JP2012099790A - インプリント装置、及び、物品の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】型の撓み量を制限する、または、型の特定の撓み状態を得るのに有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】基板5上の未硬化樹脂56を型3により成形して硬化させ、基板5上に硬化した樹脂56のパターンを形成するインプリント装置であって、型3を引きつけて保持する保持部24と、保持部24に保持された型3の背圧を離型と並行して減少させる減圧手段52と、を備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、インプリント装置、及び、それを用いた物品の製造方法に関する。
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加え、モールド(型)と基板上の未硬化樹脂とを互いに押し付けて、モールドに形成された微細な凹凸パターンに対応する樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が存在する。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の一つとして、光硬化法がある。この光硬化法は、まず、基板上のショット領域(インプリント領域)に紫外線硬化樹脂(インプリント樹脂、光硬化樹脂)を塗布する。次に、この樹脂(未硬化樹脂)とモールドとを互いに押し付ける。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで離型することにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。
上記技術を採用した従来のインプリント装置では、モールドを基板上の樹脂に押し付ける際、樹脂のパターン形成部に気泡が混入する場合がある。この気泡が混入した状態で樹脂が硬化すると、形成されるパターンに欠陥が生じる。このパターンの欠陥を回避するために、特許文献1は、一旦モールドを基板に向かって凸形に撓ませ、基板上の樹脂に押し付けた後、モールドを平面に戻してパターン全面を樹脂に押し付けることにより、モールドと基板との間のガスを放出する方法を開示している。この方法によれば、モールドと樹脂との間に存在する気体を外部に押し出すことができるので、樹脂内に混入する気泡を減少させることができる。更に、モールドと基板との間の空間を減圧して、気泡の残留を低減させる技術が特許文献2に開示されている。
更に、従来のインプリント装置では、モールドの離型の際、モールドを押印箇所の硬化樹脂から全面同時に引き剥がすと、モールドと硬化樹脂との界面(接触部)に大きな引き剥がし応力が瞬間的に負荷される。この応力は、形成されるパターンの歪みを引き起こす場合があり、結果的にパターンの欠陥となり得る。これに対して、特許文献1では、モールドの離型時には、上記と同様に、一旦モールドを変形させて、モールドを硬化樹脂のパターン形成部の周囲から徐々に引き剥がすことで、急激な応力の発生を回避する。
米国特許出願公開第2007/0114686号明細書 特表2009−532245号公報
しかしながら、特許文献1に示す装置のように、モールドを変形させて樹脂のパターンの周囲から離型を行うと、樹脂のパターンは、撓んだモールドの凹凸パターンに押されて傾き、その根元部分に応力が発生する。この応力が樹脂の塑性応力よりも大きくなると、樹脂のパターンは、傾いたまま元の形状に戻らなくなる。更に、特許文献1に示すモールドは、容易に撓むように、凹凸パターンを含む部分を薄くしている。この場合、離型時にモールドの変形が大きくなるため、上記のように樹脂のパターンが傾くという欠陥が発生し易くなる。
また、特許文献2に示す装置では、モールドと基板との隙間を減圧するために、モールドと基板との隙間に気体を回収する回収口を設けている。この場合、モールドと基板との隙間が減圧されることで、モールドと基板とを近付けるような力が働く。この力は、モールドと基板とが接触してモールドと基板との隙間に存在する気体を押し出す前に、回収口と基板とを接触させうる。このような状態になると、モールドと基板との隙間に気体が閉じ込められ、その気体によってモールドの凹部がインプリント材で完全に充填されないことによる欠陥が発生しうる。更に、モールドの変形によって、基板上に形成されたパターンが傾く欠陥が発生し易くなる。
本発明は、型の撓み量を制限する、または、型の特定の撓み状態を得るのに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させ、基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、型を引きつけて保持する保持部と、保持部に保持された型の背圧を離型と並行して減少させる減圧手段と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、例えば、型の撓み量を制限する、または、型の特定の撓み状態を得るのに有利なインプリント装置を提供することができる。
本発明の第1実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。 本発明の第1実施形態に係るモールド保持装置の構成を示す概略図である。 本発明の第2実施形態に係るモールド保持装置の構成を示す概略図である。 本発明の第3実施形態に係るモールド保持装置の構成を示す概略図である。 本発明の第4実施形態に係るモールド保持装置の構成を示す概略図である。 第4実施形態における樹脂の状態を説明する平面図である。 比較のためのインプリント装置における動作時の様子を示す概略図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態に係るインプリント装置について説明する。図1は、インプリント装置の構成を示す概略図である。本実施形態におけるインプリント装置は、半導体デバイス製造工程に使用される、被処理基板であるウエハ上(基板上)に対してモールドのパターンを転写する加工装置であり、インプリント技術の中でも光硬化法を採用した装置である。なお、以下の各図において、モールドに対する紫外線の照射軸に平行にZ軸を取り、該Z軸に垂直な平面内で後述のモールドベースに対してウエハが移動する方向にX軸を取り、更に該X軸に直交する方向にY軸を取って説明する。本発明のインプリント装置1は、まず、照明系ユニット2と、モールド保持装置4と、ウエハステージ6と、塗布装置7、制御装置8とを備える。
照明系ユニット2は、インプリント処理の際に、モールド3に対して紫外線を照射する照明手段である。照明系ユニット2は、光源20と、該光源20から射出された紫外線をインプリントに適切な光に調整するための照明光学系21とから構成される。光源20としては、例えば、紫外光を発生するハロゲンランプが採用可能である。また、照明光学系21は、レンズ等の光学素子、アパーチャ(開口)、及び、照射及び遮光を切り替えるシャッター等を含む。
モールド3は、外周部が矩形であり、所定のパターン(例えば、回路パターン等の凹凸パターン)が3次元状に形成されたメサ部22を有する型である。特に、本実施形態におけるモールド3では、メサ部22が設置される領域の厚みが、他の周辺の部分よりも薄く設定されている。なお、モールド3の形状の詳細は、後述する。凹凸パターンの表面は、ウエハ5の表面との密着性を保つために、高平面度に加工されている。モールド3の材質は、石英ガラス等、紫外線を透過させることが可能な材料である。
モールド保持装置4は、モールド3を保持するための保持手段である。モールド保持装置4は、形状補正機構(倍率補正機構)23と、吸着力や静電力によりモールド3を引きつけて保持するモールドベース(保持部、型保持部)24と、モールドベース24を駆動する不図示のベース駆動機構とを備える。形状補正機構23は、モールド3に圧縮力を加えることにより、モールド3に形成されたパターンを所望の形状に補正する装置であり、モールド3の外周部側面の領域に対してそれぞれ対向するように設置された複数の駆動機構からなる。なお、形状補正機構23の構成は、これに限定されず、例えば、モールド3に対して引張力を加える構成としてもよいし、又は、モールドベース24自体を駆動させることでモールド3とモールドベース24との接触面にせん断力を与える構成としてもよい。ベース駆動機構は、ウエハ5上に塗布された紫外線硬化樹脂にモールド3を押し付けるためにモールドベース24をZ軸方向に駆動する駆動系である。この駆動機構に採用するアクチュエータは、特に限定するものではなく、リニアモーターやエアシリンダー等が採用可能である。なお、本実施形態のインプリント装置1では、固定されたウエハ5上の紫外線硬化樹脂に対してモールド3を押し付ける構成としているが、これとは反対に、固定されたモールド3に対してウエハ5上の紫外線硬化樹脂を押し付ける構成もあり得る。
更に、本実施形態のモールド保持装置4は、上記の構成に加え、モールド3の形状を変形させるモールド変形機構(変形機構)50を備える。図2(a)は、モールド変形機構50の構成を示す概略図である。なお、図2(a)以下の各図において、図1に示すインプリント装置1と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。本実施形態では、特に、モールド3の形状は、外周に壁部3aを有する箱形であり、また、モールド3の押印面の中央部3bには、上述したように凹凸パターンが形成されている。この場合、モールド保持装置4のモールドベース24は、中心部(内側)を照明系ユニット2の光源20から射出された紫外線が通過するように空間とし、モールド3の外周部である壁部3aの垂直面3cを吸着することによりモールド3を保持するものとする。
本実施形態のモールド変形機構50は、まず、モールドベース24の内側に存在する空間と、モールド3の壁部3aにて囲まれた内部空間とで形成される空間領域Aを密閉空間とする密閉部材51を備える。また、モールド変形機構50は、モールド保持装置4の外部に設置され、空間領域A内の圧力、即ち、モールド3の中央部の内面3d(押印面の反対側)の背圧を調整する圧力調整装置(加圧手段、減圧手段、または背圧制御手段)52を備える。更に、モールド変形機構50は、内面3dに設置される、モールド3に生じる歪みを計測する歪み計測手段(計測手段)53を備える。密閉部材51は、石英ガラス等の光透過性の平板部材で形成され、一部に、圧力調整装置52に接続される配管54の接続口51aを備える。また、歪み計測手段53は、圧力調整装置52に接続される歪みゲージ等で構成され、モールド3の変形を計測する変形計測手段であり、不図示のブリッジ回路等の検出回路を経由して、計測情報を電気信号として圧力調整装置52に送信する。
ウエハ5は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理基板であり、被処理面には、成形部となる紫外線硬化樹脂(インプリント材:以下「樹脂」と表記する)が塗布される。また、ウエハステージ(基板保持部)6は、ウエハ5を真空吸着により保持し、かつ、XY平面内を自由に移動可能な基板保持手段である。このウエハステージ6は、ウエハ5を直接保持する補助部材(チャック)25と、該補助部材25を駆動するためのアクチュエータとを備える。また、ウエハステージ6は、パターンの重ね合せのための精密な位置決めだけではなく、ウエハ5の表面の姿勢を調整する不図示の機構をも有する。
塗布装置(ディスペンサー)7は、ウエハ5上に未硬化の樹脂を塗布する塗布手段である。塗布装置7は、未硬化樹脂を収容する収容部26と、該収容部26に連通し、収容部26から供給された未硬化樹脂をウエハ5上に塗布する供給口27とを備える。樹脂は、紫外線を受光することにより硬化する性質を有する光硬化樹脂であって、製造する半導体デバイスの種類により適宜選択される。
制御装置8は、インプリント装置1の各構成要素の動作、及び調整等を制御する制御手段である。この制御装置8は、不図示であるが、インプリント装置1の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、又はシーケンサ等で構成され、プログラム又はシーケンスにより各構成要素の制御を実行する。なお、制御装置8は、インプリント装置1と一体で構成しても良いし、若しくは、インプリント装置1とは別の場所に設置し、遠隔で制御する構成としても良い。
また、インプリント装置1は、押印動作時にモールド3とウエハ5との隙間に気体を供給するガス供給装置(気体供給部)35a〜35cを備える。一般に、押印動作時に、モールド3に形成された凹凸パターン22とウエハ5上の樹脂との間に気泡が残留すると、樹脂に形成されるパターンが歪み、欠陥が発生する可能性がある。そこで、気体供給装置(ガス供給装置35a〜35c)は、樹脂に対して溶解性が高いヘリウムや二酸化炭素等のパージガスを、供給量(流量)を制御しつつ供給することで、気泡の発生を抑える。このガス供給装置35a〜35cは、モールド3の周囲に配置した第1〜第3のガス供給口28a〜28cを備え、少なくとも押印動作の直前からパージガスを噴出させることで、モールド3の周囲のパージガス濃度を極力高める。
更に、インプリント装置1は、ウエハステージ6の位置を計測するための干渉計測長装置と、ウエハ5上に形成されたアライメントマークの位置を計測するためのアライメントスコープ29とを備える。干渉計測長装置は、ウエハステージ6の端部に設置されたミラー30と干渉計31とを備える。制御装置8は、干渉計測長装置による計測結果に基づいて、ウエハステージ6を目標位置に駆動させる。また、制御装置8は、アライメントスコープ29が計測したウエハ5上のアライメントマークの位置に基づいて、ウエハステージ6の位置決めを行う。また、インプリント装置1は、定盤32、フレーム33、及び除振装置34を含む。定盤32は、インプリント装置1全体を支持すると共に、ウエハステージ6の移動の基準平面を形成する。フレーム33は、ウエハ5よりも上方に位置する各種構成要素を支持する。また、除振装置34は、床面からの振動の伝達を低減する機能を有し、フレーム33を支持する。
次に、インプリント装置1によるインプリント処理について説明する。まず、制御装置8は、不図示のウエハ搬送系により、ウエハ5をウエハステージ6に載置させ、その後、ウエハステージ6に構成された不図示の真空吸着手段により、ウエハ5を補助部材25上に保持させる。次に、制御装置8は、ウエハステージ6を適宜駆動させ、同時に、アライメントスコープ29によりウエハ5上のアライメントマークを順に計測させることで、ウエハ5の位置情報を取得する。制御装置8は、取得した位置情報から、各転写座標を演算し、所定のショット(被転写領域)毎に行う逐次転写(押印動作または過程)や、樹脂の塗布動作の基準とする。なお、押印は、押型または成形ともいうものとする。次に、制御装置8は、ウエハステージ6を移動させて、ウエハ5上の目標となるショットが樹脂の供給口27の直下に位置するように位置決めする。その後、塗布装置7は、供給口27から適量の樹脂(未硬化樹脂)を、目標となるショットに塗布する。次に、制御装置8は、モールド3の押印面とウエハ5上の塗布面との位置合わせ、及び形状補正機構23によるモールド3の形状補正を実施した後、ベース駆動機構を駆動させ、ウエハ5上の樹脂にモールド3を押印する。押印動作の完了は、モールド保持装置4の内部に設置された荷重センサーの計測値に基づいて制御装置8が判断する。この押印動作時には、樹脂は、モールド3に形成された凹凸パターンに沿って流動する。この状態で、照明系ユニット2は、モールド3の上面から紫外線を照射し、モールド3を透過した紫外線により樹脂が硬化する。そして、樹脂が硬化した後、制御装置8は、ベース駆動機構を再駆動させ、モールド3をウエハ5から引き離す(離型動作または過程)。これにより、ウエハ5上のショットの表面には、モールド3のパターンに倣った3次元形状の樹脂の層が形成される。
次に、本実施形態の特徴であるモールド保持装置4の作用について説明する。まず、比較のために従来のインプリント装置における離型動作について説明する。図5は、従来のインプリント装置における離型動作を示す概略図である。特に、図7(a)は、離型動作時に、ウエハ100上に形成された樹脂層101からモールド102(凹凸パターン103)を剥離する途中の動作を示す。通常、モールド102をウエハ100から引き離す際は、モールド102は、ウエハ100から離れる方向、即ち、Z軸上方向の力を受ける。同時に、凹凸パターン103と樹脂層101とが固着している領域では、モールド102は、ウエハ100へ向かう方向、即ち、Z軸下方向の引き剥がし応力を受ける。したがって、従来のインプリント装置では、図7(a)に示すように、モールド102をウエハ100に向かう方向に凸となる鉢状に変形させることで、凹凸パターン103を樹脂層101の周囲から徐々に剥離させ、引き剥がし応力の急激な発生を回避する。
また、図7(b)は、図7(a)におけるパターン形成部の近傍を示す拡大図である。図7(b)に示すように、凹凸パターン103を樹脂層101の周囲から徐々に剥離させる際、凹凸パターン103の剥離部分は、モールド102の変形に伴って、Z方向(離型方向)に対して斜め方向に傾く。この剥離部分の傾きにより、その剥離部分と隣り合う樹脂層101のパターン形成部101aは、同様に押されて傾き、その根元部分に応力が発生する。この応力が樹脂の塑性応力よりも大きくなると、パターン形成部101aは、傾いたまま元に戻らなくなる。
これに対して、本実施形態のモールド保持装置4では、上記モールド変形機構50を採用することにより、樹脂56内に混入する気泡を減少させ、かつ、樹脂56のパターン形成部の倒れも減少させる。図2(b)は、押印動作時におけるモールド変形機構50の状態を示す概略図である。まず、押印動作時に、モールド変形機構50は、圧力調整装置52により、空間領域A内に気体を供給して加圧、即ち、背圧を陽圧とする。これにより、図2(b)に示すように、モールド3の中央部表面は、壁部3aの厚みに対して薄いのでウエハ5に向かって凸形に変形する。次に、モールド保持装置4が、モールド3とウエハ5上に塗布された樹脂(未硬化樹脂)56とを相対的に接触させるに伴い、モールド変形機構50は、圧力調整装置52により空間領域A内の圧力を下げ、モールド3の中央部を平面形状に徐々に戻す。ここで、モールド3は、ウエハ5(樹脂56)に接触することで歪が生じる。この歪を歪み計測手段53により計測し、計測情報を圧力調整装置52に送信する。圧力調整装置52は、この計測情報に基づき、押印動作中、モールド3の中央部が、ウエハ5に向かって凸形状となるように、空間領域Aの圧力を調整する。押印終了直前、もしくは押印終了時には、モールド3とウエハ5とが平行に接触するように、空間領域A内の圧力を調整することで、モールド3の中央部を凸形状から平面形状へと徐々に戻す。これにより、インプリント装置1は、モールド3と樹脂56との間に存在する気体を外部に押し出すので、樹脂56中に混入する気泡を低減させつつ、押印動作を実施することができる。その後、インプリント装置1は、上記の通り、紫外線の照射による樹脂56の硬化動作を実施する。
一方、図2(c)は、離型動作時におけるモールド変形機構50の状態を示す概略図である。通常、離型動作時には、モールド3は、ウエハ5に向かう方向に引張り力を受けることで、ウエハ5に向かって凸形に変形しようとする。即ち、この引張り力に起因して、モールド3の中央部内面3dには、モールド3の変形(撓み)と相関のある物理量である歪みが発生する。そこで、歪み計測手段53は、このときの歪み量を計測し、計測情報(出力)として圧力調整装置52に送信する。次に、この計測情報を受けて、圧力調整装置52は、離型と並行して、空間領域A内の気体を排気して背圧を減少させる。即ち、この離型動作では、圧力調整装置52は、歪み計測手段53で計測される歪み量が小さくなるように、空間領域Aの圧力を調整すれば良い。これにより、モールド3の中央部内面3dには、ウエハ5から離れる方向、即ち、引張り力とは反対の方向に圧力が作用するので、結果的に、引張り力によるモールド3の変形を減少させることができる。そして、モールド保持装置4は、この状態を維持したままモールド3と樹脂(硬化樹脂)56とを相対的に退避させる。したがって、離型動作時には、モールド3の変形が抑えられ、この変形に起因する樹脂56のパターン形成部の倒れが減少する。
なお、本実施形態では、押印動作時にモールド3と樹脂56との間の気泡量を低減させる方法として、圧力調整装置52により空間領域A内に気体を供給して背圧を陽圧とし、モールド3の中央部をウエハ5に向かって凸形状とする例を説明した。ここで、押印動作時にモールド3と樹脂56との間に閉じ込められる気泡の量を低減させるために有効な変形例を図2(d)に示す。モールド3とウエハ5との隙間の気体を回収する回収口(回収部)57を例えばモールド保持装置4に設ける。この回収口57により、モールド3とウエハ5との隙間の圧力を大気圧より低くする。こうすることで、モールド3とウエハ5との隙間に存在する気体そのものの量を減少させ、大気圧の状態と比較して、気泡閉じ込め量をより低減することができる。回収口57は、モールドベース24および補助部材(チャック)25の少なくとも一方に設ければよい。
しかしながら、単に回収口57を設けるだけでは不十分である。モールド3とウエハ5との隙間の気圧が大気圧より低くなることで、モールド3とウエハ5とを近付けさせるような力が働く。この力は、図7(c)に示すように、モールド3とウエハ5との隙間に存在する気体が押し出される前に、回収口57とウエハ5とを接触させうる。このような状態になると、モールド3とウエハ5との隙間に気体が閉じ込められるため、気泡の閉じ込め量を十分に減少させることができない。そこで、上述したように、押印動作中、回収口57による上記の力が発生している場合においても、モールド3の中央部がウエハ5に向かって凸形状となるように、歪み計測手段53からの計測情報に基づいて圧力調整装置52で空間領域Aの背圧を陽圧に調整する。こうすることで、モールド3とウエハ5との隙間に存在する気体を押し出す前に回収口57とウエハ5とが接触することを回避または低減することができる。このようにして、モールド3と樹脂56との隙間を減圧しての押印動作がより適切に機能し、該隙間における気泡の閉じ込め量を大気圧環境下での押印動作の場合より低減させることができる。
また、モールド3の中央部がウエハ5に向かって凸形状となるように、歪み計測手段53からの計測情報に基づいて、不図示のベース駆動機構によるモールド3のZ方向の移動量または移動速度を制御しても構わない。また、モールド3の中央部がウエハ5に向かって凸形状となるように、歪み計測手段53からの計測情報に基づいて、回収口57からの気体の回収量を調整することで、モールド3とウエハ5との間に働く上記の力を制御しても構わない。
更に、図2(e)に示すように、モールド3とウエハ5との隙間にガスを供給するにガス供給装置35d(供給口)を設けても構わない。モールド3の中央部がウエハ5に向かって凸形状となるように、歪み計測手段53からの計測情報に基づいて、ガス供給装置35dからガスを供給することで、モールド3とウエハ5との間に働く上記の力の制御を行う。このとき、供給するガスは、上述した樹脂56に対して溶解性の高いガスとする。ガス供給装置35dの位置は、モールドベース24内であって、かつ、回収口57より内側(保持されたモールド3の中央寄り)であることが好ましい。
以上のように、本実施形態のインプリント装置1によれば、押印動作時の樹脂内への気泡の混入(気泡の閉じ込め量)を減少させ、かつ、離型動作時の樹脂のパターン形成部の倒れ(樹脂パターンの倒れ)を減少させることができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係るインプリント装置について説明する。図3は、本実施形態の特徴部であるモールド保持装置60の構成を示す概略図である。なお、図3において、図2に示すモールド保持装置4と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。このモールド保持装置60の特徴は、第1実施形態のモールド変形機構50が有する歪み計測手段53に換えて、位置計測手段(計測手段)61を有するモールド変形機構62を備える点にある。また、モールド変形機構62は、モールド保持装置60の外部に設置され、密閉空間となる空間領域A内の圧力を調整する圧力調整装置63を備える。位置計測手段61は、例えば、レーザー干渉計等で構成される変形計測手段であり、密閉部材51の空間領域Aに接する面に設置される。この場合、位置計測手段61は、複数箇所に設けてもよく、モールド3の中央部内面3dで反射したレーザー光を受光することにより1箇所以上の計測情報を取得し、この計測情報を電気信号として圧力調整装置63に送信する。本実施形態では、第1実施形態に位置計測手段61を適用した例を説明し、第1実施形態と同様に押印動作時の気泡閉じ込め量を低減させ、かつ、離型時のパターン倒れを減少させたインプリント装置を提供する。
モールド変形機構62は、押印動作および離型動作を含むインプリント動作時には、モールド3の中央部内面3dに歪みが発生するので、位置計測手段61は、このときの位置の変化量を計測し、計測情報として圧力調整装置63に送信する。次に、この計測情報を受けて、圧力調整装置63は、空間領域A内に気体を供給し、または、空間領域A内の気体を排気して、背圧を増加または減少させる。即ち、押印動作では、位置計測手段61で計測される位置の変化量に基づいて、モールド3がウエハ5に向かって凸形状を維持するように、空間領域A内の圧力を調整すればよい。また、離型動作では、圧力調整装置63は、位置計測手段61で計測される位置の変化量が小さくなるように、空間領域A内の圧力を調整すれば良い。なお、モールド変形機構62によるその他の動作は、第1実施形態のモールド変形機構50と同様である。このように、本実施形態のモールド保持装置60を備えたインプリント装置によれば、第1実施形態のインプリント装置と同様の効果を奏する。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係るインプリント装置について説明する。図4は、本実施形態の特徴部であるモールド保持装置70の構成を示す概略図である。なお、図4において、図2に示すモールド保持装置4と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。このモールド保持装置70の特徴は、第1実施形態のモールド変形機構50が有する歪み計測手段53に換えて、圧力計測手段(計測手段)71を有するモールド変形機構72を備える点にある。また、モールド変形機構72は、モールド保持装置70の外部に設置され、密閉空間となる空間領域A内の圧力を調整する圧力調整装置73を備える。圧力計測手段71は、例えば、圧力センサーで構成される変形計測手段であり、密閉部材51の空間領域Aに接する面に設置される。この場合、圧力計測手段71は、空間領域A内の圧力を計測して計測情報を取得し、この計測情報を電気信号として圧力調整装置73に送信する。本実施形態では、第1実施形態に圧力計測手段71を適用した例を説明し、第1実施形態と同様に押印動作時の気泡閉じ込め量を低減させ、かつ、離型時のパターン倒れを減少させたインプリント装置を提供する。
モールド変形機構72は、まず、押印動作時には、ウエハ5に向かって凸形状となったモールド3が、ウエハ5に接触するため、空間領域A内の容積が変化し、空間領域A内の圧力が変化する。圧力計測手段71は、このときの圧力の変化量を計測し、計測情報を圧力調整装置73に送信する。圧力調整装置73は、計測情報に基づいて、モールド3がウエハ5に向かって凸形状を維持するように、空間領域A内の圧力を調整する。また、離型動作時には、モールド3の中央部内面3dに歪みが発生するので、空間領域A内の容積が変化し、これに伴って、内部の圧力が変化する。そこで、圧力計測手段71は、このときの圧力の変化量を計測し、計測情報として圧力調整装置73に送信する。次に、この計測情報を受けて、圧力調整装置73は、空間領域A内の気体を排気して背圧を減少させる。即ち、この離型動作では、圧力調整装置73は、圧力計測手段71で計測される圧力の変化量が小さくなるように、空間領域A内の圧力を調整すれば良い。なお、モールド変形機構62によるその他の動作は、第1実施形態のモールド変形機構50と同様である。このように、本実施形態のモールド保持装置70を備えたインプリント装置によれば、第1実施形態のインプリント装置と同様の効果を奏する。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態に係るインプリント装置について説明する。図5は、本実施形態の特徴部であるモールド保持装置80の構成を示す概略図である。なお、図5において、図2に示すモールド保持装置4と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。このモールド保持装置80の特徴は、第1実施形態のモールド変形機構50の構成に加えて、樹脂範囲計測手段(計測手段)81を有するモールド変形機構82を備える点にある。また、モールド変形機構82は、モールド保持装置80の外部に設置され、密閉空間となる空間領域A内の圧力を調整する圧力調整装置83を備える。樹脂範囲計測手段81は、例えば、撮像素子等で構成される変形計測手段であり、密閉部材51の空間領域Aに接する面に設置される。この場合、樹脂範囲計測手段81は、ウエハ5上に塗布された樹脂56の範囲、または、モールド3と樹脂56とが接触している範囲を画像として検出して計測情報を取得し、この計測情報を電気信号として圧力調整装置83に送信する。本実施形態では、第1実施形態に樹脂範囲計測手段81を適用した例を説明し、第1実施形態と同様に押印動作時の気泡閉じ込め量を低減させ、かつ、離型時のパターン倒れを減少させたインプリント装置を提供する。
図6は、本実施形態における樹脂56の状態を説明する平面図である。まず、図6(a)は、押印過程においてモールド3と樹脂56との接触面積90が徐々に大きくなる様子を示している。樹脂範囲計測手段81は、例えば、押印過程におけるモールド3と樹脂56との接触面積90を計測する。計測情報は、歪み計測手段53が取得した計測情報と併せて圧力調整装置83に送信される。圧力調整装置83は、これら計測情報に基づいて、モールド3がウエハ5に向かって凸形状を維持するように、空間領域A内の圧力を調整する。こうすることで、図6(a)に示すように、モールド3と樹脂56とをモールド3の中心から外に向かって順次接触させることができる。
一方、図6(b)は、ウエハ5上の樹脂56が塗布された面をモールド3側から見た平面図である。図6(b)において、第1領域84a及び第2領域84bは、それぞれ、ウエハ5の表面内部の位置と、表面外周部にかかる位置とにパターンを形成する場合の樹脂56の塗布範囲を示す。また、各領域84a及び84bにおいて、矩形部は、モールド3の凹凸パターンの形成領域を示し、陰影部は、樹脂56の塗布範囲を示す。ここで、インプリント装置1が、第2領域84bの位置に対してインプリント処理を実施する場合、第1領域84aと比較して、樹脂56の塗布範囲(塗布面積)が小さいため、離型動作時にモールド3が受ける引張り力が小さく、即ち、歪みが小さい。そこで、樹脂範囲計測手段81は、樹脂56の塗布範囲を計測し、この計測情報を、歪み計測手段53が取得した計測情報と併せて圧力調整装置83に送信する。次に、この2つの計測情報を受けて、圧力調整装置83は、空間領域A内の気体を排気して背圧を減少させる。即ち、この離型動作では、圧力調整装置83は、樹脂範囲計測手段81で計測される塗布範囲が小さい場合には、減圧量を小さくするように、空間領域A内の圧力を調整すれば良い。なお、モールド変形機構82によるその他の動作は、第1実施形態のモールド変形機構50と同様である。このように、本実施形態のモールド保持装置80を備えたインプリント装置によれば、第1実施形態のインプリント装置による効果を、更に効率良く奏する。また、本実施形態では、樹脂範囲計測手段81を第1実施形態のモールド変形機構50に組み合わせる構成としたが、例えば、第2及び第3実施形態の各モールド変形機構と組み合わせることも可能である。
(物品の製造方法)
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、圧力調整装置は、それぞれのモールド変形機構が備える計測手段により取得された計測情報に基づいて、モールドの変形を制御する。ここで、もし各モールド保持装置の構成や、インプリント処理の各工程の条件等が一定であれば、離型動作時のモールドの変形は、モールドとウエハとの相対距離と相関関係がある。そこで、この相対距離を計測する相対距離計測手段をモールド変形機構に設置して、圧力調整装置は、計測された相対距離に対する圧力調整値を予め算出しておき、以後、相対距離の計測結果により、空間領域内の圧力を制御しても良い。なお、この相対距離計測手段を、上記実施形態のモールド変形機構に加えることにより、圧力調整装置の応答速度が離型動作時の剥離速度に追いつかない場合は、別途モールドとウエハとの相対移動速度を変更することで、モールドの変形を抑えることも可能である。
また、上記実施形態では、各計測装置と各圧力計測装置とを有線にて接続する構成としているが、例えば、別途、電池(電源)により駆動される無線手段をモールドに設置することで、無線にて計測結果を圧力計測装置に送信する構成もあり得る。更に、より厳密に空間領域内の圧力を制御するために、上記実施形態の計測手段を複数で組み合わせることも可能である。
1 インプリント装置
3 モールド
5 ウエハ
24 モールドベース
52 圧力調整装置
56 樹脂

Claims (20)

  1. 基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させ、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型を引きつけて保持する保持部と、
    前記保持部に保持された前記型の背圧を離型と並行して減少させる減圧手段と、
    を備えることを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記未硬化樹脂に向かって凸に前記型を変形させる変形機構を有し、
    前記変形機構により前記型を変形させた状態で前記未硬化樹脂に前記型を接触させる、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記変形機構は、前記保持部に保持された前記型の背圧を陽圧にして前記型を変形させる、ことを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。
  4. 前記型の撓みと相関のある物理量を計測する計測手段を有し、
    前記減圧手段は、前記計測手段の出力に基づいて前記型の背圧を減少させる、
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  5. 前記計測手段は、前記型の歪み、前記型の反り量、前記型の背圧、及び、前記基板と前記型との距離のいずれかを計測する、ことを特徴とする請求項4に記載のインプリント装置。
  6. 前記減圧手段は、更に、離型される樹脂の前記基板上での面積に基づいて前記型の背圧を減少させる、ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  7. 更に、前記面積を計測する手段を有する、ことを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。
  8. 前記計測手段の出力に基づいて、前記離型のために前記型に作用させる力を制御する、ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のインプリント装置。
  9. 前記型として、前記未硬化樹脂を成形するためのパターンを含むメサ部を有し、かつ、該メサ部が他の部分より薄い型を用いる、ことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  10. 請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
  11. 基板上のインプリント材を型により成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型を引きつけて保持する保持部と、
    前記型の撓みと相関のある物理量を計測する計測手段と、
    前記計測手段の出力に基づいて、前記保持部に保持された前記型の背圧を調整する調整手段と、
    を備えることを特徴とするインプリント装置。
  12. 前記調整手段は、押型と並行して、前記型が前記基板に向かって凸形状を維持するように、前記計測手段の出力に基づいて、前記型の背圧を調整する、ことを特徴とする請求項11に記載のインプリント装置。
  13. 前記調整手段は、離型と並行して、前記型が前記基板に向かって凸形状とならないように、前記計測手段の出力に基づいて、前記型の背圧を調整する、ことを特徴とする請求項11に記載のインプリント装置。
  14. 基板上のインプリント材を型により成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型を引きつけて保持する型保持部と、
    前記基板を引きつけて保持する基板保持部と、
    前記型の撓みと相関のある物理量を計測する計測手段と、
    を備え、
    押型を行うための前記型保持部と前記基板保持部との間の相対移動の量または速度を前記計測手段の出力に基づいて制御する、ことを特徴とするインプリント装置。
  15. 基板上のインプリント材を型により成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型を引きつけて保持する型保持部と、
    前記基板を引きつけて保持する基板保持部と、
    前記型の撓みと相関のある物理量を計測する計測手段と、
    前記型保持部に保持された前記型と前記基板保持部に保持された前記基板との間の空間を減圧する減圧手段と、を備え、
    押型と並行して、前記減圧手段により減圧される前記空間の気圧を前記計測手段の出力に基づいて制御する、ことを特徴とするインプリント装置。
  16. 前記減圧手段は、前記型が前記基板に向かって凸形状を維持するように、前記計測手段の出力に基づいて、前記空間から排気される気体の流量を調整する、ことを特徴とする請求項15に記載のインプリント装置。
  17. 前記減圧手段は、前記空間に気体を供給する供給部を含み、前記型が前記基板に向かって凸形状を維持するように、前記計測手段の出力に基づいて、前記供給部により前記空間に供給される気体の流量を調整する、ことを特徴とする請求項15に記載のインプリント装置。
  18. 前記計測手段は、前記型の歪み、前記型の反り量、前記型の背圧、前記基板と前記型との距離、および、前記樹脂に接触している前記型の領域の少なくとも1つを計測する、ことを特徴とする請求項11乃至請求項17のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  19. 前記型として、前記インプリント材を成形するためのパターンを含むメサ部を有し、かつ、該メサ部が他の部分より薄い型を用いる、ことを特徴とする請求項11乃至請求項18のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  20. 請求項11乃至請求項19のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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