KR102207781B1 - 정밀 나노스케일 제조를 위한 방법 - Google Patents
정밀 나노스케일 제조를 위한 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102207781B1 KR102207781B1 KR1020187013795A KR20187013795A KR102207781B1 KR 102207781 B1 KR102207781 B1 KR 102207781B1 KR 1020187013795 A KR1020187013795 A KR 1020187013795A KR 20187013795 A KR20187013795 A KR 20187013795A KR 102207781 B1 KR102207781 B1 KR 102207781B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- thin films
- depositing thin
- droplets
- film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 235
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 277
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 92
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 38
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 36
- 238000005457 optimization Methods 0.000 claims description 34
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 4
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 claims description 2
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 description 49
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 27
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 22
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 22
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 7
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 7
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 4
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000009885 systemic effect Effects 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N all-trans-retinol Chemical compound OC\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C1=C(C)CCCC1(C)C FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000007519 figuring Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 201000000766 irregular astigmatism Diseases 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 244000045947 parasite Species 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 201000010041 presbyopia Diseases 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000000038 ultrahigh vacuum chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000028006 Corneal injury Diseases 0.000 description 1
- 235000004035 Cryptotaenia japonica Nutrition 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010020675 Hypermetropia Diseases 0.000 description 1
- 201000002287 Keratoconus Diseases 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 101100460147 Sarcophaga bullata NEMS gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 102000007641 Trefoil Factors Human genes 0.000 description 1
- 235000015724 Trifolium pratense Nutrition 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000011717 all-trans-retinol Substances 0.000 description 1
- 235000019169 all-trans-retinol Nutrition 0.000 description 1
- 230000003592 biomimetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000021164 cell adhesion Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 210000004087 cornea Anatomy 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007516 diamond turning Methods 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 208000035475 disorder Diseases 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000000203 droplet dispensing Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- -1 etc.) Substances 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 208000030533 eye disease Diseases 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 238000010100 freeform fabrication Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 201000006318 hyperopia Diseases 0.000 description 1
- 230000004305 hyperopia Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012669 liquid formulation Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 208000001491 myopia Diseases 0.000 description 1
- 230000004379 myopia Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 201000009308 regular astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 230000004382 visual function Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/40—Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
- B05D1/42—Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface by non-rotary members
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
- B05C5/0291—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work the material being discharged on the work through discrete orifices as discrete droplets, beads or strips that coalesce on the work or are spread on the work so as to form a continuous coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
- B81C1/0038—Processes for creating layers of materials not provided for in groups B81C1/00357 - B81C1/00373
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/023—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface
- B05C11/028—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface with a body having a large flat spreading or distributing surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
- B05C5/027—Coating heads with several outlets, e.g. aligned transversally to the moving direction of a web to be coated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
- B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
- B05D3/065—After-treatment
- B05D3/067—Curing or cross-linking the coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
Abstract
공칭적으로 곡선진 서브스트레이트(substrate)를 사용하여 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법에 관한 것이다. 하나 또는 그 초과의 잉크젯들에 의해 공칭적으로 곡선진 서브스트레이트 상의 복수의 위치들에 전구체 액체 유기 재료의 액적(drop)들이 분배된다. 수퍼스트레이트(superstrate)와 서브스트레이트 사이의 갭을 폐쇄하고, 이에 의해 액적들이 서브스트레이트와 수퍼스트레이트 사이에 캡처된 연속한 필름을 형성하는 것을 허용하도록 수퍼스트레이트가 분배된 액적들 상으로 내려진다. 일정 시간 지속 기간 이후, 수퍼스트레이트, 연속한 필름 및 서브스트레이트의 비-평형 과도 상태가 발생하도록 인에이블링된다. 그 후에, 연속한 필름이 경화되어 연속한 필름이 고체로 고체화된다. 고체가 수퍼스트레이트와 분리되고, 이에 의해 서브스트레이트 상에 폴리머 필름을 남긴다. 이러한 방식으로, 필름 증착을 위한 이러한 기술은 넓은 범위의 응용 분야에 적용하기 위해 요구되는 필름 두께 범위, 해상도 및 다양성을 갖는다.
Description
[0001] 본 출원은 2015년 10월 15일에 출원되고 발명의 명칭이 "Precision Systems and Processes for Programmable Deposition of Nanoscale Thin Films"인 미국 가특허 출원 일련 번호 제 62/242,147호에 대해 우선권을 주장하고, 이 가출원은 그 전체가 본원에 인용에 의해 통합된다.
[0002] 본 발명은 미국 국립 과학 재단이 수여한 승인 번호 ECCS1120823 하에서 정부 지원으로 만들어졌다. 미국 정부는 본 발명의 정해진 권리를 가진다.
[0003] 본 발명은 일반적으로 마이크로- 및 나노-디바이스들의 제작에 관한 것이며, 보다 구체적으로 공칭 평면 서브스트레이트(substrate)들 및 공칭 자유-형태 형상들을 가진 서브스트레이트들 둘 모두 상에 정밀 나노스케일 제조(예컨대, 피겨링(figuring), 폴리싱(polishing) 및 패터닝)를 위한 다목적 프로세스에 관한 것이다.
[0004] 반도체들, 광학 디바이스 및 광전자 디바이스, MEMS/NEMS(microelectromechanical systems/ nanoelectromechanical system)들, 전자 디스플레이들(이를테면 LCD(Liquid Crystal Display)들) 등을 포함하는 대부분의 마이크로- 및 나노-디바이스들의 제작은 많은 얇은 필름들의 증착을 필요로 한다. 몇몇 증착 옵션들이 오늘날 산업에 존재한다. 액체 상(liquid phase)에서의 증착은 통상적으로, 원하는 얇은 필름을 획득하기 위해 액체를 고체화하는 후속적인 반응들에 대한 전구체로서 대개 사용되는 스핀-코팅 같은 프로세스들에 의해 수행된다. 증기 상(vapor phase)에서, 가장 일반적으로 사용되는 기법은 CVD(Chemical Vapor Deposition)이다. 통상적인 CVD 프로세스에서, 서브스트레이트는 서브스트레이트의 표면상에 원하는 필름을 형성하기 위해 반응하거나 분해하는 가스 상의 전구체들에 노출된다. 몇몇 타입들의 CVD 프로세스들이 있다. 사용된 압력에 따라, CVD 프로세스들은 APCVD(Atmospheric Pressure CVD), LPCVD(Low Pressure CVD) 또는 UHVCVD(Ultrahigh Vacuum CVD)로 분류될 수 있다. 저압(low pressure)은 원하지 않는 반응들을 감소시키고 필름 두께 균일성을 향상시키는 경향이 있다. 화학 반응들을 강화하기 위한 플라즈마 기반 방법들, 이를테면 PECVD(Plasma Enhanced CVD) 및 원격 PECVD는 또한 증착 온도들을 낮추고 고온 효과들로부터 서브스트레이트를 보호하기 위해 반도체 산업에서 얇은 필름들의 증착에 사용된다. ALD(Atomic Layer Deposition)라 불리는 기법은 또한 흔히, 하나 또는 상이한 재료들의 등각 단일층들을 생산하는 데 사용된다. PVD(Physical Vapor Deposition) 방법들은 또한 중요한 얇은 필름 증착 기법들이다. 이름에서 알 수 있듯이, PVD 방법들은 화학 반응들에 의존하는 것이 아니라, 진공 환경에서 증기화된 재료의 응축된 형태들을 서브스트레이트 상에 증착한다. 증발 증착 및 스퍼터링은 PVD의 2개의 일반적인 예들이다. 증발 증착은 증착될 재료를 높은 증기 압력으로 가열하는 반면, 스퍼터링은 플라즈마 방전을 활용하여 서브스트레이트 표면을 증착될 재료의 원자들로 충돌(bombard)시킨다.
[0005] 위에서 논의된 모든 프로세스들은, 단위 면적당 증착되는 재료 양이 실질적으로 동일한 방식으로 얇은 필름들을 증착한다. 의도적으로 비-균일한 필름들을 형성하기 위해 재료들을 맞춤화하는 능력은 통상적으로 이들 프로세스들에서 가능하지 않거나, 서브스트레이트 기하구조의 변동들 및 원하는 필름 두께 프로파일을 수용하기 위해 하드웨어 또는 툴링(tooling)의 빈번한 변화들을 요구한다. 또한, 스핀-코팅 같은 프로세스들은 상당한 재료 낭비를 수반하는 반면, 진공 프로세스들은, 프로세싱이 수행되는 챔버들을 감압(pump down)시킬 필요로 인해 비용이 많이 들 수 있다.
[0006] 더 지속가능한 프로세스들에 대한 필요로 인해, 잉크젯팅(inkjetting)은 또한, 그 다이렉트 라이트(direct write), 즉 "무마스크(maskless)" 성질로 인해 값싼 패터닝뿐 아니라 재료 증착을 위한 매력적인 기법이 되었다. 그러나, 분배된 액적(drop)들에 상당한 증기-액체 계면이 존재하므로, 증발 및 표면 장력의 기울기들은 로컬 필름 두께의 비-균일성을 유발하여 악명높은 "커피-링(coffee-ring) 효과"를 유도한다. 게다가, 필름 두께 균일성은 또한 개별 액적들의 볼륨, 분배된 액체뿐만 아니라 서브스트레이트의 표면 특성들, 및 연속적인 액적들 사이의 간격, 또는 액적 피치(pitch)(액적들이 퍼지고 병합할 수 있도록 충분히 낮을 필요가 있음)에 의해 강하게 영향을 받는다. 따라서, 재료 소비가 매우 적음에도 불구하고, 위의 요소들은 대면적 나노스케일 두께의 필름들의 잉크젯-기반 증착을 위한 프로세스 제어를 어렵게 한다.
[0007] 유동 코팅은 NIST(National Institute of Standards and Technology)에서 속도-기울기 나이프-에지(velocity-gradient knife-edge) 코팅 프로세스로서 개발되었다. 폴리머 용액의 액적은 일정한 가속도로 이동되는 서브스트레이트 상에 증착된다. 서브스트레이트의 속도 기울기 작용의 결과로 인한 마찰 항력과 서브스트레이트 모션 동안 서브스트레이트 위 ~200 μm까지 배치된 고정식 나이프-에지로 인한 모세관 힘 사이의 경합은 필름의 두께 기울기를 생성한다. 후속적인 증발은 서브-미크론 두께 필름들의 실현을 유도한다. 심지어 범위가 200 nm 급 이하인 얇은 폴리스티렌 필름들은 이 장치를 사용하여 입증되었지만, 단조롭지 않은 프로파일들의 필름들이 이 장치를 사용하여 획득될 수 있는지는 명확하지 않다.
[0008] 다양한 두께의 폴리-전해질 필름들이 공간적으로 튜닝가능한 전기장 기울기들을 사용하여 증착되는 전기화학적 증착의 변형이 또한 사용되어 왔다. 게다가, 제거되는 재료의 양이 얇은 필름 두께 기울기들을 실현하기 위해 공간적으로 제어되는 폴리전해질 필름들의 가변 염(salt) 에칭이 또한 입증되었다. 그러나, 그런 기법들은 넓은 스펙트럼의 영역들에 적용가능하도록 요구되는 필름 두께 범위 및 해상도를 가지지 못한다.
[0009] 기능적 기울기들을 가진 매우 얇은 필름들의 증착은 조직 공학과 연관된 다양한 요소들을 연구하는 것에 관련된 생물 의학 도메인에서 활발한 연구 영역이다. 이 목적을 위해, 생체 모방 필름들은 LBL(layer-by-layer) 어셈블리 프로세스에 의해 제작되었고, 여기서 단백질 흡착 및 세포 부착 같은 스크린(screen) 이벤트들에 분자 레벨 이상으로 기능 기울기들을 부여하는 것이 가능하다. LBL 기법들은 주로 정전기력들, 반 데르 발스력(van-der-Waals force)들, 수소 결합들 등을 포함하는 다양한 표면 상호 작용들의 조합을 통해 진행된다. 온도 기울기들을 가진 기능화된 서브스트레이트들 상에 폴리머 분자들을 그래프트(graft)하는 것은 또한 두께 기울기들을 초래한다.
[0010] 위에서 언급된 방법들 외에, 증기-기반 기법들은 또한, 주로 가변 두께들을 가진 무기 필름들을 증착하는 데 이용가능하다. 이들 기법들은 주로 요구된 두께 프로파일들을 생성하기 위해 모션-제어 마스크를 이용하거나, 또는 각각의 샤워(shower) 유닛이 제어되는 이산된 샤워 헤드를 사용한다. 그런 방법들은 달성될 수 있는 필름 두께 변동들을 제한하고 다양한 프로파일들을 생성하기 위해 하드웨어 변경을 대개 요구하고, 따라서 다양한 애플리케이션들에 걸쳐 그 다양성이 제약된다.
[0011] 따라서, 필름 증착에 현재 사용되는 기법들은 영역들의 넓은 스펙트럼에 적용하는 데 요구되는 필름 두께 범위 및 해상도를 가지지 못하며 달성될 수 있는 필름 두께 변동들을 제한하고 따라서 다양한 프로파일들을 생성하기 위해 하드웨어 변경이 요구되어, 다양한 애플리케이션들에 걸쳐 이들의 다양성이 제약된다.
[0012] 본 발명의 일 실시예에서, 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법은 하나 또는 그 초과의 잉크젯들에 의해 공칭 비-평면 서브스트레이트 상의 복수의 위치들에 전구체 액체 유기 재료의 액적들을 분배하는 단계를 포함한다. 방법은 수퍼스트레이트(superstrate)와 서브스트레이트 사이에 생긴 갭을 폐쇄하고, 이에 의해 액적들이 서브스트레이와 수퍼스트레이트 사이에 캡처된 연속한 필름을 형성하게 하는 단계를 더 포함한다. 방법은 부가적으로 일정 시간 지속 기간 이후 수퍼스트레이트, 연속한 필름 및 서브스트레이트의 비-평형 과도 상태가 발생할 수 있게 하는 단계를 포함한다. 게다가, 방법은 연속한 필름을 고체로 고체화하기 위해 연속한 필름을 경화시키는 단계를 포함한다. 부가적으로, 방법은 고체로부터 수퍼스트레이트를 분리시키고, 이에 의해 서브스트레이트 상에 폴리머 필름을 남기는 단계를 포함한다.
[0013] 본 발명의 다른 실시예에서, 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법은 서브스트레이트 상에 규정된 방식으로 젯팅 시스템을 사용하여 액체 고체화가능 조성물의 액적들을 증착하는 단계를 포함하고, 여기서 액체 고체화가능 조성물은 이미 고체화된 조성물을 실질적으로 침투하지 않는다. 방법은 서브스트레이트와 수퍼스트레이트 사이에 캡처된 연속한 필름을 형성하기 위해 액적들을 병합(merge)하는 방식으로 서브스트레이와 수퍼스트레이트 사이의 갭을 폐쇄하는 단계를 더 포함하고, 여기서 수퍼스트레이트는 로컬적으로 유연하고 최적 휨 강성을 갖는다. 게다가, 휨 강성은 액적들의 강건한 병합을 생성하는 데 요구되는 최소치보다 더 높지만, 연속한 필름이 너무 빠르게 평형을 이루지 못하는 것을 보장하는 데 요구되는 최대치보다 더 낮게 정의된 최적 범위 내에 있고, 이에 의해 평형전 과도 현상들을 캡처하는 능력이 제공된다.
[0014] 본 발명의 추가 실시예에서, 비-평면 서브스트레이들에 패터닝하기 위한 방법은 비-평면 서브스트레이트의 표면상에 유체 조성물의 다수의 이산 부분들을 적용하는 단계를 포함한다. 방법은 패터닝된 탬플릿(template)과 서브스트레이트 사이의 갭을 폐쇄시켜서, 실질적으로 버블(bubble)들이 없는 유체 층을 유도하는 단계를 더 포함한다. 방법은 부가적으로 유체 층을 고체화하는 단계를 포함한다. 게다가, 방법은 서브스트레이트로부터 패터닝된 탬플릿을 분리시켜서 비-평면 서브스트레이트 상에 패턴을 남기는 단계를 포함한다.
[0015] 전술한 것은 오히려 뒤따르는 본 발명의 상세한 설명이 더 잘 이해될 수 있도록 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예들의 특징들 및 기술적 장점들을 개략적으로 서술하였다. 본 발명의 청구 대상들을 형성할 수 있는 본 발명의 부가적인 특징들 및 장점들은 이후에 설명될 것이다.
[0016] 본 발명의 더 나은 이해는, 아래의 상세한 설명이 이하의 도면들과 함께 고려될 때 획득될 수 있다.
[0017] 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 상이한 스케일(scale)들의 표면 토포그래피(topography)를 예시한다.
[0018] 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 PAINT(Programmable Adaptive Inkjetting of Nanoscale Thin-Films)를 사용하여 규정된 두께 변동을 가진 필름들을 증착하기 위한 방법의 흐름도이다.
[0019] 도 3a-도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 도 2에 설명된 제작 단계들 동안 서브스트레이트 상에 얇은 필름을 증착하는 단면도들을 도시한다.
[0020] 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 곡선진 서브스트레이트의 가상 입상화(graining)를 예시한다.
[0021] 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 수퍼스트레이트의 재로딩가능(reloadable) 롤(roll)-롤 구성을 예시한다.
[0022] 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기생(parasitic) 토포그래피 에러들을 최소화하기 위한 인-시추(in-situ) 정렬 시스템을 예시한다.
[0023] 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 도 6의 인-시추 정렬 시스템을 사용하여 기생 토포그래피 에러들을 최소화하기 위한 방법의 흐름도이다.
[0024] 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 곡선진 배면을 가진 서브스트레이트들을 유지하기 위한 멀티-지역 척(chuck)을 예시한다.
[0025] 도 9는, 필름 두께(h0(x))가 본 발명의 실시예에 따른 서브스트레이트에 수직하게 측정된 필름의 두께의 수직 투영인 것을 예시한다.
[0017] 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 상이한 스케일(scale)들의 표면 토포그래피(topography)를 예시한다.
[0018] 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 PAINT(Programmable Adaptive Inkjetting of Nanoscale Thin-Films)를 사용하여 규정된 두께 변동을 가진 필름들을 증착하기 위한 방법의 흐름도이다.
[0019] 도 3a-도 3f는 본 발명의 실시예에 따른 도 2에 설명된 제작 단계들 동안 서브스트레이트 상에 얇은 필름을 증착하는 단면도들을 도시한다.
[0020] 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 곡선진 서브스트레이트의 가상 입상화(graining)를 예시한다.
[0021] 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 수퍼스트레이트의 재로딩가능(reloadable) 롤(roll)-롤 구성을 예시한다.
[0022] 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기생(parasitic) 토포그래피 에러들을 최소화하기 위한 인-시추(in-situ) 정렬 시스템을 예시한다.
[0023] 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 도 6의 인-시추 정렬 시스템을 사용하여 기생 토포그래피 에러들을 최소화하기 위한 방법의 흐름도이다.
[0024] 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 곡선진 배면을 가진 서브스트레이트들을 유지하기 위한 멀티-지역 척(chuck)을 예시한다.
[0025] 도 9는, 필름 두께(h0(x))가 본 발명의 실시예에 따른 서브스트레이트에 수직하게 측정된 필름의 두께의 수직 투영인 것을 예시한다.
[0026] 본 발명은 공칭 평면 서브스트레이트들, 및 공칭 자유-형태 형상들을 가진 서브스트레이트들 둘 모두에 3 종류의 정밀 나노스케일 제조를 위한 다목적 프로세스를 제시한다. 본원에 사용된 "공칭 형상"은 원하는 형상을 지칭하고 표준 제작 프로세스들, 이를테면 기계 가공, 다이아몬드 터닝(turning) 및 사출 성형이 이상적인 원하는 형상에 가까운 이런 공칭 형상을 달성하였다고 가정된다. 이것은, 공칭 형상이 여전히 서브스트레이트의 의도된 용도에 기반하는 허용가능한 공차들을 초과하는 일부 기생 성분들을 가지는 것을 의미한다.
[0027] 3 종류의 NM(nanoscale manufacturing)은 서브스트레이트의 공칭 형상을 변화시키는 것을 포함하는 피겨링(본원에서 간단히 "NM1"으로 지칭됨)을 포함한다. 예컨대, 평면 서브스트레이트는 구면 공칭 형상으로 변화될 수 있거나, 구면 공칭 형상은 비구면 등으로 변화될 수 있다. 제2 종류의 NM(nanoscale manufacturing)은 폴리싱(본원에서 간단히 "NM2"로 지칭됨)을 포함하고, 폴리싱은 원하는 값으로부터 실제 표면의 낮은-공간 주파수, 중간-공간 주파수 또는 높은-공간 주파수 기생들의 임의의 원하는 정정을 포함하여 훨씬 개선된 정밀도로 공칭 피겨(figure)에 접근시키고, 이에 의해 이전에 설정된 공차들이 달성된다.
[0028] 서브스트레이트 및 수퍼스트레이트(아래에서 추가로 논의됨)의 토포그래피는 도 1에 도시된 바와 같이 평탄화 및 폴리싱 동안 기생 에러들을 도입할 수 있다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 상이한 스케일들의 표면 토포그래피를 예시한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 임의의 표면의 토포그래피는 임의의 표면의 진폭과 공간 파장에 따라 3개의 넓은 카테고리들로 분류될 수 있다: (i) 공칭 형상(낮은-공간 주파수), (ii) 나노토포그래피(중간-공간 주파수) 및 (iii) 거칠기 또는 나노스케일 피처(feature)들(높은-공간 주파수). 공칭 형상은 통상적으로 0-10 mm의 높이 변동들을 갖는 가장 큰 공간 파장들, 통상적으로 > 20 mm에 의해 주어진다. ~0.2-20 mm의 공간 길이 스케일들에 대해, 이런 공간 파장 범위에서 보통 ~200 nm - 1 미크론의 높이 변동들은 나노토포그래피로 분류된다. 거칠기는 높이 변동들이 훨씬 더 작은 더 낮은 공간 파장들에 대해 분류된다. 나노스케일 패턴들의 존재는 보통 거칠기로만 나타내지는 높은-공간 주파수 토포그래피를 추가로 악화시킬 수 있다. 그러나, 다른 스케일들(반도체 평탄화 및 폴리싱에서 볼 수 있듯이)에서 토포그래피의 임의의 기생 영향을 최소화하면서 주어진 공간 주파수 스케일들에서 토포그래피를 보상하는 것은 어려울 수 있다. 이것은, 상이한 길이 스케일들에서의 토포그래피의 보상에 적응적으로 맞추면서, 전체 표면 토포그래피에 의해 야기된 기생들의 영향을 최소화하기 때문에, PAINT 프로세스의 모델-기반 설계가 유용할 수 있는 경우이다.
[0029] 제3 종류의 NM(nanoscale manufacturing)은 매우 다양한 능력들, 이를테면 광학, 전기, 전자, 자기, 생물학, 에너지 관련 및 기계적 기능들을 가능하게 하기 위해 서브스트레이트 상에 나노스케일 패턴들을 제작하는 것을 포함하는 패터닝(본원에서 간단히 "NM3"로서 지칭됨)을 포함한다.
[0030] 위의 일군의 프로세스들은 본원에서 PAINT(Programmable Adaptive Inkjetting of Nanoscale Thin-Films)로 지칭된다. 본 발명은 이전에 활용된 PAINT 방법을 레버리징(leverage) 및 상당히 강화시킨다. 시작 서브스트레이트가 공칭적으로 평면이면, 이 프로세스는 PAINT-P로 알려지고, 그리고 시작 서브스트레이트가 공칭적으로 곡선진 표면이면, 이 프로세스 PAINT-C로 알려진다. PAINT 프로세스가 위에 나열된 하나 또는 그 초과의 NM 능력들을 처리하면, 결과적인 프로세스는 그에 따라 지정된다. 예컨대, PAINT-C-123은 공칭적으로 곡선진 시작 서브스트레이트 상에서 NM1, NM2 및 NM3를 동시에 처리하는 프로세스를 암시하고, 그리고 PAINTP-13은 공칭적으로 평면 시작 서브스트레이트 상에서 NM1 및 NM3를 동시에 처리하는 프로세스를 암시한다. 본원에 사용된 "공칭적으로 곡선진" 서브스트레이트는 공칭적으로 비-평면 서브스트레이트를 지칭한다. PAINT 프로세스의 설명은 아래에 제공된다.
[0031] PAINT를 사용하는 규정된 필름 두께 변동을 위한 방법은 도 2 및 도 3a-도 3f와 관련되어 아래에 논의된다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 PAINT를 사용하여 규정된 두께 변동을 가진 필름들을 증착하기 위한 방법(200)의 흐름도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도 2에 설명된 제작 단계들 동안 서브스트레이트 상에 얇은 필름을 증착하는 단면도들을 도시하는 도 3a-도 3f와 함께 논의될 것이다.
[0032] 본원에 논의된 바와 같이, "수퍼스트레이트"는 "최적 유연성"을 지닐 필요가 있고 여기서 수퍼스트레이트의 강도는: (1) 수퍼스트레이트가 개별 액적들을 감싸는 아일랜드(island)들로서 개별 액적들을 트랩핑(trapping)하기 보다 오히려 액체 유기 재료 액적들이 측방향으로 병합하도록 강제하는 것을 가능하게 할 정도로 높고; 그리고 (2) 수퍼스트레이트의 변형으로 인해 수퍼스트레이트에 저장된 스트레인(strain) 에너지가 단량체의 경화 또는 가교 결합 이전에 얇은 필름 유체 동적 거동에 크게 영향을 주지 않도록 충분히 낮다. 이런 특징은 또한 수퍼스트레이트가 서브스트레이트 상의 낮은-공간 주파수 및 때때로 중간-공간 주파수 토포그래피 피처들에 선택적으로 민감하지 않은 것을 가능하게 할 수 있다.
[0033] 도 3a-도 3f와 함께 도 2를 참조하면, 단계(201)에서, 재료(예컨대, 전구체 액체 유기 재료)의 액적들(301)은 하나 또는 그 초과의 젯(jet)들, 이를테면 도 3a에 예시된 바와 같은 멀티-젯(303)에 의해 서브스트레이트(302)(예컨대, 공칭적으로 곡선 또는 비-평면 서브스트레이트) 상의 원하는 위치들에 분배된다. 멀티-젯(303)은, 멀티-젯 어레이가 도 3a의 평면으로 연장되기 때문에 단일 젯으로 나타내진다. 원하는 액적들의 원해진 위치들은 인버스(inverse) 최적화 프레임워크로부터 유도된다. 일 실시예에서, 분배된 액적들(301)의 최소 볼륨은 피에조(piezo) 젯들 또는 전기 수력학 젯(electro hydro dynamic jet)들을 사용하여 5 피코리터 미만이다. 다른 실시예에서, 분배된 액적들(301)의 최소 볼륨은 피에조 젯들 또는 전기 수력학 젯들을 사용하여 1 피코리터 미만이다. 일 실시예에서, 서브스트레이트(302)는 1 GPa보다 더 큰 영률을 가진 재료로 구성된다. 일 실시예에서, 서브스트레이트(302)는 다음 재료들(실리콘, 실리콘 이산화물 및 갈륨 질화물) 중 하나 또는 그 초과로 구성된 경질(rigid) 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 분배된 액적들(301)의 최소 볼륨은 피에조 젯들 또는 전기 수력학 젯들을 사용하여 10 피코리터 미만이다.
[0034] 단계(202)에서, 최적으로 유연한 수퍼스트레이트(304)는 도 3b에 예시된 바와 같이 수퍼스트레이트(304)와 서브스트레이트(302) 사이의 갭을 폐쇄하기 위해 분배된 액적들(301) 상으로 내려진다. 일 실시예에서, 수퍼스트레이트(304)는 서브스트레이트(302)의 형상에 대한 상보적인 형상을 가진다. 일 실시예에서, 수퍼스트레이트(304)는 더 두꺼운 뒤판(backing)에 부착되거나 코팅된 얇은 필름으로 구성된다. 일 실시예에서, 얇은 필름은 얇은 필름의 전체 영역에 걸쳐 연장되지 않는 더 두꺼운 뒤판에 부착된다.
[0035] 이어서, 단계(203)에서, 유체 프론트(front)(305)는 도 3c에 예시된 바와 같이 수퍼스트레이트(304)가 분배된 액적들(301) 상에 내려진 것에 의해 개시된다. 수퍼스트레이트(304)의 형상 및 수퍼스트레이트(304)가 내려오는 속도는 연속한 필름을 형성하기 위해 액적들(301)이 공기 버블들(공기 포켓(pocket)들)의 임의의 트랩핑을 최소화하도록 측방향으로 병합될 수 있도록 선정될 수 있다. 유기 액체들에 가용성인 CO2 또는 대부분의 서브스트레이트들(302) 및/또는 수퍼스트레이트(304)에 쉽게 확산하는 He 같은 가스들의 로컬 분위기는 이 프로세스에서 버블들의 트랩핑을 회피하는 데 추가로 도움을 주기 위해 서브스트레이트-수퍼트스트레이트 샌드위치 지역에 사용될 수 있다. 수퍼스트레이트(304)의 재료는 유리(예컨대, 석영, 용융된 실리카 등), 플라스틱들(예컨대, PMMA, 폴리카보네이트, PET, PEN 등) 또는 폴리머로 된 얇은 필름을 가진 세라믹들을 포함하는 세라믹들(예컨대, 제로더(Zerodur)®)을 포함하는(그러나 이에 제한되지 않음) 다수의 선정들을 포함할 수 있다. 플라스틱 및 세라믹 재료들은 가스들의 투과에 추가로 도움을 주고 버블들의 트랩핑을 회피시키는 고유 다공성을 가진다. 수퍼스트레이트(304)는 통상적으로 로컬적으로 유연하도록 폴리싱되는데, 즉 낮은 표면 거칠기(거칠기는 미크론-스케일 공간 파장들에 걸친 진폭 변동들로서 정의됨)를 지닌다. 수퍼스트레이트(304)의 표면은 낮은 표면 에너지 코팅, 이를테면 FOTS 또는 테플론(Teflon)으로 코팅될 수 있는 반면, 서브스트레이트(302)의 표면은 접착 촉진제, 이를테면 BARC, ValMat, 또는 TranSpin으로 코팅될 수 있다. 수퍼스트레이트 및/또는 서브스트레이트 코팅의 사용은 이 프로세스의 종료 시에 경화된 재료를 서브스트레이트(302) 상에 남기는 능력을 향상시킬 것이다. 잉크젯팅된 재료는 UV-경화가능 재료들, 이를테면 Molecular Imprints, Inc.에 의해 제공된 MonoMat® 및 SilMat® 재료들 또는 Micro-resist technologies에 의해 제공된 mr-UVcur**을 포함할 수 있다.
[0036] 단계(204)에서, 수퍼스트레이트-유체-서브스트레이트 샌드위치는 일정 시간 지속 기간 이후 비-평형 과도 상태로 진전되도록 허용되어, 액적들(301)은 도 3d에 예시된 바와 같이 연속한 필름(306) 위에 수퍼스트레이트층(304)이 있는 상태로 연속한 필름(306)을 형성한다. 즉, 수퍼스트레이트(304), 연속한 필름(306) 및 서브스트레이트(302)의 비-평형 과도 상태는 일정 시간 지속 기간 이후 발생하는 것이 가능해진다.
[0037] 단계(205)에서, 수퍼스트레이트-유체-서브스트레이트 샌드위치는 도 3e에 예시된 바와 같이 연속한 필름(306)을 고체(예컨대, 폴리머)로 가교 결합시키기 위해 UV 노출(307)에 의해 경화된다.
[0038] 단계(206)에서, 수퍼스트레이트(304)는 고체(예컨대, 폴리머)로부터 분리되고, 이에 의해 도 3f에 예시된 바와 같이 서브스트레이트(302) 상에 필름(308)(예컨대, 폴리머 필름)을 남긴다. 서브스트레이트(302)는 폴리싱되거나 평탄화될 필요가 있는 토포그래피를 가지는 것으로 추정되는 반면, 수퍼스트레이트(304)는 본질적으로 PAINT 프로세스를 달성하기 위한 수단이다. 일 실시예에서, 폴리머 필름(308)은 아래에서 추가로 논의되는 바와 같이 아래 놓인 기능 필름 또는 서브스트레이트(302)에 필름 두께 프로파일의 전사가 가능하도록 에칭될 수 있다.
[0039] 일부 구현들에서, 방법(200)은 명확성을 위해 도시되지 않은 다른 및/또는 부가적인 단계들을 포함할 수 있다. 게다가, 일부 구현들에서, 방법(200)은 제시된 것과 상이한 순서로 실행될 수 있다. 부가적으로, 일부 구현들에서, 방법(200)의 특정 단계들은 실질적으로 동시에 실행될 수 있거나 생략될 수 있다.
[0040] 위에서 논의된 PAINT 프로세스는 다음 부가적인 장점들을 지닌다. 그런 프로세스는 높은 프로세스 스피드들에서 나노미터 스케일 정확도로 사용자-정의 맞춤 필름 두께 프로파일들을 가능하게 한다. 커스토마이제이션을 제공하는 대부분의 제조 프로세스들은 낮은 프로세스 스피드들로 인해 어려움을 겪으며, 따라서 경제적인 커스토마이제이션은 통상적으로 찾기 어렵다. PAINT에서, 최적 수퍼스트레이트들과 결합한 프로그램가능 잉크젯들의 사용은 커스토마이제이션 및 고속(그러므로 저비용 프로세싱에 대한 잠재력) 둘 모두를 가능하게 한다.
[0041] 게다가, 그런 프로세스는 재료 낭비가 거의 없거나 적기 때문에 매우 낮은 소모 비용을 가능하게 한다. 낮은 자본비(고속 프로세싱으로 인함)와 함께 낮은 소모 비용은 PAINT가 다양한 애플리케이션들에 대해 잠재적으로 경제적인 프로세스가 되게 한다.
[0042] 부가적으로, 소프트웨어 및 저비용에 기반한 성능 및 커스토마이저빌러티(customizability)를 가능하게 하는 조합은 반도체 평탄화 영역에서 표면 토포그래피의 정정 도메인에서 상당한 장점들을 가질 잠재력을 가진다. 이것은 또한 상이한 길이 스케일들에서 부가적인 기생들을 도입하지 않고 원하는 값으로부터 실제 표면의 낮은-공간 주파수, 중간-공간 주파수 및 높은-공간 주파수 기생들의 임의의 원하는 정정을 포함한다. 따라서, 이 방법은 고유하게, 부가적인 소프트- 또는 하드-래핑(lapping) 및 폴리싱 툴들 또는 초-정밀도 사전-형성 몰드들에 대한 필요 없이 또한 표면 "폴리싱"을 허용한다. 통상적으로, 평탄화, 폴리싱 및 바람직하지 않은 기생 성분들의 정정은 동시에 달성될 수 있고, 이는 동일한 카테고리의 다른 프로세스들이 달성하기 어려운 부분이다.
[0043] PAINT는 또한 실질적으로 서브스트레이트 타입, 두께 또는 재료의 선정에 민감하지 않고 대면적들 위에 필름들을 증착할 수 있다. 설계에 의해, PAINT는 또한 시스템적 기생들, 이를테면 표면 토포그래피, 시스템적 잉크젯 액적 볼륨 변화들 등의 영향을 실질적으로 분리하고 이들이 최종 필름 두께를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
[0044] 본원에 논의된 PAINT 프로세스는 프로그램가능 재료 증착의 2개의 모드들을 포함하는데; 2개의 모드들은 (1) 액적들이 수퍼스트레이트에 의해 연속한 필름을 형성하도록 강제되는 이산 경화가능 단량체/올리고머 액적들의 잉크젯 기반 분배; 및 (2) 수퍼스트레이트가 액적들을 터치하기 전에 액적들이 자연스럽게 병합하는 것을 돕는 용매와 혼합된 경화가능 단량체/올리고머 액적들의 잉크젯 기반 분배이고, 여기서 수퍼스트레이트가 액체를 터치하기 전에 용매가 실질적으로 증발할 수 있도록 수퍼스트레이트가 액체를 터치하기 전에 지연이 포함된다.
[0045] 본 발명은 또한 정밀 옵틱스(optics), 생물 의학 옵틱스, 천문학 옵틱스, 집적 옵틱스 및 나노포토닉스(nanophotonics) 및 특수 안경류의 영역들에서 위의 프로세스들의 신규 애플리케이션들을 포함한다.
[0046] 위에서 논의된 PAINT 프로세스들은 높은 프로세스 스피드들에서 나노미터 스케일 정확도로 사용자-정의 커스톰 프로파일을 가지는 장점을 지닌다. 커스토마이제이션을 제공하는 대부분의 제조 프로세스들은 낮은 프로세스 스피드들로 인해 어려움을 겪으며, 따라서 경제적인 커스토마이제이션은 통상적으로 찾기 어렵다. PAINT에서, 수퍼스트레이트들과 조합한 프로그램가능 잉크젯들의 사용은 커스토마이제이션 및 고속(그러므로 저비용 프로세싱에 대한 잠재력) 둘 모두를 가능하게 한다.
[0047] 다른 장점은 (위에서 논의된 2개의 모드들을 포함하는) 사용된 재료 증착의 성질에 따라 재료 낭비가 거의 없거나 또는 적어지는 것이다. 결과로서, 소모 비용은 매우 낮다. (고속 프로세싱으로 인한) 낮은 자본비와 함께 낮은 소모 비용은 PAINT가 다양한 애플리케이션들에 대해 잠재적으로 경제적인 프로세스가 되게 한다.
[0048] 성능, 소프트웨어에 기반한 커스토마이저빌러티 및 저비용을 가능하게 하는 이런 조합은 안과 애플리케이션들, 천문학 애플리케이션들, 소비자 옵틱스뿐 아니라 대면적 특수 옵틱스에 대한 초-정밀 광학 표면 생성의 도메인에서 상당한 장점들을 가질 잠재력을 가진다. 새로운 "자유형" 표면의 생성은 표면의 피겨를 변화시키는 것을 포함할 뿐 아니라, 원하는 값으로부터 실제 표면의 낮은-공간 주파수, 중간-공간 주파수 및 높은-공간 주파수 기생들의 임의의 원하는 정정을 포함하면서, 공칭 피겨를 똑같이 유지한다. 따라서, 피겨 생성을 위한 대안적인 기법 외에, 이 방법은 고유하게, 부가적인 소프트- 또는 하드-래핑 및 폴리싱 툴들 또는 초-정밀도 사전-형성 몰드들에 대한 필요 없이 또한 표면 "폴리싱"을 허용한다. 종종, 공칭 피겨를 변경하는 것 및 바람직하지 않은 기생의 정정 둘 모두는 동시에 달성될 수 있다.
[0049] 이미 논의된 바와 같이, 평면 또는 비-평면 표면들 상에 자유형 표면들을 생성하는 것 외에, 본 발명은 또한 아래에서 논의되는 나노패터닝의 하나 또는 그 초과의 실시예들을 사용함으로써 그런 서브스트레이트들 상에 나노스케일 피처들을 동시에(또는 후속하여) 패터닝할 능력을 제시한다.
[0050] 일 실시예에서, 프로파일링/폴리싱 외에 동시 나노패터닝에 대한 하나의 접근법은 경화가능 단량체/올리고머 혼합물의 이산 액적들의 잉크젯 기반 증착을 사용한다.
[0051] 프로그램가능 필름이 증착되는 프로파일링/폴리싱 외에 동시 나노패터닝에 대한 다른 접근법은 용매-보조 증착 접근법에 기반한다.
[0052] 추가 접근법은 잉크젯 기반 PAINT 프로세스를 사용하여 먼저 프로파일링/폴리싱하고 이어서 나노패턴들을 생성하기 위해 후속적인 열적 나노임프린팅(nanoimprinting) 프로세스를 수행하는 것이다.
[0053] 구체적으로, 나노스케일 피처들의 생성은 매우 다양한 나노포토닉 구조들이 평면 또는 비-평면 표면상에 실현되게 할 수 있고, 이에 의해 잠재적으로 성능이 향상될 뿐 아니라 소비자 옵틱스들에 대한 부가적인 능력들 및 커스토마이제이션이 제공된다. 동시 나노패터닝, 피겨링 및 폴리싱의 개념은 또한 공칭적으로 평면 또는 비-평면 서브스테이트들 상에서 행해질 수 있다.
[0054] PAINT-P 및 PAINT-C는 또한 실질적으로 서브스트레이트 타입, 두께 또는 재료의 선정에 비제한적이고 대면적들 위에 필름들을 증착할 수 있다. 설계에 의해, PAINT-P 및 PAINT-C는 또한 실질적으로 시스템적 기생들, 이를테면 표면 토포그래피, 잉크젯 액적 볼륨 변동 등의 영향을 분리하고 이들이 최종 필름 두께를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
[0055] 위에서 논의된 바와 같이, PAINT는 서브스트레이트 상에 전구체 단량체의 액적들을 분산시키기 위해 잉크젯을 사용한다. 서브스트레이트 표면은 단량체의 확산을 향상시키고 그리고/또는 폴리머화된 재료의 접착을 위해 전-처리될 수 있다. 잉크젯이 다수의 노즐들을 가지면, 원하는 서브스트레이트 영역은 서브스트레이트에 대해 잉크젯을 구동하는 스캐닝 스테이지로 몇 초 또는 그 미만 내에 요구된 액적들로 커버되면서, 각각의 분배된 액적의 볼륨 및 위치에 대한 제어가 유지될 수 있다. 각각의 원하는 필름 두께 프로파일을 위해, 최적 액적 볼륨들 및 위치들은 단순화되거나 선형화된 얇은 필름 윤활 모델을 감싸는 인버스 최적화 루틴으로부터 획득된다. 도 3a-도 3f에 예시된 바와 같이, 액적 분배 후에, 배면 압력 또는 중력의 도움으로 휘어진 최적으로 유연한 수퍼스트레이트(304)는, 액적들(301) 상의 제1 콘택이 전방 측에 의해 이루어지도록 내려진다. 이것은 액체 프론트를 개시하고, 액체 프론트는 액적들(301)과 병합하여 빠르게 외측으로 확산되고 이에 의해 연속한 필름(306)을 생성한다. 이어서, 이 서브스트레이트-유체-수퍼스트레이트 "샌드위치"는, 단량체가 포토닉 또는 열 에너지에 의해 경화되게 하는 원하는 지속 기간 동안 변화되어 단량체를 폴리머로 가교 결합시킨다. 그 다음, 수퍼스트레이트(304)는 샌드위치로부터 분리되어 서브스트레이트(302) 상에 얇은 폴리머 필름(308)을 남긴다.
[0056] 프로세스가 서브스트레이트 표면상에서 수행되어 수퍼스트레이트(304)가 서브스트레이트(302) 위에 위치되는 것이 가정되지만, 본 발명의 원리들은, 2개의 표면들의 상대적 위치가 반전될 수 있는, 즉 서브스트레이트(302)가 수퍼스트레이트(304) 위에 위치될 수 있는 그런 실시예들에 적용된다. 유사하게, 잉크젯팅 단계에서, 이들 표면들의 상대적인 위치에 따라, 액적들(301)이 서브스트레이트(302) 또는 수퍼스트레이트(304) 상에 분배되게 될 수 있다. 또한, 분리 단계에서, 수퍼스트레이트(304)든 서브스트레이트(302)든 프로세스의 성질을 변경하지 않고, 다른 하나로부터 멀리 이동될 수 있다. 다음은 "페인팅(paint)될" 필요가 있는 표면을 가지는 것으로 서브스트레이트(302)를 논의하지만, 본 발명의 원리들은 그와 같이 제한되지 않고 "페인팅될" 필요가 있는 다른 표면들을 포함할 수 있다.
[0057] 일 실시예에서, 수퍼스트레이트(304)가 공칭적으로 평면이고 서브스트레이트(302)가 공칭적으로 곡선지면, 서브스트레이트(302)와 수퍼스트레이트(304) 사이의 제1 콘택은 다른 힘 센서들 중에서도, 액추에이터들 내의 하나 또는 그 초과의 스트레인 게이지들, 피에조 센서들 및 전류 센서들을 포함할 수 있는 힘 센서 시스템에 의해 검출될 필요가 있다. 제1 콘택의 검출 이후, 서브스트레이트(302)와 수퍼스트레이트(304) 사이의 갭을 폐쇄시키는 액추에이터 시스템은 원하는 영역 위에 서브스트레이트-액체-수퍼스트레이트 샌드위치의 생성을 완료하기 위해 실질적으로 이동할 필요가 있을 것이다. 제1 검출 이후 이동된 거리는 200 μm 또는 몇 mm 또는 몇 cm 정도일 수 있다. 수퍼스트레이트(304) 및 서브스트레이트(302)가 공칭적으로 평면이면, 이동된 이 거리는 실질적으로 200 μm보다 더 작다.
[0058] 몇몇의 핵심 개념들(아래에 나열됨)이 존재하고, 이중 일부 또는 모두는 실행가능한 PAINT 프로세스를 생성하기 위해 통합될 필요가 있다. 짧은 설명들과 함께 이들 양상들은 아래에 나열된다:
[0059] (1) 서브스트레이트, 수퍼스트레이트 및 잉크젯팅된 유체 재료의 재료 특성들, 원하는 증착 영역, 수퍼스트레이트-유체 계면 및 유체-서브스트레이트 계면 둘 모두에서의 표면 특성들, 및 서브스트레이트와 수퍼스트레이트 상의 표면 토포그래피의 성질 및 이들의 두께 프로파일들을 포함하는 서브스트레이트와 수퍼스트레이트의 기하구조를 포함하는, 유체-구조 상호작용을 하는 동적 얇은-필름 윤활 모델.
[0060] (2) 서브스트레이트의 특성들, 잉크젯 및 유체 재료 특성들에 기반한 수퍼스트레이트 기하구조의 모델-기반 설계.
[0061] (3) 서브스트레이트와 수퍼스트레이트 토포그래피의 계측 및 이의 모델-기반 솔루션으로의 통합
[0062] (4) 토포그래피 정보를 포함하는 향상된 윤활 이론 모델의 선형화.
[0063] (5) 이산 액적 볼륨들 및 때때로 액적 위치들로부터 비롯되는 정수 제약들을 가진 선형화된 모델 주변의 액적 위치들 및 볼륨들을 얻기 위한 인버스 최적화 루틴의 솔루션. 일 실시예에서, 서브스트레이트(302)는 입상(grain)들로 이산화되고, 여기서 각각의 입상에 분배된 액적들의 위치 및 볼륨은 실제 필름 두께 프로파일의 함수와 원하는 필름 두께 프로파일의 함수 사이의 에러를 최소화하기 위해 인버스 최적화 문제를 풂으로써 획득된다. 일 실시예에서, 인버스 최적화는 원하는 기능적 성능과 실제 기능적 성능 사이의 에러를 최소화하기 위해 기능적 최적화 루틴을 이용하여 향상된다. 일 실시예에서, 인버스 최적화는 액적 볼륨들 또는 액적 위치들과 연관된 이산 변수들을 포함한다.
[0064] (6) 필름 두께 프로파일들이 포스트-PAINT 프로세싱에 문제들을 유도하지 않는 것을 보장하기 위해 위의 인버스 프로세스 최적화를 둘러싼 기능 최적화.
[0065] (7) 원하는 볼륨 및 원하는 위치들에 대해 분배된 액적들의 정밀도.
[0066] (8) 액적 볼륨들을 맞춤화하고 또한 나노스케일 피처들을 패터닝하기 전에 연속한 필름의 형성에 도움을 주기 위해 용매들의 사용.
[0067] (9) 액체 없는 표면으로부터 증발 손실들을 상쇄시키고 또한 공기 포켓들의 트랩핑을 회피시키면서, 연속한 필름의 형성을 가능하게 하기 위해 수퍼스트레이트와 서브스트레이트의 최적으로 유연한 조합의 사용.
[0068] (10) 인버스 최적화 루틴에 의해 결정된 바와 같이, UV 경화 이전에, 서브스트레이트-액체-수퍼스트레이트 샌드위치가 특정한 미리정의된 시간까지 변화하는 것을 가능하게 함.
[0069] (11) 고체화를 위해 액체를 경화.
[0070] (12) 서브스트레이트 상에 원하는 얇은 필름을 얻기 위해 수퍼스트레이트와 서브스트레이트를 서로 분리.
[0071] 잉크젯팅을 포함하는, 도 3a-도 3f와 관련하여 이제 논의될 PAINT-C의 다양한 피처들이 존재한다.
[0072] PAINT는 PAINT-C를 실현하기 위해 몇 가지 핵심 양상들에서 부가적인 수정들/개입들을 필요로 한다. 서브스트레이트(302) 상에 공칭 형상의 존재로 인해, 잉크젯팅된 액적들(301)은 이동할 비행 거리들이 변할 것이고, 이에 의해 액적 포지셔닝 및/또는 볼륨에서 바람직하지 않은 변동들이 유발된다. 이를 보상하기 위해, PAINT-C는, 원하는 갭 높이를 유지하기 위해, 서브스트레이트(302)가 잉크젯(303) 아래에서 이동할 때 서브스트레이트(302)의 조화된(coordinated) z-병진을 사용할 수 있다. 이런 보상은 통상적으로 일 방향에서만 가능하고 노즐들(303)의 어레이를 따른 방향으로 완전히 달성될 수 없다. 이것은 특히 양 방향으로 갭 높이 변동들이 있을 수 있는 자유형 표면들에 대해 사실이다. 부가적인 정정은 최종 필름 두께 프로파일에 대한 그런 갭 높이 변화들로부터 발생하는 액적 위치 및 높이 변동들의 기생 영향을 먼저 교정하고 이어서 아래에서 추가로 논의될 인버스 최적화 알고리즘에 이런 교정을 포함시킴으로써 달성될 수 있다.
[0073] 위에서 논의된 바와 같이, 멀티-노즐 잉크젯(303)의 사용은, 더 높은 스루풋 및 더 적은 기생 성분들인 점에서 이익이지만, 액적 배치 피치가 노즐들의 방향을 따라 고정된다는 사실로부터 어려움을 겪는다. 이것은, 특히 잉크젯과 서브스트레이트(302)의 상대적인 z-변위가 존재하면, 동일한 방향에서 곡률을 정정하는 데 최적이지 않을 수 있다. 이것은 아래에서 설명된 바와 같이, 고-해상도 단일-노즐 잉크젯들을 사용함으로써 극복될 수 있다. 이런 제한을 극복하기 위한 다른 잠재적인 기법은 서브스트레이트(302)를 2차원(2D) 매니폴드(manifold)들 또는 입상들로 가상으로 분할하는 것일 수 있다. 각각의 입상은 통상적으로 1 mm 미만인 잉크젯(303)의 최적 젯팅 범위를 초과하지 않는 고처차(peak-valley difference)를 가져야 한다. 일 실시예에서, 정확한 스테이지 모션은, 각각의 입상이 잉크젯(303)에 의해 개별 서브스트레이트(302)로서 처리되도록, z-변위 및/또는 회전 변위들과 결합된다. 프로세스는 잉크젯(303) 아래에 입상을 포지셔닝함으로써 잉크젯(303)이 최적 젯팅 범위를 손상시키지 않고 그 입상 상에 최적 액적 패턴을 분배할 수 있도록 작동한다. 이 다음에 잉크젯(303) 아래에 다른 입상을 포지셔닝하기 위해, 서브스트레이트(302)와 잉크젯(303)이 회전 및 병진 둘 모두를 포함할 수 있는 상대적인 모션을 겪는다. 이것은 잉크젯(303)이 그 입상 상에 제2 최적 액적 패턴을 분배할 수 있게 할 것이다. 이 프로세스는, 원하는 서브스트레이트 영역이 커버될 때까지 계속된다. 적합한 입상을 포지셔닝하기 위해 서로에 대해 잉크젯(303)과 서브스트레이트(302)를 이동시키는 동안, 서브스트레이트(302)와 잉크젯(303)이 서로 간섭하지 않아야 하는 것이 또한 주목되어야 한다. 이어서, 최적 입상화를 달성하는 것뿐 아니라 전체 서브스트레이트에 대해 입상 당 잉크젯팅 액적 패턴들을 단일 액적 패턴으로 함께 스티칭(stitching)하기 위해 소프트웨어에서 적합한 수정들이 이루어질 수 있다. 예컨대, 서브스트레이트(302)가 200 mm 반경의 곡률을 가진 구면으로 형상화되고 최적 젯팅 범위가 1 mm이고, 이어서 50 mm 직경과 동일한 서브스트레이트(302)의 영역이 증착될 필요가 있으면, 주어진 최적 젯팅 범위를 초과하지 않으면서 서브스트레이트(302)를 커버하기 위해 4개의 입상들이 필요할 것이다. 곡선진 서브스트레이트(302)의 가상 입상화의 개념의 상세한 설명은 도 4와 관련하여 아래에 논의된다.
[0074] 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 곡선진 서브스트레이트(302)의 가상 입상화를 예시한다.
[0075] 도 4를 참조하면, 좌측의 예시로부터 알 수 있는 바와 같이, 곡선진 서브스트레이트(302)의 작은 부분만이 최적 잉크젯팅 범위(화살표(401)로서 도시됨) 내에 있는 반면, 나머지는 현재이다(화살표들(402)로 도시됨). 따라서, 서브스트레이트(302)는 2 또는 그 초과의 입상들(위에서 L, M 및 R로 라벨링된 3개의 입상들로 예시됨)로 분할되어, 적어도 하나의 입상은 이 최적 범위 내에 있는다. 잉크젯(303)은 인버스 최적화 방식에 의해 생성된 액적 패턴에 따라 이 입상 상에 액적들을 분배한다. 이어서, 서브스트레이트(302)는 우측의 예시로 도시된 바와 같이, 잉크젯(303) 아래에 제2 입상을 포지셔닝하기 위해 회전되고 병진된다. 이제, 적어도 이 제2 입상은 최적 잉크젯팅 범위 내의 갭에 유지되는 동안, 잉크젯(303)은 최적화된 액적 패턴에 의해 주어진 바와 같이 이 입상에 의해 커버된 서브스트레이트(302) 상에 액적들을 분배한다. 이 프로세스는, 전체 서브스트레이트(302)가 커버될까지 계속된다.
[0076] 게다가, 서브스트레이트들(302)의 곡선진 성질 및/또는 용매-보조 얇은 필름 형성의 실현은 평면 서브스트레이트들 상에 유사한 필름 두께 프로파일들에 필요한 것보다 더 높은 액적 볼륨 및 배치 분해능을 요구할 수 있다. 이 목적을 위해, 더 높은 해상도 잉크젯들, 이를테면 전기 수력학 젯들이 사용될 수 있다. 이들 젯들은, 비록 단일 잉크젯 및/또는 더 낮은 잉크젯 분배 주파수를 희생하더라도, 1 피코리터 이하의 해상도를 달성할 수 있다. 이것은 기생들, 이를테면 동일하지 않은 증발을 유도할 수 있고, 이는 얇은 필름 형성 또는 수퍼스트레이트(304)와의 콘택 이전에 더 높은 증발이 있는 곳에 더 많은 볼륨의 액체를 놓음으로써 보상될 수 있다. 이것은 인버스 최적화 방식에 공급될 수 있고, 이에 의해 기생들의 정정이 실현된다. 일 실시예에서, 분배된 액체 볼륨은 다음 중 하나인 결정론적 기생들을 보상한다: 상기 결정론적 기생들은 서브스트레이트(302)와 수퍼스트레이트(304) 사이에 액체가 캡처되기 전의 액체의 증발 프로파일, 고체화 동안 유발된 필름에 걸친 수축 효과들, 및 미국 특허 번호 제 8,394,282호에 논의된 바와 같은 포스트-프로세싱 동안 에칭기(etcher)로부터 오는 임의의 비-균일 에칭 표시(signature)이고, 이 특허는 이로써 그 전체가 인용에 의해 본원에 통합된다.
[0077] 가변 서브스트레이트 곡률에 맞추기 위한 다른 접근법은 몇몇 단일-노즐 잉크젯들의 매트릭스로 구성된 튜닝가능 잉크젯 형태일 수 있다. 이것은, 이웃 잉크젯 노즐들이 벽을 공유하지 않고 상대적으로 변위될 수 있다는 점에서 표준 멀티-노즐 잉크젯과 상이하다. 이 매트릭스는 예컨대 수직 방향으로 각각의 잉크젯 노즐을 개별적으로 어드레싱하고 변위시키는 능력을 가진 브레드보드(breadboard) 플랫폼에 부착될 수 있다. 변위 액추에이션(actuation)은 수동 메커니즘, 이를테면 정밀 세트 나사 형태일 수 있거나, 압전기, 음성 코일 또는 플렉셔(flexure) 베어링들, 공기 베어링들, 자기부상 베어링들 등에 의해 지지되는 다른 그런 액추에이션에 의해 액추에이팅된다. 이런 튜닝가능 잉크젯의 배후 목적은, 매트릭스가 "페인팅"될 필요가 있는 서브스트레이트의 공칭 피겨와 실질적으로 상관하도록, 각각의 노즐의 상대적 포지션들을 조절할 수 있는 것일 수 있다. 다른 말로, 이것은 잉크젯(303)이 액적들(301)을 유사하게 이동할 유사한 비행 거리들로 분배할 수 있게 하고 이에 의해 동일 평면 멀티젯이 비-평면 표면상에 액적들을 분배하는 데 사용될 때 액적 볼륨 및 위치 정밀도에 대한 우려를 완화시킬 것이다. 잉크젯 노즐들의 상대적인 조정은 표면 계측 툴로부터의 출력과 상관된다. 조정의 정확한 양뿐 아니라 이웃 노즐들 사이의 피치는 최적 젯팅 높이, 원하는 볼륨 및 위치 정밀도뿐 아니라 시작 토포그래피의 공간 파장 스케일에 따른다. 이어서, 매트릭스는 임의의 위치들에 액적 배치를 가능하게 매트릭스 내에서 젯 위치들의 수평 피치와 같거나 다소 더 큰 양만큼 X-Y 방향으로 스캐닝되어야 한다. 여기서 가정은, 수직 높이 변동이 원하는 액적 볼륨 및 액적 위치 정밀도의 에러에 최소로 영향을 주는 것을 보장하기 위해 피치가 충분히 작고 공칭 피겨 변동이 이 피치에 걸쳐 충분히 낮다는 것이다. 일 실시예에서, 매트릭스 X-Y 커버리지가 이 잉크젯 매트릭스에 의해 프로세싱될 임의의 곡선진 서브스트레이트에 대한 서브스트레이트 투영 영역을 포함하는 것이 가정된다.
[0078] 이제 논의될 PAINT-C의 추가 피처는 수퍼스트레이트이다.
[0079] 잉크젯 외에, 적합한 수퍼스트레이트(304)의 사용이 또한 다른 무엇보다도 중요하다. 수퍼스트레이트는 "최적 유연성"을 지닐 필요가 있고 여기서 수퍼스트레이트의 강도는: 수퍼스트레이트(304)가 개별 액적들을 감싸는 아일랜드들로서 개별 액적들을 트랩핑하기 보다 오히려 단량체 액적들을 측방향으로 병합하도록 강제할 수 있을 정도로 높고; 그리고 수퍼스트레이트의 변형으로 인해 수퍼스트레이트(304)에 저장된 스트레인 에너지가 단량체의 경화 또는 가교 결합 이전에 얇은 필름 유체 동적 거동에 크게 영향을 주지 않도록 충분히 낮다. 또한, 서브스트레이트 토포그래피 표시의 존재를 상당히 완화시키고 그 토포그래피에 대해 비제한적이도록 충분히 낮아야 한다.
[0080] PAINT에 대조적으로, PAINT-C에 대한 최적의 수퍼스트레이트 설계는 또한 최적 유연성을 제공할 수 있을 뿐 아니라, 액적 확산 및 병합 단계 동안은 물론 분리 단계 동안 서브스트레이트(302)와 적절하게 일치할 수 있는 적합한 기하구조의 선정을 수반한다. 하나의 바람직한 수퍼스트레이트 접근법은 사용된 서브스트레이트(302)의 형상에 정확하게 상보적인 수퍼스트레이트 기하구조의 사용을 수반한다. 그런 상보적인 형상들은 렌즈 더블릿(doublet) 구성들에서 쉽게 찾을 수 있다. 그런 구성이 이용가능하지 않으면, 평면 배면과 상보적인 형상을 얻기 위해 PDMS로 서브스트레이트 표면을 코팅하고, 최상부 표면을 평탄화하고 이어서 PDMS 스킨(skin)을 벗겨냄으로써 상보적인 형상이 생성될 수 있다. 다른 실시예는 실질적으로 등각이 아니지만 여전히 낮은 스트레인 에너지를 가진 기하구조의 사용을 포함하고, 원하는 유체 볼륨 분포를 얻기 위해 정확한 형상으로부터 스트레인 에너지의 편차는 모델에서 캡처된다. 제3 실시예는 제작되거나 자연히 발생한 포어(pore)들(이를테면 양극산화된 알루미늄 산화물)을 가진 더 강건한 뒤판에 부착되는 얇고 유연한 필름의 사용일 수 있다. 뒤판은 2개의 진공 존들(하나는 예컨대 외부 환형부를 따라 있고, 하나는 안쪽을 향함)을 가진 수퍼스트레이트 척에 부착된다. 진공의 제어는 다공성 뒤판을 통해 다공성 뒤판에 부착된 얇은 필름으로 전달된다. 수퍼스트레이트(304)가 확산 단계에서 사용될 때, 모든 진공 존들은 맞물려지고, 이에 의해 얇은 필름이 강건한 뒤판에 부착되는 것이 가능해 진다. 확산이 달성된 이후, 내부 진공 존은 맞물림 해제되고(또는 심지어 포지티브 압력을 가하도록 허용됨), 이에 의해 얇은 필름이 외부 진공 존에 의해서만 지지되게 한다. 이것은 평형전 과도 현상들의 변화 및 캡쳐링에 바람직한 효과적인 수퍼스트레이트 두께(및 따라서, 강성)를 상당히 감소시키는 데 도움을 준다. 일 실시예에서, 평형전 과도 현상들은 필름 두께 프로파일을 생성하는데, 이것의 볼륨 분포는 서브스트레이트(302) 상에 분배된 유체 액적들의 볼륨 분포의 함수이다. 일 실시예에서, 얇은 필름 수퍼스트레이트(304)의 두께는 재료들, 이를테면 폴리머들, 유리, 세라믹들 등에 대해 200 nm만큼 얇고 최대 200 μm까지 두꺼울 수 있다. 다공성 뒤판은 200 μm 내지 5 mm의 두께를 가질 수 있다.
[0081] 다른 바람직한 수퍼스트레이트 접근법은 상당히 유연한 수퍼스트레이트(304)를 사용하는 것을 포함하고, 액적들의 강건한 병합을 보장할 정도로만 충분히 높은 효과적인 휨 강성으로 장력이 유지되고, 그리고 일단 액적들(301)이 병합되어 평형전 과도 현상들을 캡처하는 능력을 향상시키도록 휨 강성을 최소화하면서 장력은 감소된다. 유연한 롤-투-롤(roll-to-roll) 수퍼스트레이트는 입자 오염으로부터 반복된 결함들을 방지하기 위해 신속한 재-로딩을 가능하게 하는 부가된 이익을 가진다. 수퍼스트레이트 실시예가 플라스틱의 롤로 되어 있기 때문에, 이는 비교적 값이 싸서 프로세스 비용의 상당한 감소를 유도한다. 이것은 도 5에 도시된다. 일 실시예에서, 롤-투-롤 수퍼스트레이트는 깨끗한 수퍼스트레이트들(304)을 도입하도록 전진되어 하나의 서브스트레이트(302)로부터 다른 서브스트레이트로 오염 결함들의 전파를 최소화한다.
[0082] 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 수퍼스트레이트(304)의 재로딩가능 롤-롤 구성을 예시한다. 도 3a-도 3f와 함께 도 5를 참조하면, 이 실시예에서, 수퍼스트레이트(304)는 장력(화살표들(502) 참조) 하에 유지되는 플라스틱(501)의 롤이다. 롤(501) 부분만이 수퍼스트레이트(304)로서 사용된다. PAINT 프로세스를 반복할 때, 사용된 부분은 오염 물질뿐 아니라 프로세스 결함들로부터 오염되게 될 수 있다. 이것이 식별되면, 롤들(501)은 더 깨끗한(cleaner) 수퍼스트레이트 영역을 도입하도록 회전될 수 있다. 따라서, 전체 롤이 사용된 이후, 이는 폐기될 수 있고 신속한 프로세스 턴어라운드(turnaround)를 위해 새로운 롤이 로딩된다.
[0083] 그러나, 평면 내 장력의 부가는 수퍼스트레이트-유체-서브스트레이트 샌드위치의 변화 역학을 변화시킨다. 일반적으로, 200 μm 또는 그 미만의 플라스틱 수퍼스트레이트 두께의 경우, 평면 스트레스들은 높을 수 있고, 이에 의해 심각한 인장 또는 심지어 좌굴(buckling) 파괴 가능성을 초래한다. 따라서, 얇은 수퍼스트레이트(304)는 수퍼스트레이트(304)를 더 유연하게 만들고 높은 프로세스 시간 스케일을 가지는 것이 바람직하지만, 너무 얇아서 장력에 실패해서는 안된다.
[0084] 수퍼스트레이트(304)의 다른 중요한 특징은 경화 전에 가스배출된 재료의 확산 및 용해를 촉진하고, 이어서 경화 이후 분리하는 것을 포함한다. 이것은 수퍼스트레이트(304)가 전구체 액체와의 우수한 습윤성들을 가지며, 이어서 포스트-경화 폴리머와의 디웨팅(dewetting) 특성들을 가지는 것을 요구한다. 그런 특성들은 금속 또는 금속 산화물의 얇은 필름들로 수퍼스트레이트(304)를 코팅함으로써 획득될 수 있다. 수퍼스트레이트(304)의 표면은 또한 처리될 수 있다.
[0085] 이제 논의될 PAINT-C의 추가 피처는 정렬이다.
[0086] 평면 표면들과 마찬가지로, 비-평면 표면들은 기생 토포그래피의 맵을 얻기 위해 표면 프로파일링을 또한 필요로 한다. 이 맵은, 그 표시의 최소화를 위해 인버스 최적화 프레임워크에 대한 입력으로서 역할을 하기 때문에 중요하다. 표면 프로파일링을 위한 바람직한 방법은 공칭 서브스트레이트 표면과 유사한 곡률을 가진 기준 표면을 사용한 광학 간섭계(interferometry)이다. 이 접근법은 구면, 비구면(예컨대, 포물면, 타원형 등), 원통형 및 원환체 표면들에 잘 적용되고, 이를 위해 고품질 기준 표면들이 이용가능할 수 있다. 자유형 표면들에 대해, 이 접근법은 베이스 기준 표면으로부터 자유형 표면의 비교적 더 큰-스케일 편차들을 캡처하기 위해 오차측정술(aberrometry)로 보강될 수 있다.
[0087] 서브스트레이트(302)와 기준 표면 사이; 및 후속하여 서브스트레이트(302)와 수퍼스트레이트(304) 사이, 또는 서브스트레이트(302)와 잉크젯(303) 사이의 좌표 프레임들의 임의의 미스매치는 원하지 않는 기생 표시들을 초래할 수 있다. 이런 전체 정렬은 통상적으로, 액적 증착 및 임의의 후속적인 PAINT 또는 나노패터닝이 정정 위치들에서 수행되는 것을 보장한다. 정렬에서 허용가능 에러들은 서브스트레이트 공칭 피겨의 성질 및 단일 PAINT 단계에서 원해진 정정 양에 따른다. 통상적으로 이들 에러들은 <200 μm, <50 μm, <10 μm 또는 <1 μm일 필요가 있을 수 있다. PAINT-C 프로세스가 고 정밀도 프로파일링 애플리케이션들에 적용될 때, 이는, 서브스트레이트(302)의 토포그래피가 광학 간섭계, 표면 프로파일러, 오차측정기 또는 다른 유사한 기구들을 사용하여 나노스케일 수직 해상도로 측정되는 증착 및 나노패터닝 단계들 전에 계측 단계로 이루어진다. 일부 경우들에서, 이 기구는 인-시추로 위치될 수 있어서, 토포그래피는 증착 및 나노패터닝을 수행하기 전에 장착된(척킹된(chucked)) 서브스트레이트(302) 상에서 측정된다. 계측 동안 서브스트레이트(302)의 장착은 실질적으로 이들 정밀 표면들의 기능적(사용 중) 장착과 동일하여야 한다. 장착이 계측 및 기능적 사용 동안 최소 왜곡들(또는 유사한 왜곡들)을 도입하는 것이 바람직하다. 이는 운동학적 장착들 같은 접근법들에 기반할 수 있고, 여기서 유일한 왜곡은 PAINT-C를 사용하여 모델링하고 보상하기 비교적 쉬운 중력 침하로부터 발생한다. 서브스트레이트 왜곡들이 서브스트레이트의 로컬 기울기에 상당한 변화들(약 0.25 라디안들 미만인 기울기의 변화들)을 유발하지 않는 한, PAINT 프로세스가 서브스트레이트 왜곡들을 허용할 것이기 때문에, 계측 장착 방식과 왜곡들을 매칭시키는 이런 제약은 PAINT 프로세스의 실행 동안 덜 중요하다.
[0088] 이 목적을 위해, 잉크젯 좌표 시스템에 대해 서브스트레이트 좌표 시스템의 적절한 정렬을 설정하는 것이 필요하게 된다. 모든 좌표 시스템들, 즉 SCS(substrate coordinate system), MCS(metrology coordinate system) 및 ICS(inkjet coordinate system)의 위치(x, y) 및 배향(세타(theta))은 GSCS(global stage coordinate system)에 대해 미크론-스케일 정밀도로 알려질 필요가 있다(애플리케이션에 따라 그리고 < 200 μm, < 50 μm, < 10 μm 또는 < 1 μm일 필요가 있을 수 있음). 실제 서브스트레이트 토포그래피와 잉크젯에 의해 정정된 토포그래피 사이의 오정렬로부터 발생하는 기생 토포그래피 에러들의 도입을 최소화하는 것이 중요하다. 그런 기생 토포그래피 에러들을 최소화하기 위한 그런 전략은 도 6의 인-시추 정렬 시스템을 사용하여 아래에서 논의된다.
[0089] 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기생 토포그래피 에러들을 최소화하기 위한 인-시추 정렬 시스템(600)을 예시한다.
[0090] 도 6을 참조하면, 정렬 마크들(도 6에서 "+"를 참조)을 가진 환형 플레이트(601)가 계측 툴(602)에 부착된다. 도 6은 추가로, 정렬 마크들이 우수한 배향(세타) 교정을 얻기 위해 플레이트(601)의 상이한 영역들에 걸쳐 오프셋될 수 있는 것을 설명하는 평면도를 도시한다. 노치(notch) 또는 다른 식별가능 피처를 가진 서브스트레이트(302)가 척킹되고(603) ULM(upward looking microscope)(605)이 설치된 x-y-세타 스테이지(604) 상에 장착된다. 브리지(606)는 잉크젯(607), DLM(downward looking microscope)(608) 및 수퍼스트레이트(304)가 부착된 수퍼스트레이트 척(609)을 가진다. ULM(605) 및 DLM(608)의 유사한 평면도들은, 이들이 배향 교정 및 정정을 가능하게 하기 위한 이중 구성인 것을 묘사하도록 도시된다. 일 실시예에서, 스테이지(604)는 2개의 분리된 스테이지들을 포함할 수 있고, 스테이지들 중 하나는 서브스트레이트(302)를 수퍼스트레이트 척(609)으로 이동시키는 데 사용되고 다른 스테이지는 서브스트레이트(302)를 계측 툴(602)로 이동시키는 데 사용된다.
[0091] 인-시추 정렬 시스템(400)을 사용하여 기생 토포그래피 에러들을 최소화하기 위한 프로세스는 도 7과 관련하여 아래에서 논의된다.
[0092] 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 인-시추 정렬 시스템(600)을 사용하여 기생 토포그래피 에러들을 최소화하기 위한 방법(700)의 흐름도이다.
[0093] 도 6과 함께 도 7을 참조하면, 단계(701)에서, 상대적 배치 및 배향 에러들은 DLM(608) 및 ULM(605) 상의 이중 정렬 마크들(이를테면 박스(box)-인(in)-박스 및/또는 크로스(cross)-인-크로스 타입 피처들)을 사용하여 결정된다. 특히, 그런 에러들은 스테이지(604)에 부착된 ULM(605)을 보기 위해 잉크젯(607) 및 수퍼스트레이트 척(609)과 동일한 브리지(606)에 부착된 DLM(608)을 사용함으로써 발견된다. 이들 피처들의 사이즈, 이중 마크들 사이의 거리, 및 X-Y-세타 스테이지 정밀도는 달성될 수 있는 포지셔닝 정밀도 레벨을 결정한다.
[0094] 단계(702)에서, 2개의 현미경들의 최적 배치(정정 이후)를 위한 스테이지(604) 상의 포지션("d1")은, 이중 정렬 마크들이 정렬될 때, 이를테면 스테이지 위치 센서(예컨대, 인코더)에 의해 식별되고, 여기서 포지션("d1")은 x, y 및 세타 포지션들을 포함한다.
[0095] 이어서, 후속하여, 단계(703)에서, 스테이지(604)는, 인-시추에 있다고 가정하면, ULM(605)을 사용하여 계측 툴(602)을 보기 위해 이동된다. 일 실시예에서, 계측 툴(602)은 도 6에 도시된 기준 표면(610)과 고정된 상대적 위치에 있는 환형 표면으로 수정 및 개장(retro-fitted), 환형(601)은 DLM/ULM(608/605)과 유사한 정렬 마크들을 가진다.
[0096] 단계(704)에서, 다시, 최적 스테이지 배치 및 배향은 정정 이후 달성되고, 스테이지(604) 상의 ULM(605)이 계측 툴(602) 상의 정렬 마크들(계측 툴(602)에 부착된 환형 플레이트(601)의 정렬 마크들)과 정렬될 때 주목된다. 이 스테이지 포지션은 "d2"(x, y, 세타 포지션들)로서 주목된다. 다른 말로, 스테이지(604) 상의 포지션("d2")은 ULM(605)이 계측 툴(602) 상의 정렬 마크들과 정렬될 때(환형 플레이트(601)의 정렬 마크들과 정렬될 때) 식별된다.
[0097] 단계(705)에서, "d1"과 "d2" 사이의 차이는 잉크젯 좌표 시스템과 계측 좌표 시스템의 상대적 포지션을 제공하기 위해 획득된다.
[0098] 이후, 통상적으로 하나 또는 그 초과의 식별가능한 피처들, 이를테면 더 이전 패터닝 단계로부터의 플랫(flat) 또는 노치 또는 기존 정렬 마크를 가진 척킹된 서브스트레이트(302)의 표면은 단계(706)에서 계측 툴(602) 상에서 측정된다. 계측 툴(602)의 측방향 정밀도는 현미경들의 측방향 정밀도와 유사할 수 있다. 이것이 충분히 정확하지 않으면, DLM(608)은 노치를 정확하게 위치시키고 잉크젯 좌표 시스템에 대해 서브스트레이트 좌표 시스템을 아는 데 사용될 수 있다. 이어서, 잉크젯 좌표 시스템에 대해 계측 좌표 시스템의 지식으로 인해, 서브스트레이트(302)는 토포그래피 측정을 위해 정확하게 위치될 수 있다. 일 실시예에서, 잉크젯(607)은, 특히 잉크젯(607)이 정확하게 위치되었고 장착될 때마다 척(603) 상에 서브스트레이트(302)를 로딩 시 상당한 에러들이 있다면, 정밀 서브스트레이트 위치 및 정렬에서의 에러들을 극복하는 데 사용될 수 있다. 잉크젯(607)은 맞춤화된 필름이 증착될 필요가 있는 영역으로부터 실질적으로 제거된 영역 상에서 서브스트레이트(302) 상에 액적들을 분배(이어서 또한 경화됨)하는 데 사용될 수 있어서, 액적들은 맞춤화된 필름을 증착하는 PAINT 프로세스를 간섭하지 않는다. 이들 액적들은 서브스트레이트 노치를 식별하는 데 사용되는 동일한 DLM(608) 하에서 분석될 수 있고, 이에 의해 서브스트레이트(302)의 상대적 포지션 및 배향이 제공된다. 그런 영역이 이용가능하지 않으면, 액적들은, 서브스트레이트 척(603)이 서브스트레이트(302)에 대해 정확하고 반복적으로 위치될 수 있도록 서브스트레이트 척(603)에 구조적으로 연결되고, 실질적으로 서브스트레이트(302)와 동일한 레벨인 작은 2차 표면 상에 분배될 수 있다. 이런 접근법은 정밀 서브스트레이트 위치 및 정렬에서의 에러들을 극복하는 것을 도울 수 있다.
[0099] 단계(707)에서, "d1" 및 "d2"로 척킹된 서브스트레이트(302)의 측정된 표면을 사용하여, 서브스트레이트 좌표 시스템과 계측 좌표 시스템 사이의 맵이 미크론-스케일 정밀도로 획득된다.
[00100] 이 절차는 서브스트레이트(302)가 계측 툴(602)과 잉크젯(607) 사이에서 미크론-스케일 정밀도로 위치되는 것을 허용한다. 잉크젯(607) 자체의 포지션 및 배향은 스테이지(604)에 대한 "제로" 기준을 설정하기 위해 DLM(608)을 통해 ULM(605)을 먼저 위치 결정함으로써 1회 교정될 수 있다. 이어서, 액적들의 어레이/매트릭스는 더미(dummy) 서브스트레이트(302) 상에 잉크젯팅되고 경화될 수 있다. 이어서, 액적들의 이 어레이/매트릭스는 DLM(608) 하에서 시험될 수 있다. 각각의 액적의 위치는 각각의 노즐의 위치를 미세하게 교정하는 데 사용될 수 있다. 개략적 포지셔닝 및 배향 교정은 어레이 또는 매트릭스의 중앙 및 단부들에 있는 액적들을 통해 행해질 수 있다. 1회 교정의 이런 목적을 위해, 액적들은 더 낮은 주파수 또는 더 낮은 스테이지 스피드로 분배될 수 있다. 잉크젯 높이는 또한 감소될 수 있다. 이들 조치들은 잉크젯팅된 액적들의 위치의 정밀도를 증가시키는 것을 도울 수 있어서, 분배된 액적 위치들은 실질적으로 이상적인 액적 위치들과 매치한다. 다른 말로, 잉크젯 헤드 동작뿐 아니라 스테이지 모션과 잉크젯 헤드 동작의 동기화로부터 발생하는 서브스트레이트(302) 상의 액적 위치의 에러들은 감소될 것이다. 액적 배치 정확도의 변동으로 인해 액적들이 충분한 정밀도를 제공하지 않으면, ULM(605)은 잉크젯 헤드와 노즐들의 최적 피팅 라인을 위치시키는 데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, ULM(605)은 최적 피팅 라인을 결정하기 위해 잉크젯 노즐들을 이미징한다. 이런 방식으로, 스테이지(604) 상의 포지션은 ULM(605)이 최적 피팅 라인을 결정하는 것에 의해 식별될 수 있다. 일 실시예에서, 그런 포지션은 x, y 및 세타 포지션들을 포함한다. 이어서, 이 라인의 위치 및 배향은 잉크젯 좌표 시스템에서 이용가능할 수 있다. 보통, 스테이지 정밀도는 잉크젯 액적 배치 정확도보다 훨씬 높다. 따라서, 이 접근법은 잉크젯 및 계측 툴을 위치시키는 데 더 높은 정밀도를 초래할 수 있다.
[00101] 또한, 계측 툴(602)이 인-시추로 위치될 수 없으면, 서브스트레이트(302)의 토포그래피 측정은 오프라인으로 행해질 수 있다. 엑스-시추(ex-situ) 계측은 정렬 마크들을 가진 동일한/유사한 환형 링(601)이 설치된 동일하거나 유사한 계측 툴로 행해질 수 있다. DLM(608)은 또한 계측 툴(602)에 부착될 수 있고 동일하거나 유사한 서브스트레이트 프로세스 척은 ULM(605)이 설치된 x-y-세타 스테이지 상에 장착될 수 있다. 먼저, DLM(608) 및 ULM(605)은 글로벌 척 포지셔닝 에러들을 정정하도록 정렬될 수 있다. 이후, ULM(605) 및 환형 플레이트(601)는 계측 툴(602)과 DLM(608) 사이의 오프셋을 교정하는 데 사용될 수 있다. 이어서, 서브스트레이트(302)는 계측 툴(602) 상에서 측정될 수 있다. 계측 툴(602)과 척킹된 서브스트레이트(302) 사이의 정렬 에러들은 계측 툴(602)에 부착된 DLM(608) 하에 노치/플랫을 정밀하게 위치시킴으로써 정정될 수 있다. 계측 툴(602)과 DLM(608) 사이의 교정된 오프셋을 사용하여, 노치(및 결과적으로, 전체 서브스트레이트(302))의 정밀한 위치는 계측 툴(602) 상에서 보여진 바와 같이 획득될 수 있다. 이 절차는, 계측 툴(602)의 측방향 해상도가 미크론-스케일 정밀도로 노치를 위치시키는 데 충분하지 않은 것을 가정한다. 그러나, 그 반대가 사실이면, 이 절차는 필요하지 않을 수 있다. 유사하게, PAINT 툴 상에서, 스테이지(604) 상의 ULM(605) 및 브리지(606) 상의 DLM(608)은 위의 인-시추 계측 절차에서 설명된 바와 같이, 잉크젯(607) 및 서브스트레이트(302) 상의 노치를 위치시키는 데 사용된다. 계측 툴(602) 상의 노치의 엑스-시추 정밀 위치와 조합될 때, 이것은 엑스-시추 계측 툴에 대해 PAINT 툴 상의 서브스트레이트(302)의 정밀 위치를 제공한다.
[00102] 엑스-시추 및 인-시추 계측 둘 모두의 셋업들에서, 계측 툴(602)에 부착된 환형 정렬 플레이트(601)가 활용된다. 따라서, 계측 툴(602)을 갖는 이 플레이트(601)의 정밀 어셈블리가 요구될 수 있고, 이는 정밀 어셈블리 기법들의 사용을 필요로 한다.
[00103] 일 실시예에서, 방법(700)의 단계들은 이를테면 명령들이 프로세서(612)에 의해 실행되는 메모리(611)에 저장된 프로그램을 통해 자동화된다.
[00104] 본 발명은 시스템, 방법, 및/또는 컴퓨터 프로그램 제품일 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 프로세서로 하여금 본 발명의 양상들을 수행하게 하기 위해 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들이 저장되어 있는 컴퓨터 판독가능 저장 매체(또는 매체들)를 포함할 수 있다.
[00105] 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 명령 실행 디바이스에 의한 사용을 위해 명령들을 유지하고 저장할 수 있는 유형의 디바이스일 수 있다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 예컨대 전자 저장 디바이스, 자기 저장 디바이스, 광학 저장 디바이스, 전자기 저장 디바이스, 반도체 저장 디바이스, 또는 전술한 것들의 임의의 적절한 조합(그러나 이에 제한되지 않음)일 수 있다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체의 더 특정한 예들의 비-배타적 리스트는 다음을 포함한다: 휴대용 컴퓨터 디스켓, 하드 디스크, RAM(random access memory), ROM(read-only memory), EPROM(erasable programmable read-only memory) 또는 플래시 메모리, SRAM(static random access memory), CD-ROM(portable compact disc read-only memory), DVD(digital versatile disk), 메모리 스틱, 플로피 디스크, 기계적으로 인코딩된 디바이스, 이를테면 펀치-카드들 또는 명령들이 레코딩되어 있는 그루브 내의 융기된 구조들, 및 전술한 것들의 임의의 적절한 조합. 본원에 사용된 바와 같은 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 라디오 파들 또는 다른 자유롭게 전파되는 전자기 파들, 도파관 또는 다른 송신 매체들을 통해 전파되는 전자기 파들(예컨대, 광섬유 케이블 통과하는 광 펄스들), 또는 와이어를 통해 송신되는 전기 신호들 같은 일시적인 신호들 자체인 것으로 해석되어서는 안된다.
[00106] 본원에 설명된 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들은 네트워크, 예컨대 인터넷, 로컬 영역 네트워크, 광역 네트워크 및/또는 무선 네트워크를 통해 컴퓨터 판독가능 저장 매체로부터 개별 컴퓨팅/프로세싱 디바이스들로 또는 외부 컴퓨터 또는 외부 저장 디바이스로 다운로드될 수 있다. 네트워크는 구리 송신 케이블들, 광학 송신 섬유들, 무선 송신, 라우터들, 방화벽들, 스위치들, 게이트웨이 컴퓨터들 및/또는 에지 서버들을 포함할 수 있다. 각각의 컴퓨팅/프로세싱 디바이스에서 네트워크 어댑터 카드 또는 네트워크 인터페이스는 네트워크로부터 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들을 수신하고 개별 컴퓨팅/프로세싱 디바이스 내의 컴퓨터 판독가능 저장 매체에 저장을 위해 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들을 포워딩한다.
[00107] 본 발명의 동작들을 수행하기 위한 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들은 어셈블러 명령들, ISA(instruction-set-architecture) 명령들, 기계 명령들, 기계 종속 명령들, 마이크로코드, 펌웨어 명령들, 상태-세팅 데이터, 또는 객체 지향 프로그래밍 언어, 이를테면 Smalltalk, C++ 등, 및 종래의 절차 프로그래밍 언어들, 이를테면 "C" 프로그래밍 언어 또는 유사한 프로그래밍 언어들을 포함하는 하나 또는 그 초과의 프로그래밍 언어들 중 임의의 조합으로 쓰여진 소스 코드 또는 객체 코드일 수 있다. 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들은 사용자의 컴퓨터 상에서 완전히, 사용자의 컴퓨터 상에서 부분적으로, 독립형 소프트웨어 패키지로서, 사용자의 컴퓨터 상에서 부분적으로 및 원격 컴퓨터 상에서 부분적으로 또는 원격 컴퓨터 또는 서버 상에서 완전히 실행될 수 있다. 후자의 시나리오에서, 원격 컴퓨터는 LAN(local area network) 또는 WAN(wide area network)을 포함하는 임의의 타입의 네트워크를 통해 사용자의 컴퓨터에 연결될 수 있거나, 또는 연결은 외부 컴퓨터(예컨대, 인터넷 서비스 제공자를 이용한 인터넷을 통해)에 대해 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 예컨대 프로그램 가능 로직 회로, FPGA(field-programmable gate arrays), 또는 PLA(programmable logic arrays)를 포함하는 전자 회로는 본 발명의 양상들을 수행하기 위해, 전자 회로를 개인화하도록 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들의 상태 정보를 활용함으로써 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들을 실행할 수 있다.
[00108] 본 발명의 양상들은 본 발명의 실시예들에 따른 방법들, 장치(시스템들), 및 컴퓨터 프로그램 제품들의 흐름도 예시들 및/또는 블록 다이어그램들을 참조하여 본원에서 설명된다. 흐름도 예시들 및/또는 블록 다이어그램들의 각각의 블록, 및 흐름도 예시들 및/또는 블록 다이어그램들의 블록들의 조합이 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들에 의해 구현될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
[00109] 이들 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들은 기계를 생성하기 위한 범용 컴퓨터, 특수 목적 컴퓨터, 또는 다른 프로그램가능 데이터 프로세싱 장치의 프로세서에 제공될 수 있어서, 컴퓨터의 프로세서 또는 다른 프로그램가능 데이터 프로세싱 장치를 통하여 실행되는 명령들은 흐름도 및/또는 블록 다이어그램 블록 또는 블록들에 특정된 기능들/동작들을 구현하기 위한 수단을 생성한다. 이들 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들은 또한 특정 방식으로 기능하도록 컴퓨터, 프로그램가능 데이터 프로세싱 장치, 및/또는 다른 디바이스들에게 지시할 수 있는 컴퓨터 판독가능 저장 매체에 저장될 수 있어서, 명령들이 내부에 저장되어 있는 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 흐름도 및/또는 블록 다이어그램 블록 또는 블록들에 특정된 기능/행동의 양상들을 구현하는 명령들을 포함하는 제조 물품을 포함한다.
[00110] 컴퓨터 판독가능 프로그램 명령들은 또한, 컴퓨터, 다른 프로그램가능 장치 또는 다른 디바이스 상에서 수행될 일련의 동작 단계들이 컴퓨터 구현 프로세스를 생성하게 하도록 컴퓨터, 다른 프로그램가능 데이터 프로세싱 장치, 또는 다른 디바이스 상에 로딩될 수 있어서, 컴퓨터, 다른 프로그램가능 장치, 또는 다른 디바이스 상에서 실행하는 명령들은 흐름도 및/또는 블록 다이어그램 블록 또는 블록들에 특정된 기능들/행동들을 구현한다.
[00111] 도면들의 흐름도 및 블록 다이어그램들은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 시스템들, 방법들 및 컴퓨터 프로그램 제품들의 가능한 구현들의 아키텍처, 기능성 및 동작을 예시한다. 이에 관하여, 흐름도 또는 블록 다이어그램들의 각각의 블록은 특정 로지컬 기능(들)을 구현하기 위한 하나 또는 그 초과의 실행가능 명령들을 포함하는 모듈, 세그먼트, 또는 명령들의 부분을 나타낼 수 있다. 일부 대안적인 구현들에서, 블록에서 주목되는 기능들이 도면들에서 주목되는 순서를 벗어나 발생할 수 있다. 예컨대, 포함된 기능성에 따라, 연속적으로 도시된 2개의 블록들은 실제로 실질적으로 동시에 실행될 수 있거나 또는 블록들은 때때로 역 순서로 실행될 수 있다. 또한, 블록 다이어그램들 및/또는 흐름도 예시의 각각의 블록, 및 블록 다이어그램들 및/또는 흐름도 예시의 블록들의 조합들이 특수 기능들 또는 행동들을 수행하는 특수 목적 하드웨어-기반 시스템들에 의해 구현될 수 있거나 또는 특수 목적 하드웨어와 컴퓨터 명령들의 조합들을 수행할 수 있다는 것이 주목될 것이다.
[00112] PAINT-C의 다른 특징은 척킹이고, 척킹은 도 6 및 도 7과 관련하여 이제 논의될 것이다.
[00113] 위에서 논의된 바와 같이, 서브스트레이트(302) 및/또는 수퍼스트레이트(304)의 척킹은 기생 왜곡들 및 기생 왜곡들의 계측뿐 아니라 PAINT-C 프로세스에 어떻게 영향을 주는지를 고려하여야 한다. (일반적으로, 수퍼스트레이트 강도는 애플리케이션에 의해 정의되지 않고, 그리고 척킹으로 인한 왜곡의 효과들을 최소화하기 위해 더 이전에 논의된 바와 같이 계속 "충분히 낮게" 선정될 수 있다). 척킹은, 서브스트레이트(302)가 PAINT 프로세스에 관련된 힘들로 인해 실질적으로 이동하지 않는 것을 보장하기 위해 중요하다. 비-평면 표면들의 척킹은 평면 표면들보다 더 복잡할 수 있고 올바르게 수행되지 않으면 기생 에러들을 도입할 수 있다. "페이팅될" 필요가 있는 서브스트레이트(302)가 평면 배면을 가지면, PAINT-P에 대한 것과 유사한 척이 사용될 수 있다. 그러나, 배면이 또한 곡선지면, 서브스트레이트(302)는 전체 배면 면적보다 상당히 작거나, 또는 배면 면적과 실질적으로 유사한 영역 위에 유지될 수 있다. 비록 다음의 논의가 곡선진 배면을 가진 서브스트레이트(302)의 실시예로 행해졌지만, 동일한 아이디어들은 또한 수퍼스트레이트(304)로 확장될 수 있다. 게다가, 서브스트레이트(302) 및 수퍼스트레이트(304)의 지역들은 표면들의 광학적 경화 또는 검사가 가능하도록 개방된 채 남겨질 수 있다. 일반적으로, 다음 방법들은 곡선진 배면들을 척킹하는 데 이용될 수 있다:
[00114] (1) 서브스트레이트(302)의 프로파일과 거의-정확한 상보적인 프로파일을 가진 척의 사용. 그러나, 이 방법은, 서브스트레이트 기하구조가 계속 변화하고, 따라서 다수의 그런 척들을 필요로 하면 실행할 수 없다.
[00115] (2) 프로세스들, 이를테면 용접, 글루잉(gluing) 등의 도움으로 플랜지들 형태로 완전히 또는 부분적으로, 또는 처음부터 생성된 원(raw) 재료 서브스트레이트에 포함시킴으로써 평면 배면의 부가.
[00116] (3) 각각의 지역이 독립적으로 제어되는 멀티-지역 척의 사용 ― 여기서 일부 지역들은 서브스트레이트(302)를 유지하기 위해 진공을 제공하고 일부 지역들은 서브스트레이트(302)의 이들 지역들을 공압식으로 지지하기 위해 가압된 공기를 제공함. 일 실시예에서, 이들 다수의 지역들은 도 8에 도시된 바와 같이 공압식 밀봉들을 사용하여 서로 격리된다.
[00117] 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 곡선진 배면을 가진 서브스트레이트들(302)을 유지하기 위한 멀티-지역 척(800)을 예시한다. 일 실시예에서, 멀티-지역 척(800)은 동일한 척이 상이한 표면들을 유지하는 것을 가능하도록 할 수 있다. 서브스트레이트(302)의 가압된 공기 지역들(화살표들(801) 참조)은 표준 척킹과 결합될 수 있다. 통상적으로 곡선지고 표준 진공(화살표들(802) 참조) 또는 정전기 척들을 사용하여 척킹될 수 없는 지역들에서, 이런 가압된 공기는 비-평면 서브스트레이트들에 대한 PAINT-C 프로세스 동안 힘들을 지원하는 데 사용될 수 있다. 이런 가압된 공기는 또한, 서브스트레이트(302)가 이후에 애플리케이션들에서 사용되는 방식과 기능적으로 관련된 배면의 특정 부분들에 손상, 이를테면 스크래치(scratch)들 또는 피팅(pitting)을 유도할 수 있는 콘택을 최소화하기 위해 위의 진공 또는 정전기 척킹 방법들을 사용하여 실질적으로 척킹될 수 없는 서브스트레이트(302)의 뒷면의 부분들을 지지하기 위해 전술한 진공 또는 정전기 척킹과 조합하여 사용될 수 있다.
[00118] PAINT-C의 추가 특징은 필링 메카닉스(peeling mechanics)이고, 필링 메카닉스는 이제 도 2 및 도 3a-도 3f와 관련하여 논의될 것이다.
[00119] UV-경화 이후, 수퍼스트레이트(304)는 에지로부터 중앙으로 크랙 프론트(crack front)를 생성하도록 수퍼스트레이트(304)의 휨 프로파일을 조정함으로써 PAINT에서 서브스트레이트(302)로부터 분리된다. 그러나, 서브스트레이트 및 수퍼스트레이트 곡률의 존재를 고려해 볼 때, 유사한 접근법은 부가적인 메커니즘들의 사용을 요구할 수 있다. 예컨대, PAINT-C에 대해, 수퍼스트레이트(304)는 희생 재료의 얇은 필름으로 코팅될 수 있다. 필링 프로세스의 시작 이전에, 희생 필름은 희생 필름을 승화시킬 수 있는 주변 환경에 수퍼스트레이트(304)를 노출시킴으로써(또는 광화학적 분해(ablation)를 사용하여) 수퍼스트레이트-폴리머-서브스트레이트 샌드위치의 에지들로부터 제거될 수 있다. 필름의 제거는 크랙 프론트를 생성하고, 이어서 크랙 프론트는 적합한 수퍼스트레이트 휨 프로파일을 이용하여 전파될 수 있다. 분리 프로세스에서 언제든지, 로컬 피크들 또는 밸리들이 크랙 프론트의 일시적 중단을 유발하는 경우, 위의 접근법은 크랙 프론트를 개방하고 전파시키는 데 사용될 수 있다. 광화학적 레이저 분해는 폴리머 필름의 위에서-설명된 승화를 달성하기 위한 잠재적인 기법으로서 사용될 수 있다. 이것은 증착된 필름 및 수퍼스트레이트/서브스트레이트(304/302) 재료들에 대한 것과 비교할 때 실질적으로 상이한 분해 임계 세기 및/또는 레이저 파장을 가진 폴리머의 얇은 필름으로 수퍼스트레이트(304)를 코팅함으로써 행해질 수 있다. 예컨대, 증착된 재료가 PMMA(Poly(methyl methacrylate)) 또는 355 nm의 파장에서 경화되는 유사한 아크릴레이트이면, 희생 필름은 248 nm의 상이한 파장에서 40 mJ/cm2의 레이저 분해 임계치를 가진 PI(polyimide)일 수 있다. 다른 한편, PMMA는 248 nm에서 600 mJ/cm2의 훨씬 더 높은 임계치를 가진다. 따라서, 248 nm 레이저의 낮은(~50 mJ/cm2) 도즈(dose)에 대한 노출은 PI를 분해할 것이지만, 증착된 필름(PMMA)을 온전하게 유지할 것이다. 그 다음, 수퍼스트레이트(304)는 소모품으로 취급되어 폐기되거나 다시 증착된 희생 필름을 얻기 위해 재-프로세싱될 수 있다. "R2R" 구성은 사용된 수퍼스트레이트(304)를 재-프로세싱하거나 폐기하기 이전에 단지 1회 사용된 R2R 수퍼스트레이트(304)의 주어진 영역에 위의 프로세스가 자동화될 수 있게 하는 부가적인 이점들을 제공할 수 있다.
[00120] 다른 접근법은 수퍼스트레이트(304) 상에 핸들(handle)들 또는 플랜지들의 사용일 수 있다. 이들은 수퍼스트레이트 척(409)에 의해 기계적으로 유지될 수 있고, 이어서 서브스트레이트(302)로부터 수퍼스트레이트(304)를 벗겨내는 데 도움을 주도록 당겨질 수 있다. 이것은 수퍼스트레이트(304)(또는 서브스트레이트(302)) 척의 수직 병진과 조합되는 수퍼스트레이트(304)(또는 서브스트레이트(302))의 기존 진공- 및 포지티브 압력-기반 프로파일 제어에 추가될 수 있다.
[00121] 또한, 이미 논의된 R2R 수퍼스트레이트 구성은 공칭적으로 비-평면 서브스트레이트들을 더 용이하게 벗겨낼 수 있다. 이것은 주로, 콘택 라인에 대해 롤러들의 상대적 회전 및 병진을 포함하는 롤러 움직임의 제어를 통한 크랙 전파의 제어 및 장력의 존재 때문이다. 분리 또는 필링 파라미터들이 나노스케일 패턴들을 갖는 필름들보다 패턴들이 없는 필름들에 대해 더 완화되는 것이 언급되어야 한다.
[00122] 증착된 필름으로서 사용될 수 있는 일부 대표적인 재료들은 잉크젯가능 조성물들, 이를테면 에칭 장벽 용액, 즉 Canon Nanotechnologies로부터의 Monomat®, Microresist Technologies로부터의 mv-Cur을 포함한다. 서브스트레이트들(302)은 또한 습윤성들을 맞추기 위해 전-처리될 필요가 있을 수 있다. 서브스트레이트(302)와 증착된 필름 사이의 접착을 촉진하는 데 사용될 수 있는 일부 재료들은 Canon Nanotechnologies사로부터의 ValMat® 및 Transpin®을 포함한다. 일부 서브스트레이트 재료들, 이를테면 폴리카보네이트는, 이들이 자연스럽게 원하는 습윤 및 접착 특성들을 가지기 때문에 전-처리될 필요가 없을 수 있다. 계면 특성들을 개선하기 위해 수퍼스트레이트(304)의 표면을 처리하는 데 사용될 수 있는 재료들은 위에서 논의되었다.
[00123] 용매들의 사용은 또한 휘발성 용매 재료(예컨대, PGMEA, 헥산 등)의 양 및 잉크젯 액체 제형(formulation)의 연관된 고체 함량을 제어함으로써 액적 볼륨들의 맞춤화에 도움을 준다. 액적 내의 용매 재료는 실시간으로 또는 서브스트레이트와의 콘택 이후 부분적으로 또는 완전히 증발될 수 있고, 이에 의해 PAINT 또는 용매-보조 층 형성에 사용되는 액적의 볼륨이 감소된다. 예컨대, 하드웨어 제한들로 인해, 잉크젯 노즐들은 액적 볼륨 분해능이 제약될 수 있다. 그러나, 미세 서브스트레이트 곡률을 로컬적으로 고려하면 분배될 수 있는 최소 액적 볼륨들보다 더 낮은 액적 볼륨들이 필요할 수 있다. 이 정보는 더 높고 그리고 더 낮은 액적 볼륨 분해능들에서의 최종 필름 두께 프로파일들을 원하는 필름 두께 프로파일과 비교함으로써 인버스 최적화 알고리즘으로부터 획득될 수 있다. 더 미세한 액적 분해능을 가지는 것이 모델(이후 논의됨)에서 실질적으로 더 낮은 에러 놈(norm)을 유도하면, 더 작은 액적들을 위해 이런 접근법을 추구하는 것은 특정 원하는 표면 프로파일에 이익일 것이 예상된다.
[00124] 높이와 비교할 때 훨씬 더 큰 측방향 길이 스케일을 가진 도메인들(얇은 필름들)에서 유체 흐름은, 흐름이 주로 표면에 대해 평행하고 수직 압력 기울기가 제로인 것을 가정하는 윤활 접근법을 사용하여 해결될 수 있다. 통상적으로, 이것은 비선형 모델을 유도하고, 비선형 모델은 프로세스 메카닉스의 더 낮은 계산 비용 및 더 나은 이해를 위해 선형화될 수 있다. 선형화는 다음과 같이 획득된 특성 프로세스 시간 스케일을 유도한다:
여기서 h0는 평균 필름 두께이고, R은 수평 길이 스케일, 즉 통상적으로 증착된 영역의 반경이고, 그리고 Deff는 수퍼스트레이트(304)의 유효 휨 강성이다. 이런 유효 휨 강성은 통상적으로 2개의 점근(asymptotic) 값들을 가지며, 하나의 점근 값은 수퍼스트레이트 곡률(Rs) 및 중력(g)에 종속하고; 그리고 나머지 하나의 점근 값은 수퍼스트레이트 재료의 영률(E), 수퍼스트레이트 두께(b) 및 포아송 비(Poisson's ratio)(v)에 종속한다. 중력 효과들은, 서브스트레이트(302)의 상이한 지역들에서의 유체가 상이한 레벨들의 중력을 겪기 때문에 공칭 비-평면 피겨를 가진 서브스트레이트들(302)에 중요하다. 일반적으로, 더 큰 값의 τpaint는 평형전 과도현상을 캡처하는 데 더 오랜 시간을 제공하기 때문에 바람직하다. 수식 1로부터, 더 작은 Deff는 더 높은 τpaint를 유도하도록 나타난다. 그러나, Deff에 대해 수식 2에 도시된 바와 같이, Deff는 R(Rs)을 포함하고; 그리고 이들 값들은 또한 간접적으로 h0에 영향을 준다. 이것은 도 9에 도시된다.
[00125] 도 9는, 필름 두께(901)(ho(x))가 본 발명의 실시예에 따른 서브스트레이트(302)에 대해 수직으로 측정된 필름의 두께의 수직 투영인 것을 예시한다. 따라서, x가 서브스트레이트(302)의 곡률(예컨대, ho(x1))의 중간에 가까운 경우, 수직 투영은 실제 필름 두께 값에 가깝다. 그러나, x가 서브스트레이트(302)의 곡률(예컨대, ho(x2))의 중앙으로부터 멀어지는 경우, 수직 투영은 훨씬 더 클 수 있다. 중력은 전자의 경우에는 그렇게 중요하지 않지만, 후자의 경우에는 영향을 미치기 시작한다.
[00126] 그러므로, 수퍼스트레이트(302)가 비교적 높은 수퍼스트레이트 강도를 가지면서도, 표면 접선(tangent)들이 (수평 평면에 대해) 비교적 높은 절대 값을 형성하는 지역들을 가질 때, 중력의 악영향은 높다. 그러므로, (τpaint의 높은 값들을 나타내는) 적절한 프로세스 조건은 작은 접선 각도들 또는 낮은 수퍼스트레이트 강도를 요구하지만, 바람직하게 둘 다 요구한다. 서브스트레이트(302)가 원하는 작은 접선 각도들을 갖지 않은 경우, 낮은 강도를 갖는 수퍼스트레이트들(304)을 만들기 위해 모든 노력들이 취해져야 한다. 예컨대, 200 mm의 직경 및 200 mm의 곡률 반경의 페인트된 영역에 대해, 중력의 효과가 수퍼스트레이트 강성의 효과와 비교할 때 완화되는 경우, 용융된 실리카 수퍼스트레이트(304)의 두께는 거의 200 미크론 또는 그 미만이어야 한다. 그러나, 중력과 수퍼스트레이트 휨 강성으로 인한 유효 강도가 실질적으로 낮으면, 중력의 영향을 실질적으로 완화시키는 것은 중요하지 않을 수 있다. 이것은, 충분히 높은 프로세스 시간-스케일(τpaint)을 달성하기 위해, 강성의 물리적 기원과 무관하게, 프로세스의 목적이 유효 강성을 최소화하는 것이기 때문이다.
[00127] 이런 용어(τpaint)는 실제 프로세스 유체 확산 시간(t)과 τpaint 사이의 비율로서 무차원 프로세스 시간(
)을 다음과 같이 정의하는 데 사용될 수 있다:
[00128] 목적은, PAINT-C의 "프로그램가능" 성질이 잉크젯팅된 유체 액적들의 미리정의된 위치들 및 볼륨들에 의해 달성될 수 있도록 최종 필름 두께가 초기 재료 분배와 강한 상관을 갖게 이런 재분배를 최소화하는 것이다. 다른 말로, 이런 동적 모델은, 평형 상태가 통상적으로 바람직하지 않고 서브스트레이트(202)의 기생 토포그래피에 의해 손상된 단지 하나의 가능한 안정 상태 솔루션만을 허용하기 때문에, 샌드위치의 진화 시 평형전 과도 상태를 캡처하는 것이 필수적이라는 사실을 나타낸다(도 3a-도 3f에 도시되지 않음). 이것은 얇은 필름들의 프로그램가능 증착의 목적에 어긋난다. 평형전 과도 현상을 캡처하는 이 개념은 실질적으로 잉크젯팅된 유체 액적들과 상관하고 이의 공칭 형상들과 중력 효과를 포함하는 서브스트레이트와 수퍼스트레이트 토포그래피의 효과들을 거부한다.
[00129] 평형을 지연시키는 관점에서, 수퍼스트레이트(304)를 가능한 한 얇게 만드는 것이 바람직하다. 그러나, 수퍼스트레이트(304)를 임의로 얇게 만드는 것은 최적 유연성의 맥락에서 위에서 논의된 바와 같이 실현 가능하지 않다. 게다가, 얇은 수퍼스트레이트들(304)은 자동화, 로딩 등을 핸들링하는 데 어려울 수 있다.
[00130] 중력이 특히 크게 곡선진 서브스트레이트들에 대한 유체 재분배를 돕기 때문에, 중력의 영향을 최소화하는 것은 수퍼스트레이트(304)의 두께를 감소시키는 것과 마찬가지이다. 높은 곡률을 가진 서브스트레이트들(302)의 경우, 중력의 영향은, 높은 곡률의 영역들이 가능한 한 수평으로 이루어질 수 있도록 회전들의 조합을 통해 서브스트레이트(302)를 이동시킴으로써 최소화될 수 있다. 이것은 정확한 플렉셔-기반 액추에이터들 상에 서브스트레이트(302) 및 수퍼스트레이트 척(409)을 장착함으로써 달성될 수 있다. 그러나, 서브스트레이트(302)의 하나 또는 그 초과의 영역들을 이동시키는 것이 이들의 수평 레벨링 측면에서 서브스트레이트(302)의 다른 영역들과 절충되면, 서브스트레이트(302) 상의 상이한 영역들이 실질적으로 주기적으로 수평이도록, 상이한 상태들을 통해 수퍼스트레이트-유체-서브스트레이트 샌드위치를 순환시키는 것을 포함하는 접근법이 수행될 수 있다. 이들 상이한 상태들 사이의 진동들의 빈도는 점도, 표면 장력 및 비중의 함수인 모세관 충전 프로세스의 대략적인 시간 스케일로부터 결정될 수 있다. 이런 시간 스케일의 인버스는 근사 주파수를 제공하고, 그리고 진동 주파수가 이런 모세관 주파수보다 상당히 더 높게 유지되면, 유체 샌드위치는 각각의 진동 사이에 재분배되지 않고 중력의 영향을 최소화한다. 일 실시예에서, 중력의 영향은 수퍼스트레이트(304)를 가능한 한 얇게(예컨대, 임계치 미만의 수퍼스트레이트(304)의 두께, 이를테면 위에서 논의된 바와 같이 200 미크론) 유지함으로써 최소화된다. 일 실시예에서, 중력의 영향은 시스템을 회전 스테이지 상에 장착하고 중력-유도 점성-모세관 충전(visco-capillary filling)을 극복하기에 충분히 높은 주파수에서 수퍼스트레이트-유체-서브스트레이트 샌드위치를 회전시킴으로써 최소화된다.
[00131] 더 이전에 언급된 바와 같이, 모델의 1차 특성들은 
으로 선형 분석을 수행함으로써 분석적으로 획득될 수 있고, 여기서 
이고, r은 공칭 서브스트레이트 표면 좌표 시스템 내에 있다. 이것은 PAINT에 대해 행해진 작업을 레버리지한다. 모델 선형화를 모호하게 하지 않도록 실질적인 서브스트레이트 토포그래피의 존재를 고려하는 것이 중요하다. 그러나, 서브스트레이트 토포그래피를 고려하는 적당한 서브스트레이트 좌표 시스템을 설정하는 것은, 선형화가 실행가능한 결과들을 생성하는 것을 보장하는 데 필요하다. 선형화된 모델은 분석적으로 풀릴(solved) 수 있고, 이에 의해 계산 복잡성이 크게 감소되고 PAINT-C의 핵심 양상(원하는 필름 두께 프로파일에 대한 유체 액적들의 최적 위치들 및 볼륨들)이 풀릴 수 있게 한다. 인버스 최적화 프로세스의 다른 중요한 양상은 잉크젯 갭 높이와 서브스트레이트 곡률의 상관이다. 일단 최적 액적 위치들 및 볼륨들이 식별되고 특정 서브스트레이트 좌표들에 부착되면, 잉크젯(303)에 대해 서브스트레이트(302)의 입상화 및 상대적 모션 프로파일들은 또한 최적 잉크젯팅 범위 내에 있는 특정 노즐들만이 분출할 수 있도록 최적화될 수 있다. 이것은 또한 최종 필름 두께 프로파일에 악영향을 주지 않도록 충분히 높은 정밀도로 인접한 입상들 상의 액적 패턴들을 사용하여 입상 상의 액적 패턴을 스티칭하는 것을 최적화하는 알고리즘으로 보강된다. 게다가, 인버스 최적화 알고리즘은 서브스트레이트(302) 상에서 가변 액적 피치를 허용함으로써 곡률을 고려하도록 추가로 수정된다. 이것은 통상적으로 균일한 주어진 피치에 다수의 노즐들을 가지는 평면 잉크젯 표면이 곡률을 갖는 비-평면 서브스트레이트 상에 맵핑되기 때문이다. 이런 맵핑은 잉크젯(303) 상의 보통 균일한 액적 피치가 서브스트레이트 표면을 따라 측정된 바와 같이 비-균일하게 되게 할 수 있다. 이런 비-균일성은 실시간으로 스캔 스피드를 조정함으로써 서브스트레이트(302)와 잉크젯(303) 사이의 상대적 스캔 방향으로 극복할 수 있다.
[00132] 프로세스 메카닉스에 기반한 최적 필름 두께 프로파일을 위한 인버스 최적화 외에, PAINT 프로세스의 중요한 양상은 랩핑되는(wrapped) 기능 최적화 방식을 포함한다. 이 방식은 광학 컴포넌트들에서의 PAINT의 예시적인 애플리케이션에 대해 본원에서 설명되었지만, PAINT가 피겨 정정, 폴리싱 및/또는 나노패터닝에 사용되는 다른 도메인들로 확장될 수 있다. 그런 최적화에 대한 필요는, 원하는 필름 두께 프로파일로부터의 편차들이 디바이스 성능, 이를테면 바람직하지 않은 간섭, 수차들, 플레어(flare)들 등 같은 문제들로 인해 발생하는 광학 성능의 편차들을 유도할 수 있기 때문에 발생한다. 이들 문제들의 징후는 필름 두께 프로파일과의 선형 상관을 가지지 않을 수 있다. 게다가, 애플리케이션에 따라, 이들 문제들 중 하나 또는 그 초과는 원하는 필름 두께 프로파일로부터의 약간의 편차들에 의해 위반될 수 있는 극히 엄격한 공차 사양들을 가질 수 있다. 따라서, 최적화 과정 동안 시스템의 기능적 성능을 또한 계산하는 부가적인 방식으로 필름 두께 최적화를 제약하는 것이 중요할 수 있다. 이런 더 높은-레벨의 제약의 계산 비용은 인버스 최적화 방식을 느리게 할 수 있고, 그리고 계산 비용이 얼마나 높은지를 기반하여, 최적화 수행 동안 획득된 각각의 서브-최적 필름 두께 프로파일이 아닌, 계산 비용이 몹시 많이 들지 않는 주파수에서, 광학 성능 계산들이 간헐적으로 수행되는 접근법이 취해질 수 있다.
[00133] 프로세스의 다른 특이한 양상은, 동일한 재료 또는 상이한 재료들의 멀티-층 필름들이 증착될 수 있는 용이성이다. 얇은 필름 모델로부터, 평균 필름 두께(h0)를 얇게 유지하는 것이 비-평형 과도 현상들(수식 2)을 캡처하는 데 바람직한 시간 스케일을 높게 유지하는 것을 돕는 것이 명백하다. 따라서, 서브스트레이트 곡률이 너무 가파르게 될 때 요구될 수 있는 단일 단계에서 큰 두께 변동들을 가진 필름들 또는 두껍고 균일한 필름들을 증착하는 것은 문제일 수 있다. 이것은 원하는 프로파일을 더 작은 단위 증분들의 합으로 분해함으로써 완화될 수 있고, 이는, 시간 스케일이 각각의 단위 단계에 대해 바람직하게 높고 따라서 단일-단계 프로세스 동안 설정된 노하우 및 대응하는 정확도를 보존하는 것을 보장한다.
[00134] 증착을 위한 바람직한 방법이 잉크젯팅이기 때문에, 멀티-단계 프로세스는 상이한 잉크젯가능 재료들을 사용함으로써 멀티-재료 스택들의 증착으로 확장될 수 있어서, 스택 내 각각의 층은 규정된 프로파일을 가진다. 이것은 깊이 방향으로의 두께 기울기들 및 재료를 가진 필름들의 증착을 가능하게 하고, 이는 현재의 첨단 기술에서 쉽게 이용가능하지 않은 특징이다. 이 프로세스는 멀티-젯들 각각에 별개의 재료들을 가진 멀티-젯들이 세트를 가짐으로써 달성될 수 있다. 전체 프로세스는, 서브스트레이트(302)가 다양한 개별 PAINT-C 단계들 사이에서 툴로부터 제거되지 않고 달성될 수 있다.
[00135] 멀티-단계 프로세스는 또한 미리 증착된 필름들 상에 이산 액적들 또는 용매-보조 층 형성을 사용하여 후속적인 나노패터닝을 가능하게 한다. 이것은 특히, 특정 필름들 및/또는 나노구조들이 멀티-층 스택들 내 동일한 서브스트레이트 상에 원하는 특성들, 이를테면 반사 방지, 오염 방지 및 정전기 방지를 위해 형성될 필요가 있는 광학 애플리케이션들에 유용할 수 있다. 이미 논의된 바와 같이, 릴리스 층, 이를테면 산화물 또는 금과 같은 중금속을 가진 수퍼스트레이트(304)는 액체 단량체의 확산 및 또한 고체화된 폴리머(308)를 가진 서브스트레이트(302)와 수퍼스트레이트(304) 사이의 분리를 가능하게 할 수 있다. 이는 특히 동일한 재료의 멀티-층 필름들의 증착 이후 최종 단계로서 나노패터닝에 유용하다. 나노패터닝은 이전 증착 단계들과 동일한 재료를 사용하여 수행되거나 수행되지 않을 수 있다. 따라서, 패터닝되지 않은 수퍼스트레이트를 포함하는 넓은 범위의 패턴들에 걸쳐 우수한 분리를 보장하기 위해 수퍼스트레이트/탬플릿 상에 올바른 릴리스 특성들을 얻는 것은 중요하게 된다. 게다가, 단량체 재료는 또한, 경화될 때, 다음 액체 층의 확산을 가능하게 하고 그리고 수퍼스트레이트/탬플릿 상의 릴리스 층과 결합될 때, 경화된 필름이 수퍼스트레이트 또는 탬플릿이 아닌 그 자체에 달라붙게 할 정도로만 충분한 계면활성제를 가지도록 제형화될 수 있다.
[00136] 선택적으로 나노패터닝과 함께 사용된, 비-평면 표면들 상의 공간적 가변 필름들의 증착은 소비자 옵틱스, X-선들 및 초-정밀 몰드들의 제작에 대한 옵틱스를 포함하는 높은 정밀도 옵틱스, 생물 의학 옵틱스, 특수 안경류 등의 일부 애플리케이션들을 가진다. 이들은 결코 PAINT-C에 대한 애플리케이션들의 총망라한 리스트가 아니다.
[00137] 소비자 옵틱스에 대해, 자유형 표면들은 근시, 원시, 정난시(regular astigmatism), 부정난시(irregular astigmatism), 노안 및 다른 장애들과 같은 문제들을 포함하는 시력 교정을 위한 소비자 안경에 보통 사용된다. 일반적으로, 눈을 포함하는, 광학 시스템들의 문제들은 광학 수차들, 즉 이들 시스템들로 인한 방사선 파면의 왜곡들을 사용하여 특성화된다. 이들 수차들은 통상적으로 제르니커(Zernike) 다항식들의 시리즈 확장으로 표현된다(저-차(lower-order) 및 고-차(higher-order) 제르니커 다항식 수차들). 이 다항식 확장의 처음 2개의 차수들은 저-차들로 불린다. 3 차 및 그 초과의 용어들은 고-차 항으로 불린다. 예컨대, 인간 눈들에서 일반적으로 관찰되는 구면 및 원통형 도수(power)들은 저-차 수차들로서 분류된다. 다른 한편, 시력에 문제들을 유발할 수 있는 구면 수차, 코마(coma), 트레포일(trefoil) 등 같은 다수의 고-차 수차들이 존재한다. 따라서, 보다 일반적인 저-차 수차들을 또한 정정하면서, 이들 고 차(higher order) 수차들의 존재를 완화시키는 것이 중요하다.
[00138] 안경 렌즈들은 단순한 구면 기하구조들로부터 비구면, 어토릭(atoric) 및 다른 자유형 기하구조들로 진화하였다. 이것은 안경 렌즈들이 예술적으로 기쁘게 할뿐 아니라 왜곡들 없이 더 우수한 옵틱스를 제공할 수 있게 한다. 오늘날, 모노 비전(mono vision)에서 프로그레시브(progressive) 부가(다중-초점 렌즈들)에 이르는 렌즈들은 "디지털" 프로세싱되고, 이는 몰딩되는 대신, 렌즈 표면들이 단일 포인트 다이아몬드 커팅 및 밀링 툴들 상에서 상이한 기하구조들의 자유형 표면들로서 커팅되는 것을 의미한다. 프로그레시브들은 기본적으로 렌즈의 상이한 영역들에서 상이한 프로파일들을 가지며, 이에 의해 안경 착용자가 상이한 시력 교정 결과들을 위해 이들 다양한 영역들을 사용하는 것을 가능하게 한다. PAINT-C는 비용 부가 없이 또는 거의 없이 더 높은 정밀도로 공칭적으로 곡선진 서브스트레이트들 상에 이들 자유형 표면들을 생성하기 위한 상당히 저-비용 대안일 수 있다. 게다가, PAINT-C는 또한 반사 방지, 스크래치 방지 및 정전기 방지 층들을 포함하는 부가적인 얇은 필름들의 폴리싱 및 증착을 위한 통합된 해결책이라는 부가된 이익을 가진다. 이들 필름들은 또한 PAINT-C에 의해 제공된 프로파일 제어와 조합하여 동일한 단계에서 패터닝될 수 있는 나노구조들을 포함할 수 있다. 곡선진 서브스트레이트들은 통상적으로 ~75 mm 직경 및 0.01 내지 20 m 범위의 곡률 반경을 가진 구면 표면들이다.
[00139] 더 특정한 애플리케이션들 중 하나는 각막의 비정상적인 얇아짐 및 벌징(bulging)에 의해 유발된 진행성 눈 질환인 원추각막의 초기로부터 중기-스테이지들에 대한 교정을 포함한다. 이것은 더 고차의 훨씬 더 큰 수차들을 가진 극히 높은 난시 도수들을 유발한다. 그런 경우들은 종종 외과 수술 및/또는 특수 콘택트 렌즈들을 사용하여 치료된다. 외과 수술은 비용이 많이 들지만, 특수 콘택트 렌즈들은, 콘택트 렌즈들의 연속적인 착용이 다른 안과 문제들을 유발할 수 있기 때문에 이상적이지 않다. 따라서, 이것은 PAINT-C를 사용하여 제공된 안경들의 자유형 제작으로 잠재적으로 이익을 얻을 수 있는 영역이다. 다른 애플리케이션은, 매우 정밀하게 프로파일링된 안경들이 20/20보다 더 우수한 시력들 및 ~20/8의 가능한 최대 시력과 마찬가지의 시력을 달성하는 데 사용될 수 있는 "초-정상" 시력의 애플리케이션이다. 안경 프로파일은 저차 및 고차 수차들을 포함하는 모든 시각적 수차들을 제거할 수 있고, 기준 광학 축에 대해 정밀한 배치를 위해 설계될 수 있다. 초-정상 시력이 ~20/8의 이상적인 시력을 달성하는 것을 목표로 하지만, 이것은 시각적 기능을 감소시킬 수 있는 색수차들의 존재를 초래할 수 있다. 따라서, 목표는 실제적인 초-정상 시력, 즉 기생 색수차들을 도입하지 않고 ~20/12 내지 ~20/15의 시력들을 달성하는 것일 수 있다. 대안적으로, 실제 초-정상 시력은 또한 정상 뷰잉 상황들 하에서의 넓은 시야와 비교할 때 실질적으로 좁은 시야에서 높은 시력들을 달성하기 위해 기하구조를 맞춤화함으로써 이들 렌즈들에서 달성될 수 있다. 이것은 사용자가 더 넓은 시야에서 정상 시력을 달성하면서 실질적으로 더 높은 시력의 존재를 요구하는 특정 임무들을 수행하는 것을 가능하게 할 수 있다.
[00140] 비-평면 표면들 상에 공간적으로 변하는 필름들을 증착하는 것은 또한 낮은 곡률 자유형 옵틱스에 대한 표면들을 포함하는 애플리케이션을 가진다.
[00141] X-선들에 대한 반사 옵틱스는 포커싱 목적들을 위한 금속-코팅 미러들에 의존한다. 이들은, 동일한 목적을 위해, 존 플레이트들을 사용하는 것과 관련된 어려움들을 고려할 때 대부분 하드 X-선들에 사용된다. 그러나, 반사 미러들이 원하는 해상도 및 포커스를 달성하기 위해 그레이징(grazing) 입사, 즉 거의 제로 입사 각도들을 사용하지만, 이 요건은 간섭 관련 반사에 의존하는 다층 미러들에 대해 완화된다. 예컨대, 총 외부 반사를 달성하기 위해 각각 에너지 1, 10 및 200 keV의 X-선들을 갖는 이리듐 샘플에 대해 대략 2도, 0.6 도 및 0.1 도의 임계 각도들이 요구된다. 이런 제약이 주어지면, 이들 미러들이 표면 거칠기 및 피겨(~λ/10)에 걸쳐 엄격한 공간 제어를 요구하고, 이것이 웨이퍼들에 대한 나노토포그래피와 유사하다는 것이 상상될 수 있다. X-선들의 파장은 <10 nm이고, 이는, 원하는 공간 제어가 <1 nm인 것을 의미한다. 이 공차 제한을 초과하는 거칠기 및 피겨의 임의의 작은 변화는 바람직하지 않은 산란 효과들을 유발할 수 있다. 따라서, 적응성 비교 정정은 원하는 품질의 광학 엘리먼트들을 얻기 위해 중요한 엘리먼트이다. 게다가, 미러 표면의 원하는 프로파일은 보통 원뿔 단면(포물선, 쌍곡선 또는 타원형)이어서, 다수의 그런 미러들의 어레인지먼트는 원하는 포커싱 특성들을 달성할 수 있다. 그런 프로파일들은 공칭적으로 원뿔 단면들이 아닌 표면들 상에서 진공 기반 우선 코팅 또는 차동 증착 기법들에 의해 입증되었다. PAINT-C는 잠재적으로, 두 기법들을 행하고, 피겨 불완전성들을 정정하는 것뿐 아니라 두께에 있어서 적합한 공간 변동들을 가진 필름들을 증착함으로서 피겨를 원뿔 단면 표면들과 유사하도록 적응적으로 수정하는 능력을 갖는다. 그런 필름의 증착 다음에 "매칭된 에칭-백"이 뒤따르고, 여기서 레지스트 및 서브스트레이트 표면 에칭은 동일한 레이트로 에칭된다. 이것은, 표면의 프로파일이 X-선 미러의 프로파일이 되도록 레지스트가 완전히 제거될 때까지 계속될 수 있다. 이어서, 기능성을 가능하게 하기 위해, 단일 또는 다수의 금속 층들은 PVD 또는 ALD를 사용하여 증착될 수 있다.
[00142] 정정기 플레이트들, 또는 보다 구체적으로 슈미트(Schmidt) 정정기 플레이트들은 필수적으로 광학 시스템의 주 구면 미러들, 이를테면 망원경에 의해 유발된 구면 수차들을 보상하도록 설계된 구면 렌즈들이다. 통상적인 구면 미러 구성들이 바람직하지 않은 고 차 수차들을 유도하고, 이의 구면 수차가 가장 두드러진 징후인 것이 잘 알려졌다. 이것이 구면 미러의 기하구조의 고유 특성이지만, 제작 에러들에 의해 악화될 수 있다. 비구면 렌즈들은 이들 수차들을 보상하는 프로파일을 제공함으로써 이들 수차들을 정정하는 데 사용될 수 있고, 그리고 이미징 시스템들에서 구면 미러들 앞의 광 경로에 사용될 때, 슈미트 정정기 플레이트들이라 불린다. 이들 플레이트들이 대개 원하지 않는 수차들을 엄격하게 제어할 필요가 있는 하이-엔드(high-end) 애플리케이션들에 사용되기 때문에, 이들 플레이트들은 정밀하게 제작될 필요가 있다. 이것은, PAINT-C가 최소 중간-공간 주파수 및 높은-공간 주파수 기생들을 갖는 올바른 피겨를 제공할 수 있을 뿐 아니라, 반사로 인한 손실들을 최소화하기 위한 특성들, 이를테면 반사 방지를 위해 코팅들 또는 나노구조들을 적용할 수 있기 때문에, 이익일 수 있는 경우이다. 게다가, 나노패터닝 능력으로 인해, 특정 평탄화가 또한 원해지는 경우 이들 플레이트들 상에 편광기들(와이어-그리드 편광기들을 포함함)을 제작하는 것이 또한 가능하다.
[00143] 나노스케일 포토닉 구조들은 상이한 영역들에 애플리케이션들을 가질 수 있는 몇몇 비선형 현상들(예컨대, 클로킹(cloaking), 네거티브 굴절률 등을 위한 메타재료들)을 가능하게 한다. 이들 나노구조들의 저비용 대면적 제작은 추가로 이들 기술들의 적응 장벽을 추가로 낮출 수 있다. 비용들을 낮추기 위한 하나의 방식은 낮은 결함으로 단일 단계에서 몇몇 상이한 포토닉 엘리먼트들(편광기들, 컬러 필터들, 도파관들, 다른 메타재료들 등)을 포함하는 나노포토닉 구조들의 전체 웨이퍼 회로의 제작을 가능하게 하는 것이다. 이것은, 상이한 포토닉 엘리먼트들이 변하는 패턴 기하구조 또는 방향성을 가지기 때문에, 현재 달성하기 어렵다. 예컨대, 편광기들은 1차원 어레이인 경향이 있는 반면, 컬러 필터들은 나노구조들의 2차원 어레이인 경향이 있다. 이것은 종종, 상이한 패턴들의 경계들에서, 또는 패턴들이 고도로 방향적으로 바이어싱되는 경향이 있을 때 결함들을 유도한다. 그러나, PAINT로 인해, 그런 결함들은 이런 패턴 기하구조 및/또는 방향성 변동 사이를 식별하기 위해 액적 패턴을 최적화함으로써 최소화될 수 있다. PAINT는 최적 액적 위치들 및 볼륨들을 가능하게 할 수 있어서, 탬플릿 콘택 이전의 층은 패턴 경계 및/또는 방향성 효과들을 완화할 수 있는 원하는 두께 변동을 가진다. 이것은 전체 포토닉 회로에 걸쳐 실질적으로 균일한 잔류 층을 유도할 수 있고, 이에 의해 더 균일한 포스트-프로세싱을 허용한다.
[00144] 다른 실시예에서, 용매-보조 임프린트 단량체 층으로부터 탬플릿의 콘택 및 충전(filling)으로부터 발생하는 잔류 층은 탬플릿 상의 실질적으로 균일한 패턴이라고 할만한 것을 위해 의도적으로 비-균일하게 만들어질 수 있다. 이어서, 후속적인 포스트-프로세싱 에칭 단계들을 통해, 그렇지 않으면 균일한 패턴의 임계 치수 및/또는 높이의 의도적인 변동들이 달성될 수 있다. 이것은 단일 웨이퍼 상에 포토닉 현상들의 아날로그 변조를 가능하게 할 수 있고 이에 의해 높은-스루풋 조합 실험들을 허용할 수 있다. 이 모두는 이미 논의된 바와 같이, 적합한 기능 최적화 루틴에 의해 지원되어야 한다. 이것은 또한, 탬플릿 상에 패턴 기하구조들의 변동들이 있는 경우로 확장될 수 있다.
[00145] 초-정밀도 애플리케이션들(광학 컴포넌트들, 포토리소그래피를 위한 포토마스크들 등)에서, 중력의 존재는 원하지 않는 기생들을 유도할 수 있다. 예컨대, 중력은, e-빔 리소그래피를 사용하여 포토마스크들을 라이팅할 때 나노스케일 패턴들의 정밀한 정렬에 지장을 줄 수 있는 평면 내 및 평면 밖 왜곡들을 초래할 수 있다. 그러나, 이들 왜곡들이 상보적인 프로파일을 가진 필름을 증착함으로써 보상되면, 중력과 연관된 기생들은 실질적으로 완화될 수 있다.
[00146] 원래 발명자의 이름을 딴 알바레즈(Alvarez) 렌즈들은 필수적으로, 튜닝가능 아날로그 출력 조정을 위해 반대 방향들로 2개의 렌즈들의 병진을 허용하는 렌즈 더블릿(doublet)들이다. 이것은 정밀하게 정의된 정육면체 프로파일을 가진 개별 렌즈 표면들을 만듦으로써 달성된다. 최근에, 이 아이디어는 난시의 조정을 포함하고, 노안에 대한 아날로그 원근조절을 위한 것뿐 아니라, 비-제로 처방 부근으로 포커스 및 난시 교정을 수행하도록 진보되었다. 그러나, 이 기법을 작동시키기 위해, 개별 렌즈 표면 프로파일들의 제작 및 변환이 정밀하게 행해져야 한다. 만약 그렇지 않으면, 이 기법은 시력 정정 품질을 떨어뜨릴 수 있는 상당한 기생들을 유도할 수 있다. 이 기법의 나노스케일 정밀도로 인해, PAINT-C는 대면적들에 걸쳐 2D 정육면체 프로파일들뿐 아니라, 렌즈 표면들의 동일한 상호 병진으로 고-차 수차들의 정정을 또한 잠재적으로 달성할 수 있는 고차 다항식들을 가진 2D 프로파일들을 제작하는 능력을 가진다. 게다가, 렌즈 표면들은 또한 중간 병진 거리들에서 특정 수차들을 정정하도록 설계될 수 있고, 이에 의해 특정 임무들, 이를테면 정상-광 독서, 낮은-광 운전, 중간-거리 타이핑 등에 대한 시력 정정을 허용한다. 이들 수차들은 낮은 광 조건들에서 큰 동공 사이즈들에 의해 유발되는 구면 수차들 및 코마 같은 고 차 수차들, 또는 각막 반흔 또는 형상 결함들로 인한 불규칙한 난시로부터 발생하는 고 차 수차들을 포함할 수 있다. 이들 수차들은 통상적으로 정정하기 어렵고 상이한 조명 조건들에서 변하여, 일정한 교정 안경이 실용 불가능하게 한다. 그런 렌즈들은 사용자의 선호도에 따라 아날로그 또는 이산 형태일 수 있는 변환 메커니즘을 가진 프레임에 통합될 수 있다. 따라서, 이 애플리케이션을 위해, PAINT-C는 상이한 시력 요구들에 대해 광범위한 커스토마이제이션 및 다기능성을 제공할 수 있다. 목표는, 자동화된 솔루션이 제공될 수 있는 원하는 "시력" 프로파일에 도달하기 위한 방향을 사용자에게 제공하는 것이다. 이 솔루션은 계층적 접근법으로 이루어질 수 있고, 여기서 개략적인 경로가 거의-바람직한 시력 경로를 달성하기 위해 주어지고, 그 다음 가장 원하는 시력을 얻기 위해 미세 정정이 뒤따른다. 그런 솔루션이 주어지지 않으면, 사용자는 원하는 비전 프로파일을 얻기 위해 전체 조합 세트를 탐색하는 데 어려움을 가진다. 이 아이디어는 열, 진동 또는 다른 주변 노이즈로 인한 파면 편차들을 겪을 수 있는 광학 디바이스들, 이를테면 현미경들에서 수차 정정을 위해 잠재적으로 확장될 수 있다.
[00147] 나노패터닝과 PAINT-C의 조합은 또한 몇몇 나노포노닉스 애플리케이션들에 유용할 수 있다. 일반적으로, 나노패터닝된 구조들은 비-평면 서브스트레이트 상에 직접 형성될 수 있거나, 평면 서브스트레이트 상에 제작되고, 이어서 정밀하게 프로파일링된 비-평면 서브스트레이트에 글루잉 또는 부착된다. 이들 나노패턴들을 직접 제작하거나 이들을 평면 필름들로부터 글루잉하는 프로세스는 비-평면 서브스트레이트를 따르는 실질적으로 평면 탬플릿에 유도된 기계적 스트레스로 인해 피처 왜곡들을 유도할 수 있다. 그러나, 이런 왜곡은 탬플릿 자체에 나노스케일 패턴의 설계로 보상될 수 있어서, 제작될 때, 나노스케일 피처들은 실질적으로 왜곡이 없다. 이 보상은, 실질적으로 비-평면 서브스트레이트 상에 후속적인 왜곡을 고정시키는 데 필요한 실질적으로 평면 탬플릿 상의 의도적인 왜곡이 방법들, 이를테면 유한 엘리먼트 분석을 통해 획득될 수 있는 인버스 문제를 풂으로써 달성될 수 있다. 다른 실시예에서, 이 왜곡은 실질적으로 평면 탬플릿 상에 최적 로드들을 적용하는 하나 또는 그 초과의 압전 액추에이터들 같은 힘 액추에이터들을 사용함으로써 실시간으로 극복될 수 있다. 하나의 애플리케이션들은, 공간, 스펙트럼 및 다른 정보가 객체에 대해 원해지는 하이퍼스펙트럴(hyperspectral) 이미징 영역 내에 있다. 이것은 통상적으로 조정가능 포커스 렌즈에 글루잉된 회절 광학 엘리먼트로 이루어진 조정가능 컬러 필터를 사용하여 달성된다. 회절 엘리먼트는 프리즘처럼 작용하고 그리고 다색 광을 각각 상이한 초점 길이를 가진 다색 광의 구성 컴포넌트들로 분할한다. 이어서, 조정가능 포커스 렌즈는 다른 파장에 비해 하나의 파장을 강조하기 위해 시스템의 포커스를 변경하는 데 사용된다. 알바레즈 렌즈 셋업에서 나노패터닝과 PAINT-C를 결합함으로써, 통상적으로 나노스케일 피처들을 가진 회절 격자인 회절 엘리먼트는 제1 렌즈 엘리먼트에 대한 적합한 표면 프로파일을 획득하는 것과 함께 패터닝될 수 있다. 알바레즈 더블릿의 제2 엘리먼트는 또한 부가적인 특징들, 이를테면 증가된 송신, 반사 방지 등을 위해 패터닝될 수 있거나, 또는 패터닝되지 않고 유지될 수 있다. 표면 프로파일들은 시스템의 최적 성능을 달성하기 위해 상이한 파장들에 걸쳐 고-차 수차들을 최소화하도록 최적화될 수 있다.
[00148] 본 발명의 다양한 실시예들의 설명들이 예시의 목적들을 위해 제시되었지만, 총망라되었거나 개시된 실시예들로 제한되도록 의도되지 않는다. 많은 수정들 및 변형들은 설명된 실시예들의 범위 및 사상에서 벗어나지 않고 당업자들에게 자명할 것이다. 본원에 사용된 용어는 실시예들의 원리들, 시장에서 발견된 기술들에 대한 실제적인 애플리케이션 또는 기술적 개선을 가장 잘 설명하거나, 또는 다른 당업자들이 본원에 개시된 실시예들을 이해할 수 있도록 선정되었다.
Claims (42)
- 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법으로서,
하나 또는 그 초과의 잉크젯들에 의해 공칭 비-평면 서브스트레이트(substrate) 상의 복수의 위치들에 전구체 액체 유기 재료의 액적(drop)들을 분배하는 단계;
수퍼스트레이트(superstrate)와 상기 서브스트레이트 사이에 있는 갭을 폐쇄하고, 이에 의해 상기 액적들이 상기 서브스트레이트와 상기 수퍼스트레이트 사이에 캡처된 연속한 필름을 형성하게 하는 단계;
상기 전구체 액체 유기 재료의 액적들을 분배하기 전에 인버스(inverse) 최적화 루틴에 의해 미리-결정된 시간까지 상기 수퍼스트레이트, 상기 연속한 필름 및 상기 서브스트레이트가 변화(evolve)하는 것을 가능하게 함으로써, 일정 시간 지속 기간 이후 상기 수퍼스트레이트, 상기 연속한 필름 및 상기 서브스트레이트의 비-평형 과도 상태가 발생할 수 있게 하는 단계;
상기 연속한 필름을 고체로 고체화하기 위해 상기 연속한 필름을 경화시키는 단계; 및
상기 고체로부터 상기 수퍼스트레이트를 분리시키고, 이에 의해 상기 서브스트레이트 상에 폴리머 필름을 남기는 단계
를 포함하고,
상기 수퍼스트레이트는 상기 서브스트레이트의 형상과 일치하는(conform),
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 서브스트레이트는 구면 표면, 비구면 표면, 원환체(toric) 표면, 원통형 표면, 원뿔 단면 및 자유형(freeform) 표면 중 하나를 포함하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 서브스트레이트를 2차원 입상(grain)들로 가상으로 분할하는 단계를 더 포함하고, 상기 2차원 입상들 각각은 잉크젯의 최적 젯팅(jetting) 범위를 초과하지 않는 고저차(peak-valley difference)를 가지며, 상기 2차원 입상들 각각은, 상기 전구체 액체 유기 재료의 액적들의 분배 이전에, 상기 잉크젯에 의해, 상기 잉크젯이 2차원 입상에 대응하는 액적 패턴을 분배하는 개별 서브스트레이트로서 처리되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제3 항에 있어서,
상기 전구체 액체 유기 재료의 액적들의 초기 분배에 후속하여, 상기 잉크젯의 상기 최적 젯팅 범위를 초과하지 않도록 그리고 상기 서브스트레이트 상에 원하는 단일 잉크젯 패턴을 생성하기 위해 상기 2차원 입상들 각각에 대응하는 잉크젯팅된 액적 패턴을 인접한 2차원 입상들의 잉크젯팅된 액적 패턴들과 스티칭(stitch)하도록 상기 서브스트레이트와 상기 잉크젯의 조화된(coordinated) 상대적 모션(motion)을 사용하는 단계를 더 포함하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 공칭 비-평면 서브스트레이트 상의 상기 복수의 위치들은 인버스 최적화 프레임워크로부터 유도되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 전구체 액체 유기 재료의 액적들의 분배 이전에, 상기 전구체 액체 유기 재료의 상기 액적들이 올바른 위치들에 분배되는 것을 보장하기 위해 상기 서브스트레이트와 기준 표면 사이의 좌표 프레임들을 정렬하는 단계를 더 포함하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 서브스트레이트 또는 상기 수퍼스트레이트의 배면은 상기 배면의 영역 전체 미만인 영역에 걸쳐 척(chuck)에 의해 유지되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 서브스트레이트 또는 상기 수퍼스트레이트의 배면은 상기 배면의 영역 전체인 영역에 걸쳐 척에 의해 유지되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 서브스트레이트 또는 상기 수퍼스트레이트의 배면은 곡선지고, 상기 서브스트레이트 또는 상기 수퍼스트레이트의 척킹(chucking)은 상기 서브스트레이트 또는 상기 수퍼스트레이트의 뒷면의 프로파일과 상보적인 프로파일을 가진 척을 사용하는 것, 동일 평면인 지역들에서 상기 배면을 척킹하는 것, 평면 배면을 부가하는 것 및 상기 평면 배면을 척킹하는 것 중 하나를 사용하여 수행되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 서브스트레이트 또는 상기 수퍼스트레이트는 멀티(multi)-지역 척을 사용하여 뒷면에 척킹되고, 상기 척의 하나 또는 그 초과의 지역들은 진공이 가해지고 상기 척의 하나 또는 그 초과의 다른 지역들은 상기 서브스트레이트 또는 상기 수퍼스트레이트를 가압하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 수퍼스트레이트는 인장 항복(tensile yield) 또는 좌굴 파괴(buckling failure)를 겪지 않고 최적 휨(bending) 강성을 달성하기 위해 적합하게 장력이 제어된 롤-투-롤(roll-to-roll) 필름이고, 상기 장력은 액적 병합 동안 높게 제어되고 상기 액적 병합 이후 낮게 제어되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 롤-투-롤 필름은 깨끗한 수퍼스트레이트들을 도입하도록 전진되어 하나의 서브스트레이트로부터 다른 서브스트레이트로 오염 결함들의 전파를 최소화하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 수퍼스트레이트는 상기 서브스트레이트의 형상과 상보적인 형상을 가지는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 수퍼스트레이트는 더 두꺼운 뒤판(backing)에 부착되거나 코팅된 얇은 필름으로 구성되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 얇은 필름은 상기 얇은 필름의 전체 영역에 걸쳐 연장되지 않은 상기 더 두꺼운 뒤판에 부착되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 하나 또는 그 초과의 잉크젯들의 잉크젯은 수직 방향으로 개별적으로 조정될 수 있는 다수의 노즐들을 가진 플랫폼으로 이루어지는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
핸들(handle)들이 비-평면 서브스트레이트로부터 비-평면 수퍼스트레이트의 분리를 돕기 위해 수퍼스트레이트 척에 부착되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 수퍼스트레이트는 광화학적 분해(photochemical ablation)를 사용하여 제거되는 희생 필름을 포함하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
분배된 액체 볼륨은, 액체가 상기 서브스트레이트와 상기 수퍼스트레이트 사이에 캡처되기 전에 상기 액체의 증발 프로파일, 고체화 동안 유발되는 상기 연속한 필름에 걸친 수축 효과들, 및 포스트(post)-프로세싱 동안 에칭기(etcher)로부터 발생하는 비-균일한 에칭 표시(signature)들 중 하나를 포함하는 기생 성분(parasitic)들을 보상하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
평형전 과도 현상들은, 상기 서브스트레이트 상에 분배된 유체 액적들의 볼륨 분포의 함수인 볼륨 분포를 갖는 필름 두께 프로파일을 생성하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 서브스트레이트는 입상들로 이산화되고, 각각의 입상에 분배된 액적들의 위치 및 볼륨은 실제 필름 두께 프로파일의 함수와 원하는 필름 두께 프로파일의 함수 사이의 에러를 최소화하기 위해 인버스 최적화를 사용하여 획득되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 서브스트레이트 상에 분배된 액적들의 위치 및 볼륨은 실제 필름 두께 프로파일의 함수와 원하는 필름 두께 프로파일의 함수 사이의 에러를 최소화하기 위해 인버스 최적화를 사용하여 획득되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제22 항에 있어서,
상기 인버스 최적화는 원하는 기능적 성능과 실제 기능적 성능 사이의 에러를 최소화하기 위한 기능적 최적화 루틴을 이용하여 향상(augment)되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제22 항에 있어서,
상기 인버스 최적화는 액적 볼륨들 또는 액적 위치들과 연관된 이산 변수들을 포함하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제22 항에 있어서,
상기 인버스 최적화는 비-평면 표면들의 존재 시 중력의 영향을 포함하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제25 항에 있어서,
상기 중력의 영향은 상기 수퍼스트레이트의 두께가 두께 치수의 임계치 미만이 되게 함으로써 최소화되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제25 항에 있어서,
상기 중력의 영향은 중력-유도 점성-모세관 충전(visco-capillary filling)을 극복하기 위한 주파수로 수퍼스트레이트-유체-서브스트레이트 샌드위치를 회전시킴으로써 최소화되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제22 항에 있어서,
상기 전구체 액체 유기 재료의 액적들의 분배 이전에, 상기 인버스 최적화의 부분으로서 선형화된 모델을 사용하는 단계를 더 포함하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 폴리머 필름은 광 또는 열적 경화에 의해 고체화되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 폴리머 필름은, 상기 연속한 필름을 고체로 고체화하기 위해 상기 연속한 필름을 경화시키는 것에 후속하여, 아래 놓인 기능적 필름 또는 상기 서브스트레이트에 필름 두께 프로파일의 전사가 가능하도록 에칭되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
분배된 액적들의 최소 볼륨은 피에조 젯(piezo jet)들 또는 전기 수력학(electro hydro dynamic) 젯들을 사용하여 10 피코리터 미만인,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
분배된 액적들의 최소 볼륨은 피에조 젯들 또는 전기 수력학 젯들을 사용하여 1 피코리터 미만인,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법은 그 자체의 기생 에러들을 도입하지 않고 상기 서브스트레이트에 대한 낮은-공간 주파수 토포그래피(topography) 및 중간-공간 주파수 토포그래피를 정정함으로써 광학 시스템들에서 에러들을 정정하기 위해 적용되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법은 향상된 알바레즈(Alvarez) 렌즈들의 2개의 정밀 광학 컴포넌트들을 제작하기 위해 적용되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법은 소비자 안경류에 대한 자유형(freeform) 표면들을 생성하기 위해 적용되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법은 저-차(lower-order) 제르니커(Zernike) 다항식 광학 수차들을 보상하기 위해 적용되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제1 항에 있어서,
상기 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법은 고-차(higher-order) 제르니커 다항식 광학 수차들을 보상하기 위해 적용되는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 얇은 필름들을 증착하기 위한 방법으로서,
규정된 방식으로 젯팅 시스템을 사용하여 액체 고체화가능 조성물의 액적들을 서브스트레이트 상에 증착하는 단계 ― 상기 액체 고체화가능 조성물은 이미 고체화된 조성물을 침투하지 않음 ―; 및
상기 서브스트레이트와 수퍼스트레이트 사이에 캡처된 연속한 필름을 형성하기 위해 상기 액적들을 병합하는 방식으로 상기 서브스트레이트와 상기 수퍼스트레이트 사이의 갭을 폐쇄하는 단계
를 포함하고,
상기 수퍼스트레이트는 로컬적으로 유연하고 최적 휨 강성을 지니며,
상기 휨 강성은 상기 액적들의 강건한 병합을 생성하는 데 요구되는 최소치보다 더 높지만, 상기 연속한 필름이 너무 빠르게 평형을 이루지 않아서 평형전 과도 현상들을 캡처하는 능력을 제공하는 것을 보장하는 데 요구되는 최대치보다 더 낮게 정의된 최적 범위 내에 있고,
상기 수퍼스트레이트는 상기 서브스트레이트의 형상과 일치하는,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제38 항에 있어서,
상기 액체 고체화가능 조성물은 상기 액체 고체화가능 조성물의 후속 증착에서 동일한,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 제38 항에 있어서,
상기 액체 고체화가능 조성물은 상기 액체 고체화가능 조성물의 후속 증착에서 상이한,
얇은 필름들을 증착하기 위한 방법. - 비-평면 서브스트레이트들 상에 패터닝하기 위한 방법으로서,
유체 조성물의 복수의 이산 부분들을 비-평면 서브스트레이트의 표면 상에 적용하는 단계;
패터닝된 탬플릿(template)과 상기 서브스트레이트 사이의 갭을 폐쇄시켜, 버블(bubble)들이 없는 유체 층을 유도하는 단계;
상기 유체 층을 고체화하는 단계; 및
상기 비-평면 서브스트레이트 상에 패턴을 남기도록 상기 서브스트레이트로부터 상기 패터닝된 탬플릿을 분리하는 단계
를 포함하고,
상기 패터닝된 탬플릿은 상기 서브스트레이트의 형상과 일치하는,
비-평면 서브스트레이트들 상에 패터닝하기 위한 방법. - 제41 항에 있어서,
상기 비-평면 서브스트레이트들을 패터닝하기 위한 방법은 낮은-공간 주파수 토포그래피 에러 및 중간-공간 주파수 토포그래피 에러를 또한 정정하면서 나노포토닉(nanophotonic) 구조들을 가진 광학 표면들을 획득하기 위해 적용되는,
비-평면 서브스트레이트들 상에 패터닝하기 위한 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201562242147P | 2015-10-15 | 2015-10-15 | |
| US62/242,147 | 2015-10-15 | ||
| PCT/US2016/057008 WO2017066546A1 (en) | 2015-10-15 | 2016-10-14 | Versatile process for precision nanoscale manufacturing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180083332A KR20180083332A (ko) | 2018-07-20 |
| KR102207781B1 true KR102207781B1 (ko) | 2021-01-26 |
Family
ID=58517870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187013795A KR102207781B1 (ko) | 2015-10-15 | 2016-10-14 | 정밀 나노스케일 제조를 위한 방법 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9987653B2 (ko) |
| EP (1) | EP3362189A4 (ko) |
| JP (1) | JP7077223B2 (ko) |
| KR (1) | KR102207781B1 (ko) |
| CN (1) | CN108348951A (ko) |
| AU (1) | AU2016340065B2 (ko) |
| CA (1) | CA3001848C (ko) |
| IL (1) | IL258703B2 (ko) |
| SG (1) | SG11201803014WA (ko) |
| WO (1) | WO2017066546A1 (ko) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2514139A (en) | 2013-05-14 | 2014-11-19 | Aghababaie Lin & Co Ltd | Apparatus for fabrication of three dimensional objects |
| US10166725B2 (en) | 2014-09-08 | 2019-01-01 | Holo, Inc. | Three dimensional printing adhesion reduction using photoinhibition |
| SG11201803014WA (en) * | 2015-10-15 | 2018-05-30 | Univ Texas | Versatile process for precision nanoscale manufacturing |
| US11141919B2 (en) | 2015-12-09 | 2021-10-12 | Holo, Inc. | Multi-material stereolithographic three dimensional printing |
| KR102353875B1 (ko) * | 2016-05-20 | 2022-01-21 | 더 보드 오브 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 잉크제트 좌표계에 대한 기판 좌표계의 정밀 정렬 |
| US10935891B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-02 | Holo, Inc. | Multi wavelength stereolithography hardware configurations |
| GB2564956B (en) | 2017-05-15 | 2020-04-29 | Holo Inc | Viscous film three-dimensional printing systems and methods |
| US10245785B2 (en) | 2017-06-16 | 2019-04-02 | Holo, Inc. | Methods for stereolithography three-dimensional printing |
| EP3427948B1 (en) * | 2017-07-10 | 2023-06-07 | Meta Platforms Technologies, LLC | Method for printing a three-dimensional structure and 3-d duplex printer thereof |
| US10580659B2 (en) * | 2017-09-14 | 2020-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Planarization process and apparatus |
| US11448958B2 (en) * | 2017-09-21 | 2022-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for controlling the placement of fluid resist droplets |
| CN107833649B (zh) * | 2017-10-16 | 2019-10-11 | 中国科学院电工研究所 | 一种x射线波带片的制备方法 |
| CN108162595B (zh) * | 2018-01-05 | 2023-07-25 | 嘉兴学院 | 一种柔性介质基板的电流体动力喷印设备及控制方法 |
| US11126083B2 (en) * | 2018-01-24 | 2021-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Superstrate and a method of using the same |
| US10606171B2 (en) * | 2018-02-14 | 2020-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Superstrate and a method of using the same |
| JP7301508B2 (ja) * | 2018-08-08 | 2023-07-03 | キヤノン株式会社 | 接合レンズ、およびそれを有する光学系、および光学機器、および接合レンズの製造方法 |
| SG11202106326PA (en) * | 2018-12-13 | 2021-07-29 | Univ Texas | System and method for modification of substrates |
| CN113474147A (zh) | 2018-12-26 | 2021-10-01 | 霍洛公司 | 用于三维打印系统和方法的传感器 |
| US10892167B2 (en) * | 2019-03-05 | 2021-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas permeable superstrate and methods of using the same |
| US11550216B2 (en) * | 2019-11-25 | 2023-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Systems and methods for curing a shaped film |
| US11567401B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanofabrication method with correction of distortion within an imprint system |
| US11562924B2 (en) * | 2020-01-31 | 2023-01-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Planarization apparatus, planarization process, and method of manufacturing an article |
| KR20220151633A (ko) * | 2020-02-25 | 2022-11-15 | 더 보드 오브 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 나노스케일 박막 적층 시스템 |
| US11787117B2 (en) | 2020-04-23 | 2023-10-17 | Rtx Corporation | Fabricating ceramic structures |
| CN111554812B (zh) * | 2020-05-14 | 2022-04-22 | 苏州大学 | 图案化有机晶体阵列的制备方法及有机场效应晶体管 |
| WO2021236657A1 (en) * | 2020-05-18 | 2021-11-25 | Sds Nano, Inc. | High precision nanoscale thin film fabrication processes |
| KR20230021143A (ko) * | 2020-06-08 | 2023-02-13 | 더 보드 오브 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 광학 소자 제조 방법 |
| CN114563312B (zh) * | 2022-01-27 | 2022-12-06 | 苏州大学 | 一种薄膜力学性能的测量方法及测量装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000055686A1 (en) * | 1997-05-21 | 2000-09-21 | Joseph Lyons | Passive shaped chuck for correcting field curvature |
| KR100690930B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2007-03-09 | 한국기계연구원 | 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴 두께 혹은 높은종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법 |
| US20070102844A1 (en) | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2010016405A (ja) | 2005-11-04 | 2010-01-21 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
| US20100012622A1 (en) | 2008-06-09 | 2010-01-21 | Board Of Regents, The University Of Texas | Adaptive Nanotopography Sculpting |
| JP4435414B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2010-03-17 | ディジラブ・インコーポレイテッド | 液体試薬吐出装置 |
| KR100963510B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2010-06-15 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 압인 리소그래피 프로세스 및 시스템 |
| US20150048050A1 (en) * | 2013-08-19 | 2015-02-19 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Programmable deposition of thin films of a user-defined profile with nanometer scale accuracy |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3324700A (en) * | 1964-09-21 | 1967-06-13 | United Shoe Machinery Corp | Pulling chuck for rivet setting tool |
| IT1199923B (it) * | 1985-12-23 | 1989-01-05 | Olivetti & Co Spa | Stampante a punti a getto d'inchiostro con testina multipla regolabile |
| US5772905A (en) | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
| US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| JP4511786B2 (ja) | 2000-07-16 | 2010-07-28 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 基板とこの基板から離れたテンプレートを整列させる方法 |
| US6964793B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
| JP2004004503A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-01-08 | Hoya Corp | 眼鏡レンズ階調着色システム |
| US7234810B2 (en) | 2003-11-14 | 2007-06-26 | Ophthonix, Inc. | System for manufacturing an optical lens |
| WO2006025726A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Vu Medisch Centrum | Artificial intraocular lens |
| US7906058B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Bifurcated contact printing technique |
| US8142702B2 (en) | 2007-06-18 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Solvent-assisted layer formation for imprint lithography |
| US8187515B2 (en) * | 2008-04-01 | 2012-05-29 | Molecular Imprints, Inc. | Large area roll-to-roll imprint lithography |
| JP5688268B2 (ja) * | 2010-11-08 | 2015-03-25 | 株式会社エルエーシー | 曲面塗装装置 |
| JP2014033069A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びディスペンサー |
| CN103064197B (zh) * | 2013-01-08 | 2014-01-15 | 吉林瑞尔康隐形眼镜有限公司 | 彩色软性亲水接触镜及其制备方法 |
| WO2014133145A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | Hoya株式会社 | 眼鏡レンズの製造方法および眼鏡レンズ基材用塗布液塗布装置 |
| US9079349B2 (en) * | 2013-08-19 | 2015-07-14 | Microcontinuum, Inc. | Methods for forming patterns on curved surfaces |
| JP6198634B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2017-09-20 | 株式会社エルエーシー | 曲面プリントシステム |
| SG11201803014WA (en) * | 2015-10-15 | 2018-05-30 | Univ Texas | Versatile process for precision nanoscale manufacturing |
-
2016
- 2016-10-14 SG SG11201803014WA patent/SG11201803014WA/en unknown
- 2016-10-14 CA CA3001848A patent/CA3001848C/en active Active
- 2016-10-14 US US15/293,884 patent/US9987653B2/en active Active
- 2016-10-14 AU AU2016340065A patent/AU2016340065B2/en active Active
- 2016-10-14 EP EP16856260.1A patent/EP3362189A4/en active Pending
- 2016-10-14 IL IL258703A patent/IL258703B2/en unknown
- 2016-10-14 KR KR1020187013795A patent/KR102207781B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-14 CN CN201680068023.3A patent/CN108348951A/zh active Pending
- 2016-10-14 JP JP2018519399A patent/JP7077223B2/ja active Active
- 2016-10-14 WO PCT/US2016/057008 patent/WO2017066546A1/en active Application Filing
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000055686A1 (en) * | 1997-05-21 | 2000-09-21 | Joseph Lyons | Passive shaped chuck for correcting field curvature |
| JP4435414B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2010-03-17 | ディジラブ・インコーポレイテッド | 液体試薬吐出装置 |
| KR100963510B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2010-06-15 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 압인 리소그래피 프로세스 및 시스템 |
| US20070102844A1 (en) | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
| JP2010016405A (ja) | 2005-11-04 | 2010-01-21 | Asml Netherlands Bv | インプリントリソグラフィ |
| JP4629147B2 (ja) | 2005-11-04 | 2011-02-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | インプリントリソグラフィ |
| KR100690930B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2007-03-09 | 한국기계연구원 | 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴 두께 혹은 높은종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법 |
| US20100012622A1 (en) | 2008-06-09 | 2010-01-21 | Board Of Regents, The University Of Texas | Adaptive Nanotopography Sculpting |
| US20150048050A1 (en) * | 2013-08-19 | 2015-02-19 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Programmable deposition of thin films of a user-defined profile with nanometer scale accuracy |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7077223B2 (ja) | 2022-05-30 |
| IL258703B2 (en) | 2023-11-01 |
| AU2016340065B2 (en) | 2020-05-14 |
| SG11201803014WA (en) | 2018-05-30 |
| CN108348951A (zh) | 2018-07-31 |
| CA3001848A1 (en) | 2017-04-20 |
| WO2017066546A1 (en) | 2017-04-20 |
| EP3362189A4 (en) | 2019-06-26 |
| US9987653B2 (en) | 2018-06-05 |
| IL258703B1 (en) | 2023-07-01 |
| AU2016340065A1 (en) | 2018-05-31 |
| CA3001848C (en) | 2023-09-19 |
| JP2018531786A (ja) | 2018-11-01 |
| KR20180083332A (ko) | 2018-07-20 |
| US20170106399A1 (en) | 2017-04-20 |
| EP3362189A1 (en) | 2018-08-22 |
| IL258703A (en) | 2018-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102207781B1 (ko) | 정밀 나노스케일 제조를 위한 방법 | |
| KR102292465B1 (ko) | 나노미터 스케일 정확도를 갖는 사용자 정의 프로파일의 프로그램 가능한 박막 적층 방법 | |
| CN100460805C (zh) | 散射对齐法在平版压印中的应用 | |
| JP7374584B2 (ja) | インクジェット座標系に対する基板座標系の精密アライメント | |
| US11656546B2 (en) | Exposure apparatus for uniform light intensity and methods of using the same | |
| US11776840B2 (en) | Superstrate chuck, method of use, and method of manufacturing an article | |
| US20230061361A1 (en) | Planarization apparatus, planarization process, and method of manufacturing an article | |
| US20210407797A1 (en) | Apparatus for uniform light intensity and methods of using the same | |
| US11107678B2 (en) | Wafer process, apparatus and method of manufacturing an article | |
| JP7071484B2 (ja) | インプリントシステム内のディストーションの補正を伴うナノ製作方法 | |
| US11664220B2 (en) | Edge exclusion apparatus and methods of using the same | |
| US20220102156A1 (en) | Planarization apparatus, planarization process, and method of manufacturing an article | |
| US11262652B2 (en) | Nanofabrication method with correction of distortion within an imprint system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |