TWI444282B - 樹脂壓模（ｓｔａｍｐｅｒ）之製造方法及製造裝置及壓印（ｉｍｐｒｉｎｔ）方法、以及磁性記錄媒體及磁性記錄再生裝置 - Google Patents

樹脂壓模（ｓｔａｍｐｅｒ）之製造方法及製造裝置及壓印（ｉｍｐｒｉｎｔ）方法、以及磁性記錄媒體及磁性記錄再生裝置 Download PDF

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Description

樹脂壓模(stamper)之製造方法及製造裝置及壓印(imprint)方法、以及磁性記錄媒體及磁性記錄再生裝置
本發明係關於製造圖案被轉印之同時，於中心部或端部等形成有對位用的孔部之樹脂壓模(stamper)的方法及裝置，及使用彼等所製造的磁性記錄媒體、以及具備該磁性記錄媒體之磁性記錄再生裝置。
本申請案係主張依據2007年10月19日，於日本提出之特願2007-273006號、2007年11月19日，於日本提出的特願2007-299900號、及2008年1月18日，於日本提出的特願2008-009396號之優先權，於此處援用彼等之內容。
近年來，磁性光碟裝置、軟碟裝置、磁帶裝置等之磁性記錄裝置的適用範圍明顯增大，其重要性增加之同時，關於此等裝置所使用的磁性記錄媒體，其記錄密度也逐漸獲得顯著提升。特別是MR磁頭及PRML技術的導入以來，面記錄密度的提升更急遽增加，於近年中，更有GMR磁頭、TMR磁頭等被導入，以1年約100%之程度持續增加。關於此等磁性記錄媒體，今後更被要求達成高記錄密度，為此，被要求達成能磁性記錄層的高保磁力化與高訊號對雜訊比(SNR)、高分解能。另外，近年來，在線記錄密度的提升之同時，藉由軌道密度的增加，來提升面記錄密度之努力也持續著。
關於最新的磁性記錄裝置，也達到了軌道密度110kTPI之程度。但是，隨著軌道密度提升，鄰接之軌道間的磁性記錄資訊會相互干涉，其邊界區域的磁化轉移區域成為雜訊源，容易產生有損SNR之問題。此會導致位元誤碼率(Bit Error rate)的降低，對於記錄密度的提升有害。
為了提升面記錄密度，需要將磁性記錄媒體上的各記錄位元之尺寸變得更微細，使各記錄位元可以確保盡可能大的飽和磁化與磁性膜厚。但是，隨著記錄位元微細化，每一位元之磁化最小體積變小，由於熱擺動所導致的磁化反轉，會產生記錄資料消失的問題。
另外，軌道間距離接近的關係，磁性記錄裝置被要求高精度的軌道伺服技術，同時，為了寬幅地執行記錄，再生為了盡可能排除來自鄰接軌道的影響，一般係使用比記錄時更窄地執行之方法。於此方法中，可以將軌道間的影響抑制為最小限度，反之，要充分獲得再生輸出有其困難，因此，存在有難於確保充分之SNR的問題。
達成此種熱擺動的問題或SNR的確保、或充分輸出的確保之方法之一，於記錄媒體表面形成沿著軌道的凹凸，或於鄰接軌道間形成非磁性部，藉由使記錄軌道彼此實體上分離，來提升軌道密度之方法正被嘗試中。以下，將此種技術稱為分離軌道法。
作為分離軌道型磁性記錄媒體之一例，被熟知的有：由於表面形成有凹凸圖案的非磁性基板形成磁性記錄媒體，來形成實體上分離之磁性記錄軌道及伺服訊號圖案所形成的磁性記錄媒體(例如，參照專利文獻1)。此磁性記錄媒體係於表面有複數凹凸的基板之表面，介由軟磁性層來形成強磁性層，於其表面形成有保護膜者。於此磁性記錄媒體中，於凸部區域形成有與周圍磁性地分隔之磁性記錄區域。
如依據此磁性記錄媒體，可以抑制在軟磁性層之磁壁發生，不易受到熱擺動的影響，也沒有鄰接之訊號間的干涉，可以形成雜訊少的高密度磁性記錄媒體。
分離軌道法有：於形成由幾層的薄膜所構成的磁性記錄媒體後，再形成軌道之方法；及事先在基板表面直接、或於為了軌道形成之薄膜層形成凹凸圖案後，進行磁性記錄媒體之薄膜形成的方法(例如，參照專利文獻2、專利文獻3)。其中，常將後者之方法稱為預先壓花法或基板加工型。預先壓花法係於媒體形成前完成對於媒體表面的實體性加工，有製造工程可以簡化，且媒體在製造工程中不易受到污染的優點，反之，形成於基板的凹凸形狀也被所形成的薄膜所繼承，存在有一面浮在媒體上一面進行記錄再生的記錄再生頭之浮起姿勢、浮起高度不穩定的問題點。
另一方面，關於半導體裝置，基於微細化之進一步加速之高速動作、低消耗電力動作受到要求，另外，以系統LSI之名而被稱呼的功能之統合化等的高度技術受到要求。於此背景下，半導體裝置製程的核心技術之微影法技術，隨著微細化之進展，裝置變得更為高價。
現在，光曝光微影法係從最小線寬130nm之KrF雷射微影法，逐漸開始轉移為更高解析度的ArF雷射微影法。
然後，相對於ArF雷射微影法之量產等級的最小線寬為100nm，2003年要開始90nm、2005年要開始65nm、2007年要開始45nm裝置之製造。
於此種狀況下，作為更微細技術而被期待者為：F2雷射(F2激光雷射)微影法或極端紫外線曝光微影法(EUVL；Extreme UltraViolet Lithography)、電子束縮小轉印曝光微影法(EPL；Electron bean Projection Lithography)、X射線微影法。然後，此等微影法技術，在40nm~70nm之圖案製作上已經獲得成功。
但是，隨著微細化的進步，有曝光裝置本身的初期成本係指數函數性地增加，此外，要獲得與使用光波長同等程度的解析度之光罩的價格急速提高的問題，雖然便宜，作為具有10nm程度的解析度之加工技術，奈米壓印(imprint)微影法受到注目(參照專利文獻4)。
[專利文獻1]日本專利特開2004-164692號公報
[專利文獻2]日本專利特開2004-178793號公報
[專利文獻3]日本專利特開2004-178794號公報
[專利文獻4]日本專利特開2004-504718號公報
分離軌道型磁性記錄媒體，係具有：於表面形成有凹凸圖案的非磁性基板形成記錄用的磁性層，進而以保護膜層來覆蓋其表面之外，並形成有潤滑層之構造。於此種構造的磁性記錄媒體中，保護膜層愈薄，磁頭與磁性層的距離愈短，在磁頭之訊號的輸入輸出變大，記錄密度也可以提高。另外，軌道內的訊洞(pit)密度係由行走於凹凸狀的保護膜層表面之磁頭的浮起高度所決定。因此，如何保持穩定的磁頭浮起程度，於達成高記錄密度上，是很重要的課題。
如依據藉由通常之濺鍍薄膜形成法之磁性記錄媒體的形成方法，基板的凹凸形狀原樣地由磁性層或保護膜層所繼承。於形成在凹凸基板的磁性層表面藉由濺鍍薄膜形成法來形成保護膜層時，係一面仿效基板的凹凸形狀一面於比凹部更厚的凸部薄薄地堆積保護膜層。
因此，一面保持穩定的磁頭浮起，一面使磁頭盡可能接近磁性層，且防止與鄰接之軌道的訊號之相互干涉的凹凸圖案受到要求。
在想要於非磁性基板製造此種精密形狀的凹凸圖案的情形時，通常，係使用藉由精密加工於Ni合金等之基板形成所期望的形狀之圖案之Ni合金壓模。如是此種Ni合金壓模，具有：微細圖案的轉印精度良好，為了多數片之非磁性基板的製造，即使長期間使用，壓模也不易產生損耗或損傷的特徵。
可是，Ni合金壓模，在長壽命之反面，有單價高的問題，由於長壽命，可以加工(數1000片~數萬片)之數目的基板，可是在壓印(imprint)之時，環境中有塵埃或發生傷痕等，將彼等以壓印裝置夾住的狀態下進行壓印之情形，塵埃或傷痕等原樣地被轉印於基板的結果，會有產生圖案缺陷的問題。然後，在檢查時，沒有發現假定是塵埃或損傷等為其原因而產生圖案缺陷的狀況下，直到Ni合金壓模的更換為止之間，會產生數1000片~數萬片數目之基板成為不良品的問題。
另外，在半導體領域中，以現在作為壓印壓模而被廣泛使用的Ni合金為材料來製作對應成為現在半導體裝置之起始材料的主流之大面積的晶圓之大面積的壓模，從生產性或成本觀點而言，存在有非常困難的問題。
為了解決此種問題點，本案發明人考慮代替Ni合金之壓模，而將樹脂製的壓模使用為磁性記錄媒體的凹凸圖案形成用。如是樹脂製的壓模，與Ni合金的壓模比較，雖然壽命短，但是可以非常便宜地製造，只是樹脂製的壓模，反之壓印時，即使是起因於塵埃或損傷而產生圖案缺陷，但是，樹脂製的壓模的更換時期短，可以避免大量製造不良的磁性記錄媒體之問題。
另外，在半導體領域中，以現在作為壓印壓模而被廣泛使用的Ni合金為材料來製作對應成為現在半導體裝置之起始材料的主流之大面積的晶圓之大面積的壓模，從生產性或成本觀點而言，存在有非常困難的問題。
本發明係有鑑於上述情形所完成者，目的在於提供：不使用Ni合金基板的壓模，可以便宜地製造能以低成本提供的樹脂壓模之技術。進而，樹脂壓模比Ni合金壓模便宜，但壽命短，樹脂壓模的更換比以往的Ni合金壓模頻度更高，因此，具有不會錯誤地產生大量的不良品就進行更換，不易產生轉印圖案之磁性記錄媒體等之產品的大量不良之特徵。
本發明之目的在於提供：可以便宜地製造前述的樹脂壓模之裝置。
為了達成前述目的，本發明係採用以下的構造。
一種樹脂壓模之製造方法，其特徵為具有：
將樹脂製之基材按壓於表面形成有圖案之主壓模予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該基材之工程；及
衝壓加工前述基材之工程。
1)本發明之樹脂壓模之製造方法，其特徵為具有：於樹脂製的基材至少形成1層的硬化性樹脂層來當成複合基材後，將該複合基材的該硬化性樹脂層側按壓於表面形成有圖案之主壓模並予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該複合基材之工程(1)、及照射活性熱能線或予以加熱，使該複合基材的一部份硬化之工程(2)、及衝壓加工前述基材及/或複合基材之工程(3)。
2)本發明之樹脂壓模之製造方法，前述硬化性樹脂為活性熱能線硬化性樹脂，前述工程(2)，係照射活性熱能線來使複合基材的一部份硬化之工程。
3)本發明之樹脂壓模之製造方法，係於1)或2)所記載之工程(3)中，以於前述圖案形成部分的內側形成衝壓加工部之方式，來衝壓前述基材或複合基材。
4)本發明之樹脂壓模之製造方法，係於1)或2)所記載之工程(3)中，於前述圖案形成部分的內側形成衝壓加工部，以於前述圖案形成部分的外側形成周緣部之方式來衝壓前述複合基材。
5)本發明之樹脂壓模之製造方法，其中1)、2)、3)或4)所記載之基材為具有比壓縮成形時之基材溫度更高的玻璃轉移溫度(Tg)之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片。
6)本發明之樹脂壓模之製造方法，其中5)所記載之複合基材係藉由以液狀將前述硬化性樹脂塗布或印刷於前述熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片的工程所獲得。
7)本發明之樹脂壓模之製造方法，作為5)所記載之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片，為使用波長200nm以上、400nm以下的紫外線透過20%以上之薄膜或薄片。
8)本發明之樹脂壓模之製造方法，作為1)、2)、3)、4)、5)、6)或7)所記載之硬化性樹脂，係使用具有從(甲基)丙烯醯基、氧雜烷丁烷基、氧化環己烯基及乙烯乙醚基所選擇之1種以上的樹脂。
9)本發明之樹脂壓模之製造方法，其中1)、2)、3)、4)、5)、6)、7)或8)所記載之硬化性樹脂層，係於硬化後，可以使波長200nm以上、波長400nm以下的紫外線透過20%以上。
10)本發明之樹脂壓模之製造方法，作為5)、6)或7)所記載之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片，係使用溫度25℃中之拉伸彈性率為1.3GPa以上，且拉伸伸長率為3%以上之薄膜或薄片。
11)本發明之樹脂壓模之製造方法，係將：以液狀將前述硬化性樹脂塗布或印刷於6)、7)、8)、9)或10)所記載之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片來獲得複合基材之工程；及將該複合基材按壓於前述主壓模並予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該複合基材之工程；及照射活性熱能線，使該複合基材的一部份硬化之工程、及於前述硬化的中途或之後衝壓加工該複合基材之工程，以此順序連續地進行。
12)本發明之樹脂壓模之製造方法，其中11)所記載之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片，係於單面施以易接著處理之厚度5~188μm的聚乙苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
13)本發明之樹脂壓模之製造方法，其中11)或12)所記載之主壓模的材質，係玻璃、石英或鎳電鑄品。
14)本發明之樹脂壓模之製造方法，其中13)所記載之主壓模的材質為鎳電鑄品，從與該主壓模相反側照射活性熱能線來使前述複合基材的一部份硬化。
15)本發明之樹脂壓模之製造方法，其中11)、12)、13)或14)所記載之活性熱能線，係200nm~400nm之波長的紫外線。
16)本發明之樹脂壓模之製造方法，係進行：以於3)所記載之圖案形成部分的內側形成衝壓加工部之方式，將前述基材或複合基材予以衝壓後，使用該衝壓加工部，進行前述主壓模與前述基材或前述複合基材的對位，之後，將前述複合基材按壓於前述主壓模予以壓縮成形，於該複合基材轉印前述主壓模的圖案之工程(1)；及使該複合基材的一部份硬化之工程(2)。
17)本發明之樹脂壓模之製造方法，其中16)所記載之基材，係於具有比壓縮成形時之基材溫度更高的玻璃轉移溫度(Tg)之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片，以液狀塗布或印刷硬化性樹脂所獲得之複合基材。
18)本發明之樹脂壓模之製造方法，係將以液狀來把前述硬化性樹脂塗布或印刷於17)所記載之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂之硬化物的薄膜或薄片，來獲得複合基材的工程；及以於前述圖案形成部分的內側形成衝壓加工部之方式，將前述複合基材予以衝壓之工程；及於使用該衝壓加工部進行與前述主壓模的對位後，將前述複合基材按壓於前述主壓模予以壓縮成型，將前述主壓模的圖案轉印於該複合基材之工程；及使該複合基材的一部份硬化之工程，依上述順序予以連續地進行。
19)本發明之樹脂壓模之製造裝置，係對於表面形成有圖案之主壓模，按壓由至少具有1層的硬化性樹脂層所形成的複合基材並予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該複合基材的同時，衝壓加工前述複合基材來製造樹脂壓模之裝置，其特徵為：
對於前述主壓模，設置有可以移動自如之切刀構件，於前述切刀構件的附近，設置有對前述切刀構件的前端側照射光線之照射裝置及透光按壓基盤，前述複合基材可在前述主壓模與前述切刀構件之間介插自如，以前述透光按壓基盤與前述主壓模來夾入配置於前述切刀構件與前述主壓模之間的前述複合基材，將主壓模側之所期望圖案轉印於前述複合基材之同時，以從前述照射裝置將光線照射於前述複合基材，可使前述硬化性樹脂層硬化之方式，且藉由前述切刀構件將前述複合基材在前述硬化性樹脂層的硬化之前後或前述硬化性樹脂層的硬化之同時可以衝壓加工自如地構成。
20)本發明之樹脂壓模之製造裝置，其中19)所記載之前述照射裝置，係連續脈衝發光的UV照射裝置。
21)本發明之樹脂壓模之製造裝置，其中20)所記載之連續脈衝發光的UV照射裝置之燈，係石英氙氣燈。
22)本發明之樹脂壓模之製造裝置，其中19)所記載之照射裝置，係發出360~370nm波長之LED燈。
23)本發明之樹脂壓模之製造裝置，係對於表面形成有圖案之主壓模，按壓由至少具有1層的硬化性樹脂層所形成的複合基材並予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該複合基材的同時，衝壓加工前述複合基材來製造樹脂壓模之裝置，其特徵為：對於前述主壓模，設置有可以移動自如之切刀構件，於前述切刀構件的附近，設置有加熱構件，於前述外周切刀部與內周切刀部之間設置有按壓基盤，前述複合基材可在前述主壓模與前述切刀構件之間介插自如，以前述按壓基盤與前述主壓模來夾入配置於前述切刀構件與前述主壓模之間的前述複合基材，將主壓模側之所期望圖案轉印於前述複合基材之同時，以藉由來自前述加熱裝置之熱，可以使前述硬化性樹脂層硬化之方式，且藉由前述切刀構件將前述複合基材在前述硬化性樹脂層的硬化之前後或前述硬化性樹脂層的硬化之同時可以衝壓加工自如地構成。
24)本發明之樹脂壓模之製造裝置，其中19)、20、21)、22)或23)所記載之切刀構件，係具備：具有衝壓前述樹脂製的複合基材之中央部的內周切刀刃的內周切刀部所構成。
25)本發明之樹脂壓模之製造裝置，其中19)、20)、21)、22)或23)所記載之切刀構件，係具備；具有外周切刀刃之外周切刀部與具有配置於該外周切刀部的內側之內周切刀刃的內周切刀部所構成。
26)本發明之樹脂壓模之製造裝置，其中於19)、20)、21)、22)、23)、24)或25)所記載之主壓模的周圍，設置有：進行該主壓模的定位之同時，且導引衝壓完前述樹脂製的複合基材之前述切刀刃的滑動支撐構件。
27)本發明之壓印方法，其特徵為：使用藉由1)、2)、3)、4)、5)、6)、7)、8)或9)所記載之製造方法的樹脂壓模，對於形成於基體上的薄膜，或對於形成於基體上的遮罩層之上的薄膜，按壓前述樹脂壓模的圖案並予以壓印。
28)本發明之壓印方法，係於使用27)所記載之樹脂壓模來壓印時，以60MPa以下的壓力來進行壓印。
29)本發明之壓印方法，係將27)或28)所記載的薄膜之壓印前的厚度設定為50~500nm。
30)本發明之壓印方法，其中27)、28)或29)所記載之薄膜，係由包含：芳香族化合物、脂環式化合物、矽化合物中之至少一種的硬化性樹脂所形成的薄膜。
31)本發明之壓印方法，其特徵為：作為27)、28)或29)所記載之基體，係適用基體上具備磁性膜之磁性記錄媒體，利用形成於前述薄膜的圖案來去除前述磁性膜的一部份，或予以非磁性化。
32)本發明之磁性記錄媒體，其特徵為：利用31)所記載之方法所獲得。
33)本發明之磁性記錄再生裝置，其特徵為具備：32)所記載之磁性記錄媒體。
另外，本發明之另外一個型態，係採用以下之構成。
34)本發明之樹脂壓模之製造方法，係對於表面形成有圖案之主壓模，按壓樹脂製的基材並予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該基材的同時，衝壓加工前述基材來製造板狀的樹脂壓模之方法，其特徵為：前述樹脂製之基材係至少為具備表層與基層之複層構造，由25℃中之拉伸彈性率為1.5GPa以上，且玻璃轉移溫度為40℃以上的熱可塑性樹脂形成前述表層，以25℃中之拉伸彈性率為1.0GPa以下之低彈性樹脂形成前述基層，且於進行前述壓縮成形時，對於構成前述表層之樹脂的玻璃轉移溫度TgA ，以(TgA -10)℃以上之溫度，將前述表層按壓於前述主壓模。
35)本發明之樹脂壓模之製造方法，其中前述樹脂製的基材，係於前述基層與前述表層之外，進而具有背面層，以25℃中之拉伸彈性率為1.5GPa以上，且玻璃轉移溫度為40℃以上之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂來形成該背面層。
36)本發明之樹脂壓模之製造方法，於35)中，以具有分別比形成前述表層之樹脂的拉伸彈性率及玻璃轉移溫度更高的拉伸彈性率及玻璃轉移溫度之樹脂來形成前述背面層。
37)本發明之樹脂壓模之製造方法，於36)中，於進行前述壓縮成形時，對於前述表層樹脂的玻璃轉移溫度TgA 、前述背面層的玻璃轉移溫度TgC ，以比(TgA -10)℃還高、比TgC 還低的溫度來成形。
38)本發明之樹脂壓模之製造方法，其特徵為：在衝壓前述基材來獲得樹脂壓模時，配合所欲獲得之目的的樹脂壓模的平面形狀，來衝壓前述基材的內部側或外部側之至少其中一方。
39)本發明之樹脂壓模之製造方法，其特徵為：作為前述樹脂製的基材，係使用可使波長200nm以上、400nm以下之紫外線透過20%以上之薄膜或薄片。
40)本發明之壓印方法，其特徵為：於基體或基板形成活性熱能線硬化性樹脂薄膜，對於該薄膜面，按壓35)、36)、37)、38)或39)所記載之樹脂壓模。
41)本發明之壓印方法，係於40)所記載之壓印方法中，以0.01~60MPa的壓力來按壓前述壓模。
42)本發明之壓印方法，其中40)或41)所記載之活性熱能線硬化性樹脂薄膜的厚度為20nm~500nm。
43)本發明之壓印方法，其中40)、41)或42)所記載之活性熱能線硬化性樹脂薄膜，係包含：芳香族化合物、脂環式化合物、矽化合物中之至少一種化合物。
44)本發明之被微細圖案化的磁性記錄媒體之製造方法，其特徵為：對於以40)、41)、42)或43)所記載的方法來形成的微細圖案化面，將磁性膜的一部份予以去除，或將前述磁性膜的一部份予以非磁性化。
45)本發明之磁性記錄媒體，其特徵為：藉由44)所記載之方法來獲得。
46)本發明之磁性記錄再生裝置，其特徵為具備：45)所記載之磁性記錄媒體。
如依據本發明，可以將主壓模之圖案轉印於樹脂製之複合基材，能夠便宜地獲得具備有圖案之樹脂壓模。使用此樹脂壓模，藉由壓印法，例如於磁性記錄媒體的薄膜形成圖案，能夠利用薄膜的圖案來將磁性膜的一部份予以圖案去除，或沿著圖案予以非磁性化，能夠進行磁性膜之圖案化。如是此樹脂壓模，得以比以往的壓印法所使用的電鑄法之Ni合金壓模等之精密的金屬壓模遠為便宜地實施壓印法，能比目前為止更為便宜地實現磁性記錄媒體之磁性膜的圖案化等。
另外，樹脂壓模本身係比Ni合金版等之精密的金屬版更便宜，於使用於磁性記錄媒體的薄膜形成圖案等之用途的情形時，即使是因塵埃等之咬入，更換壓模本身的頻度變高的情形時，如果是便宜的樹脂製壓模，可以容易地更換，即使是比Ni合金壓模更頻繁地更換，也不會有製造成本提高的顧慮。因此，例如與Ni合金壓模之金屬壓模相比，如一面頻繁地更換樹脂壓模一面製造磁性記錄媒體，假定基於製造時塵埃的咬入等之影響而產生不良，和使用Ni合金版想要大量製造磁性記錄媒體的情形相比，可以使大量產生不良品的顧慮減少。
如依據本發明，於圖案的轉印之同時，藉由切刀構件也進行基材的衝壓，可以具有目的形狀的轉印圖案，容易地獲得目的形狀的樹脂壓模。於圖案之轉印時，將主壓模的圖案按壓於樹脂製的複合基材予以壓縮成形後，藉由活性熱能線或熱來使硬化性樹脂硬化而進行圖案轉印，即使是微細圖案，也可以正確地轉印，可以獲得具有目的形狀的精密圖案之樹脂壓模。
於本發明中，係使用能使波長200nm以上、400nm以下的紫外線透過20%以上之薄膜或薄片，於其上具有含有硬化性的官能基之硬化性樹脂層時，不會成為活性熱能線到達硬化性樹脂時之障礙，可以對硬化性樹脂充分地照射活性熱能線，能確實地使硬化性樹脂層硬化，即使是微細圖案，也可以確實地轉印。
如依據本發明之樹脂壓模之製造裝置，可以將主壓模的圖案轉印於樹脂製的複合基材，衝壓樹脂製的基材或複合基材來做成目的外形，具有目的的圖案，可以製造目的形狀之樹脂壓模。
作為本發明之製造裝置所具備的切刀構件，係藉由做成具備內周切刀刃或外周切刀刃的構造，可以衝壓基材中所轉印的圖案之內側或外側來製造目的形狀之樹脂壓模。
於前述主壓模之周圍設置滑動支撐構件，藉由導引衝壓完基材之前述內周切刀刃或前述外周切刀刃，可以提高衝壓位置或衝壓形狀等之衝壓精度。
藉由使用先前說明的樹脂壓模來壓印，將圖案轉印於基體上之薄膜，可以進行正確的圖案之轉印。
於進行先前的壓印時，藉由以60MPa以下之壓力來壓印，可以進行正確的圖案轉印。另外，將硬化性樹脂的薄膜厚度設為50~500nm，藉由壓印可以進行正確形狀的圖案轉印。
使用先前說明的樹脂壓模，對於基體上具備磁性膜之磁性記錄媒體的薄膜進行藉由壓印之圖案的轉印時，可以於基體上的薄膜進行正確的圖案轉印，藉由利用此圖案來去除磁性膜的一部份、將磁性膜的一部份予以非磁性化，可以因應先前的圖案，區分磁性記錄媒體的磁性膜可以進行磁性記錄的區域與不能進行磁性記錄的區域。藉此，作為形成的圖案之一例，如設為區分磁性記錄軌道之圖案，作為分離軌道型磁性記錄媒體，具有可以獲得形成正確軌道圖案之效果。
如依據本發明之另外一個型態，基材係由複層構造之期望的拉伸彈性率的表層與期望的拉伸彈性率的基材來構成，圖案轉印率變得良好，可以獲得即使是微細圖案形狀，也可以形成正確的轉印圖案之樹脂壓模。即使用該樹脂壓模，對於形成於基體或基板上的活性熱能線硬化樹脂薄膜進行壓印時，藉由低彈性率的基層之存在，可以追隨基體或基板的微妙變形，進而微細圖案被形成於高彈性率的表層，不容易變形，可以進行高精度的壓印。
另外，在本發明中，於進行圖案的轉印上，在將主壓模的圖案按壓於樹脂製的基材來壓縮成形時，藉由熱使樹脂軟化後進行圖案轉印，即使是微細圖案也可以正確地轉印，可以獲得具有目的形狀之精密圖案的樹脂壓模。進而，在(表層的玻璃轉移點-10)℃以上的溫度進行轉印，可以獲得良好的轉印圖案且正確的轉印圖案。
此處所謂「基板」，是指於玻璃板等之基體上，具備應形成有磁性膜及/或保護膜等之圖案之層後者。
藉由使用先前說明的樹脂壓模來壓印，於基體或基板上的薄膜轉印圖案，可以進行正確的圖案轉印。
於進行先前的壓印時，藉由以0.01~60MPa的壓力來壓印，可以進行正確的圖案轉印。另外，如將硬化性樹脂的薄膜厚度設為20~500nm，藉由壓印可以進行正確形狀的圖案轉印。
使用先前說明的樹脂壓模，對於具備磁性膜之基板上的薄膜進行藉由壓印之圖案的轉印時，可以於該薄膜進行正確的圖案轉印，藉由利用此圖案來去除磁性膜的一部份、將磁性膜的一部份予以非磁性化，可以因應先前的圖案，區分磁性記錄媒體的磁性膜可以進行磁性記錄的區域與不能進行磁性記錄的區域。藉此，作為形成的圖案之一例，如設為區分磁性記錄軌道之圖案，作為分離軌道型磁性記錄媒體，具有可以獲得形成正確軌道圖案之效果。
 (第一實施型態)
雖然利用圖面於以下詳細說明實施本發明之最佳型態，但是，本發明並不限定於以下說明的實施型態。
第1~第9圖係表示本發明之第1實施型態的樹脂壓模之製造裝置，此型態的製造裝置，係如第1圖所示，具備：由第1安裝盤1所支撐的上模套件2與由第2安裝盤3所支撐的下模套件5所構成。此處第1安裝盤1，係由省略圖示之油壓缸等之上下宜動用致動器裝置所支撐，可上下移動自如地設置著，第2安裝盤3係被設置於省略圖示的基台上而被固定著。
另外，在此型態中，雖係作為適用於製造後述的甜甜圈圓盤狀的樹脂壓模之情形的製造裝置，於以下說明其構成，但是，作為樹脂壓模的形狀，在甜甜圈圓盤狀以外者也可以適用，在該情形，變成適當地變更以下說明的製造裝置之切刀構件的形狀來對應，關於甜甜圈圓盤狀以外的樹脂壓模之製造，於之後另外說明。
於前述第1安裝盤1之上方，圓盤狀的切刀套件構件6被支撐於省略圖示之油壓缸等之上下移動用致動器裝置，可以上下移動自如地設置著，於此切刀套件構件6的底面外周部側設置有圓筒狀的外周切刀部7，於切刀套件構件6的底面中央部設置有圓棒狀的內周切刀部8，由此等外周切刀部7與內周切刀部8構成切刀構件9。另外，於前述外周切刀部7的前端部側朝下地形成有環狀的外周切刀刃7A，於內周切刀部8的前端部側形成有內周切刀刃8A。
前述外周切刀部7係介由形成於安裝盤1之外周部的透孔1a而延伸出安裝盤1的下方側，內周切刀部8係介由形成於安裝盤1的中央之透孔1b而延伸出安裝盤1的下方側，因應對於安裝盤1之切刀套件構件6的上下移動，外周切刀部7與內周切刀部8上下移動。
前述外周切刀刃7A的剖面係形成為三角形狀，為具有：將圓筒狀的外周切刀部7的內周面7a原樣地予以延長之形狀的切刃面7b、及朝向外周切刀部7的外方傾斜之外側刃面7c。前述內周切刀刃8A係設為由：將圓棒狀的內周切刀部8的外周面原樣地延長之形狀的切刃面8b、及形成於內周切刀部8的前端部之剖面倒V字型的磨缽狀的凹部8c所形成的切刃形狀。
於前述安裝盤1的下方側，且於前述外周切刀部7與內周切刀部8之間的部分，設置有光源支撐機構10與照射裝置11，照射裝置11係可以照射以下之活性熱能線。可以照射的活性熱能線，雖以紫外線等之光線(光能)、電子束、X射線、α射線、β射線、γ射線、中子線等之放射線等為例，特別使用波常200nm至400nm之紫外線，由於工業上光源等的種類豐富較為理想。
作為紫外線之光源，可以使用：金屬鹵素燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、LED燈、氙氣燈等。在此情形時，由於是樹脂壓模的製作，以紫外線硬化中樹脂壓模的溫度不會上升為佳，以不含有長波長的活性熱能線之LED燈或進行連續脈衝發光之石英氙氣燈為佳。
於照射裝置11的下方設置有框狀的支撐構件12，於此支撐構件12的下方側設置有圓盤狀的玻璃盤等之透光按壓基盤15。前述光源支撐機構10與照射裝置11與支撐構件12與透光按壓基盤15係與安裝盤1成為一體，因應第1安裝盤1的上下移動，透光按壓基盤15上下移動。
另一方面，於第2安裝盤3之上設置有：同一高度的圓筒狀的內側滑動支撐構件16與圓筒狀的外側滑動支撐構件17，於彼等之間，圓盤狀的承受台18可以上下滑動自如地被嵌入，承受台18係藉由設置於其下方側的彈簧構件等之彈性構件20所支撐。於此承受台18之上，以比滑動支撐構件16、17突出於上方少許之方式設置有甜甜圈圓盤狀的主壓模21。
此主壓模21係於其上面側形成有應轉印之圖案者。於本發明之實施型態中，係要製造於分離軌道型磁性記錄媒體的表面形成凹凸圖案的樹脂製壓模，所以，於主壓模21的表面形成有要形成於分離軌道型磁性記錄媒體的表面之薄膜的凹凸圖案。
另外，於前述內側滑動支撐構件16的中央部形成有可以插入前述桿狀的內周切刀刃8A之凹部16a。
於第1圖所示構成之製造裝置中，於製造樹脂製的壓模時，準備於成為目的樹脂壓模的基本之薄片狀的基材形成至少1層的硬化性樹脂層之複合基材。
作為此複合基材之一例，可以使用第5圖所示之3層構造的薄片狀的複合基材25。於此型態中，複合基材25係由：薄膜狀的硬質層(基材)25a與軟質樹脂層25b與硬化性樹脂層25c所形成。
硬質層(基材)25a以使用紫外線透過率高、衝壓時不容易變形的材料為佳，係由：聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對萘二甲酸乙二醇酯等之芳香族聚酯、ZEONOR(商品名，日本ZEON(股)製)、TOPAS(商品名，Polyplastic(股)製)、ARTON(商品名，JSR(股)製)、Apel(商品名，三井化學(股)製)等之環烯聚合物、芳香族聚碳酸酯、脂環式聚醯亞胺等之硬質熱可塑性樹脂、及聚丙烯、聚4甲基戊烯、聚苯乙烯、PMMA等之聚烯烴系熱可塑性樹脂或環氧樹脂、烯丙基等之熱硬化性樹脂薄膜等之樹脂材料所形成。另外，硬質層25a之厚度，可以設為10~3000μm之程度。
軟質樹脂層25b係以使用紫外線透過率高，使用本發明的樹脂壓模來進行壓印時，具有可以追隨被壓印基體的起伏之柔軟性的材料為佳，係由：「矽橡膠、尿烷橡膠、聚丙烯薄膜」等之樹脂材料所形成。另外，軟質接著層25b的厚度，可以設為10~1000μm之程度。
另外，於3層構造的薄片狀之複合基材25中，硬質層25a的起伏小的情形時，可以省略軟質樹脂層25b，設為由硬質層25a與硬化性樹脂層25c所形成的2層構造之基材。
硬化性樹脂層25c，係由具有：(甲基)丙烯醯基、烯丙基、乙烯基、氧雜烷丁烷基、環氧丙基、氧化環己烯基、乙烯基醚基等之硬化性基之至少1種以上的樹脂所形成，以由具有：(甲基)丙烯醯基、氧雜烷丁烷基、氧化環己烯基、乙烯基醚基等藉由活性熱能線之快速硬化的硬化性基的樹脂所形成者特別佳。
作為此處可以使用之具有(甲基)丙烯醯基之樹脂例，可舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸-正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)、丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸-sec-丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丁基、(甲基)丙烯酸-2-羥苯基乙酯等之單(甲基)丙烯酸類、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丙烯醯嗎啉等之(甲基)丙烯醯胺類、乙二醇二(甲基)丙烯酸、丙二醇二(甲基)丙烯酸、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸、二乙二醇二(甲基)丙烯酸、三乙二醇二(甲基)丙烯酸、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸、新戊四醇五(甲基)丙烯酸等之多官能(甲基)丙烯酸類、雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、N-環氧丙基型環氧樹脂、雙酚A之酚醛清漆型環氧樹脂、螯合物型環氧樹脂、乙二醛型環氧樹脂、含氨基環氧樹脂、橡膠變性環氧樹脂、二環戊二烯酚型環氧樹脂、聚矽氧烷變性環氧樹脂、於ε-己內酯變性環氧樹脂等之環氧樹脂添加(甲基)丙烯酸之所謂環氧(甲基)丙烯酸酯等。
作為具有烯丙基之樹脂例，可舉：使乙二醇單烯丙基醚、烯丙基環氧丙基醚等之烯丙基乙醚類、醋酸烯丙酯、苯(甲)酸烯丙酯等單烯丙基酯類、二烯丙基胺、1,4-環己烷二碳酸二烯丙酯、苯二甲酸二烯丙酯、對苯二甲酸二烯丙酯、異苯二甲酸二烯丙酯等之二烯丙酯類、寡對苯二甲酸乙二醇酯等之寡酯類與烯丙基醇反應之烯丙酯樹脂類等。
作為具有乙烯基之樹脂例，可舉：正丙基乙烯基醚、異丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、異丁基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、十八烷基乙烯基醚、環己基乙烯基醚等之單乙烯基醚類，或醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯(甲)酸乙烯酯等之單乙烯酯類、己二酸二乙烯酯等之二乙烯酯類、N-乙烯基吡喀烷酮、N-甲基-N-乙烯基乙醯胺等之N-乙烯醯胺類、苯乙烯、2,4-二甲基-α-甲基苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,5-二甲基苯乙烯、2,6-二甲基苯乙烯、3,4-二甲基苯乙烯、3,5-二甲基苯乙烯、2,4,6-三甲基苯乙烯、2,4,5-三甲基苯乙烯、五甲基苯乙烯、鄰乙基苯乙烯、間乙基苯乙烯、對乙基苯乙烯、鄰氯苯乙烯、間氯苯乙烯、對氯苯乙烯、鄰溴苯乙烯、間溴苯乙烯、對溴苯乙烯、鄰甲氧基苯乙烯、間甲氧基苯乙烯、對甲氧基苯乙烯、鄰羥基苯乙烯、間羥基苯乙烯、對羥基苯乙烯、2-乙烯基聯苯、3-乙烯基聯苯、4-乙烯基聯苯、1-乙烯基萘、2-乙烯基萘、4-乙烯基-聯三苯、1-乙烯基蔥、α-甲基苯乙烯、鄰異丙烯基甲苯、間異丙烯基甲苯、對異丙烯基甲苯、2,4-二甲基-α-甲基苯乙烯、2,3-二甲基-α-甲基苯乙烯、3,5-二甲基-α-甲基苯乙烯、對異丙基-α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-氯苯乙烯等之苯乙烯衍生物、乙二醇二乙烯基醚、1,4-丁二醇二乙烯基醚、1,6-己烷二醇二乙烯基醚、1,9-壬烷二醇二乙烯基醚、環己烷二甲醇二乙烯基醚、二乙二醇二乙烯基醚、三乙二醇二乙烯基醚等之二乙烯基醚類、三羥甲基丙烷三乙烯基醚、新戊二醇四乙烯基醚等之多官能乙烯基醚類、或二乙烯基苯、二乙烯基聯苯等之二乙烯基芳基類等。
作為具有氧雜烷丁烷之樹脂例，可舉：3-乙基-3-羥甲基氧雜烷丁烷、3-乙基-3-甲基丙烯氧基甲基氧雜烷丁烷等之單氧雜烷丁烷化合物、東亞合成(股(公司製ARONOXETANE OXT-121(商品名)、OX-SQ(商品名)、新日鐵化學(股)製OXTP(商品名)、OXBP(商品名)等之多官能氧雜烷丁烷樹脂等。
作為具有環氧丙基之樹脂例，可舉：雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲醛酚醛清漆型環氧樹脂、N-環氧丙基型環氧樹脂、雙酚A之酚醛清漆型環氧樹脂、螯合型環氧樹脂、乙二醛型環氧樹脂、含氨基環氧樹脂、橡膠變性環氧樹脂、二環戊二烯二酚型環氧樹脂、聚矽氧烷變形環氧樹脂、ε-己內酯變性環氧樹脂等。
作為具有氧化環己烯基之樹脂例，可舉：DISEL化學工業(股)公司製SELOXIDE2021P(商品名)、SELOXIDE3000(商品名)、EHPE3150(商品名)、EHPE3150CE(商品名)。
另外，光硬化性樹脂層25c之厚度，可以設為0.05~50μm之程度，以波長400nm以下的紫外線可以透過20%以上為佳。
作為前述複合基材之第2個例子，可舉：於熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片的一部份或全部，以液狀來塗布或印刷硬化性樹脂所獲得之複合基材。
作為此薄膜或薄片的材料，如是平滑性優異，可使活性熱能線透過20%以上者即可以使用，具體而言，可以使用作為前述硬質層25a所示之材料，就表面平滑性與強度耐熱性之觀點，以聚對苯二甲酸乙二醇酯為佳。另外，由活性熱能線之透過率的觀點而言，以環烯聚合物為佳。
另外，塗布液狀的硬化性樹脂之面，以進行易接著處理為佳，作為此種易接著處理，雖有接著性樹脂之塗布、電漿處理、電暈放電處理，但是，以塗布接著性樹脂之方法特別佳。
作為薄膜或薄片的膜厚，以5~1000μm為佳，以10~300μm更佳。膜厚如太薄，在強度方面，會成為問題，在太厚之情形時，活性熱能線之透過率變低，柔軟性消失，薄膜搬運時，容易出現問題。另外，薄膜或薄片也可以使用被切成特定形狀者，但是，如考慮量產性，以使用長條狀者為佳。長條狀者，從對於滾輪之捲取的觀點而言，厚度有限制，例如作為PET薄膜，厚膜者雖有188μm厚者被市售，但是，也可以使用比其還厚者。另外，為了位置移動，也可於此等薄膜或薄片之兩端開設搬運用的孔。
作為硬化性樹脂之塗布或印刷方法，可以採用藉由棒式塗布機之印刷或依據粘度程度，採用藉由網版印刷或凹版印刷、藉由棒式塗布機之印刷。特別是在考量連續生產方面，以網版印刷、凹版印刷為佳。塗布的膜厚，以0.5~50μm為佳，以2~30μm更佳，以波長400nm以下的紫外線透過20%以上為佳。在膜厚太薄之情形時，難於均等地塗布膜厚，另外，在太厚之情形時，於藉由活性熱能線之硬化時，會變得太花時間。
作為塗布或印刷形狀，以連續地帶狀塗布或印刷為佳，間歇地進行只是壓印部分亦可。
另外，作為可以使用之硬化性樹脂，係於具有可以藉由紫外線硬化之官能基，且溶解於無溶媒或溶媒的狀態下使用。溶解於溶媒之情形時，於塗布或印刷後，加熱去除溶媒後，進行活性熱能線硬化奈米壓印。
另外，塗布或印刷，不一定要在下一工程之前進行，可以預先進行塗布或印刷後，於塗布面貼上覆蓋薄膜，捲成捲狀之乾薄膜，於衝壓工程使用。
作為硬化性樹脂，可以使用作為前述硬化性樹脂層25c所示者。
如使用此種方法，可以將以液狀來把前述硬化性樹脂塗布或印刷於前述熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂之硬化物的薄膜或薄片，來獲得複合基材的工程；及將該複合基材按壓於後述的前述主壓模予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該複合基材的工程；及照射光等之活性熱能線，使該複合基材的一部份硬化的工程；及於前述硬化中途或之後，衝壓加工該複合基材的工程，依上述順序予以連續地進行。在此情形時，將照射光線使該複合基材的一部份硬化的工程；及於前述硬化中途或之後衝壓加工該複合基材之工程於同一裝置一體地進行，從效率的觀點而言較佳。
另外，針對使用作為如此例般之第2個例子的薄膜狀的複合基材，進行壓印之方法的種種例子，於之後，以第23A~第24C圖為基礎再度進行說明。
作為前述複合基材之第3個例子，可舉：於進行轉印工程(1)前，事先將以液狀塗布或印刷硬化性樹脂於具有比壓縮成形時之基材溫度更高的玻璃轉移溫度(Tg)之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂之硬化物的薄膜或薄片所獲得之複合基材，於圖案形成部分的內側形成衝壓加工部之方式予以衝壓者。
另外，作為此例之複合基材，也可以舉：將具有比壓縮成形時之基材溫度更高的玻璃轉移溫度(Tg)之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂之硬化物的薄膜或薄片，以於圖案形成部分的內側形成衝壓加工部之方式予以衝壓後，以液狀塗布或印刷硬化性樹脂所獲得之複合基材。
在衝壓前塗布或印刷的情形時，可以作為事先進行塗布或印刷後，於塗布面貼上覆蓋薄膜，捲取為捲狀之乾薄膜，於衝壓工程使用。
另外，在衝壓後塗布或印刷的情形時，於塗布面貼上覆蓋薄膜，捲取為捲狀，來提供轉印工程用亦可。塗布或印刷時，雖然硬化性樹脂有從衝壓孔流至背面的情形，此以溶媒去除，或黏貼接著性薄膜，予以剝離，使接著性薄膜來吸附硬化性樹脂並予以去除為佳。
如依據此方法，係於基材加工對位用的孔後，進行後述的壓縮成形與硬化，圖案的位置精度高、圖案轉印率良好，即使是微細的圖案，也可以獲得正確圖案被轉印之樹脂壓模。
使用設置於基材或複合基材之前述衝壓加工部來進行複合基材與主壓模的對位上，例如於主壓模的承受部設置中心銷，以該中心銷貫穿主壓模的中心孔與基材的衝壓加工部之方式來設置主壓模與複合基材即可。
另外，在使用此方法之情形時，以於後述之圖案形成部分的外側形成周緣部之方式來省略衝壓複合基材的工程，於轉印有複數個圖案之薄膜或薄片形狀下，當成樹脂壓模來使用亦可。
另外，關於使用作為如此例之第3個例之薄膜狀的複合基材來進行壓印之方法的種種例子，之後以第25A~第26C圖為基礎再度做說明。
將前述構成之薄片狀的複合基材25於使其光硬化性樹脂層25c朝下，夾入第1圖所示之主壓模21與透過按壓基板15之間，使第1安裝盤1下降，介由透光按壓基盤15而以規定的壓力將複合基材25按壓於主壓模21的表面。按壓壓力以0.01~60MPa為佳。
此主壓模21可以使用Ni合金等之可做精密加工的材料，以現狀的成形加工技術可以精密地形成微細凹凸的材料所形成的金屬板等。
藉由此操作，可以將形成於主壓模21的表面之微細凹凸的逆圖案之微細凹凸圖案轉印於複合基材25之光硬化性樹脂層25c。(將以上稱為轉印工程(1)。)
另外，於主壓模21的表面按壓複合基材25之狀態下，從照射裝置11照射紫外線，使光硬化性樹脂層25c硬化。(將以上稱為硬化工程(2)。)
於此硬化之前，假如硬化已經結束，或硬化正進行之階段，使如第6圖所示之切刀套件構件6下降，並使外周切刀部7與內周切刀部8下降，藉由外周切刀刃7A與內周切刀刃8A，從複合基材25衝壓圓板狀的樹脂製之壓模30。(將以上稱為衝壓工程(3)。)
於此衝壓時，外周切刀刃7係沿著圓筒狀的滑動支撐構件17的外周的延長面一面滑動一面衝壓複合基材25，且內周切刀刃8沿著滑動支撐構件16的內側一面滑動一面衝壓複合基材25，能在正確的位置衝壓複合基材25，可以獲得如目的之內徑尺寸與外徑尺寸之甜甜圈圓盤狀的壓模30。
另外，如第6圖所示般衝壓複合基材25，於除了成為壓模30的部分之部分，藉由內周切刀刃8A被衝壓之複合基材25的中心部25A，係被排出滑動支撐構件16的中心的凹部16a側，藉由外周切刀刃7A被衝壓之複合基材25的外周部25B，係被排出滑動支撐構件17的外周側。
此處，滑動支撐構件16的凹部16a的內徑，係被設為與內周切刀刃8A的外徑幾乎相等大小，於衝壓複合基材25時，沿著凹部16a的內周緣，可以不勉強地在正確的位置藉由內周切刀刃8A來衝壓複合基材25，得以提高衝壓精度。另外，滑動支撐構件17的外徑，係被設為與外周切刀刃7A的內徑幾乎相等大小，於衝壓複合基材25時，沿著滑動支撐構件17之外周緣，可以不勉強地於正確位置藉由外周切刀刃7A來衝壓複合基材25，得以提高衝壓精度。因此，可以衝壓複合基材25成為內周圓的形狀及位置精度與外周圓的形狀及位置精度都高的目的之甜甜圈圓盤狀。
於衝壓如第6圖所示之複合基材25後，一使如第7圖所示之安裝盤1與切刀套件構件6上升時，壓模30係於被夾於外周切刀刃7A與內周切刀刃8A之間的狀態下舉起，對於第8圖所示之安裝盤1使切刀套件構件6上升，以使外周切刀刃7A與內周切刀刃8A從壓模30分離之方式移動，進而，使用前端部具有彎曲部31a之取出桿31等之剝離手段，可以將壓模30取出。於此取出時，外周切刀刃7A與內周切刀刃8A已經從壓模30分離，壓模30係處於只是密接於透光按壓基盤15之狀態，可以藉由取出桿31容易地將壓模30剝離。
如已經將壓模30從透光按壓基盤15取出時，將其他別的複合基材25設置於如第9圖所示之透光按壓基盤15與主壓模21之間，再度以第2圖~第8圖為本，依據先前說明之順序施以按壓加工工程、紫外線照射工程、衝壓加工工程，與先前說明的情形相同地可以獲得壓模30，藉由重複進行以上的操作，可以大量地生產壓模30。
關於如前述製造的壓模30，可以使用於分離軌道型磁性記錄媒體之製造用。作為此種之磁性記錄媒體，可舉於非磁性基板的表面形成有磁性層或保護層者之例子。
例如，形成於如前述的非磁性基板之表面的磁性層，即使是面內磁性記錄層或垂直磁性記錄層都沒有關係。此等磁性記錄層，以主要以Co為主成分之合金來形成為佳。
例如，作為面內磁性記錄媒體用之磁性記錄層，可以使用由非磁性的CrMo底層與強磁性的CoCrPtTa磁性層所形成的層積構造。
作為垂直磁性記錄媒體用之磁性記錄層，例如可以使用將軟磁性的FeCo合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCu等)、FeTa合金(FeTaN、FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB等)等所形成的裱褙層、及Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等之定向控制膜、及依據需要，Ru等之中間膜、及60Co-15Cr-15Pt合金或70Co-5Cr-15Pt-10SiO2 合金所形成的磁性層予以層積者。
磁性記錄層的厚度，設為3nm以上20nm以下，以5nm以上15nm以下為佳。磁性記錄層為配合使用的磁性合金的種類與層積構造，只要可以獲得充分的磁性頭輸入輸出即可。磁性層的膜厚，為了於再生之際可以獲得一定以上的輸出，需要某種程度以上的磁性層膜厚，另一方面，表示記錄再生特性的諸參數，通例上會隨輸出的上升而劣化，需要設定為最佳的膜厚。
通常，磁性記錄層係藉由濺鍍法來形成薄膜，例如此時，於磁性記錄層形成凹凸形狀。
於磁性記錄層的表面形成有保護膜層。保護膜層可以使用：碳(C)、氫化碳(HxC)、氮化碳(CN)、非晶質碳、碳化矽(SiC)等之碳質層或SiO2 、ZrO2 、TiN等通常使用的保護膜層。另外，保護膜層也可以由2層以上的層來構成。
保護膜層3的膜厚，需要設為未滿10nm。保護膜層的膜厚如超過10nm，則磁頭與磁性層的距離變大，無法獲得充分的輸出輸出訊號的強度。
通常保護膜層係藉由濺鍍法來形成，此時，係仿效前述的凹凸來形成具有凹凸的保護膜層。另外，凹部的保護膜的厚度，具有比凸部的保護膜的厚度更厚的傾向。
於前述構造的磁性記錄媒體之微細凹凸形成上，可以使用以本發明所獲得之壓模30。由本發明所獲得之樹脂製的壓模30，係比以往之Ni合金壓模還便宜，樹脂壓模的更換可以比以往之Ni合金壓模頻度高，因此，可不因錯誤而產生大量的磁性記錄媒體之不良品下更換，具有不易產生不良的特徵。
第10A、10B圖係表示以第1~第9圖為本，將先前說明過的樹脂壓模之製造裝置組裝於具體地單元化之裝置所構成的情形之一例構造的構成圖，第11圖係其重要部位放大剖面圖。
於此單元構成例中，本體基台42具備有操作盤40與控制盤41，於本體基台42上立設有4根支柱42A，上盤45被該等支柱42A的上端部所支撐，於上盤45的下面中央側朝下設置有氣缸裝置46，於前述本體基台42與前述氣缸裝置46之間組裝有具有與先前說明的樹脂壓模之製造裝置同等功能的樹脂壓模之製造裝置。
於前述本體基台42之上設置有下部模套件47，於其中央部上設置有板厚的圓筒狀之衝壓件(滑動支撐構件)48，以包圍其之方式設置有甜甜圈盤狀的長條構件49，於其上方側設置有甜甜圈盤狀的上部模(外周切刀部)50，於此上部模50的內側設置有透光按壓基盤51與內部衝頭(內周切刀部)52，於上部模50之內側且是透光按壓基盤51之上設置有照射裝置53。另外，上部模50與內部衝頭52都與上部模套件54成為一體，此上部模套件54係與先前的氣缸裝置46之輸出桿46a連接而可上下移動自如地被支撐著，以藉由氣缸裝置46可使上部模(外周切刀部)50與內部衝頭(內周切刀部)52上下移動之方式來構成。
於第10B圖所示之構成的裝置中，甜甜圈盤狀的上部模50的內周緣係成為衝壓樹脂製的複合基材25的外周側之外周切刀刃50A，內部衝頭52的前端部係成為衝壓樹脂製的複合基材25的中央部之內周切刀刃52A。
另外，於衝頭48的上面側設置有先前說明的主壓模21，於其上面側形成有應轉印的圖案。另外，於使上部模50及透光按壓基盤51上升之狀態下，於此等與衝頭48之間可以介插樹脂製之複合基材25的方式來構成。
於此例中，照射裝置53係具備複數個LED等之發光元件來構成，可以朝下地照射紫外線等之特定波長的光線來構成。透光按壓基盤51係由壓克力盤等之透光性的構件所構成，具有：可以承受圖案轉印時之壓力的同時，可使來自照射裝置53的特定波長的光線透過而到達複合基材25側之功能。
第10B與第11圖係表示於樹脂壓模之製造裝置中，以於彼等圖的中央側在上下方向描繪之1點虛線為邊界的半剖面之個別的動作狀態，於表示邊界之1點虛線的左側，係表示使上部模50及透光按壓基盤51上升而設置了複合基材25的狀態，於表示邊界的一點虛線的右側，係表示使上部模50及透光按壓基盤51下降，已衝壓複合基材25之狀態。
如第10B及第11圖顯示狀態所顯示般，以透光按壓基盤51及主壓模21夾住複合基材25，轉印主壓模21的圖案之同時，衝壓複合基材25來成形，進而從照射裝置53照射紫外線，可以使複合基材25的光硬化層硬化。之後，如使上部模50及透光按壓基盤51上升，可以衝壓複合基材25而獲得轉印了圖案之樹脂壓模30。
關於其他的作用及效果，係與先前說明之實施型態的樹脂壓模之製造裝置的情形相同。
第12圖係依據工程順序來說明於磁性層形成微細凹凸所構成之分離軌道型磁性記錄媒體之製造方法的一例圖。
製造於如第12(A)圖所示由玻璃等所形成的基板80的上下兩面層積有磁性層81與保護膜82之構造的磁性記錄媒體素材83。接著，藉由旋轉塗布法於此磁性記錄媒體素材83的上下兩面層積形成如第12(B)圖所示之抗蝕劑層84，藉由壓印法而使用先前的樹脂壓模30來按壓於此抗蝕劑層84的表面，於如第12(C)圖所示之抗蝕劑層84轉印形成例如平面視圖為同心圖狀的凹凸部84a。然後，介由此凹凸部84a而使用蝕刻依序加工抗蝕劑層84與保護膜82與磁性層81，可以獲得如第12(D)所示之於磁性層81形成有凹凸部81a之分離軌道型磁性記錄媒體素材，藉由於此素材兩面形成保護膜85，可以獲得如第12(E)圖所示之分離軌道型磁性記錄媒體86。
如此例般於抗蝕劑層84形成微細凹凸84a時，藉由使用前述的樹脂壓模30，可以形成如前述之正確的同心圓形狀的微細凹凸84a，以此微細凹凸84a為基礎，於磁性層81形成正確的同心圓狀的凹凸部81a，可以進行磁性層81之軌道分割。
另外，於第12(D)圖所示之分離軌道型磁性記錄媒體中，可以因應需要使保護膜85平坦化亦可。
另外，進行前述壓印的情形之壓力，作為其之一例，可以設為60MPa以下的壓力。此壓力可當成壓縮力/壓模面積來算出，換言之，能以壓模面積來除以衝壓裝置所檢測出的負載求得。
且說，至目前為止說明的例子中，雖將複合基材25設為比樹脂壓模30的外徑遠大的基材來說明，但是，複合基材25可以對於作為目的之樹脂壓模30而做成任意的形狀。
如第13圖所示般，事先將基材55做成圓盤狀的外形，於此基材55的中心部只衝壓形成圓形狀的孔部55a，來形成樹脂壓模55A亦可，從如第14圖所示之於中心部具有圓形狀的孔部56a之甜甜圈盤狀的基材56予以兩方衝壓外周部56b與內周部56c，來形成樹脂壓模56A亦可。
當然，孔部55a不限定為圓形，也可以是矩形狀或多角形狀。
進而，從如第15圖所示之於中心部具有圓形狀的孔部57a之正方形狀的基材57予以兩方衝壓外周部57b與內周部57c來形成樹脂壓模57A亦可，從如第16圖所示之於中心部具有圓形狀的孔部58a的長方形狀的基材58(比起目的之樹脂壓模的直徑，短邊側的寬度小數mm程度所形成的長方形狀的基材)予以兩方衝壓外周部58b與內周部58c來形成樹脂壓模58A亦可。
如果是從短邊側的寬度比此例之目的的樹脂壓模的直徑小數mm程度所形成的長方形狀的基材58衝壓所獲得的樹脂壓模58A，外周部58b不是完全之圓形，於外周部58b的一部份含有直線部分，可以當成介由此直線部分來夾持握住樹脂壓模58A時之夾持部分。
接著，使用如第17圖所示之長條的捲帶狀，且以一定間隔形成複數個圓形的孔部59a之基材59，由此基材59以包圍對應一定間隔的孔部59a之位置的方式予以兩方衝壓外周部59b與內周部59c來形成複數個樹脂壓模59A亦可。藉由使用如第17圖所示之長條的捲帶狀之基材59，可以從基材59連續地製造複數個樹脂壓模59A。
如是此第17圖所示構造的基材59，於鄰接的樹脂壓模59A彼此之間的部分形成縫隙或切入部，做成使得容易分離形成於基材59之樹脂壓模59A亦可。
另外，於第11~第15圖所示之孔部的形狀或外周部的形狀中，並不限定於圓形，即使是3角形或4角形等之多角形狀、橢圓或其他的形狀等任何的形狀，並無礙於適用本發明之情形。
第18圖係說明將關於本發明之樹脂壓模適用於半導體裝置之製造工程中之圖案曝光法的例子，於如第18(A)圖所示之氟樹脂等之剝離製的良好的長方形狀之樹脂製的基材60的4個角落形成半導體曝光裝置用定位步進機的導引銷用之通孔61，於此基材60的一部份使用從先前說明的主壓模21之轉印技術來轉印形成目的圖案62來形成樹脂壓模63。
於此例中，例如於半導體裝置形成用之Si晶圓等之半導體基板65之上旋轉塗布由紫外線硬化樹脂等所形成的抗蝕劑層，於將此抗蝕劑層予以圖案化之時，可以使用關於本發明之樹脂壓模。
將半導體曝光裝置之步進機的導引銷插入基材60的通孔61，且對於目的之半導體基板65，於其表面的規定位置以整列狀態形成複數個圖案之情形時，將基材60予以定位，且把形成於基材60上的圖案62調整位置於半導體基板65上的目的位置後，利用先前說明的方法將壓模62按壓於半導體基板65上的抗蝕劑層，轉印目的之第1次的圖案來形成圖案部62a。
此第1次的圖案轉印如結束，利用半導體裝置的步進機等之定位裝置，對於半導體基板65使基材60於橫方向移動至規定位置，於該位置再度使用壓模62進行第2次轉印形成第2圖案部62a。藉由將此操作於半導體基板65上重複進行必要次數，形成如第18(B)圖所示之橫向一列的圖案部62a。
此後，如第18(C)、(D)圖所示，藉由依序進行圖案轉印，能於半導體基板65之目的區域的抗蝕劑層的全部轉印圖案部62a。
藉由將具備此圖案化後的抗蝕劑層之半導體基板65以後工程之蝕刻工程來進行處理，能於半導體基板上施以目的之處理。
對於此種抗蝕劑層之圖案化處理，如是以往的一般半導體製造工程，在半導體製造裝置之步進機進行完半導體基板的定位後，藉由使用光罩之曝光處理，對必要的每一區分依序進行曝光處理，進而進行顯影處理來進行凹凸形成等之圖案化，使用關於本發明之樹脂壓模，藉由版之按壓將凹凸等之規定的圖案部62a形成於抗蝕劑層，能以比以往更低的成本來進行抗蝕劑層的圖案化。藉此，能夠謀求半導體裝置之製造工程的低成本化。
第19~第22圖係說明在進行關於本發明之樹脂壓模的製造之情形，使用具備藉由熱來硬化的樹脂之基材的情形之實施型態者。
於此形成中所使用之基材，係於先前的型態中所使用的複合基材25中，硬質層25a與軟質樹脂層25b為原樣使用，作為硬化性樹脂層25c，可以使用熱硬化性之樹脂來代替先前說明的光硬化性樹脂。
關於熱硬化性樹脂，可以適用：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸-正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)、丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸-sec-丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羥苯基乙酯等之單(甲基)丙烯酸酯類、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丙烯醯嗎啉等之(甲基)丙烯醯胺類、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等之多官能(甲基)丙烯酸酯類、雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、N-環氧丙基型環氧樹脂、雙酚A之酚醛清漆型環氧樹脂、螯合物型環氧樹脂、乙二醛型環氧樹脂、含氨基環氧樹脂、橡膠變性環氧樹脂、二環戊二烯酚型環氧樹脂、聚矽氧烷變性環氧樹脂、於ε-己內酯變性環氧樹脂等之環氧樹脂添加(甲基)丙烯酸之所謂環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂、乙二醇單烯丙基醚、烯丙基環氧丙基醚等之烯丙基醚類、醋酸烯丙酯、苯(甲)酸烯丙酯等之單烯丙基酯類、二烯丙基胺、1,4-環己烷二碳酸二烯丙酯、苯二甲酸二烯丙酯、對苯二甲酸二烯丙酯、異苯二甲酸二烯丙酯等之二烯丙基酯類、使寡對苯二甲酸丙二醇酯等之寡酯類與烯丙基醇反應之烯丙酯樹脂、正丙基乙烯基醚、異丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、異丁基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、十八烷基乙烯基醚、環己基乙烯基醚等之單乙烯基醚類，或醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯(甲)酸乙烯酯之單單乙烯酯類、己二酸二乙烯基等之二乙烯酯類、N-乙烯基吡喀烷酮、N-甲基-N-乙烯基乙醯胺等之N-乙烯胺類、苯乙烯、2,4-二甲基-α甲基苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,5-二甲基苯乙烯、2,6-二甲基苯乙烯、3,4-二甲基苯乙烯、3,5-二甲基苯乙烯、2,4,6-三甲基苯乙烯、2,4,5-三甲基苯乙烯、五甲基苯乙烯、鄰乙基苯乙烯、間乙基苯乙烯、對乙基苯乙烯、鄰氯苯乙烯、間氯苯乙烯、對氯苯乙烯、鄰溴苯乙烯、間溴苯乙烯、對溴苯乙烯、鄰甲氧基苯乙烯、間甲氧基苯乙烯、對甲氧基苯乙烯、鄰羥基苯乙烯、間羥基苯乙烯、對羥基苯乙烯、2-乙烯基二苯基、3-乙烯基二苯基、4-乙烯基二苯基、1-乙烯基萘、2-乙烯基萘、4-乙烯基-對苯、1-乙烯基蔥、α-甲基苯乙烯、鄰異丙烯基甲苯、間異丙烯基甲苯、對異丙烯基甲苯、2,4-二甲基-α-甲基苯乙烯、2,3-二甲基-α-甲基苯乙烯、3,5-二甲基-α-甲基苯乙烯、對異丙基-α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-氯苯乙烯等之苯乙烯衍生物、乙二醇二乙烯基醚、1,4-丁二醇二乙烯基醚、1,6-己烷二醇二乙烯基醚、1,9-壬烷二醇二乙烯基醚、環己烷二甲醇二乙烯基醚、二乙二醇二乙烯基醚、三乙二醇二乙烯基醚等之二乙烯基醚類、三羥甲基丙烷三乙烯基醚、辛戊二醇四乙烯基醚等之多官能乙烯基醚類、或二乙烯基苯、二乙烯基聯苯等之二乙烯基芳基類等之乙烯基樹脂、3-乙基-3-羥甲基氧雜烷丁烷、3-乙基-3-甲基丙醯基甲基氧雜烷丁烷等之單氧雜烷丁烷化合物、東亞合成(股(公司製ARONOXETANE OXT-121(商品名)、OX-SQ(商品名)、新日鐵化學(股)製OXTP(商品名)、OXBP(商品名)等之多官能氧雜烷丁烷樹脂、雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲醛酚醛清漆型環氧樹脂、N-環氧丙基型環氧樹脂、雙酚A之酚醛清漆型環氧樹脂、螯合型環氧樹脂、乙二醛型環氧樹脂、含氨基環氧樹脂、橡膠變性環氧樹脂、二環戊二烯二酚型環氧樹脂、聚矽氧烷變形環氧樹脂、ε-己內酯變性環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等之環氧樹脂、聚醯亞胺等之前驅體之聚醯胺酸等。
於此型態所使用之樹脂壓模之製造裝置，構造上係於具有熱硬化性之硬化性樹脂層之基材70轉印主壓模21的圖案，且予以衝壓之裝置。
與先前之例子同樣地設置有滑動支撐構件16、17，於彼等之上部側設置有主壓模21，於主壓模21的下方且於滑動支撐構件16、17之間設置有冷卻盤73，同時，於主壓模21之上方側具備有具備只衝壓基材70的中心部之內周切刀刃的內周切刀部76，於先前的型態所設置的外周切刀部則被省略。
另外，在此型態中，代替先前型態中所設置的第1安裝盤1而設置有導引內周切刀部76用之加熱盤77，此加熱盤77與內周切刀部76之兩方係可上下移動自如地設置著，對於主壓模21可以接近分離地構成。先前的加熱盤77係內藏有加熱器之構成，因應是否對加熱器通電或通電量，可以控制加熱盤77的溫度。
於此型態之裝置中，為了將主壓模21的圖案轉印於基材70而衝壓基材70時，使加熱盤77上升，於與主壓模21分開之狀態下，將基材70夾在加熱盤77與主壓模21之間，如第20圖所示般，介由加熱盤77將基材70按壓於主壓模21。
藉由此操作，於基材70轉印主壓模21的圖案，同時，藉由基材70熱硬化，該圖案被固定。
之後，停止對於加熱盤77的加熱器之通電，使基材70的溫度下降，藉由冷卻盤73將基材70的溫度下降至構成基材70的樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)以下的溫度後，如第21A、21B圖所示般，使內周切刀部76下降來衝壓加工基材70的中心部。本發明中所使用的玻璃轉移溫度(Tg)，例如可以使用示差掃瞄熱量計以JIS K7121所記載的方法來測量。
衝壓加工後，如第22A、22B圖所示般，使內周切刀部76與加熱盤77上升時，可以取出基材70。於取出基材70後，再度對加熱盤77的加熱器通電後，將替代之未加工的基材70設置於主壓模21上，再度回到第19圖所示之工程，藉由經過同樣的工程，可以重複地進行基材70的圖案轉印與衝壓加工。
於本實施型態中，雖做成只衝壓基材25的中央部之構成，但是如先前的第1型態之裝置般，做成具有衝壓基材25的周緣部與中央部之兩方的切刀刃之裝置來構成當然也可以，配合基材的型態或衝壓位置，來適當變更製造裝置的構造當然也可以。
第23A~23C圖係做為前述的複合基材之第2個例子，舉於熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片的基材90之一部份，以液狀來塗布或印刷硬化性的樹脂所獲得之複合基材91，及使用其之壓印法的例子圖。
作為如第23A圖所示之複合基材91，係對於如電影用軟片形狀的長條的帶狀，且於寬度方向兩端側以特定的間隔具備複數個定位用的縫隙狀之孔92的基材90，藉由網版印刷或凹版印刷等之印刷法，於基材90的中央側，在基材90的長度方向間歇性地形成必要數目之矩形狀的硬化性之液狀的樹脂層93。另外，此印刷雖舉在長度方向間歇性地形成的情形，但是也可以全面地印刷。然後，使用在先前的實施型態中說明的樹脂壓模之製造裝置，將主壓模予以按壓之同時，照射熱能線來進行使液狀樹脂硬化的工程，如第23B圖所示般，轉印形成與於先前的型態中所形成的圖案或凹凸部同樣的圖案部94。之後，藉由只於圖案部94的中央部形成子孔狀的衝壓加工部95，可以做成如第23C圖所示的狀態，之後，因應需要，使用衝壓專用的裝置，可以衝壓形成最終目的之圓板形狀，獲得甜甜圈圓盤狀的製品。
第24A~24C圖係作為前述的複合基材的第2個變形例，舉於熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片的基材100的一部份，以液狀塗布或印刷硬化性的樹脂所獲得之複合基材101，及使用其之壓印法的例子圖。
作為如第24A圖所示之複合基材101，係對於如電影用軟片形狀的長條的帶狀，且於寬度方向兩端側以特定的間隔具備複數個定位用的縫隙狀之孔102的基材100，藉由網版印刷等之印刷法，於基材100的中央側，在基材100的長度方向間歇性地形成必要數目之矩形狀的硬化性之液狀的樹脂層103。另外，此印刷雖舉在長度方向間歇性地形成的情形，但是也可以全面地印刷。然後，使用在先前的實施型態中說明的樹脂壓模之製造裝置，將主壓模予以按壓之同時，照射熱能線來進行使液狀樹脂硬化，如第24B圖所示般，轉印形成與於先前的型態中所形成的圖案或凹凸部同樣的圖案部104。之後，因應需要，也可以對圓板狀施以衝壓處理。此外，另外只於圖案部104的中央部形成衝壓加工部105，做成如第24C所示的狀態後，可以衝壓形成為最終目的之圓板狀。另外，例如使用第1~第11圖所記載的方法，以同一狀態一體地進行圖案部104的轉印形成與衝壓加工部105的形成，基於生產效率的觀點較為理想。
另外，在以此等第23A~23C圖、第24A~第24C圖為基礎所說明的方法中，作為基材90、100，也可以使用於單面施以易接著處理之聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜，其厚度設為5~100um來實施。
第25A~25C圖係作為使用前述的複合基材之情形的其他例子，舉於熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片的基材110的一部份，以液狀塗布或印刷硬化性的樹脂所獲得之複合基材111，及使用其之壓印法的例子圖。
作為如第25A圖所示之複合基材111，係對於如電影用軟片形狀的長條的帶狀，且於寬度方向兩端側以特定的間隔具備複數個定位用的縫隙狀之孔112的基材110，藉由網版印刷等之印刷法，於基材110的中央側，在基材110的長度方向間歇性地形成必要數目之矩形狀的硬化性之液狀的樹脂層113。另外，此印刷雖舉在長度方向間歇性地形成的情形，但是也可以全面地印刷。接著，於如第25B圖所示之想要形成的圖案部的中心形成衝壓加工部116，接著，使用於先前的實施型態中說明的樹脂壓模之製造裝置來將主壓模予以按壓之同時，且照射熱能線使液狀樹脂硬化，如第25C圖所示般轉印形成與在先前的型態中所形成的圖案或凹凸部相同的圖案部115，並且因應需要可以施以衝壓處理為圓板狀。
如此例子般，先形成衝壓加工部116後，利用此衝壓加工部116來進行與主壓模之對位後，藉由將主壓模予以按壓之同時，且進行照射熱能線使液狀樹脂硬化之壓印處理，可以進行圖案形成位置的正確定位。
另外，從生產效率的觀點而言，以同一裝置一體地進行前述之衝壓加工部116的形成與圖案部115的形成為佳。
第26A~26C圖係作為使用前述的複合基材之情形的其他例子，舉使用於熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片的基材120的一部份，以液狀塗布或印刷硬化性的樹脂所獲得之複合基材121之壓印法的例子圖。
作為如第26A圖所示之複合基材121，係對於如電影用軟片形狀的長條的帶狀，且於寬度方向兩端側以特定的間隔具備複數個定位用的縫隙狀之孔122的基材120，如第26A或26B所示般，於想要形成的圖案部的中心先形成衝壓加工部126，接著，於如第26B或26C圖所示之基材120的中央側，且在基材120的長度方向藉由網版印刷等之印刷法間歇性地形成必要數目之矩形狀的硬化性之液狀的樹脂層123來作為複合基材121。另外，此印刷雖舉在長度方向間歇性地形成的情形，但是也可以全面地印刷。然後，使用於先前的實施型態中說明的樹脂壓模之製造裝置來將主壓模予以按壓之同時，實施照射熱能線使液狀樹脂硬化之壓印法，如第26C圖所示般轉印形成與在先前的型態中所形成的圖案或凹凸部相同的圖案部125，並且因應需要可以施以衝壓處理為最終型態的製品形狀。
如此例子般，先形成衝壓加工部126後，利用此衝壓加工部126來進行與主壓模之對位後，藉由將主壓模予以按壓之同時，且進行照射熱能線使液狀樹脂硬化之壓印處理，可以進行圖案形成位置的正確定位。
[實施例] <層積薄膜之製作>
於酚酚醛清漆系環氧丙烯酸溶液KAYARAD PNA-170H(商品名、日本化藥(股)製)100g添加光活性基聚合開始劑Irgacure184(商品名、CHIBA．SPECIAL．CHEMICAL股份公司)2.0g予以混合，且塗布於表1所示之硬質薄膜上之後，於80℃的熱風爐中乾燥60分鐘，製作層積薄膜A-E。表1係表示薄膜A-E之構成。
<樹脂壓模之製作>
將主壓模21於壓模面向上之狀態下設置於第10A及第10B圖所示之裝置，把如前述所製作的層積薄膜A-E切為寬度70m者於環氧丙烯酸溶液塗布面向下之狀態下設置好。
鎖緊模具，以壓力30MPa將主壓模21按壓於層積薄膜上10秒鐘，將照射裝置11(波長365nm之LED燈)的照度調整為15mW/cm2 ，於加壓下，照射UV光10秒鐘。停止UV光的照射，以內周切刀刃52A在圖案的中央開孔直徑12mm的圓形的孔，同時，藉由外周切刀刃50A，將外形衝壓加工為圓形後，使上部模套件54上升，放開模具，取出樣品製作完成樹脂壓模A1-E1。
針對所獲得的樹脂壓模A1-E1，使用雷射顯微鏡來測定圖案的轉印率，且使用測量顯微鏡來測定內周衝壓部分之從圖案中心的偏離與真圓度，將其結果表示於表2。如表2所示般，很明顯地可以實施精度高的衝壓加工。
表2所示之圖案轉印率，係指於隨意抽出的100處觀察圖案，(如設計般已轉印的處所之數目)/(觀察之處所的數目)。另外，後述的表3所示的圖案轉印率也相同。
另外，所謂真圓度，係於約72°間隔的5處測定衝壓加工部的直徑，求得其最大值與最小值的差之值。
如第6及第7圖所示裝置之切刀刃7、8，係使用不銹鋼的刀刃，且是透光按壓基盤15的尺寸(寬度、深度100mm、厚度40mm的強化玻璃製)者。主壓模21係使用於厚度0.3mm，內徑16mm，外徑63.5mm的Ni電鑄製的甜甜圈盤的表面形成有凹凸高80nm、凸部寬120nm、凹部寬80nm的同心圓圖案者。
<含抗蝕劑膜之HD基板的製作>
將設置有洗淨完畢的HD(硬碟)用玻璃基板(OHARA(股)製、外徑1.89英吋)之真空腔體事先真空排氣為1.0×10-5 Pa以下。
進而，於該基板上不加熱地形成65Fe-25Co-10B(at %)層50nm、Ru層0.8nm、接著，65Fe-25Co-10B(at %)層50nm，形成軟磁性背面層。
接著，形成由Ru所形成的定向控制膜20nm、由65Co-10Cr-15Pt-10SiO2 (mol %)所形成的氧化物顆粒記錄層12nm、由碳所形成的保護膜4nm。
接著，從真空腔體內取除形成至保護膜的媒體(HD基板)，使用旋轉塗布機以飛甩旋轉數2000rpm於表面塗布抗蝕劑(PAK-01-60：商品名，東洋合成工業(股)製)。塗布後，於約80℃的電熱板上乾燥3分鐘。以反射、透過式膜厚計來測定抗蝕劑的膜厚，約80nm。
<使用樹脂壓模之HD基板上的抗蝕劑膜之壓印>
將先前例子中製作的HD基板(抗蝕劑面朝上)、先前例子中製作的樹脂壓模(壓模面朝下)以此順序設置於東芝機械(股)製奈米壓印裝置ST-200的模套件(含導引銷)，並設置於前述奈米壓印裝置的特定位置。
以衝壓力0.6MPa衝壓10秒鐘後，於不改變衝壓力下，以波長365nm的LED燈照射照度15mW/cm2 的紫外線，放開模具，取出HD基板。
從取出的HD基板剝取樹脂壓模，以雷射顯微鏡來測定圖案轉印率、以測定顯微鏡來測定從HD基板中心的圖案之偏離。HD基板的中心係使用測定顯微鏡，於HD基板的孔上，從約72°間隔的5點起等距離的點所求得。另外，作為於同心圓狀的最內周上，以約72°間隔的5點起等距離的點，同樣可求得圖案的中心。測量如此所求得之HD基板的中心與圖案的中心之2點間的距離作為圖案的偏離。
將其結果表示於表3。如表3所示結果般，使用藉由本發明方法與裝置來製造的樹脂壓模，於HD基板上的抗蝕劑膜實施壓印法，瞭解能以良好的圖案轉印率來轉印圖案。
<使用樹脂壓模之HD基板上的抗蝕劑膜之壓印重複試驗>
作為樹脂壓模，使製作先前的樹脂壓模C1共100片。使用此樹脂壓模，每次一面更換新的樹脂壓模一面與先前的例子相同地進行對於HD基板上的UV壓印共100次，使用表面檢測裝置觀測因塵埃之咬入、傷痕所導致的不良，不良率為1片/100片。
<使用紫外線透過率低的薄膜之情形的例子>
作為硬質薄膜，使用KAPTON500H(聚醯亞胺薄膜商品名、TORAY7‧DUPON(股)製、厚度125μm、拉伸彈性率3.4GPa、紫外線透過率<30%來製作樹脂壓模之外，與先前的例子同樣地進行對於HD基板之UV壓印，對於HD基板的轉印率為<10%。
<使用拉伸率小的薄膜之情形的例子>
於明成化學工業(股)製UCE-5 10g添加日本環氧樹脂(股)製EPICOAT YX8000 0.95g、1.4g、四國化成工業(股)製CUAZOL1B2PZ 0.05g予以混合，形塑於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜上後，以80℃60分鐘、120℃180分鐘予以加熱，剝離聚對苯二甲酸乙二酯薄膜製作熱硬化性樹脂薄膜F。薄膜F的厚度、拉伸彈性率為3.0MPa、拉伸率為2%、UV透過率為30%以下。
作為硬質薄膜，使用前述的熱硬化性樹脂薄膜F以外，與先前的例子同樣地製造樹脂壓模，於樹脂壓模發生龜裂。
<使用拉伸彈性率低的薄膜之情形的例子>
作為硬質薄膜，使用聚乙烯薄膜(厚度100um、拉伸彈性率1.0GPa)以外，與先前的例子同樣地製作樹脂壓模，真圓度為60um以上。
<使用Ni壓模的情形之例子>
代替前述的HD媒體，使用可以透過紫外線之洗淨完畢的HD用玻璃基板(OHARA(股)製、外徑1.89英吋)，作為壓模，使用具有與先前例子中所製作者同樣的圖案之Ni電鑄壓模(厚度0.3mm、內徑12mm、外徑63.5mm之甜甜圈狀)，不進行壓模之更換外，與先前的例子同樣地進行對於100片的HD媒體上的抗蝕劑膜之UV壓印。此時，不良率為52片/100片。
此係表示於製造中途基於塵埃等之咬入而產生不良的結果，此之後，於藉由壓印法所製造的試料大量地產生不良。
(第二實施型態)
利用圖面，於以下詳細地說明實施本發明用之最佳的第二實施型態。於本實施型態中，係於第一實施型態的樹脂壓模之製造裝置中，代替照射裝置11而設置有加熱裝置211，由內藏於加熱裝置211之加熱器等之熱源可將熱傳達於下方來構成以外，係使用與第一實施型態相同的樹脂壓模之製造裝置。其以外的樹脂壓模之製造裝置的構成，係與第一實施型態相同，省略其說明。
為了於第1圖所示構成的製造裝置製造樹脂製的壓模，準備成為目的樹脂壓模的基礎之基材。
作為此基材的一例，可以使用第27A圖所示之3層構造，或第27B圖所示之2層構造等之複層構造的薄片或薄膜狀的基材225、225A。於此型態中，在3層構造的情形時，基材225係具備：基層225a與表層225b與背面層225c，於2層構造的情形時，基材225A係具備：基層225a與表層225b。
於此型態之基材225、225A中，表層225b係以：25℃中之拉伸彈性率1.5GPa以上、且玻璃轉移溫度為40℃以上之熱可塑性樹脂所構成，以拉伸彈性率為2.0~5.OGPa、且玻璃轉移溫度為60~150℃為佳。於低於前述範圍的拉伸彈性率下，微細圖案會有變形的情形，於超過前述範圍的拉伸彈性率時，樹脂壓模的韌性或耐衝擊性會有降低的情形。於低於前述範圍之玻璃轉移溫度下，耐熱變形性會有不足的情形，於超過前述範圍之玻璃轉移溫度時，要形成樹脂壓模變得困難。
另一方面，基層225a係由25℃中之拉伸彈性率1.0GPa以下之低彈性樹脂所構成，以0.1MPa~0.5GPa為佳，以0.5MPa~0.1GPa更佳。於低於前述範圍之拉伸彈性率時，樹脂壓模的剛性不足，形狀會有變得不穩定的情形。於超過前述範圍的拉伸彈性率時，對於使用本發明的樹脂壓模而形成於基體或基板上的活性熱能線硬化性樹脂薄膜進行壓印時，會有無法追隨基體或基板的微妙變形之情形。
前述之拉伸彈性率，例如可以JISK7113的方法來測定。本來，對於樹脂壓模的基體或基板的追隨性，會受到壓印溫度的剛性影響，但是，壓印溫度並不一定，各成形溫度的測定繁雜，使用在25℃的測定值來判定壓印適合性。
另外，前述之玻璃轉移溫度，例如可以使用示差掃瞄熱量計，以JISK7121所記載的方法來測定。
表層225b及基層225a都是使用紫外線透過率高的材料，以複層構造的薄片狀的基材整體其波長200nm~400nm的紫外線透過率成為20%以上為佳。
可以使用為表層225b之樹脂，例如可舉：聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對萘二甲酸乙二醇酯等之芳香族聚酯、ZEONOR(商品名，日本ZEON(股)製)、TOPAS(商品名，Polyplastic(股)製)、ARTON(商品名，JSR(股)製)等之環烯聚合物、芳香族聚碳酸酯、脂環式聚醯亞胺等之硬質熱可塑性樹脂、及聚丙烯、聚4-甲基戊烯、聚苯乙烯、PMMA共聚物等之聚烯烴系熱可塑性樹脂等。另外，表層225b之厚度，可以設為10~3000um之程度。
基層225a係以使用在室溫具有低的彈性率，且加熱至本發明使用之成形溫度也不會流動的材料為佳，可以使用矽橡膠或尿烷橡膠等之透明的交聯橡膠或聚(3-甲基戊烯-1)等之透明的結晶性樹脂等。
其他，作為可以使用於基層225a的樹脂，可舉：聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚氧化丙烯二(甲基)丙烯酸酯等之多官能(甲基)丙烯酸酯的硬化物、氧化乙烯變性雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、氧化丙烯變性雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、氧化乙烯變性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、氧化丙烯變性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、氧化乙烯變性新戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、氧化丙烯變性新戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、氧化丙烯變性丙三醇聚(甲基)丙烯酸酯等之環氧丙烯酸酯的硬化物、日本化藥(股)製商品名KAYARAD UX-7101等之尿烷丙烯酸酯的硬化物、脂肪族環氧丙基醚類、二環氧丙基苯二甲酸酯類、環氧丙基胺類、橡膠變性環氧樹脂、矽變性環氧樹脂等之環氧樹脂的硬化物、東亞合成(股)製商品名ARONOXETANE OXT-121、宇部興產(股)製商品名ETERNACOLL OXBP等之氧雜烷丁烷樹脂之硬化物、日本專利特開2006-348278號公報或特開2006-312729號公報所記載之含有羧基的聚尿烷樹脂組成物的硬化物。
另外，基層225a的厚度，可以設為20~500μm的程度。
基材在基層225a及表層225b之外，也可以設為於與表層225b相反側之表面具有由持有與表層225b的樹脂同等或個別比其高之玻璃轉移溫度及拉伸彈性率的樹脂所形成的背面層225c之基材225，以具有比表層225b的樹脂個別高的玻璃轉移溫度及拉伸彈性率的樹脂為佳。於具有背面層225c的情形時，以基材225整體的紫外線透過率在20%以上為佳，作為構成背面層225c的樹脂之例子，於舉構成表層225b的樹脂之例子中，可舉具有與在表層225b所使用者同等或比其高的玻璃轉移溫度及拉伸彈性率的熱可塑性樹脂。藉由此背面層的存在，可以防止壓印時及其後之處理的基材整體之變形或破損，且可以提升熱壓印時的耐熱變形性。
此外，作為可以使用為背面層225c的樹脂，也可以使用熱硬化性樹脂，可以舉例表示如下：1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸、三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、丙二醇(甲基)丙烯酸、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸等之多官能(甲基)丙烯酸酯的硬化物、日本化藥(股)製商品名KAYARAD UC-5001T等之尿烷丙烯酸酯的硬化物、昭和電工(股)製商品名DD201等之烯丙基酯樹脂的硬化物、不飽和聚酯樹脂的硬化物、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲醛酚醛清漆型環氧樹脂等之環氧樹脂的硬化物、東亞合成(股)製商品名ARONOXETANE PNOX-1009等之氧雜環丁烷樹脂的硬化物、日本專利特開2006-233009號公報或特開2006-312729號公報所記載者等之含有羧基尿烷樹脂組成物的硬化物。
且說，本發明所使用的基材225，也可以在基層225a、表層225b、背面層225c之外，適當地具有接著彼等各層彼此用的接著樹脂層，進而即使是層積其他的樹脂層為4層以上的層積構造亦可。
接著，作為將主壓模的微細圖案轉印於基材用的壓縮成形之操作，係對於表層225b的玻璃轉移溫度TgA ，將基材加熱至(TgA -10)℃以上的溫度，以0.01~60MPa的壓力將表層225b的面按壓於主壓模，之後，冷卻至50℃以下的常溫。另外，前述的基材加熱溫度，從基材的耐熱性的觀點而言，以(TgA +100)℃為上限為佳。
於進行壓縮成形時，使第1圖所示的薄片狀的基材225在其表層225b向下的狀態下，夾於第1圖所示之主壓模21與按壓基盤15之間，使第1安裝盤1下降，介由按壓基盤15以規定的壓力將基材225如第2圖所示的按壓於主壓模21的表面。此處所使用的主壓模21係可以適用：Ni合金等之可以精密加工的材料，且能以現狀的成形加工技術來精密地形成微細的凹凸之材料所形成的金屬板等。
藉由此操作，可以將形成於主壓模21的表面之例如微細凹凸的反圖案之微細凹凸圖案轉印於基材225的表層225b。
此壓縮成形一結束，如第6圖所示般，使切刀套件構件6下降，並使外周切刀部7與內周切刀部8下降，藉由外周切刀刃7A與內周切刀刃8A從基材225來衝壓形成甜甜圈圓盤狀的樹脂製之壓模230。於此衝壓成形時，外周切刀刃7係沿著圓筒狀的滑動支撐構件17的外周部一面滑動一面衝壓基材225，同時，內周切刀刃8係沿著滑動支撐構件16的內側一面滑動一面衝壓基材225，可以在正確的位置衝壓基材225，可以獲得如目的之內徑尺寸與外徑尺寸的圓板狀的樹脂製之壓模230。
此處，滑動支撐構件16的凹部16a的內徑，係被設為與內周切刀刃8A的外徑幾乎同等大小，於衝壓基材225時，可以沿著凹部16a的內周緣，不太過度勉強地在正確的位置藉由內周切刀刃8A來衝壓基材225，得以提高衝壓精度。另外，滑動支撐構件17的外徑，係被設為與外周切刀刃7A的內徑幾乎同等大小，在衝壓基材225時，可以沿著滑動支撐構件17的外周緣，不太過度勉強地在正確的位置藉由外周切刀刃7A來衝壓基材225，可以提高衝壓精度。因此，可以衝壓基材225成為內周圓的形狀及位置精度與外周圓的形狀及位置精度都高的目的甜甜圈圓盤狀。
如第6圖所示般，於衝壓基材225後，如第7圖所示般，使安裝盤1與切刀套件構件6上升，在被夾持於外周切刀刃7A與內周切刀刃8A之間的狀態下，壓模230被舉起，如第8圖所示般對於安裝盤1，使切刀套件構件6上升，使外周切刀刃7A與內周切刀刃8A從壓模230脫離地移動，進而，使用於前端部具有彎曲部31a的取出桿31等的剝離手段，可以取出壓模230。於此取出時，外周切刀刃7A與內周切刀刃8A已經從壓模230脫離，壓模230處於只密接於按壓基盤15的狀態，藉由取出桿31可以容易地將壓模230剝離。
另外，在從基材225來剝離主壓模時，以冷卻至表層225b的玻璃轉移溫度低10℃以上的溫度後來進行為佳。在比此還高的溫度來進行剝離時，基於樹脂壓模230的熱收縮，會有轉印精度降低的情形。
如已將壓模230從按壓基盤15取下，將其他別的基材225設置於如第9圖所示之按壓基盤15與主壓模21之間，再度以第2圖~第8圖為本而於先前說明的順序來加熱按壓加工，施以衝壓加工，能與先前說明的情形相同地獲得壓模230，藉由重複進行以上的操作，可以大量生產壓模230。
關於如前述所製造的壓模230，可以使用於分離軌道型磁性記錄媒體之製造用。作為使用於此種磁性記錄媒體之基板，可以舉於非磁性基體的表面形成有磁性層或保護層者。另外，關於磁性層或保護層，係與前述第一實施型態相同，省略其說明。
[實施例] <複層薄膜的製作>
於0.3mm厚聚碳酸酯(PANLIGHT SHEET PC2151：帝人化成(股)、玻璃轉移溫度160℃、拉伸彈性率2.4GPa)塗布1液型矽橡膠接著劑純密封劑清除形式(信越化學工業製、硬化後的彈性率為0.76MPa)厚度20μm，於其上重疊0.1mm厚環烯聚合物薄片(ZEONOR 1060R：日本ZEON、玻璃轉移溫度100℃、拉伸彈性率2.1GPa)，將整體整理變平，在25℃、50% RH之條件保持1小時。
<樹脂壓模之製作>
將主壓模在使圖案面朝上的狀態下設置於第1圖所示之裝置，把模具加熱至70℃。第1圖所示裝置之切刀刃7、8係使用不銹鋼的刃、按壓基盤15的尺寸為(寬度、深度100mm、厚度40mm的強化玻璃製)者。主壓模21係使用：於厚度0.3mm、內徑16mm、外徑63.5mm之Ni電鑄製的甜甜圈盤的表面形成有凹凸高80nm、間距寬200nm的同心圓圖案者。
將先前製作的層積薄膜切成70mm四方者，於使環烯烴聚合物薄片面朝下，即轉印面(相當於表層225b)朝下的狀態下，設置於第1圖所示裝置的模具。
鎖緊模具，以壓力1MPa一面按壓主壓模一面將模具加熱至100℃，於此狀態下衝壓120秒鐘。
進而，在持續衝壓下冷卻至50℃，以內周切刀刃8A在圖案的中央開啟直徑12mm的圓狀的孔後，放開模具，取出樣品，製作樹脂壓模。使用雷射顯微鏡，將此樣品隨意地抽出20個處所，來確認圖案如設計般地被轉印的情形。
另外，使用測定顯微鏡來測定內周衝壓部分之從圖案中心的偏離，偏離為20um，另外，測定直行2處所的直徑，由該直徑的比來計算真圓度，結果為0.006。
<含抗蝕劑膜HD基板的製作>
將設置有洗淨完畢的HD(硬碟)用玻璃基體(OHARA(股)製、外徑1.89英吋)的真空腔體事先真空排氣為1.0×10-5 Pa以下。
進而，於該基體上不加熱地形成65Fe-25Co-10B(at%)層50nm、Ru為0.8nm、接著，65Fe-25Co-10B(at %)層50nm，形成軟磁性背面層。
接著，形成由Ru所形成的定向控制膜20nm、由65Co-10Cr-15Pt-10siO2 (mol %)所形成的氧化物顆粒記錄層12nm、由碳所形成的保護膜4nm。
接著，將形成至保護膜的HD基板從真空腔體內取出，使用旋轉塗布機以飛甩旋轉數2000rpm於表面塗布抗蝕劑(PAK-01-60：商品名，東洋合成工業(股)製)。塗布後，於約80℃的電熱板上乾燥3分鐘。以反射、透過式膜厚計來測定抗蝕劑的膜厚，約80nm。
<使用樹脂壓模之HD基板上的抗蝕劑膜之壓印>
將先前例子中製作的HD基板(抗蝕劑面朝上)、先前例子中製作的樹脂壓模(壓模面朝下)以此順序設置於東芝機械(股)製奈米壓印裝置ST-200的模套件(含導引銷)，並設置於前述奈米壓印裝置的特定位置。
以衝壓力0.6MPa衝壓10秒鐘後，於不改變衝壓力下，以波長365nm的LED燈照射照度15mW/cm2 的紫外線，放開模具，取出HD基板。
從取出的HD基板剝取樹脂壓模，以雷射顯微鏡觀察隨意抽出的20點，可以確認到圖案在全部的觀察點都如設計般被轉印。另外，以雷射顯微鏡來測定從HD基板中心的圖案之偏離結果，控制在8um以內。
<使用Ni壓模之情形的例子>
代替前述的HD基板，使用可以透過紫外線之洗淨完畢的HD用玻璃基板(OHARA(股)製、外徑1.89英吋)，作為壓模，使用具有與先前例子中所製作者同樣的圖案之Ni電鑄壓模(厚度0.3mm、內徑12mm、外徑63.5mm之甜甜圈狀)，不進行壓模之更換外，與先前的例子同樣地進行對於100片的HD媒體上的抗蝕劑膜之UV壓印。此時，不良率為52片/100片。
此係表示於製造中途基於塵埃等之咬入而產生不良的結果，此之後，於藉由壓印法所製造的試料大量地產生不良。
[產業上利用可能性]
本發明可以適用於：製造圖案被轉印的同時，於中心部或端部等形成有對位用的孔部之樹脂壓模的方法、裝置、藉由彼等之磁性記錄媒體，以及具備該磁性記錄媒體之磁性記錄再生裝置。
1．．．第1安裝盤
3．．．第2安裝盤
6．．．切刀設置構件
7．．．外周切刀部
7A．．．外周切刀刃
8．．．內周切刀部
8A．．．內周切刀刃
9．．．外周切刀部
10．．．光源支撐部
11．．．照射裝置
15．．．透光按壓基盤
16、17．．．滑動支撐構件
18．．．承受部
20．．．彈性構件
21．．．主壓模
25．．．複合基材
25a．．．硬質層(基材)
25b．．．軟質接著層
25c．．．光硬化性樹脂層
48．．．衝頭(滑動支撐構件)
50．．．上部模(外周切刀部)
50A．．．外周切刀刃
51．．．透光按壓基盤
52．．．內周衝頭(內周切刀部)
52A．．．內周切刀刃
53．．．照射裝置
55、56、57、58、59、60、70．．．基材
71．．．主壓模
75．．．內周切刀刃
76．．．內周切刀部
77．．．加熱盤
90、100、110、10．．．基材
91、101、111、11．．．複合基材
93、105、115、15．．．圖案部
95、106、116、16．．．衝壓加工部
211．．．加熱裝置
225．．．基板
225a．．．基層
225b．．．表層
225c．．．背面層
第1圖係表示關於本發明之樹脂製壓模之製造裝置的第1實施型態的剖面圖。
第2圖係表示於該第1實施型態之製造裝置中，於樹脂製的基材按壓了主壓模之狀態的剖面圖。
第3圖係適用於該第1實施型態之製造裝置的透光按壓基盤之底面圖。
第4圖係適用於該第1實施型態之製造裝置的主壓模部分之平面圖。
第5圖係藉由該第1實施型態之製造裝置而被衝壓之樹脂製基材的剖面圖。
第6圖係表示藉由該第1實施型態之製造裝置來衝壓完樹脂製基材的狀態之剖面圖。
第7圖係表示藉由該第1實施型態之製造裝置來衝壓完樹脂製基材後的狀態之剖面圖。
第8圖係表示取出藉由該第1實施型態之製造裝置衝壓完樹脂製壓模的狀態之剖面圖。
第9圖係表示於該第1實施型態之製造裝置再度設置別的樹脂製基材之狀態的剖面圖。
第10A圖係表示將關於本發明之樹脂製壓模之製造裝置予以單元化之裝置的一例之構成圖。
第10B圖係表示將關於本發明之樹脂製壓模之製造裝置予以單元化之裝置的一例之構成圖。
第11圖係第10圖所示之製造裝置的部分剖面圖。
第12圖係於磁性層形成微細凹凸所形成的分離軌道型磁性記錄媒體之製造方法的一例之工程說明圖。
第13圖係表示於本發明中所使用的基材之第2例的平面圖。
第14圖係表示於本發明中所使用的基材之第3例的平面圖。
第15圖係表示於本發明中所使用的基材之第4例的平面圖。
第16圖係表示於本發明中所使用的基材之第5例的平面圖。
第17圖係表示於本發明中所使用的基材的第6例的平面圖。
第18圖係表示將本發明方法適用於半導體裝置製造用的半導體基板之圖案化的例子之說明圖。
第19圖係表示於本發明之樹脂壓模之製造裝置中使用熱硬化性樹脂之基材的情形之裝置構成圖。
第20圖係表示於該裝置中，將基材按壓於主壓模的狀態之說明圖。
第21A圖係表示於該裝置中衝壓基材的工程之說明圖。
第21B圖係表示於該裝置中衝壓基材的工程之說明圖。
第22A圖係表示於該裝置中取出樹脂壓模之狀態的說明圖。
第22B圖係表示於該裝置中取出樹脂壓模之狀態的說明圖。
第23A圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第1例之說明圖。
第23B圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第1例之說明圖。
第23C係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第1例之說明圖。
第24A圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第2例之說明圖。
第24B圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第2例之說明圖。
第24C圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第2例之說明圖。
第25A圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第3例之說明圖。
第25B圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第3例之說明圖。
第25C圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第3例之說明圖。
第26A圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第4例之說明圖。
第26B圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第4例之說明圖。
第26C圖係表示關於將本發明適用於長形薄膜狀的基材之情形的壓印法所表示的第4例之說明圖。
第27A圖係藉由關於本發明之另外一種型態之第1實施型態之製造裝置所衝壓的樹脂製基材，為第1例的剖面圖。
第27B係藉由關於本發明之另外一種型態之第1實施型態之製造裝置所衝壓的樹脂製基材，為第2例的剖面圖。
1．．．第1安裝盤
1a．．．外周部的透孔
1b．．．中央透孔
2．．．上模套件
3．．．第2安裝盤
5．．．下模套件
6．．．切刀套件構件
7．．．外周切刀部
7A．．．外周切刀刃
7b．．．切刃面
7c．．．外側刃面
8．．．內周切刀部
8A．．．內周切刀刃
8b．．．切刃面
8c．．．凹部
9．．．切刀構件
10．．．光源支撐構件
11(211)．．．照射裝置
12．．．支撐構件
15．．．透光按壓基盤
16．．．內側滑動支撐構件
16a．．．凹部
17．．．滑動支撐構件
18．．．承受部
20．．．彈性構件
21．．．主壓模
25(225)．．．複合基材

Claims (27)

  1. 一種樹脂壓模(stamper)之製造方法，具有：於樹脂製之基材，形成至少一層硬化性樹脂層製成複合基材之後，將上述複合基材之硬化性樹脂層側按壓於表面形成有圖案之主壓模予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該基材之第一工程；照射活性熱能線或予以加熱，使上述複合基材的一部份硬化之第二工程；及衝壓加工前述複合基材之第三工程；其特徵為；以在上述圖案形成部分的內側形成衝壓加工部的方式衝壓加工前述複合基材之後，使用該衝壓加工部進行上述主壓模與上述複合基材之定位，之後，進行將上述複合基材按壓於主壓模予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該複合基材之第一工程；及使該複合基材的一部份硬化之第二工程。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，前述硬化性樹脂為活性熱能線硬化性樹脂，前述第二工程，係照射活性熱能線來使複合基材的一部份硬化之工程。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，於衝壓加工前述複合基材之工程中，以於前述圖案形成部分的內側形成衝壓加工部，且於前述圖案形成部分的外側形成周緣部之方式來衝壓前述複合基材。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之樹脂壓模之製造方 法，其中前述基材，係具有比壓縮成形時之基材溫度更高的玻璃轉移溫度(Tg)之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中前述複合基材，係藉由以液狀將前述硬化性之樹脂塗布或印刷於前述熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片之工程所獲得。
  6. 如申請專利範圍第4項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，作為前述熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物之薄膜或薄片，係使用可使波長200nm以上、400nm以下之紫外線透過20%以上之薄膜或薄片。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，作為前述硬化性之樹脂，係使用具有從(甲基)丙烯醯基、氧雜烷丁烷基、氧化環己烯基及乙烯醚基所選擇之1種以上的樹脂。
  8. 如申請專利範圍第1項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中前述硬化性之樹脂層，係於硬化後，可使波長200nm以上、400nm以下之紫外線透過20%以上。
  9. 如申請專利範圍第4項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，作為熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂之硬化物的薄膜或薄片，係使用溫度25℃中之拉伸彈性率為1.3GPa以上，且拉伸伸長率為3%以上之薄膜或薄片。
  10. 如申請專利範圍第4項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，前述熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂的硬化物 之薄膜或薄片，係於單面施以易接著處理之厚度5~188μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
  11. 如申請專利範圍第1項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，前述主壓模，係玻璃、石英或鎳電鑄品。
  12. 如申請專利範圍第11項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，前述主壓模為鎳電鑄品，從與該主壓模相反側照射活性熱能線，使前述複合基材的一部份硬化。
  13. 如申請專利範圍第1項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，前述樹脂製之基材係至少為具備表層與基層之複層構造，由25℃中之拉伸彈性率為1.5GPa以上，且玻璃轉移溫度為40℃以上的熱可塑性樹脂形成前述表層，以25℃中之拉伸彈性率為1.0GPa以下之低彈性樹脂形成前述基層，且於進行前述壓縮成形時，對於構成前述表層之樹脂的玻璃轉移溫度TgA ，以(TgA -10)℃以上之溫度，將前述表層按壓於前述主壓模。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中前述樹脂製的基材，係於前述基層與前述表層之外，進而具有背面層，以25℃中之拉伸彈性率為1.5GPa以上，且玻璃轉移溫度為40℃以上之熱可塑性樹脂或熱硬化性樹脂來形成該背面層。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，以具有分別比形成前述表層之樹脂的拉伸彈性率及玻璃轉移溫度更高的拉伸彈性率及玻璃轉移溫度之樹脂來形成前述背面層。
  16. 如申請專利範圍第15項所記載之樹脂壓模之製造方法，其中，於進行前述壓縮成形時，對於前述表層樹脂的玻璃轉移溫度TgA 、前述背面層的玻璃轉移溫度TgC ，以比(TgA -10)℃還高、比TgC 還低的溫度來成形。
  17. 一種樹脂壓模之製造裝置，係對於表面形成有圖案之主壓模，按壓由至少具有1層的硬化性樹脂層所形成的複合基材並予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該複合基材的同時，衝壓加工前述複合基材來製造樹脂壓模之裝置，其特徵為：對於前述主壓模，設置有可以移動自如之切刀構件，於前述切刀構件的附近，設置有對前述切刀構件的前端側照射光線之照射裝置及透光按壓基盤，前述複合基材可在前述主壓模與前述切刀構件之間介插自如，以前述透光按壓基盤與前述主壓模來夾入配置於前述切刀構件與前述主壓模之間的前述複合基材，將主壓模側之所期望圖案轉印於前述複合基材之同時，以從前述照射裝置將光線照射於前述複合基材，可使前述硬化性樹脂層硬化之方式，且藉由前述切刀構件將前述複合基材在前述硬化性樹脂層的硬化之前後或前述硬化性樹脂層的硬化之同時可以衝壓加工自如地構成；前述切刀構件，係具備內周切刀部之構成，該內周切刀部具有衝壓前述樹脂製之複合基材的中央部之內周切刀刃。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之樹脂壓模之製造 裝置，其中，前述照射裝置，係連續脈衝發光之UV照射裝置。
  19. 一種樹脂壓模之製造裝置，係對於表面形成有圖案之主壓模，按壓由至少具有1層的硬化性樹脂層所形成的複合基材並予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於該複合基材的同時，衝壓加工前述複合基材來製造樹脂壓模之裝置，其特徵為：對於前述主壓模，設置有可以移動自如之切刀構件，於前述切刀構件的附近，設置有加熱構件，於前述外周切刀部與內周切刀部之間設置有按壓基盤，前述複合基材可在前述主壓模與前述切刀構件之間介插自如，以前述按壓基盤與前述主壓模來夾入配置於前述切刀構件與前述主壓模之間的前述複合基材，將主壓模側之所期望圖案轉印於前述複合基材之同時，以藉由來自前述加熱裝置之熱，可以使前述硬化性樹脂層硬化之方式，且藉由前述切刀構件將前述複合基材在前述硬化性樹脂層的硬化之前後或前述硬化性樹脂層的硬化之同時可以衝壓加工自如地構成；前述切刀構件，係具備內周切刀部之構成，該內周切刀部具有衝壓前述樹脂製之複合基材的中央部之內周切刀刃。
  20. 如申請專利範圍第17、18或19項所記載之樹脂壓模之製造裝置，其中前述切刀構件，係具備；具有外周 切刀刃之外周切刀部與具有配置於該外周切刀部的內側之內周切刀刃的內周切刀部所構成。
  21. 如申請專利範圍第17、18或19項所記載之樹脂壓模之製造裝置，其中於前述主壓模的周圍，設置有：進行該主壓模的定位之同時，且導引衝壓完前述複合基材之前述切刀刃的滑動支撐構件。
  22. 一種壓印(imprint)方法，其特徵為：使用藉由申請專利範圍第1項所記載之製造方法的樹脂壓模，對於形成於基體上的薄膜，或對於形成於基體上的遮罩層之上的薄膜，按壓前述樹脂壓模的圖案並予以壓印。
  23. 如申請專利範圍第22項所記載之壓印方法，其中前述薄膜，係由包含：芳香族化合物、脂環式化合物、矽化合物中之至少一種的硬化性樹脂所形成的薄膜。
  24. 一種壓印方法，其特徵為：作為申請專利範圍第22項所記載之基體，係適用基體上具備磁性膜之磁性記錄媒體，利用形成於前述薄膜的圖案來去除前述磁性膜的一部份，或予以非磁性化。
  25. 一種磁性記錄媒體，其特徵為：藉由申請專利範圍第24項所記載之方法來獲得。
  26. 一種磁性記錄再生裝置，其特徵為：具備有申請專利範圍第25項所記載之磁性記錄媒體。
  27. 如申請專利範圍第1項所記載之樹脂壓模之製造 方法，其中，上述基材，係在寬度方向兩端側以特定間隔具備複數個定位用的縫隙狀孔的長條帶狀基材；在基材的長度方向間歇性地形成必要數目的衝壓加工部，使用各衝壓加工部進行與上述主壓模之定位後，將上述複合基材的硬化性樹脂層側按壓於上述主壓模予以壓縮成形，將前述主壓模的圖案轉印於基材。
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