JP2008509815A - 均一なエッチング特性を有する層を提供する方法及び組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
組成物1
アクリル酸イソボルニル
アクリロキシメチルビス(トリメチルシロキシ)メチルシラン
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
組成物2
アクリル酸イソボルニル
アクリロキシメチルトリス(トリメチルシロキシ)シラン
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
組成物3
アクリル酸イソボルニル
3−アクリロキシプロピルビス(トリメチルシロキシ)メチルシラン
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
組成物4
アクリル酸イソボルニル
3−アクリロキシプロピルトリス(トリメチルシロキシ)シラン
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
組成物5
アクリル酸イソボルニル
アクリロキシメチルビス(トリメチルシロキシ)メチルシラン
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
R1R2
組成物6
アクリル酸イソボルニル
アクリロキシメチルトリス(トリメチルシロキシ)シラン
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
R1R2
組成物7
アクリル酸イソボルニル
3−アクリロキシプロピルビス(トリメチルシロキシ)メチルシラン
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
R1R2
組成物8
アクリル酸イソボルニル
3−アクリロキシプロピルトリス(トリメチルシロキシ)シラン
ジアクリル酸エチレングリコール
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン
R1R2
Claims (15)
- 基板に関連する流動性領域から基板上に層を形成する方法であって、
各々が関連する蒸発速度を有する複数の重合可能な成分を有する組成物として、前記流動性領域を形成することと、
前記流動性領域を凝固させ、前記複数の重合可能な成分のサブセットに関連する相対的蒸発速度が、ある時間的間隔の間、所望の範囲内にあることを含む方法。 - 前記所望の範囲が、毎秒0.1%未満である請求項1に記載の方法。
- 前記間隔が、凝固前に終了し、かつ0〜20秒の範囲内にある請求項1に記載の方法。
- 凝固が、前記流動性領域液体を、テンプレートの表面と接触させることを更に含み、前記時間的間隔が、前記流動性領域を、前記表面と接触させる前に終了する請求項1に記載の方法。
- 堆積は、前記流動性領域を、前記基板上に複数の小滴として分配することを更に含む請求項1に記載の方法。
- 堆積は、前記重合可能な材料を前記基板上でスピンコーティングすることを更に含む請求項1に記載の方法。
- シリコン含有重合可能な成分と、シリコンのない重合可能な成分を含む複数の重合可能な成分と、
前記複数の重合可能な成分のサブグループが、所定の相対的蒸発速度を有し、流体相状態と、凝固相状態の間の、前記複数の重合可能な成分の位相状態の変化を容易にするための開始剤成分を含む組成物。 - 前記サブグループが、前記複数の重合可能な成分の全部を含む請求項7に記載の組成物。
- 前記所定の相対的蒸発速度が、毎秒0.1%未満である請求項7に記載の組成物。
- 前記複数の重合可能な成分の前記サブグループが、所定の時間的間隔中に前記所定の相対的蒸発速度を有する請求項7に記載の組成物。
- 前記所定の時間的間隔が、0〜20秒の範囲内にある請求項10に記載の組成物。
- 前記シリコン含有重合可能な成分には、アクリロキシメチルビス(トリメチルシロキシ)メチルシランが、かつ前記シリコンのない重合可能な成分には、アクリル酸イソボルニルが含まれる請求項7に記載の組成物。
- 前記シリコン含有重合可能な成分には、アクリロキシメチルトリス(トリメチルシロキシ)シランが、かつ前記シリコンのない重合可能な成分には、アクリル酸イソボルニルが含まれる請求項7に記載の組成物。
- 前記シリコン含有重合可能な成分には、3−アクリロキシプロピルビス(トリメチルシロキシ)メチルシランが、かつ前記シリコンのない成分には、アクリル酸イソボルニルが含まれる請求項7に記載の組成物。
- 前記シリコン含有重合可能な成分には、3−アクリロキシプロピルトリス(トリメチルシロキシ)シラン分子が、かつ前記シリコンのない重合可能な成分には、アクリル酸イソボルニルが含まれる請求項7に記載の組成物。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008042187A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-21 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
JP2009088376A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Toshiba Corp | インプリント方法及びインプリントシステム |
JP2010183076A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ方法及び装置 |
JP2011513972A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-04-28 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | テンプレート形成時の限界寸法制御 |
JP2013108034A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 被膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP2013251478A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Canon Inc | 光硬化物 |
CN113396468A (zh) * | 2019-03-05 | 2021-09-14 | 佳能株式会社 | 透气性覆板和使用其的方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8142850B2 (en) * | 2006-04-03 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times |
US8633693B2 (en) | 2007-04-02 | 2014-01-21 | The Regents Of The University Of California | Rotating-frame gradient fields for magnetic resonance imaging and nuclear magnetic resonance in low fields |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005533393A (ja) * | 2002-07-11 | 2005-11-04 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5170192A (en) * | 1990-11-29 | 1992-12-08 | Pilkington Visioncare, Inc. | Oxygen permeable bifocal contact lenses and their manufacture |
US6143433A (en) * | 1994-09-14 | 2000-11-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | Organic electroluminescent device and process for producing the same |
US20030124853A1 (en) * | 1998-06-25 | 2003-07-03 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Anisotropic etching method and apparatus |
EP1395417B1 (en) * | 2001-05-29 | 2006-08-02 | Essilor International Compagnie Generale D'optique | Method for forming on-site a coated optical article |
-
2005
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005533393A (ja) * | 2002-07-11 | 2005-11-04 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4654224B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2011-03-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリントリソグラフィ |
JP2008042187A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-21 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
JP2009088376A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Toshiba Corp | インプリント方法及びインプリントシステム |
JP2011513972A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-04-28 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | テンプレート形成時の限界寸法制御 |
US8696969B2 (en) | 2009-02-04 | 2014-04-15 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography method and apparatus |
JP2010183076A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ方法及び装置 |
JP2013108034A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 被膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP2013251478A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Canon Inc | 光硬化物 |
KR101734632B1 (ko) | 2012-06-04 | 2017-05-11 | 캐논 가부시끼가이샤 | 광경화물 |
CN113396468A (zh) * | 2019-03-05 | 2021-09-14 | 佳能株式会社 | 透气性覆板和使用其的方法 |
KR20210116637A (ko) * | 2019-03-05 | 2021-09-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 가스 투과성 슈퍼스트레이트 및 그 사용 방법 |
JP2022522210A (ja) * | 2019-03-05 | 2022-04-14 | キヤノン株式会社 | ガス透過性スーパーストレート及びその使用方法 |
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CN113396468B (zh) * | 2019-03-05 | 2024-03-26 | 佳能株式会社 | 透气性覆板和使用其的方法 |
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