KR100974144B1 - 대면적 리소그래피용 장치 및 방법 - Google Patents

대면적 리소그래피용 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

패턴을 구조화된 표면을 가지는 형판(10)으로부터 방사선 중합 유체(14)의 표면층을 지지하는 기판(12)을 전사하기 위한 장치 및 방법이 개시된다. 상기 장치는 마주하는 표면(104; 105)을 가지는 제 1 주요 부분(101) 및 제 2 주요 부분(102), 상기 주요 부분들 사이의 간격(103)을 조절하기 위한 수단, 상기 표면층과 직면하는 상기 구조화된 표면을 구비하는 상기 간격내에 상호 평행한 결합으로 상기 형판 및 기판을 지지하기 위한 지지 수단(106), 상기 간격으로 방사선을 방출하도록 설계되는 방사선 소스(110)를 포함한다. 캐비티(115)는 상기 형판 또는 기판을 결합하도록 설계되는 가요성 막(113)을 포함하는 제 1 벽을 가지며, 상기 캐비티내에 존재하는 매체에 조절가능한 과압을 인가하기 위해 수단(114; 116)이 제공되어, 힘의 균일한 분포가 기판과 형판 사이의 접촉 표면 전체에 걸쳐 얻어진다.

Description

대면적 리소그래피용 장치 및 방법 {DEVICE AND METHOD FOR LARGE AREA LITHOGRAPHY}
본 발명은 마이크로(micro) 또는 나노미터(nanometer) 규모 상에 구조물의 리소그래피와 관련된 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 대면적(large area) 기판 또는 대상물 상의 임프린트 리소그래피(imprint lithography)에 관한 것이다.
마이크로일렉트로닉스(microelectronics), 뿐만 아니라 마이크로메카닉스(micromechanics)는 크기를 소형화하는 추세에 있다. 마이크로 및 서브마이크로(submicro) 구조물의 제조에 대한 가장 흥미있는 기술들 중 일부는 상이한 타입의 리소그래피를 포함한다.
포토리소그래피(photolithography)는 통상적으로 기판의 표면에 저항 층을 형성하도록 기판을 포토레지스트 재료(photoresist material)로 코팅하는 단계를 포함한다. 그리고나서 저항 층은 바람직하게는 마스크를 이용하여 선택된 부분에서 방사선에 노출된다. 후속하는 전개 단계는 상기 레지스트의 부분을 제거하여, 레지스트에 마스크에 대응하는 패턴을 형성한다. 레지스트 부분의 제거에 의해 기판 표면이 노출되는데, 이는 예를 들면, 에칭, 도핑(doping), 또는 금속화에 의해 처리될 수 있다. 미세한 규모의 복제(fine scale replication)를 위해, 포토리소그래피는 이용되는 방사선의 파장에 종속하는 회절에 의해 제한된다. 50nm 이하와 같이 짧은 파장이 요구되는 구조물의 제조를 위해, 광학 시스템 상의 재료 조건이 주요하게 될 것이다.
하나의 선택적인 기술은 임프린트 기술이다. 임프린트 리소그래피 공정에서, 패턴화되는 기판은 모듈형 층에 의해 덮힌다. 기판으로 이송되는 패턴은 스탬프 또는 형판에 미리 형성된다. 스탬프는 모듈형 층과 접촉하고 바람직하게는 가열됨으로써 층이 연화된다. 그리고나서 스탬프는 연화층으로 가압되어 모듈형 층에 스탬프 패턴의 임프린트를 형성한다. 층은 스탬프의 분리 및 제거 후에 만족스런 정도로 경화될 때까지 냉각된다. 후속 에칭은 기판에 스탬프 패턴을 복제하기 위해 적용될 수 있다. 조합된 스탬프 및 기판의 가열 및 냉각 단계는 열 팽창에 의해 결합된 표면을 이동시킬 수 있다. 임프린트되는 면적이 크면 클수록, 실제적인 팽창 및 수축이 더 커지며 이는 큰 표면적에 대해 임프린트 공정을 더 어렵게 만들 수 있다.
스텝 및 플래시(flash) 임프린트 리소그래피로서 일반적으로 공지된, 상이한 형태의 임프린트 기술은 미국 특허 제 6,334,960호에서 윌슨 등 및 미국 특허 제 6,387,787호에서 맨시니 등에 의해 제안되고 있다. 간단하게 상술된 임프린트 기술에 유사하게, 이 기술은 기판으로 전사되는 패턴을 형성하는 구조화된 표면을 가지는 형판을 포함한다. 기판은 중압 유체의 층으로 덮히며, 이 층으로 형판이 가압되어 유체가 패턴 구조물의 리세스에 채워진다. 형판은 중압가능한 유체를 중합하기 위해 이용되는 방사선 파장 범위, 통상적으로 UV 광선에 대해 투과성인 재료로 제조된다. 방사선이 형판을 통하여 유체로 인가함으로써, 유체가 고체화된다. 형판은 후속적으로 제거되며, 그 후 형판의 패턴이 중합 유체로 제조된 고체 폴리머 재료 층으로 복제된다. 추가의 공정은 고체 폴리머 재료 층에 있는 구조를 기판으로 전사(transfer)한다.
유니버시티 오브 텍사스 시스템(University of Texas System), 이사회로의 WO 02/067055호는 스텝(step) 및 플래시 임프린트 리소그래피를 적용하기 위한 시스템을 공개한다. 다른 것 중에서, 이러한 문서는 스텝 및 플래시 장치, 또는 소위 스테퍼(stepper)의 제조 규모 실시에 관한 것이다. 이러한 장치에 이용되는 형판은 투과성 재료, 통상적으로 석영의 강성 바디를 가진다. 형판은 가요성 부재에 의해 스테퍼에 지지되어, 형판이 임프린트되는 기판 표면에 대해 평행한 표면에 상호 수직한 X 및 Y 축선 둘다에 대해 피봇되는 것을 허용한다. 이 메커니즘은 또한 형판과 기판 사이의 평행 및 갭을 조절하기 위한 피에조 액츄에이터를 포함한다. 그러나, 이러한 시스템은 단일 임프린트 스텝에서 대형 면적 기판 표면을 취급할 수 있다. 시장에서 제공되는 스텝 및 플래시 시스템은 IMPRIO 100이며, 이는 미국 텍사스 78758 오스틴 웨스트 베이커 레인 1807-C에 소재하는 멀레쿨러 임프린트, 아이엔씨(Molecular Imprints, Inc.)에 의해 제공된다. 이 시스템은 25x25nm의 형판 이미지 면적, 및 0.1 mm의 스트리트 폭(street width)을 가진다. 비록 이러한 시스템은 8인치 까지의 기판 웨이퍼를 취급할 수 있지만, 임프린트 공정은 X-Y 이동 단계에 의해, 형판을 상승시키고 형판을 측방향으로 이동시키고 기판을 다시 하강시킴으로써 반복될 수 있다. 더욱이, 각각의 이러한 단계 동안, 다시 새로운 정렬 뿐만 아니라 중합 유체의 새로운 증착이 수행되어져야 한다. 따라서 이러한 기술은 매우 시간 소모적이고 대형 규모 제조에 대해 최적은 아니다. 더욱이, 반복된 정렬 에러의 문제에 부가하여, 고 정밀도가 이동 단계에서 요구되며 이러한 기술은 상기 형판 크기 보다 더 큰 연속 구조물이 생산될 수 없다는 단점이 있다. 무엇보다도, 이는 제조 비용이 너무 높아서 이러한 기술이 미세 구조 장치의 대형 제조에 대해 적절하지 않다는 것을 의미한다.
따라서, 본 발명의 목적은 마이크로 또는 나노미터 규모 상의 3차원 피쳐(features)를 포함하는 구조물의 제조의 개선을 위한 방법 및 수단을 제공하는 것이다. 특히, 이러한 구조물의 패턴을, 1인치 이상의 폭, 및 8인치 직경, 12 인치 직경 및 그 이상의 기판으로 전사하기 위한개선된 방법 및 수단을 제공하는 것이다.
제 1 양태에 따라, 이러한 목적은 패턴을 구조화 표면을 가지는 형판으로부터 방사선 중합 유체의 표면층을 지지하는 기판으로 이송하기 위한 장치에 의해 충족되는데, 상기 장치는 마주하는 표면을 갖는 제 1 주요 부분 및 제 2 주요 부분, 상기 주요 부분들 사이의 간격(spacing)을 조절하기 위한 수단, 상기 형판 및 기판을 상기 표면층과 직면하는 상기 구조화 표면을 가진 상기 간격에서의 상호 평행한 결합을 지지하기 위한 지지 수단, 상기 간격으로 방사선을 방출하도록 설계된 방사선 소스, 상기 형판 또는 기판과 결합하도록 설계된 가요성 부재를 포함하는 제 1 벽을 가지는 캐비티, 및 상기 캐비티에 존재하는 매체에 조절가능한 과압을 인가하기 위한 수단을 포함한다. 가요성 부재 때문에, 절대적으로 균일한 힘의 분배가 형판과 기판 사이의 접촉 표면 전체에 걸쳐 얻어져, 단일 임프린트 단계에서의 대면적 기판의 패턴화가 가능하게 된다.
바람직하게는, 상기 매체는 가스 또는 액체를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 매체는 공기를 포함한다.
일 실시예에서, 조절가능한 과압을 인가하기 위한 상기 수단은 1 내지 500 바아로 압력을 조절하기 위해 배치된다.
바람직하게는, 상기 캐비티는 상기 제 1 주요 부분의 표면의 일부, 상기 제 1 주요 부분에 배치되어 돌출되는 가요성 밀봉 부재, 및 상기 밀봉 부재와 결합되는 상기 막에 의해 형성된다.
바람직한 일 실시예에서, 상기 막은 상기 밀봉 부재로부터 분리가능하며 상기 제 2 주요 부분으로부터 압력의 인가에 의해 상기 밀봉 부재와 결합되도록 설계된다.
바람직하게는, 상기 막은 상기 방사선의 파장 범위에 대해 투과성이며 상기 방사선 소스는 상기 막 뒤에 위치한다.
일 실시예에서, 상기 제 1 주요 부분의 상기 표면의 적어도 일 부분 및 상기 막은 상기 방사선의 파장 범위에 대해 투과성이며, 상기 방사선 소스는 상기 제 1 주요 부분의 상기 표면의 상기 부분 뒤에 위치한다.
바람직한 일 실시예에서, 상기 제 1 주요 부분의 상기 표면의 상기 부분은 석영, 플루오르화칼슘 또는 상기 방사선에 대해 투과성인 소정의 다른 압력 안정 재료로 제조된다.
바람직하게는, 상기 방사선 소스는 적어도 100 내지 500 nm의 파장 범위에서 방사선을 방출하도록 설계된다.
바람직한 일 실시예에서, 상기 방사선 소스는 공기 냉각되고 0.5 내지 10 μs 의 펄스 지속시간 및 초당 1 내지 10 펄스의 펄스율(pulse rate)을 가진 맥동 방사선을 방출하도록 설계된다.
일 실시예에서, 상기 막은 폴리머 재료로 이루어진다.
바람직한 일 실시예에서, 상기 막은 50 내지 1000 mm의 직경 또는 폭을 가진다.
일 실시예에서, 상기 기판은 상기 막으로서 작용한다.
제 2 양태에 따라, 본 발명의 목적은 구조화된 표면을 가지는 형판으로부터 방사선 중합 유체의 표면층을 지지하는 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법에 의해 충족되는데, 가요성 막의 제 1 면과 정지 부재 사이에, 상기 형판 및 기판을 상기 표면층과 직면하는 상기 구조화된 표면과 상호 평행하게 배치하는 단계,
상기 층으로 상기 패턴을 임프린팅하기 위해, 상기 제 1 면에 반대되는, 상기 막의 제 2 면 상에 존재하는 매체에 과압을 인가하는 단계, 및
상기 층을 고체화하기 위해 상기 층을 방사선에 노출시키는 단계를 포함한다.
바람직하게는, 상기 매체는 가스 또는 액체를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 매체는 공기를 포함한다.
바람직하게는, 상기 방법은 상기 막을 상기 형판 또는 상기 기판과 직접적으로 결합되게 배치하는 단계를 포함한다.
바람직한 일 실시예에서, 상기 방법은 상기 정지 부재와 밀봉 부재 사이에 주변부에서 상기 막을 클램핑하여 상기 매체용 캐비티를 위한 주변 벽을 형성하는 단계를 포함한다.
바람직하게는, 상기 매체는 상기 형판 또는/및 상기 기판을 통하여 상기 층으로 방사선을 방출하는 단계로서, 형판 또는/및 기판은 상기 유체를 중합하기 위해 이용가능한 방사선의 파장 범위에 대해 투과성인, 단계를 포함한다.
바람직한 일 실시예에서, 상기 방법은 상기 막을 통하여 상기 층으로 방사선을 방출하는 단계로서, 상기 막은 상기 유체를 중합하기 위해 이용가능한 방사선의 파장 범위에 대해 투과성인, 단계를 포함한다.
바람직하게는, 상기 방법은 상기 매체용 캐비티를 위한 후방 벽을 형성하는, 상기 막을 통하여, 그리고 상기 막에 마주하는 투과성 벽을 통하여 상기 층을 방출하는 단계로서, 상기 후방 벽 및 매체는 상기 유체를 중합하기 위해 이용가능한 방사선의 파장 범위에 대해 투과성인, 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 층을 노출시키는 단계는, 100 내지 500 nm의 파장 범위 내에 방사선 소스로부터 방사선을 방출하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 방법은 상기 방사선 소스를 공기 냉각하는 단계, 0.5 내지 10 μ의 범위의 펄스 지속시간 및 초당 1 내지 10 펄스의 범위의 펄스율을 구비한 맥동 방사선을 방출하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 방법은 상기 막으로서 기판을 이용하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 상기 방법은 상기 형판 및 기판을 상기 정지 부재와 상기 가요성 막 사이에 배치하기 전에 상기 형판 및 상기 기판을 함께 클램핑하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 상기 방법은 상기 층을 상기 방사선에 노출하기 전에 상기 표면층으로부터 포함된 공기를 추출하기 위해 상기 형판 및 상기 기판 사이에 진공을 인가하는 단계를 포함한다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 더 상세하게 후술된다.
도 1 내지 도 3은 형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 주요 공정 단계를 개략적으로 도시한 도면으로서, 방사선이 기판 표면 상의 중합 유체를 고체화하도록 투과성 형판을 통하여 인가되는, 도면이고,
도 4 내지 도 6은 형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위해 대응하는 공정 단계로서, 방사선이 기판 표면 상의 중합 유체를 고체화하도록 투과성 기판을 통하여 인가되는, 도면이고,
도 7은 도 1 내지 도 3 또는 도 4 내지 도 6에 전체적으로 도시된 바와 같은 공정을 수행하기 위해, 본 발명에 따른 장치의 일 실시예의 개략도이고,
도 8은 도 7의 장치를 개략적으로 도시한 도면으로서, 공정의 초기 단계에서 형판 및 기판으로 로딩될 때를 도시한 도면이고,
도 9는 형판으로부터 기판으로 패턴을 이송하는 실제 공정 단계에서의, 도 7 및 도 8의 장치를 도시한 도면이고,
도 10은 도 9에 대응하여 형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하는 실제 공정 단계에서의, 다른 일 실시예를 도시하는 도면이다.
본 발명은 대체로 기판의 표면 상의 형판의 표면 상에 구조물의 릴리프 이미지를 형성함으로써, 형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법에 관한 것이다. 기판의 표면 및 형판의 표면은 이러한 공정에서 대체로 서로 평행하게 배치되고, 패턴은 구조화된 형판 표면을 기판 표면 상에 배치된 형성가능한 층으로 가압함으로써 전사된다. 형성가능한 층은 고체화되게 처리되어 그 형상이 강제로 형판 표면과 유사하게 된다. 그후 형판은 기판 및 층으로부터 제거되고 형판의 도립된 표면 형상 복제가 된다. 기판으로 전사된 패턴을 영구화하기 위해, 추가의 공정이 요구될 수 있다. 통상적으로, 습식 또는 건식 에칭은 고체화된 층 아래의 기판의 표면을 선택적으로 에칭하기 위해 수행되어, 고체화된 층 내의 패턴이 기판 표면으로 전사된다. 이는 본 기술 분야의 상태이며 상술된 미국 특허 제 6,334,960호와 같은 종래 기술 서류에 잘 설명되어 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예의 실제 패턴 전사 단계, 또는 임프린트 단계의 기본 공정 단계를 개략적으로 보여준다.
도 1에는, 구조화된 표면을 가지는 형판(10)이 도시되어 있으며, 이 구조화된 표면에는 3차원 돌출부 및 리세스가 1㎚ 내지 수 ㎛ 내의, 그리고 잠재적으로 크고 작은 높이 및 폭의 특징적 크기로 형성된다. 형판(10)의 두께는 통상적으로 10 내지 1000 ㎛이다. 기판(12)은 형판 표면에 대해 실질적으로 평행하게 배치되는 표면(17)을 가지며 중간부는 도 1에 도시된 초기 상태에서 표면들 사이가 이격되어 있다. 기판(12)은 형판 표면(11)의 패턴이 전사되는 기판 베이스(13)를 포함한다. 도시되지는 않았지만, 기판은 또한 기판 베이스(13) 아래 지지 층을 포함할 수 있다. 형판(10)의 패턴이 중합 유체(polymerisable fluid)내의 임프린트를 직접 통과하여 기판(12)으로 전사되어야 하는 공정에서, 상기 유체는 표면층(14)으로서 기판 베이스 표면(17)으로 직접 적용될 수 있다. 점선으로 표시된, 다른 실시예에서, 전사 층(15)이 예를 들면 폴리머가 채용된다. 이러한 예 및 이러한 예가 임프린트된 패턴을 기판 베이스(13)로 전사하는 후속 공정에서 이용되는 방법이 미국 특허 제 6,334,960호에 설명되어 있다. 전사 층(15)을 포함하는 일 실시예에서, 기판 표면(17)은 차례로 기판 베이스 표면(18)에 배치되는, 전사 층(15)의 상부 또는 외부 표면을 나타낸다.
층(14)을 위해 이용가능하고 사용가능한 중합 또는 경화 유체는 대한민국 대전광역시 유성구 문지동 305-308에 소재한 ZEN 포토닉스로부터의 NIP-K17 및 NIP-K22를 포함한다. NIP-K17은 아크릴레이트의 주 성분을 가지고 25℃에서 약 9.63 cps의 점성을 가진다. NIP-K22는 또한 아크릴레이트의 주 성분을 가지고 25℃에서 약 5.85 cps의 점성을 가진다. 양 물질은 2분 동안 12mW/㎠ 이상의 자외선 방사선에 대한 노출 하에서 경화되도록 고안된다.
층(14)에 대한 이용가능하고 사용가능한 중합 유체의 또 다른 예는 독일 D- 12555 베를린 하우스 211 코페닉커 스트라쎄 325에 소재한 마이크로 레지스트 테크놀러지 게엠베하(Micro Resist Technology GmbH)로부터의 오모코어(Ormocore)이다. 이러한 물질은 1 내지 3% 포토폴리머리제이션(photopolymerisation) 개시제를 구비한 비포화 무기-유기 하이브리드 폴리머의 성분을 가진다. 점성은 25℃에서 3 내지 8 mPas이며 유체는 365nm의 파장에서 500mJ/㎠의 방사선의 노출하에서 경화될 수 있다. 중합 재료의 다른 예는 미국 특허 제 6,334,960호에 언급되어 있다.
기판 표면에 증착될 때 층(14)의 두께는 통상적으로 적용 영역에 따라 10 nm 내지 10 ㎛이다. 중합 유체는 스핀(spin) 코팅, 롤러(roller) 코팅, 딥(dip) 코팅 등에 의해 적용될 수 있다. 종래 기술의 단계 및 현 방법(flash method)에 비해, 본 발명이 구비한 통상적인 장점은 폴리머 유체가 전체 기판 상에 스핀 코팅될 수 있다는 것이며, 이는 유용하고 신속한 공정이 된다. 한편, 상기 단계 및 현 방법은 반복되는 표면 부분 상에 드리핑(dripping) 함으로써 반복된 분배를 이용하여야 하며 이는 상기 방법이 단일 단계에서 대면적을 취급할 수 없기 때문이다.
도 1의 화살표는 형판 표면(11)이 중합 유체 층(14)의 표면(16)으로 가압되는 것을 나타낸다.
도 2는 형판 표면(11)의 구조물이 유체 층(14)에 임프린트를 제조하는 방법을 도시하고 있으며, 여기에서 유체는 강제로 형판 표면(11)의 리세스에 채워진다. 도시된 실시예에서, 형판 표면(11)에서 가장 높은 돌출부는 항상 기판 표면(17) 아래로 관통되지 않는다. 이는 손상으로부터 기판 표면(17), 특히 형판 표면(11)을 보호하기에 유익할 수 있다. 그러나, 전사 층을 포함하는 실시예와 같은 다른 실 시예에서, 임프린트는 항상 전사 층 표면(17) 아래로 수행될 수 있다. 도 1 내지 도 3에 도시된 실시예에서, 형판은 선택된 중합 유체를 고체화하기 위해 이용가능한 예정된 파장 또는 파장 범위의 방사선(19)에 대해 투과성인 재료로 제조된다. 이러한 재료는 예를 들면, 방사선 파장에 따라, 석영 또는 다양한 형상의 중합체일 수 있다. 방사선(19)은 형판(10)이 유체 층(14)으로 가압되어 형판(10) 및 기판(12) 사이가 적절하게 정렬될 때 통상적으로 인가된다. 이러한 방사선(19)에 노출될 때, 중합 유체는 중합가능하여 고체 바디(14')로 고체화되어 형판(10)에 의해 결정된 형상을 얻는다.
그후 형판(10)이 예를 들면 필링(peeling) 및 풀링(pulling) 공정에 의해 제거된다. 형성 및 고체화된 폴리머 층(14')은 기판(12)에 남아 있다. 기판 및 기판의 층(14')의 추가 공정의 다양하고 상이한 방법은 여기서 상세하게 취급하지 않았으며, 이는 이와 같은 본 발명은 이러한 추가 공정에 관련되지 않았을 뿐만 아니라 이러한 추가 공정이 이루어지는 방법에 종속하지 않기 때문이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 일 실시예의 실제 패턴 전사 단계, 또는 임프린트 단계의 기본 공정 단계를 개략적으로 보여준다. 동일한 도면부호가 이용되고 있지만, 도 1 내지 도 3의 실시예와 유일한 실제 차이는 본 실시예에서 방사선(19)이 형판(10)을 통과하는 대신 기판(12)을 통과하여 인가된다는 것이다. 따라서 도 4 내지 도 6의 특징이 추가로 설명되지 않았다. 그러나, 예를 들면 형판(10) 및 기판(12)을 통하여 방사선을 인가함으로써, 이러한 두 개의 실시예의 조합이 가능하다.
도 7은 본 발명에 따른 장치의 바람직한 일 실시예 및 본 발명에 따른 방법의 일 실시예를 수행하기 위해 이용가능한 일 실시예를 개략적으로 도시하고 있다. 이러한 도면은 상이한 특징을 명확하게 하기 위한, 개략도이다. 특히, 상이한 피쳐의 크기는 공통 스케일이 아니다.
장치(100)는 제 1 주요 부분(101) 및 제 2 주요 부분(102)을 포함한다. 도시된 바람직한 실시예에서, 이러한 주요 부분은, 주요 부분들 사이에 조정가능한 간격(103)을 가지고, 제 2 주요 부분의 상부에 제 1 주요 부분이 정렬된다. 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이 공정에 의해 표면 임프린트를 형성할 때, 형판 및 기판이 통상적으로 X-Y 평면으로 지칭되는 측면 방향으로 적절하게 정렬되는 것이 매우 중요하다. 이는 임프린트가 기판 내의 미리 존재하는 패턴의 상부에 또는 이에 인접하여 형성되는 경우 특히 중요하다. 그러나, 정렬의 특정한 문제점, 및 이들을 극복하는 상이한 방식이 여기서 설명되지 않지만 필요로 할 때 본 발명과 당연히 조합될 수 있다.
제 1의, 상부, 주요 부분(101)은 하향면(104)을 가지고 제 2의 하부, 주요 부분(102)은 상향면(105)을 가진다. 상향면(105)은 실질적으로 편평하거나 실질적으로 편평한 부분을 가지며, 이는 도 8 및 도 9와 관련하여 더욱 상세하게 후술되는 바와 같이, 임프린트 공정에서 이용되어야 하는 형판 또는 기판을 위한 지지 구조물로서 작용하는 플레이트(106)의 상부면을 구성한다. 도시된 실시예에서 간격(103)을 조정하는 수단은 플레이트(106)에 대한 외측 단부에 부착되는 피스톤 부재(107)에 의해 제공된다. 피스톤 부재(107)는 실린더 부재(107-1)에 변위가능하게 링크되며, 이는 제 1 주요 부분(101)에 고정 관계로 홀딩되는 것이 바람직하다. 도면에서 화살표로 표시된 바와 같이, 간격(103)을 조절하기 위한 수단은 실질적으로 편평한 표면에 대해 실질적으로 수직한, 즉 Z 방향으로 이동하는 수단에 의해, 제 1 주요 부분(101)에 근접되어 있거나 이로 부터 더 멀리 배치되도록 고안된다. 변위는 수동으로 달성될 수 있지만, 유압 또는 공기압 배열체를 적용함으로써 보조를 받는 것이 바람직하다. 도시된 실시예는 이러한 면, 예를 들면 부착 플레이트(106)를 고정된 피스톤 부재에 대해 실린더 부재에 부착 플레이트(106)를 대신 부착함으로써 다수의 방식으로 변화될 수 있다. 제 2 주요 부분(102)의 변위는 형판 및 기판을 구비한 장치(100)의 로딩 및 언로딩을 위해, 및 초기 작업 위치에서 장치를 배열하기 위해 주로 적용된다. 그러나, 제 2 주요 부분(102)의 이동은 도시된 바와 같이 도시된 실시예에서와 같은 실제 임프린트 공정에 포함되는 것이 바람직하다.
제 1 주요 부분(101)은 표면(104)을 둘러싸는 주변 밀봉 부재(108)를 포함한다. 바람직하게는, 밀봉 부재(108)는 오링과 같은 무한 밀봉부이지만, 연속 밀봉부(108)를 함께 형성하는 수개의 상호 연결된 밀봉 부재로 이루어질 수 있다. 상기 장치는 표면(104) 뒤의 제 1 주요 부분(101)에 배치되는 도시된 실시예에, 방사선 소스(110)를 더 포함한다. 방사선 소스(110)는 바람직하게는 파워 소스(도시안됨)를 포함하거나 이에 연결되는 방사선 소스 구동기(111)에 연결가능하다. 방사선 소스 구동기(111)는 장치(100)내에 포함되거나 외부 연결 부재일 수 있다. 방사선 소스(110)에 인접하여 배치된, 표면(104)의 표면부(112)는 방사선 소스(110) 의 소정의 파장 또는 파장 범위의 방사선에 대해 투과성인 재료로 형성된다. 이러한 방식에서, 방사선 소스(110)로부터 방출되는 방사선이 상기 표면부(112)를 통하여, 제 1 주요 부분(101) 및 제 2 주요 부분(102) 사이의 간격(103)을 향하여 전사된다. 윈도우로서 작용하는 표면부(12)는 CD/DVD 마스터링(mastering)을 위해 이용되는 이용가능한 용융 규소, 석영, 또는 유리로 형성될 수 있다.
작동 중에, 장치(100)는 실질적으로 편평하고 밀봉 부재(108)와 결합하는 가요성 부재(113)가 더 제공된다. 바람직한 일 실시예에서, 가요성 부재(113)는 밀봉 부재(108)와는 개별 부재이고 설명되는 바와 같이 플레이트(106)의 표면(105)으로부터 반대 압력을 인가함으로써 밀봉 부재(108)와 결합만을 한다. 더욱이, 다른 일 실시예에서, 막(113)은 주요 부분(101)에 단단하게 부착될 수 있는 반면, 밀봉부(108)는 막(113)의 외측에 배치된다. 도시된 실시예와 같은 실시예에 대해, 또한 막(113)은 방사선 소스(110)의 소정의 파장 또는 파장 범위의 방사선에 대해 투과성인 재료에 형성된다. 이러한 방식으로, 방사선 소스(110)로부터 방출되는 방사선은 경계 벽(104 및 113) 및 상기 캐비티(115)를 통한 간격(103)으로 전달된다. 도 7 내지 도 9의 실시예에 대해, 막(113)에 대한 이용가능한 재료의 예는 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌을 포함한다. 막(113)의 두께는 통상적으로 10 내지 500 ㎛일 수 있다.
도관(114)은 표면(104), 밀봉 부재(108) 및 막(113)에 의해 형성된 공간으로 유체 매체가 통과하는 것을 허용하기 위해 제 1 주요 부분(101)에 형성되며, 상기 공간은 상기 유체 매체용 캐비티(115)로서 작용한다. 도관(114)은 펌프와 같은 압 력 소스(116)로 연결가능하며 압력 소스는 외부에 있을 수 있거나 장치(100)의 일 부분에 제조될 수 있다. 압력 소스(116)는 상기 캐비티(115) 내에 들어 있는 유체 매체에 조절가능한 압력, 특히 과압을 인가하도록 고안된다. 도시된 것과 같은 일 실시예는 가스 압력 매체로 이용하기에 적절하다. 바람직하게는, 상기 매체는 공기, 질소 및 아르곤을 포함하는 그룹으로부터 선택된다. 대신 액체 매체가 이용되는 경우, 밀봉 부재(108)에 부착되는 막을 가지는 것이 바람직하다. 이러한 액체는 유압 오일일 수 있다.
리소그래픽 공정 동안 기판 및 형판으로 로딩될 때 도 8은 도 7의 장치 실시예를 도시하고 있다. 이러한 도면의 향상된 이해를 위해, 도 1 내지 도 3을 참조한다. 제 2 주요 부분(102)은 간격(103)을 상방으로 개방하기 위해 제 1 주요 부분(101)으로부터 하방으로 변위된다. 도 1 내지 도 6에 표시된 바와 같이, 형판 또는 기판, 또는 둘 다 방사선 소스(110)의 소정의 파장 또는 파장 범위의 방사선에 대해 투과성이다. 도 8에 도시된 실시예는 기판(12)의 상부 상의 투과성 형판(10)으로 로딩된 장치를 보여준다. 기판(12)은 제 2 주요 부분(102)의 표면 상에 기판의 배면으로 배치되어, 상방으로 직면하는 중합 유체의 층(14)를 구비한 기판면(17)을 가진다. 형판(10)은 기판(12) 상에 또는 기판에 직면하여 배치되며 형판의 구조화 표면(11)은 기판(12)으로 향한다. 형판(10)과 기판(12)을 정렬하기 위한 수단이 제공될 수 있지만, 이러한 개략적인 도면에는 도시되지 않는다. 그리고나서 막(113)은 형판(10)의 상부에 배치된다. 막(113)이 제 1 주요 부분에 부착되는 실시예에 대해, 형판 상에 막(113)을 실제로 배치하는 단계는 물론 존재하지 않는다. 도 8에서, 형판(10), 기판(12) 및 막(113)은 오직 명료성을 위해 완전히 분리되어 도시되는 반면, 실제 상황에서, 이들은 표면(105) 상에 적층된다.
도 9는 장치(100)의 작동 위치를 도시하고 있다. 제 2 주요 부분(102)은 막(113)이 제 2 주요 부분(102)의 표면(105)과 밀봉 부재(108) 사이에 클램핑되는 위치로 상승된다. 실제로, 형판(10) 및 기판(12) 둘다 매우 얇으며 통상적으로 단지 일 밀리미터의 부분들이고, 도시된 바와 같이 막(113)의 굽힘은 미세하다. 표면(105)은 기판(12)과 형판(10)의 조합된 두께를 보상하기 위해, 선택적으로 막(113)을 통하여 밀봉 부재(108)와 기판이 접촉하는 지점에서 상승된 주변부를 구비하는 것으로 설계될 수 있다.
주요 부분(101 및 102)이 막(113)에 클램핑되어 결합되면, 캐비티(115)가 밀봉된다. 압력 소스(116)는 캐비티(115) 내의 유체 매체로 과압을 인가하도록 설계된다. 캐비티(115)내의 압력은 막(113)에 의해 형판(10)으로 전달되며, 형판(10)은 중합 유체 층(14) 내에 형판 패턴을 임프린팅하기 위해 기판(12)을 향하여 가압된다(도 2 참조). 캐비티(115) 내의 매체의 압력은 5 내지 500 바아, 유용하게는 5 내지 200 바아, 그리고 바람직하게는 5 내지 100 바아로 증가한다. 형판(10) 및 기판(12)은 대응하는 압력으로 서로 가압된다. 가요성 막(113)에 의해, 힘의 절대적으로 균일한 분포가 기판과 형판 사이의 접촉면의 전체에 걸쳐 얻어진다. 형판 및 기판은 서로에 대해 자체적으로 절대적으로 평행하게 배치되도록 만들어지고, 기판 또는 형판의 표면에서의 어떠한 불규칙성의 영향도 제거된다.
형판(10) 및 기판(12)이 인가된 유체 매체 압력에 의해 모아질 때, 방사선 소스는 방사선(19)을 방출하기 시작한다. 방사선은 캐비티(115), 막(113) 및 형판(10)을 통하여 윈도우로서 작용하는 표면 부분(112)을 통하여 전달된다. 방사선은 중합 유체의 층(14)에 부분적으로 또는 완전히 흡수되어, 막 보조 압축력 및 압력에 의해 제공된, 형판(10) 및 기판(12) 사이의 완전히 평행한 배열에서 고체화된다. 방사선 노출 시간은 유체의 타입과 조합된 방사선 파장, 층(14) 내의 유체의 양 및 타입 및 방사선 파워에 종속한다. 이러한 중합 유체의 고체화 특징은 이와 같이 잘 공지되어 있으며 언급된 매개변수의 관련된 조합도 기술자에게 공지되어 있다. 유체가 층(14')을 형성하기 위해 고체화되면, 추가의 노출은 주요한 영향을 미치지 않는다. 그러나, 중합 유체의 타입에 따라, 150 내지 160 ℃의 강화된 온도에서의 사후 베이킹(post-baking)이 0.5 내지 1 시간의 시간 주기 동안 필요할 수 있다. 압축 하에서의 노출 시간을 따라, 재료의 방사선, 및 중합 층의 크기의 선택에 종속하여, 캐비티(115) 내의 압력이 감소되어 두 개의 주요 부분(101 및 102)이 서로로부터 분리된다. 그후 기판(12) 및 형판(10)은 서로로부터 분리된다. 이 후, 기판은 임프린트 리소그래피에 대해 이전에 공지된 바에 따라 추가 처리된다.
도 10은 도 9에 유사한 작동 위치에서, 본 발명의 선택적인 실시예를 도시하고 있다. 동일한 구성은 동일한 도면부호를 가진다. 이러한 선택적인 실시예에서, 방사선 소스(110)는 표면(105)뒤에, 제 2 주요 부분(102)에 대신 배치된다. 이러한 일 실시예에서, 플레이트(106)는 방사선 소스(110)의 소정의 파장 도는 파장 범위의 방사선에 대해 투과성인 재료, 예를 들면 석영에서 상부면(105)의 부분 (117)으로 설계되어, 방사선 소스(110)로부터 방출된 방사선이 제 1 주요 부분(101) 및 제 2 주요 부분(102) 사이의 간격(103)으로 전달된다. 그러나 또 다른 선택적인 실시예(도시안됨)는 제 1 주요 부분(101) 및 제 2 주요 부분(102) 둘다에 포함되는 방사선 소스와 두개의 상술된 것의 조합물이다. 도 10에 도시된 바와 같은 일 실시예에서, 막(113)은 방사선 소스(110)로부터의 중합 방사선에 대한 투과성일 필요는 없다. 따라서, 이러한 특별한 실시예는 예를 들면 10 내지 500 ㎛의 두께를 가지는 알루미늄과 같은 얇은 금속 시트로 제조된 막(113)이 적용될 수 있다.
본 발명의 특별한 일 실시예에서, 형판(10) 또는 기판(12)의 상부 부재는 막으로서 작용할 수도 있다. 이러한 일 실시예에서, 개별 부재(113)는 존재하지 않는다. 대신, 최상부 부재(10 또는 12)는 밀봉 부재(108)의 외측으로 연장하는 크기로 제공된다. 더욱이, 상기 최상부 부재(10 또는 12)는 또한 캐비티(115)로부터 압력을 유지 및 이송하도록 가요적이어야 한다. 이러한 일 실시예는 기판이 얇은 가요성 폴리머 필름일 때 통상적으로 이용될 수 있다. 이때, 폴리머 기판(12)이 표면(105) 상의 스탬프(10)의 상부에 배치된다.
본 발명에 따른 시스템의 일 실시예는 기판(12) 및 형판(10)을 함께 클램핑하기 위한 기계적인 클램핑 수단을 더 포함한다. 이는 형판 및 기판을 포함하는 정렬된 적층부가 임프린트 장치로 전사되어야 하는, 패턴을 전사하기 전에 기판 및 형판을 정렬하기 위한 외부 정렬 시스템을 구비한 일 실시예에서 특히 바람직하다. 시스템은 또한 UV 방사선을 통한 중합 유체의 경화 전에 적층된 샌드위치의 중합 층으로부터 포함된 공기를 추출하기 위해 스탬프와 기판 사이에 진공을 인가하기 위한 수단을 포함할 수 있다.
바람직한 일 실시예에서, 형판 표면(11)은 임프린트 공정 후 경화된 폴리머 층(14')이 형판 표면에 부착되는 것을 방지하도록 안티(anti) 접착 층으로 처리하는것이 바람직하다. 이러한 안티 접착 층의 일 예는 본 발명의 발명자들 중 하나에 의해 발명된 WO 03/005124호에 제시된 바와 같은, 불소 함유 그룹을 포함한다. WO 03/005124호는 또한 본 명에서서에서 참조된다.
발명자에 의해 성공적으로 시험된, 투과성 형판을 구비한 본 발명의 제 1 모드에 있어서, 1㎛의 두께를 가진 NIP-K17의 층(14)으로 덮혀지는 실리콘의 기판(12)을 포함한다. 600㎛의 두께를 가진 유리 또는 용융된 실리카/석영의 형판이 이용된다.
발명자에 의해 성공적으로 시험된 투과성 기판을 구비한 본 발명의 제 2 모드에 있어서, 1㎛의 두께를 가진 NIP-K17의 층(14)으로 덮혀지는 유리 또는 용융된 실리카/석영의 기판(12)을 포함한다. 600㎛의 두께를 가지고 예를 들면 니켈 또는 실리콘의 형판이 이용된다.
약 30 초 동안 5 내지 100 바아의 압력으로 막(113)에 의한 압축 후, 방사선 소스(110)가 턴온(turn on)된다. 방사선 소스(110)는 통상적으로 적어도 400㎚ 아래의 자외선 영역에서 방출되도록 설계된다. 바람직한 일 실시예에서, 200 내지 1000 ㎚의 범위의 방출 스펙트럼을 가지는 공기 냉각 제논 램프가 방사선 소스(110)로서 적용된다. 바람직한 제논형 방사선 소스(110)가 1-10 W/㎠의 방사선을 제공하고 초 당 1 내지 5 펄스의 펄스율(pulse rate)을 가진 1 내지 5 μs 펄스를 플래시하도록 설계된다. 석영의 윈도우(112)는 방사선이 통과하기 위한 표면(104)에 형성된다. 노출 시간은 고체 층(14')으로 유체 층(14)을 중합하기 위해, 1 내지 30 초 사이인 것이 바람직하다. 성공적인 노출 후, 제 2 주요 부분(102)은 형판(10) 및 기판(12)이 분리 및 기판의 추가 공정을 위해 기판으로부터 제거된 후, 도 8의 위치와 유사한 위치로 낮추어 진다.
공개된 장치 및 방법은 단일 단계에서 대면적 임프린트에 대해 특히 유용하며 이전에 공지된 단계 및 종래 방법에 대해 큰 장점을 가진다. 막 이송 유체 압력에 의해, 본 발명은 8인치, 12인치의 기판 및 더 큰 디스크의 하나의 단계 임프린트에 대해 이용될 수 있다. 약 400x600 nm 및 더 큰 크기를 가진 완전히 편평한 패널 디스플레이 조차 본 발명을 구비한 단일 임프린트 및 노출 단계로 패턴화될 수 있다. 따라서, 본 발명은 우선 방사선 보조 중합 임프린트를 매력적으로 할 수 있는 기술을 제공한다. 본 발명은 예를 들면 인쇄 와이어 기판 또는 회로 기판, 전자 회로, 미세 기계 또는 전자기계 구조물, 자기 및 광학 저장 매체 등의 제조용 기판에서 패턴을 형성하기 위해 이용가능하다.
본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 한정된다.

Claims (30)

  1. 구조화된 표면을 가지는 형판으로부터, 방사선 중합 유체의 표면층을 지지하는 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치로서, 상기 장치는
    각각 마주하는 표면을 가지는 제 1 주요 부분 및 제 2 주요 부분,
    상기 주요 부분들 사이의 간격을 조절하기 위한 수단,
    상기 표면층과 구조화 표면이 직면하고 있는 간격 내에서, 형판 및 기판이 상호 평행하게 결합하도록 형판 및 기판을 지지하기 위한 지지 수단,
    상기 간격으로 방사선을 방출하도록 설계된 방사선 소스,
    상기 형판 또는 기판과 결합하도록 설계되는 가요성 막을 포함하는 제 1 벽을 가지는 캐비티, 및
    상기 캐비티내 존재하는 매체에 조절가능한 과압을 인가하기 위한 수단을 포함하며,
    상기 막은 방사선의 파장 범위에 대해 투과성이고, 상기 방사선 소스는 막 뒤에 위치하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 매체는 가스를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 매체는 공기를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조절가능한 과압을 인가하기 위한 수단은 압력을 1 내지 500 바아로 조절하도록 배치되는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐비티는 제 1 주요 부분의 표면의 일 부분, 제 1 주요 부분 표면에 배치되어 이로부터 돌출되는 가요성 밀봉 부재, 및 밀봉 부재와 결합하는 막에 의해 형성되는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 막은 밀봉 부재로부터 분리되고, 제 2 주요 부분으로부터 압력의 인가에 의해 밀봉 부재와 결합하도록 설계되는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  7. 삭제
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 주요 부분의 표면의 일 부분 및 상기 막은 방사선의 파장 범위에 대해 투과성이고, 상기 방사선 소스는 제 1 주요 부분의 표면의 일 부분 뒤에 위치하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 주요 부분의 표면의 일 부분은 석영 또는 플루오르화칼슘으로 제조되는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선 소스는 적어도 100 내지 500 nm의 파장 범위에서 방사선을 방출하도록 설계되는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 방사선 소스는 0.5 내지 10 μs의 펄스 지속시간 및 초당 1 내지 10 펄스의 펄스율을 구비한 맥동 방사선을 방출하도록 설계되는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 막은 폴리머 재료로 이루어지는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 막은 50 내지 1000 mm의 직경 또는 폭을 가지는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판이 막으로서 작용하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 장치.
  15. 구조화된 표면을 가지는 형판으로부터 방사선 중합 유체의 표면층을 지지하는 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법으로서,
    상기 형판 및 기판을, 정지 부재와 가요성 막의 제 1 면 사이에, 표면층과 구조화된 표면이 직면하도록, 상호 평행하게 배열하는 단계,
    상기 표면층으로 패턴을 임프린트하기 위해, 상기 제 1 면에 반대되는 막의 제 2 면에 존재하는 매체에 과압을 인가하는 단계,
    상기 막을 통하여 상기 표면층으로 방사선을 방출하는 단계, 및
    상기 표면층을 고체화하기 위해 방사선에 노출하는 단계를 포함하며,
    상기 막은 상기 유체를 중합하기 위해 이용가능한 방사선의 파장 범위에 대해 투과성인,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 매체는 가스를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 매체는 공기를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 막을 형판 또는 기판과 직접 결합하게 배치하는 단계를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    정지 부재와 막과 결합가능한 밀봉 부재 사이의 주변부에서, 상기 막을 클램핑하여, 매체를 수용하기 위한 캐비티가 이루어지도록 주변 벽을 형성하는 단계를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  20. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형판, 기판 또는 형판 및 기판을 통하여 상기 표면층으로 방사선을 방출하는 단계를 포함하고,
    상기 형판, 기판 또는 형판 및 기판은 상기 유체를 중합하기 위해 이용가능한 방사선의 파장 범위에 대해 투과성인,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  21. 삭제
  22. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 막을 통하여, 그리고 상기 막에 마주하면서 매체를 수용하기 위한 캐비티가 이루어지도록 형성되는 후방 벽을 통하여, 상기 표면층으로 방사선을 방출하는 단계를 포함하며,
    상기 막 및 후방 벽은 상기 유체를 중합하기 위해 이용가능한 방사선의 파장 범위에 대해 투과성인,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  23. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면층을 방사선에 노출하는 단계는, 100 내지 500 nm의 파장 범위 내에서 방사선 소스로부터 방사선을 방출하는 단계를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 표면층을 방사선에 노출하는 단계는, 0.5 내지 10 μs의 범위의 펄스 지속시간 및 초당 1 내지 10 펄스의 범위에서의 펄스율을 가지는 맥동 방사선을 방출하는 단계를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  25. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판을 막으로서 이용하는 단계를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  26. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형판 및 기판을 정지 부재와 가요성 막 사이에 배치하기 전에, 상기 기판 및 형판을 함께 클램핑하는 단계를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  27. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면층을 방사선에 노출하기 전에, 포함된 공기를 표면층으로부터 추출하도록 상기 형판 및 기판 사이에 진공을 인가하는 단계를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  28. 삭제
  29. 제 18 항에 있어서,
    정지 부재와 정지 부재에 마주하는 부분의 표면에 배치되어 이로부터 돌출되며 막과 결합가능한 밀봉 부재 사이의 주변부에서, 상기 막을 클램핑하여, 상기 매체를 수용하기 위한 캐비티가 이루어지도록 주변 벽을 형성하는 단계를 포함하는,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
  30. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 막을 통하여, 그리고 상기 막에 마주하면서 매체를 수용하도록 형판 또는 기판과 결합하도록 설계되는 가요성 막을 포함하는 벽을 가지는 캐비티가 이루어지도록 형성되는 후방 벽을 통하여, 상기 표면층으로 방사선을 방출하는 단계를 포함하며,
    상기 막 및 후방 벽은 상기 유체를 중합하기 위해 이용가능한 방사선의 파장 범위에 대해 투과성인,
    형판으로부터 기판으로 패턴을 전사하기 위한 방법.
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