KR20180007309A - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 형(6)을 사용해서 물체(9) 상에 임프린트재(30)의 패턴을 형성하는 임프린트 장치(100)에 관한 것이다. 임프린트 장치(100)는, 형(6) 및 물체(9) 중 적어도 한쪽에 설치된 마크로부터의 광을 형(6)을 통해서 수광하는 수광 소자(2a)를 구비한 상 검출 수단(2)과, 패턴의 형성에 사용하는 형(6)의 종류에 따라, 상기 마크로부터의 광이 수광 소자(2a)에 형성하는 상의 포커스 상태를 조정하는 조정 수단을 갖는다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.

기판 상에 공급된 임프린트재를 몰드와 접촉시켜, 임프린트재에 경화용 에너지를 부여함으로써, 몰드의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는, 임프린트 장치가 알려져 있다.

일본 특허 공개 제2013-175671에는, 두께가 균일하고, 또한 전자선 묘화 장치를 사용해서 형성된 요철 패턴을 갖는 마스터 몰드를 사용하여, 임프린트 처리에 의해 당해 마스터 몰드의 요철 패턴이 전사된 레플리카 몰드를 복제하는 것이 기재되어 있다. 레플리카 몰드는, 패턴이 형성되는 측과는 반대측에 마스터 몰드에는 없는 오목부가 형성되어 있다.

복제된 레플리카 몰드는, 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 몰드로서 사용된다. 따라서, 기판이나 레플리카 몰드 등의 물체 상에 패턴을 형성하기 위한 몰드{ 형(型)}로서, 마스터 몰드와 같이 거의 일정한 두께를 갖는 몰드를 사용하기도 하고, 레플리카 몰드와 같이 오목부를 구비한 몰드를 사용하기도 한다.

몰드와 기판의 상대 위치를 조정할 때, 몰드와 물체의 각각에 설치된 마크로부터의 광이며 당해 몰드를 투과한 광(검출광)에 의해 형성되는 상을 검출한다. 그러나, 마스터 몰드가 사용되는 경우와 레플리카 몰드가 사용되는 경우는, 오목부의 유무에 따라서 당해 검출광이 몰드를 투과하는 거리(두께)가 상이하다. 이에 의해, 마크로부터의 광에 의해 형성되는 상의 결상 위치가 검출광의 광축 방향으로 어긋나, 당해 상을 고해상도로 검출하기 어려워져, 상술한 상대 위치의 조정에 오차가 발생할 우려가 있다.

본 발명은 패턴의 형성에 사용하는 형의 종류가 변화해도, 위치 정렬에 사용하는 마크로부터의 광에 의해 형성되는 상을 고정밀도로 검출할 수 있는 임프린트 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 형을 사용해서 물체 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며, 상기 형 및 상기 물체 중 적어도 한쪽에 설치된 마크로부터의 광을 상기 형을 통해서 수광하는 수광 소자를 구비한 상 검출 수단과, 상기 패턴의 형성에 사용하는 상기 형의 종류에 따라, 상기 마크로부터의 광이 상기 수광 소자 상에 형성하는 상의 포커스 상태를 조정하는 조정 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.

도 1은 제1 실시 형태에 관한 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 몰드와 피처리 물체의 조합의 예를 나타내는 도이다.
도 3은 제2 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 4는 제3 실시 형태에 따른 광학 부재와 검출 대상의 마크의 위치를 설명하는 도면이다.
도 5는 제3 실시 형태에 따른 광로 길이의 조정 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 제3 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 변형예의 구성을 도시하는 도면이다.
도 7은 제4 실시 형태에 따른 광학 부재와 검출 대상의 마크의 위치를 설명하는 도면이다.
도 8은 제4 실시 형태에 따른 광학 부재와 검출 대상의 마크의 위치의 변형예를 설명하는 도면이다.
도 9는 제5 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 10은 제5 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 11은 구동 기구의 구성을 도시하는 도면이다.
도 12는 제5 실시 형태에 따른 광로 길이의 조정 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 13은 구동 기구의 동작을 설명하는 도면이다.
도 14는 제6 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 15는 제7 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 16은 어긋남 방지 수단의 구성을 도시하는 도면이다.
도 17은 어긋남 방지 수단의 변형예의 구성을 도시하는 도면이다.
도 18은 물품의 제조 방법을 도시하는 도면이다.

[제1 실시 형태]

(임프린트 장치의 구성)

도 1은 제1 실시 형태에 관한 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 도면이다. 연직 방향의 축을 Z축, 당해 Z축에 수직인 평면 내에서 서로 직교하는 2축을 X축 및 Y축으로 하고 있다.

본 실시 형태에서, 검출광(2d)을 수광하는 촬상 소자(수광 소자)(2b)에서의 상의 포커스 상태를 조정하는 조정 수단은, 구동 기구(3b)이다. 구동 기구(3b)는, 몰드(6)의 오목부(6d)의 유무를 나타내는 정보에 기초하여 검출광(제1 광)(2d)의 광로 내의 광학 소자를 당해 광로를 따라 구동하여, 당해 포커스 상태를 조정한다.

임프린트 장치(100)는, 기판(물체)(9) 상에 공급된 임프린트재(30)를 몰드(형)(6)와 접촉시켜, 임프린트재(30)에 경화용 에너지를 부여함으로써, 몰드(6)의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다.

임프린트재(30)로서, 경화용 에너지가 부여됨으로써 경화하는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라 칭하기도 함)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들어 그 파장이 10nm 이상 1mm 이하의 범위에서 선택되는, 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광이다.

경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 또는, 가열에 의해 경화하는 조성물이다. 이 중, 광에 의해 경화하는 광경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시제를 적어도 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 중합체 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다.

임프린트재(30)는, 공급부(40)에 의해 기판(9) 상에 공급된다. 공급부(40)가 스핀 코터나 슬릿 코터 등인 경우에는, 기판(9) 상에 막 형상으로 공급된다. 공급부(40)가 액체 분사 헤드인 경우에는, 액적 형상, 또는 복수의 액적이 이어져 생긴 섬 형상 또는 막 형상으로 되어 기판(9) 상에 공급되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하이다.

기판(9)은, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 그 표면에 기판과는 다른 재질을 포함하는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판으로서는, 구체적으로, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이다.

본 실시 형태에서는, 조사부(1)로부터 출사된 광(제2 광)(1a)에 의해 경화하는 임프린트재(30)를 사용한 경우에 대해서 설명한다.

몰드(6)는 +Z 방향에서 보았을 때의 외주가 직사각형이며, 기판(9)과 대향하는 측에, 임프린트재(30)에 전사해야 할 3차원 형상의 패턴(예를 들어, 회로 패턴 등의 요철 형상)(6b)이 형성된 패턴부(6c)를 갖는다. 패턴부(6c)에는, 복수의 몰드측 마크(6a)가 설치되어 있다. 패턴부(6c)와는 반대측에 오목부(6d)가 형성되어 있다.

오목부(6d)는 원통 형상이어도 되고, 각기둥 형상이어도 된다. 임프린트 장치(100)는, 오목부(6d)에 기체를 공급해서 패턴부(6c)를 아래로 볼록하게 만곡시키면서 임프린트재(30)와 접촉시킴으로써, 접촉 시에 임프린트재(30)와 몰드(6)의 사이에 기포가 들어가는 것을 억제한다.

몰드(6)의 재질로서 광(1a) 및 검출계(2)에서 검출되는 검출광(2d)이 투과 가능한 재질이 사용된다.

검출계(상 검출 수단)(2)는, 몰드측 마크(6a) 및 기판(9) 상에 설치된 기판측 마크(9a) 중 적어도 한쪽의 마크로부터의 검출광(2d)을 수광하는 촬상 소자(2b)와 검출광(2d)을 촬상 소자(2b)로 유도하는 검출 광학계(2c)를 갖는 스코프(2a)를 갖는다. 이에 의해, 검출 대상의 마크로부터의 광에 의해 형성되는 상을 검출한다. 즉, 검출 대상의 마크로부터 반사되거나, 또는 회절된 광에 의해 형성되는 상을 검출한다. 동시에 복수개의 마크로부터의 광에 의해 형성되는 상을 검출하기 위해서, 스코프(2a)를 복수 갖는 것이 바람직하다.

검출 대상의 마크를 조명하는 광은, 검출계(2)로부터의 광이어도 되고, 다른 광학계를 통해서 출사된 광이어도 된다. 검출 대상의 마크에 조명된 광의 적어도 일부가 검출광(2d)이 된다.

검출광(2d)은, 2개의 광학 소자(3a) 및 그 밖의 광학 소자(도시하지 않음)를 구비하고, 또한 검출 대상의 마크로부터의 광에 의해 형성되는 상의 중간 상을 결상하는 릴레이 광학계(3)를 통해서 검출계(2)에 입사한다. 구동 기구(3b)는, 검출광(제1 광)(2d)의 광로 내의 광학 소자를 검출광(2d)의 광로를 따라 이동시킨다.

검출광(2d)의 파장은, 임프린트재(30)를 경화시키지 않는 파장의 광이라면, 어느 파장 대역의 광이어도 된다. 특히, λ=450 내지 1200nm 중, 광파장 대역의 광을 포함하는 것이 바람직하다. 광파장 대역의 광은, 연속된 파장 대역을 갖는 광이어도 되고, 복수의 이산적인 파장의 광을 포함하는 광이어도 된다. 이에 의해, 기판(9)에 먼저 형성된 하지 패턴의 프로세스에 따라서는 특정한 파장의 광에 대하여 검출 정밀도가 저하되는 기판측 마크(9a)여도, 기판측 마크(9a)를 고정밀도로 검출할 수 있다.

구동 기구(4)는, 임프린트재(30)와 몰드(6)의 접촉 동작 및 분리 동작에 있어서 몰드(6)를 Z축 방향을 따라서 구동시킨다. 구동 기구(4)는, 몰드(6)를 X축 방향, Y축 방향, XYZ 각 축 둘레의 회전 방향으로 구동시키는 구동 기구를 구비하고 있어도 된다. 유지부(5)는, 진공 흡인력 또는 정전기력에 의해 몰드(6)를 유지한다. 유지부(8)는, 진공 흡인력 또는 정전기력에 의해 기판(9)을 유지한다. 유지부(5) 및 구동 기구(4)의 중앙부에서는 공간(70)이 형성되어 있다.

유지부(8)가 적재된 스테이지(7)는, 유지부(8)와 함께 기판(9)을 X축 방향 및 Y축 방향을 따라서 이동시킨다. 스테이지(7)는, 검출계(2)의 검출 결과에 기초하여 기판(9)을 이동시켜, 몰드(6)와 기판(9)의 위치 정렬을 한다. 스테이지(7)의 위치는 간섭계나 인코더 등의 계측 수단(도시하지 않음)에 의해 계측된다. 스테이지(7)는, 기판(9)을 Z축 방향, 또는 XYZ 각 축 둘레의 회전 방향으로 이동시켜도 된다. 또한, 임프린트재(30)와 몰드(6)의 접촉 동작 및 분리 동작은, 스테이지(7)만, 또는 스테이지(7)와 구동 기구(4)의 양쪽을 Z축 방향을 따라서 이동시킴으로써 행해도 된다.

제어부(60)는, 조명부(1), 구동 기구(4), 유지부(5), 유지부(8), 구동 기구(3b) 및 공급부(40)에 대하여, 유선 또는 무선의 통신 회선에 의해 접속되어, 임프린트 처리에 의해 패턴을 형성하는 후술하는 임프린트 처리 시에 이들을 제어한다. 제어부(60)는 CPU 및 도시하지 않은 기억부를 포함하고 있다.

(마크의 검출에 대해서)

1개의 몰드측 마크(6a) 및 기판측 마크(9a)는, 예를 들어 직사각형, 소정의 피치의 라인·앤드·스페이스, 밭 전(田)자 형상, 십자 형상 등을 나타내는 요철 구조에 의해 구성되어 있다.

기판측 마크(9a)는, 기판(9) 상의 복수의 샷 영역(피처리 영역) 각각에 설치되어 있다. 샷 영역은 이미 패턴을 형성 완료한 하지층의 단위 영역이며, 1개의 샷 영역은, 예를 들어 26mm×33mm 정도의 사이즈이다. 1개의 샷 영역에는 유저가 희망하는 칩 사이즈의 패턴이 1개 또는 복수 형성되고, 기판측 마크(9a)가 형성된 스크라이브 라인(도시하지 않음)에 의해 구획되어 있다.

도 1에서는, 검출계(2)가, 기판측 마크(9a) 및 몰드측 마크(6a)에서 순서대로 회절된 광에 의해 발생하는 무아레 무늬(마크로부터의 광에 의해 형성되는 상)를 검출하는 모습을 도시하고 있다. 무아레 무늬는, 몰드측 마크(6a)와 기판측 마크(9a)로서, 서로 피치가 상이한 라인·앤드·스페이스를 채용함으로써 형성할 수 있다. 검출 결과에 기초하여, 몰드(6)와 기판(9)의 위치 어긋남량(상대 위치)을 취득하고 있다. 취득된 위치 어긋남량이 저감되도록 스테이지(7)는 기판(9)을 이동시킨다.

검출계(2)는, 상술한 무아레 무늬를 발생하는 마크와는 상이한 몰드측 마크(6a)의 상을 검출해도 된다. 스테이지(7) 상의 기준 마크(7a)와 몰드측 마크(6a)의 상 검출 결과로부터 얻어지는 기준 마크(7a)와 몰드측 마크(6a)의 위치 어긋남량에 기초하여, 제어부(60)가 유지부(5)에 대한 몰드(6)의 위치를 취득해도 된다.

검출계(2)가, 상술한 무아레 무늬를 발생하는 마크와는 상이한 기판측 마크(9a)와 기준 마크(7a)를 검출해도 된다. 검출 결과로부터 얻어지는 기준 마크(7a)와 기판측 마크(9a)의 위치 어긋남에 기초하여, 제어부(60)가 샷 영역의 배열을 산출해도 된다.

검출계(2)는, 복수의 스코프(2a)로부터의 검출 결과에 기초하여, 몰드(6)와 기판(9) 상의 샷 영역의 형상 차를 취득해도 된다. 제어부(60)가, 당해 형상 차의 정보를 사용해서 중첩 정밀도의 향상을 위해 몰드(6)를 변형시켜도 된다.

이하의 설명에서는, 무아레 무늬를 검출하는 경우에 대해서 설명한다.

(포커스 상태의 조정)

도 2의 (a) 내지 도 2의 (d)에, 일본 특허 공개 제2013-175671호와 같이 몰드(6)를 복제하는 경우의, 복제되는 몰드(6)(마스터 몰드)와, 패턴이 형성되는 물체로서의 블랭크 몰드(13, 14)의 조합을 예시한다. 또한, 도 2의 (a) 내지 (d)에서, 조명부(1), 검출계(2), 릴레이 광학계(3), 구동 기구(3b), 광학 부재(10), 공급부(40), 제어부(60)의 도시를 생략하고 있다.

블랭크 몰드(13, 14)는, 몰드(6)와 거의 동일한 외형을 갖고, 요철의 패턴(6b)이 형성되지 않은 몰드이다. 블랭크 몰드(13)에는 오목부(13d)가 있고, 블랭크 몰드(14)에는 오목부가 없다. 도 2의 (a), (b)는, 오목부(6d)를 갖는 몰드(6)(제2형)를 사용해서 패턴을 형성하는 모습을 도시하고 있다. 도 2의 (c), (d)는, 오목부가 없는 몰드(6)(제1형, 균일한 두께의 형)를 사용해서 패턴을 형성하는 모습을 도시하고 있다.

검출광(2d)은 몰드(6)를 투과해서 스코프(2a)를 향한다. 그러나, 동일한 임프린트 장치(100)에서 오목부(6d)를 갖는 몰드(6)도 오목부(6d)가 없는 몰드(6)도 사용하는 경우, 몰드(6)에서의 오목부(6d)의 유무에 따라서, 오목부(6d)의 Z축 방향의 거리 만큼 검출광(2d)의 광로 길이가 변화한다.

예를 들어, 몰드(6)의 전체 두께 H2=10mm 정도인 경우에, 오목부(6d)의 두께 H1=8 내지 9mm 정도라 하면, 광로 길이의 변화는 2.5mm나 된다. NA가 0.1인 스코프(2a)에서의 초점 심도는 30㎛ 정도이기 때문에, 단순히 오목부(6d)가 있는 몰드(6)로부터 오목부(6d)가 없는 몰드(6)로 변경한 경우(또는 그 역)는, 검출 대상의 마크의 검출을 할 수 없게 되거나, 또는 검출 정밀도가 저하되어버린다.

당해 검출 정밀도의 차를 보상하기 위해, 임프린트 장치(100)는, 촬상 소자(2a)에서의 검출 대상의 마크로부터의 광에 의해 형성되는 상의 포커스 상태를 조정하는 조정 수단을 갖는다. 본 실시 형태에서는 구동 기구(3b)를 갖는다.

제어부(60)는 미리 몰드의 종류를 확인한다. 즉, 몰드(6)의 오목부(6d)의 유무를 나타내는 정보를, 위치 정렬 동작의 개시 전에 취득해 둔다. 당해 정보는, 인터페이스를 통해서 유저가 임프린트 장치(100)에 입력한 정보이다.

이어서, 제어부(60)의 지시에 의해, 구동 기구(3b)는 릴레이 광학계(3) 내의 광학 소자를 검출광(2d)의 광로를 따라 이동시킨다. 이에 의해, 구동 기구(3b)는, 검출 대상의 마크의 상의 형성 위치를 스코프(2a)의 초점 심도 내로 수렴시킬 수 있다. 또한, 당해 광학 소자는, 광로를 따라 이동함으로써 입사한 검출광(2d)에 의한 상을 확대 또는 축소 가능한 줌 광학계인 것이 바람직하다. 구동 기구(3b)는 릴레이 광학계(3)에 포함되는 복수의 광학 소자를 전체적으로 검출광(2d)의 광로를 따라 이동시켜도 된다.

이와 같이 하여, 구동 기구(3b)가 오목부(6d)의 유무를 나타내는 정보에 기초하여, 즉 몰드(6)의 종류에 따라, 촬상 소자(2b)에서의 검출 대상의 마크로부터의 상의 포커스 상태를 조정한다. 이에 의해, 몰드(6)의 종류가 바뀜으로 인한 포커스 상태의 변화를 저감하고, 검출계(2)는 고정밀도로 무아레 무늬를 검출할 수 있다.

기판(9)과 몰드(6)의 위치 어긋남을 고정밀도로 검출할 수 있으면, 스테이지(7)에서 기판(9)의 위치를 조정하여, 당해 위치 어긋남을 저감한 상태에서 기판(9) 상에 패턴을 형성할 수 있다. 이에 의해, 하지의 패턴과 새롭게 형성되는 패턴의 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있다.

또한, 검출계(2)가 릴레이 광학계(3)를 통하지 않고 무아레 무늬를 검출하는 경우에는, 몰드(6)의 종류에 따라, 미리 검출 광학계(2c)를 검출광(2d)의 광로를 따라 이동시켜도 된다. 또는, 구동 기구(3b)가, 광학 소자가 아니라 촬상 소자(2b)의 위치를 검출광(2d)의 광로를 따라 이동시켜도 된다.

[제2 실시 형태]

도 3 내지 도 5를 사용해서 제2 실시 형태에 따른 임프린트 장치(200)에 대해서 설명한다. 또한, 도 3 내지 도 4에 대해서 도 1과 동일한 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.

임프린트 장치(200)는, 검출광(2d)을 수광하는 촬상 소자(2b)에서의 상의 포커스 상태를 조정하는 조정 수단으로서, 광학 부재(80)와 구동 기구(제어 수단)(81)를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 광학 부재(80)와 구동 기구(81)를 사용하여, 검출광(2d)의 광로가 몰드(6)의 종류와 광학 부재(80)의 위치에 따른 광로가 되도록 하고, 검출 대상의 마크로부터 촬상 소자(2a)까지의 광로 길이를 조정한다.

2개의 광학 부재(80)는 고정 배치되어 있고, 각각 Y축 방향으로 연신된 형상을 갖는다. 도 4에 도시한 바와 같이, 광학 부재(80)는, 광(1a)의 광로 밖에 배치되어 있다.

광학 부재(80)의 재질로서 검출광(2d)이 투과 가능한 재질이 사용된다. 예를 들어, 석영 유리, 규산계 유리, 불화칼슘, 불화마그네슘, 아크릴 유리 등의 유리류를 사용해도 된다. 몰드의 재질은, 사파이어나 질화갈륨, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌, 아크릴, 폴리프로필렌 등의 수지이어도 된다. 또는 이들의 적층재여도 된다. 광학 부재(80)의 재질과 몰드(6)의 재질이 동등한 경우에는, 광학 부재(80)는, 오목부(6d)의 두께(Z 방향의 거리)와 동등한 두께를 갖는 것이 바람직하다.

광학 부재(80)는, 몰드(6)에 대하여 오목부(6d)측이라면 배치는 자유롭다. 마크(6a)로부터의 검출광(2b)은, NA에 따라서 공간에 확산하기 때문에, 몰드(6)로부터 광학 부재(80)가 이격된 위치에 배치되는 경우에는 보다 큰 광학 부재(80)가 필요해지기 때문에, 도 3에 도시한 바와 같이 유지부(5)에 대하여 고정되어 있는 것이 바람직하다.

구동 기구(81)는 검출계(2)를 제어한다. 구체적으로는, 검출 광학계(2c)만, 또는 스코프(2a)를 검출광(2d)의 광축에 교차하는 평면 내(XY 평면 내)로 이동시킨다. 구동 기구(81)는, 제어부(60)(도시 생략)와 접속되어 있다.

또한 검출계(2)가 배치된 공간(제1 공간)과 패턴이 형성하는 공간(제2 공간)을 이격하는 격벽부(31)를 갖는다.

제어부(60)의 기억부에는, 도 5의 흐름도에 나타내는 프로그램이 기억되어 있다. 제어부(60)의 CPU가 당해 프로그램을 판독하면서, 제어부(60)는 제어부(60)에 접속된 각 구성 부재를 제어한다.

임프린트 장치(200)에는, 오목부(6d)의 유무에 따라서 검출광(2d)의 광로를 상이하게 하기 위해, 서로 다른 위치에 검출 대상의 마크가 형성된 몰드(6) 및 기판(9)이 반입된다. 본 실시 형태에서는, 검출 대상의 마크의 위치가 상이한 것을 이용한다.

다음으로 도 5의 흐름도에 대해서 설명한다. 먼저, S11에서는, 제어부(60)가, 몰드의 종류에 관한 정보를 확인한다. 즉, 몰드(6)의 오목부(6d)의 유무를 나타내는 정보를, 기판(9)과 몰드(6)의위치 정렬 동작의 개시 전에 취득해 둔다. 당해 정보는, 인터페이스를 통해서 유저가 임프린트 장치(100)에 입력한 정보이다. S12에서는, 제어부(60)가 오목부(6d)의 유무를 판단한다.

S12에서 "예"라고 판단된 경우에 대해서 설명한다. 도 4의 (a), (b)는 광학 부재(80) 및 몰드(6)를 +Z 방향에서 본 도이다. 도 4의 (a)는 도 3의 (a)와 대응하고 있고, 오목부(6d)를 갖는 몰드(6)의 몰드측 마크(6a)와 기판측 마크(9a)에 의해 형성되는 무아레 무늬를 검출하는 모습을 도시하고 있다. 오목부(6d)를 갖는 몰드(6)에는, 몰드측 마크(6a)는 패턴부(6c)의 짧은 변(Y축 방향을 따르는 변)을 따라 배치되어 있다. 제어부(12)는, 몰드측 마크(6a) 및 기판측 마크(9a)의 대략의 위치를 구동 기구(81)에 통지한다.

S13에서는, 구동 기구(81)가 복수의 스코프(2a)를 각각 XY 평면 내에서 이동시켜, 몰드측 마크(6a) 및 기판측 마크(9a)로부터의 검출광(2d)이 광학 부재(80)를 투과하는 위치에 스코프(2a)를 배치한다.

S12에서 "아니오"라고 판단된 경우에 대해서 설명한다. 도 4의 (b)는 도 3의 (b)와 대응하고 있고, 오목부(6d)가 없는 몰드(6)의 몰드측 마크(6a)를 검출하는 모습을 도시하고 있다. 오목부(6d)가 없는 몰드(6)에는, 몰드측 마크(6a)는 패턴부(6c)의 긴 변(X축 방향을 따르는 변)을 따라 배치되어 있다.

S14에서는, 구동 기구(81)가 제어부(60)의 지시에 따라서 복수의 스코프(2a)를 각각 이동시키고, 검출광(2d)이 광학 부재(80)를 투과하지 않는 위치에 스코프(2a)를 이동시킨다.

스코프(2a)를 이동시킨 후, 또는, 스코프(2a)의 이동과 병행하여, 임프린트재(30)의 공급, 몰드(6)와 임프린트재의 접촉 동작, 임프린트재(30)의 경화, 몰드(6)와 임프린트재(30)의 분리를 포함하는 임프린트 처리가 행하여진다.

몰드(6)와 임프린트재(30)를 접촉시키기 전이나, 접촉시키고 있는 중에, S15에서는, 검출계(2)가 몰드측 마크(6a) 및 기판측 마크(9a)를 검출하고, 검출 결과에 기초하여 몰드(6)와 기판(9)의 상대 위치를 산출한다. 얻어진 상대 위치의 정보를 바탕으로, 구동 기구(4) 및 스테이지(7)를 사용하여, 몰드(6)와 기판(9)의 XY 평면에서의 위치 정렬을 행하는 것을 이상으로 흐름도의 설명은 종료된다.

임프린트 장치(200)에서는, 당해 오목부(6d)가 형성되어 있음으로써 짧아지는 검출광(2b)의 광로 길이를, 검출광(2d)에 광학 부재(80)를 투과시킴으로써 보완하고 있다. 즉, 오목부(6d)를 갖는 몰드(6)를 사용하는 경우의 검출광(2b)의 광로 길이에 오목부(6d)가 없는 몰드(6)를 사용하는 경우의 검출광(2b)의 광로 길이를 근접시키고 있다. 구체적으로는, 검출광(2d)의 광로가 몰드(6)의 종류와 광학 부재(80)의 위치에 따른 광로가 되도록, 구동 기구(81)가 스코프(2a)를 구동시킨다.

이와 같이 하여 광로 길이를 조정하면, 오목부(6d)의 유무에 의한 광로 길이 차를 저감할 수 있어, 오목부(6d)의 유무에 관계없이 거의 동등한 정밀도로 무아레 무늬를 검출할 수 있다. 즉, 이에 의해, 몰드(6)의 종류가 바뀜으로 인한 포커스 상태의 변화를 저감하고, 검출계(2)는 고정밀도로 무아레 무늬를 검출할 수 있다.

기판(9)과 몰드(6)의 위치 어긋남을 고정밀도로 검출할 수 있으면, 스테이지(7)에서 당해 위치 어긋남을 저감시킨 상태로 기판(9) 상에 패턴을 형성할 수 있다. 이에 의해, 하지의 패턴과 새롭게 형성되는 패턴의 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있다.

광학 소자를 광로 길이를 따라 이동시키는 경우에 비해 임프린트 장치(200)를 임프린트 장치(100)에 비해, 콤팩트하게 구성할 수 있다.

또한 격벽부(31)를 가짐으로써, 스코프(2a)의 이동에 수반해서 발생하기 쉬운 파티클이, 패턴의 형성이 행하여지는 공간으로 날아드는 것을 방지하고 있다. 이에 의해, 몰드(6)와 임프린트재(30)를 접촉시켰을 때, 패턴(6b)의 오목부에 파티클이 낌으로 인한 몰드(6)의 파손이나 패턴의 형성 불량을 저감할 수 있다.

또한, 유저가 임프린트 장치(100)에 입력하는 몰드(6)의 종류를 나타내는 정보가, 임프린트 장치(200)에 반입되는 몰드(6)에 형성된 몰드측 마크(6a)의 위치를 나타내는 정보여도 된다. 이 경우, S12에서의 판단 없이 구동 기구(81)는 당해 정보에 기초하여 스코프(2a)를 이동시킨다. 몰드측 마크(6a)의 위치가, 광학 부재(80)의 투과·불투과와 대응하고 있음을 확인하고 나서, 무아레 무늬의 검출을 개시하면 된다.

광학 부재(80)가 광(1a)의 광로에 침입할 우려가 있는 경우에는, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이 검출광(2d)이 광(1a)의 광축에 대하여 기울기 몰드(6)를 투과하도록, 스코프(2a)를 배치하면 된다. 상술한 형태에 비해 광학 부재(80)를 보다 X축 방향의 보다 좌우 각각의 측에 배치할 수 있고, 광(1a)의 노광 얼룩(불균일)의 발생을 억제할 수 있다.

또한, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 검출광(2d)이 광학 부재(80)에 대하여 수직으로 입사하도록 광학 부재(80)를 비스듬히 배치하는 것이 한층 바람직하다. 이에 의해, 검출광(2d)의 광축을 기울임으로 인한 무아레 무늬의 검출 정밀도의 저하(해상도의 저하)를 억제할 수 있다.

[제3 실시 형태]

제2 실시 형태에서 사용한 광학 부재(80)는, 그 전체가, 검출광(2d)이 광학 부재(80)를 투과하는 만큼의 광로 길이가, 오목부(6d)의 유무에 의한 광로 길이 차를 보완하는 광로 길이인 부분을 구성하고 있었다.

제3 실시 형태에 따른 임프린트 장치(300)는, 광학 부재(80)가, 검출광(2d)이 투과하는 만큼의 광로 길이가 서로 상이한 부분(80a)과 부분(80b)을 갖는 점이 임프린트 장치(200)와는 상이하다. 부분(80a)과 부분(80b)에서 두께가 상이함으로써 광로 길이를 상이하게 해도 되고, 재질이 상이함으로써 광로 길이를 상이하게 해도 된다.

이러한 광학 부재(80)를 사용하면, 검출광(2d)이 투과하는 만큼의 광로 길이가 상이한, 3종류의 몰드(6)를 1대의 임프린트 장치(300)에서 사용할 수 있다.

예를 들어 3종류의 몰드(6)의 재질이 동일한 경우이며 또한 검출광(2d)이 몰드를 Z축 방향을 따라 투과하는 경우에는, 검출광(2d)이 투과하는 부분의 두께가 서로 다른 3종류의 몰드(6)를 사용할 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 깊이의 오목부(6d)를 갖는 2개의 몰드(6)와 오목부(6d)가 없는 몰드(6)이다.

당해 3종류의 몰드(6)에 대하여, 각각 상이한 위치에 몰드측 마크(6a)가 설치되어 있다. 이에 의해, 검출광(2d)에 광학 부재(80)를 투과시키지 않는 광로, 검출광(2d)에 부분(80a)을 투과시키는 광로, 및 검출광(2d)에 부분(80b)을 투과시키는 광로의 3개의 광로를 선택하는 것이 가능해진다.

도 7의 (a) 내지 (c)는 광학 부재(80) 및 몰드(6)를 +Z 방향에서 본 도이다. 도 7은 몰드측 마크(6a)가 패턴부(6c)보다도 외측의 위치에 배치된 경우를 도시하고 있다. 또한, 도 7에서는 상술한 각 도면과 동일한 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.

제어부(60)는 몰드(6)의 종류를 나타내는 정보로서, 검출광(2d)이 투과하는 부분의 몰드(6)의 두께를 나타내는 정보를 취득하고, 당해 두께를 나타내는 정보에 기초해서 스코프(2a)를 이동시킨다.

예를 들어, 두께 A의 몰드(6)를 사용하는 경우에는, 도 7에 도시하는 바와 같이 광학 부재(80)의 부분(80a)의 하방의 몰드측 마크(6a)를 검출 가능한 위치에 스코프(2a)를 이동시킨다. 두께 B의 몰드(6)를 사용하는 경우에는, 광학 부재(80)의 부분(80a)의 하방의 몰드측 마크(6a)를 검출 가능한 위치에 스코프(2a)를 이동시킨다. 두께 C의 몰드(6)를 사용하는 경우에는, 검출광(2d)이 광학 부재(80)를 투과하지 않는 위치에 스코프(2a)를 이동시킨다.

단, 두께 A<두께 B<두께 C이며, 또한 부분(80a)에서의 광로 길이>부분(80b)에서의 광로 길이로 한다.

특히, X축 방향(제1 방향) 및 Y축 방향(제2 방향)으로 어긋나게 배치된 적어도 2개의 몰드측 마크(6a)를 검출하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 몰드(6)와 기판(9)의 X축 방향, Y축 방향의 위치 어긋남 및 회전 방향의 위치 어긋남을 계측할 수 있다.

본 실시 형태에 따르면, 임프린트 장치(200)와 마찬가지의 효과를 갖는다. 또한, 임프린트 장치(200)보다도 보다 많은 종류의 몰드(6)를 사용할 수 있다.

서로 다른 광로 길이를 갖는 영역의 수는, 적절히 변경해도 된다. 도 8에 도시하는 바와 같이 서로 다른 광로 길이를 갖는 4개의 부분(80c, 80d, 80e, 80f)을 구비한 광학 부재(80)를 패턴부(6c)의 각 변을 따라 배치해도 된다. 동일한 광로 길이의 영역을 투과한 검출광(2d)으로 4개씩 몰드측 마크(6a) 및 기판측 마크(9a)를 검출함으로써, 4종류의 몰드(6)의 두께에 대응할 수 있다.

[제4 실시 형태]

제4 실시 형태에 따른 임프린트 장치(400)는, 도 9에 도시하는 바와 같이 고정 배치된 광학 부재(80)로서 롬보이드 프리즘을 사용한다. 또한, 도 9에서는 도 3과 동일한 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다. 도 9에서, 공급부(40), 제어부(60)의 도시를 생략하고 있다.

롬보이드 프리즘은, 수직으로 입사한 검출광(2d)을 내면에서 2회 반사시키고 나서 스코프(2a)를 향해서 광을 출사하는 광학 부재이다. 롬보이드 프리즘 대신에 1개의 검출광(2d)의 광속당 2매의 반사 미러를 Z축 방향에 대하여 비스듬히 배치해도 된다.

본 실시 형태도 몰드(6)의 종류와 광학 부재(80)의 위치에 따른 광로가 되도록, 구동 기구(81)가 스코프(2a)를 구동한다. 이에 의해, 제2 실시 형태와 마찬가지의 효과를 갖는다.

또한, 롬보이드 프리즘을 사용해서 검출광(2d)의 광로를 수평 방향으로 광로를 절곡함으로써 두께에 비해 광학 부재(80)를 투과하는 만큼의 광로 길이를 길게 할 수 있다. 이에 의해, 오목부(6d)의 유무에 의한 몰드(6)에서의 광로 길이의 변화가 큰 경우나, Z축 방향으로 두꺼운 광학 부재(80)를 배치할 충분한 스페이스가 없는 경우에도 무아레 무늬를 고정밀도로 검출할 수 있다.

[제5 실시 형태]

도 10은 제5 실시 형태에 따른 임프린트 장치(500)의 구성을 도시하는 도면이다. 임프린트 장치(500)는, 검출광(2d)을 수광하는 촬상 소자(2b)에서의 상의 포커스 상태를 조정하는 조정 수단으로서, 광학 부재(10)와 구동 기구(배치 수단)(11)를 갖는다. 광학 부재(10)의 위치가 가변이며, 구동 기구(11)가 몰드(6)의 종류에 따른 위치에 광학 부재(10)를 배치함으로써 검출 대상의 마크로부터 촬상 소자(2a)까지의 광로 길이를 조정한다. 예를 들어, 검출광(2d)의 광로 내 또는 광로 밖에 광학 부재(10)를 배치한다.

제어부(60)의 기억부에는 후술하는 도 12의 흐름도에 나타내는 프로그램이 기억되어 있다. 그 밖에, 도 1과 동일한 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.

광학 부재(10)의 재질로서 광(1a) 및 검출광(2d)이 투과 가능한 재질이 사용된다. 예를 들어, 광학 부재(80)에서 예시한 재질 중 어느 하나 또는 조합이어도 된다. 광학 부재(10)의 재질과 몰드(6)의 재질이 동등한 경우에는, 광학 부재(10)는, 오목부(6d)의 두께(Z 방향의 거리)와 동등한 두께를 갖는 것이 바람직하다.

광학 부재(10) 및 구동 기구(11)를 포함하는 조정 수단의 구성을 도 11의 (a) 내지 (c)에 예시한다. 도 11의 (a)에 나타내는 구동 기구(11)는, 축부(16a)와 축부(16a)를 Z축 둘레로 회전시키는 구동부(17)를 갖는다. 지지부(10a)는 광학 부재(10)를 지지하는 부재이며, 축부(16a)에 접속된 지지부(10b)와 접속되어 있다. 구동 기구(11)는, 축부(16a)를 회전함으로써 광학 부재(10)를 검출광(2d)의 광로 내 또는 광로 밖에 배치한다.

도 11의 (b)에 나타내는 구동 기구(11)는, 구동부(17b)가 축부(16b)를 Y축 둘레로 회전시킴으로써, 광학 부재(10)를 검출광(2d)의 광로 내 또는 광로 밖에 배치한다.

도 11의 (c)에 나타내는 구동 기구(11)는, 볼 나사나 리니어 모터 등의 구동 기구에 의해, 가이드(20)를 따라 광학 부재(10)를 1축 방향으로 이동시킨다. 광학 부재(10)를 이동시킴으로써, 광학 부재(10a)를 검출광(2d)의 광로 내 또는 광로 밖에 배치한다. 구동 기구(11)의 구성은, 광학 부재(10)를 검출광(2d)의 광로 내 또는 광로 밖에 배치할 수 있는 구성이면 되며, 이들의 예에 한정되는 것은 아니다.

이어서, 검출광(2d)의 광로 길이를 조정하는 공정에 대해서, 도 12에 나타내는 흐름도와 도 13에 나타내는 구동 기구(11)의 움직임을 설명하는 도면을 사용해서 설명한다. 도 13의 (a), 도 13의 (b)에서, 조명부(1), 검출계(2), 릴레이 광학계(3), 공급부(40), 제어부(60)의 도시를 생략하고 있다.

제어부(60)의 CPU가 도 12의 흐름도에 나타내는 프로그램을 기억부로부터 판독하여, 당해 프로그램을 실행한다.

S21에서는, 제어부(60)가, 몰드의 종류에 관한 정보를 확인한다. 즉, 몰드(6)의 오목부(6d)의 유무를 나타내는 정보를, 기판(9)과 몰드(6)의 위치 정렬 동작의 개시 전에 취득해 둔다. 당해 정보는, 인터페이스를 통해서 유저가 임프린트 장치(500)에 입력한 정보이다. S12에서는, 제어부(60)가 오목부(6d)의 유무를 판단한다.

S22에서는, 제어부(60)가 몰드(6)에 오목부(6d)가 있는지 여부를 판단한다. 제어부(60)가 오목부(6d)가 있다고 판단한 경우에는, 구동 기구(11)를 제어하여, 도 13의 (a)에 도시한 바와 같이, 검출광(2d)의 광로 내에 광학 부재(10)를 배치시킨다(S23). 제어부(60)가 오목부(6)가 없다고 판단한 경우에는, 구동 기구(11)를 제어하여, 도 13의 (b)에 도시한 바와 같이, 검출광(2d)의 광로 밖에 광학 부재(10)를 배치시킨다(S24).

광학 부재(10)의 바람직한 두께에 대해서 설명한다. 설명을 간이하게 하기 위해서, 오목부(6d)가 없는 몰드(6), 오목부(6d)를 갖는 몰드(6), 광학 부재(10)의 재질은 굴절률이 동일한 재질로 한다. 도 13에서, 오목부를 갖는 몰드(6)의 두께를 H1, 오목부(6d)가 없는 몰드의 두께를 H2, 몰드(6)의 오목부(6d)의 두께를 H3, 광학 부재(10)의 두께를 H로 하고 있다.

이 경우, 몰드(6)의 두께에 구애되지 않고 검출광(2d)의 광로 길이를 일정하게 하는 것이 바람직하다. 즉, 오목부(6d)를 갖는 몰드(6)의 검출광(2d)이 투과하는 부분의 두께(H2)와 광학 부재(10)의 두께(H)의 합과, 오목부가 없는 몰드(6)의 검출광(2d)이 투과하는 부분의 두께(H2)가 동등하게 되는 것이 바람직하다. 즉 H1+H4=H2의 관계식이 성립하는 것이 바람직하다. 이것으로부터, 광학 부재(10)의 두께(H4)는, 오목부(6d)의 두께(H3)와 동등한 것이 바람직하다.

또한, 광학 부재(10)의 굴절률 특성이 몰드(6)와 상이한 경우에는, 상술한 관계식에 관계없이 광학 부재(10)의 두께가 결정되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 검출광(2d)이 광학 부재(10)를 투과하는 만큼의 광로 길이와 오목부(6d)를 갖는 몰드(6)를 투과하는 만큼의 광로 길이의 합이, 오목부(6d)가 없는 몰드(6)를 투과하는 부분의 광로 길이와 동등한 것이 바람직하다.

광학 부재(10)가 검출광(2d)의 광로 내 또는 광로 밖에 배치된 후, 또는 광학 부재(10)의 이동과 병행하여, 임프린트 처리가 행하여진다. 임프린트 처리는, 임프린트재(30)의 공급, 몰드(6)와 임프린트재의 접촉 동작, 임프린트재(30)의 경화, 몰드(6)와 임프린트재(30)의 분리를 포함한다.

몰드(6)와 임프린트재(30)를 접촉시키기 전이나, 한창 접촉시키고 있는 중에, S25에서는, 검출계(2)가 몰드측 마크(6a) 및 기판측 마크(9a)를 검출하고, 검출 결과에 기초하여 몰드(6)와 기판(9)의 상대 위치를 산출한다. 얻어진 상대 위치의 정보를 바탕으로, 구동 기구(4) 및 스테이지(7)를 사용하여, 몰드(6)와 기판(9)의 XY 평면에서의 위치 정렬을 행한다. 임프린트 장치(500)는, 당해 위치 정렬 후에, 조사부(10)를 사용해서 임프린트재(30)를 경화시킨다.

임프린트 장치(500)에서는, 당해 오목부(6d)가 형성되어 있음으로써 짧아지는 광로 길이를, 검출광(2d)에 광학 부재(10)를 투과시킴으로써 보완하고 있다. 즉, 오목부(6d)를 갖는 몰드(6)를 사용하는 경우의 검출광(2b)의 광로 길이에 오목부(6d)가 없는 몰드(6)를 사용하는 경우의 검출광(2b)의 광로 길이를 근접시키고 있다. 구체적으로는, 구동 기구(11)가 오목부(6d)가 있는 몰드(6)인 경우에는 광학 부재(10)를 검출광(2d)의 광로 내에 배치하고, 오목부(6d)가 없는 몰드(6)의 경우에는 광학 부재(10)를 검출광(2d)의 광로 밖에 배치한다.

이와 같이 하여 광로 길이를 조정하면, 오목부(6d)의 유무에 의한 광로 길이 차를 저감할 수 있어, 오목부(6d)의 유무에 관계없이 거의 동등한 정밀도로 무아레 무늬를 검출할 수 있다. 이에 의해, 몰드(6)의 종류가 바뀜으로 인한 포커스 상태의 변화를 저감하고, 검출계(2)는 고정밀도로 무아레 무늬를 검출할 수 있다.

기판(9)과 몰드(6)의 위치 어긋남을 고정밀도로 검출할 수 있으면, 스테이지(7)에서 당해 위치 어긋남을 저감한 상태에서 기판(9) 상에 패턴을 형성할 수 있다. 이에 의해, 하지의 패턴과 새롭게 형성되는 패턴의 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있다.

또한, 임프린트 장치(500)에서는, 광학 부재(10)를 검출광(2d)의 광로 내에 배치한 경우에, 광학 부재(10)는 조명광(1a)의 광로 내에도 배치된다. 이에 의해, 몰드(6)의 종류가 변화하는 것에 수반하는, 조명광(1a)의 광로 길이의 변화도 보상할 수 있기 때문에, 기판(9)에 대한 노광 불균일을 저감할 수 있다.

[제6 실시 형태]

광학 부재(10)는, 임프린트 장치(500)와 같이, 기판측 마크(9a) 및 몰드측 마크(6a)의 검출 정밀도의 관점에서 검출광(2d)의 광로 중 릴레이 광학계(3)의 광로 내의 퓨필면보다도 몰드(6)에 가까운 측에 배치 가능한 것이 바람직하다. 오목부(6d)의 유무에 의해 광로 길이에 변동이 있는 것은 릴레이 광학계(3)의 광로 내의 퓨필면보다 몰드(6)에 가까운 측이기 때문이다. 그러나, 검출광(2d)의 광로 내에 배치할 수 있는 것이라면 기타 위치에 배치해도 상관없다.

도 14는 제2 실시 형태에 관한 임프린트 장치(600)의 구성을 도시하는 도면이다. 도 14에서, 도 10과 동일한 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다. 공급부(40), 반송 기구(50), 제어부(60)의 도시를 생략하고 있다.

광학 부재(10) 및 구동 기구(11)가 검출계(2)에, 즉 검출광(2d)의 광로에 있어서, 릴레이 광학계(3)의 퓨필면보다도 검출계(2)에 가까운 측에 설치되어 있는 점에서 임프린트 장치(500)와는 상이하다. 복수의 스코프(2a) 각각에 대응하는 광학 부재(10) 및 구동 기구(11)를 구비하고 있어도 된다.

임프린트 장치(500)와 마찬가지로, 임프린트 장치(600)에 반송되는 몰드(6)의 종류에 따라 구동 기구(11)는 광학 부재(10)를 검출광(2d)의 광로 내 또는 광로 밖에 배치한다.

또한, 광학 부재(10)를 검출광(2d)의 광로 내에 배치한 경우에는, 구동 기구(11d)가 광학 부재(10d)를 구동해서 광학 부재(10d)를 광(1a)의 광로 내에 배치시킨다.

이에 의해, 제5 실시 형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.

임프린트 장치(500, 600)는, 재질 및 두께 중 적어도 한쪽이 상이한 복수 종류의 광학 부재(10)를 구비하고 있어도 된다. 검출광(2d)이 투과하는 만큼의 광로 길이가 상이한 몰드(6)를 사용하는 경우에도, 사용되는 몰드(6)에 따라, 적절한 광학 부재(10)를 조합해서 광로 내에 배치한다. 이에 의해, 검출 대상의 마크로부터 촬상 소자(2b)까지의 광로 길이가 소정의 광로 길이에 가까워지도록 할 수 있다.

[제7 실시 형태]

도 15는 제3 실시 형태에 관한 임프린트 장치(700)의 구성을 도시하는 도면이다. 도 15에서, 도 1과 동일한 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다. 공급부(40), 제어부(60)의 도시를 생략하고 있다.

임프린트 장치(700)는, 검출광(2d)을 수광하는 촬상 소자(2b)에서의 상의 포커스 상태를 조정하는 조정 수단으로서, 광학 부재(10)와 몰드(6)의 종류에 따라 몰드(6)에 광학 부재(10)를 적재 가능한 구동 기구(적재 수단)(55)를 갖는다.

구동 기구(55)는, 정전기력 또는 진공 흡착력에 의해 광학 부재(10)를 유지하는 유지부(56)를 갖는다. 반송 기구(50)는, 몰드(6)만, 또는 광학 부재(10)가 적재된 몰드(6)를 유지부(5)까지 반송한다.

도 12에 나타내는 S21 내지 S23의 공정은, 본 실시 형태에서도 마찬가지로 실시한다. 유지부(5)가 유지하는 몰드가 오목부(6d)를 갖는 몰드(6)인 경우에는, S13에서는, 제어부(60)(도시 생략)의 지시에 기초하여 구동 기구(55)가 광학 부재(10)를 오목부(6d)에 적재한다. 한편, 유지부(5)가 유지하는 몰드가 오목부(6d)가 없는 몰드(6)인 경우에는, S13에서는, 제어부(60)는 구동 기구(55)에 대기하도록 지시를 하여, 구동 기구(55)가 광학 부재(10)를 몰드(6)에 적재시키지 않는다.

그 후, S25 전에 몰드(6)를 반송 기구(50)를 사용해서 유지부(5)까지 반송하는 공정을 거치고 나서 임프린트 장치(700)는 임프린트 처리를 개시한다. 그 후, 스테이지(7)가, 검출계(2)에 의한 마크로부터의 광에 의해 형성되는 상의 검출 결과에 기초하여 몰드(6)와 기판(9)의 위치 정렬을 개시한다.

이렇게 오목부(6d)가 있는 몰드(6)에 대하여, 검출광(2d)이 오목부(6d)가 있는 몰드(6)를 투과하는 만큼의 광로 길이와 검출광(2d)이 오목부(6d)가 없는 몰드(6)를 투과하는 만큼의 광로 길이의 차를 보완하는 광학 부재(10)를 적재한다. 광학 부재(10)를 적재해서 검출 대상의 마크로부터 촬상 소자(2a)까지의 광로 길이를 조정함으로써, 촬상 소자(2a)에서의 마크로부터의 상의 포커스 상태를 조정한다.

몰드(6)의 종류가 바뀜으로 인한 포커스 상태의 변화를 저감하고, 검출계(2)는 고정밀도로 무아레 무늬를 검출할 수 있다.

기판(9)과 몰드(6)의 위치 어긋남을 고정밀도로 검출할 수 있으면, 스테이지(7)에서 당해 위치 어긋남을 저감한 상태에서 기판(9) 상에 패턴을 형성할 수 있다. 이에 의해, 하지의 패턴과 새롭게 형성되는 패턴의 중첩 정밀도를 향상시킬 수 있다.

특히, 패턴의 형성이 행하여지는 유지부(5)의 하방의 공간으로부터 먼 위치에서 구동 기구(55)가 구동하기 때문에, 구동 기구(55)의 구동에 의한 파티클에 의해 임프린트 처리 시의 몰드(6)의 파손이나 패턴 결함이 발생할 우려를 저감할 수 있다.

임프린트 장치(700)는, 복수 종류의 광학 부재(10)를 구비하고 있어도 된다. 오목부(6d)의 유무에 관계없이, 검출광(2d)이 투과하는 부분의 몰드(6)의 두께나, 몰드(6)의 재질, 오목부(6d)의 두께(깊이) 등이 상이한 몰드(6)의 종류에 따라서도, 구동 기구(55)가 적절한 광학 부재(10)를 적재하면 된다.

제3 실시 형태의 변형예를 도 16, 도 17을 사용해서 설명한다. 도 16은 광학 부재(10)와 몰드(6)의 위치 어긋남을 방지하는 수단을 각각 갖는 광학 부재(10)와 몰드(6)의 구성을 도시하는 도면이다. 도 16의 (a)에 도시한 바와 같이, 어긋남 방지 수단은 광학 부재(10)에 형성된 모따기부(21)와 몰드(6)에 형성된 모따기부(22)이다. 모따기부(21) 및 모따기부(22)는, 오목부(6d)의 저부의 수평 방향의 길이(d1)보다도, 광학 부재(10)의 저부의 수평 방향의 길이(d2)가 길어지도록 형성되어 있다.

도 16의 (b)에 나타내는 어긋남 방지 수단은, 광학 부재(10)의 저부에 형성한 볼록부(23)와 오목부(6d)에 형성한 국소적인 오목부(24)이며, 볼록부(23)와 오목부(24)를 끼워 맞춤으로써 광학 부재(10)의 어긋남을 방지한다.

도 17에 나타내는 어긋남 방지 수단은, 몰드(6)의, 오목부(6d)에 적재된 경우에 광학 부재(10)와 대면하는 위치에 개방된 개구(26) 및 핸드(25)이다. 몰드(6)를 유지부(5)에 반송하는 반송 기구(50)의 핸드(25)에 탑재되어, 개구(26)와 유로(27) 내를 배기함으로써 몰드(6)를 핸드(25)에 흡착시킨다.

이들 어긋남 방지 수단에 의해, 유지부(5)까지의 반송 중에, 광학 부재(10)가 몰드(6)에 대하여 미소하게 기울어져버림으로 인한 검출광(2d)의 광로 길이에 오차가 발생해서 검출 정밀도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.

[제8 실시 형태]

몰드(6)의 개체차에 따라, 몰드(6)의 두께나 마크(6a)의 형성 위치 등이 미소하게 상이한 경우가 있다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 제1 내지 제7 실시 형태에서 설명한 조정 수단이 검출광(2b)에 의해 촬상 소자(2d) 상에 형성하는 상의 포커스 상태를 대략 조정한 후(제1의 양 조정한 후), 검출광(2b)의 광로 내의 광학 소자를 광로를 따라 이동시킴으로써 포커스 상태를 미세 조정한다(제1의 양보다 작은 제2의 양 조정한다). 당해 미세 조정으로서, 소정의 거리만큼 이동시켜 베스트인 포커스 상태가 되는 위치에 광학 소자를 배치한다. 즉, 조정 수단에서는 몰드(6)의 종류에 따른 포커스 상태의 조정을 행하고, 당해 광학 소자에서는 몰드(6)의 개체차에 의해 발생하는 미소한 포커스 상태의 오차를 저감하기 위한 미세 조정을 행한다.

이에 의해, 상술한 효과 외에도, 몰드(6)의 개체차에 의해 발생하는 포커스 상태의 오차를 저감할 수 있다. 특히 본 실시 형태를 제2 내지 제7 실시 형태와 조합해서 실시한 경우에, 검출광(2b)의 광로 내의 광학 소자의 광로를 따른 이동에 의해서만 포커스 상태를 조정하는 경우에 비해, 당해 광학 소자의 이동에 필요한 시간 및 이동에 필요한 공간을 저감할 수 있다.

[다른 실시 형태]

제1 내지 제8 실시 형태에 각각 적용 가능한, 다른 실시 형태에 대해서 설명한다.

몰드(6)의 종류가 상이한 경우란, 몰드의 형상(오목부(6d)의 유무), 오목부(6d)의 두께(깊이), 몰드(6)의 재질, 검출광(2d)이 투과하는 부분의 두께 등이 설계상 상이함으로써, 몰드(6)를 투과하는 만큼의 검출광(2d)의 광로 길이가 상이한 경우를 말한다.

각각의 실시 형태에 따른 조정 수단은, 몰드(6)의 오목부(6d)의 유무를 나타내는 정보, 검출광이 투과하는 부분의 두께(형의 두께)를 나타내는 정보, 몰드측 마크(6a)의 위치를 나타내는 정보, 또는 몰드(6)의 재질을 나타내는 정보에 기초하여 포커스 상태를 조정한다. 몰드(6)의 재질을 나타내는 정보는, 재질명이어도 되고, 굴절률이어도 된다. 상술한 4종류의 정보 중, 하나의 정보에만 기초하여 조정 수단의 조정량이 정해지도록 해도 되고, 복수의 정보에 기초하여 조정량이 정해지도록 해도 된다.

여기에서 말하는 조정량이란, 제1 실시 형태라면 구동 기구(3b)의 구동량이다. 제2 내지 4 실시 형태라면 구동 기구(81)의 구동량이며, 제5 내지 제7 실시 형태라면 사용하는 광학 부재(10)의 종류이다. 미리, 취득되는 정보에 대응하는 조정량이 제어부(60)의 기억부에 기억되어 있는 것이 바람직하다.

또한, S11이나 S21에서 취득하는 정보는, 임프린트 장치가 갖는 식별부를 사용해서, 몰드(6)의 종류를 식별해서 취득한 정보여도 된다. 식별부로서 예를 들어, 몰드(6)의 두께를 계측하는 기구나 몰드(6)에 부여된 바코드 및 소정의 마크 등의 식별자를 판독하는 판독부 등을 들 수 있다.

각각의 실시 형태에 따른 임프린트 장치는, 기판(9)이 아니라 레플리카 몰드(13) 또는 레플리카 몰드(14)에 패턴을 형성해도 된다. 패턴의 형성에 사용하는 형의 종류가 변화되어도, 위치 정렬에 사용하는 마크로부터의 광에 의해 형성되는 상을 고정밀도로 검출할 수 있다.

광학 부재(10, 80)의 재질은 몰드(6)와 동일한 재질이어도 다른 재질이어도 된다. 검출광(2d)이 대역폭이 넓은 광, 또는 복수 파장의 광을 포함하는 경우에는 몰드(6)와 동일한 재질인 것이 더 바람직하다. 기판측 마크(9a) 종류에 따라, 당해 특정한 파장의 광과는 상이한 파장의 광으로 검출하기 쉬운 경우에는, 광학 부재(10)와 몰드(6)가 파장에 대한 굴절률의 특성이 상이해버리면 검출광(2d)의 광로 길이에 차가 발생하는 경우가 있다. 광학 부재(10)와 몰드(6)의 재질이 동일하면, 이러한 우려는 없어, 프로세스와 파장에의 의존성을 저감할 수 있다.

상술한 각 실시 형태를 적절히 조합해서 실시해도 된다.

[물품의 제조 방법]

임프린트 장치를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 또는 각종 물품을 제조할 때 일시적으로 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 또는, 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 또는 불휘발성 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로서는, 임프린트용의 몰드 등을 들 수 있다.

경화물의 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 또는, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에서 에칭 또는 이온 주입 등이 행하여진 후, 레지스트 마스크는 제거된다. 또한, 당해 물품의 제조 방법은, 다른 주지의 처리 공정(현상, 산화, 성막, 증착, 평탄화, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함해도 된다.

이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 18의 (a)에 도시한 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(9z)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(30)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적 형상으로 된 임프린트재(30)가 기판 상에 부여된 모습을 나타내고 있다.

도 18의 (b)에 도시한 바와 같이, 임프린트용 몰드(6)를, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(30)를 향해서 대향시킨다. 도 18의 (c)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(30)가 부여된 기판(9)과 몰드(6)를 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트재(30)는, 몰드(6)와 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 몰드(6)를 투과시켜 조사하면, 임프린트재(30)는 경화된다.

도 18의 (d)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(30)를 경화시킨 후, 몰드(6)와 기판(9z)을 분리하면, 기판(9z) 상에 임프린트재(30)의 경화물 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응한 형상으로 되어 있어, 즉, 임프린트재(30)에 몰드(6)의 요철 패턴이 전사되게 된다.

도 18의 (e)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로 하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 또는 얇게 잔존한 부분이 제거되어, 홈(5z)으로 된다. 도 18의 (f)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않음은 말할 필요도 없으며, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.

Claims (25)

1. 형(型)을 사용해서 물체 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
   상기 형 및 상기 물체 중 적어도 한쪽에 설치된 마크로부터의 광을 상기 형을 통해서 수광하는 수광 소자를 구비한 상 검출 수단과,
   상기 패턴의 형성에 사용하는 상기 형의 종류에 따라, 상기 마크로부터의 광이 상기 수광 소자 상에 형성하는 상의 포커스 상태를 조정하는 조정 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
2. 상기 조정 수단은, 상기 패턴의 형성에 사용하는 형의 종류가 바뀜으로 인한 상기 포커스 상태의 변화를 저감시키는 수단인 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 형의 종류에 따라, 상기 광이 상기 형을 투과하는 만큼의 광로 길이가 상이한 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 조정 수단은, 상기 형의 종류에 따라 상이한, 상기 형의 오목부의 유무를 나타내는 정보와, 상기 형의 두께를 나타내는 정보와, 상기 형에 형성된 마크의 위치를 나타내는 정보와, 상기 형의 재질을 나타내는 정보 중 적어도 하나에 기초하여 상기 포커스 상태를 조정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
5. 제1항에 있어서,
   상기 조정 수단은, 상기 광의 광로 내의 광학 부재 및 상기 수광 소자 중 적어도 한쪽을 상기 광의 광로를 따라 구동함으로써, 상기 포커스 상태를 조정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 조정 수단은, 상기 마크로부터 상기 수광 소자까지의 상기 광의 광로 길이를 조정함으로써, 상기 포커스 상태를 조정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
7. 제6항에 있어서,
   상기 패턴의 형성에 사용하는 형은, 상기 광이 투과하는 만큼의 광로 길이가 제1 거리인 제1형 또는 상기 광이 투과하는 만큼의 광로 길이가 상기 제1 거리보다도 짧은 제2 거리인 제2형이며,
   상기 조정 수단은, 상기 광의 광로 길이가 상기 제1 거리와 상기 제2 거리의 차를 보완하는 광로 길이가 되는 부분을 포함하는 광학 부재를 갖고,
   상기 제1형을 사용해서 상기 패턴을 형성하는 경우에는 상기 광에 상기 부분을 투과시키지 않고, 상기 제2형을 사용해서 상기 패턴을 형성하는 경우에는 상기 광에 상기 부분을 투과시킴으로써, 상기 조정 수단은 상기 광로 길이를 조정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
8. 제7항에 있어서,
   상기 조정 수단은 상기 상 검출 수단을 제어하는 제어 수단을 더 갖고,
   상기 제어 수단은, 상기 광의 광로가, 상기 패턴의 형성에 사용하는 형의 종류와 상기 부분의 위치에 따른 광로가 되도록 상기 상 검출 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
9. 제6항에 있어서,
   상기 조정 수단은, 상기 광이 투과하는 만큼의 광로 길이가 서로 상이한 복수의 부분을 포함하는 광학 부재와, 상기 광의 광로가, 상기 패턴의 형성에 사용하는 형의 종류와 상기 복수의 부분의 각각의 위치에 따른 광로가 되도록 상기 상 검출 수단을 제어하는 제어 수단을 갖는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
10. 제8항에 있어서,
    상기 상 검출 수단은, 상기 마크로부터의 광을 상기 수광 소자로 유도하는 검출 광학계를 포함하고,
    상기 제어 수단은, 상기 검출 광학계를 그 광축과 교차하는 방향으로 이동시킴으로써 상기 광의 광로를 변경하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
11. 제6항에 있어서,
    상기 상 검출 수단이 배치된 제1 공간과 상기 패턴의 형성을 행하는 공간과 연통하는 제2 공간을 이격하는 격벽부를 갖는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
12. 제8에 있어서,
    상기 광의 광로가 상이한 경우에, 상기 상을 형성하는 광을 발생시키는 마크가 설치되어 있는 위치가 상이한 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
13. 제6항에 있어서,
    상기 광은 제1 광이며,
    상기 임프린트재는 상기 제1 광과는 상이한 파장 대역의 제2 광을 수광해서 경화하는 임프린트재이며,
    상기 제1 광은, 상기 제2 광의 광축에 대하여 경사 방향으로 상기 형을 투과하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
14. 제7항에 있어서,
    상기 광학 부재는 상기 형에 대하여 상기 물체가 배치된 측과는 반대측에 고정 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
15. 제7항에 있어서,
    상기 조정 수단은, 상기 광학 부재를 구동해서 상기 부분을 상기 패턴의 형성에 사용하는 형의 종류에 따른 위치에 배치하는 배치 수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
16. 제15항에 있어서,
    상기 광은 제1 광이며,
    상기 임프린트재는 상기 제1 광과는 상이한 파장 대역의 제2 광을 수광해서 경화하는 임프린트재이며,
    상기 배치 수단이 상기 부분을 상기 광의 광로 내에 배치함으로써, 상기 광학 부재가 상기 제2 광의 광로 내에도 배치되는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
17. 제15항에 있어서,
    상기 광은 제1 광이며,
    상기 임프린트재는 상기 제1 광과는 상이한 파장 대역의 제2 광을 수광해서 경화하는 임프린트재이며,
    상기 광학 부재는 제1 광학 부재이며,
    상기 배치 수단은 제1 배치 수단이며,
    상기 제1 배치 수단이 상기 제1 광의 광로 내이면서 또한 상기 제2 광의 광로 밖에 상기 제1 광학 부재를 배치하고, 상기 제2 광의 광로 내에 제2 광학 부재를 배치하는 제2 배치 수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
18. 제6항에 있어서,
    상기 조정 수단은, 상기 패턴의 형성에 사용하는 형의 종류에 따라 상기 형에 광학 부재를 적재 가능한 적재 수단인 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
19. 제18항에 있어서,
    상기 패턴의 형성에 사용하는 형은, 상기 광이 투과하는 만큼의 광로 길이가 제1 거리인 제1형 또는 상기 광이 투과하는 만큼의 광로 길이가 상기 제1 거리보다도 짧은 제2 거리인 제2형이며,
    상기 광학 부재는, 상기 광이 투과하는 만큼의 광로 길이가 상기 제1 거리와 상기 제2 거리의 차를 보완하는 광로 길이가 되는 광학 부재이며,
    상기 적재 수단은,
    상기 패턴의 형성에 사용하는 형이 상기 제1형인 경우에는 상기 광학 부재를 상기 형에 적재하지 않고,
    상기 패턴의 형성에 사용하는 형이 상기 제2형인 경우에는 상기 광학 부재를 상기 형에 배치하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
20. 제18항에 있어서,
    상기 제2형은 상기 물체와 대향하는 측과는 반대측에 오목부를 갖고, 상기 적재 수단은 상기 오목부에 상기 광학 부재를 적재하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
21. 제1항에 있어서,
    상기 상은, 상기 수광 소자에서 상기 기판에 설치된 마크 및 상기 형에 설치된 마크로부터의 광으로부터 형성되는 상인 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
22. 제1항에 있어서,
    상기 조정 수단이 상기 상의 포커스 상태를 제1의 양 조정한 후, 상기 광의 광로 상의 광학 소자를 상기 광로를 따라 이동시켜 상기 상의 포커스 상태를 제1의 양보다 작은 제2의 양 조정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
23. 형을 사용해서 물체 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며, 상기 형 및 상기 물체 중 적어도 한쪽에 설치된 마크로부터의 광을 상기 형을 통해서 수광하는 수광 소자를 구비한 상 검출 수단과,
    상기 형이 상기 광이 투과하는 만큼의 광로 길이가 제1 거리인 제1형 또는 상기 광이 투과하는 만큼의 광로 길이가 상기 제1 거리보다도 짧은 제2 거리인 제2형인 경우에, 상기 광의 광로 길이가 상기 제1 거리와 상기 제2 거리의 차를 보완하는 광로 길이가 되는 부분을 포함하는 광학 부재와,
    상기 제1형을 사용해서 상기 패턴을 형성하는 경우에, 상기 광의 광로가 제1위치에 설치된 마크로부터 상기 부분을 투과하지 않고 상기 상 검출 수단을 향하는 제1 광로가 되도록 상기 상 검출 수단을 제어하고,
    상기 제2형을 사용해서 상기 패턴을 형성하는 경우에, 상기 광의 광로가 상기 제1위치와는 상이한 제2위치에 설치된 마크로부터 상기 부분을 투과해서 상기 상 검출 수단을 향하는 제2 광로가 되도록 상기 상 검출 수단을 제어하는 제어 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
24. 형을 사용해서 물체 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 패턴의 형성에 사용하는 형의 종류를 나타내는 정보를 취득하는 공정과,
    상기 형 및 상기 물체 중 적어도 한쪽에 설치된 마크로부터의 광이 상기 형을 통해서 상기 수광 소자 상에 형성하는 상의 포커스 상태를, 상기 취득한 정보에 기초해서 조정하는 공정과,
    상기 포커스 상태가 조정된 상태에서, 상기 상을 검출하는 공정을 갖는 것 특징으로 하는 임프린트 방법.
25. 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 장치를 사용해서 상기 물체 상에 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 공정에서 패턴이 형성된 물체를 가공하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.

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