A (ja) モールド構造体、及びそれを用いたインプリント方法、並びに磁気記録媒体及びその製造方法
JP2009004012A (ja) 磁気記録媒体の製造方法、該製造方法により製造された磁気記録媒体、及び該製造方法において用いられたモールド構造体
JP2006059405A (ja) 磁気記録媒体の製造方法およびインプリント方法
EP1975703A2 (en) Mold structure, imprinting method using the same, magnetic recording medium and production method thereof
JP2010055672A (ja) インプリント用モールド構造体、並びに磁気記録媒体及びその製造方法
KR102168476B1 (ko) 투명스탬프 제조장치 및 제조방법, 상기 제조장치로 만들어진 투명스탬프, 상기 투명스탬프를 이용한 임프린트 리소그래피 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060404

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060801

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060906

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061121

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061129

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091208

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101208

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111208

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121208

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121208

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131208

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees