JP2013532369A - ナノインプリント・リソグラフィのテンプレート製作方法およびそのシステム - Google Patents

Abstract

テンプレートおよび／もしくは基板の厚さ（Ｔ_tおよび／もしくはＴ_b）の選択、テンプレートおよび／もしくは基板の背圧（Ｐ_tおよび／もしくはＰ_b）の制御、ならびに／または材料剛性の選択を通じてのテンプレートと基板との間の横歪みおよび横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）の制御が、述べられる。

Description

関連出願

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１０年４月２７日に出願された米国仮出願第６１／３２８，３５３号への優先権を主張するものである。

ナノ加工は、およそ１００ナノメートル以下のフィーチャを有する非常に小さい構造体の加工を含む。ナノ加工がかなりの影響を及ぼした１つの応用は、集積回路の処理においてである。半導体処理産業は、基板に形成される単位面積当たりの回路を増加させながらより大きな生産収率のために努力し続けており、従ってナノ加工は、ますます重要になっている。ナノ加工は、形成される構造体の最小フィーチャ寸法の継続する低減を可能にしながらより優れたプロセス制御を提供する。ナノ加工が用いられる他の開発領域には、生物工学、光技術、機械システムなどの領域がある。

今日使用されているナノ加工技術は、普通インプリント・リソグラフィと呼ばれる。例となるインプリント・リソグラフィ・プロセスは、米国特許公開第２００４／００６５９７６号、米国特許公開第２００４／００６５２５２号、および米国特許第６，９３６，１９４号などの多数の刊行物で詳細に述べられている。

前述の米国特許公開および特許の各々で開示されるインプリント・リソグラフィ技術は、成形性（重合性）層にレリーフ・パターンを形成することおよびレリーフ・パターンに対応するパターンを下にある基板に転写することを含む。基板は、パターン形成プロセスを容易にするために所望の位置決めを得るように移動ステージに結合されることもある。パターン形成プロセスは、基板から間隔をあけて離れたテンプレートおよびテンプレートと基板との間に塗布された成形性液体を使用する。成形性液体は、成形性液体と接するテンプレートの表面形状に従うパターンを有する剛体層を形成するように固化される。固化の後、テンプレートは、テンプレートおよび基板が間隔をあけて離れるように剛体層から分離される。基板および固化層は次いで、固化層のパターンに対応するレリーフ像を基板に転写するために追加のプロセスを受ける。

基板上に形成されたパターン化層からテンプレートを分離するためのナノインプリント・リソグラフィの方法およびシステムが、本発明によって提供される。システムおよび方法は、さもなければそのような分離から生じる可能性があるパターン化フィーチャでの歪みまたは欠陥を最小限にする。これは、分離中のテンプレートに生じる横歪み（ｄ_t）および基板に生じる横歪み（ｄ_b）の制御、およびある場合にはそれらの整合を通じて達成される。テンプレートおよび基板の横歪みｄ_tおよびｄ_b、または横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）は、テンプレートおよび／もしくは基板の厚さ（Ｔ_tおよび／もしくはＴ_b）の選択を通じて、かつ／またはテンプレートおよび／もしくは基板の背圧（Ｐ_tおよび／もしくはＰ_b）の制御を通じて、かつ／またはテンプレートおよび／もしくは基板の材料剛性の選択を通じて制御できる。

一態様では、基板上に形成されたパターン化層と接触してテンプレートを準備するステップであって、テンプレートおよび基板は、分離力を受けるとき、それらと関連する横歪みｄ_tおよびｄ_bをそれぞれ有する、ステップを含む方法が、提供される。テンプレートの横歪み（ｄ_t）または基板の横歪み（ｄ_b）または両方は、テンプレートおよび基板が分離力を受けるとき、横歪みの比（ｄ_t／ｄ_b）が約１であるように調整される。すなわち、歪みｄ_tおよびｄ_bは、整合される。分離力の印加によって、テンプレートを基板から分離する。いったん分離されると、形成されたパターン化層は、基板に転写でき、それ自体は次いで、例えば集積回路などの、ナノ加工されたデバイスなどへ処理できる。

ある態様では、横歪み調整は、テンプレートおよび／または基板への背圧の印加を通じて成し遂げられる。背圧は、分離力の印加より前にまたはそれと同時に印加されてもよい。印加される背圧は、正圧力かまたは負圧力（すなわち、真空）とすることができる。正背圧は、テンプレートに、負背圧は、基板に印加されてもよく、逆の組合せでもよい。

他の態様では、横歪み調整は、テンプレートまたは基板または両方の材料剛性を変更することを通じて成し遂げられる。さらなる態様では、横歪み調整は、テンプレートまたは基板または両方の厚さを変更することを通じて成し遂げられる。

なおさらなる態様では、厚さＴ_bを有する基板および基板と重ね合わされたテンプレートを有するナノリソグラフィ・インプリント・システムが、提供される。テンプレート厚さＴ_tは、基板の横歪み（ｄ_b）に対するテンプレートの横歪み（ｄ_t）の比（ｄ_t／ｄ_b）が約１であるように選択される。すなわち、テンプレート厚さは、横歪み（ｄ_t）および（ｄ_b）が整合するように選択される。例えば、基板がＳｉであり、テンプレートが溶融シリカである場合には、基板厚さＴ_bは、約０．７７５ｍｍとすることができ、テンプレート厚さＴ_tは、約１．１ｍｍとすることができる。

本明細書で述べられる態様および実装形態は、上で述べられた以外の方法で組み合わされてもよい。他の態様、特徴、および利点は、次の詳細な説明、図面、および特許請求の範囲から明らかとなる。

本発明の特徴および利点が、詳細に理解できるように、本発明の実施形態のより詳しい説明が、添付の図面で例示される実施形態を参照してなされてもよい。しかしながら、本発明は、他の同等に有効な実施形態を認めてもよいので、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を例示するだけであり、従って本発明の範囲を限定すると考えるべきでないことに留意すべきである。

リソグラフィ・システムの簡略化した側面図を例示する図である。 パターン化層をその上に有する、図１で例示される基板の簡略化した側面図を例示する図である。 インプリント・リソグラフィ分離プロセス中のテンプレートおよび基板の横歪み（側方移動）の簡略化した側面図を例示する図である。 インプリント・リソグラフィ分離プロセス中のテンプレートおよび基板の横歪み（側方移動）の簡略化した拡大図を例示する図である。 インプリント・リソグラフィ分離プロセス中のテンプレートの横歪み（側方移動）の簡略化した側面図を例示する図である。 インプリント・リソグラフィ分離プロセス中のテンプレートの横歪み（側方移動）の簡略化した拡大図を例示する図である。 厚さ比および背圧（絶対圧力）の関数としての、界面で接続するテンプレートおよび基板の横歪み比のグラフ表示を例示する図である。 可変厚さおよび実質的に同様の背圧を有する、界面で接続するテンプレートおよび基板の横歪み比のグラフ表示を例示する図である。 実質的に同様の厚さおよび可変背圧を有する、界面で接続するテンプレートおよび基板の横歪み比のグラフ表示を例示する図である。

図を、特に図１を参照すると、そこで例示されるのは、基板１２上にレリーフ・パターンを形成するために使用されるリソグラフィ・システム１０である。基板１２は、基板チャック１４に結合されてもよい。例示されるように、基板チャック１４は、真空チャックである。しかしながら、基板チャック１４は、真空式、ピン型、溝型、静電式、電磁式、および／または同様のものを含むが限定されない、任意のチャックであってもよい。例となるチャックは、例えば、米国特許第６，８７３，０８７号に開示される。

基板１２および基板チャック１４はさらに、ステージ１６によって支持されてもよい。ステージ１６は、ｘ、ｙ、およびｚ軸に沿って並進運動および／または回転運動を提供してもよい。ステージ１６、基板１２、および基板チャック１４はまた、基部（図示されず）上に位置決めされてもよい。

基板１２から間隔をあけて離れているのは、テンプレート１８である。テンプレート１８は、第１の側面および第２の側面を有する本体を含んでもよく、１つの側面は、それから基板１２の方へ延びるメサ２０を有する。メサ２０は、パターン形成表面２２をその上に有する。さらに、メサ２０は、モールド２０と呼ばれることもある。別法として、テンプレート１８は、メサ２０なしで形成されてもよい。

テンプレート１８および／またはモールド２０は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサン・ポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボン・ポリマー、金属、硬化サファイア、および／または同様のものを含むが限定されない、そのような材料から形成されてもよい。例示されるように、パターン形成表面２２は、複数の間隔をあけて離れた後退部２４および／または突出部２６によって定義されるフィーチャを含むが、本発明の実施形態は、そのような構成（例えば、平面）に限定されない。パターン形成表面２２は、基板１２上に形成すべきパターンの基礎を形成する任意の元のパターンを定義してもよい。

テンプレート１８は、チャック２８に結合されてもよい。チャック２８は、真空式、ピン型、溝型、静電式、電磁式、および／または他の同様チャック型のように構成されてもよいが、限定されない。例となるチャックはさらに、米国特許第６，８７３，０８７号で述べられる。さらに、チャック２８は、チャック２８および／またはインプリント・ヘッド３０がテンプレート１８の動きを容易にするように構成されてもよいようにインプリント・ヘッド３０に結合されてもよい。

システム１０はさらに、流体分注システム３２を含む。流体分注システム３２は、基板１２上に成形性材料３４（例えば、重合性材料）を堆積させるために使用されてもよい。成形性材料３４は、滴下分注法、回転塗布法、浸漬塗布法、化学気相堆積法（ＣＶＤ）、物理気相堆積法（ＰＶＤ）、薄膜堆積法、厚膜堆積法、および／または同様のものなどの技術を使用して基板１２上に位置決めされてもよい。成形性材料３４は、所望の体積が設計考慮事項に応じてモールド２０と基板１２との間に定義される前および／または後に基板１２上に配置されてもよい。成形性材料３４は、生体領域、太陽電池産業、バッテリ産業、および／または機能性ナノ粒子を必要とする他の産業内で用途を有する機能性ナノ粒子であってもよい。例えば、成形性材料３４は、米国特許第７，１５７，０３６号および米国特許公開第２００５／０１８７３３９号で述べられるようなモノマー混合物を含んでもよい。なお、成形性材料３４は、生体材料（例えば、ＰＥＧ）、太陽電池材料（例えば、Ｎ型、Ｐ型材料）、および／または同様のものを含んでもよいがこれに限定されない。

図１および図２を参照すると、システム１０はさらに、エネルギー４０を経路４２に沿って導くように結合されるエネルギー・ソース３８を含んでもよい。インプリント・ヘッド３０およびステージ１６は、テンプレート１８および基板１２を経路４２と重ね合わせて位置決めするように構成されてもよい。システム１０は、ステージ１６、インプリント・ヘッド３０、流体分注システム３２、および／またはソース３８と通信するプロセッサ５４によって調節されてもよく、メモリ５６に保存されるコンピュータ可読プログラムで動作してもよい。

インプリント・ヘッド３０か、ステージ１６、または両方は、モールド２０と基板１２との間の距離を変えて成形性材料３４によって満たされるそれらの間の所望の体積を定義する。例えば、インプリント・ヘッド３０は、モールド２０が成形性材料３４と接するようにテンプレート１８に力を印加してもよい。所望の体積が成形性材料３４で満たされた後、ソース３８は、エネルギー４０、例えば紫外線放射を生成して、成形性材料３４を基板１２の表面４４およびパターン形成表面２２の形状に従って固化させかつ／または架橋させて、基板１２上にパターン化層４６を定義する。パターン化層４６は、残存層４８ならびに突出部５０および後退部５２として図示される複数のフィーチャを含んでもよく、突出部５０は、厚さｔ₁を有し、残存層は、厚さｔ₂を有する。

上述のシステムおよびプロセスはさらに、米国特許第６，９３２，９３４号、米国特許第７，０７７，９９２号、米国特許第７，１７９，３９６号、および米国特許第７，３９６，４７５号で言及されるインプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステムで用いられてもよい。

パターン化層４６の形成の後、テンプレート１８またはモールド２０ならびにパターン化層４６のフィーチャ５０および５２は、分離されてもよい。一般に、分離の取組みには、２つの「板状」構造体（すなわち、テンプレート１８および基板１２）を分離するために力を印加することが含まれる。分離は一般に、過度の応力および／または歪みをテンプレート１８もしくはモールド２０ならびに／またはパターン化層４６のインプリントされたフィーチャ５０および５２にもたらすことなく行われる必要がある。もしテンプレート１８および基板１２が、相対的に法線方向に引きはがされるならば（例えば、傾ける動きなしに）、分離フロントは、パターン化層４６の境界から内側へ（放射状に）移動する。もし追加の傾ける動きが、適用されるならば、分離フロントは、傾斜軸から遠い側から始まる平行線をかなり移動することもある。例となる分離フロントスキームは、米国特許第７，７０１，１１２号、米国特許公開第２０１０／００９６７７６号、米国特許第７，６３５，４４５号、および米国特許第７，６３５，２６３号でさらに詳細に述べられている。

図３Ａで例示されるように、テンプレート１８ａおよび基板１２ａは、分離フロントで小角度Θを形成することもあり、それは、非変形平面ＰＬ₁に関するテンプレート１８ａの相対曲げ角度Θ₁および基板１２ａの相対曲げ角度Θ₂の和に等しい。ここで、Ｐは、インプリントされた領域の外側のテンプレートと基板との間のギャップでの圧力であり、Ｐ_tおよびＰ_bは、もしあれば、テンプレート裏面および基板裏面に印加される圧力をそれぞれ表す。非変形平面ＰＬ₁に関するテンプレート１８ａの相対曲げ角度Θ₁および基板１２ａの相対曲げ角度Θ₂は、厚さ、ヤング率、圧力、テンプレート１８ａとパターン化層４６との間の付着力、および同様のものを含むが限定されない、多変数の関数である。図３Ｂは、テンプレートと基板との間の分離フロントでの２つの横移動を示し、ここでｄ_tは、テンプレート・フィーチャの横変位（または横歪み）であり、ｄ_bは、基板上のインプリントされたフィーチャの横変位（または横歪み）である。

図４は、基板が剛体で、全く曲げがないと仮定される場合の基板１２ａに関するテンプレート１８ａの歪みｄ_tを例示する。テンプレート１８ａはそれ故に、横歪みｄ_tを示すが、しかし基板のｄ_bは、ゼロの横歪みを有する。例示されるように、横歪みが、テンプレート・フィーチャと基板フィーチャとの間で整合しないそのような場合には、インプリントされたフィーチャ５０ａおよび５２ａは、歪められるまたは損傷することになる。フィーチャ損傷を防止するためには、基板１２ａが曲がるまたは伸びることを可能にし、それの横歪みｄ_bがテンプレートのそれ（ｄ_t）と整合することを可能にすることが、有利である。

テンプレートおよび基板の曲げ量は、（ＥＴ³）に逆比例し、ここでＥは、テンプレートまたは基板材料のヤング率であり、Ｔは、テンプレートまたは基板の厚さである。続いて、歪みは、厚さ（Ｔ）を乗じた曲げの関数である。従って、歪みの大きさは、（ＥＴ²）に逆比例する。その結果、テンプレート１８ａおよび基板１２ａの界面で接続する表面での２つの横歪みの比（ｄ_t／ｄ_b）は、（Ｅ_bＴ_b ²）／（Ｅ_tＴ_t ²）に比例する。

図５乃至図７は、テンプレート１８ａおよび基板１２ａの厚さ（Ｔ_b／Ｔ_t）に関して横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）のグラフ・プロットを例示する。一般に、実線７０〜７０ｂは、実質的に同様の境界条件（例えば、背圧）の下でのテンプレート１８ａおよび基板１２ａの歪み比を表す。点線７２、７２ｂおよび７４は、実質的に異なる境界条件（例えば、背圧）の下でのテンプレート１８ａおよび基板１２ａの歪み比を表す。

図５は、テンプレート１８ａおよび基板１２ａの分離中の厚さの組合せについての横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）のグラフ・プロット６８を例示する。例えば、実質的に同様の境界条件の下では（すなわち、基準線７０）、テンプレート１８ａの厚さＴ_tが、基板１２ａの厚さＴ_bよりもかなり小さいときは（Ｔ_t＜＜Ｔ_b）、分離フロントは、主にテンプレート１８ａの曲げによって形成されてもよい。この例では、歪みの比（ｄ_t／ｄ_b）は、（Ｅ_b／Ｅ_t）よりも大きい。別法として、テンプレート１８ａの厚さＴ_tよりもかなり小さい基板１２ａの厚さＴ_bを有するときは（Ｔ_b＜＜Ｔ_t）、歪みの比（ｄ_t／ｄ_b）は、（Ｅ_b／Ｅ_t）よりも小さい。

最適な場合は、歪み比（ｄ_t／ｄ_b）がテンプレート１８ａおよび基板１２ａについて１になる場合に存在することができる。テンプレートおよび基板が、同じヤング率を有するときは、最適構成は、テンプレート１８ａおよび基板１２ａが、実質的に同様の厚さＴ_tおよびＴ_bをそれぞれ有し、理想に近いプロセス条件（例えば、背圧、制約境界条件）の下にあるときである。圧力は、正および負圧力（真空）の両方であることに留意すべきである。

しかしながら、テンプレート１８ａおよび基板１２が、異なる背部支持（すなわち、材料剛性を調整すること）を用いてまたは背圧（正圧力および／または真空）の印加を通じて制約されることは、応力および／または横歪みにかなり影響を及ぼすこともある。例えば、図５で例示されるように、曲線７２および７４は、テンプレート１８ａおよび基板１２ａが異なる背圧条件の下にあるときの横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）を例示する。曲線７２は、基板１２ａの背圧がテンプレート１８ａのそれ（例えば、０ＫＰａ）よりも低い（例えば、−３０ＫＰａ）ときの相対横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）を表し、曲線７４は、反対の場合（すなわち、基板１２ａの背圧がテンプレート１８ａのそれよりも高い場合）を表す。例えば、基板１２ａだけが真空チャックされることは、曲げ形状に影響を及ぼして分離プロセス中に過度の歪みをもたらすこともある。グラフ表示に基づいて、テンプレート１８ａの厚さＴ_tは、裏面圧力、分離力、および／またはテンプレート形状の差を補償するために、テンプレート１８ａの曲げ剛性が増加されるように基板１２ａの厚さＴ_bよりも大きく構成されて（例えば、増加されて）もよい。

しかしながら、基板１２ａの厚さは一般に、自由に選択可能な変数でない。例えば、８インチまたは１２インチ直径の半導体ウェハーには一般に、基板１２ａのための厚さについて業界標準がある。補償のために、テンプレート１８ａの厚さＴ_tは、基板１２ａについて事前に選択された厚さＴ_bに基づいて決定されてもよい。加えて、テンプレート１８ａの厚さＴ_tは、横歪みｄ_tが最小化されるまたは除去されてもよいように、材料剛性（例えば、ヤング率）、背圧、および同様のものに基づいて決定されてもよい。別法として、テンプレート１８ａの背圧は、横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）を約１にできるように制御されてもよい。

より具体的には、テンプレートおよび／または基板に印加される背圧Ｐ_tおよび／またはＰ_b（図３Ａを参照）は、約１の横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）をもたらすように横歪みｄ_tおよび／または横歪みｄ_bを変更するために調整できる。供給する必要がある背圧Ｐ_tおよび／またはＰ_bの量および程度は、テンプレートおよび基板のヤング率、厚さ、ならびに印加すべき分離力に基づいて事前に決定できる。テンプレートへのそのような背圧の制御および供給は、例えば参照により本明細書に組み込まれる米国特許第７，０１９，８１９号で述べられるチャックおよびシステムを使用して提供できる。基板へのそのような背圧の制御および供給は、例えば米国特許第７，６３５，２６３号および米国特許第７，６３５，４４５号で述べられるチャックおよびシステムを使用することができる。

図６は、厚さの組合せについて横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）のグラフ・プロット７６を例示する。グラフ・プロット７６は、テンプレート１８ａかまたは基板１２ａの厚さＴ_tおよびＴ_bが制御可能な変数である場合の横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）を最適化するための例となる方法を提供する。例えば、基板１２ａは、約１５０ＧＰａのヤング率、約０．７７５ｍｍの厚さＴ_bを有するＳｉで形成されてもよい。テンプレート１８ａは、約７５ＧＰａのヤング率を有する溶融シリカで形成されてもよい。そのとき、横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）は、（０、０）および（１、２）を通る二次関数である。そのため、１の理想的横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）について、厚さ比は、（Ｅ_bＴ_b ²）／（Ｅ_tＴ_t ²）に基づいて０．５の平方根とすべきである。従って、テンプレート１８ａの厚さＴ_tは、約１．１ｍｍである必要があることもある。実質的に同一の背圧が、テンプレート１８ａおよび基板１２ａの両方に供給される必要があることもある。例えば、背圧は、テンプレート１８ａおよび基板１２ａの両方で約−３０ＫＰａに維持されてもよい。背圧のわずかな変化は、印加すべき分離力に基づいて最適化できる。別法として、テンプレート１８ａが、周囲圧力の下にあるときは、基板１２ａの少なくとも一部分は、実質的に同じ背圧（例えば、周囲圧力）の下にあってもよく、一方基板１２ａの残りの部分は、異なる背圧を受ける。異なるレベルの圧力を供給するためのシステムおよび方法はさらに、米国特許第７，０１９，８１９号、米国特許第７，６３５，２６３号および米国特許第７，６３５，４４５号で開示されている技術を使用することもできる。

図７は、厚さが被制御変数でない場合の横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）のグラフ・プロット７８を例示する。グラフ・プロット７８は、テンプレート１８ａかまたは基板１２ａの厚さＴ_tおよびＴ_bが制御変数でない場合の横歪み比（ｄ_t／ｄ_b）を最適化するための例となる方法を提供する。テンプレート１８ａおよび基板１２ａの材料特性は、実質的に同様であってもよい。テンプレート１８ａおよび基板１２ａの厚さＴ_tおよびＴ_bは、固定比を有してもよい。例えば、一実施形態では、固定比は、Ｔ_b／Ｔ_t＝０．１８に設定されてもよい。一般に、「より厚い」テンプレート１８ａまたは基板１２ａは、高い背圧の追加の支持を必要とすることもあり、一方「より薄い」テンプレート１８ａまたは基板１２ａは、低い圧力を有する背圧（例えば、真空）を必要とすることもある。例えば、溶融シリカ材料については、約４０ＫＰａから９０ＫＰａの間の背圧が、より厚いテンプレート１８ａおよび基板１２ａに使用されてもよく、約−４０ＫＰａから０ＫＰａの間の背圧が、より薄いテンプレート１８ａおよび基板１２ａに使用されてもよい。実際の数値は、解析モデルおよび／または有限要素解析を使用して決定されてもよい。さらに、テンプレート１８ａおよび基板１２ａのための背圧レベルは、分離が伝搬するにつれて調整されてもよい。

厚さＴ_tおよび／もしくはＴ_bの選択、背圧の制御、ならびに／または材料剛性の選択を通じてのテンプレート１８ａおよび基板１２ａの横歪みの制御は、米国特許第７，６３６，９９９号、米国特許第７，７０１，１１２号、米国特許公開第２０１０／００９６７７６号、米国特許第７，６３５，４４５号、および米国特許第７，６３５，２６３号でさらに述べられるそれらを含むが限定されない、他の分離方法に適用されてもよい。

様々な態様のさらなる変更形態および代替実施形態は、この記述を考慮すると当業者には明らかとなる。それに応じて、この記述は、説明に役立つだけであると解釈すべきである。本明細書で図示され、述べられる形態は、実施形態の例として受け取るべきであると理解すべきである。要素および材料は、本明細書で例示され、述べられるそれらと置き換えられてもよく、部品およびプロセスは、逆にされてもよく、ある特徴は、独立して利用されてもよく、当業者には明らかとなるようなすべては、この記述の便益を有する。本明細書で述べられる要素の変形は、次のクレームで述べられるような精神および範囲から逸脱することなく行われてもよい。

Claims (18)

1. 基盤上のパターン化層と接触するテンプレートを形成するステップと、
   前記基盤と前記テンプレートが分離力を受けたとき、前記テンプレートの横歪み（ｄ_t）と前記基盤の横歪み（ｄ_b）の比（ｄ_t／ｄ_b）が約１となるように、上記の横歪みを調整するステップと、
   前記横歪み比が１の状態で上記分離力によって前記テンプレートを前記基盤から分離するステップと、
   から構成されることを特徴とするナノプリント・リソグラフィ・テンプレートの製作方法。
2. 前記調整するステップはさらに、背圧を前記テンプレートまたは前記基板または両方に印加するステップを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記背圧は、前記分離力を印加するステップより前に印加される、請求項２に記載の方法。
4. 前記背圧は、前記分離力を印加するステップと同時に印加される、請求項２に記載の方法。
5. 前記背圧は、前記テンプレートに印加されるだけである、請求項２から４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記背圧は、前記基板に印加されるだけである、請求項２から４のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記印加される背圧は、正圧力である、請求項２から６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記印加される背圧は、負圧力である、請求項２から６のいずれか一項に記載の方法。
9. 正背圧は、前記テンプレートに印加され、負背圧は、前記基板に印加される、請求項２から６のいずれか一項に記載の方法。
10. 負背圧は、前記テンプレートに印加され、正背圧は、前記基板に印加される、請求項２から６のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記調整するステップはさらに、前記テンプレートまたは前記基板または両方の材料剛性を変更するステップを含む、請求項１に記載の方法。
12. 前記調整するステップはさらに、前記テンプレートまたは前記基板または両方の厚さを変更するステップを含む、請求項１に記載の方法。
13. 前記テンプレートを前記基板から分離するステップの後に前記形成されたパターン化層のパターンを前記基板に転写するステップをさらに含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 請求項１３に記載の方法に従って形成されるパターン化基板を含む、ナノ加工されたデバイス。
15. 前記デバイスは、集積回路である、請求項１４に記載のナノ加工されたデバイス。
16. 厚さＴ_bを有する基板と、
    前記基板と重なり合ったテンプレートとから構成され、
    前記テンプレートの厚さＴ_tは、前記基盤の横歪み（ｄ_b）と前記テンプレートの横歪み（ｄ_t）との比（ｄ_t／ｄ_b）が約１であるように選択されていることを特徴とするナノリソグラフィ・インプリント・システム。
17. 前記基板は、Ｓｉであり、前記テンプレートは、溶融シリカである、請求項１６に記載のナノリソグラフィ・インプリント・システム。
18. Ｔ_bは、約０．７７５ｍｍであり、Ｔ_tは、約１．１ｍｍである、請求項１７に記載のナノリソグラフィ・インプリント・システム。

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