JP4695117B2 - ソフトモールドの形成方法及びソフトモールドの形成装置 - Google Patents
ソフトモールドの形成方法及びソフトモールドの形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4695117B2 JP4695117B2 JP2007156622A JP2007156622A JP4695117B2 JP 4695117 B2 JP4695117 B2 JP 4695117B2 JP 2007156622 A JP2007156622 A JP 2007156622A JP 2007156622 A JP2007156622 A JP 2007156622A JP 4695117 B2 JP4695117 B2 JP 4695117B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- substrate
- soft mold
- stage
- master substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 158
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 83
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 83
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 70
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0888—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using transparant moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
- H01L21/786—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element the substrate being other than a semiconductor body, e.g. insulating body
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
また、この発明に係るソフトモールドの形成方法は、陽刻パターンを有するマスター基板を生成する段階と、前記陽刻パターンを覆うように前記マスター基板上にレジン層を配置する段階と、チャンバ内の可動ステージ上に前記レジン層を有する前記マスター基板を挿入する段階と、分離用基板に接着剤を塗る段階と、前記ステージを前後左右に動かして前記マスター基板を前記分離用基板と位置合わせするように位置調整する段階であって、前記ステージは、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、前記分離用基板は、上下に移動できるジグに置かれて当該ジグに固定された固定手段により動かない、段階と、前記マスター基板を載せた前記可動ステージを前記分離用基板の方向に移動させ接着剤でレジン層と分離用基板を接着する段階であって、レジン層と分離用基板の接着がなされ、その時、前記チャンバ内が真空環境にあるものと、前記分離用基板に接触する前記レジン層を硬化させる段階と、前記ステージを前記マスター基板と共に下降させることにより、硬化した前記レジン層と分離用基板を前記マスター基板から分離する段階とを備え、前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視する、ソフトモールドが硬化されたレジン層からなることを特徴とする。
さらに、この発明に係るソフトモールドの形成装置は、チャンバと、前記チャンバ内に配置された分離用基板であって、分離用基板を安着させるための、前記チャンバと結合している少なくとも1つのジグと、上記少なくとも1つのジグと結合している少なくとも1つの固定手段を有するチャンバ内に設けられた分離用基板と、複数のパターンでソフトモールドを形成するためのマスター基板と、前記チャンバ内に配置され前記マスター基板を受けるためのステージと、前記マスター基板上に配置されたレジン層とを備え、前記ステージは、前後左右に動くように構成され、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、ステージの動作で前記レジン層が分離用基板と接触するように、前記分離用基板の方向に移動するようにされていて、前記分離用基板を前記マスター基板上の前記レジン層に接着させるようにし、その時、チャンバ内が真空環境にあり、前記分離用基板に接触した前記レジン層を硬化させた後、前記マスター基板から前記レジン層を分離されるように構成され、前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視することを特徴とする。
例えば、実質的な真空状態は、窒素又はアルゴンのような不活性ガスを使用したブローイング処理により解除され得る。レジン層110はその後、熱硬化処理又は紫外線光硬化処理等により硬化され得る。図2Cの例に示されるように、紫外線光硬化処理を使用する。紫外線光硬化処理では、UVランプ260は、紫外線UVを出射して、UVランプ260から出射された紫外線UVは、光透過窓250と分離用基板120を透過してレジン層110に照射される。従って、レジン層110は、硬化される。分離用基板120に接着されたレジン層110と共にステージ220を下降させる。この時、分離用基板120には、接着剤がコーティングされているために、レジン層110は、分離用基板120に接着されマスター基板100から分離される。
上述の処理工程又は処理工程の部分部分はチャンバ内の真空又は真空と実質的に同様な環境下で実施され得る。
Claims (21)
- 少なくとも1つのパターンを有するマスター基板を準備する段階と、
前記少なくとも1つのパターンを覆うように前記マスター基板上にレジン層を配置する段階と、
分離用基板がステージを覆うように配置された、チャンバ内の前記ステージ上部にレジン層を有する前記マスター基板を配置する段階と、
前記ステージを前後左右に動かして前記マスター基板を前記分離用基板と位置合わせするように位置調整する段階であって、前記ステージは、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、前記分離用基板は、上下に移動できるジグに置かれて当該ジグに固定された固定手段により動かない、段階と、
前記分離用基板に対して前記ステージを相対的に移動させることにより、前記分離用基板を真空環境下で前記レジン層に接触させる段階であって、当該段階で、前記分離用基板の表面に接着剤をコーティングする段階と、
前記分離用基板に接触する前記レジン層を硬化させる段階と、
前記分離用基板に対して前記ステージを相対的に移動させることにより、硬化された前記レジン層を前記マスター基板から分離する段階であって、前記分離用基板と前記レジン層が均一に接触するよう、前記ステージを移動させる段階
と、
を備え、
前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視する
ことを特徴とするソフトモールドの形成方法。 - 前記少なくとも1つのパターンが陽刻パターン、陰刻パターンおよびこれらの組合せの少なくとも1つからなることを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記分離用基板と前記レジン層を接着した後に、真空環境を解除するために不活性ガスをブローイングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記硬化する段階と分離する段階のために真空環境が維持されることを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記マスター基板がシリコンで構成され、前記パターンが、シリコン、金属材料、フォトレジスト材料、ワックス、窒化ケイ素、シリカのうちのいずれか1つで構成されていることを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記レジン層が硬化前に液状の高分子前駆体で構成されていることを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記レジン層を配置する段階で、スピンコーティング方法またはスリットコーティング方法が利用されることを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記硬化させる段階で、前記レジン層上に光を照射することを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記レジン層を前記マスター基板から分離すると、少なくとも1つのパターンの少なくとも1つの逆パターンが残ることを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記レジン層が、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート、ブチルメタクリレートの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記レジン層に、光開始剤が付加されていることを特徴とする請求項1に記載のソフトモールドの形成方法。
- 陽刻パターンを有するマスター基板を生成する段階と、
前記陽刻パターンを覆うように前記マスター基板上にレジン層を配置する段階と、
チャンバ内の可動ステージ上に前記レジン層を有する前記マスター基板を挿入する段階と、
分離用基板に接着剤を塗る段階と、
前記ステージを前後左右に動かして前記マスター基板を前記分離用基板と位置合わせするように位置調整する段階であって、前記ステージは、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、前記分離用基板は、上下に移動できるジグに置かれて当該ジグに固定された固定手段により動かない、段階と、
前記マスター基板を載せた前記可動ステージを前記分離用基板の方向に移動させ接着剤でレジン層と分離用基板を接着する段階であって、レジン層と分離用基板の接着がなされ、その時、前記チャンバ内が真空環境にあるものと、
前記分離用基板に接触する前記レジン層を硬化させる段階と、
前記ステージを前記マスター基板と共に下降させることにより、硬化した前記レジン層と分離用基板を前記マスター基板から分離する段階とを備え、
前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視する、
ソフトモールドが硬化されたレジン層からなることを特徴とするソフトモールドの形成方法。 - 前記硬化させる段階が、前記レジン層に紫外線光を照射することを含むことを特徴とする請求項12に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記マスター基板の付いた前記可能ステージを前記分離用基板の方向に移動させてレジン層と分離用基板を接着した後に、真空環境を解除するために不活性ガスをブローイングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記レジン層を配置する段階で、スピンコーティング方法またはスリットコーティング方法が利用されることを特徴とする請求項12に記載のソフトモールドの形成方法。
- 前記レジン層を前記マスター基板から分離すると、マスター基板の少なくとも1つのパターンの少なくとも1つの逆パターンが残ることを特徴とする請求項12に記載のソフトモールドの形成方法。
- チャンバと、
前記チャンバ内に配置された分離用基板であって、分離用基板を安着させるための、前記チャンバと結合している少なくとも1つのジグと、上記少なくとも1つのジグと結合している少なくとも1つの固定手段を有するチャンバ内に設けられた分離用基板と、
複数のパターンでソフトモールドを形成するためのマスター基板と、
前記チャンバ内に配置され前記マスター基板を受けるためのステージと、
前記マスター基板上に配置されたレジン層と、
を備え、
前記ステージは、前後左右に動くように構成され、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、ステージの動作で前記レジン層が分離用基板と接触するように、前記分離用基板の方向に移動するようにされていて、前記分離用基板を前記マスター基板上の前記レジン層に接着させるようにし、その時、チャンバ内が真空環境にあり、前記分離用基板に接触した前記レジン層を硬化させた後、前記マスター基板から前記レジン層を分離されるように構成され、
前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視する
ことを特徴とするソフトモールドの形成装置。 - ランプをさらに備え、前記チャンバが前記ランプからの光を透過する透過窓を有することを特徴とする請求項17に記載のソフトモールドの形成装置。
- 前記ランプからの光が前記レジン層を硬化させることを特徴とする請求項18に記載のソフトモールドの形成装置。
- 前記複数のパターンが、前記マスター基板上に形成された複数の陽刻パターンからなることを特徴とする請求項17に記載のソフトモールドの形成装置。
- 前記マスター基板上に形成された複数の陽刻パターンの複数の逆パターンが前記レジン層上に形成されることを特徴とする請求項20に記載のソフトモールドの形成装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2006-0053127 | 2006-06-13 | ||
KR1020060053127A KR100857521B1 (ko) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법 및 그 제조장비 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007335873A JP2007335873A (ja) | 2007-12-27 |
JP4695117B2 true JP4695117B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=38821080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007156622A Active JP4695117B2 (ja) | 2006-06-13 | 2007-06-13 | ソフトモールドの形成方法及びソフトモールドの形成装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070284777A1 (ja) |
JP (1) | JP4695117B2 (ja) |
KR (1) | KR100857521B1 (ja) |
CN (1) | CN101089731B (ja) |
TW (1) | TWI368995B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100832298B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2008-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴 형성용 레지스트와 이를 이용한 소프트몰드 제조방법 |
KR101329079B1 (ko) | 2007-04-09 | 2013-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2010049745A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体 |
JP5672652B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2015-02-18 | 凸版印刷株式会社 | 半導体素子用基板の製造方法および半導体装置 |
US20100264566A1 (en) * | 2009-03-17 | 2010-10-21 | Suss Microtec Inc | Rapid fabrication of a microelectronic temporary support for inorganic substrates |
NL2005263A (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-30 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
KR101255285B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법 |
EP2602089B1 (en) | 2010-08-06 | 2017-12-20 | Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. | Resin mold for nanoimprinting and manufacturing method thereof |
US8651849B2 (en) * | 2011-01-10 | 2014-02-18 | Xerox Corporation | Digitally prepared stamp masters and methods of making the same |
KR101260939B1 (ko) * | 2011-03-09 | 2013-05-06 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 점착 모듈, 이를 포함하는 기판 합착 장치 및 점착 패드의 제조방법 |
KR101576702B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2015-12-10 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 유리섬유시트의 수지조성물 도포장치 |
Citations (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02130738A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | スタンパ |
JPH09240125A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-16 | Motorola Inc | 物品の面をスタンピングするための装置および方法 |
JPH09511710A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-11-25 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | リソグラフィ・プロセス用のスタンプ |
JPH1010741A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Dow Corning Asia Kk | 紫外線硬化性ポリシロキサン組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法 |
JP2001234383A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Nikon Corp | スタンパーの製造方法 |
JP2003086537A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Tdk Corp | 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体 |
JP2003109915A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 剥離性雰囲気でのインプリントリソグラフィー方法及び装置 |
JP2004504718A (ja) * | 2000-07-18 | 2004-02-12 | ナノネックス コーポレーション | 流体圧力インプリント・リソグラフィ |
JP2004047226A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Three M Innovative Properties Co | 可とう性成形型及びそれを用いた微細構造体の製造方法 |
JP2004216641A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Three M Innovative Properties Co | 可とう性成形型及びその製造方法ならびに微細構造体の製造方法 |
JP2004526581A (ja) * | 2001-03-14 | 2004-09-02 | ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー | ソフトリソグラフィ及びフォトリソグラフィを使用して微小針(microneedles)構造を製造する方法 |
JP2005129791A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Nanometric Technology Inc | マイクロコンタクトプリント方法及び装置 |
JP2005515617A (ja) * | 2001-10-11 | 2005-05-26 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 非粘着性のモールドを使用する、パターン化された構造の複製 |
JP2005189128A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Hitachi Ltd | 微細金属構造体とその製造方法、並びに微細金型とデバイス |
JP2005197699A (ja) * | 2003-12-27 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
JP2005203797A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Lg Electron Inc | ナノインプリントリソグラフィ用大面積スタンプ製作方法 |
JP2005286061A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 加工装置 |
JP2005286222A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Toshiba Corp | インプリント用スタンパ、インプリント用スタンパの製造方法、インプリント方法及びインプリント用スタンパの分解方法 |
JP2005533393A (ja) * | 2002-07-11 | 2005-11-04 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
JP2005349619A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 形状転写用金型、それを用いた製品の製造方法及び得られる微細形状をもつ製品 |
JP2005539396A (ja) * | 2002-09-17 | 2005-12-22 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | マイクロ構造及びナノ構造の複製及び転写 |
JP2006062208A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Hitachi Industries Co Ltd | 微細構造転写装置 |
JP2006116602A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Bondotekku:Kk | 加圧装置の平行調整方法及び装置 |
JP2006137021A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Asahi Glass Co Ltd | 転写体の製造方法 |
JP2006237312A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Yoshihiko Hirai | 注型インプリント法 |
JP2007230166A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 樹脂シートの製造方法 |
JP2007526820A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-09-20 | ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル | ソフトリソグラフィー又はインプリントリソグラフィーを用いる分離微小構造及び分離ナノ構造の作製方法 |
JP2008507114A (ja) * | 2004-04-27 | 2008-03-06 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | ソフトリソグラフィ用複合パターニングデバイス |
JP2008513249A (ja) * | 2004-09-15 | 2008-05-01 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | インプリントポリマー支持体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19648844C1 (de) * | 1996-11-26 | 1997-09-18 | Jenoptik Jena Gmbh | Einrichtung und Verfahren zur Abformung mikrosystemtechnischer Strukturen |
JP4082545B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2008-04-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | プラズマディスプレイパネル用基板を製造するための装置、成形型及び方法 |
US7455955B2 (en) * | 2002-02-27 | 2008-11-25 | Brewer Science Inc. | Planarization method for multi-layer lithography processing |
KR100568581B1 (ko) * | 2003-04-14 | 2006-04-07 | 주식회사 미뉴타텍 | 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드 |
JP2007536107A (ja) * | 2004-05-04 | 2007-12-13 | ミヌタ・テクノロジー・カンパニー・リミテッド | 非結晶性フッ素樹脂を用いた鋳型及びその製造方法 |
US7641468B2 (en) * | 2004-09-01 | 2010-01-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Imprint lithography apparatus and method employing an effective pressure |
-
2006
- 2006-06-13 KR KR1020060053127A patent/KR100857521B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-06-12 US US11/811,703 patent/US20070284777A1/en not_active Abandoned
- 2007-06-12 CN CN2007101108668A patent/CN101089731B/zh active Active
- 2007-06-13 TW TW096121374A patent/TWI368995B/zh active
- 2007-06-13 JP JP2007156622A patent/JP4695117B2/ja active Active
Patent Citations (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02130738A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Dainippon Printing Co Ltd | スタンパ |
JPH09511710A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-11-25 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | リソグラフィ・プロセス用のスタンプ |
JPH09240125A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-16 | Motorola Inc | 物品の面をスタンピングするための装置および方法 |
JPH1010741A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Dow Corning Asia Kk | 紫外線硬化性ポリシロキサン組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法 |
JP2001234383A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Nikon Corp | スタンパーの製造方法 |
JP2004504718A (ja) * | 2000-07-18 | 2004-02-12 | ナノネックス コーポレーション | 流体圧力インプリント・リソグラフィ |
JP2004526581A (ja) * | 2001-03-14 | 2004-09-02 | ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー | ソフトリソグラフィ及びフォトリソグラフィを使用して微小針(microneedles)構造を製造する方法 |
JP2003086537A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Tdk Corp | 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体 |
JP2003109915A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 剥離性雰囲気でのインプリントリソグラフィー方法及び装置 |
JP2005515617A (ja) * | 2001-10-11 | 2005-05-26 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 非粘着性のモールドを使用する、パターン化された構造の複製 |
JP2004047226A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Three M Innovative Properties Co | 可とう性成形型及びそれを用いた微細構造体の製造方法 |
JP2005533393A (ja) * | 2002-07-11 | 2005-11-04 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
JP2005539396A (ja) * | 2002-09-17 | 2005-12-22 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | マイクロ構造及びナノ構造の複製及び転写 |
JP2004216641A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Three M Innovative Properties Co | 可とう性成形型及びその製造方法ならびに微細構造体の製造方法 |
JP2005129791A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Nanometric Technology Inc | マイクロコンタクトプリント方法及び装置 |
JP2007526820A (ja) * | 2003-12-19 | 2007-09-20 | ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル | ソフトリソグラフィー又はインプリントリソグラフィーを用いる分離微小構造及び分離ナノ構造の作製方法 |
JP2005189128A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Hitachi Ltd | 微細金属構造体とその製造方法、並びに微細金型とデバイス |
JP2005197699A (ja) * | 2003-12-27 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
JP2005203797A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Lg Electron Inc | ナノインプリントリソグラフィ用大面積スタンプ製作方法 |
JP2005286061A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 加工装置 |
JP2005286222A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Toshiba Corp | インプリント用スタンパ、インプリント用スタンパの製造方法、インプリント方法及びインプリント用スタンパの分解方法 |
JP2008507114A (ja) * | 2004-04-27 | 2008-03-06 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | ソフトリソグラフィ用複合パターニングデバイス |
JP2005349619A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 形状転写用金型、それを用いた製品の製造方法及び得られる微細形状をもつ製品 |
JP2006062208A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Hitachi Industries Co Ltd | 微細構造転写装置 |
JP2008513249A (ja) * | 2004-09-15 | 2008-05-01 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | インプリントポリマー支持体 |
JP2006116602A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Bondotekku:Kk | 加圧装置の平行調整方法及び装置 |
JP2006137021A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Asahi Glass Co Ltd | 転写体の製造方法 |
JP2006237312A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Yoshihiko Hirai | 注型インプリント法 |
JP2007230166A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 樹脂シートの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI368995B (en) | 2012-07-21 |
JP2007335873A (ja) | 2007-12-27 |
US20070284777A1 (en) | 2007-12-13 |
CN101089731A (zh) | 2007-12-19 |
TW200802893A (en) | 2008-01-01 |
KR20070118873A (ko) | 2007-12-18 |
KR100857521B1 (ko) | 2008-09-08 |
CN101089731B (zh) | 2010-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4695117B2 (ja) | ソフトモールドの形成方法及びソフトモールドの形成装置 | |
JP4863388B2 (ja) | レジストパターン形成方法、アレイ基板の製造方法 | |
US8012667B2 (en) | Soft mold and method of fabricating the same | |
JP5719832B2 (ja) | 二重自己整合式金属酸化物薄膜トランジスタ | |
JP2004304097A (ja) | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
WO2006057745A2 (en) | Direct imprinting of etch barriers using step and flash imprint lithography | |
KR20150063148A (ko) | 캐리어 상의 분리 가능한 기판 | |
US20090026678A1 (en) | Alignment precision enhancement of electronic component process on flexible substrate device and method thereof the same | |
JP2007128083A (ja) | 表示装置の製造方法及びこれに使用されるモールド | |
US8013326B2 (en) | Organic thin film transistor substrate and method of manufacture | |
US20110159209A1 (en) | Pattern forming method | |
KR20100008619A (ko) | 리소그래피 마스크 제조방법 및 이를 이용한 미세패턴형성방법 | |
KR20050032581A (ko) | 갭 결함을 가진 리소그라픽 템플릿을 형성하고 수리하는방법 | |
US8292608B2 (en) | Apparatus for fixing plastic sheet and method of fabricating nano pattern on plastic sheet using the same | |
US7678626B2 (en) | Method and system for forming a thin film device | |
KR20100058046A (ko) | 패턴 형성 방법, 이를 이용하여 제조한 표시 기판 및 표시 장치 | |
KR101808522B1 (ko) | 롤 몰드 및 그 제조 방법 | |
CN112445078A (zh) | 电子装置的制造方法 | |
JP2008226878A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
KR101201325B1 (ko) | 패턴 형성용 몰드 및 이를 이용한 패턴 형성방법 | |
KR101186520B1 (ko) | 패턴 형성용 몰드 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 액정표시장치 | |
KR102563532B1 (ko) | 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿 | |
KR20070065599A (ko) | 몰드를 이용한 패턴 형성방법 | |
KR20090059524A (ko) | 평판 표시 소자의 전극 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110224 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4695117 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |