JP2005533393A - インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 224
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 127
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title abstract description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 491
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 410
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 154
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 98
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 87
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 59
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 42
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 41
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 37
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 claims description 20
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910003811 SiGeC Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 40
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 29
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- -1 dimethylsiloxane Chemical class 0.000 description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 3
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZIFLDVXQTMSDJE-UHFFFAOYSA-N 3-[[dimethyl-[3-(2-methylprop-2-enoyloxy)propyl]silyl]oxy-dimethylsilyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical group CC(=C)C(=O)OCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCOC(=O)C(C)=C ZIFLDVXQTMSDJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- BESKSSIEODQWBP-UHFFFAOYSA-N 3-tris(trimethylsilyloxy)silylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C BESKSSIEODQWBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPBAWVJOPQUAMY-UHFFFAOYSA-N 3-tris(trimethylsilyloxy)silylpropyl prop-2-enoate Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)CCCOC(=O)C=C PPBAWVJOPQUAMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- AXQKVSDUCKWEKE-UHFFFAOYSA-N [C].[Ge].[Si] Chemical compound [C].[Ge].[Si] AXQKVSDUCKWEKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001699 lithographically induced self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002493 microarray Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002186 photoactivation Effects 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000263 scanning probe lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000001494 step-and-flash imprint lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
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- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
- B29C33/60—Releasing, lubricating or separating agents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
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- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G—PHYSICS
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- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
Abstract
Description
R−SiCl3+3H2O => R−Si(OH)3+3HCl
(1)vd=Vd/td(分注容積/分注期間)
(2)vs=L/td(線の長さ/分注期間)
(3)vd=aL(ただし、「a」は線パターンの断面積である)、したがって
(4)Vd=avs)
Claims (50)
- テンプレートを使用して基板上にパターンを形成する方法であって、
テンプレートと基板との間に間隙ができるように互いに間隔をあけた関係でテンプレートと基板を位置決めすることと、
光活性光硬化液で実質的に間隙を満たすことと、
光活性光硬化液を固化させることを含む方法。 - さらに、間隙を埋める前に、テンプレートと基板を配置し、所定の量の光活性光硬化液を基板の一部に塗布することを含む請求項1に記載の方法。
- さらに、間隙を埋める前に、テンプレートと基板を配置し、所定の量の光活性光硬化液をテンプレートの一部に塗布することを含む請求項1に記載の方法。
- さらに、テンプレートに第1の表面と、その第1の表面から第2の表面に向かって延びる、パターン形成されたテンプレートの第1の表面内に複数の特定形状を形成する、テンプレート内に形成された複数の凹みとを設けることを含み、さらに、間隙を埋めることは、テンプレートの凹んでいない部分と基板との間の間隙を埋めることを含み、光活性光硬化液はテンプレートの凹みのほぼ下にある基板の領域には実質的に存在しない請求項1に記載の方法。
- 光活性光硬化液の粘度は25℃で測定したときに約30センチポアズ未満である請求項1に記載の方法。
- 光活性光硬化液の粘度は25℃で測定したときに約10センチポアズ未満である請求項1に記載の方法。
- テンプレートは、さらに、25℃で測定された下側表面の自由エネルギーを約40ダイン/cm未満に下げる表面処理層を下側表面の少なくとも一部に備える請求項1に記載の方法。
- テンプレートは、下側表面の少なくとも一部に第1の表面処理層を、テンプレートの凹んでいる部分に第2の表面処理層を備え、第1、第2の表面処理層は、光活性光硬化液に対して異なる濡れ特性を持つ請求項1に記載の方法。
- 光活性光硬化液を基板の一部に塗布することは、光活性光硬化液の所定のパターンが基板の一部に作られるように液体を液体分注器で分注することを含む請求項1に記載の方法。
- 光活性光硬化液を基板の一部に塗布することは、凹んでいないテンプレートの領域に対応する基板の領域に液体を塗布し、凹んでいるテンプレートの領域に対応する基板の領域に液体を塗布しないことを含む請求項1に記載の方法。
- テンプレートと基板を間隔をあけた関係で配置することは、
テンプレートを基板の上に配置することと、
所望の間隔をあけた関係になるまで基板に向けてテンプレートを移動させることとを含み、基板上の液体はテンプレートが基板上に配置されたときにテンプレートの凹んでいない部分と基板との間の間隙を実質的に埋める請求項1に記載の方法。 - テンプレートと基板を間隔をあけた関係で配置することは、テンプレートを基板から約500nm未満の距離のところに配置することを含む請求項1に記載の方法。
- さらに、硬化した液体へのテンプレートの接着が低減されるように硬化した液体の一部の化学組成を改変する分離光を硬化した液体に当てることにより硬化した液体からテンプレートを分離することを含む請求項1に記載の方法。
- さらに、ガスがテンプレートと硬化した液体との界面近くで硬化した液体により放出されるように硬化した液体の一部の化学組成を改変する分離光を硬化した液体に当てることにより硬化した液体からテンプレートを分離することを含む請求項1に記載の方法。
- さらに、テンプレートと基板との間の距離を感知し、テンプレートと基板との間の距離を変更してから、活性化光を光活性光硬化液に当てることを含む請求項1に記載の方法。
- さらに、テンプレートと基板を間隔をあけた関係で配置するために加えられる力を感知し、テンプレートに加えられる力を変更してから、活性化光を光活性光硬化液に当てることを含む請求項1に記載の方法。
- パターン形成領域を持つテンプレートで基板にパターンを形成する方法であって、
パターン形成領域を基板の領域に向かい合わせて配置し、それらの間の間隙を定めることと、
基板とテンプレートとの間に光活性光硬化液を配置することと、
光活性光硬化液を間隙内に封じ込めて、光活性光硬化液をテンプレートと基板の両方に接触させて光活性光硬化液で間隙を満たすことと、
光活性光硬化液から、固化物質を形成することとを含む方法。 - さらに、前記パターン形成領域を基板の追加領域に向き合わせて配置し、追加間隙を定め、追加光活性光硬化液を基板とテンプレートとの間に配置し、追加光活性光硬化液を追加間隙内に封じ込めて、追加活性光硬化液をテンプレートと基板の両方に接触させて追加間隙を追加光活性光硬化液で埋め、追加光活性光硬化液で追加固化物質を形成することを含む請求項17に記載の方法。
- さらに、前記パターン形成領域を基板の追加領域に向き合わせて繰り返し配置してパターン形成領域と追加領域のそれぞれとの間に間隙を形成し、複数の追加間隙を定め、追加光活性光硬化液を配置し、追加光活性光硬化液を複数の追加間隙内に封じ込めて、追加活性光硬化液をテンプレートと基板の両方に接触させて複数の追加間隙のそれぞれを追加光活性光硬化液で埋め、追加光活性光硬化液から追加固化物質を形成することを含む請求項17に記載の方法。
- 光活性光硬化液を基板とテンプレートとの間に配置することは、さらに、光活性光硬化液をテンプレートの表面に塗布することを含む請求項17に記載の方法。
- 光活性光硬化液を基板とテンプレートとの間に配置することは、さらに、光活性光硬化液を基板の表面に塗布することを含む請求項17に記載の方法。
- 光活性光硬化液を基板とテンプレートとの間に配置することは、さらに、所定のパターンの光活性光硬化液をテンプレートに塗布することを含む請求項17に記載の方法。
- 光活性光硬化液を基板とテンプレートとの間に配置することは、さらに、所定のパターンの光活性光硬化液を基板の表面に塗布することを含む請求項17に記載の方法。
- さらに、テンプレートと光活性光硬化液との間の抵抗力を求めることによりテンプレートと基板との間の距離を求めることを含む請求項17に記載の方法。
- パターン形成領域は、基板に面した第1の表面と、その第1の表面から第1の表面と向かい合って配置されるテンプレートの第2の表面に向かって延びるように形成された、パターン形成領域を定める複数の凹みとを備える請求項17に記載の方法。
- 光活性光硬化液を配置することは、さらに、光活性光硬化液がパターン形成領域を超えて広がるのを液体−テンプレート間の界面の表面の力と液体−基板間の界面の表面の力により十分抑制できる最大液膜厚さとなる、凹みを実質的に埋めるのに必要な量未満の所定の量をテンプレートと基板との間に入れることを含む請求項17に記載の方法。
- さらに、前記テンプレートを前記基板に関して所望の向きで配置し、前記テンプレートに加えられる力に応じて前記向きを維持することを含む請求項17に記載の方法。
- 間隙を光活性光硬化液で埋めることは、さらに、前記領域の向かい側にパターン形成領域を配置する前に、前記テンプレートと前記基板のうちの1つに前記光活性光硬化液の複数の液滴を配置することを含む請求項17に記載の方法。
- 基板上にパターンを形成するシステムであって、
基板を支える本体と、
本体に結合され、パターン形成領域を備えるテンプレートと、
基板とテンプレートとの間で相対的に移動させてテンプレートを基板のパターン形成部分となる一部と重ね合わせで配置する、本体に結合された移動システムと、
光活性光硬化液をパターン形成部分の下側部分に分注するように結合されている液体分注器であって、前記移動システムが基板とテンプレートとの間の距離を縮めることにより光活性光硬化液をテンプレートに選択的に接触させるように結合されている、液体分注器と、
光活性光硬化液を固化するため選択されている光をパターン形成部分に当てる光源と、
テンプレートと光活性光硬化液との接触によりテンプレートに加えられる力を示す情報を生成するためインプリント・ヘッドに結合されている力検出器であって、移動システムがその情報に応じて距離の変化率を確定し、パターン形成部分の外の基板の領域まで延びる光活性光硬化液の量を最小限に抑える、力検出器とを備えるシステム。 - 移動システムは、さらに、基板を支え、第1、第2の横軸にそって基板とテンプレートとの間の相対的移動を行う移動ステージと、第1、第2の軸に対し横切るように延びる第3の軸にそってテンプレートと基板との間の相対的移動を行う、テンプレートが取り付けられるインプリント・ヘッドとを備える請求項29に記載のシステム。
- さらに、基板に対するテンプレートの回転移動を可能にし、テンプレートに加えられた力に応じて基板に関して実質的に平行な向きを維持するテンプレートに接続されている精密配向システムを備える請求項29に記載のシステム。
- さらに、基板に加えられた力に応じてテンプレートに対して基板の移動を可能にする移動ステージに接続される精密配向システムを備える請求項29に記載のシステム。
- 前記移動ステージは、さらに、基板を支える基板のチャックと、基板のチャックに結合された基板傾斜モジュールを備え、精密配向システムが傾斜モジュールに接続され、基板に加えられた力に応じて傾斜モジュールは基板の傾斜を変化させ、基板とテンプレートの実質的に平行な向きを維持することができる請求項32に記載のシステム。
- テンプレートは、さらに、両側である第1、第2の側とを備え、パターン形成領域と第1の表面が第1の側に配置され、パターン領域はパターン表面とそのパターン表面から第2の側へ延びて終端で終わる凹みとを含み、第1の表面は第2の側から第1の距離だけ間隔をあけて配置され、終端は第2の側から第2の距離だけ間隔をあけて配置され、パターン表面は第2の側から第3の距離だけ間隔をあけて配置され、第1の距離は第2の距離とも第3の距離とも異なる請求項29に記載のシステム。
- さらに、第1の配向軸を中心にピボットするように構成されている第1の屈曲部材と、第1の屈曲部材に結合されている、第2の配向軸を中心にピボットするように構成されている第2の屈曲部材と、テンプレートが取り付けられている、第2の屈曲部材に結合されている支持材とを含む精密配向システムを備える含む請求項29に記載のシステム。
- さらに、精密配向システムに結合され、使用時に精密配向システムを基板へ近づけたり、基板から遠ざけたりするように構成されている事前較正ステージを備える請求項29に記載のシステム。
- さらに、少なくともインプリント・ヘッドと移動ステージを囲む筐体と、使用時に筐体内を約1℃を超えて温度変動しないように構成されている温度制御システムとを備える請求項29に記載のシステム。
- さらに、移動ステージに結合され、基板とテンプレートとの間の距離を決定するように構成されているエア・ゲージを備える請求項29に記載のシステム。
- 基板上にパターン形成構造を設ける方法であって、
光活性光硬化液を基板の表面に塗布することと、
テンプレートを光活性光硬化液の近くに配置することであって、テンプレートは、
非導電性層と、
非導電性層の近く、実質的に非導電性層と基板との間にあり、基板上に作製されるパターン形成構造に対し相補的な構造の連続パターンを形成する導電性層とを含み、
導電性層に電流を流すことによりテンプレートと基板との間に電界を印加し、印加された電界により静電気を発生し、光活性光硬化液の一部をテンプレートの導電性層へ引き付けることとを含む方法。 - さらに、活性化光を光活性光硬化液に当てることにより光活性光硬化液を硬化させること含む請求項39に記載の方法。
- さらに、光活性光硬化液を塗布する前に基板上に転写層を形成することを含む請求項39に記載の方法。
- 光活性光硬化液の粘度は25℃で測定したときに約30センチポアズ未満である請求項39に記載の方法。
- さらに、光活性光硬化液を硬化させること含み、光活性光硬化液を硬化させながらテンプレートと基板との間に電界が印加される請求項39に記載の方法。
- テンプレートは、活性化光に対し実質的に透過的である請求項39に記載の方法。
- 基板は、活性化光に対し実質的に透過的であり、導電性材料は酸化インジウム・スズを含む請求項39に記載の方法。
- テンプレートは、さらに、低表面エネルギー・コーティングを含む請求項39に記載の方法。
- テンプレートは、さらに、低表面エネルギー・コーティングを含み、低表面エネルギー・コーティングはフッ素含有コーティングである請求項39に記載の方法。
- テンプレートと基板との間に電界を印加させて、光活性光硬化液の一部をテンプレートの一部に接触させる請求項39に記載の方法。
- 電界がテンプレートと基板との間に印加されたときに、光活性光硬化液は導電性層に引き付けられるが、導電性層に接触することはない請求項39に記載の方法。
- 基板は、GaAs、SiGeC、とInPからなる一組の材料から選択された材料からなる請求項39に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/194,991 US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2002-07-11 | Step and repeat imprint lithography processes |
US10/194,411 US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2002-07-11 | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
US10/194,414 US6900881B2 (en) | 2002-07-11 | 2002-07-11 | Step and repeat imprint lithography systems |
US10/194,410 US6908861B2 (en) | 2002-07-11 | 2002-07-11 | Method for imprint lithography using an electric field |
PCT/US2003/021556 WO2004016406A1 (en) | 2002-07-11 | 2003-07-10 | Imprint lithography processes and systems |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010004138A Division JP2010123985A (ja) | 2002-07-11 | 2010-01-12 | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005533393A true JP2005533393A (ja) | 2005-11-04 |
Family
ID=31892234
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004529089A Pending JP2005533393A (ja) | 2002-07-11 | 2003-07-10 | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
JP2010004138A Pending JP2010123985A (ja) | 2002-07-11 | 2010-01-12 | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010004138A Pending JP2010123985A (ja) | 2002-07-11 | 2010-01-12 | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP2388119B1 (ja) |
JP (2) | JP2005533393A (ja) |
KR (1) | KR100963510B1 (ja) |
CN (2) | CN101710228B (ja) |
AU (1) | AU2003253862A1 (ja) |
MY (2) | MY164487A (ja) |
TW (5) | TWI326797B (ja) |
WO (1) | WO2004016406A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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TW200405138A (en) | 2004-04-01 |
AU2003253862A1 (en) | 2004-03-03 |
CN101710228A (zh) | 2010-05-19 |
MY164487A (en) | 2017-12-29 |
EP2388119B1 (en) | 2016-09-07 |
EP1549475A1 (en) | 2005-07-06 |
KR20050024324A (ko) | 2005-03-10 |
CN1668437A (zh) | 2005-09-14 |
TW200407682A (en) | 2004-05-16 |
TWI289731B (en) | 2007-11-11 |
CN101710228B (zh) | 2012-08-15 |
JP2010123985A (ja) | 2010-06-03 |
EP2388119A1 (en) | 2011-11-23 |
TW200604730A (en) | 2006-02-01 |
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TWI295227B (en) | 2008-04-01 |
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TWI326797B (en) | 2010-07-01 |
TW200426496A (en) | 2004-12-01 |
MY144124A (en) | 2011-08-15 |
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A601 | Written request for extension of time |
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