JP5646692B2 - インプリント製法に使用される重合体スタンプの製造方法 - Google Patents
インプリント製法に使用される重合体スタンプの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5646692B2 JP5646692B2 JP2013119172A JP2013119172A JP5646692B2 JP 5646692 B2 JP5646692 B2 JP 5646692B2 JP 2013119172 A JP2013119172 A JP 2013119172A JP 2013119172 A JP2013119172 A JP 2013119172A JP 5646692 B2 JP5646692 B2 JP 5646692B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- template
- stamp
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 149
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 152
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 149
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 126
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 74
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 64
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 53
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 claims description 48
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 31
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 21
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 claims description 2
- XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N tetracyclo[6.2.1.1(3,6).0(2,7)]dodec-4-ene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1 XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 abstract description 30
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 105
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2,4-dichlorophenyl)pentyl]1,2,4-triazole Chemical compound C=1C=C(Cl)C=C(Cl)C=1C(CCC)CN1C=NC=N1 WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000003570 air Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 9
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 6
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100064324 Arabidopsis thaliana DTX48 gene Proteins 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 3
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical group CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 102220616555 S-phase kinase-associated protein 2_E48R_mutation Human genes 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 101150059062 apln gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000010720 hydraulic oil Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- XBFJAVXCNXDMBH-GEDKWGBFSA-N molport-035-785-283 Chemical compound C1[C@@H](C23)C=C[C@H]1C3[C@@H]1C[C@H]2CC1 XBFJAVXCNXDMBH-GEDKWGBFSA-N 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- XIKYYQJBTPYKSG-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni].[Ni] XIKYYQJBTPYKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 description 1
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007152 ring opening metathesis polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
Description
・この材料から厚さ100〜1000マイクロメートルの薄い可撓性フィルムをロール加工できる能力。
・重合体材料から構成されたフィルムをインプリント製法で変形させることにより、あるいはこの材料から構成された顆粒または粒子から射出成形により、ナノ−および/またはマイクロ−パターン形成された表面を有するスタンプもしくはテンプレートのレプリカを製造できる能力。
・材料は、40mN/m(またはダイン/cm)未満、好ましくは37mN/m未満、さらには35mN/m未満の低い表面エネルギーを有するべきであるが、無論、その表面エネルギーは、以下に記載する粘着防止層を備えたテンプレート表面の表面エネルギーより高い必要がある。
・材料は、第二インプリント工程の際にインプリントされる有機材料(例えば重合体、オリゴマーおよび/またはモノマー材料)と混合すべきではない。
・材料は、100〜250℃の、明確に規定されたガラス転移温度を有するべきである。
・材料は、非常に高い透過率、すなわち300nmを超える波長に対して80%の透過率(試験方法ASTMD1003)を有するべきである。
・線熱膨脹率(CTE)60〜80×10−6m/(mK)(試験方法ASTMD696)、
・2%未満の低い成形収縮(試験方法ASTMD955)、
・鉛筆硬度3H〜HB(試験方法JISK5401)、
・屈折率1.4〜1.6、
・イソプロパノール、アセトンおよび硫酸に対する耐薬品性が、僅かに制限されるかまたは良好である。
σ固体(テンプレート材料)<σ液体(重合体材料)、かつ
σ固体(重合体材料)<σ液体(レジスト材料) (1)
σ固体−真空−σ固体−液体=σ液体−真空cos(ψ) (2)
を表す。
線線幅80nmおよび高さ90nmを有する線パターンを表面に示すニッケルテンプレートを、Zeonor ZF14フィルム中に、150℃、50バールで3分間インプリントした。Ni表面は、フッ素化SAM接着防止層で前処理し、20mN/m未満、好ましくは18mN/m未満の低表面張力を得た。Zeonorフィルムをテンプレート表面から、機械的に、テンプレートの表面にもレプリカの表面にも損傷を与えずに、除去した。このZeonorフィルムを新しいテンプレートとして使用し、厚さ100nmのSU8フィルムにインプリントした。SU8フィルムは、シリコン基材上に前もってスピンコーティングした20nmLORフィルム上にスピンコーティングした。表面のどれも、SU8フィルムとZeonorフィルムとの間の接着防止挙動を改良するための追加の被覆による処理は行わなかった。インプリントは、70℃、50バールで3分間行った。このSU8フィルムを、光学的に透明なZeonorフィルムを通してUV光に4秒間露出し、さらに2分間焼き付けた。インプリント工程全体にわたって、温度および圧力の両方を一定に、70℃および50バールにそれぞれ維持した。離型温度70℃で、ZeonorフィルムはSU8フィルムから、重合体テンプレートフィルムのパターンにも、レプリカフィルムのパターンにも損傷を与えずに、機械的に除去することができた。図2は、上記の製法により製造したが、Niスタンプ上の接着防止層を含まないシリコンウェハー上に堆積させたSU8フィルムで得たインプリントのAFM画像を示す。それでも、中間COC重合体スタンプを使用することにより、細かいパターンを再現できることは明らかである。
AFMにより試験して、高さ100nmおよび幅150nmの構造を有するブルーレイパターンを表面に示すニッケルテンプレートを、例1に記載するのと同じ方法および同じパラメータを使用し、Zeonor ZF14フィルム中にインプリントした。このZeonorフィルムを新しいテンプレートとして使用し、厚さ100nmのSU8フィルムにインプリントした。ここでも、例1に記載するのと同じ方法および同じパラメータを使用した。シリコンウェハー上に堆積させたSU8フィルムにおけるインプリント結果のAFM画像を図3に示す。
上記の例に記載するインプリント製法は、場合によりホスフェート系接着防止フィルムで被覆した、様々にパターン形成されたNiスタンプで、様々な処理パラメータを使用して行った。基材(2〜6インチシリコンウェハー)は、イソプロパノールおよびアセトンですすいで清浄にしてから、LORおよびSU8フィルムをスピンコーティングした。使用したスタンプのサイズは、2〜6インチである。インプリントは、UV−モジュールを備えたObducat-6-inch-NIL装置を使用して行った。
Claims (14)
- パターンが重合体スタンプから物体表面に転写されるインプリント製法に使用される前記重合体スタンプを製造する方法であって、
一種以上の環状オレフィン共重合体(COC)を含んでなる材料から製造された重合体フィルムを準備し、
前記重合体フィルムの表面に、テンプレートにより構造化されたパターンをインプリントして、表面上に構造化されたパターンが形成された重合体スタンプを製造する、
ことを含んでなり、
前記テンプレート表面の表面張力σ固体(テンプレート材料)が、液体状態にある前記重合体フィルムの表面張力σ液体(重合体材料)よりも小さく、且つ、固体状態にある前記重合体フィルムの表面張力σ固体(重合体フィルム)が、前記物体の表面張力σ液体(レジスト材料)よりも小さい、方法。 - 前記テンプレートが、重合体、金属、石英、またはシリコンから製造される、請求項1に記載の方法。
- 前記テンプレート表面が、20mN/m以下の表面張力を有する接着防止層を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記物体が、レジスト材料層を第二表面に支持している基材である、請求項1に記載の方法。
- 前記物体が、レジスト材料層を第二表面に支持している基材であり、前記レジスト材料が、40mN/mを超える表面張力を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記物体が、レジスト材料層を第二表面に支持している基材であり、前記レジスト材料が、放射線架橋性材料である、請求項1に記載の方法。
- 前記COC重合体フィルムの表面張力が28〜40mN/mである、請求項1に記載の方法。
- 前記COC重合体フィルムの表面張力が28〜37mN/mである、請求項1に記載の方法。
- 前記COC重合体フィルムの表面張力が30〜35mN/mである、請求項1に記載の方法。
- 前記COC重合体フィルムの厚さが50μm〜1mmである、請求項1に記載の方法。
- 前記COC重合体フィルムの厚さが75μm〜250μmである、請求項1に記載の方法。
- 前記COC重合体フィルムのガラス転移温度が100〜250℃である、請求項1に記載の方法。
- 前記COC重合体材料が、環状モノマーとエタンとから構成される共重合体である、請求項1に記載の方法。
- 前記COC重合体材料が、8,9,10−トリノルボルナ−2−エン(ノルボルネン)または、1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロ−1,4:5,8−ジメタノナフタレン(テトラシクロドデセン)と、エタンとから構成される共重合体である、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP05105100A EP1731961B1 (en) | 2005-06-10 | 2005-06-10 | Template replication method |
EP05105100.1 | 2005-06-10 | ||
EP05110290A EP1731962B1 (en) | 2005-06-10 | 2005-11-03 | Pattern replication with intermediate stamp |
EP05110290.3 | 2005-11-03 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006162328A Division JP5409990B2 (ja) | 2005-06-10 | 2006-06-12 | 環状オレフィン共重合体を含んでなるインプリントスタンプ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013233807A JP2013233807A (ja) | 2013-11-21 |
JP5646692B2 true JP5646692B2 (ja) | 2014-12-24 |
Family
ID=34977068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013119172A Active JP5646692B2 (ja) | 2005-06-10 | 2013-06-05 | インプリント製法に使用される重合体スタンプの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1731961B1 (ja) |
JP (1) | JP5646692B2 (ja) |
CN (1) | CN1916759B (ja) |
AT (1) | ATE413631T1 (ja) |
DE (1) | DE602005010839D1 (ja) |
ES (1) | ES2315797T3 (ja) |
HK (2) | HK1096163A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101755237B (zh) | 2006-12-05 | 2014-04-09 | 纳诺泰拉公司 | 使表面形成图案的方法 |
US8608972B2 (en) | 2006-12-05 | 2013-12-17 | Nano Terra Inc. | Method for patterning a surface |
WO2009032815A1 (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Tool for making microstructured articles |
ES2326109B1 (es) * | 2007-12-05 | 2010-06-25 | Consejo Superior De Investigaciones Cientificas | Microdispositivo de separacion y extraccion selectiva y no invasiva de particulas en suspensiones polidispersas, procedimiento de fabricacion y sus aplicaciones. |
JP5107105B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2012-12-26 | 株式会社リコー | インプリント方法 |
WO2011095217A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Obducat Ab | Method and process for metallic stamp replication for large area nanopatterns |
CN102183875B (zh) * | 2011-05-09 | 2012-10-03 | 苏州光舵微纳科技有限公司 | 滚轮式紫外线软压印方法 |
CN104246990A (zh) * | 2012-04-26 | 2014-12-24 | 东丽株式会社 | 具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法 |
WO2016068538A1 (ko) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | 한국과학기술원 | 나노전사 프린팅 방법 및 이를 이용하여 제작되는 sers 기판, sers 바이얼 및 sers 패치 |
US10507604B2 (en) | 2014-10-29 | 2019-12-17 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Nanotransfer printing method and surface-enhanced raman scattering substrate, surface-enhanced raman scattering vial and surface-enhanced raman scattering patch manufactured using the same |
KR101761010B1 (ko) | 2015-09-14 | 2017-07-25 | 한국과학기술원 | 나노전사 프린팅 방법 및 이를 이용하여 제작되는 sers 기판, sers 바이얼 및 sers 패치 |
JP6480803B2 (ja) * | 2015-05-11 | 2019-03-13 | 俊行 阪本 | 型押し成型装置及びその方法 |
JP2019056025A (ja) | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
US11448958B2 (en) * | 2017-09-21 | 2022-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for controlling the placement of fluid resist droplets |
JP2019149488A (ja) | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 東芝メモリ株式会社 | テンプレート、テンプレートの製造方法および半導体装置の製造方法 |
CN111142329A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-05-12 | 合肥元旭创芯半导体科技有限公司 | 一种非破坏性的半导体材料sem监控方法 |
CN112979322B (zh) * | 2021-02-20 | 2023-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 陶瓷件及其制作方法 |
CN113618090B (zh) * | 2021-08-11 | 2022-06-07 | 吉林大学 | 一种微纳结构辊筒模具加工与压印成形机床及其控制方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB559072A (en) | 1940-08-03 | 1944-02-02 | Budd Edward G Mfg Co | A method of making stamping dies |
DD251847A1 (de) | 1986-07-31 | 1987-11-25 | Zeiss Jena Veb Carl | Verfahren und anordnung zum bildvergleich |
JPS63149116A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Dainippon Ink & Chem Inc | 注型成形品の製造方法 |
WO1997006468A2 (en) | 1995-07-28 | 1997-02-20 | Ely Michael Rabani | Pattern formation, replication, fabrication and devices thereby |
JPH09330864A (ja) | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Ge Yokogawa Medical Syst Ltd | 複合圧電物質製造方法及び複合圧電物質製造用マスク |
JP2000071257A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-07 | Kuraray Co Ltd | 成形品の製造方法 |
JP3991471B2 (ja) * | 1998-10-01 | 2007-10-17 | 日本ゼオン株式会社 | 成形体の製造方法 |
DE10009246A1 (de) * | 2000-02-28 | 2001-08-30 | Mitsubishi Polyester Film Gmbh | Weiße, biaxial orientierte und UV-stabilisierte Polyesterfolie mit Cycloolefinocopolymer (COC), Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
JP4192414B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2008-12-10 | 凸版印刷株式会社 | レンズシートの製造方法 |
US20030017424A1 (en) | 2001-07-18 | 2003-01-23 | Miri Park | Method and apparatus for fabricating complex grating structures |
US20030071016A1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Wu-Sheng Shih | Patterned structure reproduction using nonsticking mold |
JP2004039136A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Pioneer Electronic Corp | 光学多層記録媒体成形用透明スタンパおよび光学多層記録媒体の製造方法 |
US6887792B2 (en) * | 2002-09-17 | 2005-05-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Embossed mask lithography |
CN100427222C (zh) * | 2003-11-17 | 2008-10-22 | 财团法人工业技术研究院 | 以压印技术制作微电容式超声波换能器的方法 |
-
2005
- 2005-06-10 ES ES05105100T patent/ES2315797T3/es active Active
- 2005-06-10 AT AT05105100T patent/ATE413631T1/de active
- 2005-06-10 DE DE602005010839T patent/DE602005010839D1/de active Active
- 2005-06-10 EP EP05105100A patent/EP1731961B1/en active Active
-
2006
- 2006-06-12 CN CN200610110802.3A patent/CN1916759B/zh active Active
-
2007
- 2007-03-30 HK HK07103468.0A patent/HK1096163A1/xx unknown
- 2007-05-02 HK HK07104676.6A patent/HK1098543A1/xx unknown
-
2013
- 2013-06-05 JP JP2013119172A patent/JP5646692B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE413631T1 (de) | 2008-11-15 |
DE602005010839D1 (de) | 2008-12-18 |
ES2315797T3 (es) | 2009-04-01 |
EP1731961A1 (en) | 2006-12-13 |
HK1096163A1 (en) | 2007-05-25 |
EP1731961B1 (en) | 2008-11-05 |
HK1098543A1 (en) | 2007-07-20 |
CN1916759A (zh) | 2007-02-21 |
CN1916759B (zh) | 2011-11-09 |
JP2013233807A (ja) | 2013-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5409990B2 (ja) | 環状オレフィン共重合体を含んでなるインプリントスタンプ | |
JP5646692B2 (ja) | インプリント製法に使用される重合体スタンプの製造方法 | |
US7854873B2 (en) | Imprint stamp comprising cyclic olefin copolymer | |
TWI416280B (zh) | 含有環烯烴共聚物之壓印壓模 | |
JP2008542081A5 (ja) | ||
US7670127B2 (en) | Apparatus for pattern replication with intermediate stamp | |
US7997890B2 (en) | Device and method for lithography | |
US8147235B2 (en) | Device and method for large area lithography | |
JP4879511B2 (ja) | リソグラフィのための装置および方法 | |
EP1731965B1 (en) | Imprint stamp comprising cyclic olefin copolymer | |
KR100974144B1 (ko) | 대면적 리소그래피용 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140725 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5646692 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |