JP4736522B2 - エッチング処理された処理基板の製造方法 - Google Patents
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[1]:下記工程1、下記工程2、および下記工程3を順に行うことにより、基板と所望レジストパターンが形成されたレジスト膜とが一体化した加工基板を得て、つぎに該加工基板のレジスト膜が形成された面をエッチングして基板をエッチング処理することを特徴とするエッチング処理された処理基板の製造方法。
工程1:基板と、所望レジストパターンの反転パターンを表面に有するモールドとを組み合わせて、コレステロール、コール酸およびコレステリルアセテートから選択される縮合多環炭化水素、またはノルボルナン、アダマンタン、カンファー、ノルボルナンメタノール、フェンチルアルコール、フェンコン、イソボルネオール、ノルボルネオールおよびノポールから選択される橋かけ環炭化水素と、重合性モノマーを含むレジスト組成物を、該基板表面と該モールドのパターン面との間に挟持させる工程。
工程2:前記レジスト組成物中の重合性モノマーを重合させて該組成物からレジスト膜を形成させる工程。
工程3:モールドをレジスト膜から剥離して加工基板を得る工程。
[3]:重合性モノマーが、フッ素原子を含む重合性モノマーである[1]または[2]に記載の製造方法。
[4]:レジスト組成物が、含フッ素界面活性剤を含むレジスト組成物である[1]〜[3]のいずれかに記載の製造方法。
単環炭化水素の具体例としては、4−tertブチルフェノール、4−tertブチルシクロヘキサノール、メントール、2,4−ジtertブチルフェノール、4−tertオクチルフェノール、グルコースが挙げられる。
縮合多環炭化水素の具体例としては、ナフタレン、アントラセン、フルオレン、デカヒドロナフタノール、コレステロール、コール酸、コレステリルアセテート、コレステリルベンゾエート、クラウンエーテル、カリックスアレン、ベンゾフランが挙げられる。
橋かけ環炭化水素の具体例としては、ノルボルナン、アダマンタン、カンファー、ノルボルナンメタノール、フェンチルアルコール、フェンコン、イソボルネオール、ノルボルネオール、ノポールが挙げられる。
フルオロアリルエーテルの具体例としては、CF2=CFCF2OCF=CF2が挙げられる。
フルオロジエンの具体例としては、CF2=CFCF2CF=CF2、CF2=CFCF2CH=CH2、CF2=CFCF2C(CF3)(OH)CH2CH=CH2、CF2=CFCF2C(CF3)(OH)CH=CH2、CF2=CFCH2CH(CH2C(CF3)2OH)CH2CH=CH2、CF2=CFCH2CH(CH2C(CF3)2OH)CH=CH2、CF2=CFCH2CH(C(CF3)2OH)CH2CH=CH2、CF2=CFCH2CH(C(CF3)2OH)CH=CH2が挙げられる。
含フッ素界面活性剤は、RF基とアニオン性基を有するアニオン性含フッ素界面活性剤、RF基とカチオン性基を有するカチオン性含フッ素界面活性剤、RF基、カチオン性基およびアニオン性基を有する両性含フッ素界面活性剤、またはRF基を有するノニオン性含フッ素界面活性剤が好ましい。ただしRFは含フッ素有機基であり、炭素数が1〜20のポリフルオロアルキル基または炭素数が1〜20のペルフルオロ(ポリオキシアルキレン)基が好ましい(以下同様。)。含フッ素界面活性剤は、レジスト組成物における相溶性とレジスト膜中への分散性が良好であることから、ノニオン性含フッ素界面活性剤が特に好ましい。また含フッ素界面活性剤は水溶性であっても脂溶性であってもよい。
CH2=CHCOO(CH2)m1(CF2)n1F、
CH2=C(CH3)COO(CH2)m2(CF2)n2F、
CH2=CHCOO(CH2)m3CF(CF3)2、
CH2=C(CH3)COO(CH2)m4CF(CF3)2、
CH2=CHCOO(CH2)m5N(CH2)j5SO2(CF2)n5F、
CH2=C(CH3)COO(CH2)m6N(CH2)j6SO2(CF2)n6F。
アセトフェノン系光重合開始剤:アセトフェノン、p−tert−ブチルトリクロロアセトフェノン、クロロアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、ヒドロキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2’−フェニルアセトフェノン、2−アミノアセトフェノン、ジアルキルアミノアセトフェノン等。
工程2における重合を光により行う場合には、透光材料製モールドが好ましい。また透光製加工基板を用い非透光材料製モールドを用いてもよい。工程2における重合を熱により行う場合には、非透光材料製モールドを用いてもよい。
本発明における工程1において、基板表面とモールドパターン面との間はモールドの微細パターンの高さ未満が好ましい。
工程1の好ましい態様としては、下記工程1a、下記工程1b、下記工程1cが挙げられる。
工程1aにおいて、レジスト組成物の配置は、ポッティング法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、ラングミュアープロジェット法、真空蒸着法等の方法を用い、レジスト組成物を加工基板表面に被覆して行うのが好ましい。レジスト組成物は、加工基板全面に被覆させるのが好ましい。
工程1bにおいて、レジスト組成物の配置は、ポッティング法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、ダイコート法、ラングミュアープロジェット法、真空蒸着法等の方法を用い、レジスト組成物をモールドのパターン面に被覆して行うのが好ましい。レジスト組成物は、パターン面全面に被覆させてもパターン面一部のみに被覆させてもよい。
基板とモールドを押し合わせる際のプレス圧力(ゲージ圧)は、0超10MPa以下が好ましく、0.1〜5MPaがより好ましい。
紫外線をカットしたクリーンルーム内でバイヤル容器(内容積6mL)中に、CF2=CFCF2C(CF3)(OH)CH2CH=CH2(F含有量56.3%)の0.40g、トリメチロールプロパントリアクリレートの0.10g、テトラエチレングリコールジアクリレートの0.35g、およびノニオン性のRF基を有するポリマー(F含有量約30%、Mw約3000)の0.01gを混合した。さらに光重合開始剤(商品名:イルカギュア651、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製)の0.04gとコレステロールの0.10gを混合してレジスト組成物を調製した。
Claims (4)
- 下記工程1、下記工程2、および下記工程3を順に行うことにより、基板と所望レジストパターンが形成されたレジスト膜とが一体化した加工基板を得て、つぎに該加工基板のレジスト膜が形成された面をエッチングして基板をエッチング処理することを特徴とするエッチング処理された処理基板の製造方法。
工程1:基板と、所望レジストパターンの反転パターンを表面に有するモールドとを組み合わせて、コレステロール、コール酸およびコレステリルアセテートから選択される縮合多環炭化水素、またはノルボルナン、アダマンタン、カンファー、ノルボルナンメタノール、フェンチルアルコール、フェンコン、イソボルネオール、ノルボルネオールおよびノポールから選択される橋かけ環炭化水素と、重合性モノマーを含むレジスト組成物を、該基板表面と該モールドのパターン面との間に挟持させる工程。
工程2:前記レジスト組成物中の重合性モノマーを重合させて該組成物からレジスト膜を形成させる工程。
工程3:モールドをレジスト膜から剥離して加工基板を得る工程。 - 反転パターンを表面に有するモールドの反転パターンが、凸部と凹部を有する微細パターンであり、かつ、該凸部の間隔の平均値が1nm〜500μmである請求項1に記載の製造方法。
- 重合性モノマーが、フッ素原子を含む重合性モノマーである請求項1または2に記載の製造方法。
- レジスト組成物が、含フッ素界面活性剤を含むレジスト組成物である請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
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