JP4629147B2 - インプリントリソグラフィ - Google Patents
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- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 202
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 37
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001494 step-and-flash imprint lithography Methods 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920005593 poly(benzyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002776 polycyclohexyl methacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
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Description
Claims (9)
- 基板を保持するように配置された基板テーブルと、
インプリントテンプレートを保持するように配置されたインプリントテンプレートホルダと、
同一のインプリント可能媒体を供給するための少なくとも2つのインプリント可能媒体ディスペンサと、を備え、
第1の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記インプリントテンプレートホルダの第一の側にまたは前記第一の側に隣接して位置し、
第2の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記インプリントテンプレートホルダの第二の側にまたは前記第二の側に隣接して位置し、
前記第一の側及び前記第二の側は、前記インプリントテンプレートホルダに関して相互に逆側である、インプリントリソグラフィ装置。 - 前記基板テーブルは、前記基板のターゲット部分が前記インプリント可能媒体ディスペンサの一方の下方を通過する直後に、それが前記インプリントテンプレートの下方に位置するように走査方向へ移動可能である、請求項1に記載の装置。
- 前記インプリントテンプレートの上流に位置する前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記ターゲット部分が前記インプリントテンプレートの下方に位置する前に、インプリント可能媒体を前記基板の上に供給するように配置される、請求項2に記載の装置。
- 前記インプリント可能媒体ディスペンサの少なくとも一つは、穴の列、一連の穴の列または穴の配列を備える、請求項1に記載の装置。
- 前記穴はインクジェットノズルである、請求項4に記載の装置。
- インプリント可能媒体ディスペンサが前記インプリントテンプレートホルダのそれぞれの側にまたはそれぞれの側に隣接して位置するように、2つの追加的なインプリント可能媒体ディスペンサをさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 第2の基板を保持するように配置された第2の基板テーブルと、
第2のインプリントテンプレートを保持するように配置された第2のインプリントテンプレートホルダと、
少なくとも2つのインプリント可能媒体ディスペンサと、をさらに備え、
第1の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記第2のインプリントテンプレートホルダの一方の側にまたは一方の側に隣接して位置し、
第2の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、前記第2のインプリントテンプレートホルダの反対側にまたは反対側に隣接して位置する、請求項1に記載の装置。 - 前記第1および第2の基板テーブルの位置は、交換され得る、請求項7に記載の装置。
- 基板を保持するように配置された基板テーブルと、
インプリントテンプレートと、
同一のインプリント可能媒体を供給するための少なくとも2つのインプリント可能媒体ディスペンサと、を備え、
第1の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、インプリントテンプレートの第一の側にまたは前記第一の側に隣接して位置し、
第2の前記インプリント可能媒体ディスペンサは、インプリントテンプレートの第二の側にまたは前記第二の側に隣接して位置し、
前記第一の側及び前記第二の側は、前記インプリントテンプレートに関して相互に逆側である、インプリントリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US73317505P | 2005-11-04 | 2005-11-04 | |
US11/364,497 US8011915B2 (en) | 2005-11-04 | 2006-03-01 | Imprint lithography |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006296405A Division JP4604012B2 (ja) | 2005-11-04 | 2006-10-31 | インプリントリソグラフィ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010016405A JP2010016405A (ja) | 2010-01-21 |
JP4629147B2 true JP4629147B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=37670937
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006296405A Active JP4604012B2 (ja) | 2005-11-04 | 2006-10-31 | インプリントリソグラフィ |
JP2009237982A Active JP4629147B2 (ja) | 2005-11-04 | 2009-10-15 | インプリントリソグラフィ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006296405A Active JP4604012B2 (ja) | 2005-11-04 | 2006-10-31 | インプリントリソグラフィ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8011915B2 (ja) |
EP (1) | EP1783547B1 (ja) |
JP (2) | JP4604012B2 (ja) |
AT (1) | ATE506635T1 (ja) |
DE (1) | DE602006021380D1 (ja) |
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EP1783547A3 (en) | 2007-05-30 |
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JP2007182063A (ja) | 2007-07-19 |
JP4604012B2 (ja) | 2010-12-22 |
JP2010016405A (ja) | 2010-01-21 |
DE602006021380D1 (de) | 2011-06-01 |
EP1783547B1 (en) | 2011-04-20 |
US8011915B2 (en) | 2011-09-06 |
US20070102838A1 (en) | 2007-05-10 |
EP1783547A2 (en) | 2007-05-09 |
US9778563B2 (en) | 2017-10-03 |
US20110283937A1 (en) | 2011-11-24 |
US20170329218A1 (en) | 2017-11-16 |
US10025206B2 (en) | 2018-07-17 |
ATE506635T1 (de) | 2011-05-15 |
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