JP4712370B2 - インプリント・リソグラフィのための複合スタンパ - Google Patents

Description

本発明は、インプリント・リソグラフの製造の分野、より詳細にはインプリント・リソグラフィのためのスタンパに関する。

スタンプは、様々な応用分野で使用され、また様々な目的で使用される。スタンプ使用の領域は、マイクロ密着印刷（μＣＰ）やナノ転写印刷（ｎＣＰ）を含む。密着または転写印刷は、スタンプと基板の２つの要素が物理的に接触させれたときに、スタンプの隆起領域から基板へ薄膜を転写する表面化学による。この技術は、ソフト・リソグラフィと称されるパターニング方法を使用する付加プロセスである。Ｂ．Ｍｉｃｈｅｌらによる、「Ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｍｅｅｔｓ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ｓｏｆｔ ａｐｐｒｏａｃｈｅｓ ｔｏ ｈｉｇｈ−ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ」という名称の文献、ＩＢＭ Ｊ．Ｒｅｓ．＆Ｄｅｖ．Ｖｏｌ．４５ Ｎｏ．５ ２００１年９月に、マイクロ密着印刷におけるエラストマ・スタンプの使用が記載されている。記載されたエラストマ・スタンプ（ハイブリッド印刷スタンプとしても知られる）は、図１Ａに示されるように、支持材料（金属など）の圧縮可能な背面に設けられた、パターン形成されたエラストマ層で構成される。スタンプのパターン形成されたエラストマ層は、インクが塗られ、次に硬質基板上に印刷され、図１Ｂに示されるように硬質基板上にインクの単層を形成する。そのようなスタンプを使用する転写印刷は、少ない圧力を加えるだけで実行される。

密着印刷とは対照的に、エンボス加工することは、材料の層をスタンパで移すまたは成形するインプリント・プロセスである。インプリント・プロセスは、密着印刷で使用されるスタンプで加えられる圧力より大きな圧力を必要とする。エンボス加工における傾向は、ナノ・インプリント・リソグラフィ（ＮＩＬ）技術の開発である。ＮＩＬ技術は、ディスクリート・トラック記録（ＤＴＲ）磁気ディスクを作るために、ディスク・ドライブ産業で使用される。ＤＴＲディスクは、一般に、データを格納する一連の同心状の隆起した領域（ヒル、ランド、エレベーションなどとしても知られる）と、ノイズを低減するためにトラックの間を分離する凹部領域（トラフ、バレイ、溝などとしても知られる）を有する。そのような凹部領域には、サーボ情報も格納することができる。凹部領域は、凹部領域における意図しないデータの格納を禁止するまたは妨げるために、隆起した領域を分離する。

ＮＩＬは、ＤＴＲパターンの逆（陰画レプリカ）を有する事前にエンボス加工された硬質形成ツール（スタンパ、エンボス加工機などとしても知られている）の使用を含む。スタンパは、ディスク基板上のポリマの薄層上に押圧される。スタンパとポリマ／基板は、それぞれ加熱され結合され、次にスタンパは、ポリマ層上にＤＴＲパターンのインプリントを残して取り除かれる。
米国特許第６５１７９９５号明細書 Ｂ．Ｍｉｃｈｅｌら、「Ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｍｅｅｔｓ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ｓｏｆｔ ａｐｐｒｏａｃｈｅｓ ｔｏ ｈｉｇｈ−ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ」、ＩＢＭ Ｊ．Ｒｅｓ．＆Ｄｅｖ．Ｖｏｌ．４５ Ｎｏ．５ ２００１年９月

ＤＴＲ磁気ディスクの製造におけるＮＩＬ技術の１つの要件は、信頼性のある方法でサブ１００ナノメートル（ｎｍ）フィーチャを製造する性能である。インプリント・プロセスにおいて、ポリマ厚みは、一般に４０から５００ｎｍの範囲である、この厚みは、スタンパとポリマ／基板表面の厚みの変化より小さいことがある。ＮＩＬは、ポリマ／基板表面とスタンパ表面との間で良好なコンプライアンスまたは平行性を可能にするスタンパの適用を必要とする。表面間のコンプライアンスは、インプリントされた表面の表面形態によって、またスタンパの厚みによって制限される。一般に約３００ミクロンの厚みである従来のＮＩＬスタンパが有する１つの問題は、ディスク表面とスタンパ表面の厚みのために、ディスク表面とスタンパ表面との間に良好なコンプライアンスを提供できないことである。スタンパの厚みを低減することによってコンプライアンスを増大することは可能であるが、そのような方法は、許容可能ではない可能性がある。なぜなら、非常に薄いスタンパは、その形成（めっき操作の間など）の間に、またプレス・システムにスタンパを搭載する間の取り扱いが困難であるからである。

インプリント操作に関する上述のパターン形成されたエラストマ層印刷スタンプまたはハイブリッド印刷スタンプを使用する問題は、そのようなスタンプが、エンボス加工操作に関して十分な硬さではない可能性があることである。そのようなスタンプは、インプリント操作に必要である可能性がある、鋭いまたは微細な溝または他の類似するエンボス加工された構造を作るには柔らか過ぎ、かつ製造で実行される多数のインプリントのために十分な耐久性を持っていないことがある。そのようなスタンプは、低いスタンプ圧力を使用する密着印刷操作での使用に制限される。

米国特許第６５１７９９５号は、液体エンボス加工プロセスにおけるエラストマ・スタンプの使用を記載している。そのようなエンボス加工プロセスにおいて、材料の薄膜が基板上に設けられる。その材料は、液体として元々存在するか、または後でエンボス加工に先立って液化される。材料は、パターン形成されたエラストマ・スタンパを使用して低圧力でエンボス加工することによってパターン形成される。パターン形成された液体は、次に機能層を形成するために硬化される。しかしながら、そのようなスタンパは、低いスタンプ圧力と液体エンボス加工物質を使用する液体エンボス加工プロセスを用いる使用だけに制限されることがある。

以下の記載において、本発明を完全に理解するために、特定の材料または構成要素の例など多数の特定の詳細が述べられる。しかしながら、これらの特定の詳細は、本発明を実行するために必ずしも用いられる必要がないことは、当業者には明らかであろう。他の例において、良く知られた構成要素または方法については、本発明を不必要に不明瞭にすることを避けるために、詳細に述べられていない。

本明細書で使用される用語「上方」、「上」、「下方」は、他の層または構成要素に対する、ある層または構成要素の相対位置を指す。そのように、他の層または構成要素の上方または上のある層または構成要素は、他の層または構成要素と直接に接触させることができるか、または１つ以上の介在する層または構成要素を有することができる。さらに、層または構成要素の間に付着されたまたは配置されたある層または構成要素は、層／構成要素と直接に接触させることができるか、または１つ以上の介在する層／構成要素を有することができる。

本明細書で論じられる装置と方法は、様々なタイプのディスクを製造するために使用できることに留意されたい。例えば一実施態様において、本明細書で論じられる装置と方法は、磁気記録ディスクを製造するために使用できる。別法として、本明細書で論じられる装置と方法は、例えば、コンパクト・ディスク（ＣＤ）やデジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）などの光記録ディスクなど、他のタイプのデジタル記録ディスクを製造するために使用できる。さらに他の実施態様において、本明細書で論じられる装置と方法は、例えば、半導体デバイスの製造や液晶ディスプレイ・パネルなどの他の応用分野でも使用できる。

硬質材料インプリント構造に結合された圧縮可能な背面層を有する複合スタンパが記載される。硬質材料は剛性材料でもある。一実施態様において、スタンパのインプリント構造は、硬質材料でパターン形成された層を作るために、硬質材料例えばニッケル（Ｎｉ）でモールドを電気めっきし、次に硬質層の背面（インプリント・パターンの側とは反対側）上にエラストマの重合化された層を配置することによって形成できる。パターン形成された硬質材料層に対するそのようなエラストマの接合は、スタンパの容易な取り扱いを可能にし、かつインプリント中の均一な圧力分散と良好なコンプライアンスを確実にすることもできる。一実施態様において、パターン形成された層は、より厚いエラストマ層に対して薄くてもよい。スタンパまたはエンボス加工ツールが、磁気記録ディスクの製造のための基板の上方に配置されるエンボス加工可能な層材料（例えば、変形可能な固体）上にディスクリート・トラック・パターンを作るために使用できる。スタンパが、ディスク形状の基板（例えば、磁気記録ディスク基板）上にエンボス加工可能な層をインプリントするために使用される場合、スタンパは、対応するディスク形状を有する。そのような実施態様において、スタンパの寸法は径として参照される。別法として、スタンパは、インプリントされるべき基板および／またはエンボス加工可能な層の寸法と形状に対して、大きいおよび／または異なる形状とされる。代替実施態様において、スタンパは、他の形状や他の対応する寸法（例えば、幅および長さ）を有することができる。

本明細書で論じられる装置と方法は、信頼性のある方法でエンボス加工可能な層における例えばサブ１００ナノメートル（ｎｍ）の製造を可能にすることができる。インプリント・プロセスにおいて、エンボス加工可能な層の厚みは、例えば１０から５００ｎｍの範囲にあることができ、この厚みは、スタンパとエンボス加工可能な層／基板表面の厚みの変化より薄いことがある。本明細書で論じられる装置と方法は、エンボス加工可能な層／基板の表面とスタンパ表面との間に良好なコンプライアンスまたは平行性をうまく進めることができる。装置と方法は、ナノ・インプリント・リソグラフィに関して本明細書で論じられるが、装置と方法は、他のスケール（例えば、マイクロ）インプリント・リソグラフィ技術で使用することもできる。

本発明は、制限するものではない例としての添付の図面に示される。

以下の考察は、複合スタンパおよびその構造の製造方法の一実施形態を示す、図２Ａ−２Ｅおよび図３を参照して行われる。一実施形態において、複合スタンパ２００のパターンが形成された硬質層２１０は、図２Ａのマスタ・テンプレート１１０から作られる。マスタ・テンプレートを作ることは、従来技術で知られており、したがって詳細に説明しない。ディスクリート・トラック媒体に対して、マスタ・テンプレート１１０の形状は、磁気記録ディスクのエンボス加工可能な層（例えば、ポリマ）にエンボス加工する所望のパターンである。そのように、マスタ・テンプレート１１０の表面トポロジは、磁気記録ディスクのエンボス加工可能な層にエンボス加工されるパターンの逆である、パターン形成された層２１０の形状を作るために使用される。例えば、パターン形成された層２１０は、約１００ｎｍより小さい寸法を有する形状フィーチャを有する。別法として、パターン形成された層２１０は、１００ミクロンより大きな形状を形成されたフィーチャを有することもある。

一実施形態において、パターン形成された層２１０は、例えば、マスタ・テンプレート１１０の上に硬質材料（例えばＮｉ）を電鋳することによって生成される（ステップ３１０）。Ｎｉ金属合金を、例えばマスタ・テンプレート１１０上に電気めっきしてもよい。他の実施形態において、ＮｉＰを、マスタ・テンプレート１１０上に（例えば、電界めっきまたは無電界めっきを介して）めっきしてもよい。別法として、他の硬質金属または金属合金材料、例えばクロムを、パターン形成された層２１０に使用できる。一実施形態において、例えば、パターン形成された層２１０のための材料の硬度は、ほぼＶｉｃｋｅｒｓ硬度テストでＨＶ１００からＨＶ１０００、Ｋｎｏｏｐ硬度テストでＨＫ６０からＨＫ１０００の範囲である。使用できる様々な金属と金属合金に関する例示的な硬度は、Ｎｉ〜ＨＫ５５０、Ｃｒ〜ＨＫ９３０、ＮｉＰ（めっき後）〜ＨＫ５００−ＨＫ６００である。これらの硬度値は、例示だけのものであり、これらの金属／金属合金は、他の硬度値を有することができる。

めっきは、パターン形成された層２１０を形成するために使用できるいくつかの付加プロセスの１つである。別法として、例えばスピン被覆、ディップ被覆、ＣＶＤ、スパッタリングなどの他の付加プロセスを使用できる。代替実施形態において、（例えば、水晶またはＮｉ材料の）反応性イオン・エッチングなどの除去プロセスを使用できる。

さらに、パターン形成された層２１０に関して他の硬質材料、例えばガラスやセラミックを使用することもできる。一実施形態において、形成後、パターン形成された層２１０がマスタ１１０から分離される。別法として、パターン形成された層２１０は、以下に記載されるように、例えば背面層２２０が硬化された後の他の段階で、マスタ１１０から分離される。分離されパターン形成された層２１０が図２Ｂに示されている。一実施形態において、パターン形成された層２１０の隆起した領域は、例えばほぼ０．１ミクロンの程度の高さ２１３を有する。別法として、ターン形成された層２１０の隆起した領域は、他の高さを有してもよい。

次に、マスクキング層２１７が、図２Ｃに示されるように、パターン形成された層２１０の背面２１５に設けられる（ステップ３３０）。マスクキング層２１７は、図２Ｄに示されるように、パターン形成された層の背面２１５に外壁を形成させる（ステップ３４０）。マスクキング層２１７は、例えばフォトレジストなどの様々な材料で形成することができる。このマスクキング層は、従来技術で知られており、したがって詳細な考察は行わない。一実施形態において、外壁２１１は、パターン形成された層２１０の背面２１５のマスキング層２１７の周りに、めっきによって形成される。別法として、外壁２１１を作るために他の方法を使用できる。外壁２１１は、パターン形成された層２１０のために使用された材料と同一の材料、またはパターン形成された層２１０のために使用された材料とは異なる材料である。スタンパ２００に外壁２１１を形成することにより、図４に関して以下に論じられるように、エンボス加工可能な材料にスタンパ２００を押し込む間に、圧縮可能な材料２２０が外側に押し出されるのを防ぐことができる。

次に、マスキング層２１７が取り除かれ（ステップ３５０）、次に圧縮可能な材料２２０が、図２Ｅに示されるように、パターン形成された層２１０の背面２１５の、外壁２１１によって形成されたくぼみ内の領域に配置される（ステップ３６０）。圧縮可能な背面材料２２０は現場で形成することもでき、または別法として、他の技術を使用して取り付けるようにしてもよい。例えば、壁２１１の頂部表面をマスクし、次に、後に凝固する液体で表面２１５の壁内の領域を被覆させることができる。別法として、パターン形成された層の背面を、例えば非常に薄い膜が使用される、化学気相成長（ＣＶＤ）や、ディップ被覆、スピン被覆などの他の技術を使用して被覆することもできる。

次に、背面層２２０の材料が硬化される（ステップ３７０）。一実施形態において、硬化は、背面層２２０をある期間にわたって上昇した温度に曝すように、スタンパ２００を加熱することによって行う。加熱は、背面材料とパターン形成された層２１０の硬質材料との間を強く固定するために行われる。一実施形態において、硬化は、ほぼ２４時間から１５分間である硬化時間で、ほぼ室温から１５０度（℃）の範囲で行う。他の実施形態において、他の温度および硬化時間が使用できる。別法として、背面層２２０の材料を、例えばスタンパ２００の使用前に所定の時間待つことによって、加熱なしに硬化させてもよい。マスタ１１０からまだ分離していなかった場合には、パターン形成された層２１０を分離させる（ステップ３８０）。

一実施形態において、圧縮可能な背面材料２２０は、例えばＭｉｃｈｉｇａｎのＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能なＳｙｌｇａｒｄ１８４（商標）などのシリコーン・エラストマなどである。別法として、他のタイプのエラストマ、例えばウレタンを使用できる。圧縮可能な背面層２２０のために使用されるエラストマは、ほぼショア００スケールの２０から５５の範囲、ショアＡスケールの１０から１００の間の硬度値を有することができる。別法として、他の硬度値の他の圧縮可能な材料を使用できる。エラストマに関してしばしば論じられ得るが、圧縮可能な背面層２２０としてＵＶ硬化可能な材料（したがってそのような材料がステップ３７０でＵＶ硬化される）などの他のタイプの材料を使用できることに留意されたい。さらに他の熱硬化または放射硬化材料を背面層２２０に使用できる。圧縮可能な背面層２２０として使用するために選択される特定の材料は、例えば、熱抵抗値、硬度、パターン形成された層材料に対する接着性、繰り返される圧力印加に対する弾性を含む様々な要因に基づくことができる。

一実施形態において、背面層２２０の厚み２２２は、パターン形成された層２１０の厚み２１２にほぼ等しいか、またはパターン形成された層２１０の厚み２１２より厚くてもよい。例えば、パターン形成された層２１０の厚み２１２は、ほぼ１から１００ミクロンの範囲であり、背面層２２０の厚み２２２は、ほぼ１００ミクロンから５ミリメートルの範囲である。圧縮可能な（例えば、エラストマ材料）背面層２２０の厚みに等しいかまたはより厚い厚みを有する薄いパターン形成された層２１０を使用することにより、スタンパ２００の取り扱いを容易にし、かつ図４に示されるように、エンボス加工可能な層のインプリントの間に、より均一な圧力分散と良好なコンプライアンスを確保することができる。

図４は、図２Ｅの複合スタンパを使用するインプリント方法の一実施形態を示す。エンボス加工可能な層４１０を配置されたベース構造４００が、ネスト４３０の中に配置される。一実施形態において、エンボス加工可能な層４１０は、変形可能な固体である。一実施形態において、基板４００は、磁気記録ディスクのために使用される基板である。そのような実施形態において、スタンパ２００は、磁気記録ディスクの製造のためにエンボス加工可能な層４１０のインプリントに使用できる。磁気記録ディスクは、例えば、ベース構造４００としてニッケル・リン（ＮｉＰ）でめっきされた基板を有する、ディスクリート・トラックの長手方向へ磁化する磁気記録ディスクである。別法として、磁気記録ディスクは、ベース構造４００の基板に配置されたソフト磁気膜を有する、ディスクリート・トラックの垂直方向へ磁化する磁気記録ディスクである。ベース構造４００がディスク形状である実施形態において、ネスト４３０は、ベース構造４００を固定するためのエンボス加工可能な層４１０／ベース構造４００とほぼ同じ厚みを有する環状リングである。ベース構造が他の形状（例えば、正方形、矩形など）である実施形態においては、ネスト４３０は、同様にそのベース構造を固定するような形状に形成される。そのようなネスト４００は、スタンパ２００が、エンボス加工可能な層４１０／ベース構造４００の縁部に重なるのを妨げることができ、かつエンボス加工可能な層４１０の外側縁部の近くにより大きなコンプライアンスを持たせることができる。

ベース構造４００が、ネスト４３０に配置された後、スタンパ２００が、ベース構造を覆うように配置され、位置合わせされる。スタンパ４００がエンボス加工可能な層４１０と接触させられ、パターン形成された層２１０でエンボス加工可能な層４１０をインプリントするために、プレス４４０を使用してスタンパ２００に圧力を加える。一実施形態において、例えば、スタンパ２００に加えられる圧力は、ほぼ１０から２０００ｐｓｉの範囲である。別法として、他の圧力も使用できる。一実施形態において、プレス４４０の径は、背面層２２０の径４２１とほぼ同一である。別法として、プレス４４０の径は、背面層２２０の径４２１より小さい、または径４２１より大きいものとすることができる。一実施形態において、エンボス加工可能な層４１０の厚みは、例えばほぼ４０から５００ｎｍの範囲であり、スタンパ２００とエンボス加工可能な層４１０／ベース構造４００表面の厚み変化より小さいものとすることができる。

図４に示された実施形態においては、エンボス加工可能な層４１０を有するベース構造４０の一方の面だけがインプリントされる。そのような実施形態において、ブロック４４０は、硬質で平坦な表面を持っている。別法として、インプリントは、ベース構造４００の両側に載るエンボス加工可能な層に同時に実行することもできる。そのような実施形態において、ブロック４４０は、ベース構造４４０の反対側のエンボス加工可能な層をインプリントするためのスタンパとプレスである。

他の実施形態において、背面層２２０の径４２１は、パターン形成された層２１０によってインプリントされるエンボス加工可能な層４１０の領域の径４１１にほぼ等しいか、または径４１１より大きいものとすることができる。別法として、背面層２２０の径４２１は、パターン形成された層２１０によってインプリントされるエンボス加工可能な層４１０の領域の径４１１より小さいものとすることができる。

一実施形態において、インプリント後のエンボス加工可能な層４１０からスタンパ２００を容易に分離させるために、インプリント前にスタンパ２００のパターン形成された層２１０および／またはエンボス加工可能な層４１０にリリース層（図示せず）を設けてもよい。

図５Ａ−図５Ｃは、複合スタンパの製造方法とその構造の代替実施形態を示す。図５Ａのパターン形成された層２１０は、図２Ａ、図２Ｂに関して前述された方法と同様の方法で形成される。この実施形態において、層２１０の背面２１５の全体上にくぼみを形成するために、側壁５１１を、パターン形成された層２１０の縁部の周りに設けている。圧縮可能な材料２２０が、図５Ｂに示されるように、側壁５１１内のパターン形成された層２１０の背面２１５全体に配置される。圧縮可能な背面層２２０は、図２Ｅに関して前に論じられた方法と同様の方法で作られる。次に、図５Ｃに示されるように、スタンパ２００の径５１５全体に沿って圧縮可能な背面層２２０を配置したスタンパ２００を製造するために側壁５１１が取り除かれる。

パターン形成された層２１０は、例示目的だけのために、その径の大部分を横切る隆起した構造で示されたことに留意されたい。パターン形成された層２１０は、その径のある部分だけまたは他の寸法に沿ったインプリント構造を有することができる。例えば、パターン形成された層２１０は、磁気記録ディスクのデータ領域として使用されるベース構造４００の部分に載せられたエンボス加工可能な層４１０の領域にインプリント構造を設ける一方、ランディング領域および／または遷移領域として使用されるベース構造４００の部分に載せられたエンボス加工可能な層４１０の領域には、インプリント構造を設けないかまたは異なるインプリント構造（例えば、凹部領域に対する隆起した領域の異なる比）を設ける。パターン形成された層２１０の凹部領域に対する隆起した領域の比が、パターン形成された層２１０を横切って均一である必要はないことに留意されたい。

前述したように、本明細書で論じられた装置と方法は、ベース構造上に配置されたエンボス加工可能な層を有する様々なタイプのベース構造（例えば、ウエハおよびパネル酸化物／基板）で使用できる。代替実施形態において、例えば、本明細書で論じられるインプリント装置と方法は、例えばトランジスタなどの半導体デバイスを製造するために使用できる。そのような製造において、例えば、エンボス加工可能な層は、シリコン・ウエハ基板の上に酸化物（例えば、ＳｉＯ₂）層からなるベース構造上に配置される。スタンパは、トランジスタの活性領域のためのパターン形成された構造として作られる。スタンパは、エッチング技術（例えば、反応性イオン・エッチング）を使用して、酸化物層に転写されたエンボス加工されたパターンを有するエンボス加工可能な層にインプリントされる。従来技術で良く知られている後続の半導体ウエハ製造技術が、トランジスタを製造するために使用される。

代替実施形態において、例えば、本明細書で論じられたインプリント装置と方法は、フラット・パネル・ディスプレイのためのピクセル・アレイを製造するために使用できる。そのような製造において、エンボス加工可能な層は、例えば、基板の上のインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）層からなるベース構造上に配置される。スタンパは、ピクセル・アレイ・パターンの逆であるパターン形成された層を有している。スタンパは、ＩＴＯ層をパターン形成するために、エッチング技術を使用してＩＴＯに転写されたエンボス加工されたパターンを有するエンボス加工可能な層にインプリントされる。結果として、アレイの各ピクセルは、そうでなければ連続するＩＴＯアノード上に、ＩＴＯ材料がないことによって分離される（エッチングによって取り除かれる）。従来技術で良く知られている後続の製造技術が、ピクセル・アレイを製造するために使用される。

さらに他の実施形態において、他の例として、本明細書で論じられるインプリント装置と方法は、レーザを製造するために使用できる。そのような製造において、スタンパによってパターン形成されたエンボス加工可能な材料領域が、光放出材料のためのレーザ・キャビティを区画するためにマスクとして使用される。従来技術で良く知られている後続の製造技術が、レーザを製造するために使用される。さらに他の実施形態において、本明細書で論じられるインプリント装置と方法は、例えば、多層電子パッケージング、光学通信デバイスの製造、密着／転写印刷などの他の応用分野で使用できる。

前述の明細書において、本発明は、その特定の例示的な実施形態を参照して記載された。しかしながら、添付の特許請求の範囲に示される本発明のより広い精神および範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更を行うことができることは明らかである。したがって、明細書および図面は、限定的な意味より例示的な意味であるとみなされる。

支持材料の圧縮可能な背面に取り付けられたパターン形成されたエラストマ層からなる従来のスタンプを示す。 図１Ａのスタンプを使用して硬質基板上にインク層を形成する密着印刷プロセスを示す。 その製造中の複合スタンパの構造の一実施形態を示す断面図である。 複合スタンパの製造方法の一実施形態を示す。 図２Ｅの複合スタンパを使用するインプリント方法の一実施形態を示す。 その製造の異なる段階での複合スタンパの構造の他の実施形態を示す断面図である。

符号の説明

１１０ マスタ・テンプレート、２００ 複合スタンパ、２１０ パターンが形成された硬質層、２１１ 外壁、２１２、２２０ 厚み、２１３ 高さ、２１５ 背面、２１７ マスキング層、２２０ 圧縮可能な材料

Claims (4)

1. 硬質材料からなり、第１の径を有し、かつ空洞を形成する外壁により境界された背面を有するパターン形成された層と、そして
   圧縮可能な材料からなり、前記第１の径よりも小さい第２の径を有し、かつ前記外壁の前記空洞内で前記パターン形成された層の前記背面に直接接着された背面層と
   から構成され
   前記パターン形成された層が１−３００ミクロンの範囲の第１の厚さを有し、そして
   前記背面層が前記パターン形成された層の前記第１の厚さに等しいかまたは大きい第２の厚さを有する
   ことを特徴とするスタンパ。
2. 前記硬質材料は、金属であることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
3. 前記硬質材料は、ニッケルであることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
4. 前記硬質材料は、ＮｉＰであることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。

Images