JP2005286061A - 加工装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 重ね合わせ精度、微細加工及び経済性に優れ、レジストによる汚染を防止することが可能な加工装置を提供する。
【解決手段】 凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、前記レジストを前記基板と前記モールドとの間に供給する手段と、前記レジストを回収する手段とを有することを特徴とする加工装置を提供する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、一般には、加工装置に係り、特に、原版となるモールドのパターンをウェハ等の基板へ転写する加工装置に関する。本発明は、特に、ナノインプリント技術を利用する加工装置に好適である。

紫外線やＸ線、あるいは、電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスへの微細パターンの形成方法に代わる技術としてナノインプリントがある。ナノインプリントとは、電子ビーム露光等によって、微細なパターンを形成した雛型（モールド）を、樹脂材料（レジスト）を塗布したウェハ等の基板に押し付ける（押印する）ことによって、レジスト上にパターンを転写するものである（例えば、非特許文献１参照。）。既に１０ｎｍ程度の微細な形状の転写が可能であることが示されており、特に、磁気記録媒体の微細な周期構造の作成手段として注目されており、各地で盛んに研究開発が行われている。

ナノインプリントは、モールドと基板との間に気泡が入り込まないように、環境を真空にする場合もある。押印時のレジストの流動が容易になるように、レジストとして使用されるポリマーガラス転移温度以上に加熱して転写する方法（熱サイクル法）や、紫外線硬化型の樹脂をレジストとして使用し、透明なモールドで押印した状態で感光、硬化させてからモールドを剥離する方法（光硬化法）などが提案されている。

半導体集積回路の作成には、基板に既に描画されている回路パターン上に、高精度に位置合わせして次のパターンを転写する重ね合わせが必須である。熱サイクル法ではレジストを加熱するために、基板とモールドは温度上昇によって熱膨張してしまい、重ね合わせ精度を維持することは非常に困難である。そこで、ナノインプリントを半導体集積回路製造に適用する場合は、温度制御が比較的容易な光硬化法が適している。

半導体集積回路パターンは最小線幅が１００ｎｍ以下であり、モールドの微細な構造に確実にレジストが入り込むためには低粘度のレジスト材を使用する必要がある。また、ナノインプリント装置は、通常、ステップアンドリピート方式でウェハ面に逐次パターンを転写する。ここで、「ステップアンドリピート方式」は、ウェハのショットの一括転写ごとにウェハをステップ移動して、次のショットの転写領域に移動する方法である。この際、レジストの粘度が低いことから露光装置のように基板にレジストを予め塗布して搬送、装着することは困難である。このため、各ショットへの転写時に、モールドを押印する毎に適量を滴下する方法が提案されている（非特許文献２）


Ｓ． Ｙ． Ｃｈｏｕ，ｅｔ．ａｌ．， Ｓｃｉｅｎｃｅ， ｖｏｌ． ２７２， ｐ．８５−８７， ５ Ａｐｒｉｌ １９９６ Ｍ． Ｃｏｌｂｕｒｎ， Ｓ． Ｊｏｈｎｓｏｎ， Ｍ． Ｓｔｅｗａｒｔ， Ｓ． Ｄａｍｌｅ， Ｔ． Ｂａｉｌｅｙ， Ｂ． Ｃｈｏｉ， Ｍ． Ｗｅｄｌａｋｅ， Ｔ． Ｍｉｃｈａｅｌｓｏｎ， Ｓ． Ｖ． Ｓｒｅｅｎｉｖａｓａｎ， Ｊ．Ｇ． Ｅｋｅｒｄｔ ａｎｄ Ｃ．Ｇ． Ｗｉｌｌｓｏｎ． "Ｓｔｅｐ ａｎｄ Ｆｌａｓｈ Ｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ： Ａ ｎｅｗ ａｐｐｒｏａｃｈ ｔｏ ｈｉｇｈ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ．" Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ ３６７６（Ｉ）： ３７９ （１９９９）．

モールドは、複数のチップ用の複数のパターンを含んでおり、一般には矩形形状である。一方、ウェハは円形形状である。このため、ウェハ上にマトリックス状にモールドパターンを転写する場合、ウェハ周辺の、モールドサイズよりも小さいショット（以下、「周辺ショット」という場合がある。）にはモールドがはみ出てモールドパターンが部分的にしか転写されないことになる。しかし、たとえモールドパターンが部分的に転写されないとしてもモールドに含まれる複数のチップパターンのうちの幾つかは転写されるため、周辺領域に部分的に転写することは経済的であり、好ましい。

ところが、周辺ショットでは低粘度のレジストが流れ出て、ウェハを固定するウェハチャックや加工装置を汚染してしまう。そのため、従来は周辺ショットへにモールドパターンを転写することができず、経済性が悪かった。

そこで、重ね合わせ精度、微細加工及び経済性に優れ、レジストによる汚染を防止することが可能な加工装置を提供することを例示的目的とする。

本発明の一側面としてのレーザ装置は、凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、前記レジストを前記基板と前記モールドとの間に供給する手段と、前記レジストを回収する手段とを有することを特徴とする。

本発明の別の側面としての加工装置は、凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、前記基板を前記モールドよりも重力方向において上流側に配置したことを特徴とする。

また、本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の加工装置を用いてパターンを基板上のレジストに転写するステップと、前記基板にエッチングを行うステップとを有することを特徴とする。上述の加工装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサ、薄膜磁気ヘッドなどを含む。

本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付の図面を参照して説明される好ましい実施例等によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、重ね合わせ精度、微細加工及び経済性に優れ、レジストによる汚染を防止することが可能な加工装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の第１の実施例としての加工装置としての光硬化法のナノインプリント装置１０について説明する。なお、各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、ナノインプリント装置１０の概略断面図である。

ナノインプリント装置１０は、光硬化手段と、モールド１１と、モールド駆動部と、ウェハ２１と、ウェハ駆動部と、レジスト供給手段と、レジスト回収手段と、その他の機構とを有する。

光硬化手段は、モールド１１を介してレジスト４２に紫外線を照射してレジストを硬化する手段であり、光源１５と、照明光学系１４とを有する。光源１５は、ＵＶ光を発生するハロゲンランプ（不図示）などからなる。照明光学系１４は、レジストを露光し、硬化させるための照明光を整えてレジスト面に照射するためのレンズ、アパーチャ、照射か遮光かを切り替えるためのシャッタなどを含む。

モールド１１は、転写すべき微細構造が形成されており、レジストを硬化するための露光光を透過するため、透明な部材で作られている。

モールド駆動部は、モールド１１を装置１０に保持するためのモールドチャック１２と、モールド１１を下方向に押し付ける駆動部としてのインプリント機構部１３とを含む。インプリント機構部１３は、上下動作をさせるだけでなくモールド転写面とウェハ２１とが密着するように姿勢のかわし機構や姿勢制御、回転方法の位置合わせ機能も有する。

ウェハ２１は、モールド１１に形成されているパターンが転写され、後の工程を経て半導体集積回路が形成される対象であり、従来の半導体プロセスに用いられているものと同様である。

ウェハ駆動部は、ウェハ２１を保持するウェハチャック２２と、ウェハチャック２２の位置、姿勢調整するためのウェハステージ２３とを含む。ウェハステージ２３は、ｘ，ｙ平面方向に移動可能であり、ウェハ全面を転写可能としている。ウェハステージ２３は、高精密な位置決めも可能であり、微細なパターンの重ね合せを達成している。また、ウェハステージ２３は、位置決めだけではなく、ウェハ２１の表面の姿勢を調整する手段も有しており、ウェハ２１の表面の姿勢を調整する役割を有する。

レジスト供給手段は、紫外線照射前、つまり硬化前のレジスト４１、４２を保持するタンク３１と、ウェハ面にレジストを滴下するためのノズル３２と、ノズル３２からレジスト４２を滴下するか停止するかを切り替えるバルブ（不図示）を含む。

レジスト回収手段は、回収口３３と回収装置３４とを含む。回収口３３は、ウェハチャック２２の表面に設置され、ウェハ面からこぼれ落ちたレジスト４２を吸引回収する。回収装置３４は、真空ポンプ、フィルタなど（いずれの不図示）から構成され、回収口下流を負圧状態にすることでレジストを回収する。

その他の機構は、定盤２４、除振器２５、フレーム２６、アライメントスコープ２７、基準マーク台２８を含む。定盤２４は、装置１０全体を支えると共にウェハステージ２３の移動の基準平面を形成する。除振器２５は、床からの振動を除去する機能を有し、定盤２４を支える。フレーム２６は、ウェハ２１より上方に位置する構成部分の光源１５からモールド１１までを支える。アライメントスコープ２７は、ウェハ２１上のアライメントマーク位置を計測し、その結果に基づいてウェハステージ２３の位置決めを行う。基準マーク台２８は、基準マークを有し、アライメントスコープ２７の座標と、ウェハステージ２３の座標との位置合わせに使用される。

動作において、転写に供されるウェハ２１は、不図示のウェハ搬送系によってウェハチャック２２に載置される。ウェハチャック２２は真空吸着手段によってウェハ２１を保持する。ウェハステージによって、ウェハ面上のアライメントマークを順にアライメントスコープ２７によって計測を行い、ウェハの位置を高精度に計測を行う。その計測結果から各転写座標を演算する。その結果に基づいて逐次転写（ステップアンドリピート）を行う。全ての転写が完了したら、ウェハが搬出され、次の転写ウェハが搬入される。

転写においては、転写位置に移動する前に、ノズル３２から適量のレジストを転写位置に滴下する。その後、ウェハステージ２３がウェハ２１を転写位置に移動し、位置決めを行う。位置決め完了後に、インプリント機構部１３がモールド１１を下降させ、モールド１１をウェハ２１に押し付ける。押し付け完了の判断は、インプリント機構部１３の内部に設置された荷重センサによって行っている。押し付けた後に、照明光を照射し、レジスト４２を硬化させる。レジスト硬化が終了した後、モールド１１を引き上げる。そして、次の転写位置（ショット）へ移動する。

次に、周辺ショットに転写を行う時について詳細に説明をする。図３（ａ）は、ウェハ２１のショットのレイアウトを示す。５１は、モールド１１にパターンが形成されている領域であり、一回のモールド押し付け、露光光照射で形成できる領域（ショット）である。各ショット内に４つの同様なパターン５２が形成されており、各々が半導体チップ１つに対応する。説明の便宜上５２をチップと表現する。つまり、１ショットで４個分のデバイスパターン（チップ５２）を転写する。図３（ａ）のレイアウトは２１ショットの例である。図３（ａ）のショットレイアウトは、ウェハの周辺部に、パターンが完全には転写できない周辺ショットが存在する。しかし、周辺ショットのショット内部のチップに注目すると、４つの領域のうち、２つの領域は欠けがなく有効に利用できる。

以下、周辺ショットについて、図２を参照して更に詳細に説明する。ここで、図２は、ウェハチャック２２の断面図である。モールド１１は、位置決め完了し、押し付けする直前の状態である。ウェハチャック２２のウェハチャック２２面には、ウェハ２１を吸着するための開口があり、ウェハチャック２２内部に形成された真空吸着配管２９を通して、不図示の真空排気系に接続されている。配管途中にあるバルブ（不図示）を開閉することによって、ウェハを着脱可能にしている。

回収口３３は、ウェハ周辺部の沿って、ウェハチャック２２表面に溝が形成され、更に、回収配管３５に接続されている。レジスト塗布した時にウェハ２１の外側へ流れ落ちたレジスト４１は、回収口３３から回収配管３５を通して、回収装置３４によって吸引されることにより、回収される構造となっている。その結果、周辺ショットを転写する際にウェハ２１の外側に流れ落ちるレジスト４１は、回収口３３から回収されるため、装置１０内をレジスト４１で汚染することがない。そのため、周辺ショットも転写可能となり、ウェハを効率よく利用することが可能となる。ウェハの外側へのレジストの流失を避けるために、周辺ショットを転写しない場合（図３（ｂ））と比べると、有効な半導体チップ数は、ウェハ一枚当たり１６個も増える。ここで、図３（ｂ）のレイアウトは周辺ショットを含まない従来のウェハのレイアウトである。図３（ｂ）のレイアウトは、１３ショットの例である。

図４に、第２の実施例としてのレジスト回収手段（ウェハチャック２２Ａ）の断面図を示す。第１の実施例と同様のナノインプリント装置に適用され、ウェハチャック２２Ａの構造のみを示している。他の部分については、第１の実施例と同様であるので、説明は省略する。図４において、回収口３３Ａの構造以外は、図２と同様であるので説明は省略する。ウェハチャック２２Ａには、回収口３３Ａが形成されている。ウェハ２１の吸着面のウェハ外周に沿ってリング状に溝が形成されており、回収口３３Ａとなっている。溝の外周はウェハの外周よりも大きく、溝の内周は、ウェハ２１の外形よりも小さい。ウェハチャック２２Ａがウェハ２１を保持したときは、図４に示したように、ウェハ２１の外周部の裏面（ウェハ吸着面）と回収口３３Ａは重なる。回収口３３Ａを配したことにより、周辺ショット転写時に、流れ落ちるレジスト４１は直接回収口３３Ａへ入り、確実に回収される。ウェハチャック２２Ａは、ウェハの裏面を支持する面積は低減するが、レジスト４１をより確実に回収したいときに有効である。

図５に第３の実施例としてのレジスト回収手段（ウェハチャック２２Ｂ）の断面図を示す。第一及び第２の実施例と同様にナノインプリント装置に適用され、ウェハチャック２２Ｂの構造のみを示している。他の部分については、第一及び第２の実施例と同様であるので、説明は省略する。図５において、回収口３３Ｂの構造以外については、図２と同様であるので説明は省略する。

ウェハチャック２２Ｂは、中央が一段下がった凹型をしており、一段下がった面がウェハチャック面となっている。段差の大きさは、ウェハ２１を保持したときにウェハ表面と、ウェハチャックの周辺部の高さがおおよそ同一面になるように設定されている。周辺ショットの転写時にモールドのパターン面全面に均一に力がかかることでより高精度な転写を実現するものである。図５に示したように、回収口３３Ｂはウェハ２１の外周を囲むように設置されると共に、ウェハ２１の外側の一段高くなったところに二重に設置されている。ウェハチャック２２面を上から見た時に二重のリング状の回収口が見えることになる。内側の回収口は、レジストを滴下したときにウェハの外側に流れ出たレジストを回収し、外側の回収口は内側で回収し切れなかったレジストを回収する。また、レジスト滴下時にウェハ外に落ちてしまったレジスト４１も回収する。ウェハ外形に沿ったものと、ウェハ外形の外側に二重に回収口を設けたことにより、より流れ出たレジストの回収を確実に行うことができる。

図６は、第４の実施例の加工装置の一例として、光硬化法のナノインプリント装置１０Ｃの概略断面図を、図７は、そのモールド１１Ｃ付近の拡大断面図を示している。装置１０Ｃは主に、本体５１Ｃとステージ支持フレーム５２Ｃに支えられる部材から成っている。上述の実施例においては、ｘｙ平面に可動なウェハステージ２２は、モールド１１の下方に位置しており、モールド１１はパターン面を下向きして、ウェハ２１にパターンを押し付けることで転写を行っていたが、装置１０Ｃは、ウェハステージ２３Ｃが上側に位置し、モールド１１Ｃはその下に位置している。モールド１１Ｃは、パターン面を上に向けて保持されており、下向きに保持されたウェハ２１Ｃに、下からモールド１１Ｃを上昇させ、ウェハ２１Ｃに押し付けることで転写を行う構成となっている。

本体５１Ｃの内部に、光源１５Ｃから照明光学系１４Ｃ、インプリント機構部１３Ｃ、モールドチャック１２Ｃが保持されている。本体５１Ｃには、ステージ支持フレーム５２Ｃが連結されている。ステージ支持フレーム５２Ｃは、ウェハステージ２３Ｃを吊り上げる形で支持している。モールド１１Ｃとウェハ２１Ｃの位置関係が上下逆になっている点を除けば、基本的な各部の役割は、先の実施例と同様である。装置１０Ｃは、ノズル駆動部３６Ｃが設置されている点で装置１０などと異なる。先の実施例では、固定されたノズル位置に合わせてウェハステージ２３が移動することで所定のショット位置にレジストを滴下していたが、本実施例では、常にモールド１１Ｃにレジスト４２を滴下するからである。

ウェハ２１Ｃへのパターン転写も先の実施例と同様にステップアンドリピート方式である。各ショットの動作について説明をする。レジスト４２をウェハ２１Ｃではなくモールド１１Ｃに滴下するため従来の装置の動作と違う工程がある。レジストを滴下するためにはノズル３２Ｃをモールドの上部に移動する必要がある。前のショットの転写が終了しモールド１１Ｃが下降した後に、ノズル駆動部３６Ｃは、ノズル３２Ｃをモールド上へ移動させる。その後、ノズル３２Ｃからレジスト４２を滴下する。モールド１１Ｃのパターン面に均一に滴下するためにノズルが移動しながらレジストを滴下してもよい。レジスト４２の滴下が終了すると、ノズル駆動部３６Ｃはノズル３２Ｃを退避させる。モールド１１Ｃが上昇してウェハ２１Ｃに押印されるときに干渉してしまうからである。また、インプリント機構部１３Ｃは、ウェハ２１Ｃとモールド１１Ｃとの間にノズル３２Ｃが入るために十分な間隔をあけるだけのｚストロークを有している。

動作において、モールド１１Ｃが下降した状態で、ノズル３２Ｃがモールド１１Ｃの上方に移動し、レジスト４２を適量滴下する。滴下完了後、ノズル３２Ｃは退避する。モールド１１Ｃが上昇し、ウェハ２１Ｃに押し付けられる。押し付けた状態で高原１５Ｃ及び照明光学系１４Ｃを介して照明光を照射し、レジスト４２を硬化する。そして、モールド１１Ｃを下降させる。ウェハ表面にパターンが形成されたレジスト４２が残る。ウェハステージ２３Ｃが駆動され、次のショット位置へ移動する。

図７を参照するに、ノズル３２は、モールド１１Ｃ上方に移動し、レジスト４２を滴下する。モールドチャック１２Ｃは、真空吸着することでモールド１１Ｃを保持している。モールド１１Ｃの内部には、真空吸着配管２９が設置されており、不図示の真空排気系へ接続されている。モールド１１Ｃの外周部に大きさと形を同じにした回収口３３Ｃが設置されている。モールド１１Ｃの外周部に沿って溝が作られており、溝は回収装置３４Ｃへ接続されていて、モールド１１Ｃの外側へ流れ出た回収口３３Ｃへ入りこんだレジストを回収可能としている。モールドチャック１２Ｃの中央部は、レジスト硬化のための照明光が通過するため開口となっている。ノズル３２Ｃからレジスト４１がモールド１１Ｃから流れ落ちると、装置１０Ｃ内で汚染源となるために、回収口３３Ｃから回収する。モールド１１Ｃの外周部にそって回収口が形成されているため確実にレジスト４１を回収することができる。

このように、モールドパターン面を上向きとして転写を行い、レジストをモールドチャックによって回収することによって、レジストはウェハ２１を汚染することがなくなる。なお、本実施例では、モールドチャック１２Ｃに開口を設けているが、それに限定されるものではなく、モールドチャック１２Ｃの外周部に別体の回収手段、例えば、樋の構造をもったものを設置してもよい。

次に、図８及び図９を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図８は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（モールド製作）では、設計した回路パターンに対応するパターンを形成したモールドを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、モールドとウェハを用いてナノインプリント技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。

図９は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（転写処理）では、ウェハに感光剤を塗布しつつモールドをウェハに押し付け、紫外線を照射して回路パターンをウェハに転写する。ステップ１６（エッチング）では、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）によってパターニングを完了する。ステップ１７（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。デバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を製造する。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本発明のデバイス製造方法によれば、光硬化法を使用するので重ね合わせ精度が高く、低粘度のレジストを使用するので微細なモールドパターンにレジストが容易に入り込み微細加工を実現でき、周辺ショットにもモールドパターンを転写することができるので経済性に優れ、更に、レジストを回収するのでレジストによる装置やウェハの汚染を防止することができ、高品位のデバイスを製造することができる。このように、本発明のナノインプリント技術を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。また、本発明は、かかるデバイス製造方法の中間及び最終結果物であるデバイス自体もカバーする趣旨である。また、かかるデバイスは、例えば、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサ、薄膜磁気ヘッドなどを含む。

以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。

本発明の第１の実施例としての加工装置の概略断面図である。 図１に示す加工装置のレジスト回収手段の拡大断面図である。 ウェハのショットレイアウトを示す概略平面図である。 本発明の第２の実施例としての加工装置に適用可能なレジスト回収手段を表す概略断面図である。 本発明の第３の実施例としての加工装置に適用可能なレジスト回収手段を表す概略断面図である。 本発明の第４の実施例としての加工装置の概略断面図である。 図６に示す加工装置のレジスト回収手段の拡大断面図である。 上述の加工装置を使用してデバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図８に示すステップ４の詳細なフローチャートである。

符号の説明

１０−１０Ｃ 加工装置（ナノインプリント装置）
１１ モールド
２１ ウェハ
２９ 真空吸着用配管
３１ タンク
３２ ノズル
３３−３３Ｃ 回収口
３５ 回収配管
４１、４２ レジスト

Claims (17)

1. 凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、
   前記レジストを前記基板と前記モールドとの間に供給する手段と、
   前記レジストを回収する手段とを有することを特徴とする加工装置。
2. 前記基板を保持する保持部を更に有し、
   前記回収手段は、前記保持部に設けられていることを特徴とする請求項１記載の加工装置。
3. 前記保持部は、前記基板を保持する部分の外周部に前記回収手段を有することを特徴とする請求項２記載の加工装置。
4. 前記回収手段は、前記レジストを吸引する吸引孔が設けられた基部と、当該吸引孔に接続された真空排気手段とを有することを特徴とする請求項１記載の加工装置。
5. 前記吸引孔は、前記基板の一部も吸引することを特徴とする請求項４記載の加工装置。
6. 前記基部は、前記基板を収納する凹部を有し、前記凹部に嵌合した前記基板の表面は前記基部の前記凹部以外の面に対して平坦になることを特徴とする請求項４記載の加工装置。
7. 前記基板を保持する保持部を更に有し、当該保持部は前記基板を収納する凹部を有し、前記凹部に嵌合した前記基板の表面は前記保持部の前記凹部以外の面に対して平坦になることを特徴とする請求項１記載の加工装置。
8. 凹凸のパターンを形成したモールドを、基板上のレジストに接触することによって前記レジストにパターンを転写する加工装置であって、
   前記基板を前記モールドよりも重力方向において上流側に配置したことを特徴とする加工装置。
9. 前記レジストを前記基板と前記モールドとの間の前記モールド側に供給する手段を有することを特徴とする請求項８記載の加工装置。
10. 前記レジストを回収する手段とを有することを特徴とする請求項８記載の加工装置。
11. 前記モールドを保持する保持部を更に有し、
    前記回収手段は、前記保持部に設けられていることを特徴とする請求項１０記載の加工装置。
12. 前記保持部は、前記モールドを保持する部分の外周部に前記回収手段を有することを特徴とする請求項１１記載の加工装置。
13. 前記回収手段は、前記レジストを吸引する吸引孔が設けられた基部と、当該吸引孔に接続された真空排気手段とを有することを特徴とする請求項１０記載の加工装置。
14. 前記吸引孔は、前記モールドの一部も吸引することを特徴とする請求項１３記載の加工装置。
15. 前記モールドの一部が前記基板の外部に位置し、前記パターンの一部しか前記レジストに転写されない状態で前記モールドを前記基板に対して相対的に駆動することを特徴とする請求項１又は８記載の加工装置。
16. 前記加工装置は、前記レジストを硬化する光を照射する手段を更に有し、ナノインプリント装置であることを特徴とする請求項１又は８記載の加工装置。
17. 請求項１乃至１６のうちいずれか一項記載の加工装置を用いてパターンを基板上のレジストに転写するステップと、
    前記基板にエッチングを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。