KR20220110402A - 자외선경화형 저점도 수지 조성물 및 이를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법 - Google Patents

자외선경화형 저점도 수지 조성물 및 이를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법 Download PDF

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Abstract

대상 기재에 대면적의 미세 패턴을 형성하는데 사용되는 자외선경화형 저점도 수지 조성물 및 이를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법이 개시된다. 대면적 연성 몰드 제조 방법은 대상 기재의 표면에 자외선경화형 저점도 수지 조성물을 도포하는 단계, 대상 기재에 도포된 수지 조성물의 전체 영역 중 나노임프린트를 적용하여 미세패턴을 형성하기 위하여 분할한 단위 영역에 전사용 제1 마스크 몰드를 접합하고 1차 경화하는 단계, 1차 경화 공정을 완료 후 제1 마스크몰드를 분리하는 단계, 1차 경화 공정이 완료된 단위 영역에 전사용 제2 마스크몰드를 접합하고 2차 경화하는 단계, 및 1차 및 2차 경화된 단위 영역에 인접한 다른 단위 영역에 대해 제1 및 제2 마스크몰드를 이용하여 경화하는 단계를 반복하여 전체 영역에 미세패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

자외선경화형 저점도 수지 조성물 및 이를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법{Ultraviolet Curable Low-Viscosity Resin Composition And Method For Manufacturing Largr-Area Soft Mold Using The Composition}
본 발명은 대상 기재에 대면적의 미세 패턴을 형성하는데 사용되는 자외선경화형 저점도 수지 조성물 및 이를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법에 관한 것이다.
반도체, 전자, 광전, 자기, 표시 소자, 미세 전자기계 소자, 광학용 렌즈시크(예를 들면 프리즘 시트, 렌티큘라 렌즈 시트) 등을 제조할 때 미세 패턴을 형성하는 공정을 수행하게 되는 데, 이와 같이 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 대표적인 기법으로는 포토리쏘그라피(photolithography) 방법이 있다.
포토리쏘그라피 방법은 회로 선폭(또는 패턴 선폭이나 크기)이 노광 공정에 사용되는 빛의 파장에 의해 결정되는데, 현재의 기술수준을 고려할 때 포토리쏘그라피 공정을 이용해서 기판 상에 초 미세패턴, 예를 들면 선폭이 100nm 이하인 초 미세 패턴을 형성하는 것은 매우 어려운 실정이다. 또한 이러한 종래의 포토리쏘그라피 방법은 여러 단계의 공정(예를 들면, 기판 세정, 기판 표면처리, 감광성 고분자 코팅, 저온열처리, 노광, 현상, 세정, 고온 열처리 등)을 거쳐야만 하기 때문에 공정이 복잡하고 많은 공정 시간이 소요될 뿐만 아니라 고가의 공정 장비를 필요로 한다는 문제가 있으며, 이러한 문제로 인해 제조 원가의 상승 및 생산성 저하가 초래되는 근본적인 단점을 갖는다.
상술한 바와 같은 종래의 포토리쏘그라피 방법이 갖는 한계를 극복하기 위한 방편 중 하나로서 나노 임프린트 리쏘그라피(nano-imprint lithography) 방법이 있다. 이 방법에서는 먼저 원하는 패턴이 형성된 규소(Si) 등의 단단한(hard) 재질의 몰드를 준비하여 열가소성 고분자 박막이 코팅된 기판과 대향시킨 후 프레스 판 사이에 넣어 고온, 고압으로 처리한 후 몰드와 기판을 분리하는 방식으로 기판의 고분자 박막에 몰드의 패턴을 전사시킨다. 나노 임프린트 리쏘그라피 방법의 장점은 Si 등의 단단한 몰드를 사용하기 때문에 초 미세 패턴을 쉽게 구현할 수 있다는 것이다. 실제로, 문헌에 보고된 바에 따르면 구현한 최소 패턴의 크기가 대략 7nm라고 제시되고 있다 (참고문헌: SY Chou, PR Krauss, W Zhang, L Guo, and L Zhang, J VacSci Technol B 15, 2897(1997)).
이러한 나노 임프린트 기술은 기존의 포토리소그래피(photolithography) 기술에 비해 초미세 패턴을 비교적 간단한 공정을 통해 생성해 낼 수 있어 고생산성, 저비용의 이점을 두루 갖추고 있는 바 차세대 반도체 및 평판 디스플레이용 회로 형성 기술로 주목받고 있다.
다만, 나노 크기의 패턴을 갖는 몰드를 제작하기 위해 일반적으로 사용되는 e-빔 리소그래피 공정은 주로 6인치(inch) 또는 8인치 이하급으로 이루어져 있어, 이를 이용하여 미세패턴을 대면적화 하고자 할 때에는 비용이 기하급수적으로 늘어나거나 장비상의 한계 등으로 일정 크기 이상의 대면적 미세패턴은 제작 자체가 불가능한 문제점이 발생한다. 또한 전사하고자 하는 패턴이 3차원의 복잡한 가공이 필요한 경우에도 이를 대면적으로 한 번에 가공하기 위해서는 시간이 오래 걸리고, 비용도 늘어나는 등의 문제점이 발생하게 된다.
[문헌1] 한국등록특허 제10-0568581호(2006.03.31. 등록) [문헌2] 한국등록특허 제10-0731737호(2007.06.18. 등록)
없음
상기와 같은 문제점을 해결하고자 고안한 본 발명의 목적은 나노임프린트를 적용하여 미세패턴을 형성하기 위한 전체 영역을 복수개의 단위 영역으로 분할하고, 분할된 단위 영역에 대해 한 쌍의 마스크 몰드를 이용하여 순차적으로 전사시켜 미세 패턴을 형성하는 방식으로 전체 영역에 대해 대면적의 미세패턴을 형성할 수 있는 자외선경화형 저점도 수지 조성물 및 이를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 자외선경화형 저점도 수지 조성물은, (1) 아크릴계 모노머 100 중량%, (2) 규소 함유 아크릴레이트 10 내지 30 중량%, (3) 아크릴계 올리고머 5 내지 20 중량%, 및 (4) 광중합 개시제 1 내지 10 중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 아크릴계 모노머 70 중량%는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, N-비닐-2-피롤리돈, N,N-디메틸아크릴아마이드 및 벤질아크릴레이트으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 성분 (1) 내지 (4)를 포함하는 조성물의 점도는 10 내지 100 cPs 인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 대면적 연성 몰드 제조 방법은, (a) 대상 기재의 표면에 자외선경화형 저점도 수지 조성물을 도포하는 단계, (b) 대상 기재에 도포된 수지 조성물의 전체 영역 중 나노임프린트를 적용하여 미세패턴을 형성하기 위하여 분할한 단위 영역에 전사용 제1 마스크 몰드를 접합하고 1차 경화하는 단계, (c) 상기 1차 경화 공정을 완료 후 상기 제1 마스크몰드를 분리하는 단계, (d) 상기 1차 경화 공정이 완료된 단위 영역에 전사용 제2 마스크몰드를 접합하고 2차 경화하는 단계, 및 (e) 상기 1차 및 2차 경화된 단위 영역에 인접한 다른 단위 영역에 대해 상기 (b) 내지 (d) 단계를 반복하여 전체 영역에 미세패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 자외선경화형 저점도 수지 조성물은 아크릴계 모노머 100 중량%, 규소 함유 아크릴레이트 10 내지 30 중량%, 아크릴계 올리고머 5 내지 20 중량%, 및 광중합 개시제 1 내지 10 중량% 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1 및 제2 마스크몰드 자외선을 투과시키는 투과부와 자외선을 차단하는 차단부로 이루어진 마스크부를 각각 구비하며, 상기 제1 마스크몰드의 투과부는 상기 제2 마스크몰드의 차단부에 대응됨과 동시에 상기 제1 마스크몰드의 차단부는 상기 제2 마스크몰드의 투과부에 대응되도록 마련되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 마스크부는 투과부와 차단부가 교대로 배열된 체크 무늬 또는 줄 무늬로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 자외선경화형 수지 조성물은 기재와의 부착력이 탁월하고 피조물과의 이형성이 우수한 몰드 제조에 사용될 수 있고, 특히 모노머 함유량이 높은 저점도의 자외선 경화형 수지 조성물을 사용하여 대면적 연성 몰드의 제조에 사용할 수 있다.
본 발명에 따르면 분할한 단위 영역에 대해 한 쌍의 마스크몰드를 이용한 1차 및 2차 경화 공정을 순차적으로 실행하여 대면적 연성 몰드의 전체 영역에 대해 미세패턴을 충실하고 효율적으로 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 자외선경화형 저점도 수지 조성물를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 제1 및 제2 마스크몰드의 구조 및 동작을 설명하기 위한 도면,
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 대면적 연성 몰드를 제조하기 위한 공정을 설명하기 위한 도면.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명함으로써 본 발명을 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다. 또한 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명에서 분할된 단위 영역을 순차적으로 경화시켜 단위 미세패턴을 형성하고, 이렇게 단위 미세페턴을 이어 붙여 전체 미세패턴을 형성하여 대면적 몰드를 제조 시 저점도 수지 조성물이 공정 효율에 유리하다. 이를 고려하여 본 발명의 실시예에 따른 자외선경화형 저점도 수지 조성물은 이형 특성과 패턴 재현 특성이 우수한 조성물은 아크릴계 모노머, 규소 함유 아크릴레이트, 아크릴계 올리고머, 및 광중합 개시제를 포함할 수 있다.
본 발명은 수지 조성물의 성분 비율을 제시하며, 실시예에 따르면 모노머 함유량이 높은 저점도의 수지 조성물을 제공하며, 예를 들어 점도가 10 내지 100 cPs 이다.
실시예에 따른 수지 조성물은 아크릴계 모노머 100 중량%, 규소 함유 아크릴레이트 10 내지 30 중량%, 아크릴계 올리고머 5 내지 20 중량%, 및 광중합 개시제 1 내지 10 중량%을 포함할 수 있다. 여기서 아크릴계 모노머 70 중량%는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, N-비닐-2-피롤리돈, N,N-디메틸아크릴아마이드 및 벤질아크릴레이트으로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 규소 함유 아크릴레이트는 자외선 경화시 크로스 링킹이 가능하며 타 혼합물과의 상용성이 양호한 범위에서 성분 비율을 변경하고, 상기 아크릴계 올리고머는 경화 속도 및 수축율의 조절을 위하여 점도 특성을 저해하지 않는 수준에서 성분 비율을 변경하며, 상기 광중합 개시제는 자외선에 의해 중합이 개시되는 범위에서 성분 비율을 조절할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 자외선경화형 저점도 수지 조성물를 이용한 대면적 연성 몰드 제조 방법은, 대상 기재의 표면에 자외선경화형 저점도 수지 조성물을 도포하는 단계(S10), 대상 기재에 도포된 수지 조성물의 전체 영역 중 나노임프린트를 적용하여 미세패턴을 형성하기 위하여 분할한 단위 영역에 전사용 제1 마스크 몰드를 접합하고 1차 경화하는 단계(S20), 1차 경화 공정을 완료 후 제1 마스크몰드를 분리하는 단계(S30), 1차 경화 공정이 완료된 단위 영역에 전사용 제2 마스크몰드를 접합하고 2차 경화하는 단계(S40), 1차 및 2차 경화된 단위 영역에 인접한 다른 단위 영역에 대해 제1 및 제2 마스크몰드를 이용하여 경화하는 단계를 반복하여 전체 영역에 미세패턴을 형성하는 단계(S50)를 포함한다.
본 발명의 실시예에서 한 쌍의 마스크몰드를 이용하여 분할된 단위 영역에 대해 1차 경화 공정과 2차 경화 공정을 실행한다.
도 2a를 참고하여, 한 쌍의 마스크몰드(m1)(m2)는 자외선을 차단하는 차단부(10)와 자외선을 투과시키는 투과부(11)로 이루어진 마스크부(k1)(k2)를 각각 구비한다.
제1 마스크몰드(m1)의 마스크부(k1)는 차단부(10)와 투과부(11)가 교호로 반복되는 체크 무늬로 형성되고, 제2 마스크몰드(m2)의 마스크부(k2) 역시 차단부(10)와 투과부(11)가 교호로 반복되는 체크 무늬로 형성될 수 있다.
다만, 제1 마스크몰드(m1)의 투과부(11)는 제2 마스크몰드(m2)의 차단부(10)에 대응됨과 동시에 제1 마스크몰드(m1)의 차단부(10)는 제2 마스크몰드(m2)의 투과부(11)에 대응되도록 마련된다.
대상 기재(1)의 단위 영역(1a)에 제1 마스크몰드(m1)의 마스크부(k1)를 정렬시킨 후 자외선을 조사하여 경화시키면 대상 기재(1)의 단위 영역(1a)에 체크 무늬에 대응하여 미세패턴이 형성된다. 자외선 조사에 의한 광에너지는 300 ~ 2,000 mJ/Cm2 이다.
그런 다음 대상 기재(1)의 단위 영역(1a)에 제2 마스크몰드(m2)의 마스크부(k2)를 정렬시킨 후 자외선을 조사하여 경화시키면 대상 기재(1)의 단위 영역(1a)에 남아 있는 영역에 미세패턴이 형성됨에 따라 단위 영역(1a) 전체에 미세패턴이 형성된다.
도 2b를 참고하여, 대상 기재(1)의 좌측 상단에 대해 제1 마스크몰드(m1)와 제2 마스크몰드(m2)를 사용하여 미세패턴을 형성하고(A1)(A2), 그런 다음 대상 기재(1)의 우측 상단에 대해 제1 마스크몰드(m1)와 제2 마스크몰드(m2)를 사용하여 미세패턴을 형성한다(A3)(A4). 이렇게 대상 기재(1)의 좌우측 상단에 위치한 단위 영역에 대해 미세패턴을 형성한 이후 대상 기재(1)의 좌우측 하단에 대해 제1 마스크몰드(m1)와 제2 마스크몰드(m2)를 사용하여 반복하여 미세패턴을 형성할 수 있다(A5)(A6)(A7)(A8).
도 2c를 참고하여, 한 쌍의 마스크몰드(m11)(m21)는 자외선을 차단하는 차단부(10)와 자외선을 투과시키는 투과부(11)로 이루어진 마스크부(k11)(k21)를 각각 구비하되, 제1 마스크몰드(m11)의 마스크부(k11)는 차단부(10)와 투과부(11)가 교호로 반복되는 줄 무늬로 형성되고, 제2 마스크몰드(m21)의 마스크부(k21) 역시 차단부(10)와 투과부(11)가 교호로 반복되는 줄 무늬로 형성될 수 있다.
다만, 제1 마스크몰드(m11)의 투과부(11)는 제2 마스크몰드(m21)의 차단부(10)에 대응됨과 동시에 제1 마스크몰드(m11)의 차단부(10)는 제2 마스크몰드(m21)의 투과부(11)에 대응되도록 마련된다.
대상 기재(1)의 단위 영역(1a)에 제1 마스크몰드(m11)의 마스크부(k11)를 정렬시킨 후 자외선을 조사하여 경화시키면 대상 기재(1)의 단위 영역(1a)에 줄 무늬에 대응하여 미세패턴이 형성된다. 그런 다음 대상 기재(1)의 단위 영역(1a)에 제2 마스크몰드(m21)의 마스크부(k21)를 정렬시킨 후 자외선을 조사하여 경화시키면 대상 기재(1)의 단위 영역(1a)에 남아 있는 영역에 미세패턴이 형성됨에 따라 단위 영역(1a) 전체에 미세패턴이 형성된다.
도 2d를 참고하여, 대상 기재(1)의 좌측 상단에 대해 제1 마스크몰드(m11)와 제2 마스크몰드(m21)를 사용하여 미세패턴을 형성하고(B1)(B2), 그런 다음 대상 기재(1)의 우측 상단에 대해 제1 마스크몰드(m11)와 제2 마스크몰드(m21)를 사용하여 미세패턴을 형성한다(B3)(B4). 이렇게 대상 기재(1)의 좌우측 상단에 위치한 단위 영역에 대해 미세패턴을 형성한 이후 대상 기재(1)의 좌우측 하단에 대해 제1 마스크몰드(m11)와 제2 마스크몰드(m21)를 사용하여 반복하여 미세패턴을 형성할 수 있다(B5)(B6)(B7)(B8).
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 대면적 연성 몰드를 제조하기 위한 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a (a)에서 대상 기재(P1)에 자외선경화형 저점도 수지 조성물(10)을 도포한다.
대상 기재(P1)는 폴리에스터(PET)를 적용할 수 있다. 여기서 수지 조성물(10)은 모노머 함유량이 높은 저점도의 수지 조성물을 제공하며, 예를 들어 점도가 10 내지 100 cPs 이다. 실시예에 따른 수지 조성물은 아크릴계 모노머 100 중량%, 규소 함유 아크릴레이트 10 내지 30 중량%, 아크릴계 올리고머 5 내지 20 중량%, 및 광중합 개시제 1 내지 10 중량%을 포함할 수 있다. 여기서 아크릴계 모노머 70 중량%는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, N-비닐-2-피롤리돈, N,N-디메틸아크릴아마이드 및 벤질아크릴레이트으로 이루어진 군에서 선택된다.
상기 규소 함유 아크릴레이트는 자외선 경화시 크로스 링킹이 가능하며 타 혼합물과의 상용성이 양호한 범위에서 성분 비율을 변경하고, 상기 아크릴계 올리고머는 경화 속도 및 수축율의 조절을 위하여 점도 특성을 저해하지 않는 수준에서 성분 비율을 변경하며, 상기 광중합 개시제는 자외선에 의해 중합이 개시되는 범위에서 성분 비율을 조절할 수 있다.
도 3a (b)에 도시된 바와 같이, 수지 조성물(1)을 도포한 후 분할된 단위 영역(1a)에 제1 마스크몰드(m1)를 정렬한 후 접합한다.
이후, 도 3a (c)에 도시된 바와 같이, 제1 마스크몰드(m1)의 마스크부(k1)에 자외선을 조사한다. 마스크부(k1)의 투과부(11)를 통해 자외선이 단위 영역으로 일부 투과되나, 차단부(10)에 의해 일부 자외선은 차단된다. 이에 따라 분할된 단위 영역에서 투과부(11)에 대응되는 영역에 대해서 자외선 경화에 의해 미세패턴이 형성된다. 제1 마스크몰드(m1)에 의한 1차 경화가 완료되면 제1 마스크몰드(m1)를 대상 기재(P1)로부터 분리한다.
그런 다음 도 3b (d)에 도시된 바와 같이 1차 경화 공정이 완료된 단위 영역(1a)에 제2 마스크몰드(m2)를 정렬한 후 접합한다. 제2 마스크몰드(m2)는 자외선을 차단하는 차단부(10)와 자외선을 투과시키는 투과부(11)로 이루어진 마스크부(k2)를 구비한다. 제2 마스크몰드(m2)의 투과부(11)는 제1 마스크몰드(m1)의 차단부(10)에 대응됨과 동시에 제2 마스크몰드(m2)의 차단부(10)는 제1 마스크몰드(m1)의 투과부(11)에 대응되도록 마련된다.
그런 다음 도 3b (e)에 도시된 바와 같이 제2 마스크몰드(m2)의 마스크부(k2)에 자외선을 조사한다. 마스크부(k2)의 투과부(11)를 통해 자외선이 단위 영역(1a)으로 일부 투과되나, 차단부(10)에 의해 일부 자외선은 차단된다. 이때 1차 경화 공정에서 미세패턴이 형성되지 않은 남아 있는 영역에 마스크부(k2)의 투과부(11)가 대응되며, 남아 있는 영역은 자외선 경화에 의해 미세패턴이 형성된다.
도 3b (f)에 도시된 바와 같이, 제2 마스크몰드(m2)에 의한 2차 경화가 완료되면 제2 마스크몰드(m2)를 대상 기재(P1)로부터 분리한다. 그러면 단위 영역(1a) 전체에 미세패턴이 형성된다.
이와 같이 하나의 단위 영역(1a)에 대해 제1 및 제2 마스크몰드(m1)(m2)를 이용하여 1차 경화 공정과 2차 경화 공정을 순차적으로 수행함으로써 하나의 단위 영역(1a) 전체에 대해 미세패턴을 형성할 수 있다.
도 3c (g) 및 도 3c (h)에 도시된 바와 같이 인접한 다른 단위 영역(1b)에 대해서 제1 마스크몰드(m1)를 이용하여 1차 경화 공정을 수행함으로써 다른 단위 영역(1b)에 대해 미세패턴을 형성한다. 그런 다음 도 3c (i)에 도시된 바와 같이 제1 마스크몰드(m1)를 분리하고 다른 단위 영역(1b)에 제2 마스크몰드(m2)를 정렬한다.
이후 도 3d (j)에 도시된 바와 같이 제2 마스크몰드(m2)의 마스크부(k2)에 자외선을 조사하면 마스크부(k2)의 투과부(11)를 통해 자외선이 단위 영역(1a)으로 일부 투과되나, 차단부(10)에 의해 일부 자외선은 차단된다. 이때 1차 경화 공정에서 미세패턴이 형성되지 않은 남아 있는 영역에 마스크부(k2)의 투과부(11)가 대응되며, 남아 있는 영역은 자외선 경화에 의해 미세패턴이 형성된다.
이에 따라 도 3d (k)에 도시된 바와 같이 다른 단위 영역(1b) 전체에 미세패턴이 형성된다.
상술한 실시예에서는 나노임프린트를 적용하여 미세패턴을 형성하기 위한 전체 영역을 복수개의 단위 영역으로 분할하고, 분할된 단위 영역에 대해 한 쌍의 마스크 몰드를 이용하여 순차적으로 전사시켜 미세 패턴을 형성하는 방식으로 전체 영역에 대해 대면적의 미세패턴을 형성할 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
1 : 수지 조성물
10 : 차단부
11 : 투과부
m1, m2 : 마스크 몰드
k1, k2 : 마스크 몰드
P1 : 대상 기재

Claims (7)

  1. (1) 아크릴계 모노머 100 중량%,
    (2) 규소 함유 아크릴레이트 10 내지 30 중량%,
    (3) 아크릴계 올리고머 5 내지 20 중량%, 및
    (4) 광중합 개시제 1 내지 10 중량%
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선경화형 저점도 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴계 모노머 70 중량%는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, N-비닐-2-피롤리돈, N,N-디메틸아크릴아마이드 및 벤질아크릴레이트으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자외선경화형 저점도 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 성분 (1) 내지 (4)를 포함하는 조성물의 점도는 10 내지 100 cPs 인 것을 특징으로 하는 자외선경화형 저점도 수지 조성물.
  4. (a) 대상 기재의 표면에 자외선경화형 저점도 수지 조성물을 도포하는 단계,
    (b) 대상 기재에 도포된 수지 조성물의 전체 영역 중 나노임프린트를 적용하여 미세패턴을 형성하기 위하여 분할한 단위 영역에 전사용 제1 마스크 몰드를 접합하고 1차 경화하는 단계,
    (c) 상기 1차 경화 공정을 완료 후 상기 제1 마스크몰드를 분리하는 단계,
    (d) 상기 1차 경화 공정이 완료된 단위 영역에 전사용 제2 마스크몰드를 접합하고 2차 경화하는 단계, 및
    (e) 상기 1차 및 2차 경화된 단위 영역에 인접한 다른 단위 영역에 대해 상기 (b) 내지 (d) 단계를 반복하여 전체 영역에 미세패턴을 형성하는 단계,
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 연성 몰드 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 자외선경화형 저점도 수지 조성물은 아크릴계 모노머 100 중량%, 규소 함유 아크릴레이트 10 내지 30 중량%, 아크릴계 올리고머 5 내지 20 중량%, 및 광중합 개시제 1 내지 10 중량% 를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 연성 몰드 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 마스크몰드 자외선을 투과시키는 투과부와 자외선을 차단하는 차단부로 이루어진 마스크부를 각각 구비하며,
    상기 제1 마스크몰드의 투과부는 상기 제2 마스크몰드의 차단부에 대응됨과 동시에 상기 제1 마스크몰드의 차단부는 상기 제2 마스크몰드의 투과부에 대응되도록 마련되는 것을 특징으로 하는 대면적 연성 몰드 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 마스크부는 투과부와 차단부가 교대로 배열된 체크 무늬 또는 줄 무늬로 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적 연성 몰드 제조 방법.
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