KR100568581B1 - 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드 - Google Patents

미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드 Download PDF

Info

Publication number
KR100568581B1
KR100568581B1 KR1020030023432A KR20030023432A KR100568581B1 KR 100568581 B1 KR100568581 B1 KR 100568581B1 KR 1020030023432 A KR1020030023432 A KR 1020030023432A KR 20030023432 A KR20030023432 A KR 20030023432A KR 100568581 B1 KR100568581 B1 KR 100568581B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold
acrylate
composition
meth
reactive
Prior art date
Application number
KR1020030023432A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040088977A (ko
Inventor
김태완
유필진
Original Assignee
주식회사 미뉴타텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 미뉴타텍 filed Critical 주식회사 미뉴타텍
Priority to KR1020030023432A priority Critical patent/KR100568581B1/ko
Priority to US10/553,647 priority patent/US7655307B2/en
Priority to CNB2004800100343A priority patent/CN100545752C/zh
Priority to PCT/KR2004/000860 priority patent/WO2004090636A1/en
Priority to JP2006500673A priority patent/JP4901467B2/ja
Publication of KR20040088977A publication Critical patent/KR20040088977A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100568581B1 publication Critical patent/KR100568581B1/ko
Priority to JP2009158830A priority patent/JP2009292150A/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B29C33/3857—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
    • B29C33/3878—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts used as masters for making successive impressions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/67—Unsaturated compounds having active hydrogen
    • C08G18/671—Unsaturated compounds having only one group containing active hydrogen
    • C08G18/672—Esters of acrylic or alkyl acrylic acid having only one group containing active hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/77—Polyisocyanates or polyisothiocyanates having heteroatoms in addition to the isocyanate or isothiocyanate nitrogen and oxygen or sulfur
    • C08G18/78—Nitrogen
    • C08G18/79—Nitrogen characterised by the polyisocyanates used, these having groups formed by oligomerisation of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/791—Nitrogen characterised by the polyisocyanates used, these having groups formed by oligomerisation of isocyanates or isothiocyanates containing isocyanurate groups
    • C08G18/792—Nitrogen characterised by the polyisocyanates used, these having groups formed by oligomerisation of isocyanates or isothiocyanates containing isocyanurate groups formed by oligomerisation of aliphatic and/or cycloaliphatic isocyanates or isothiocyanates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 상에 다양한 크기의 패턴(nm-cm)을 형성하는 데 쓰이는 몰드(주형)를 만들기 위한 수지 조성물 및 이로부터 제작된 몰드 및 이를 이용한 패턴형성 공정에 관한 것으로, (1) 활성에너지선 경화형 우레탄계 올리고머 및 임의의 반응성 올리고머, (2) 우레탄계 올리고머와 반응성을 가진 (메타)아크릴레이트계, 비닐에테르계 또는 아릴에테르계 단량체, (3) 실리콘기 또는 불소기, 또는 이들 둘다를 가진 반응성 혹은 비반응성 화합물 및 (4) 광개시제를 포함하는 본 발명의 몰드 조성물은, 종래의 각인 방법에 사용하는 무기물 몰드이나 미세 접촉 프린팅 방법 혹은 소프트 몰딩 방법 등에 사용되는 탄성체 혹은 열경화성 고분자 몰드 재료와는 달리, 활성에너지선 경화형 고분자 물질을 활용하면서 조성 첨가물을 통한 표면에너지에 변화를 주어 이형성을 확보함으로써, 상기 종래 방법의 활용을 더욱더 용이하게 하며 유기 용매에 의한 비팽윤 특성 및 기판 표면과의 균일한 접촉을 제공할 수 있고 탄성체 몰드에 비해 큰 기계적 강도 특성(Young's Modulus)으로 인해 기존 탄성체 몰드에서 구현할 수 없었던 수십 나노 미터의 초 미세 구조까지 손쉽게 구현할 수 있다.

Description

미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드{COMPOSITION FOR MOLD USED IN FORMING MICROPATTERN, AND MOLD PREPARED THEREFROM}
도 1은 본 발명에 따른 조성물을 이용한 몰드 제작 방법을 나타내는 블록도이고,
도 2a는 본 발명에 따라 제작된, 80nm의 선폭과 간격을 가진 몰드의 전자현미경 사진이고,
도 2b는 도 2a의 몰드를 이용하여 기판 상에 형성한 패턴의 전자현미경 사진이고,
도 3a는 본 발명에 따라 제작된, 직경 100nm, 높이 450nm 크기의 기둥이 병렬되어 있는 몰드의 전자현미경 사진이고,
도 3b는 도 3a의 몰드를 이용하여 기판 상에 형성한 패턴의 전자현미경 사진이고,
도 4a는 본 발명의 비교예에 따라 몰드제작에 사용된, 밑면이 180㎛, 높이가 70㎛인 피라미드 패턴의 마스터몰드의 광학현미경 사진이고,
도 4b는 도 4a의 마스터몰드를 사용하여 비교예에 따라 제작된 몰드의 광학 현미경 사진이다.
본 발명은 기판 상에 다양한 크기(nm-cm)의 패턴을 형성하는데 쓰이는 몰드용 조성물, 이로부터 제조된 몰드(mold, 주형) 및 이를 이용한 패턴 형성공정에 관한 것으로, 상세하게는 활성 에너지선에 의해 경화가 일어나는 우레탄 아크릴레이트 및 불포화기를 포함하는 반응성 수지를 포함하는 몰드 조성물 및 몰드 제조방법과 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 반도체, 전자, 광전, 자기, 표시 소자, 미세 전자기계 소자, 광학용 렌즈시트(예를 들면 프리즘 시트, 렌티큘라렌즈 시트) 등을 제조할 때 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 공정을 수행하게 되는 데, 이와 같이 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 대표적인 기법으로는 빛을 이용하여 미세 패턴을 형성하는 포토리쏘그라피(photolithography) 방법이 있다.
상기한 포토리쏘그라피 방법은 빛에 대한 반응성을 갖는 고분자 물질(예를 들면, 포토레지스트 등)을 패터닝하고자 하는 물질이 적층(또는 증착)된 기판 상에 도포하고, 목표로 하는 임의의 패턴으로 설계된 레티클을 통해 고분자 물질 상에 빛을 투과시켜 노광하며, 현상 공정을 통해 노광된 고분자 물질을 제거함으로써, 패터닝하고자 하는 물질 위에 목표로 하는 패턴을 갖는 패턴 마스크(또는 식각 마스크)를 형성한 다음, 패턴 마스크를 이용하는 식각 공정을 수행함으로써, 기판상에 적층된 물질을 원하는 패턴으로 패터닝한다.
한편, 상기 포토리쏘그라피 방법은 회로 선폭(또는 패턴 선폭이나 크기)이 노광 공정에 사용되는 빛의 파장에 의해 결정되는데, 현재의 기술수준을 고려할 때 포토리쏘그라피 공정을 이용해서 기판 상에 초 미세패턴, 예를 들면 선폭이 100nm 이하인 초 미세 패턴을 형성하는 것은 매우 어려운 실정이다. 또한 이러한 종래의 포토리쏘그라피 방법은 여러 단계의 공정(예를 들면, 기판 세정, 기판 표면처리, 감광성 고분자 코팅, 저온열처리, 노광, 현상, 세정, 고온 열처리 등)을 거쳐야만 하기 때문에 공정이 복잡하고 많은 공정 시간이 소요될 뿐만 아니라 고가의 공정 장비를 필요로 한다는 문제가 있으며, 이러한 문제로 인해 제조 원가의 상승 및 생산성 저하가 초래되는 근본적인 단점을 갖는다.
상술한 바와 같은 종래의 포토리쏘그라피 방법이 갖는 한계를 극복하기 위한 방편으로서 비전통적 방식에 의한 리쏘그라피 방법들이 제안되고 있다. 그러한 비전통적 방식에 의한 리쏘그라피 방법의 하나로서 나노 임프린트 리쏘그라피(nano-imprint lithography) 방법이 있는데, 이 방법에서는 먼저 원하는 패턴이 형성된 규소(Si) 등의 단단한(hard) 재질의 몰드를 준비하여 열가소성 고분자 박막이 코팅된 기판과 대향시킨 후 프레스 판 사이에 넣어 고온, 고압으로 처리한 후 몰드와 기판을 분리하는 방식으로 기판의 고분자 박막에 몰드의 패턴을 전사시킨다. 이러한 나노 임프린트 리쏘그라피 방법의 장점은 Si 등의 단단한 몰드를 사용하기 때문에 초 미세 패턴을 쉽게 구현할 수 있다는 것이다. 실제로, 문헌에 보고된 바에 따르면 구현한 최소 패턴의 크기가 대략 7nm라고 제시되고 있다 (참고문헌: S.Y. Chou, P.R. Krauss, W. Zhang, L. Guo, and L. Zhang, J. Vac.Sci. Technol. B 15, 2897(1997)).
그러나, 종래의 나노 임프린트 리쏘그라피 방법은 고온, 고압 공정을 수행한 후에 몰드와 기판을 분리하기가 쉽지 않다는 문제가 있고, 높은 공정 압력으로 인해 몰드 및 기판의 파손 가능성이 상존하게 되는 문제가 있으며, 고온으로 가열된 고분자 물질의 유동성을 이용하여 패터닝하기 때문에 크기가 큰 패턴의 경우 완벽한 패터닝에 소요되는 시간이 매우 길어지는 문제가 있다.
비전통적 방식에 의한 리쏘그라피 방법의 다른 예로는 미세 접촉 인쇄법(uCP: micro contact printing), 미세 모세관 몰딩(MIMIC: micro-molding in capillaries), 미세 전이 몰딩(uTM: micro-transfer molding), 연성 성형 몰딩(soft molding), 모세관 힘 리쏘그라피(CFL: capillary force lithography) 등의 방법들이 있는데, 이러한 방법들의 공통점은 몰드로서 고분자 탄성체의 일종인 PDMS(polydimethylsiloxane)를 사용한다는 점이다.
PDMS 몰드의 장점은, 탄성체이므로 패터닝할 기판 표면과의 균일한 접촉(conformal contact)이 쉬우며, 표면에너지가 낮은 물질이므로 다른 물질 표면과의 접착력이 작아 패터닝 후 기판 표면으로부터 쉽게 분리가 가능하다는 것이며, 또한 3차원 그물구조(network structure)에 기인한 높은 기체 투과성(high gas permeability)으로 인해 용매의 흡수가 용이하다는 것이다.
반면에, PDMS 몰드는 기계적 강도가 낮은 탄성체이므로 변형이 쉽게 일어나 미세패턴(예를 들면, 대략 500nm 이하)의 구현이 불가능하고, 구현할 패턴의 종횡비(aspect ratio)에 크게 의존하며, 톨루엔(toluene) 등의 일반적인 유기용매에 의 해 팽윤(swelling) 되어 변형이 발생하므로 패터닝에 사용할 고분자 및 용매의 선정에 상당한 제약이 따른다.
또한, 상기한 패턴 형성 방법 이외에 디스플레이 장치의 광학적인 효율 개선을 목적으로, 기판 표면에 프리즘 등의 렌즈 단위를 다수 형성한 렌즈 시트를 사용되는데, 이러한 렌즈 시트를 제조하기 위해 렌즈 패턴의 정확한 전사성 및 생산성 등의 관점에서 자외선 경화성 조성물 등의 활성에너지선 경화성 조성물을 사용하여 렌즈부를 형성한 것이 사용되고 있다. 예를 들면, 투명 수지필름 및 투명수지 시트 등의 투명기재 상에 활성 에너지선 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 렌즈부가 일체로 형성되어 있는 형태를 들 수 있다. 상기 패턴을 형성하기 위한 몰드로 구리 및 니켈 등이 도금된 코어 형태의 금속 몰드가 사용되고 있고, 코어롤에 박판형 몰드를 부착시킨 형태나 판 형태로 이용된다. 이러한 금속 재질의 몰드를 이용할 경우 형상의 정확한 전사가 가능하게 되나 박판형 몰드의 취급이 어렵고 그 제작기간이 길 뿐 아니라 제조비용 또한 높은 단점이 있다.
한편 프로젝션 텔레비전 및 마이크로 필름 판독기 등의 투사 스크린에 있어서는 양호한 화상을 얻기 위해 면상에 렌티큘러 렌즈나 프레넬 렌즈를 형성한 렌즈시트가 사용되고 있다. 종래, 이러한 렌즈시트는 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 염화비닐 수지, 스티렌 수지 등의 투명 수지 재료를 사용하여 이들 수지를 사출 성형하는 방법 및 수지 판에 렌즈형의 단단한 몰드를 맞닿게 하여 가열 가압함으로써 렌즈형 전사패턴을 수지 판 표면에 전사하는 임프린트 성형법 등이 알려져 있다. 그러나 사출 성형법에서는 커다란 사이즈의 렌즈 시트의 성형이 어려워 비 교적 작은 사이즈의 렌즈 시트밖에 성형할 수 없고 용융 수지의 냉각시 수축에 의한 렌즈형상의 미묘한 변형이 발생하기 쉽다. 또 임프린트 성형법에서는 수지판 및 렌즈형의 가열 냉각 사이클에 긴 시간이 소요되기 때문에 렌즈시트의 대량 생산을 수행하기 위해서는 다수의 렌즈형이 필요하며, 대형 렌즈 시트를 제조하기 위해서는 생산장치의 막대한 비용이 드는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 패턴을 형성하고자 하는 기판과의 분리가 용이하고, 유기용매에 의한 팽윤현상이 없으며, 유연성과 기계적 강도를 적절하게 유지할 수 있는, 활성에너지선에 의해 경화가 일어나는 우레탄 아크릴레이트 및 불포화기를 가진 반응성 수지조성물을 이용한 몰드 조성물 및 몰드 제작방법을 제공하고 이를 이용한 패턴 형성 과정을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 (1) 활성에너지선 경화형 우레탄계 올리고머 및 임의의 반응성 올리고머 40 내지 90 중량%, (2) 상기 우레탄계 올리고머와 반응성을 가진 (메타)아크릴레이트계, 비닐에테르계 또는 아릴에테르계 단량체, 또는 이들의 혼합물 10 내지 60 중량%, (3) 상기 성분 (1) 및 (2)의 합 100중량부에 대해, 실리콘기 또는 불소기, 또는 이들 둘다를 가진 반응성 혹은 비 반응성 화합물 0.01 내지 200 중량부, 및 (4) 상기 성분 (1) 내지 (3)의 합 100 중량부에 대해, 광개시제 0.1 내지 10 중량부를 포함하는, 미세패턴 형성 몰드용 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명에서는 상기 조성물을 이용한 몰드의 제작 방법 및 이 몰드를 이용한 미세패턴의 형성방법을 제공한다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 미세패턴 형성 몰드용 조성물에 있어서, 몰드의 우수한 취급성에 필요한 탄성력(high elasticity)과 휨성(bendability)을 부여하기 위한 상기 성분 (1), 즉 활성에너지선 경화형 우레탄계 올리고머는 최소한 2개 이상의 반응성 관능기를 가진 (고리형)지방족((cyclo)aliphatic) 혹은 방향족(aromatic) 우레탄형 올리고머 최소한 1종 이상일 수 있으며, 최종 몰드의 유연성(flexibility), 표면경도(surface hardness), 내마모성, 내열성, 내후성, 내약품성, 등의 물성 향상을 위하여 상기 우레탄형 올리고머에 임의로 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트, 폴리에테르 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트 또는 폴리카보네이트 (메타)아크릴레이트를 우레탄형 올리고머의 중량을 기준으로 0(초과) 내지 200 중량% 범위의 양으로 혼합하여 사용할 수도 있다.
본원에서, "(메타)아크릴레이트" 라 함은 아크릴레이트(acrylate) 및/또는 메타아크릴레이트(methacrylate)를 의미한다.
본원에서, "(고리형)지방족" 이라 함은 직쇄형 또는 측쇄형 지방족(aliphatic) 및/또는 고리형지방족(cycloaliphatic)을 의미한다.
본원에서, "활성에너지선(active energy ray)" 이라 함은 자외선(ultra-violet ray), 적외선(infrared ray), 및 전자선(electron beam) 등을 포함한다.
본 발명에서, 상기 성분 (1)은 몰드 형성 조성물 중에 40 내지 90 중량%의 양으로 사용되며, 상기 함량 보다 적으면 기계적 강도가 떨어지고, 많으면 부서지기 쉽고, 유연성이 부족하여 기판 표면과 균일한 접촉을 제공할 수 없어 본 발명의 목적을 이루기가 어렵게 된다.
본 발명의 조성물에 있어서, 상기 우레탄계 올리고머 성분과 반응성을 가진 단량체 성분 (성분 (2)) 중에서, (메타)아크릴레이트계 단량체의 구체적인 예로는 이소보닐 아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,3-부탄디올 디아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 네오펜틸 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 (하이드록시) 펜타아크릴레이트, 알콕실레이티드 테트라아크릴레이트, 옥틸데실 아크릴레이트, 이소데실 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 베헤닐 아크릴레이트, 및 스티렌계 화합물 등이 있으며; 비닐에테르계 또는 아릴에테르계 단량체로는 구체적으로 사이클로헥실 비닐에테르, 2-에틸헥실 비닐에테르, 도데실 비닐에테르, 아릴 프로필 에테르, 아릴 부틸에테르, 아릴 에테르, 1,4-부탄다이올 디비닐에테르, 1,6-헥산다이올 디비닐에테르, 디에틸렌글리콜 디비닐에테르, 에틸렌글리콜 부틸 비닐에테르, 에틸렌글리콜 디비닐에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸 비닐에테르, 트리에틸렌글리콜 디비닐에테르, 트리메틸올프로판 트리비닐에테르, 펜타에리스리톨 트리아릴에테르, 1,4-사이클로헥산 디메탄올 디비닐에테르계 화합물 등이 있다.
상기 (메타)아크릴레이트계 단량체, 비닐에테르계 및 아릴에테르계 단량체 중 하나 이상을 선택하여 사용할 수 있으며, 이들은 상기 성분 (1)에 대한 희석제로서의 역할뿐만 아니라, 가교밀도를 조정함으로써 몰드의 부서짐(brittleness) 특성을 줄여 유연성을 확보하는데 사용되며, 이러한 목적에 적합한 사용량은 10 내지 60 중량% 범위이다.
본 발명의 조성물에 있어서, 실리콘기 또는 불소기, 또는 이들 둘다를 가진 작용화된 첨가제를 성분 (3)으로 사용하는데, 이 성분은 제작된 몰드에 이형 조절성을 부여하기 위해 사용한다. 성분 (3)의 구체적인 예로는 다음과 같은 군의 화합물이 있으며, 이들 중 1 종 이상을 선택하여 사용할 수 있다:
(3a) 실리콘기(silicon group)를 가지는 반응성 모노머 혹은 반응성 올리고머, 예를 들면 실리콘기 함유 비닐 화합물 또는 실리콘기 함유 (메타)아크릴레이트 화합물, (메타)아크릴옥시기 함유 오가노실록산 또는 실리콘 폴리아크릴레이트 등;
(3b) 불소기(fluorine group)를 가지는 반응성 모노머 혹은 반응성 올리고머, 예를 들면 플루오로알킬기 함유 비닐 화합물 또는 플루오로알킬기 함유 (메타)아크릴레이트 화합물, 또는 불소 폴리아크릴레이트 등;
(3c) 실리콘기 혹은 불소기를 가지는 수지, 예를 들면 폴리디메틸실록산, 불소 중합체 등 ; 및
(3d) 실리콘기 혹은 불소기를 가지는 계면활성제 또는 오일, 예를 들면 디메틸 실리콘 오일 등.
상기 성분 (3)은 이형성 부여 목적 달성을 위해서는 본 발명 조성물 중에 상기 성분 (1) 및 (2)의 합 100 중량부에 대해 (3a), (3b), 및 (3c)의 경우 5 내지 200 중량부 범위의 양으로, (3d)의 경우는 0.01 내지 5 중량부 범위의 양으로 포함되는 것이 적합하다.
본 발명의 조성물에 사용되는 광 개시제, 성분 (4)은 당분야에 공지된 통상의 자유라디칼 개시제 또는 양이온성 개시제, 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 자유라디칼 개시제로는 벤질 케탈류, 벤조인 에테르류, 아세토페논 유도체, 케톡심 에테르류, 벤조페논, 벤조 또는 티옥산톤계 화합물 등이 있고, 상기 양이온성 개시제는, 상기 반응성 희석제(성분(2))로서 비닐에테르계 화합물이 사용될 경우 상기 자유라디칼 광개시제와 함께 사용하는 것이 대기하의 활성에너지선 경화에 특히 효과적일 수 있으며, 구체적인 예로는 오늄 염(onium salts), 페로세늄 염(ferrocenium salts), 또는 디아조늄 염(diazonium salts) 등이 있다.
상기 광개시제는 상기 성분 (1), (2) 및 (3)의 합에 대해 0.1 내지 10 중량% 범위의 양으로 사용하는 것이 광중합개시 효과를 나타내기에 적합하다.
상기와 같은 조성을 가진 본 발명의 몰드 조성물은, 종래의 각인 방법에 사용하는 무기물 몰드나, 미세 접촉 프린팅 방법 혹은 소프트 몰딩 방식 등에 사용되는 탄성체 혹은 열경화성 고분자 물질 몰드 사용 방법들과는 달리, 활성에너지선 경화형 수지를 기본적으로 활용하면서 첨가제 혼합을 통해 표면에너지에 변화를 주 어 이형성을 확보하게 되며, 유기용매에 의한 비팽윤 특성 및 기판 표면과의 균일한 접촉을 제공하고, 탄성체 몰드에 비해 큰 기계적 강도 특성(Young's Modulus)으로 인해 기존 탄성체 몰드에서 구현할 수 없었던 수십 나노 미터의 초 미세 구조까지 손쉽게 구현할 수 있음을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 몰드용 조성물은 미세패턴 형성용 몰드로 제작시 사출 등의 패턴 방법과는 달리 대형의 몰드로 제작하는 것이 용이하고, 금속 재질이 아니라 활성에너지선 경화형 물질을 사용하는 것으로 인해 제작비용이 절감되고 몰드의 제작 기간이 짧아서 대형의 패턴 시트 및 필름을 대량 생산하는 것이 용이하다.
상기 본 발명의 몰드 조성물을 이용한 몰드 제작 공정을 도 1을 참조로 하여 이하에서 간단히 설명한다.
우선, 도 1에서 공정 a에서와 같이, 마스터몰드(mastermold)에 본 발명에 따른 몰드 조성물을 코팅 혹은 캐스팅하고 그 위에 지지체를 올려놓은 후 적정 경화시간 이상으로 자외선 경화하여 박리한다. 박리된 성형몰드를 다시 자외선에 과다하게 노출시켜 몰드의 경도를 향상시키는 동시에 자외선에 대한 잔여 반응기를 완전 소멸시킨다. 이때 사용되는 지지체로는 예를 들면 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 또는 PC(폴리카보네이트) 또는 PVC(폴리염화비닐) 등의 필름, 혹은 연질(soft) 탄성체 혹은 경질(hard) 탄성체 및 비탄성체 재질 중에서 선택하여 사용할 수 있다.
전술한 바와 다른 몰드 제작 방식으로는, 도 1의 b에 나타낸 바와 같이, 마스터몰드에 본 발명에 따른 몰드 조성물을 코팅 혹은 캐스팅하고 적정 경화시간 이 하로 가경화시킨 후 이를 용기에 정렬시켜 놓고 그 위에 다시 자외선 경화성 혹은 열 및 상온 경화성 수지를 원하는 두께만큼 붓고 추가 경화시킨다. 이때 사용된 자외선 경화형 혹은 열 및 상온경화성 수지는 만들어진 몰드의 최종사용 용도에 따라 연질 또는 경질의 특성을 가진 것으로 선택할 수 있다.
상기와 같이 제작된 몰드는 추가로 원하는 형태(곡면 혹은 평면)와 두께의 연질 탄성지지체 혹은 경질 지지체에 접착 혹은 압착시켜 붙인 형태로 패턴 형성에 사용할 수 있다.
상기 몰드는 기존의 알려진 공정 방법들 (예를 들면 단단한 재질의 몰드를 이용한 나노 임프린트 리쏘그라피(nano-imprint lithography)나 PDMS와 같은 탄성체 몰드를 이용한 미세 접촉 인쇄법(uCP: micro contact printing), 미세 모세관 몰딩(MIMIC: micro-molding in capillaries), 미세 전이 몰딩(uTM: micro-transfer molding), 연성 성형 몰딩(soft molding), 모세관 힘 리쏘그라피(CFL: capillary force lithography) )에 그대로 응용될 수 있고, 금속 몰드를 이용한 활성 에너지선 경화형 물질을 활용한 패턴 형성공정에서 금속 몰드 대신 활용될 수 있다.
예를 들어, 본 발명에 따라 형성된 몰드는 패터닝에 이용 시, 용매가 포함된 고분자 용액을 이용하여 필름 형태 혹 평탄판 혹은 곡면 기판의 형상을 지닌 기판 상에 유동성을 지닌 박막을 형성시킨 후 패터닝하거나, 용매가 포함된 고분자 용액을 이용하여 기판 상에 박막을 형성시켜 고형화 한 다음 상기 몰드를 이용하여 열을 가해 패터닝하거나, 일액형 혹은 용매가 포함된 자외선 경화형 유기물을 기판 상에 코팅한 후 상기 몰드를 이용하여 자외선을 조사하여 패터닝할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예로써 보다 상세히 설명하며, 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니다.
제조예
하기 표와 같은 조성으로 본 발명에 따른 몰드용 수지 조성물을 제조하였다.
Figure 112003013114692-pat00001
실시예 1
도 1의 a에 나타낸 바와 같이, 제조하고자 하는 몰드의 패턴과 대항하는 패 턴구조를 갖는 마스터몰드를 그 패턴 구조면이 위를 향하도록 정렬시키고 거기에 제조예 1의 조성예에 따른 몰드 조성물을 코팅하였다. 이어서 그 코팅면 위에 경화 후 몰드 조성물에 대해 강한 접착성을 가지는 투명 폴리에스테르 시트를 올려놓은 뒤 자외선으로 경화시켰다. 이후 마스터몰드로부터 탈거하여, 폴리에스테르 시트와 일체되고 마스터몰드와 역상을 가진 몰드를 완성하였다.
이와 같이 완성된 몰드는 기판 상에 다양한 크기(nm~cm 범위)를 가진 패턴을 형성하는데 사용할 수 있으며, 특히 높은 종횡비(high aspect ratio)를 가지는 초미세패턴 형성에 매우 효과적이다.
또한, 상기와 같이 완성된 몰드와 일체된 시트의 뒷면에 원하는 재질(연질 또는 경질)과 형상(평면 혹은 곡면)을 가지는 지지체로 접착 혹은 압착의 방식으로 배킹(backing)처리하여 다층 구조의 몰드를 형성할 수 있음은 몰론이다.
실시예 2
실시예 1의 방법과 달리, 도 1의 b에 나타낸 공정에 따라, 제조하고자 하는 몰드의 패턴과 대항하는 패턴구조를 갖는 마스터몰드를 그 패턴구조면이 위를 향하도록 정렬시키고, 그 위에 표 1의 제조예 1의 조성에 따르는 몰드 조성물을 코팅하고 자외선으로 가경화시킨 후 이를 일정 용기내부에 정렬시키고 그 상부에 필요로 하는 적절한 만큼의 몰드 조성물을 채워 넣고 자외선으로 다시 가경화시켰다. 이 과정을 필요한 횟수만큼 반복적으로 수행하는 방식을 통해 원하는 목표두께를 갖는 몰드를 완성하였다.
상기와 달리 마스터몰드 위에 몰드 조성물을 코팅하고 자외선으로 가경화시킨 것을 일정 용기 내부에 정렬시키고 그 상부에 상기 제조예 1에 따른 몰드 조성물을 채워 넣고 반복적으로 열 및 상온 경화형 수지를 목표 두께 만큼 채워넣고 경화시킨 후 마스터몰드로부터 탈거하여 원하는 몰드를 제작할 수 있고, 상기 공정에서 1차 코팅 후 자외선 경화된 몰드 조성물을 마스터 몰드로부터 탈거한 후 그 뒷면에 원하는 재질(연질 또는 경질)과 형상(평면 혹은 곡면)을 가지는 지지체로 접착 혹은 압착의 방식으로 배킹하여 다층 구조의 몰드를 제작할 수 있음은 물론이다.
실시예 3 및 4
몰드 조성물의 조성비를 제조예 2와 같이 변경한 것을 제외하고는 각각 실시예 1 및 2와 동일한 공정 및 조건으로 몰드를 제작하였다.
실시예 5 및 6
몰드 조성물의 조성비를 제조예 3과 같이 변경한 것을 제외하고는 각각 실시예 1 및 2와 동일한 공정 및 조건으로 몰드를 제작하였다.
비교예 1
몰드 조성물의 조성비를 제조예 4과 같이 변경한 것을 제외하고는 각각 실시예 1 및 2와 동일한 공정 및 조건으로 몰드를 제작하였다.
이 경우, 몰드의 높은 표면에너지에 기인해 이형성이 없어 경화 후 마스터몰드로부터 몰드 탈거시 일부 패턴이 국부적으로 박리되지 않고 마스터몰드에 남아 완전한 패턴의 전사가 어려움을 도 4a와 4b 를 통해 확인할 수 있다.
비교예 2
몰드 조성물의 조성비를 제조예 5과 같이 변경한 것을 제외하고는 각각 실시예 1과 2와 동일한 공정 및 조건으로 몰드를 제작하였다.
이 경우, 높은 가교밀도로 인해 몰드의 유연성을 확보하지 못해 기판과 균일한 접촉을 유지할 수 없었으며, 부서지기(high brittleness) 쉬운 특성으로 패터닝 수행시 쉽게 몰드의 파손이 일어났다.
상기 실시예 1, 2 및 3과 같이 제작된 몰드들을 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 실험을 수행하였으며 그 실험 결과는 도 2a, 2b 및 3a, 3b에 도시된 바와 같다
도 2a는 본 발명의 공정에 따라 제조한 80nm 선폭과 간격의 패턴을 갖는 자외선 경화에 의한 몰드의 표면을 전자 현미경으로 촬영한 사진이다. 도 2a의 몰드는, 실시예 1의 공정에서와 같이, 마스터몰드로서 패턴이 형성된 실리콘 기판을 사용하고 본 발명에 따른 자외선 경화형 몰드 조성물을 패턴이 형성된 실리콘 기판에 코팅한 후 자외선으로 수 분 조사하는 방식으로 제조된 것이다.
도 2b는 도 2a에 도시한 자외선 경화형 몰드를 이용하여 기판 상에 형성한 고분자 패턴을 전자 현미경으로 촬영한 사진이다. 도 2b에 도시한 패턴은, 기판으로 실리콘 웨이퍼를 사용하고, 패턴형성 고분자 물질로서는 폴리스티렌(polystyrene)을 사용하여, 고분자 용액을 기판 상에 코팅한 후 상기 몰드를 이용하여 연성 성형 방법(soft molding)으로 패터닝을 수행하여 형성한 것이다.
또한 도 3a는 본 발명에 따라 제조한 100nm 크기의 지름과 450nm 높이 형상을 가지는 다수개의 병렬된 원기둥 패턴모양의 자외선 경화에 의한 몰드 표면을 전자 현미경으로 촬영한 사진이다. 도 3a의 몰드는, 실시예 1의 방법으로, 마스터몰드로서 패턴이 형성된 실리콘 기판을 사용하고, 본 발명에 따른 자외선 경화형 몰드 조성물을 패턴이 형성된 실리콘 기판에 코팅한 후 자외선 등으로 수분간 조사하는 방식으로 제조한 것이다.
도 3b는 도 3a에 도시한 자외선 경화형 몰드를 이용하여 기판상에 형성한 고분자 패턴을 전자 현미경으로 촬영한 사진이다. 도 3b에 도시한 패턴은, 기판으로 폴리에스테르(PET) 필름을 사용하고 패턴 형성 고분자 물질로는 일액형 자외선 경화형 유기물을 사용하여, 일액형 수지 용액을 기판 상에 코팅한 후 상기 몰드를 이용하여 자외선을 조사하여 고형화시키는 방법으로 패터닝을 수행하여 형성한 것이다.
도 4a는 본 발명의 비교예 1에 따라 몰드제작에 사용된, 밑면이 180㎛, 높이가 70㎛인 피라미드 패턴의 니켈로 도금된 금속 마스터몰드의 광학현미경 사진이고,
도 4b는 도 4a의 마스터몰드를 사용하여 비교예 1에 따라 제작된 몰드의 광학 현미경 사진이다. 도 4b의 몰드는, 도 4a에 도시한 마스터몰드에, 본 발명의 비교 제조예에 따른 자외선 경화형 몰드 조성물을 패턴이 형성된 니켈도금 금속 기판에 코팅한 후 자외선 등으로 수분간 조사하는 방식으로 제조한 것이다.
본 발명은 집적회로, 전자소자, 광 소자, 자기소자, 광학용 렌즈, 광학용 필름 등의 제조 공정에 있어서 기판(예를 들면 실리콘 기판, 세라믹기판, 금속 층, 고분자 층, 고분자 필름 등) 상에 패턴을 형성하는데 사용되는 몰드 형성용 조성물에 관한 것으로, 본 발명에서는 종래의 각인 방법에 사용하는 무기물 몰드나 미세 접촉 프린팅 방법 혹은 소프트 몰딩 방식 등에 사용되는 탄성체 혹은 열경화성 고분자 몰드 사용 방법들과는 달리, 패턴 형성용 몰드 재료로 활성에너지선 경화형 고분자 물질을 활용하여 조성 첨가물을 통한 표면에너지에 변화를 주어 이형성을 확보함으로써 상기 방법의 활용을 더욱더 용이하게 하였으며 유기용매에 의한 비팽윤 특성 및 기판 표면과의 균일한 접촉을 제공할 수 있고 탄성체 몰드에 비해 큰 기계적 강도 특성(Young's Modulus)으로 인해 기존 탄성체 몰드에서 구현할 수 없었던 수십 나노 미터의 초 미세 구조까지 손쉽게 구현할 수 있다.
상기의 고분자 몰드를 활용한 미세패턴 형성공정으로는 기존 알려진 공정인 피성형층과의 기계적 강도 차이를 활용한 각인(임프린트) 공정이나 피성형층이 가지고 있는 유동성을 활용한 연성 성형법(소프트 몰딩), 모세관 힘 리쏘그래피 등을 용이하게 활용할 수 있고, 활성에너지 경화형 수지의 유동성을 이용하여 고분자 몰드와 유동성을 지닌 수지를 밀착 접촉시켜 몰드 패턴의 음각부분으로 수지를 유입시킨 후 자외선과 같은 활성에너지선을 이용하여 고형화(건조) 시킴으로써 기판상에 목표로 하는 고분자 미세 패턴을 정밀하게 형성할 수 있다.

Claims (10)

  1. (1) 활성에너지선 경화형 우레탄계 올리고머 40 내지 90 중량%,
    (2) 상기 우레탄계 올리고머와 반응성을 가진 (메타)아크릴레이트계, 비닐에테르 또는 아릴에테르계 단량체, 또는 이들의 혼합물 10 내지 60 중량%,
    (3) 상기 성분 (1) 및 (2)의 합 100 중량부를 기준으로, 실리콘기 또는 불소기, 또는 이들 둘다를 가진 반응성 혹은 비반응성 화합물 0.01 내지 200 중량부, 및
    (4) 상기 성분 (1) 내지 (3)의 합 100 중량부를 기준으로, 광 개시제 0.1 내지 10 중량부
    를 포함하는, 미세패턴 형성 몰드용 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    활성에너지선 경화형 우레탄계 올리고머는 최소한 2개 이상의 반응성 관능기를 가진 (고리형)지방족((cyclo)aliphatic) 또는 방향족(aromatic) 우레탄형 올리고머, 또는 이들의 혼합물임을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 우레탄계 올리고머에 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트, 폴리에테르 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 및 폴리카보네이트 (메타)아크릴레이트 중에서 1종 이상 선택된 반응성 올리고머를 추가로 혼합함을 특징으로 하는 조성 물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    (메타)아크릴레이트계 단량체가 이소보닐 아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,3-부탄디올 디아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 네오펜틸 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 (하이드록시) 펜타아크릴레이트, 알콕실레이티드 테트라아크릴레이트, 옥틸데실 아크릴레이트, 이소데실 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 베헤닐 아크릴레이트, 및 스티렌계 화합물 중에서 1종 이상 선택됨을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    비닐에테르 또는 아릴에테르계 단량체가 사이클로헥실 비닐에테르, 2-에틸헥실 비닐에테르, 도데실 비닐에테르, 아릴 프로필 에테르, 아릴 부틸에테르, 아릴 에테르, 1,4-부탄다이올 디비닐에테르, 1,6-헥산다이올 디비닐에테르, 디에틸렌글리콜 디비닐에테르, 에틸렌글리콜 부틸 비닐에테르, 에틸렌글리콜 디비닐에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸 비닐에테르, 트리에틸렌글리콜 디비닐에테르, 트리메틸올프로판 트리비닐에테르, 펜타에리스리톨 트리아릴에테르, 및 1,4-사이클로헥산 디메탄올 디비닐에테르 화합물 중에서 1종 이상 선택됨을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    성분 (3)이 하기 그룹 중에서 1종 이상 선택됨을 특징으로 하는 조성물:
    (3a) 실리콘기(silicon group)를 가지는 반응성 모노머 혹은 반응성 올리고머;
    (3b) 불소기(fluorine group)를 가지는 반응성 모노머 혹은 반응성 올리고머;
    (3c) 실리콘기 혹은 불소기를 가지는 수지; 및
    (3d) 실리콘기 혹은 불소기를 가지는 계면활성제 또는 오일.
  7. 제 1 항에 있어서,
    성분 (4)의 광개시제는 하기 그룹 중에서 1종 이상 선택됨을 특징으로하는 조성물:
    (4a) 자유라디칼 개시제로서의, 벤질 케탈류, 벤조인 에테르류, 아세토페논 유도체, 케톡심 에테르류, 벤조페논, 벤조 또는 티옥산톤계 화합물 ; 및
    (4b) 양이온성 개시제로서의, 오늄 염(onium salts), 페로세늄 염(ferrocenium salts), 또는 디아조늄 염(diazonium salts)계 화합물.
  8. 제 1 항에 따른 조성물을 마스터몰드(mastermold)에 코팅 혹은 캐스팅하고, 그 위에 몰드 조성물에 대해 접착성을 가지는 지지체를 올려놓고 자외선에 노출시킴으로써 경화하고, 지지체와 일체형으로 성형된 몰드를 박리하여 다시 자외선에 노출시켜 완전경화시키는 것을 포함하는, 미세패턴 형성용 몰드의 제작방법.
  9. 제 1 항에 따른 조성물을 마스터몰드에 코팅 혹은 캐스팅하고 가경화시킨 후, 그 위에 자외선 경화성 혹은 열 및 상온 경화성 수지를 붓고 경화시키는 것을 포함하는, 미세패턴 형성용 몰드의 제작 방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    제작된 몰드를 추가로 곡면 또는 평면의 연질 또는 경질 지지체에 접착 또는 압착시켜 다층 구조 형태로 제작함을 특징으로 하는 방법.
KR1020030023432A 2003-04-14 2003-04-14 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드 KR100568581B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030023432A KR100568581B1 (ko) 2003-04-14 2003-04-14 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드
US10/553,647 US7655307B2 (en) 2003-04-14 2004-04-14 Resin composition for mold used in forming micropattern, and method for fabricating organic mold therefrom
CNB2004800100343A CN100545752C (zh) 2003-04-14 2004-04-14 用于形成微型图案的模具的树脂组合物及由其制备有机模具的方法
PCT/KR2004/000860 WO2004090636A1 (en) 2003-04-14 2004-04-14 Resin composition for mold used in forming micropattern, and method for fabricating organic mold therefrom
JP2006500673A JP4901467B2 (ja) 2003-04-14 2004-04-14 有機モールド及びその製造方法
JP2009158830A JP2009292150A (ja) 2003-04-14 2009-07-03 有機モールドおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030023432A KR100568581B1 (ko) 2003-04-14 2003-04-14 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040088977A KR20040088977A (ko) 2004-10-20
KR100568581B1 true KR100568581B1 (ko) 2006-04-07

Family

ID=36760948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030023432A KR100568581B1 (ko) 2003-04-14 2003-04-14 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7655307B2 (ko)
JP (2) JP4901467B2 (ko)
KR (1) KR100568581B1 (ko)
CN (1) CN100545752C (ko)
WO (1) WO2004090636A1 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101053772B1 (ko) * 2010-10-01 2011-08-02 경북대학교 산학협력단 마이크로 플루이딕 칩 몰드를 제조하기 위한 성형 모듈, 이를 이용한 마이크로 플루이딕 칩 몰드 제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 플루이딕 칩 몰드
KR101367044B1 (ko) 2006-10-13 2014-02-25 엘지디스플레이 주식회사 임프린트 리소그래피용 수지몰드 및 이의 제조방법
US8894406B2 (en) 2010-10-04 2014-11-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Patterning mold and manufacturing method thereof
WO2016114622A1 (ko) * 2015-01-15 2016-07-21 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 계층적 미세구조물, 이를 제조하기 위한 몰드 및 이 몰드의 제조방법
KR101705990B1 (ko) 2015-10-12 2017-02-13 한국과학기술원 고분자 구조체의 제조 방법 및 그 고분자 구조체를 이용하여 미세 패턴이 형성된 구조체의 제조 방법
KR101772612B1 (ko) * 2009-09-04 2017-08-30 주식회사 동진쎄미켐 임프린트 리소그래피용 광경화형 수지 몰드 조성물
KR20220110402A (ko) 2021-01-29 2022-08-08 주식회사 미뉴타텍 자외선경화형 저점도 수지 조성물 및 이를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101376715B1 (ko) 2003-12-19 2014-03-27 더 유니버시티 오브 노쓰 캐롤라이나 엣 채플 힐 소프트 또는 임프린트 리소그래피를 이용하여 분리된 마이크로- 및 나노- 구조를 제작하는 방법
US9040090B2 (en) 2003-12-19 2015-05-26 The University Of North Carolina At Chapel Hill Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof
JP2007536107A (ja) * 2004-05-04 2007-12-13 ミヌタ・テクノロジー・カンパニー・リミテッド 非結晶性フッ素樹脂を用いた鋳型及びその製造方法
JP4888625B2 (ja) * 2004-08-10 2012-02-29 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 非溶剤型光硬化型保護膜用樹脂組成物
US20080128929A1 (en) * 2004-12-23 2008-06-05 Pirelli & C. S. P.A Method for Manufacturing Optical Devices
US20090027603A1 (en) * 2005-02-03 2009-01-29 Samulski Edward T Low Surface Energy Polymeric Material for Use in Liquid Crystal Displays
KR100815372B1 (ko) * 2005-03-31 2008-03-19 삼성전기주식회사 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법
US7358283B2 (en) * 2005-04-01 2008-04-15 3D Systems, Inc. Radiation curable compositions useful in image projection systems
JP4742665B2 (ja) * 2005-04-28 2011-08-10 旭硝子株式会社 エッチング処理された処理基板の製造方法
JP4736522B2 (ja) * 2005-04-28 2011-07-27 旭硝子株式会社 エッチング処理された処理基板の製造方法
KR101174771B1 (ko) * 2005-06-24 2012-08-17 엘지디스플레이 주식회사 소프트 몰드 및 이의 제조방법
KR101222946B1 (ko) 2005-06-24 2013-01-17 엘지디스플레이 주식회사 백 프레인이 부착된 소프트 몰드의 제조방법
WO2007133235A2 (en) * 2005-08-08 2007-11-22 Liquidia Technologies, Inc. Micro and nano-structure metrology
WO2007043987A2 (en) * 2005-09-15 2007-04-19 Dow Corning Corporation Nano-molding process
JP4770354B2 (ja) * 2005-09-20 2011-09-14 日立化成工業株式会社 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いたパターン形成方法
KR101171190B1 (ko) 2005-11-02 2012-08-06 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드
JP4717623B2 (ja) * 2005-12-15 2011-07-06 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
KR101194646B1 (ko) 2005-12-30 2012-10-24 엘지디스플레이 주식회사 소프트몰드 제조방법
US7862756B2 (en) 2006-03-30 2011-01-04 Asml Netherland B.V. Imprint lithography
KR101358066B1 (ko) 2006-04-11 2014-02-06 다우 코닝 코포레이션 열변형이 적은 실리콘 복합 모울드
US20070257396A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Jian Wang Device and method of forming nanoimprinted structures
KR100857521B1 (ko) * 2006-06-13 2008-09-08 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법 및 그 제조장비
US8262381B2 (en) * 2006-06-22 2012-09-11 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Mastering tools and systems and methods for forming a cell on the mastering tools
KR101461028B1 (ko) * 2006-06-24 2014-11-21 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조장치 및 그 제조방법
KR101358255B1 (ko) 2006-06-27 2014-02-05 엘지디스플레이 주식회사 광경화 타입 소수성 몰드 및 그 제조방법
KR100848559B1 (ko) * 2006-06-29 2008-07-25 엘지디스플레이 주식회사 소프트몰드 제조방법 및 그것을 이용한 패턴 형성 방법
KR100832298B1 (ko) * 2006-06-29 2008-05-26 엘지디스플레이 주식회사 패턴 형성용 레지스트와 이를 이용한 소프트몰드 제조방법
US20080000373A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Maria Petrucci-Samija Printing form precursor and process for preparing a stamp from the precursor
KR101284943B1 (ko) 2006-06-30 2013-07-10 엘지디스플레이 주식회사 몰드의 제조방법
KR101022994B1 (ko) * 2006-09-29 2011-03-22 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 폴리오르가노실록산 조성물
JP4561727B2 (ja) * 2006-11-02 2010-10-13 富士電機デバイステクノロジー株式会社 シリアルナンバー付与方法
CN101535893A (zh) * 2006-11-15 2009-09-16 3M创新有限公司 柔性版印刷板的溶剂辅助压印
EP2084012B1 (en) 2006-11-15 2011-03-09 3M Innovative Properties Company Flexographic printing with curing during transfer to substrate
CA2671167A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Swinburne University Of Technology Replica moulding of microstructures for supporting microscopic biological material
KR101308444B1 (ko) * 2006-12-04 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조장치 및 그 제조방법
US8128393B2 (en) * 2006-12-04 2012-03-06 Liquidia Technologies, Inc. Methods and materials for fabricating laminate nanomolds and nanoparticles therefrom
US20100151031A1 (en) * 2007-03-23 2010-06-17 Desimone Joseph M Discrete size and shape specific organic nanoparticles designed to elicit an immune response
CN101679568B (zh) * 2007-06-20 2012-07-04 旭硝子株式会社 光固化性组合物及表面具有精细图案的成形体的制造方法
KR101415570B1 (ko) * 2007-07-26 2014-07-04 삼성디스플레이 주식회사 임프린트 장치 및 이를 이용한 임프린트 방법
KR100859008B1 (ko) * 2007-08-21 2008-09-18 삼성전기주식회사 배선기판 제조방법
JP5032249B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-26 株式会社ブリヂストン インプリント成形用組成物及びそれを用いた成形物
JP5470693B2 (ja) * 2007-09-19 2014-04-16 東レ株式会社 成形型用硬化性樹脂組成物、成形型の製造方法、構造体の製造方法およびディスプレイ用部材の製造方法
TWI444282B (zh) * 2007-10-19 2014-07-11 Showa Denko Kk 樹脂壓模（ｓｔａｍｐｅｒ）之製造方法及製造裝置及壓印（ｉｍｐｒｉｎｔ）方法、以及磁性記錄媒體及磁性記錄再生裝置
KR100929381B1 (ko) * 2007-11-22 2009-12-02 주식회사 미뉴타텍 몰드 시트 조성물 및 이를 이용한 몰드 시트 제조방법
JP5130082B2 (ja) * 2008-03-03 2013-01-30 株式会社ブリヂストン インプリント成形用組成物及びそれを用いた成形物
WO2009125677A1 (ja) * 2008-04-08 2009-10-15 コニカミノルタオプト株式会社 ウエハレンズの製造方法及びウエハレンズ
DE102008035866A1 (de) * 2008-06-13 2009-12-17 Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn Verfahren zur Herstellung von einer Replik einer funktionalen Oberfläche
JP2010049745A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Fuji Electric Device Technology Co Ltd ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体
KR101557816B1 (ko) * 2008-09-01 2015-10-07 삼성디스플레이 주식회사 레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JP2010086582A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Hoya Corp 樹脂型スタンパ製造方法、樹脂型スタンパ、磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体
EP2357205A4 (en) * 2008-12-05 2013-11-20 Asahi Glass Co Ltd LIGHT-CURING COMPOSITION AND METHOD OF MANUFACTURING A SHAPE WITH A FINE PATTERN ON THE SURFACE
EP2370232B1 (en) 2008-12-17 2015-04-08 3M Innovative Properties Company Shaped abrasive particles with grooves
EP2199854B1 (en) * 2008-12-19 2015-12-16 Obducat AB Hybrid polymer mold for nano-imprinting and method for making the same
JP5159667B2 (ja) * 2009-02-24 2013-03-06 Ｈｏｙａ株式会社 スタンパおよび磁気記録媒体の製造方法
JP5734954B2 (ja) * 2009-04-10 2015-06-17 三井化学株式会社 硬化可能な接着剤組成物
KR101355036B1 (ko) * 2009-06-08 2014-01-24 효고껭 임프린트용 몰드 및 그 제조 방법
KR101653626B1 (ko) 2009-07-13 2016-09-02 주식회사 동진쎄미켐 광경화형 함불소 수지 조성물 및 이를 이용한 수지 몰드의 제조방법
JP2011021058A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Dh Material Kk 成形品の製造方法
JP5033867B2 (ja) * 2009-12-28 2012-09-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造体、微細構造体の製造方法、及び微細構造体製造用の重合性樹脂組成物
JP2011159850A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Toshiba Corp テンプレート、テンプレートの製造方法およびパターン形成方法
JP5426489B2 (ja) * 2010-06-25 2014-02-26 株式会社東芝 テンプレートの製造方法
JP2012031240A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 微細構造転写用の光重合性樹脂組成物
EP2617548B1 (en) * 2010-09-16 2016-08-31 NGK Insulators, Ltd. Use of a forming mold for yielding a molded product made from a slurry
JP5658001B2 (ja) * 2010-11-11 2015-01-21 旭化成イーマテリアルズ株式会社 樹脂モールド
JP5328869B2 (ja) * 2011-10-21 2013-10-30 東芝機械株式会社 転写用の型の製造方法
JP6227545B2 (ja) 2012-10-22 2017-11-08 綜研化学株式会社 インプリント用光硬化性樹脂組成物、インプリント用モールドの製造方法およびインプリント用モールド
JP6084055B2 (ja) * 2013-02-05 2017-02-22 東京応化工業株式会社 インプリントによるパターン形成方法
KR102060831B1 (ko) 2013-02-27 2019-12-30 삼성전자주식회사 플립 칩 패키징 방법, 그리고 상기 플립 칩 패키징 방법에 적용되는 플럭스 헤드 및 그 제조 방법
US10472446B2 (en) * 2013-03-04 2019-11-12 Toyo Gosei Co., Ltd. Composition, resin mold, photo imprinting method, method for manufacturing optical element, and method for manufacturing electronic element
US11048829B2 (en) * 2013-03-15 2021-06-29 Kemeera Llc 3D printing systems and methods for fabricating injection molds
JP6489309B2 (ja) * 2015-05-14 2019-03-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 インプリント方法およびインプリント装置
JP2017055058A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 株式会社東芝 テンプレート作製方法、テンプレート作製装置、およびテンプレート検査装置
KR20170079671A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 코오롱인더스트리 주식회사 와이어 그리드 편광판 및 이를 포함한 액정표시장치
JP6924006B2 (ja) * 2016-05-09 2021-08-25 デクセリアルズ株式会社 レプリカ原盤の製造方法、および被形成体の製造方法
EP3988282A1 (en) * 2016-05-09 2022-04-27 Dexerials Corporation Replica master mold and article
CN109328316A (zh) * 2016-06-03 2019-02-12 株式会社Lms 用于制造光学片模块的方法和设备
WO2020051765A1 (zh) * 2018-09-11 2020-03-19 深圳市汇顶科技股份有限公司 通孔器件的制作方法、生物特征识别模组及终端设备
KR102186501B1 (ko) * 2018-11-16 2020-12-03 한국세라믹기술원 대면적 열보조 패턴 전사 프린팅 방법
FI4034368T3 (fi) 2019-09-25 2024-02-08 Basf Coatings Gmbh Menetelmä kohokuvioidun rakenteen siirtämiseksi pinnoitteen pinnalle ja kohokuviointimuottina käyttökelpoinen komposiitti
KR102389523B1 (ko) * 2020-06-11 2022-04-25 한국기계연구원 친수성 미세 스탬프 및 이의 제조방법
DE102021130504A1 (de) * 2021-11-22 2023-05-25 Delo Industrie Klebstoffe Gmbh & Co. Kgaa Strahlungshärtbare Stempelmasse, Verwendung der Masse und Verfahren zur Herstellung von gemusterten Erzeugnissen

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2790181B2 (ja) 1987-06-30 1998-08-27 大日本印刷株式会社 レンズシートおよびその製造方法
JPH01302201A (ja) 1988-05-30 1989-12-06 Dainippon Printing Co Ltd レンズシート成形用樹脂組成物
JP2670110B2 (ja) * 1988-11-10 1997-10-29 大日本印刷株式会社 スタンパ
US4929403A (en) * 1989-07-25 1990-05-29 Audsley Edwin F Process for forming multi-layer flexible molds
CA1338677C (en) * 1989-09-29 1996-10-22 Yoshihiro Nishiyama Thermosetting covering sheet and a method of forming hard coating on the surface of substrates using the same
JP3370390B2 (ja) * 1992-08-21 2003-01-27 三菱レイヨン株式会社 レンズシートの製造方法
JPH07201903A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Toshiba Seiki Kk ワイヤボンディング方法
JP3465086B2 (ja) * 1994-05-20 2003-11-10 大日本印刷株式会社 光制御レンズシート、面光源及び透過型表示体
JPH0834023A (ja) 1994-07-25 1996-02-06 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 樹脂成形品
JP2800697B2 (ja) 1994-09-22 1998-09-21 凸版印刷株式会社 レンズシートの製造方法および製造装置
JP3650216B2 (ja) * 1996-05-30 2005-05-18 Ｊｓｒ株式会社 成型法に用いられる樹脂製型の製造方法
JP3962092B2 (ja) * 1996-11-27 2007-08-22 大日本印刷株式会社 レンズシートの製造方法及びプロジェクションスクリーン
JP2000094453A (ja) * 1998-09-22 2000-04-04 Teijin Seiki Co Ltd 樹脂成形型およびその製造方法
US7195857B2 (en) * 2001-07-04 2007-03-27 Showa Denko K.K. Resist curable resin composition and cured article thereof
JP4229731B2 (ja) 2002-03-18 2009-02-25 大日本印刷株式会社 樹脂組成物および光学素子
JP4324374B2 (ja) 2002-03-29 2009-09-02 大日本印刷株式会社 微細凹凸パターン形成材料、微細凹凸パターン形成方法、転写箔、光学物品及びスタンパー
JP4197240B2 (ja) 2002-07-31 2008-12-17 大日本印刷株式会社 光硬化性樹脂、光硬化性樹脂組成物、微細凹凸パターン形成方法、転写箔、光学物品及びスタンパー
JP4100991B2 (ja) 2002-07-31 2008-06-11 大日本印刷株式会社 光硬化性樹脂組成物を用いた光学物品、微細凹凸パターン形成方法、及び転写箔

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101367044B1 (ko) 2006-10-13 2014-02-25 엘지디스플레이 주식회사 임프린트 리소그래피용 수지몰드 및 이의 제조방법
KR101772612B1 (ko) * 2009-09-04 2017-08-30 주식회사 동진쎄미켐 임프린트 리소그래피용 광경화형 수지 몰드 조성물
KR101053772B1 (ko) * 2010-10-01 2011-08-02 경북대학교 산학협력단 마이크로 플루이딕 칩 몰드를 제조하기 위한 성형 모듈, 이를 이용한 마이크로 플루이딕 칩 몰드 제조 방법 및 이에 의해 제조된 마이크로 플루이딕 칩 몰드
US8894406B2 (en) 2010-10-04 2014-11-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Patterning mold and manufacturing method thereof
WO2016114622A1 (ko) * 2015-01-15 2016-07-21 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 계층적 미세구조물, 이를 제조하기 위한 몰드 및 이 몰드의 제조방법
KR101705990B1 (ko) 2015-10-12 2017-02-13 한국과학기술원 고분자 구조체의 제조 방법 및 그 고분자 구조체를 이용하여 미세 패턴이 형성된 구조체의 제조 방법
KR20220110402A (ko) 2021-01-29 2022-08-08 주식회사 미뉴타텍 자외선경화형 저점도 수지 조성물 및 이를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040088977A (ko) 2004-10-20
JP2009292150A (ja) 2009-12-17
CN100545752C (zh) 2009-09-30
JP4901467B2 (ja) 2012-03-21
WO2004090636A1 (en) 2004-10-21
US7655307B2 (en) 2010-02-02
CN1774672A (zh) 2006-05-17
US20060214326A1 (en) 2006-09-28
JP2006523728A (ja) 2006-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100568581B1 (ko) 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드
KR100929381B1 (ko) 몰드 시트 조성물 및 이를 이용한 몰드 시트 제조방법
US9690193B2 (en) Curable composition for nanoimprinting and cured product
KR101358255B1 (ko) 광경화 타입 소수성 몰드 및 그 제조방법
CN104937695B (zh) 使用纳米结构化转印带的方法及其制成的制品
JP2004002702A (ja) プレポリマー材料、ポリマー材料、インプリンティングプロセスおよびその使用
TW201718680A (zh) 奈米壓印用組成物，硬化物，圖型形成方法及含有圖型之物品
CN107643652A (zh) 纳米压印模板及其制作方法和应用
US7588710B2 (en) Mold made of amorphous fluorine resin and fabrication method thereof
JP2007030212A (ja) プラスチック成形用スタンパの製造方法
TW201100263A (en) Nano-imprint stemplate and mthod for manufacturing the same
Rodríguez et al. Soft thermal nanoimprint and hybrid processes to produce complex structures
KR102389523B1 (ko) 친수성 미세 스탬프 및 이의 제조방법
KR100526053B1 (ko) 비결정성 불소 수지를 이용한 주형 및 그 제조 방법
TWI389931B (zh) 奈米壓印抗蝕劑及採用該奈米壓印抗蝕劑的奈米壓印方法
CN105242493A (zh) 一种紫外光固化纳米压印光刻胶及其制备方法
KR20050032255A (ko) 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법
Kang et al. Portable UV nanoimprint lithography system using hydraulic pressure
KR20130010583A (ko) 광경화형 수지 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130322

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140304

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150303

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160317

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170322

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180312

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190307

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200311

Year of fee payment: 15