KR102294035B1 - 향상된 오버레이 보정을 위한 저접촉 임프린트 리소그래피 템플레이트 척킹 시스템 - Google Patents

Abstract

구조적 지지 기능들을 실질적으로 유지시키는 동시에 임프린트 품질 기능들을 현저히 향상시키는 임프린트 리소그래피 템플레이트 척, 관련 시스템 및 방법이 제공된다. 이러한 척은 분리 시에 여전히 우수한 구조적 지지를 제공하면서도 정렬 및 왜곡 보정 시의 템플레이트 접촉을 상당히 감소시키는 동적 진공 시일을 편입한다.

Description

향상된 오버레이 보정을 위한 저접촉 임프린트 리소그래피 템플레이트 척킹 시스템{LOW CONTACT IMPRINT LITHOGRAPHY TEMPLATE CHUCK SYSTEM FOR IMPROVED OVERLAY CORRECTION}

본 발명은 대체로 향상된 오버레이 보정을 위한 저접촉 임프린트 리소그래피 템플레이트 척킹 시스템에 관한 것이다.

나노 제조는 100 나노미터 이하 수준의 피처(feature)들을 가지는 매우 작은 구조의 제조를 포함한다. 나노 제조가 상당히 큰 영향을 준 하나의 적용예는 집적 회로 공정에 있어서다. 반도체 공정 산업은 하나의 기판 상에 형성되는 단위 면적당 회로를 증가시키면서 더 큰 생산 수율을 위한 노력을 계속하고 있으며, 그로 인해 나노 제조는 점점 더 중요해지고 있다. 나노 제조는 형성되는 구조의 최소 피처 치수의 지속된 감소를 가능하게 해주면서 더 우수한 공정 제어를 제공한다. 나노 제조가 채용된 다른 개발 영역들은 생명 공학, 광학 기술, 기계 시스템 등을 포함한다.

오늘날 사용되고 있는 하나의 예시적인 나노 제조 기술은 통상적으로 임프린트 리소그래피로 불려진다. 임프린트 리소그래피는 예컨대 CMOS 로직, 마이크로 프로세서, NAND 플래시 메모리, NOR 플래시 메모리, DRAM 메모리 또는 MRAM, 3D 크로스 포인트 메모리, Re-RAM, Fe-RAM, STT-RAM 등의 다른 메모리 장치와 같은 집적 소자의 층을 제조하는 것을 포함하여 다양한 적용처에 유용하다. 임프린트 리소그래피는 또한 하드 디스크용 박막 헤드 장치 내의 층들의 제조에 유용하다. 임프린트 리소그래피는 또한 하드 디스크 드라이브용 패터닝된 매체(patterned media), 디스플레이용 편광판, 광전 변환 소자용 광결정 구조, 광포획 구조 및 필터, 배터리 전극용 나노구조 및 향상된 광소자 및 광전 변환 소자용 양자점 구조와 같은 광학 소자, 생의학 장치(biomedical device), 센서를 제조하는 데 그리고 제어된 나노 입자의 제조에 이용될 수 있다. 제어된 나노 입자는 결정질 반도체 재료를 제조하는 데 또는 용도들 중에서 특히 폴리머계 약물 담체(polymer-based drug carrier)로서 사용될 수 있다. 예시의 임프린트 리소그래피 공정들이 그 전체 개시내용이 여기에 참조되는 미국 특허 제8,349,241호, 미국 특허 공개공보 제2004/0065252호 및 미국 특허 제6,936,194호와 같은 여러 간행물에 상세히 기재되어 있다.

상기 미국 특허 공개공보 및 특허의 각각에 개시된 한 가지 임프린트 리소그래피 기술은 성형가능(폴리머화가능) 층에서의 릴리프 패턴(relief pattern)의 형성 및 하부의 기판에 릴리프 패턴과 일치하는 패턴을 전사하는 것을 포함한다. 기판은 패터닝 공정을 용이하게 해주기 위한 소정의 포지셔닝을 얻기 위해 모션 스테이지에 결합될 수 있다. 패터닝 공정은 기판으로부터 이격된 템플레이트 및 템플레이트와 기판 사이에 도포되는 성형가능 액체를 사용한다. 성형가능 액체는 그것과 접촉하는 템플레이트의 표면의 형상과 일치하는 패턴을 가지는 강성 층을 형성하도록 고체화된다. 고체화 후, 템플레이트는 당해 템플레이트와 기판이 이격되도록 강성 층으로부터 분리된다. 그런 다음, 기판과 고체화된 층은 고체화된 층의 패턴과 일치하는 릴리프 이미지를 기판에 전사하기 위한 추가적 공정을 거친다.

상술한 바와 같은 임프린트 리소그래피 템플레이트는 일반적으로 특히 임프린트 공정 및 분리 공정 중에 직면하게 되는 하중하에서 템플레이트를 정위치에 유지시키고 그것의 변형을 방지하도록 템플레이트에 구조적 지지를 제공하는 척 또는 척킹 시스템에 의해 정위치에 유지된다. 이러한 척 및 척킹 시스템은 일반적으로 그와 같은 구조적 지지를 제공하기 위해, 템플레이트를 척 또는 척킹 시스템에 대해 유지시키도록 진공압을 적용시키고, 더 나아가 템플레이트 배면과의 물리적 접촉 상태에 있게 되는 다수의 랜드(land) 및/또는 핀(pin)을 포함한다. 하지만, 본 명세서에 추가로 설명되는 바와 같이, 그와 같은 척과 템플레이트 간의 물리적 접촉의 정도가 템플레이트 패터닝 표면 평면도를 유지 또는 유도하고 면내 왜곡 보정(in-plane distortion correction)을 성취해야 하는 요건들과 같은 임프린트 품질 기능들에 악영향을 미칠 수 있다.

본 발명은 이러한 요건들과 그 밖의 요건들을, 구조적 지지 기능들을 유지시키는 동시에 임프린트 품질 기능들을 현저히 향상시키는 임프린트 리소그래피 템플레이트 척, 관련 시스템 및 방법을 제공함으로써, 충족시킨다. 이러한 척, 시스템 및 관련 방법들은 여전히 임프린트 및 분리하에서 충분한 구조적 지지를 제공하면서도 정렬 및 왜곡 보정 시의 척 또는 척킹 시스템과의 템플레이트 접촉을 상당히 감소시키는 동적 진공 시일을 편입한다.

본 발명의 하나의 양태에 있어서, 임프린트 리소그래피 템플레이트 척킹 시스템이 템플레이트 지지 표면을 구비한 척 바디, 및 상기 템플레이트 지지 표면으로부터 뻗어나온 제1 및 제2 시일로서, 상기 제1 시일이 상기 제2 시일을 둘러싸서 상기 제1 시일과 상기 제2 시일 사이에 제1 오목부를 한정하는 바의 제1 및 제2 시일을 가지고서 제공된다. 이들 시일은 환형이고 경우에 따라 배열에 있어 동심적일 수 있다. 복수의 지지 핀이 상기 제1 오목부 내에 배치되어 마찬가지로 상기 템플레이트 지지 표면으로부터 뻗어나와 있다. 상기 복수의 지지 핀은 지지 척의 중심에 대해 반경방향으로 배치될 수 있다. 상기 복수의 지지 핀은 유지된 임프린트 리소그래피 템플레이트의 배면과 접촉하고, 또한 유지된 템플레이트를 상기 제1 및 제2 시일로부터 일정 거리(d)에 유지시키도록 구성된다. 상기 척 바디를 통해 연장되어 상기 제1 오목부로 개방된 하나 이상의 유체 채널도 상기 하나 이상의 유체 채널에 작동가능하게 연결되어 상기 제1 오목부에 진공압을 적용시키도록 구성된 압력 제어 시스템과 함께 제공된다. 상기 시일들과 상기 지지 핀들 사이의 거리(d) 즉 갭 거리는 상기 압력 제어 시스템을 통해 상기 제1 오목부에 진공압이 적용될 때 상기 템플레이트에 대해 진공 시일이 유지될 수 있지만 상기 템플레이트가 상기 시일들에 실제로 접촉하지는 않도록 하는 거리이다. 즉, 갭 거리(d)는 상기 시일들과의 템플레이트 접촉을 피할 만큼 충분한 동시에 유지된 템플레이트에 대한 진공 시일을 유지할 만큼 아주 작도록 제어된다. 이 갭 거리(d)는 0.05 내지 5.0 미크론 일 수 있다.

본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 제3 시일이 상기 제2 시일 내부에 제공됨으로써(즉, 제2 시일이 제3 시일을 둘러쌈으로써), 상기 제2 시일과 상기 제3 시일 사이에 제2 오목부를 한정하고, 하나 이상의 추가적 유체 채널이 상기 척 바디를 통해 상기 제2 오목부로 연장될 수 있다. 이 제3 시일은 마찬가지로 환형이고, 상기 제1 및 제2 시일과 동심적일 수 있다. 상기 압력 제어 시스템은 마찬가지로 상기 하나 이상의 제2 유체 채널에 작동가능하게 연결되어, 진공압이 마찬가지로 상기 제1 오목부에 적용되는 진공압과 동시적으로 또는 독립적으로 상기 제2 오목부에 적용될 수 있다. 상기 압력 제어 시스템은 또한 임프린트 사이클(즉, 템플레이트 충전, 고체화 및 분리 과정) 중에 상기 템플레이트에 적용되는 배압(즉, 상기 템플레이트의 배면에 적용되는 정의 압력(positive pressure))에 비례적으로 대응되도록 진공압을 상기 제2 오목부에 적용시키도록 구성될 수 있다. 여기에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 이와 같은 접근법은 일정하게 유지되는 진공 시일에 의해 임프린트 사이클에 전체에 걸쳐 하중이 일정하게 유지될 수 있도록 지지 핀들 상의 하중의 지속된 밸런싱을 성취한다.

본 발명의 또 다른 양태에 있어서, 후퇴가능 핀들도 상기 척 바디의 오목부들 내에 구비될 수 있다. 이러한 핀들은 제1 후퇴 위치로부터 상기 템플레이트와 접촉할 수 있는 제2 전진 위치로 이동가능하다. 이러한 핀들은 작은 지지력이 요구되는 템플레이트 충전 및 정렬 시에는 후퇴되어 유지되고, 추가적인 구조적 지지력이 유리할 수 있는 분리 시에는 전진하여 상기 템플레이트와 접촉 상태가 될 수 있다.

이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 본 발명의 척 및 척킹 시스템을 이용하는 임프린팅 방법도 제공된다.

본 발명의 특징 및 장점들이 더 상세히 이해될 수 있도록, 본 발명의 실시형태들의 보다 구체적인 설명이 첨부 도면에 도시된 실시형태를 참조하여 이루어질 수 있다. 하지만, 첨부 도면들은 단지 본 발명의 대표적인 실시형태들을 예시하고 있을 뿐이고, 따라서 본 발명의 범위를 한정하는 것으로 간주되어서는 안되며, 본 발명과 관련하여 다른 동등 효과의 실시형태들도 인정할 수 있다는 것에 유의해야 한다.
도 1은 기판으로부터 이격된 템플레이트 및 몰드를 가진 리소그래피 시스템의 개략 측면도를 도시하고 있다.
도 2는 표면 상에 패터닝된 층을 가진 도 1에 도시된 기판의 개략도를 도시하고 있다.
도 3A는 종래기술의 실시형태에 따른 척킹 시스템 및 유지된 템플레이트의 개략 측단면도를 도시하고 있다.
도 3B는 도 3A의 척킹 시스템의 저면도를 도시하고 있다.
도 4A 및 도 4B는 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 척킹 시스템 및 유지된 템플레이트의 개략 측단면도를 도시하고 있다.
도 5A는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 척킹 시스템 및 유지된 템플레이트의 개략 측단면도를 도시하고 있다.
도 5B는 도 5A의 척킹 시스템의 저면도를 도시하고 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 척킹 시스템 및 유지된 템플레이트의 개략 측단면도를 도시하고 있다.

도면들, 특히 도 1을 참조하면, 기판(12) 상에 릴리프 패턴을 형성하는 데 사용되는 리소그래피 시스템(10)이 도시되어 있다. 기판(12)은 기판 척(14)에 결합될 수 있다. 도시된 바와 같이, 기판 척(14)은 진공 척이다. 하지만, 기판 척(14)은 이들에 한정되는 것은 아니지만 진공형, 핀형, 그루브형, 정전식, 전자기식 등을 포함하는 임의의 척 일 수 있다. 예시의 척이 여기에 참조되는 미국 특허 제6,873,087호에 기재되어 있다.

기판(12) 및 기판 척(14)은 또한 스테이지(16)에 의해 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x, y 및 z 축선을 따라 병진 및/또는 회전 모션을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12) 및 기판 척(14)은 또한 베이스(도시 안됨) 상에 위치될 수 있다.

기판(12)으로부터 템플레이트(18)가 이격되어 있다. 템플레이트(18)는 제1 측면과 제2 측면을 가진 바디를 포함할 수 있고, 그 중 하나의 측면이 그것으로부터 기판(12)을 향해 뻗어나온 메사(mesa)를 가진다. 메사(20)는 그 표면 상에 패터닝 표면(22)을 가진다. 또한, 메사(20)는 몰드(20)로 지칭될 수 있다. 선택적으로, 템플레이트(18)는 메사(20) 없이 형성될 수 있다.

템플레이트(18) 및/또는 몰드(20)는 이들에 한정되는 것은 아니지만 용융 실리카, 석영, 실리콘, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 붕규산 유리, 플루오로카본 폴리머, 금속, 경화 사파이어 등을 포함하는 재료로부터 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시형태들이 그러한 구성(예컨대, 평면)에 한정되는 것은 아니지만, 패터닝 표면(22)은 복수의 이격 오목부(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 한정된 피처들을 포함한다. 패터닝 표면(22)은 기판(12) 상에 형성될 패턴의 기초를 형성하는 임의의 원형 패턴(original pattern)을 한정할 수 있다.

템플레이트(18)는 척(28)에 결합될 수 있다. 척(28)은 이들에 한정되는 것은 아니지만 진공형, 핀형, 그루브형, 정전식, 전자기식 및/또는 다른 유사 척 형태로서 구성될 수 있다. 예시의 척이 여기에 참조되는 미국 특허 제6,873,087호에 기재되어 있다. 또한, 척(28)은 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 템플레이트(18)의 이동을 용이하게 해주게 구성될 수 있도록 임프린트 헤드(30)에 결합될 수 있다.

시스템(10)은 또한 유체 분배 시스템(32)을 포함할 수 있다. 유체 분배 시스템(32)은 기판(12) 상에 성형가능 재료(34)(예컨대, 폴리머화가능 재료)를 성막하는 데 사용될 수 있다. 성형가능 재료(34)는 드롭 디스펜스(drop dispense), 스핀 코팅, 딥 코팅, 화학적 증착(CVD), 물리적 증착(PVD), 박막 증착, 후막 증착 등과 같은 기법을 이용하여 기판(12) 상에 위치될 수 있다. 성형가능 재료(34)는 설계 고려 사항에 따라 몰드(20)와 기판(12) 사이에 소정의 체적이 한정되기 전 및/또는 후에 기판(12) 상에 배치될 수 있다. 성형가능 재료(34)는 바이오-도메인(bio-domain), 태양 전지 산업, 배터리 산업 및/또는 기능성 나노 입자를 요하는 기타 산업에서 용도를 갖는 기능성 나노 입자일 수 있다. 예컨대, 성형가능 재료(34)는 여기에 참조되는 미국 특허 제7,157,036호 및 미국 특허 제8,076,386호에 기재된 바와 같은 단량체 혼합물을 포함할 수 있다. 선택적으로, 성형가능 재료(34)는 이들에 한정되는 것은 아니지만 생체 물질(예컨대, PEG), 태양 전지 재료(예컨대, N형, P형 물질) 등을 포함할 수 있다.

도 1 및 2를 참조하면, 시스템(10)은 또한 경로(42)를 따라 에너지(40)를 조사하도록 결합된 에너지원(38)을 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(30)와 스테이지(16)는 템플레이트(18)와 기판(12)을 경로(42)와 중첩 상태로 위치시키도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분배 시스템(32) 및/또는 에너지원(38)과 통신하고 있는 프로세서(54)에 의해 조절될 수 있고, 메모리(56) 내에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램으로 작동할 수 있다.

임프린트 헤드(30)와 스테이지(16) 중의 어느 하나 또는 둘 모두는 성형가능 재료(34)가 충전되는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 소정의 체적을 한정하도록 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변경시킨다. 예를 들어, 임프린트 헤드(30)는 몰드(20)가 성형가능 재료(34)와 접촉하도록 템플레이트(18)에 힘을 가할 수 있다. 소정의 체적이 성형가능 재료(34)로 충전된 후, 에너지원(38)은 성형가능 재료(34)가 기판(12)의 표면(44) 및 기판(12) 상에 패터닝된 층(patterned layer)(46)을 한정하는 패터닝 표면(22)의 형상과 일치하여 고체화 및/또는 가교결합되게 만드는, 예컨대 자외선과 같은 에너지(40)를 발생시킨다. 패터닝된 층(46)은 잔류층(residual layer)(48)과 돌출부(50) 및 오목부(52)로 도시된 복수의 피처를 포함하고, 돌출부(50)가 두께(t₁)를 가지고, 잔류층이 두께(t₂)를 가질 수 있다.

상기 시스템 및 공정은 또한 각각이 그 전체내용이 여기에 참조되는 미국 특허 제6,932,934호, 미국 특허 제7,077,992호, 미국 특허 제7,179,396호 및 미국 특허 제7,396,475호에 개시된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에 사용될 수 있다.

가장 효과적인 임프린트 리소그래피 템플레이트 척은 2가지 범주의 기능상 요건, 즉 구조적 지지 기능 및 패턴 품질 기능을 제공한다. 구조적 지지 기능은 임프린트 공정 및 분리 공정 중에 직면하게 되는 하중하에서 템플레이트를 정위치에 유지시키고 그것의 변형을 방지하기 위해 필요하다. 따라서, 구조적 지지 피처들은 예컨대 (i) 충전 시에 템플레이트 형상을 조절하기 위한 템플레이트 배압(back pressure)을 포함하는 임프린트 하중을 지지하는 피처, (ii) 면내 및 액체내 정렬 하중을 지지하는 피처, 및/또는 (iii) 분리 하중을 지지하는 피처이다. 임프린트 품질 기능들은 제어된 충전, 균일한 잔류층 및 정밀한 오버레이 제어를 보장하기 위해 필요하다. 따라서, 임프린트 품질 피처들은 예컨대 (i) 템플레이트와 척 사이에서의 입자 가둠(particle trapping)을 회피하기 위해 템플레이트를 최소 접촉으로 유지시키는 피처, (ii) 템플레이트의 작용 영역 표면(즉, 패터닝 표면)에 이상적인 평탄도 즉 평면도를 유지 또는 유도하는 피처, 및/또는 (iii) 배율 제어(magnification control)와 같은 오버레이를 위한 템플레이트의 제어된 면내 형상 변경을 가능하게 해주는 피처이다.

종래의 임프린트 리소그래피 템플레이트 척은 일반적으로 비교적 강성(stiff)이고, 일반적으로 템플레이트 배면과의 물리적 접촉 상태에 있게 되는 랜드 및/또는 핀의 조합을 포함한다. 템플레이트를 랜드(land)들 및/또는 핀(pin)들에 대해 유지시키는 데 진공압이 사용될 수 있다. 템플레이트와 연속적인 랜드 시일들 사이의 접촉이 진공 존(vacuum zone)을 발생시키고, 정적 진공력을 유지시키는 데 이용될 수 있다. 적용되는 진공압하에서 템플레이트가 심하게 변형되게 만드는 것을 회피하고, 또한 임프린팅 공정 및 분리 공정과 관련된 외력을 포함하는 외력에 의한 변형에 저항하기 위해, 추가적 핀 또는 랜드 지지부들이 진공 존 내에 추가될 수 있다. 그와 같은 템플레이트 척의 한 예가 도 3A-3B에 도시되어 있다. 템플레이트 척(60)은 유지된 템플레이트(80)와 중첩 상태로 도시되어 있다. 척(160)은 투명 창(70)을 지지하는 내측 림(72)을 구비하고 있고, 창(70)은 템플레이트(80)의 작용 영역(active area)(82)과 중첩 상태에 있음으로써, 폴리머화가능 재료가 작용 영역과 접촉 상태에 있을 때 폴리머화가능 재료로의 에너지를 전달을 가능하게 해준다. 척(60)은 또한 척 표면(61)으로부터 뻗어나와 템플레이트(80)의 배면(84)과 접촉 상태에 있는 환형 랜드(62, 64)를 구비한다. 이들 랜드(62, 64)는 척과 템플레이트 사이에, 랜드들 사이에 형성된 오목부 또는 진공 존(74)을 한정한다. 일반적으로 척 표면(61)으로 개방된 척 바디에 구비되는 채널들(도시 안됨)을 통한 진공압의 적용은 진공 존(74) 내에 템플레이트(80)를 척(60)에 대해 유지시키는 진공력을 발생시킨다. 랜드(62, 64)에 더하여, 진공 존(74) 내에 위치되는 랜드(66)도 배면(84)과 접촉 상태에 있어, 적용된 진공압 및/또는 외부 변형력으로 인해 야기될 수 있는 템플레이트의 심한 변형을 방지한다.

척(60) 및 이와 유사한 척들은 필요한 구조적 지지 기능들을 제공하는 데 있어서는 효과적인 것으로 입증되었지만, 임프린트 품질 기능들을 제공함에 있어서는 효과적이지 않았다. 첫째, 그와 같은 척들의 연속적인 진공 실링 랜드들은 일반적으로 면외 방향(out-of-plane direction)으로 강성(stiff)이어서, 템플레이트가 실링 랜드들 사이에서 오목하게 휘어지는 것을 방지하기 위해서는 진동 존 내에 핀들 및/또는 랜드들로 이루어지는 상당히 큰 지지 영역을 필요로 한다. 이것은 결국 그와 같은 추가적인 핀들 및/또는 랜드들의 형태로 척과 템플레이트 사이에 요구되는 접촉 면적을 증가시킨다. 증가된 접촉 면적은 다시 템플레이트와 척 접촉 지점들 사이에서의 국소적 입자 가둠의 가능성을 증가시킨다. 이것은 결국 입자 가둠 영역에서의 바람직하지 않은 국소적 템플레이트 변형을 초래할 수 있다. 둘째, 템플레이트 제조 비용을 감소시키기 위해, 템플레이트 배면은 흔히 템플레이트의 전방 작용 영역 표면(즉, 패터닝 표면)만큼 정밀하게 가공되지 않는다. 그 결과, 그와 같은 배면은 일반적으로 전면만큼 균일하게 편평하거나 평탄하지 않다. 또한, 템플레이트의 상대 평탄도는 템플레이트마다 달라질 수 있다. 즉, 제조된 템플레이트들 간에 배면 평면도 또는 평탄도에 있어서 국소적 및/또는 영역적 편차가 있을 수 있다. 그와 같은 편차의 결과로서, 주어진 템플레이트 배면은 매우 자주 템플레이트 배면이 균일한 평면도 또는 평탄도를 가질 것이라는 예상으로 일반적으로 설계된 템플레이트 척 접촉 표면과 정밀하게 정합되지 않는다. 따라서, 주어진 템플레이트가 진공의 적용을 통해 그와 같은 템플레이트 척에 구속될 때는, 진공력이 템플레이트 배면을 템플레이트 척과 면접촉하게 만들기 때문에, 템플레이트 척의 분포된 큰 진공 영역이 근본적으로 진공력을 통해 템플레이트 배면을 평탄화시킨다. 그 결과, 템플레이트의 배면이 더 평탄해지기 때문에, 그에 대응하여 더 편평한 구성부인 이전에 평탄했던 작용 영역(active area)이 왜곡되게 되고, 이것이 임프린팅 오류를 초래할 수 있다. 셋째, 일반적인 템플레이트 척의 랜드 및/또는 핀 지지 영역은 면외 방향(out-of-plane direction)으로만 강성인 것이 아니라 면내 방향(in-plane direction)으로도 강성이며, 이것이 유지된 템플레이트의 효과적인 왜곡 보정(distortion correction)에 영향을 미친다. 왜곡 보정은 여기에 그 전체내용이 참조되는 미국 특허 제7,768,624호에 기재되어 있는 바와 같은 배율 오류(magnification error), 스큐/직교성 오류(skew/orthogonality error) 및 사다리꼴 오류(trapezoidal error) 등의 오버레이 오류들을 보정하기 위해 템플레이트 외주부에 제어된 힘을 가하는 과정을 포함할 수 있다. 그러므로, 왜곡 보정을 위한 임의의 템플레이트 형상 변경은 템플레이트와 척의 개개의 랜드 또는 핀 지지 영역들 사이의 소량의 상대 운동을 필요로 한다. 이들 랜드 및 핀은 템플레이트와 접촉 상태에 있기 때문에, 그와 같은 운동에 대항 또는 저항하는 마찰력이 발생한다. 이러한 마찰력은 배율 및/또는 다른 왜곡 제어의 가용 범위를 제한 또는 감소시키고, 배율 및/또는 다른 왜곡 제어 분해능을 제한하는 히스테리시스를 야기할 수 있다.

본 발명은 종래의 템플레이트 척의 구조적 지지 기능들을 실질적으로 유지시키는 동시에 임프린트 품질 기능들을 현저히 향상시키는 템플레이트 척 및 관련 시스템과 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 템플레이트 척은 다음의 특징들 중 하나 이상을 가질 수 있다. (1) 템플레이트 접촉 면적이 정렬 및 임프린팅 중에 상당히 감소될 수 있어, 템플레이트가 평탄한 작용 영역을 가진 원래의 면외 형상을 더 잘 유지하게 해주고; (2) 템플레이트와의 접촉부는 템플레이트의 적절한 지지를 제공할 정도로 면외 방향으로 충분히 강성이며; (3) 템플레이트와 척 사이의 접촉 영역들의 컴플라이언스(compliance)가 모두 액체내 정렬력(in-liquid alignment force)을 유지시킬 정도로 충분히 강성이어서, 템플레이트를 척 상에 실질적으로 센터링된 상태로 유지시키지만, 템플레이트가 정렬 및 왜곡 보정을 위해 면내 형상을 변경시키는 동안 템플레이트 및 척 접촉 영역들이 정적 마찰 접촉 상태로 유지되는 것을 가능하게 해줄 정도로 연성이다.

여기에 추가로 설명되는 바와 같이, 상기 특징들을 갖는 템플레이트 척은 동적 진공 시일(또는 시일들) 및 하나 이상의 핀의 제공에 의해 제어되는 진공 시일 사이의 제어된 갭의 구비를 통해 성취된다. 여기에 사용되는 용어 "시일(seal)"은 랜드(land)와 유사하지만 템플레이트와 실제 접촉하게 설계되지 않은, 척 표면으로부터 뻗어나온 융기형 구조부를 의미한다. 오히려, 제공되는 핀들이 척 표면으로부터 시일보다 더 뻗어나오도록 되어 있어, 시일과 템플레이트 사이에 제어가능한 갭을 유지시킨다. 이 갭은 시일과 핀 사이의 정적 단차 또는 높이차를 얻기 위해 예컨대 성막 또는 에칭과 조합되는 정밀 기계가공을 통해 성취될 수 있다. 선택적으로, 핀(및/또는 시일)은 갭이 선택적으로 조절될 수 있도록 피에조 스택(piezo stack)에 의해 작동될 수 있다. 갭 즉 거리(d)는 0.05 미크론 내지 5.0 미크론의 범위 내일 수 있다.

도 4A 및 4B를 참조하면, 하나의 실시형태에서, 척킹 시스템은 유지된 템플레이트(80)와 중첩 상태로 배치되는 템플레이트 지지 표면(161)을 갖는 척 바디(160)를 가지고 제공된다. 표면(161)은 그것으로부터 뻗어나온 제1 및 제2 동적 진공 시일(162, 164)을 가진다. 시일(162, 164)은 환형이고 동심적이며, 시일(162)이 시일(164)을 둘러싸, 시일(162, 164) 사이에 오목부(174)를 한정하고 있다. 이 오목부(174)는 템플레이트(80)의 배면(84)과 함께 실링 영역 또는 척킹 존(175)을 형성한다. 추가적 지지 핀(166)이 오목부(174) 내에서 표면(161)으로부터 뻗어나와 있다. 지지 핀(166)은 유지된 템플레이트(80)의 배면(84)과 접촉 상태에 있어, 템플레이트(80)를 제1 및 제2 실(162, 164)로부터 소정의 갭 즉 거리(d)만큼 떨어진 상태로 유지시킨다. 하나 이상의 유체 채널(도시 안됨)이 척 바디(160)를 통해 연장되어 오목부(174)로 개방된다. 압력 제어 시스템(도시 안됨)이 또한 제공되어 유체 채널들과 작동가능하게 연결된다. 압력 제어 시스템은 유체 채널들을 통해 오목부(174)에 제어된 진공압을 적용하여 유지시키도록 구성된다. 대표적인 적용 진공압은 -30 kPa에서 -80 kPa까지의 범위 내일 수 있다.

실링 영역 또는 척킹 존(175)은 충분히 폭이 넓고(즉, 시일(162, 164) 사이의 거리가 충분히 넓고), 시일(162, 164)과 템플레이트(80)의 배면(84) 사이의 갭 즉 거리(d)는 시일(162, 164)이 템플레이트 척킹력(chucking force)을 유지시키는 동적 압력 실을 효과적으로 생성시킬 정도로 충분히 작다. 즉, 갭을 통한 주어진 공기(또는 다른 가스) 유동률에 의해 충분한 유동 저항을 발생시킴으로써 둘러싸여진 실링 영역 내에 진공압을 유지시킬 만큼, 실링 영역은 폭이 충분히 넓고, 갭 또는 거리(d)는 충분히 작다. 전술한 바와 같이, 갭 또는 거리(d)는 0.05 미크론 내지 5.0 미크론의 범위 내일 수 있다. 이러한 방식으로, 충분한 척킹력(예컨대, -30 kPa 내지 -80 kPa)이 척킹 존(175) 전반에 걸쳐 유지되어, 시일(162, 164)이 템플레이트와 실제로 접촉하는 일없이 템플레이트(80)를 척에 대해 유지시킨다. 5.0 미크론보다 더 큰 갭 거리는 진공 누설을 허용할 수 있고, 따라서 척에 대한 템플레이트의 적절한 유지를 붕괴시킬 수 있다. 한편, 0.05 미크론보다 더 작은 갭 거리는 시일과의 국소적 템플레이트 접촉을 초래할 수 있고, 따라서 더 높은 오버레이 보정을 초래할 수 있다.

지지 핀의 개수, 크기 및 위치는 템플레이트 상의 접촉 영역들에 소정의 컴플라이언스가 성취되도록 선택된다. 이러한 컴플라이언스는 척과의 정적 마찰 접촉을 유지시키면서도 필요한 오버레이 정렬을 성취하도록 필요에 따라 템플레이트가 면내 형상을 변경시키는 것을 가능하게 해준다. 핀(pin)(즉, 원형 또는 정사각형 단면을 갖는 돌출부)만을 사용하는 것의 장점은 핀들이 모든 횡방향들에 있어서 유사하거나 동일한 컴플라이언스를 가진다는 점이다. 이런 방식으로 접촉 영역 컴플라이언스는 모든 횡방향 축선들(예컨대, x 및 y 축선)에 있어서의 왜곡 보정에 대해 동시적으로 최적화된다. 한편, 랜드(land) 구조(즉, 하나의 방향으로 좁고 다른 방향으로 긴 구조)가 존재하면, 컴플라이언스는 기껏해야 하나의 축선을 따라서 최적화될 것이다.

핀 위치는 핀들이 템플레이트(80)의 작용 영역(82)을 변형시키지 않는 방식으로 진공 척킹 하중을 지지하도록 선택된다. 진공 영역에서 템플레이트의 오목형 왜곡을 야기하는 경향이 있는 척과 접촉 상태에 있는 실링 랜드의 부재로 인해, 그와 같은 작용 영역 변형을 방지하는 데 더 적은 핀이 필요하다는 것에 유의해야 한다. 핀은 또한 임프린트력, 분리력 및 왜곡 보정(예컨대, 배율 제어)력에 의한 과도한 면외 템플레이트 변형에 대항하는 지지를 제공하는데, 그와 같은 임프린트력, 분리력 및 왜곡 보정력에 의한 과도한 면외 템플레이트 변형이 바람직하지 않은 작용 영역의 면내 변형을 일으킬 수 있기 때문이다. 핀은 또한 진공 하중 및 템플레이트 상에 작용하는 다른 하중으로부터 초래되는 동적 실링 갭 편차를 감쇠시키는데, 그와 같은 실링 갭 편차가 일정한 척킹 압력을 유지시키기 위한 필요 유동률에 영향을 미치기 때문이다. 이상을 성취하기 위해 선택된 핀 위치의 한 예가 추가로 설명될 도 5B에 제공되어 있다.

도 5A 및 5B를 참조하면, 하나의 추가의 실시형태에 있어서, 척 바디(160a)는 마찬가지로 환형이고 동심적이며, 시일(164, 168) 사이에 형성되는 오목부(176)에 의해 한정되는 추가적 밸런싱 압력 존(177)을 발생시키는 제3 내측 동적 진공 시일(168)을 더 구비하고 있다. 밸런싱 압력 존(balancing pressure zone)(177)은 척(160)을 구비한 템플레이트에 대해 배압(back pressure)을 사용할 때 발생할 수 있는 잠재적인 바람직하지 않은 효과를 상쇄시키기 위해 제공된다. 배압은 일반적으로 임프린트 유체 충전 시에 임프린트 리소그래피 템플레이트의 형상을 조절하기 위해 사용된다. 적용된 배압은 때때로 척킹 존에 바람직하지 않은 굽힘 모멘트를 야기할 수 있고, 템플레이트에 가해지는 척킹력을 감소시킬 수도 있다. 이러한 효과들은 결국 지지 핀들 사이에 지지되는 하중을 이동시키고, 지지 핀 상의 전체 하중을 감소시킬 수 있다. 하지만, 미끄러짐이 없는 정적 마찰 접촉을 보장하기 위해서는 각각의 핀 상에 특정의 최소 하중이 유지되어야만 한다. 또한, 동적 시일 갭(d)은 배압이 작용될 때(증가된 가스 또는 공기 유동을 야기) 증가할 수 있다. 배압 존과 척킹 존이 공통의 시일 갭을 공유하는 경우에는, 이 시일을 가로지르는 유동은 배압이 적용되기 때문에 더 증가하고, 이는 너무 높게 되면 적용된 척킹력을 붕괴시킬 수 있다.

상기의 부정적 효과를 상쇄시키기 위해, 밸런싱 압력 존(177)이 제공되고, 유지 또는 척킹 진공 존(175)과 배압 존(181)(즉, 템플레이트의 작용 영역과 일치하는 후방측 영역) 사이에 배치되는 진공 존으로 이루어진다. 즉, 밸런싱 압력 존(177)은 동적 진공 시일(164)과 추가적 동적 진공 시일(168) 사이에 형성되는 오목부(176)에 의해 한정된다. 도 5A 및 5B에 도시된 바와 같이, 시일(168)은 시일(164)이 시일(168)을 둘러싸고 있는 상태로 시일(164)로부터 이격되어 있다. 척킹 존(175)과 달리, 밸런싱 압력 존(177)은 어떠한 지지 영역도 포함하고 있지 않으며, 진공압이 동적 시일(164)과 추가적 동적 시일(168)에 의해 생성되는 동적 압력 시일 갭에 의해 수용된다. 이 밸런싱 압력 존(177)은, 특히 유지된 템플레이트에 대한 배압의 작용으로 인해 일반적으로 30 kPa에 이를 수 있는 하중의 최대 감소를 겪게 되는 최내측 핀(166) 상에서, 척킹력을 증가시킨다. 밸런싱 진공압은 항상 배압에 비례적으로 대응되도록 조절된다. 배압이 제로일 때, 밸런싱 진공압은 제로이고, 배압이 적용될 때, 밸런싱 진공압은 마찬가지로 비례적으로 적용된다. 이런 방식으로, 모든 지지 핀(166) 상의 최소 하중은 임프린트 사이클(즉, 충전, 경화 및 분리 시)에 걸쳐 실질적으로 일정하게 유지될 수 있다. 또한, 동적 시일 갭(d)은 밸런싱 진공압이 배압과 함께 적용될 때는 그다지 많이 변경되지 않는다. 밸런싱 압력 존(177)은 또한 배압이 작용될 때 동적 시일 갭(d)을 가로지르는 유동이 실질적으로 영향을 받지 않도록, 유지 진공 존(175)과 배압 존(181) 사이의 배리어 존(barrier zone)으로서 기능한다.

밸런싱 압력 존(177)은 또한 분리 시에 사용될 수 있다. 이 방법으로, 지지 핀(166) 상의 분리력 하중의 작용이 감쇠된다. 정의 또는 부의 게이지 압력이 분리를 돕도록 배압 존에 작용할 때, 밸런싱 압력 존(177)에 적용되는 밸런싱 압력은 분리력 및 배압 존 효과를 상쇠시키도록 실시간으로(분리력 피드백에 기초하여) 조절된다.

핀(166)과 템플레이트(80) 즉 척(160 또는 160a)과 템플레이트(80) 사이의 정적 마찰 접촉을 향상시키기 위해, 건식 정적 마찰 계수를 향상시키는 척(160 또는 160a) 또는 템플레이트(80) 상의 코팅과 더불어 여러 가지 재료 조합이 사용될 수 있다. 템플레이트(80)용의 하나의 예시의 재료는 용융 실리카이다. 예시의 척(160 또는 160a) 재료는 탄화규소, 스테인레스 스틸, 양극 처리된 알루미늄 및 알루미나를 포함한다. 핀(166)도 횡방향 컴플라이언스를 증가시키거나 마찰을 증가시키는 폴리머로부터 형성되거나 그러한 폴리머로 코팅될 수 있다.

도 5B를 참조하면, 척(160a)은 시일(162, 164) 사이의 오목부(174)에 의해 한정되는 척킹 존(175) 내에 특정 레이아웃의 핀(166)을 구비한다. 32개의 핀(166)이 반경방향 배치 쌍들로 대략 등간격으로 이격되어 제공되고, 하나 걸러 하나씩의 쌍들이 그 사이에 압력 공급 채널(178)을 개재시키고 있다. 이보다 더 적거나 더 많은 수의 핀 또는 핀 쌍이 마찬가지로 사용될 수 있다. 핀 직경은 0.3 mm 내지 0.8 mm의 범위 내일 수 있고, 핀 높이는 0.2 mm 내지 1.5 mm의 범위 내일 수 있다. 또, 시일(164)과 추가적 내측 시일(168) 사이의 오목부(176)에 의해 한정되는 밸런싱 존(177)은 핀이 없지만, 존 둘레로 반경방향으로 이격된 압력 공급 채널(179)을 포함한다. 정적 마찰 접촉이 템플레이트(80)와 척(160a) 사이에 유지되기 때문에, 배율을 위한 템플레이트의 형상 변경은 거의 순수 탄성적(purely elastic)이다. 따라서, 척(160a)을 편입한 척킹 시스템은 배율 보정 분해능을 제한하지 않으며 히스테리시스를 겪지 않는다.

도 6을 참조하면, 하나의 또 다른 실시형태에 있어서, 척(260)은 가변 척킹 존들과 가변 지지 영역을 제공하는, 템플레이트 지지 표면(261)으로부터 뻗어나온 반경방향으로 배치된 동적 시일(262, 264, 268)을 구비하고 있다. 최외측 시일(262)로부터 최내측 시일(268)까지 연장된 전체 척킹 존(275)은 분리 시에(일반적으로 임프린트 리소그래피 공정에서 지배적인 힘인 분리력에 의해) 그 전체가 사용된다. 분리 시의 전체 척킹 존(275)의 사용은 템플레이트(80)의 배면(84)의 대부분에 걸쳐 분포되는 매우 견고한 지지 영역을 제공한다. 척킹 진공력은 전체 척킹 존(275)에 걸쳐 분포되는 고정 핀(269)과 더불어 후퇴가능 핀(266)에 의해서도 지지되어, 템플레이트(80)가 이 진공력으로 인해 왜곡되는 것을 방지한다. 더 상세히 설명되는 바와 같이, 후퇴가능 핀(266)은 분리 시에 전진되어 템플레이트의 배면(84)과 접촉 상태로 된다. 선택적으로, 후퇴가능 랜드가 마찬가지로 사용될 수 있다.

임프린팅 및 정렬 시에는, 전체 척킹 존의 상당 부분은 작용 정지된다. 즉, 임프린팅 및 정렬 시에는, 척킹 존(275)의 비작용 부분 내의 후퇴가능 핀(266)은 도 6에 도시된 바와 같이 물리적으로 후퇴되어, 더 이상 템플레이트(80)의 배면(84)과의 접촉 상태에 있지 않게 된다. 이 후퇴 행정 거리는 수 미크론 정도만을 필요로 하고, 예컨대 피에조 액추에이터(piezo actuator)에 의해 성취될 수 있다. 중간 시일(264)로부터 최내측 시일(268)까지 연장된 나머지 척킹 존(277)은 작용 상태로 또한 척킹 진공력하에 유지되고, 또한 고정 지지 핀(269)을 구비한다. 이들 고정 지지 핀은 예컨대 템플레이트를 안정적으로 유지시키는 데 필요한 최소한인 3개의 접촉 지점(또는 3개의 독립형 접촉 영역)만을 구비할 수 있다. 이러한 3점 접촉은 템플레이트(80)가 그것의 원형 형상(즉, 템플레이트 상에 아무런 힘도 작용하지 않는 상태에서의 형상)을 실질적으로 회복하는 것을 가능하게 해주어, 템플레이트 배면(84)이 평탄하지 않은 경우에도, 작용 영역(82)은 평탄한 상태를 유지한다. 또한, 여전히 접촉 상태에 있는 모은 지지 핀(269)의 전체 면내 컴플라이언스가 크게 감소되어, 핀(269)이 정적 마찰 접촉을 유지시키면서 오버레이 왜곡 보정을 가능하게 해준다. 여기서, 정적 마찰을 유지시키기 위해, 남아 있는 척킹력(즉, 나머지 척킹 존(277)에 적용되는 진공력)은 여전히 접촉 상태로 남아 있는 핀(269)이 당해 핀(269)에 작용하는 최소한의 수직력을 가질만큼 충분히 커야 할 필요가 있다. 예를 들어, 적용되는 척킹력은 핀(266)이 후퇴되는 것에 맞추어 감소되어, 나머지 핀(269)이 여전히 동일한 수직력을 가지도록 만들 수 있다.

이상의 설명에 비추어 당업자에 자명한 또 다른 변경예들과 여러 가지 양태의 대안적 실시형태들이 있을 수 있을 것이다. 따라서, 이러한 설명은 단지 예시적인 것으로만 해석되어야 한다. 여기에 도시되고 설명된 실시형태는 실시형태의 예로서 간주되어야 한다는 것을 이해해야 한다. 상기 설명으로부터 당업자에 자명한 것으로서, 요소 및 재료는 여기에 예시되고 설명된 것에 대해 대체될 수 있고, 부품 및 공정들은 역전될 수 있으며, 특정 피처들은 독립적으로 이용될 수 있다.

Claims (13)

1. 임프린트 리소그래피 템플레이트를 유지시키기 위한 척킹 시스템으로서,
   상기 척킹 시스템은:
   템플레이트 지지 표면을 가진 척 바디로서, 상기 템플레이트 지지 표면은:
   상기 템플레이트 지지 표면으로부터 뻗어나온 제1 및 제2 시일로서, 상기 제1 시일이 상기 제2 시일을 둘러싸서 상기 제1 시일과 상기 제2 시일 사이에 제1 오목부를 한정하는 바의 제1 및 제2 시일;
   상기 제1 오목부 내에 배치되어 상기 템플레이트 지지 표면으로부터 뻗어나온 복수의 지지 핀으로서, 상기 복수의 지지 핀은 상기 템플레이트와 접촉하여 상기 템플레이트를 상기 제1 및 제2 시일로부터 일정 거리(d)에 유지시키도록 되어 있고, 상기 거리(d)는 상기 제1 오목부에 진공압이 적용될 때 상기 템플레이트에 대해 진공 시일이 유지될 수 있도록 하는 거리인 바의 복수의 지지 핀; 및
   상기 척 바디를 통해 연장되어 상기 제1 오목부로 개방된 하나 이상의 유체 채널;을 가지는 척 바디; 및
   상기 하나 이상의 유체 채널에 작동가능하게 연결되어, 상기 제1 오목부에 진공압을 적용시키도록 구성되는 압력 제어 시스템;을 포함하고,
   제3 시일을 더 포함하고, 상기 제2 시일이 상기 제3 시일을 둘러싸서 상기 제2 시일과 상기 제3 시일 사이에 제2 오목부를 한정하고, 하나 이상의 제2 유체 채널이 상기 척 바디를 통해 연장되어 상기 제2 오목부로 개방되고, 상기 압력 제어 시스템은 상기 하나 이상의 제2 유체 채널에 작동가능하게 연결되어, 상기 제2 오목부에 진공압을 적용시키는 것을 특징으로 하는 척킹 시스템.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 거리(d)는 0.05 내지 5.0 미크론인 것을 특징으로 하는 척킹 시스템.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 시일은 환형이고 동심적인 것을 특징으로 하는 척킹 시스템.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 복수의 지지 핀은 지지 척의 중심에 대해 반경방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 척킹 시스템.
5. 제 3 항에 있어서, 상기 복수의 지지 핀은 등간격으로 이격된 반경방향 배치 쌍들로서 제공되고, 상기 쌍들 중의 적어도 하나의 쌍이 그 사이에 상기 하나 이상의 유체 채널 중의 적어도 하나의 유체 채널을 개재시키는 것을 특징으로 하는 척킹 시스템.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 제3 시일은 환형이고, 상기 제1 및 제2 시일과 동심적인 것을 특징으로 하는 척킹 시스템.
7. 제 1 항에 있어서, 상기 압력 제어 시스템은 상기 제1 및 제2 오목부에 진공압을 독립적으로 적용시키도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 척킹 시스템.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 압력 제어 시스템은 또한 상기 제2 오목부에 상기 템플레이트에 적용되는 배압에 비례적으로 대응되도록 진공압을 적용시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 척킹 시스템.
9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 오목부 내에 배치되어 제1 후퇴 위치로부터 제2 전진 위치로 이동가능한 하나 이상의 후퇴가능 핀을 더 포함하고, 상기 후퇴가능 핀은 상기 제2 전진 위치에 있을 때 상기 템플레이트와 접촉하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 척킹 시스템.
10. 임프린트 리소그래피 방법으로서,
    제 1 항 또는 제 2 항의 척킹 시스템을 제공하는 단계;
    임프린트 리소그래피 템플레이트를 상기 척킹 시스템과 근접하게 위치시키고, 상기 템플레이트를 상기 템플레이트 지지 표면에 대해 유지시키도록 상기 제1 및 제2 하나 이상의 유체 채널을 통해 진공압을 적용시키는 단계;
    상기 템플레이트에 배압을 적용시키는 단계;
    상기 제2 하나 이상의 유체 채널을 통해 상기 제2 오목부에 적용되는 진공압을 상기 템플레이트에 적용된 배압에 비례적으로 대응되도록 증가시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
11. 제 10 항에 있어서,
    상기 템플레이트를 기판 상에 배치된 폴리머화가능 재료와 접촉시키는 단계;
    상기 템플레이트의 패터닝 표면과 일치하는 릴리프 패턴을 가진 패터닝된 층을 기판 상에 형성하도록 상기 폴리머화가능 재료를 폴리머화시키는 단계; 및
    상기 템플레이트를 기판 상에 형성된 패터닝된 층으로부터 분리시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
12. 제 11 항에 있어서, 상기 접촉 단계, 상기 폴리머화 단계 및 상기 분리 단계 중에 적용되는 배압이 변경되고, 상기 제2 오목부로의 증가되는 진공압도 마찬가지로 상기 접촉 단계, 상기 폴리머화 단계 및 상기 분리 단계 중에 변경 적용되는 배압에 비례적으로 대응되도록 변경되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 방법.
13. 삭제

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