JP4879511B2 - リソグラフィのための装置および方法 - Google Patents

リソグラフィのための装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4879511B2
JP4879511B2 JP2005136511A JP2005136511A JP4879511B2 JP 4879511 B2 JP4879511 B2 JP 4879511B2 JP 2005136511 A JP2005136511 A JP 2005136511A JP 2005136511 A JP2005136511 A JP 2005136511A JP 4879511 B2 JP4879511 B2 JP 4879511B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
substrate
template
diaphragm
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005136511A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006013453A (ja
Inventor
ババク、ハイダリ
マルク、ベック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Obducat AB
Original Assignee
Obducat AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from EP04445057.5A external-priority patent/EP1594001B1/en
Application filed by Obducat AB filed Critical Obducat AB
Publication of JP2006013453A publication Critical patent/JP2006013453A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4879511B2 publication Critical patent/JP4879511B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/02Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/10Isostatic pressing, i.e. using non-rigid pressure-exerting members against rigid parts or dies
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Description

本発明は、マイクロメータまたはナノメータ程度の大きさの構造を有するリソグラフィに関連する装置に関する。より詳細には、本発明は、基板または対象物上におけるインプリントリソグラフィに関する。
マイクロメカニクスとともにマイクロエレクトロニクスにおける傾向は、常に、より小さい寸法へと向かっている。マイクロ構造およびサブマイクロ構造を有する加工のための最も興味のある技術には、様々な種類のリソグラフィが含まれる。
フォトリソグラフィは、典型的には、フォトレジスト材料によって基板を被覆し、基板の表面上にレジスト層を形成するステップを含む。そして、レジスト層は、好ましくは、マスクを使用することによって、選択された部分が放射線に暴露される。それに続く現像ステップは、そのレジストの部分を除去し、それによって、マスクに対応するパターンをレジストに形成する。レジスト部分の除去は、基板表面を露出させ、それは、例えば、エッチング、ドーピング、または、メタライゼーションによって処理されてもよい。微細な大きさの複製の場合、フォトリソグラフィは、回折によって制限され、その回折は、使用される放射線の波長に依存する。50nm以下の大きさの構造を加工する場合、きわめて短い波長が、必要とされるので、光学システムに対する材料要件が、より重要なものとなる。
代替的な技術は、インプリント技術である。インプリント・リソグラフィ・プロセスにおいては、パターン化されるべき基板は、成形可能な層によって覆われる。基板に転写されるべきパターンは、3次元でスタンプまたはテンプレート上に予め規定される。スタンプは、成形可能な層に接触した状態にされ、そして、その層は、好ましくは、加熱することによって、軟化させられる。そして、スタンプは、軟化した層に押しつけられ、それによって、スタンプパターンのインプリントが、成形可能な層に形成される。その層は、満足できる程度に硬化するまで、冷却され、それに続いて、スタンプが、引き離され、除去される。それに続いて、スタンプパターンを基板に複製するために、エッチングが、用いられてもよい。組み合わせられたスタンプと基板とを加熱および冷却するステップは、熱膨張のために、噛み合った表面のずれを発生させることがある。インプリントされるべき面積が、大きくなればなるほど、実際の膨張および収縮も大きくなり、それは、より大きな表面積の場合に、インプリントプロセスをより難しいものにすることがある。
ステップアンドフラッシュ・インプリント・リソグラフィとして一般的に知られている異なる形態のインプリント技術は、米国特許第6,334,960号において、Willsonらによって、また、米国特許第6,387,787号において、Manciniらによって、提案された。簡単に上述したインプリント技術に類似して、この技術は、基板に転写されるべきパターンを規定する構造化された表面を有するテンプレートを含む。基板は、重合可能な流体の層によって覆われ、テンプレートが、その層に押しつけられ、それによって、流体が、パターン構造の凹部に満たされる。テンプレートは、重合可能な流体を重合させるのに使用することのできる波長範囲の放射線、典型的には、紫外線を透過する材料から製造される。テンプレートを介して放射線を流体に照射することによって、流体は、凝固する。それに続いて、テンプレートが、除去され、その後に、テンプレートのパターンが、重合された流体からなる固体ポリマー材料層に複製される。さらなる処理が、固体ポリマー材料層の構造を基板に転写する。
テキサス大学システム(University of Texas System)の理事会に与えられた国際特許出願第02/067055号は、ステップアンドフラッシュ・インプリント・リソグラフィを使用するためのシステムを開示している。とりわけ、この文献は、ステッパとも呼ばれるステップアンドフラッシュ装置を生産規模で実現することに関するものである。そのような装置において使用されるテンプレートは、典型的には石英である透明な材料からなる硬い本体を有する。テンプレートは、撓み部材によって、ステッパ内に支持され、その撓み部材は、X軸およびY軸を中心にしてテンプレートが回転するのを可能にし、それらのX軸およびY軸は、インプリントされるべき基板表面に平行な平面において互いに直角をなす。また、この機構は、テンプレートと基板との間の平行度および間隙を制御するための圧電アクチュエータを含む。しかしながら、そのようなシステムは、単一インプリントステップにおいて、大面積の基板表面をうまく処理することはできない。市販されているステップアンドフラッシュシステムは、Molecular Imprints,Inc,1807−C West Braker Lane,Austin,TX78758,U.S.Aによって提供されるIMPRIO 100である。このシステムは、25×25mmのテンプレートイメージ領域および0.1mmのストリート幅を有する。このシステムは、最大8インチまでの基板ウェーハを良好に処理することができるが、XY並進運動ステージを用いて、テンプレートを持ち上げ、そのテンプレートを横に移動させ、そして、再度、そのテンプレートを基板上に降ろすことによって、インプリントプロセスを反復しなければならない。さらに、そのようなステップごとに、重合可能な流体を、新たに成膜しなければならないだけでなく、新たに整列させなければならない。したがって、この技術は、きわめて時間のかかるものであり、かつ、大規模生産に最適なものでは決してない。さらに、反復整列誤差の問題および並進運動ステージに要求される高い精度に加えて、この技術は、上記テンプレート寸法よりも大きな連続的構造を生産できないという欠点を有する。全般的に見れば、これは、製造コストが、高すぎるかもしれず、この技術を微細構造デバイスの大規模生産にとっては興味のないものにすることを意味する。
したがって、本発明の目的は、マイクロメータまたはナノメータ程度の大きさの3次元特徴を備えた構造の加工を改善するための方法および手段を提供することである。とりわけ、本発明の目的は、そのような構造のパターンを、1インチよりも大きな幅を有する基板に、それどころか、8インチの直径、12インチの直径、および、それよりも大きな直径を有する基板に転写するための改善された方法および手段を提供することである。この目的の側面は、より費用効果がありかつより用途の広い装置およびそれに関連するプロセスを提供することである。
第1の側面によれば、この目的は、構造化された表面を有するテンプレートから放射線重合可能流体からなる表面層を備えた基板にパターンを転写するための装置であって、
向かい合った表面を有する第1の主要部分および第2の主要部分と、
前記主要部分間の間隔を調節するための手段と、
前記テンプレートおよび前記基板をお互いに平行に係合した状態で前記間隔内に支持するための支持手段であり、前記構造化された表面が、前記表面層に面する、前記支持手段と、
前記間隔内に放射線を放射するように工夫された放射線源と、
前記テンプレートまたは前記基板と係合するように工夫された可撓性隔膜からなる第1の壁を有し、前記第1の主要部の部分で定義される空洞と、
前記第1の主要部表面と前記可撓性隔膜の内部に配置されると共にはみ出して前記第1の主要部と前記可撓性隔膜を取り囲む密封部材であって、前記隔膜は接着剤により、あるいは前記密封部材に一体化されることにより前記密封部材と係合し、および/または前記第2の主要部表面からの逆圧力を適用するようにされた密封部材と、
調節可能な超過圧力を前記空洞内に存在する媒体に加えるための手段と、
前記間隔に面した表面を有するヒーター装置とを備え、
前記第1および第2の主要部が係合し、前記空洞が密封されたとき、前記可撓性隔膜は前記密封部材と前記第2の主要部表面との間にクランプされ、
前記隔膜が、所定の波長範囲にある前記放射線を透過し、前記放射線源が、前記隔膜の背後に配置され、
前記ヒーター装置が、エネルギー源に接続された加熱エレメントを備え、かつ、冷却源に接続された冷却エレメントを備えた、装置により達成される。
好ましくは、上記放射線源は、上記第1の主要部分内に配置され、第1の方向から上記間隔内に放射線を放射するように工夫され、上記ヒータ装置は、上記第2の主要部分内に配置され、上記第1の方向と反対の第2の方向から上記間隔へ向けられたヒータ装置の上記表面を有する。
好ましくは、上記媒体は、気体または液体からなる。
一実施例においては、上記媒体は、空気からなる。
一実施例においては、調節可能な超過圧力を加えるための上記手段は、圧力を1〜500バールに調節するように構成される。
好ましくは、上記空洞は、上記第1の主要部分の表面の一部分、上記第1の主要部分の表面に配置されかつ上記第1の主要部分の表面から突き出た可撓性密封部材、および、上記密封部材に係合する上記膜によって規定される。
好ましい実施例においては、上記膜は、上記密封部材から分離可能であり、かつ、上記第2の主要部分から圧力を加えることによって上記密封部材に係合するように工夫される。
好ましくは、上記膜は、所定の波長範囲にある上記放射線を透過し、上記放射線源は、上記膜の背後に配置される。
一実施例においては、上記膜、および、上記第1の主要部分の上記表面の少なくとも一部分は、所定の波長範囲にある上記放射線を透過し、上記放射線源は、上記第1の主要部分の上記表面の上記一部分の背後に配置される。
好ましい実施例においては、上記第1の主要部分の上記表面の上記一部分が、石英、フッ化カルシウム、または、上記放射線を透過するその他の何らかの圧力安定材料から製造される。
好ましくは、上記放射線源は、100〜500nmの波長範囲内に少なくとも存在する放射線を放射するように工夫される。
好ましい実施例においては、上記放射線源は、空気冷却され、かつ、0.5〜10μsのパルス幅および1〜10パルス/秒のパルスレートを備えたパルス放射線を放射するように工夫される。
一実施例においては、上記膜は、ポリマー材料からなる。
好ましい実施例においては、上記膜は、50〜1000mmの直径または幅を有する。
一実施例においては、上記基板は、上記膜の役割をなす。
第2の側面によれば、本発明の目的は、構造化された表面を有するテンプレートから放射線重合可能流体からなる表面層を備えた基板にパターンを転写するための方法であって、
請求項1に記載のインプリント装置内に、前記テンプレートおよび前記基板を、構造化された表面が表面層に面するように、前記第2の主要部と可撓性隔膜の第1の面との間において、互いに平行に配置するステップと、
前記テンプレートまたは前記基板と直接に係合した状態で前記隔膜を配置するステップと、
前記隔膜の周辺部分において前記隔膜を前記第2の主要部と密封部材との間にクランプし、それによって、媒体のための空洞の周壁を規定するステップと、
前記インプリント装置内の、冷却源に接続された冷却エレメントを備えたヒーター装置によって前記表面層を加熱するステップと、
前記パターンを前記表面層にインプリントするために、超過圧力を前記隔膜の第1の面の反対側にある前記隔膜の第2の面に存在する前記媒体に加えるステップと、
前記表面から気泡を抜き取るために、前記テンプレートと前記基板との間に負圧をかけるステップと、
前記表面層を凝固させるために、前記表面層を放射線に暴露するステップと、
前記表面層を放射線に暴露するステップの後に、前記ヒーター装置から熱を提供することによって前記表面層をベーキングするステップと、
を含む方法により達成される。
好ましい実施例においては、上記方法は、
上記層を放射線に暴露する上記ステップの後に、上記ヒータ装置から熱を提供することによって上記層をベーキングするステップ、
をさらに含む。
好ましくは、上記媒体は、気体または液体からなる。
一実施例においては、上記媒体は、空気からなる。
好ましくは、上記方法は、
上記テンプレートを介して上記層に放射線を放射するステップであり、上記テンプレートは、上記流体を重合させるのに使用できる所定の波長範囲にある放射線を透過する、上記放射するステップと、
上記ヒータ装置と直接に接触することによって上記基板を加熱するステップと、
を含む。
あるいは、上記方法は、
上記基板を介して上記層に放射線を放射するステップであり、上記基板は、上記流体を重合させるのに使用できる所定の波長範囲にある放射線を透過する、上記放射するステップと、
上記ヒータ装置と直接に接触することによって上記テンプレートを加熱するステップと、
を含んでもよい。
好ましい実施例においては、上記方法は、
上記膜を介して上記層に放射線を放射するステップであり、上記膜は、上記流体を重合させるのに使用できる所定の波長範囲にある放射線を透過する、上記放射するステップ、
を含む。
好ましくは、上記方法は、
上記膜と、上記媒体のための空洞の後壁を規定する上記膜と向かい合った透明な壁とを介して、上記層に放射線を放射するステップであり、上記後壁および上記膜が、上記流体を重合させるのに使用できる所定の波長範囲にある放射線を透過する、上記放射するステップ、
を含む。
一実施例においては、上記層を放射線に暴露するステップが、
100〜500nmの波長範囲内にある放射線を放射線源から放射するステップ、
を含む。
好ましい実施例においては、上記方法は、
上記放射線源を空気冷却し、かつ、0.5〜10μsの範囲にあるパルス幅および1〜10パルス/秒の範囲にあるパルスレートを備えたパルス放射線を放射するステップ、
を含む。
一実施例においては、上記方法は、
上記基板を上記膜として使用するステップ、
を含む。
別の実施例においては、上記方法は、
上記テンプレートおよび上記基板を上記停止部材と上記可撓性膜との間に配置する前に、上記基板と上記テンプレートとを互いにクランプするステップ、
を含む。
第3の側面によれば、本発明の目的は、テンプレートが、パターンを規定する凸部を含み、前記凸部が、その外端に、不透明層を有する、構造化された表面を有する前記テンプレートから放射線重合可能流体からなる表面層を備えた請求項14に記載の基板にパターンを転写するための方法であって、
請求項1に記載のインプリント装置内に前記テンプレートおよび前記基板をお互いに平行に配置するステップであり、前記第2の主要部可撓性隔膜の第1の面との間において、前記構造化された表面が、前記表面層に面する、前記配置するステップと、
前記インプリント装置内のヒーター装置によって前記表面層を加熱するステップと、
前記パターンを前記層にインプリントするために、超過圧力を前記第1の面の反対側にある隔膜の第2の面に存在する媒体に加えるステップと、
前記表面層から気泡を抜き取るために、前記テンプレートと前記基板との間に負圧をかけるステップと、
前記表面層の前記凸部間にある部分を凝固させるために、前記表面層を放射線に暴露するステップと、
前記表面層を放射線に暴露する前記ステップの後に、前記ヒーター装置から熱を提供することによって前記表面層をベーキングするステップ、
をさらに含む方法により達成される。
好ましい実施例においては、上記方法は、
上記層を放射線に暴露する上記ステップの後に、上記ヒータ装置から熱を提供することによって上記層をベーキングするステップ、
をさらに含む。
以下、添付の図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
本発明は、一般的には、テンプレート表面上の構造のレリーフイメージを基板表面上に生成することによって、テンプレートから基板にパターンを転写する方法に関する。このプロセスにおいては、テンプレートの表面および基板の表面は、一般的には、互いに平行に配置され、パターンの転写は、構造化されたテンプレート表面を、基板表面上に配置された成形可能な層に押しつけることによって、達成される。成形可能な層は、処理されて凝固し、それによって、それの形状は、テンプレート表面に類似するものとなる。その後、テンプレートは、基板およびそれの層から除去されてもよく、この時点において、上記層は、テンプレートの反転した表面形状的なレプリカである。基板に転写されたパターンを永久的なものにするために、さらなるプロセスが、必要とされてもよい。典型的には、凝固層の下に存在する基板の表面を選択的にエッチングするために、ウェットエッチングまたはドライエッチングが、実行されてもよく、それによって、凝固層のパターンが、基板表面に転写される。これは、きわめて最先端の技術であり、上述した米国特許第6,334,960号のような先行技術に関する文献に詳細に説明されている。
図1〜図3は、本発明の実施例による実際のパターン転写ステップまたはインプリントステップの基本的なプロセスステップを概略的に示す。
図1において、テンプレート10が、示され、そのテンプレート10は、構造化された表面11を有し、その表面11においては、3次元の凸部および凹部が、高さおよび幅が1nmから数μmまでの範囲にある特徴寸法を備えて形成されており、その高さおよび幅は、それよりも小さくてもあるいは大きくてもよい。テンプレート10の厚さは、典型的には、10〜1000μmの範囲にある。基板12は、テンプレート表面11に実質的に平行に配置された表面17を有し、図1に示される初期段階においては、それらの表面間に中間の間隔を備える。基板12は、基板ベース13を備え、その基板に、テンプレート表面11のパターンが、転写される。図示しないが、基板は、基板ベース13の下に、支持層を含んでもよい。テンプレート10のパターンが重合可能な流体へのインプリントを介して基板12に直接に転写されるプロセスにおいては、上記流体は、表面層14として基板ベース表面17上に直接に塗布されてもよい。別の実施例においては、点線で示されるように、例えば、ポリマーからなる転写層15が、使用されてもよい。また、そのような転写層15の例、および、インプリントされたパターンを基板ベース13に転写するそれに続くプロセスにおいてそれらの転写層15の例がどのように使用されるかについては、米国特許第6,334,960号に説明されている。転写層15を含む実施例においては、基板表面17は、転写層15の上面または外面を意味し、そして、その転写層15は、基板ベース表面18上に配置される。
基板12は、ヒータ装置20上に配置される。ヒータ装置20は、好ましくは、例えば、アルミニウムのような金属からなるヒータ本体21を備える。ヒータエレメント22が、ヒータ本体21に接続され、あるいは、ヒータ本体21に含まれ、熱エネルギーをヒータ本体21に伝達する。一実施例においては、ヒータエレメント22は、ヒータ本体21のソケットに挿入された電気的な浸漬ヒータである。別の実施例においては、電気的な加熱コイルが、ヒータ本体21の内部に提供され、あるいは、ヒータ本体21の下面に取り付けられる。さらに別の実施例においては、ヒータエレメント22は、ヒータ本体21内に形成された通路であり、加熱流体が、上記通路を通過する。ヒータエレメント22は、さらに、外部エネルギー源(図示しない)に接続するためのコネクタ23を備える。電気的な加熱の場合、コネクタ23は、好ましくは、電流源に接続するためのガルバニック接点である。加熱流体を通過させるための通路が形成された実施例の場合、上記コネクタ23は、好ましくは、加熱流体の供給源に取り付けるための導管である。加熱流体は、例えば、水または油であってもよい。
ヒータ本体21は、好ましくは、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、または、その他の金属などからなる一体鋳造物である。さらに、所定の質量および厚さを備えた本体21は、好ましくは、ヒータ装置20の上側において均一な熱分布が達成されるように使用され、その上側は、本体21からの熱を基板12を介して加熱層14に伝達するために、基板12に接続される。2.5”の基板をインプリントするのに使用されるインプリントプロセスの場合、少なくとも2.5”の直径、好ましくは、3”かまたはそれ以上の直径を備え、少なくとも1cmの厚さ、好ましくは、少なくとも2または3cmの厚さを備えたヒータ本体21が、使用される。6”の基板をインプリントするのに使用されるインプリントプロセスの場合、少なくとも6”の直径、好ましくは、7”かまたはそれ以上の直径を備え、少なくとも2cmの厚さ、好ましくは、少なくとも3または4cmの厚さを備えたヒータ本体21が、使用される。ヒータ装置20は、好ましくは、ヒータ本体21を200〜300℃の温度にまで加熱することができるが、ほとんどのプロセスにとっては、それよりも低い温度で十分である。
層14の制御された冷却を提供するために、ヒータ装置20は、さらに、ヒータ本体21に接続されあるいはヒータ本体21内に含まれる冷却エレメント24を備え、ヒータ本体21からの熱エネルギーを伝達する。好ましい実施例においては、冷却エレメント24は、ヒータ本体21内に形成された1つかまたは複数の通路を備え、冷却流体が、上記1つかまたは複数の通路を通過する。冷却エレメント24は、さらに、外部冷却源(図示しない)に接続するためのコネクタ25を備える。好ましくは、上記コネクタ25は、冷却流体の供給源に取り付けるための導管である。上記冷却流体は、好ましくは、水であるが、それの代わりに、例えば、絶縁油のような油であってもよく、あるいは、その他の何らかの適切な冷却剤であってもよい。
層14のための市販されかつ使用することのできる重合可能なまたは硬化性の流体には、ZEN Photonics,104−11 Moonj i−Dong,Yusong−Gu,Daejeon 305−308,South Koreaから得られるNIP−K17およびNIP−K22が含まれる。NIP−K17は、主成分であるアクリレートを有し、25℃において約9.63cpsの粘度を有する。また、NIP−K22は、主成分であるアクリレートを有し、25℃において約5.85cpsの粘度を有する。両方の物質は、約12mW/cm2の紫外線に2分間だけ暴露することによって、硬化するように工夫されている。
層14のための市販されかつ使用することのできる重合可能な流体のもう1つの例は、Micro Resist Technology GmbH,Koepenicker Strasse 325,Haus 211,D−12555 Berlin,Germanyから得られるOrmocoreである。この物質は、不飽和無機有機ハイブリッドポリマーからなる成分を有し、1〜3%の光重合開始剤を含む。粘度は、25℃において3〜8mPasであり、この流体は、365nmの波長において500mJ/cm2を備えた放射線に暴露することによって硬化することができる。重合可能な材料のその他の例が、米国特許第6,334,960号に記載されている。
基板表面に成膜されたときの層14の厚さは、典型的には、10nm〜10μmであり、利用分野に依存する。重合可能な流体は、スピンコーティング、ローラーコーティング、浸漬コーティング、または、それらに類似するものによって塗布されてもよい。従来技術のステップアンドフラッシュ法と比較すれば、本発明による典型的な利点は、基板全体にポリマー流体をスピンコーティングできることであり、それは、好都合かつ迅速なプロセスである。他方において、ステップアンドフラッシュ法は、大きな表面を単一ステップでうまく処理することができないので、表面の一部分に反復して滴下することによる反復分配を使用しなければならない。
図1の矢印は、テンプレート表面11が、重合可能な流体層14の表面16に押しつけられることを示す。このステップにおいて、ヒータ装置20は、好ましくは、層14の材料の適切な粘度を得るために、層14の温度を制御するのに使用される。
図2は、テンプレート表面11の構造がどのようにしてインプリントを流体層14に形成したかを示し、このとき、流体は、テンプレート表面11の凹部に満ちることを強いられている。図示された実施例においては、テンプレート表面11の最も高い凸部は、基板表面17の下にまでは貫通していない。これは、基板表面17、および、とりわけ、テンプレート表面11が損傷するのを防止するのに有益であるかもしれない。しかしながら、転写層を含む実施例のような別の実施例においては、インプリントは、転写層表面17の下まで実行されてもよい。図1〜図3に示される実施例においては、テンプレートは、選択された重合可能な流体を凝固させるのに使用できる予め定められた波長または波長範囲の放射線19を透過する材料から製造される。そのような材料は、放射線の波長に応じて、例えば、石英または様々な形態のポリマーであってもよい。放射線19は、典型的には、テンプレート10と基板12とが適切に整列した状態でテンプレート10が流体層14に押しつけられているときに照射される。この放射線19に暴露されると、重合可能な流体の凝固が、開始し、凝固して、テンプレート10によって決定された形状を有する固体14’となる。しかしながら、ヒータ装置20は、好ましくは、テンプレート10と基板12とを分離する前に層14’をベーキングして固体にするために、熱を層14’に提供するのに使用される。
その後、テンプレート10は、例えば、剥離および引き上げプロセスによって、除去される。形成されかつ凝固したポリマー層14’が、基板12上に残る。様々に異なるやり方による基板およびそれの層14’のさらなる処理については、ここでは、詳細には説明しない。なぜなら、本発明は、それ自体、そのようなさらなる処理には関係しないし、かつ、そのようなさらなる処理がどのようにして実現されるかにも依存しないからである。
図4〜図6は、本発明の代替的な実施例による実際のパターン転写ステップまたはインプリントステップの基本的なプロセスステップを概略的に示す。図1〜図3の実施例と実際にわずかに異なる点は、この実施例においては、放射線19がテンプレート10を介してではなく基板12を介して照射されることであり、そして、同じ符号が使用されている。さらに、ヒータ装置20は、その代わりに、テンプレート10に接続され、テンプレート10を介して、層14を加熱する。その他の点においては、図4〜図6のヒータ装置20は、図1〜図3のヒータ装置と同じ特徴を備え、そのために、同じ符号が使用される。したがって、図4〜図6の特徴については、さらに詳細には説明しない。
図7は、本発明による装置の好ましい実施例を概略的に示し、また、この装置は、本発明による方法の実施例を実施するのに使用することができる。この図面は、装置の様々な特徴を分かりやすくするために、きわめて概略的なものであることに注意されたい。とりわけ、様々な特徴の寸法は、同じ縮尺率では示されていない。
装置100は、第1の主要部分101および第2の主要部分102を備える。図示される好ましい実施例においては、これらの主要部分は、第1の主要部分101が第2の主要部分の上に存在するように、かつ、調節可能な間隔103が上記主要部分間に存在するように配置される。図1〜図6に示されるようなプロセスによって表面インプリントをなす場合、典型的にはXY平面と呼ばれる横方向においてテンプレートと基板とを適切に整列させることがきわめて重要である。これは、基板にすでに存在するパターンの上にインプリントが形成される場合あるいは基板にすでに存在するパターンに隣接してインプリントが形成される場合に、とりわけ、重要である。しかしながら、整列に関する特有の問題およびそれらを解決する様々な方法は、ここでは、取り扱われないが、当然ながら、必要であれば、本発明と組み合わせられてもよい。
第1の上部主要部分101は、下を向いた表面104を有し、第2の下部主要部分102は、上を向いた表面105を有する。上を向いた表面105は、ほぼ平坦であり、あるいは、ほぼ平坦な部分を有し、その表面105は、プレート106上に配置され、あるいは、プレート106の一部を構成し、そのプレート106は、図8および図9を参照してより詳細に説明されるように、インプリントプロセスに使用されるテンプレートまたは基板のための支持構造体の役割をなす。ヒータ本体21が、プレート106上に配置され、あるいは、プレート106の一部を構成する。ヒータ本体21は、図1〜図6に示されるように、ヒータ装置20の一部を構成し、加熱エレメント22を含み、さらに、好ましくは、冷却エレメント24を含む。加熱エレメント22は、コネクタ23を介して、例えば電流制御手段を備えた電源のようなエネルギー源26に接続される。さらに、冷却エレメント24は、コネクタ25を介して、例えば冷却液の流量および温度を制御するための手段を備えた冷却液容器およびポンプのような冷却源27に接続される。
間隔103を調節するための手段は、図示される実施例においては、ピストン部材107によって提供され、そのピストン部材107の外端は、プレート106に取り付けられる。ピストン部材107は、シリンダ部材108に移動可能に結合され、そのシリンダ部材108は、好ましくは、動かないように固定された関係でもって第1の主要部分101に保持される。図面において矢印で示されるように、間隔103を調節するための手段は、ほぼ平坦な表面105に垂直な運動すなわちZ方向の運動によって、第2の主要部分102を第1の主要部分101に近づけあるいは第1の主要部分101から遠ざけるように移動させるように工夫されたものである。移動は、人手によって達成されてもよいが、好ましくは、液圧式かまたは空気圧式の装置を使用することによって支援される。図示された実施例は、この点に関して、例えば、その代わりに、プレート106を固定されたピストン部材を中心にしてシリンダ部材に取り付けることによって、様々な形に変更されてもよい。第2の主要部分102の移動は、主として、装置100にテンプレートおよび基板を装填し、装置100からテンプレートおよび基板を取り出し、そして、装置を初期動作位置に配置するのに使用されることにさらに注意されたい。しかしながら、以下で説明するように、第2の主要部分102の移動は、それ自体、好ましくは、図示される実施例において、実際のインプリントプロセスには含まれない。
第1の主要部分101は、表面104を取り囲む周囲密封部材108を備える。好ましくは、密封部材108は、O−リングのようなエンドレスシールであるが、その代わりに、連続的なシール108を形成する互いに接続されたいくつかの密封部材から構成されてもよい。密封部材108は、表面104の外側にある凹部109内に配置され、そして、好ましくは、上記凹部から取り外すことができる。装置は、さらに、放射線源110を備え、図示された実施例においては、その放射線源110は、第1の主要部分101内において表面104の背後に配置される。放射線源110は、放射線源駆動装置111に接続することができ、その放射線源駆動装置111は、好ましくは、電源(図示しない)を備え、あるいは、その電源に接続される。放射線源駆動装置111は、装置100内に含まれてもよく、あるいは、外部の接続可能な部材であってもよい。放射線源110の近くに配置された表面104の表面部分112は、放射線源110の所定の波長または波長範囲を有する放射線を透過する材料によって構成される。このように、放射線源110から放射される放射線は、上記表面部分112を介して、第1の主要部分101と第2の主要部分102との間の間隔103に向けて照射される。窓の役割をなす表面部分112は、CD/DVDマスタリングに使用される市販されている溶融シリカ、石英、または、ガラスから構成されてもよい。
動作中、装置100は、さらに、可撓性膜113を備え、その膜113は、実質的に平坦であり、かつ、密封部材108に係合する。好ましい実施例においては、密封部材113は、密封部材108から分離した部材であり、以下で説明するように、プレート106の表面105から逆圧を加えることによってのみ密封部材108と係合する。しかしながら、別の実施例においては、膜113は、例えば、接着剤によって、あるいは、密封部材108の一体部分であることによって、密封部材108に取り付けられる。さらに、そのような別の実施例においては、膜113は、主要部分101にしっかりと取り付けられてもよいが、シール108は、膜113の外側に配置される。また、図示されるような実施例の場合、膜113は、放射線源110の所定の波長または波長範囲を有する放射線を透過する材料から構成される。このように、放射線源110から放射される放射線は、上記空洞115およびそれの境界壁104および113を介して、間隔103の中へ照射される。膜113に使用することのできる材料の例は、図7〜図9の実施例の場合、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレンを含む。膜113の厚さは、典型的には、10〜500μmであってもよい。
導管114が、第1の主要部分101内に形成され、液状媒体が、表面104、密封部材108、および、膜113によって規定される空間を通過するのを可能にし、その空間は、上記液状媒体のための空洞115の役割をなす。導管114は、ポンプのような圧力源116に接続することができ、その圧力源116は、外部にあるものであってもよく、あるいは、装置100に組み込まれたものであってもよい。圧力源116は、調節可能な圧力とりわけ超過圧力を上記空洞115内に含まれる液状媒体に加えるように工夫されたものである。図示されるような実施例は、気体圧力媒体とともに使用するのに適している。好ましくは、上記媒体は、空気、窒素、および、アルゴンを含むグループから選択される。その代わりに、液体媒体が、使用される場合、密封部材108に取り付けられた膜を有することが望ましい。そのような液体は、作動油であってもよい。
図8は、リソグラフィプロセスのために基板およびテンプレートを装填されるときの図7に示される装置の実施例を示す。この図面をよりよく理解するために、同様に、図1〜図3が、参照される。第2の主要部分102は、間隔103を広げるために、第1の主要部分101から下方へ移動している。図1〜図6に示されるように、テンプレートまたは基板のどちらか一方は、放射線源110の所定の波長または波長範囲を有する放射線を透過する。図8に示される実施例は、透明なテンプレート10を基板12の上面に装填された装置を示す。基板12は、それの背面が、第2の主要部分102の上または中に配置されたヒータ本体21の表面105上に配置される。それによって、基板12は、上を向いた重合可能な流体からなる層14を備えたそれの基板表面17を有する。分かりやすいように、図1〜図6に示されるようなヒータ装置20のすべての特徴は、図8には示されない。テンプレート10が、基板12の上にまたは近くに配置され、そのテンプレート10の構造化された表面11は、基板12に面している。テンプレート10を基板12と整列させるための手段が、提供されてもよいが、この概略的な図面には示されない。そして、膜113が、テンプレート10の上面に配置される。膜113が第1の主要部分に取り付けられた実施例の場合、膜113をテンプレート上に実際に配置するステップは、当然ながら、省略される。図8においては、テンプレート10、基板12,および、膜113は、ただ単に分かりやすいように、完全に離れて示されるが、実際の状態においては、それらは、表面105上に積み重ねられる。
図9は、装置100の動作中の位置を示す。第2の主要部分102は、膜113が密封部材108と表面105との間にクランプされる位置まで持ち上げられている。実際には、テンプレート10および基板12の両方は、典型的には1ミリメーターの数分の一ほどのきわめて薄いものであり、図示される膜113の実際の曲がりは、きわめて小さい。さらに、オプションとして、表面105は、テンプレート10と基板12とを組み合わせた厚さを補償するために、表面105が膜113を介して密封部材108と接触する位置において、高くなった周辺部分を備えるように工夫されてもよい。
主要部分101と主要部分102とが係合して膜113をクランプすると、空洞115は、密封される。そして、圧力源116は、空洞115内の液状媒体に超過圧力を加えるように工夫されている。空洞115内の圧力は、膜113によってテンプレート10に伝達され、そのテンプレート10は、基板12に向けて押しつけられ、テンプレートパターンを重合可能な流体層14にインプリントする(図2参照)。層14のポリマー材料が、動作温度、典型的には、20〜25℃の室温において、十分な粘度を有する場合、インプリントは、直接になされてもよい。しかしながら、ある種類のポリマーは、約60℃であるかもしれないそれのガラス転移温度TGを克服するために、予熱することを必要とする。そのようなポリマーの例は、Micro Resist TechnologyによるMRL 6000である。そのようなポリマーを使用する場合、組み合わせられた放射線および加熱の能力を有する装置100は、とりわけ、有益である。ヒータ装置20は、ヒータ本体21によって作動させられ、TGを克服するまで、基板12を介してポリマー層14を加熱する。そして、空洞115内の媒体の圧力が、5〜500バールまで、有利には、5〜200バールまで、好ましくは、5〜100バールまで増加される。それによって、テンプレート10および基板12は、対応する圧力によって互いに押しつけられる。可撓性膜113のおかげで、きわめて均一な力の分布が、基板とテンプレートとの間の接触面全体にわたって得られる。それによって、テンプレートおよび基板は、互いに完全に平行に配置され、基板またはテンプレートの表面におけるどのようなむらの影響をも除去することができる。
テンプレート10および基板12が、加えられた液状媒体圧力によって、重ね合わせられると、放射線源が、作動させられ、放射線19を放射する。放射線は、窓の役割をなす表面部分112、空洞115、膜113、および、テンプレート10を介して、照射される。放射線は、重合可能な流体の層14において、部分的にまたは完全に吸収され、それによって、層14は、圧力および膜支援圧縮によってテンプレート10と基板12とが完全に平行に配置された状態において、凝固する。放射線暴露時間は、層14における流体の種類および量、流体の種類と組み合わせた放射線波長、および、放射線電力に依存する。そのような重合可能な流体を凝固させるという特徴は、それ自体、よく知られており、同様に、上述したパラメータの関連する組み合わせは、この分野に精通する者にはよく知られている。流体が凝固して層14’を形成すれば、さらなる暴露は、大きな影響を及ぼさない。しかしながら、重合可能な流体の種類に応じて、150〜160℃にまで上昇させた温度におけるポストベーキングが、0.5〜1時間の期間だけ必要とされるかもしれない。本発明による装置100によれば、ポストベーキングは、インプリント機械100において実行されてもよく、これは、装置から基板を取り出して別の炉へ入れなくてもよいことを意味する。これは、1つのプロセスステップを省き、インプリントプロセスにおいて、時間およびコストの両方を節減するのを可能にする。MRL 6000の例の場合、ポストベーキングは、典型的には、100〜120℃において約10分間だけ実行される。テンプレート10が選択された圧力で基板10に押しつけてまだ保持されているときに、ポストベーキングステップを実行することによって、層14において得られる構造パターンにおけるより高い精度を達成することもでき、それは、より微細な構造を形成するのを可能にする。暴露時間、および、場合によっては、圧縮された状態でのポストベーキングに続いて、選択された材料および放射線、および、重合可能な層の寸法に応じて、空洞115内の圧力が、減少させられ、2つの主要部分101および102が、互いに分離される。一実施例においては、まず最初に、ヒータ装置20の冷却エレメント24が、分離する前に基板12およびテンプレート10を冷却するのに使用されてもよい。その後に、基板12およびテンプレート10が、互いに分離される。この後に、基板は、インプリントリソグラフィにおいては公知の技術に基づいてさらなる処理を施される。
図8および図9は、図1〜図3のプロセスに類似するプロセスを示す。この場合もやはり、透明な基板12によって、その代わりとして、テンプレート10は、図4〜図6に示されるように、ヒータ本体21の表面105上に配置され、そして、基板が、テンプレート10の上面に配置されてもよいことに注意されたい。
図10〜図12は、本発明の実施例による、装置100を使用する別の方法を示す。図1〜図3に示される特徴と類似するものには、同じ符号が使用される。しかしながら、図10〜図12のプロセスにおいては、好ましくはガラスまたは石英から製造された透明なテンプレート200が、使用される。テンプレート200は、基板12に面する構造化された表面を有し、凸部201の外端表面を覆う不透明層202を有する突き出たパターン規定凸部201を備える。好ましくは、層202は、金属層である。好ましい実施例においては、テンプレート200は、まず最初に、テンプレート表面の選択された領域上に金属マスク202を施し、その後に、マスクされた部分間に溝を規定するためにエッチングプロセスを使用することによって、製造される。エッチングステップの後にマスクを除去する代わりに、マスク202は、テンプレート上に維持され、テンプレート凸部201の不透明な外端表面を規定する。このプロセスによってテンプレート200を製造することによって、また、凸部201の外端表面のためのほぼ完全に均一な共通平面が達成されることが保証される。なぜなら、テンプレート製造プロセスは、平面を備えた平坦なテンプレート本体から開始するからである。図1〜図12に示される寸法は、分かりやすいように、誇張されていることに注意されたい。例えば、層202は、厚さがほんの数個の原子からなるモノレイヤであってもよい。
図10において、テンプレート200は、好ましくは、図7〜図9を参照して説明された装置を用いて、基板12上の層214に押しつけられる。この場合、層214は、紫外線硬化性のネガ型レジストポリマーであり、それは、知られているどのような種類のものであってもよい。上述したような膜および気体圧力を使用するインプリント技術のおかげで、均一な圧力が、テンプレート200と基板12とが噛み合った表面全体にわたって、達成される。好ましくは、テンプレート200は、凸部201の外端が、基板層17にきわめて近づくように、好ましくは、数ナノメーターまで近づくように、層214に押しつけられる。一実施例においては、層214のポリマーが、ガラス転移温度を克服するために、ヒータ装置20が、基板12を介して層214を予熱するのに使用される。
図11において、放射線19が、テンプレート200を介して基板12に照射される。層202に衝突した放射線は、阻止され、反射され、層部分214’には到達しない。しかしながら、凸部201間を照射する放射線は、層214に衝突し、層部分214”において、硬化プロセスまたは凝固プロセスを開始させる。そして、好ましくは、ベーキングプロセスが、ヒータ装置20を用いて、実行され、硬化プロセスを完了させる。
図12に示されるステップにおいて、テンプレート200は、テンプレート12から分離され、除去され、インプリントされた層214が、残される。この形状において、基板12は、ネガ型レジスト現像液に暴露される。現像液の種類は、知られているどのようなものであってもよいが、この分野に精通する者には、現像液の種類は使用されたレジストポリマーに応じて選択されなければならないことが分かるはずである。現像液は、放射線に暴露されなかった部分214’を除去するだけであり、その部分214’は、凸部201によって形成されたポリマー層における凹部の底部にきわめて薄い層として残るだけである。凹部に残ったポリマー部分214’を除去するために灰化プロセスまたはエッチングプロセスを施さなければならず、また、その後に、そのポリマー部分214’を硬化させる従来のプロセスと比較すれば、このプロセスは、きわめてより簡単かつ迅速なものである。さらに、パターン化されたポリマー層14の灰化またはエッチングは、層214のすべての部分、すなわち、部分214’および部分214”の両方から材料を除去するが、提案された方法は、放射線に暴露されなかった部分214’だけしか除去しない。
本発明によるシステムの一実施例は、さらに、基板12とテンプレート10とを互いにクランプするための機械的クランプ手段を備える。これは、とりわけ、テンプレートおよび基板からなる整列したスタックをインプリント装置へ移さなければならないパターン転写の前に基板とテンプレートとを整列させるための外部の整列システムを備えた実施例において、好ましいものである。また、システムは、紫外線照射によって重合可能な流体を硬化させる前に、積み重ねられたサンドイッチの重合可能な層から気泡を抜き取るために、テンプレートと基板との間に負圧をかけるための手段を含んでもよい。
好ましい実施例においては、インプリントプロセスの後に硬化したポリマー層14’がテンプレート表面11に付着するのを防止するために、テンプレート表面11は、好ましくは、粘着防止層によって処理される。そのような粘着防止層の例は、国際特許出願第03/005124号に記載され、かつ、本発明の発明者の一人によって発明されたようなフッ素含有基を備える。また、国際特許出願第03/005124号の内容は、本明細書に組み込まれる。
本発明者によって成功裡に検査された透明なテンプレートを備えた本発明の第1の態様は、1μmの厚さを備えたNIP−K17からなる層14によって覆われたシリコンからなる基板12を含む。600μmの厚さを備えたガラスまたは溶融シリカ/石英からなるテンプレートが、使用された。
本発明者によって成功裡に検査された透明な基板を備えた本発明の第2の態様は、1μmの厚さを備えたNIP−K17からなる層14によって覆われたガラスまたは溶融シリカ/石英からなる基板12を含む。例えば、約600μmの厚さを備えたニッケルまたはシリコンからなるテンプレートが使用されたが、その他の適切などのような不透明な材料が使用されてもよい。
5〜100バールの圧力で約30秒だけ膜113によって圧縮された後、放射線源110が、オンにされる。放射線源110は、典型的には、400nm以下の少なくとも紫外線領域において放射するように工夫される。好ましい実施例においては、200〜1000nmの範囲にある放射スペクトルを備えた空冷式キセノンランプが、放射線源110として使用された。好ましいキセノン型放射線源110は、1〜10W/cm2の放射線を提供し、また、1〜5パルス/秒のパルスレートで1〜5μsのパルスを点滅するように工夫される。別の実施例においては、連続モードの紫外線源が、使用される。放射線を通過させるために、石英の窓112が、表面104に形成される。流体層14を固体層14’に重合させるための暴露時間は、好ましくは、1〜30秒の範囲にある。うまく暴露した後、第2の主要部分102が、図8の位置に類似する位置まで下げられ、それに続いて、基板を分離し、そして、その基板をさらに処理するために、テンプレート10および基板12が、装置から取り出される。
開示された装置および方法は、単一ステップによる大面積インプリントにとりわけ有益であり、公知のステップアンドフラッシュ法よりもはるかに大きな利点を有する。膜透過流体圧力のおかげで、本発明は、8インチ、12インチ、および、それよりもはるかに大きなディスクの基板に1ステップでインプリントするのに使用することができる。約400×600mmおよびそれよりも大きな寸法を備えたフルフラットパネル・ディスプレイでさえも、本発明による単一のインプリントおよび暴露ステップによってパターン化することができる。したがって、本発明は、放射線支援重合インプリントを大規模生産のために初めて魅力的なものにする技術を提供する。本発明は、例えば、プリント配線基板またはプリント回路基板、電子回路、機械的または電気機械的な微細構造、磁気および光学的な記録媒体、などを生産するために、基板にパターンを形成するのに使用することができる。また、本発明による装置は、当然ながら、放射線源だけを備えて、あるいは、その代わりに、ヒータ装置だけを備えて使用されてもよい。
本発明は、添付の特許請求の範囲によって規定される。
テンプレートから基板へパターンを転写するための主要なプロセスステップを概略的に示す図であり、基板表面上の重合可能な流体を凝固させるために、放射線が、透明なテンプレートを介して照射される。 テンプレートから基板へパターンを転写するための主要なプロセスステップを概略的に示す図であり、基板表面上の重合可能な流体を凝固させるために、放射線が、透明なテンプレートを介して照射される。 テンプレートから基板へパターンを転写するための主要なプロセスステップを概略的に示す図であり、基板表面上の重合可能な流体を凝固させるために、放射線が、透明なテンプレートを介して照射される。 テンプレートから基板へパターンを転写するための対応するプロセスステップを概略的に示す図であり、基板表面上の重合可能な流体を凝固させるために、放射線が、透明な基板を介して照射される。 テンプレートから基板へパターンを転写するための対応するプロセスステップを概略的に示す図であり、基板表面上の重合可能な流体を凝固させるために、放射線が、透明な基板を介して照射される。 テンプレートから基板へパターンを転写するための対応するプロセスステップを概略的に示す図であり、基板表面上の重合可能な流体を凝固させるために、放射線が、透明な基板を介して照射される。 図1〜図3または図4〜図6に概略的に示されるプロセスを実施するための本発明による装置の実施例を概略的に示す図である。 プロセスの初期ステップにおいてテンプレートおよび基板が装填されたときの図7の装置を概略的に示す図である。 テンプレートから基板へパターンを転写する能動的プロセスステップにおいて図7および図8の装置を概略的に示す図である。 本発明によるインプリントプロセスの別の実施例を示す図である。 本発明によるインプリントプロセスの別の実施例を示す図である。 本発明によるインプリントプロセスの別の実施例を示す図である。

Claims (24)

  1. 構造化された表面を有するテンプレートから放射線重合可能流体からなる表面層を備えた基板にパターンを転写するための装置であって、
    向かい合った表面を有する第1の主要部分および第2の主要部分と、
    前記主要部分間の間隔を調節するための手段と、
    前記テンプレートおよび前記基板をお互いに平行に係合した状態で前記間隔内に支持するための支持手段であり、前記構造化された表面が、前記表面層に面する、前記支持手段と、
    前記間隔内に放射線を放射するように工夫された放射線源と、
    前記テンプレートまたは前記基板と係合するように工夫された可撓性隔膜からなる第1の壁を有し、前記第1の主要部の部分で定義される空洞と、
    前記第1の主要部表面と前記可撓性隔膜の内部に配置されると共にはみ出して前記第1の主要部と前記可撓性隔膜を取り囲む密封部材であって、前記隔膜は接着剤により、あるいは前記密封部材に一体化されることにより前記密封部材と係合し、および/または前記第2の主要部表面からの逆圧力を適用するようにされた密封部材と、
    調節可能な超過圧力を前記空洞内に存在する媒体に加えるための手段と、
    前記間隔に面した表面を有するヒーター装置とを備え、
    前記第1および第2の主要部が係合し、前記空洞が密封されたとき、前記可撓性隔膜は前記密封部材と前記第2の主要部表面との間にクランプされ、
    前記隔膜が、所定の波長範囲にある前記放射線を透過し、前記放射線源が、前記隔膜の背後に配置され、
    前記ヒーター装置が、エネルギー源に接続された加熱エレメントを備え、かつ、冷却源に接続された冷却エレメントを備えた、装置。
  2. 前記放射線源が、前記第1の主要部分内に配置され、第1の方向から前記間隔内に放射線を放射するように工夫され、前記ヒーター装置が、前記第2の主要部分内に配置され、前記第1の方向と反対の第2の方向から前記間隔へ向けられたヒーター装置の前記表面を有する、請求項1に記載の装置。
  3. 前記媒体が、気体からなる請求項1または2に記載の装置。
  4. 前記媒体が、空気からなる請求項1または2に記載の装置。
  5. 調節可能な超過圧力を加えるための前記手段が、圧力を1〜500バールに調節するように構成された、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
  6. 前記隔膜が、前記密封部材から分離可能であり、かつ、前記第2の主要部分から圧力を加えることによって前記密封部材に係合するように工夫された、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
  7. 前記隔膜、および、前記第1の主要部分の前記表面の少なくとも一部分が、所定の波長範囲にある前記放射線を透過し、前記放射線源が、前記第1の主要部分の前記表面の前記一部分の背後に配置された、請求項1に記載の装置。
  8. 前記第1の主要部分の前記表面の前記一部分が、石英、フッ化カルシウム、または、前記放射線を透過するその他の何らかの圧力安定材料から製造された、請求項1に記載の装置。
  9. 前記放射線源が、100〜500nmの波長範囲内に少なくとも存在する放射線を放射するように工夫された、請求項1または2に記載の装置。
  10. 前記放射線源が、0.5〜10μsのパルス幅および1〜10パルス/秒のパルスレートを備えたパルス放射線を放射するように工夫された、請求項1、2、9のいずれか一項に記載の装置。
  11. 前記隔膜が、ポリマー材料から製造された、請求項1、5、7のいずれか一項に記載の装置。
  12. 前記隔膜が、50〜1000mmの直径または幅を有する、請求項1、5、7,11のいずれか一項に記載の装置。
  13. 前記基板が、前記隔膜の役割をなす、請求項1から12のいずれか一項に記載の装置。
  14. 構造化された表面を有するテンプレートから放射線重合可能流体からなる表面層を備えた基板にパターンを転写するための方法であって、
    請求項1に記載のインプリント装置内に、前記テンプレートおよび前記基板を、構造化された表面が表面層に面するように、前記第2の主要部と可撓性隔膜の第1の面との間において、互いに平行に配置するステップと、
    前記テンプレートまたは前記基板と直接に係合した状態で前記隔膜を配置するステップと、
    前記隔膜の周辺部分において前記隔膜を前記第2の主要部と密封部材との間にクランプし、それによって、媒体のための空洞の周壁を規定するステップと、
    前記インプリント装置内の、冷却源に接続された冷却エレメントを備えたヒーター装置によって前記表面層を加熱するステップと、
    前記パターンを前記表面層にインプリントするために、超過圧力を前記隔膜の第1の面の反対側にある前記隔膜の第2の面に存在する前記媒体に加えるステップと、
    前記表面から気泡を抜き取るために、前記テンプレートと前記基板との間に負圧をかけるステップと、
    前記表面層を凝固させるために、前記表面層を放射線に暴露するステップと、
    前記表面層を放射線に暴露するステップの後に、前記ヒーター装置から熱を提供することによって前記表面層をベーキングするステップと、
    を含む方法。
  15. 前記媒体が、気体からなる請求項14に記載の方法。
  16. 前記媒体が、空気からなる請求項14に記載の方法。
  17. 前記テンプレートを介して前記表面層に放射線を放射するステップであり、前記テンプレートが、前記流体を重合させるのに使用できる所定の波長範囲にある放射線を透過する、前記放射するステップと、
    前記ヒーター装置と直接に接触することによって前記基板を加熱するステップと、
    を含む、請求項14に記載の方法。
  18. 前記基板を介して前記層に放射線を放射するステップであり、前記基板が、前記流体を重合させるのに使用できる所定の波長範囲にある放射線を透過する、前記放射するステップと、
    前記ヒーター装置と直接に接触することによって前記テンプレートを加熱するステップと、
    を含む、請求項14に記載の方法。
  19. 前記隔膜を介して前記表面層に放射線を放射するステップであり、前記隔膜が、前記流体を重合させるのに使用できる所定の波長範囲にある放射線を透過する、前記放射するステップ、
    を含む、請求項14、17、18のいずれか一項に記載の方法。
  20. 前記隔膜と、前記媒体のための空洞の後壁を規定する前記隔膜と向かい合った透明な壁とを介して、前記層に放射線を放射するステップであり、前記後壁および前記隔膜が、前記流体を重合させるのに使用できる所定の波長範囲にある放射線を透過する、前記放射するステップ、
    を含む、請求項14、17から19のいずれか一項に記載の方法。
  21. 前記表面層を放射線に暴露するステップが、
    100〜500nmの波長範囲内にある放射線を放射線源から放射するステップ、
    を含む、請求項14から20のいずれか一項に記載の方法。
  22. 0.5〜10μsの範囲にあるパルス幅および1〜10パルス/秒の範囲にあるパルスレートを備えたパルス放射線を放射するステップ、
    を含む、請求項21に記載の方法。
  23. 前記テンプレートおよび前記基板を前記停止部材と前記可撓性隔膜との間に配置する前に、前記基板と前記テンプレートとをお互いにクランプするステップ、
    を含む、請求項14に記載の方法。
  24. テンプレートが、パターンを規定する凸部を含み、前記凸部が、その外端に、不透明層を有する、構造化された表面を有する前記テンプレートから放射線重合可能流体からなる表面層を備えた請求項14に記載の基板にパターンを転写するための方法であって、
    請求項1に記載のインプリント装置内に前記テンプレートおよび前記基板をお互いに平行に配置するステップであり、前記第2の主要部可撓性隔膜の第1の面との間において、前記構造化された表面が、前記表面層に面する、前記配置するステップと、
    前記インプリント装置内のヒーター装置によって前記表面層を加熱するステップと、
    前記パターンを前記層にインプリントするために、超過圧力を前記第1の面の反対側にある隔膜の第2の面に存在する媒体に加えるステップと、
    前記表面層から気泡を抜き取るために、前記テンプレートと前記基板との間に負圧をかけるステップと、
    前記表面層の前記凸部間にある部分を凝固させるために、前記表面層を放射線に暴露するステップと、
    前記表面層を放射線に暴露する前記ステップの後に、前記ヒーター装置から熱を提供することによって前記表面層をベーキングするステップ、
    をさらに含む方法。
JP2005136511A 2004-05-07 2005-05-09 リソグラフィのための装置および方法 Active JP4879511B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04445057.5 2004-05-07
EP04445057.5A EP1594001B1 (en) 2004-05-07 2004-05-07 Device and method for imprint lithography
US52156204P 2004-05-25 2004-05-25
US521562 2004-05-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006013453A JP2006013453A (ja) 2006-01-12
JP4879511B2 true JP4879511B2 (ja) 2012-02-22

Family

ID=35320858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005136511A Active JP4879511B2 (ja) 2004-05-07 2005-05-09 リソグラフィのための装置および方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4879511B2 (ja)
KR (1) KR101166278B1 (ja)
HK (1) HK1114185A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101171190B1 (ko) 2005-11-02 2012-08-06 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드
KR100776633B1 (ko) 2006-06-21 2007-11-15 이우영 임프린트 시스템 및 이를 이용하는 임프린팅 방법
US7854877B2 (en) * 2007-08-14 2010-12-21 Asml Netherlands B.V. Lithography meandering order
JP4578517B2 (ja) 2007-12-26 2010-11-10 Scivax株式会社 インプリント装置およびインプリント方法
KR100982110B1 (ko) * 2008-08-21 2010-09-14 성균관대학교산학협력단 유기금속용액을 사용하는 초미세 패턴 형성 방법
JP5388539B2 (ja) * 2008-10-28 2014-01-15 旭化成イーマテリアルズ株式会社 パターン形成方法
JP5319326B2 (ja) 2009-02-25 2013-10-16 株式会社東芝 凹凸パターンの形成方法および凹凸パターン形成用シート
JP2012220346A (ja) * 2011-04-08 2012-11-12 Institute Of National Colleges Of Technology Japan 硬さ試験機、及び、インプリント装置
WO2015076147A1 (ja) * 2013-11-22 2015-05-28 綜研化学株式会社 ステップアンドリピート方式のインプリント技術を用いた構造体の製造方法
JP6421980B2 (ja) * 2015-03-02 2018-11-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 インプリント装置
KR20160111697A (ko) 2015-03-17 2016-09-27 권은순 자동차의 가변형 컨트롤 패널장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6190929B1 (en) 1999-07-23 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor devices and methods of forming field emission displays

Also Published As

Publication number Publication date
KR101166278B1 (ko) 2012-07-17
JP2006013453A (ja) 2006-01-12
HK1114185A1 (en) 2008-10-24
KR20070010195A (ko) 2007-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7997890B2 (en) Device and method for lithography
JP4879511B2 (ja) リソグラフィのための装置および方法
EP1538482B1 (en) Device and method for large area lithography
KR101229100B1 (ko) 중간 스탬프를 갖는 패턴 복제
JP4942994B2 (ja) 中間スタンプを用いたパターン複製装置
JP5646692B2 (ja) インプリント製法に使用される重合体スタンプの製造方法
JP2008542081A5 (ja)
JP2010240928A (ja) 微細構造転写スタンパ及び微細構造転写装置
KR101270082B1 (ko) 인터미디어트 스탬프를 갖는 패턴 복제를 위한 장치
KR100974144B1 (ko) 대면적 리소그래피용 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050914

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080509

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20080509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080522

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20080526

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080522

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080701

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081001

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081006

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081030

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081105

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090703

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090731

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090918

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101101

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20101105

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101130

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20101203

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110104

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110107

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110616

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110926

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4879511

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250