JP2011005773A - インプリント用スタンパおよびインプリント装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】インプリント時のスタンパの均一な撓みとその復元力を利用してインプリント後にスタンパから基板を速やかに分離できると同時に、基板およびスタンパのパターン面に欠陥が入りにくくすることで、量産化に対応できるインプリント用スタンパおよびインプリント装置を提供する。
【解決手段】ヤング率が50GPa以上500Gpa以下、厚さが200μm以上1000μm以下であって、曲率が2×10-5以上2×10-3以下である反りを有する板状体からなり、その一面に転写すべき微細構造パターンが設けられているスタンパ。
【選択図】図1

Description

本発明は、微細構造パターンを基板に転写するためのインプリント用スタンパおよびそれを用いるインプリント装置に関する。
近年、情報記録装置の記録容量の増大は、磁気記録媒体の記録セルの微小化により行われてきた。これに伴い、記録セルの作製工程においては、約100nm以下の微細加工技術が求められている。これらの微細加工技術として、電子線リソグラフィー、集束イオンビームリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー(以後、NIL)等が挙げられる。
中でも、NIL技術は、予め電子線リソグラフィー等で所望の転写すべき微細構造パターンとしての凹凸パターンを形成したスタンパを基板のレジスト面に押し付けてパターン転写を行う技術(例えば特許文献1参照)であり、一回の処理で磁気記録媒体全面のパターン転写が可能なため高スループットを実現できる。
NIL技術のインプリント方法としては、UVインプリント法、ホットエンボス法、高圧プレス法等があり、加圧時に微細パターンが均一に転写できるようにするためのスタンパと基板の構成や転写に用いるレジストの材質または厚さに関して多くの提案がなされている(例えば特許文献2参照)が、インプリントにおいては、スタンパと被転写基板が接触し、インプリント後のスタンパと基板間には、密着力(真空吸着、レジスト・離型剤の粘性等により発生する力)が高く生じる。そのため、スタンパないし基板を固定してスタンパを基板から引き剥がす剥離装置とその工程が必要である。
例えば、特許文献3では、スタンパを吸着保持する水平基台と光硬化性樹脂が塗布された基板を吸着保持する剥離プレートとを備えている。また、水平基台の中心部には、剥離プレートに向けて上下動可能に取り付けられ、上動させられた際に基板における中心孔の口縁部に係合して水平基台上のスタンパから基板を剥離するセンターピンを備えている。
この装置では、剥離プレートと基板との間の空気を排出することによって基板を剥離プレート側に吸引しつつ、センターピンを上動させることにより、基板における中心孔の口縁部近傍を剥離プレートに向けて突き上げる。この際に基板の中心部がスタンパから剥離する。
別の方式として特許文献4では、スタンパのパターン面の他面側の所定の一部分を吸引することによって一部分をレジスト層から剥離可能に構成された吸引手段および絞り機構を備えて、スタンパの一部分を吸引手段によって剥離させた状態からスタンパの剥離完了範囲を徐々に拡大可能に構成されている装置が提案されている。
また、特許文献5では、スタンパが剥離機構を有することを特徴とするナノインプリント用のスタンパが提案されている。この方式では、スタンパの凹凸形成面側が曲率を有することにより、基板からスタンパを剥離する工程を高精度かつ容易に行うことが記載されている。
米国特許第5772905号明細書 特開2005−108351号公報 特開平9−219041号公報 国際公開第2004/100142号 特開2004−288845号公報
しかしながら、特許文献3の方法では、基板からスタンパを剥離するために、基板を突き上げるための力が必要で、基板の口縁部近傍を傷つけると同時に、パーティクルを発生して、装置内を汚染することが分かった。
装置が発生するパーティクルや基板からスタンパを剥離する際に発生するパーティクルがスタンパに形成した微細パターンに付着すると、インプリントした時にそのパーティクルがパターン欠陥を生じる。つまり、この方法では、高速で繰り返しインプリントを行うような量産はできない。
また、この構成では、基板をスタンパに押し付けて凹凸パターン形成を行うプレス機構と剥離機構が別になっているため、工数が多く、工程時間が掛かる問題がある。さらに、機構部が多く、装置機構部からのパーティクル発生による歩留まり悪化、装置価格が高価になる問題がある。これは、特許文献4の構成においても同様である。
そして、特許文献5の方法は、基板の復元力を利用して離型を促進するものであり、基板の厚みや弾性率の違いにより、基板を撓ませるのに要する力および基板の復元力が違い、一様にインプリントすることはできない。
特に、磁気記録媒体のような厚さ0.5から0.8mmの強化ガラス基板を用いるものでは、インプリントに必要な加圧力では撓ませることができない。ポリマー基板を用いた場合は、基板の復元力が小さく、離型を促進するものにはなりえない。
また、基板の形状については、円盤基板では成り立つが、基板が角形状の場合や、内周に穴が開いているような基板では、均一に撓ませることができず、加圧時の圧力むら、ひいては、残膜厚さのバラツキが生じてしまう。さらに、この方法では、基板側が一方向に撓むことで剥離を促進するので、両面を同時にインプリントすることはできない。
本発明は、上記実情に鑑みて、インプリント時のスタンパの均一な撓みとその復元力を利用してインプリント後にスタンパから基板を速やかに分離できると同時に、基板およびスタンパのパターン面に欠陥が入りにくくすることで、量産化に対応できるインプリント用スタンパおよびインプリント装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のインプリント用スタンパは、ヤング率が50GPa以上500Gpa以下、厚さが200μm以上1000μm以下であって、曲率が2×10-5以上2×10-3以下である反りを有する板状体からなり、その一面に転写すべき微細構造パターンが設けられていることを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、本発明のインプリント用スタンパと被転写基板とを重ね合わせた状態で当該スタンパの反りを修正して微細構造パターンを転写すべく加圧する加圧手段を備えることを特徴とする。
ここで、加圧手段は、スタンパと被転写基板とを重ね合わせた状態で挟み込んで加圧する上金型と下金型を含むことが好ましい。
また、スタンパと被転写基板の中心に孔が開いており、それらの孔を貫通する位置決め用のセンターピンを設け、スタンパのパターンエリア外においてスタンパを保持する保持冶具を設けていることが、磁気ディスクを被転写基板として転写するうえで好ましい。
本発明においては、被転写基板の好ましくはレジスト層が形成されてなる被転写面は平坦であり、そこにスタンパの一面に設けられている微細構造パターンを押し付けて転写する。
その際、スタンパの他面側を加圧手段の平坦面で押圧することにより、被転写基板の平坦な被転写面との間で加圧されるスタンパの反りが修正されると共に、そのスタンパの微細構造パターンが被転写基板の被転写面に転写される。
その後、加圧手段による押圧を解除すると、スタンパの弾性力により反りが復元し、その反りにより、スタンパは被転写基板の平坦な被転写面から剥離した状態となる。
ここで、平坦とはマクロ的に見て平坦な状態をいい、スタンパの反りとの関係で無視できる程度の反りやうねりないし凹凸(微細構造)のある状態を含む。
本発明によれば、インプリントのための加圧手段の加圧により密着したスタンパと基板は、加圧手段の開放動作により速やかに分離されるので、無理に引き剥がす剥離工程を必要としない。
そのため、パーティクル発生による歩留まりが悪化することなく、低価格の装置を実現できると共に量産化に対応できる。
本発明のスタンパの実施形態を被転写基板と共に示す断面模式図である。 本発明のスタンパの他の実施形態を被転写基板と共に示す断面模式図である。 本発明のインプリント装置の実施形態を断面模式図で示す動作説明図である。 本発明のインプリント装置の他の実施形態(両面転写)を示す断面模式図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。実施形態を通して共通の構成には同一の符号を付すものとし、重複する説明は省略する。なお、この実施形態に本発明が限定されるものではない。
<スタンパの実施形態>
本発明のスタンパの実施形態について、図1、図2を用いて説明する。
図1は、被転写基板と本発明の実施形態のスタンパとの相対位置を示す図である。
図1において、レジスト層2を形成した基板3の被転写面としてのレジスト面を、スタンパ1側に配置して、スタンパ1に押し付けることでパターンを形成する。図示していないが、図1のスタンパ1において、基板3上のレジスト層2と接する面(図1ではスタンパ1の下面)に転写すべき微細構造パターンがあり、スタンパ1のパターン面を基板1のレジスト面に押し付けるものである。この実施形態のスタンパ1は、基板3に対して凹レンズ型の凹の反りを持っている。
図2は、被転写基板と本発明の他の実施形態のスタンパとの相対位置を示す図である。
図2において、図1と同様に基板3上のレジスト層2と接する面(図2ではスタンパ1の下面)に転写すべき微細構造パターンがあり、スタンパ1のパターン面を基板3のレジスト面に押し付けるものである。この実施形態のスタンパ1は、基板3に対して凸レンズ型の凸の反りを持っている。
また、さらに別の実施形態のスタンパとして、図1と図2の混合型の、中心から時計読みで0時と6時方向は凹であり、3時と9時方向は凸であるいわゆる馬の鞍型の反りを有するスタンパでも同様の結果を得ることができる。
そして、上述の実施形態のスタンパは、ヤング率が50GPa以上500Gpa以下、厚さが200μm以上1000μm以下であって、曲率が2×10-5以上2×10-3以下である反りを有する板状体からなり、その一面に転写すべき微細構造パターンが設けられている。
このようなスタンパは、微細構造パターンを有する原盤にNiやNi合金を電鋳することなどで作製する公知のスタンパに反りを付与することで作製することができる。
スタンパに反りを付与する方法としては、スタンパの材質がNiやNi合金の場合は、パターンの反対面(裏面)を機械的に擦る方法がある。例えば、パターン側をトライレイナー社製 シリテクト-II用いて、表面保護皮膜を形成する。次に、パターン側を下向き
にして定盤の上に置き、裏面側を例えば#1500の研磨紙で加圧しながらランダムに研磨する。研磨紙の粗さと押し付け力、時間で反り量をコントロールする。
また、スタンパの材質がガラスなどの場合も、同じようにパターン側を保護し、裏面側を例えば#1500の研磨紙で加圧しながらランダムに研磨する。研磨紙の粗さと押し付け力、時間で反り量をコントロールする。
なお、レジスト層2が形成された基板3としては、磁気ディスクなどを被転写基板とする公知のインプリントにおける被転写基板であってよい。
<インプリント装置の実施形態>
図3は、本発明のインプリント装置の実施形態の動作説明図である。
まず、図3(a)に示すように、上下に対向する円筒形で加圧面が平坦である上金型4、下金型5とセンターピン6、およびスタンパ保持冶具7のあるダイセット中に、レジスト層2を塗工した被転写面が平坦で中心孔を有するディスク状の基板3と、同じく中心孔を有して基板3よりも大きな外径を有するディスク状のスタンパ1を、位置決めないし位置合わせ用のセンターピン6に差し入れながらセットする。
次に、図3(b)に示すように、平坦な加圧面を有する上下金型4,5でプレスすることで、レジスト層2を塗工した基板3とスタンパ1を加圧密着させる。これにより、スタンパ1の反りが修正されると共に、スタンパ1の微細構造パターンが基板3上のレジスト層2に転写される。
次に、図3(c)に示すように、プレス圧力を抜き、上下金型4,5間を開く。この時、スタンパ1の弾性力により反りが復元し、その反りにより、スタンパ1は基板3から剥離した状態となり、スタンパ保持冶具7でスタンパ1のパターンエリア外である外周縁部を保持してスタンパ1を持ち上げても、基板3がくっついてくることはない。
図4は、本発明のインプリント装置の他の実施形態を示すものであり、この実施形態においては、図4に示すように、基板3の両面にレジスト層2a,2bを形成し、その表裏にスタンパ1a,1bを配置してインプリントを行うことで両面のインプリントが可能である。
以下に、上述の実施形態をより具体的にした本発明の実施例について説明する。なお、ハードディスク用磁気記録媒体を被転写基板とする実施例について説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
この実施例では、外径Φ65mm、内径Φ20mm、厚さ0.635mmで表面に磁気記録層を持つガラス製の2.5インチのハードディスク用磁気記録媒体を基板3として用いた。
この基板3に、室温インプリント用のレジスト(東京応化工業製OCNL505)を100nmの厚さにスピンコートで塗布し、レジスト層2とした。
外径Φ95mm、内径Φ20mmで、表1に示す各種厚さと反りを持ち、ヤング率が175GPaであるNi製のスタンパ1を準備した。スタンパ1には、内径Φ25mmから外径Φ60mmまでの範囲で、円周方向にトラックピッチ100nmで凹幅67nm、凸幅33nm、パターン高さ50nmでパターンを形成している。
図3(a)に示すように、上下に対向する円筒形の上金型4、下金型5とセンターピン6、およびスタンパ保持冶具7のあるダイセット中に、レジスト層2を塗工した基板3とスタンパ1をセンターピン6に差し入れながらセットする。
次に、図3(b)に示すように、上下金型4,5を300kNでプレスすることで、レジスト層2を塗工した基板3とスタンパ1を加圧密着させた。
次に、図3(c)に示すように、プレス圧力を抜き、上下金型4,5間を開いた。この時、所定の反りのあるものは、図3(c)に示すように、基板3からスタンパ1が剥離した状態となっており、スタンパ保持冶具7でスタンパ1を持ち上げても、基板3がくっついてくることはなかった。
しかしながら、この時、元々のスタンパの反りが小さいものでは、基板からスタンパが剥離されておらず、スタンパ保持冶具7でスタンパを持ち上げた時に、スタンパに基板がくっついてきてしまった。
また、レジスト層2に形成されたパターンの形成状況をSEM(走査電子顕微鏡)およびAFM(原子間力顕微鏡)で確認した。その結果、所定範囲の反りを持つスタンパ1では、SEM観察でパターン欠陥は確認されず、内周から外周にわたってパターン高さが30nm以上であった。
それに対して、元々のスタンパの反りが大きいものでは、SEM観察で外周付近にパターンの細い部分が見られ、その部分ではAFMでパターン高さが30nmに満たなかった。この部分では、加工後のパターンでパターンの線幅が狭く、パターン媒体として良好な信号特性が取れなかった。
スタンパの厚さおよび反りと、金型を開いたときの基板とスタンパの剥離状態、およびパターンの形成状態の結果を表1に示す。
なお、表1において、
※1 金型を開いた後に、スタンパ保持冶具でスタンパを持ち上げても、スタンパに基板がくっついてこなかったものを○、くっついてくるものを×とした。
※2 SEM観察で外周付近にパターンの細い部分が見られ、その部分ではAFMでパターン高さが30nmに満たないものを×とした。


表1に示すように、基板とスタンパが剥離可能であり、パターンの形成が良好なものは、ヤング率が175GPaであるNi製のスタンパの場合は、スタンパの厚さが200μm以上1000μm以下であり、反りの曲率が2×10-5以上、2×10-3以下であることが分かった。
また、同様のパターンを形成したヤング率の違う材料をスタンパとして用いた時の結果を表2に示す。スタンパの厚みは、全て300μmで反りは凹型のものとした。
なお、表2において、
※1 金型を開いた後に、スタンパ保持冶具でスタンパを持ち上げても、スタンパに基板がくっついてこなかったものを○、くっついてくるものを×とした。
※2 SEM観察で外周付近にパターンの細い部分が見られ、その部分ではAFMでパターン高さが30nmに満たないものを×とした。


表2に示すように、ヤング率が50GPa以下のスタンパを用いた場合、インプリント加圧後のスタンパの復元力が弱くうまく剥離できなかった。また、ヤング率が500GPa以上のものでは、外周付近のパターンにおいてパターンの細い部分が見られ、その部分ではAFMでパターン高さが30nmに満たなかった。スタンパのヤング率が大きすぎることで、インプリント加圧時におけるスタンパ外周付近の加圧が弱くなったためと考えられる。
以上のように、ヤング率が50GPa以上のもので基板とスタンパが剥離可能であり、ヤング率が500Gpa以下のものでパターンの形成が良好であることが分かった。
本発明のインプリント用スタンパおよびインプリント装置は、ディスクリートトラックメディアやビットパターンドメディアなどの磁気記録媒体や半導体装置などを製造するための微細構造パターンの形成に利用可能である。
1,1a,1b スタンパ
2,2a,2b レジスト層
3 基板
4 上金型
5 下金型
6 センターピン
7,7a,7b スタンパ保持冶具

Claims (4)

  1. ヤング率が50GPa以上500Gpa以下、厚さが200μm以上1000μm以下であって、曲率が2×10-5以上2×10-3以下である反りを有する板状体からなり、その一面に転写すべき微細構造パターンが設けられていることを特徴とするインプリント用スタンパ。
  2. 請求項1に記載のインプリント用スタンパと被転写基板とを重ね合わせた状態で当該スタンパの反りを修正して微細構造パターンを転写すべく加圧する加圧手段を備えることを特徴とするインプリント装置。
  3. 前記加圧手段は、スタンパと被転写基板とを重ね合わせた状態で挟み込んで加圧する上金型と下金型を含むことを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
  4. スタンパと被転写基板の中心に孔が開いており、それらの孔を貫通する位置決め用のセンターピンを設け、スタンパのパターンエリア外においてスタンパを保持する保持冶具を設けていることを特徴とする請求項2又は3に記載のインプリント装置。

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094818A (ja) * 2010-10-01 2012-05-17 Canon Inc インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法
JP2013532369A (ja) * 2010-04-27 2013-08-15 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノインプリント・リソグラフィのテンプレート製作方法およびそのシステム
CN108481727A (zh) * 2018-03-30 2018-09-04 重庆熊氏运升汽车零部件有限公司 一种装饰面板压花装置
JP2019083275A (ja) * 2017-10-31 2019-05-30 大日本印刷株式会社 インプリントモールドおよびインプリントモールド形成用ブランクならびにパターン転写体の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016122355B4 (de) * 2016-11-21 2018-10-04 Manz Ag Bearbeitungsanlage und Verfahren zum Bearbeiten eines plattenförmigen Objekts

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
AU2003232962A1 (en) * 2002-05-27 2003-12-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for transferring a pattern from a stamp to a substrate
EP1512049A1 (en) * 2002-06-07 2005-03-09 Obducat AB Method for transferring a pattern
JP4340086B2 (ja) * 2003-03-20 2009-10-07 株式会社日立製作所 ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法
JP4269745B2 (ja) * 2003-03-31 2009-05-27 株式会社日立製作所 スタンパ及び転写装置
JP3889386B2 (ja) * 2003-09-30 2007-03-07 株式会社東芝 インプリント装置及びインプリント方法
JP4609562B2 (ja) * 2008-09-10 2011-01-12 日立電線株式会社 微細構造転写用スタンパ及びその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013532369A (ja) * 2010-04-27 2013-08-15 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノインプリント・リソグラフィのテンプレート製作方法およびそのシステム
JP2015195409A (ja) * 2010-04-27 2015-11-05 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノインプリント・リソグラフィのテンプレート製作方法およびそのシステム
US11020894B2 (en) 2010-04-27 2021-06-01 Molecular Imprints, Inc. Safe separation for nano imprinting
JP2012094818A (ja) * 2010-10-01 2012-05-17 Canon Inc インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法
JP2019083275A (ja) * 2017-10-31 2019-05-30 大日本印刷株式会社 インプリントモールドおよびインプリントモールド形成用ブランクならびにパターン転写体の製造方法
CN108481727A (zh) * 2018-03-30 2018-09-04 重庆熊氏运升汽车零部件有限公司 一种装饰面板压花装置

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