KR20070118873A - 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법 및 그 제조장비 - Google Patents

박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법 및 그 제조장비 Download PDF

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Abstract

본 발명은 본 발명의 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법 및 그 제조장비에 관한 것으로서, 광경화 소재를 이용하여 몰드를 제작하기 때문에 몰드의 변형 또는 손상의 우려가 없으며 또한 몰드의 변형 또는 손상의 우려가 없으므로 매우 얇게 제작할 수 있어 제조 소자의 신뢰성 향상 및 재료 절감을 통한 생산성 향상의 장점이 있다.

Description

박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법 및 그 제조장비{Manufacturing apparatus and method thereof for TFT}
도 1a 내지 도 1g는 각각 종래의 박막트랜지스터의 제조공정을 설명하기 위한 단면도
도 2a 내지 도 2c는 각각 박막트랜지스터 제조용 소프트 몰드의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
도 3은 도 2a 내지 2c의 제조 공정을 설명하기 위한 공정흐름도
도 4는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비를 간략히 도시한 단면구성도
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 마스터 기판 110 : 몰드용 레진
120 : 분리용 기판 210 : 챔버
220 : 스테이지 230 : 기판 지그
240 : 기판 가이드 250 : 광투과창
260 : UV램프
본 발명은 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법 및 그 제조장비에 관한 것으로서, 특히 광(light) 경화를 통해 가볍고 경시변화가 없는 박막트랜지스터 제조용 몰드를 제조하는 방법과 그 제조장비에 관한 것이다.
일반적으로 박막트랜지스터는 액정표시장치와 유기전계발광소자의 스위칭 및 구동소자로 사용된다.
이러한 박막트랜지스터의 제조공정을 도 1a 내지 도 1g의 단면도를 참조하여 설명한다. (설명의 편의상 모든 구성들은 사진식각 방법에 의해 형성되며, 이러한 방법은 각 공정에 따라 반복되므로 편의상 사진식각공정은 제1마스크 공정에서만 설명하기로 한다.)
이하, 도 1a 내지 도 1c는 제 1 마스크 공정을 설명한 도면이다.
먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이, 절연 기판(10)상에 알루미늄(Al)또는 알루미늄 합금(AlNd)을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 금속을 증착하여 제 1 금속층(12)을 형성한다.
상기 제 1 금속층(12)의 상부에 포토레지스트(photo-resist, 이하 "PR"이라 칭함)를 도포하여 PR층(14)을 형성한다.(이때, PR은 포지티브 타입으로 가정한다.)
상기 PR층(14)이 형성된 기판(10)의 상부에 투과부(A)와 차단부(B)로 구성된 마스크(M)가 위치하도록 하고, 마스크(M)의 상부로부터 빛을 조사하는 공정을 진행한다.
이와 같이 하며, 상기 투과부(A)를 통과한 빛은 이에 대응하는 PR층(14)을 노광하게 되고, 노광된 PR층은 화학적으로 변형되는 과정을 겪는다.
따라서 상기 노광된 부분을 스트립 용액을 이용하여 제거하게 되면 도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 금속층(12)의 상부로 패턴된 PR층(16)이 형성된다.
상기 패턴된 PR층(16) 사이로 노출된 제 1 금속층(12)을 제거한 후, 패턴된 PR층(16)을 제거하는 공정을 진행하게 되면, 도 1c에 도시한 바와 같이, 소정형상의 게이트 전극(18)이 형성된다.
도 1d는 제 2 마스크 공정인 액티브층 형성공정을 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(18)을 절연하기 위한 게이트 절연막(20)을 형성하고, 게이트 절연막(20)의 상부에 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)을 증착하고 앞서 설명한 사진식각 공정을 통해 패턴하여, 상기 게이트 전극(18) 상부의 게이트 절연막(20)상에 액티브층(22)과 오믹콘택층(24)을 형성한다.
도 1e는 제 3 마스크 공정인 소스 및 드레인전극의 형성공정을 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 상기 액티브층(22)과 오믹콘택층(24)이 형성된 기판(20)의 전면에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 구리(Cu)등을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증 착하고 제 3 마스크 공정으로 식각하고 패턴하여, 상기 오믹콘택층(24)상에 소정간격 이격된 소스 전극(26)과 드레인전극(28)을 형성한다.
도 1f는 제 4 마스크 공정인 보호막 패턴 공정을 나타내 도면이다.
도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인전극(26,28)이 형성된 기판(10)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하거나, 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하여 보호막(30)을 형성한다.
상기 보호막을 제 5 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 드레인전극(28)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(32)을 형성한다.
도 1g는 제 5 마스크 공정인 화소전극 패턴 공정을 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이, 상기 보호막(30)이 형성된 기판(10)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 제 5 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 노출된 드레인전극(28)과 접촉하는 화소 전극(34)을 형성한다.
전술한 바와 같은 공정을 통해 액정표시장치에 구성되는 박막트랜지스터와 이에 연결된 화소전극을 형성할 수 있다.
그러나 전술한 바와 같은 종래의 박막트랜지스터 공정을 각 구성층을 형성하는 공정마다 별도의 사진식각 공정을 사용하게 된다.
사진식각 공정은 앞서 설명한 바와 같이, PR층을 코팅하고 이를 마스크를 통 해 노광하고 현상하는 공정을 통해 하부의 구성층을 노출하게 되고, 다시 노출된 구성층을 식각하는 공정을 거쳐 비로소 원하는 형상의 구성요소를 형성하게 된다.
이러한 종래의 노광방식을 이용한 패턴공정은 별도의 값비싼 노광장치를 필요로 하며, 공정 또한 매우 복잡하여 공정 수율을 낮추고 재료비를 상승시키는 원인이 되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 박막트랜지스터 제조용 몰드 제작시 상기 몰드의 변형이 발생하지 않으며 또한 매우 얇은 두께로도 제작이 가능한 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법과 그 제조 장비를 제공하는데 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 양각 또는 음각의 패턴이 형성된 마스터기판을 구비하는 제1단계와; 상기 마스터기판 상부에 몰드용 레진을 코팅하는 제2단계와; 상기 몰드용 레진에 빛을 조사하여 경화시키는 제3단계를 포함하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법을 제공한다.
상기 마스터기판의 소재는 실리콘인 것을 특징으로 한다.
상기 양각 또는 음각의 패턴은 금속, 포토레지스트, 왁스, 실리카(SiO2), 질 화규소(Si3N4) 중 하나를 이용하여 상기 마스터기판 상부에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 빛은 자외선인 것을 특징으로 한다.
상기 각 단계는 진공의 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 한다.
상기 제조방법은 상기 마스터기판으로부터 상기 몰드용 레진을 분리하는 제4단계를 더욱 포함한다.
상기 제4단계는, 표면에 접착제가 도포된 분리용 기판을 상기 몰드용 레진과 접촉시킨후 다시 원위치로 이동시켜 상기 몰드용 레진과 상기 마스터기판을 분리시키는 것을 특징으로 한다.
상기 분리용 기판의 소재는 글라스, 석영, 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리 메틸 메타 아크릴레이트(PMMA), 폴리 카보네이트(PC) 중 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 접착제는 스프레이방식, 스핀 코팅 방식, 슬릿 코팅 방식, 바 코팅 방식 중 하나의 방법으로 도포되는 것을 특징으로 한다.
상기 접착제는 쓰리엠(3M) 사의 EC-2320으로 명명된 소재인 것을 특징으로 한다.
상기 몰드용 레진은 액상 고분자 전구체이며 또한 광경화 소재인 것을 특징으로 한다.
상기 몰드용 레진은 폴리우레탄 아크릴레이트이거나 글리시딜 아크릴레이트 또는 부틸 메타크릴레이트에 이가큐어 369 또는 이가큐어 819가 혼합된 소재인 것을 특징으로 한다.
상기 제2단계는, 상기 마스터기판에 상기 몰드용 레진을 스핀 코팅 방식 또는 슬릿 코팅 방식으로 코팅하는 것을 특징으로 한다.
아울러 본 발명은, 몰드용 레진이 코팅된 마스터기판이 상부에 안착되고 상하 기동 및 좌우 기동이 가능한 스테이지부와; 상기 스테이지부의 상부에 위치하며 상기 마스터기판으로부터 상기 몰드용 레진을 분리시키기 위한 분리부와; 상기 스테이지부와 분리부가 내치되며 광투과부를 구비한 챔버와; 상기 챔버의 외부에 구성되며 상기 광투과부를 통해 상기 마스터기판으로 빛을 조사하는 광조사부를 포함하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비를 제공한다.
상기 광조사부는 석영, 글라스 중 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 분리부는, 상기 몰드용 레진과 접촉시키기 위한 분리용 기판과, 상기 분리용 기판이 안착되는 기판 지그와, 상기 분리용 기판을 고정시키는 기판 가이드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 분리용 기판에는 접착제가 도포된 것을 특징으로 한다.
상기 광조사부는 자외선광을 조사하는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버는 진공의 분위기를 조성하는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버의 외장에 고정되어 상기 광투과부를 통해 상기 챔버 내부를 촬영하기 위한 카메라를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 카메라는 비젼 카메라인 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
도 2a 내지 2d는 본 발명의 일 실시에 따른 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이고 도 3은 그 제조방법의 순서를 도시한 공정흐름도이다.
먼저 본 발명의 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법은, 양각 또는 음각으로 패턴이 형성된 마스터 기판에 몰드용 레진을 적층시켜 코딩하고, 이후 상기 몰드용 레진에 자외선(UV)을 조사하여 경화시키는 것이 특징이다.
이를 좀더 자세히 설명하면, 도 2a와 같이, 상부에 양각으로 패턴(102)이 형성된 마스터 기판(100)을 구비한다.(ST1)
이때, 상기 패턴(102)은 상기 마스터 기판(100)에 음각으로 형성될 수도 있다. 또한 상기 마스터 기판(100)과 상기 패턴(102)은 동일 소재의 일체형으로 형성될 수도 있고, 또는 서로 다른 소재로서 구성될 수도 있다. 또한 상기 마스터 기판(100)은 실리콘(Si) 소재이고, 상기 패턴(102)의 소재는 상기 실리콘(Si), 금속, 포토레지스트(PR), 왁스(Wax), 질화규소(Si3N4), 실리카(SiO2) 중 선택된 재료이다.
상기와 같이 구비된 마스터 기판(100) 상에 도 2b와 같이 몰드용 레진(110)을 코팅한다.(ST2)
상기 몰드용 레진(110)으로는 액상 고분자 전구체이며 또한 광경화 특성을 가진 소재가 사용되며, 일예로서 폴리우레탄 아크릴레이트(polyurethane acrylate)이거나 또는 글리시딜 아크릴레이트(Glycidyl acrylate) 또는 부틸 메타크릴레이 트(butyl methacrylate) 등에 이가큐어 369(Irgacure 369) 또는 이가큐어 819(Irgacure 819) 등의 광개시제가 혼합된 소재이면 적절하다.
상기 마스터 기판(100) 상에 몰드용 레진(110)을 코팅하는 방법으로는 스핀-코팅(spin-coating) 또는 슬릿-코팅(slit-coating) 방법 등을 이용할 수 있으며, 필요에 따라 코팅 두께를 선택하여 코팅한다.
이후 도 2c와 같이, 상기 마스터 기판(100)에 코팅된 몰드용 레진(110)에 빛을 조사하여 상기 몰드용 레진(110)을 경화시키는데, 이때 상기 몰드용 레진(110)에 조사되는 빛은 자외선(UV)이다.(ST3)
상기 자외선(UV)에 의해 상기 몰드용 레진(110)은 경화되는데, 빛을 이용하여 경화를 진행시키기 때문에 상기 몰드용 레진(110)은 별다른 변형 또는 손상이 발생하지 않아 박막트랜지스터 제조용 몰드를 매우 얇은 두께로도 형성할 수 있는 장점을 제공한다.
다음으로 상기 자외선(UV)에 의해 경화된 몰드용 레진(110)을 상기 마스터 기판(100)으로부터 분리시키는데(ST4), 일예로 도 2d와 같이, 분리용 기판(120)을 이용하여 상기 마스터 기판(100)으로부터 분리시키는 방법을 설명한다.
도 2d에 도시된 분리용 기판(120)은 상기 경화된 몰드용 레진(110)의 배면에 접착되어 상기 마스터 기판(100)으로부터 분리시키기 위한 것으로서, 미리 표면에 접착제를 코팅시킨 후 상기 몰드용 레진(110)에 접촉시킨다.
이후 상기 분리용 기판(120)을 후진 기동시키게 되면 접착제에 의해 상기 경화된 몰드용 레진(110)이 상기 분리용 기판(120)에 접착된 상태로 상기 마스터 기 판(100)으로부터 분리된다.
이때 상기 분리용 기판(120)은 투명소재인 글라스, 석영(Quartz), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(Poly ethylene terephthalate:PET), 폴리 메틸 메타 아크릴레이트(Polymethyl methacrylate:PMMA), 폴리 카보네이트(Polycarbonate:PC) 중 하나이며, 상기 접착제는 3M사의 EC-2320으로 명명된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
아울러, 상기 접착제는 상기 분리용 기판(120)에 스프레이 방식, 스핀-코팅 방식, 슬릿-코팅 방식, 바 코팅(Bar coating) 방식 등으로 코딩되며, 바람직하게는 건조되어 점착된 상태이다.
상기 설명한 바와 같은 본 발명의 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법은 불순물의 오염을 방지하기 위해 진공의 분위기에서 수행되는 것이 가장 바람직하다.
이하 상기와 같은 단계를 거쳐 도 2d와 같은 최종 형태로 제조되는 박막트랜지스터 제조용 몰드를 제작할 수 있는 장비에 대해 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비(200)를 간략히 도시한 단면구성도이다.
설명하면, 진공의 분위기를 조성할 수 있는 챔버(210) 내에 상하 및 좌우 기동을 수행할 수 있는 스테이지(220)를 구성한다.
상기 스테이지(220) 상부에 몰드용 레진(110)이 코팅된 마스터 기판(100)이 안착되며, 상기 챔버(210)의 천정부에는 상기 마스터기판(100)으로부터 상기 몰드용 레진(110)을 분리시키기 위한 시설이 구성되는데, 상기 몰드용 레진(110)과 접 촉되며 접착제가 코팅된 분리용 기판(120)과, 상기 분리용 기판(120)이 안착되며 상하기동이 수행되는 기판 지그(230)와, 상기 분리용 기판(120)이 상기 기판지그(230)에 고정되어 움직이지 않도록 하는 기판 가이드(240)가 포함되어 구성된다.
또한 상기 챔버(210)의 상부면은 빛이 투과될 수 있도록 석영, 글라스 등의 투명 소재로 된 광투과창(250)이 형성되고, 상기 챔버의 외부에 구성된 UV램프(260)에서 조사되는 자외선(UV)이 상기 광투과창(250)을 통해 상기 챔버(210) 내부로 조사된다.
또한 도시되지는 않았지만, 상기 광투과창(250)의 상부에는 비젼 카메라(Vision camera)를 설치하여 챔버(210) 내 작업을 감시하도록 할 수도 있다.
상기 구성의 박막트랜지스터 제조용 몰드 제조장비의 동작을 간략히 설명하면 다음과 같다.
몰드용 레진(110)이 코팅된 마스터 기판(100)은 상기 챔버(210) 내로 이동되어 상기 스테이지(220)에 안착된다.
이후 상기 UV램프(260)는 자외선(UV)을 출사하고, 상기 UV램프(260)로부터 출사된 자외선(UV)은 상기 광투과창(250)과 분리용 기판(120)을 투과하여 상기 몰드용 레진(110)에 조사된다.
이후, 자외선(UV) 조사를 통해 경화된 몰드용 레진(110)을 상기 마스터 기판(100)으로부터 분리시키기 위해 상기 기판 지그(230)를 하강시키고, 상기 분리용 기판(120)과 몰드용 레진(110)이 접촉되면 소정의 시간 후에 상기 기판 지그(230)를 상승 기동시킨다. 이때, 상기 분리용 기판(120)에는 접착제가 코팅되어 있기 때 문에 상기 몰드용 레진(110)은 상기 분리용 기판(120)에 접착되어 상기 마스터 기판(100)으로부터 분리된다.
이러한 일련의 챔버내 공정은 진공의 분위기에서 수행되며, 상기 자외선(UV)에 의해 경화된 몰드용 레진(110)이 접착된 분리용 기판(120)은 후속 공정을 위해 상기 챔버(210)로부터 후속 공정 장비로 이송된다.
상기와 같이 설명한 본 발명의 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법 및 그 제조장비는 기존의 방법, 예를 들어 열경화 방법 등을 통해 박막트랜지스터 제조용 몰드를 제조하는 방법에 비해 몰드의 변형 또는 손상의 우려가 없으며, 또한 몰드의 변형 또는 손상의 우려가 없으므로 매우 얇게 제작할 수 있어 제조 소자의 신뢰성 향상 및 재료 절감을 통한 생산성 향상의 장점이 있다.

Claims (21)

  1. 양각 또는 음각의 패턴이 형성된 마스터기판을 구비하는 제1단계와;
    상기 마스터기판 상부에 몰드용 레진을 코팅하는 제2단계와;
    상기 몰드용 레진에 빛을 조사하여 경화시키는 제3단계
    를 포함하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  2. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 마스터기판의 소재는 실리콘인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  3. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 양각 또는 음각의 패턴은 금속, 포토레지스트, 왁스, 실리카(SiO2), 질화규소(Si3N4) 중 하나를 이용하여 상기 마스터기판 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  4. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 빛은 자외선인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  5. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 각 단계는 진공의 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  6. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 마스터기판으로부터 상기 몰드용 레진을 분리하는 제4단계
    를 더욱 포함하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  7. 청구항 제 6 항에 있어서,
    상기 제4단계는,
    표면에 접착제가 도포된 분리용 기판을 상기 몰드용 레진과 접촉시킨후 다시 원위치로 이동시켜 상기 몰드용 레진과 상기 마스터기판을 분리시키는 것을 특징으 로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  8. 청구항 제 7 항에 있어서,
    상기 분리용 기판의 소재는 글라스, 석영, 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리 메틸 메타 아크릴레이트(PMMA), 폴리 카보네이트(PC) 중 하나인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  9. 청구항 제 7 항에 있어서,
    상기 접착제는 스프레이방식, 스핀 코팅 방식, 슬릿 코팅 방식, 바 코팅 방식 중 하나의 방법으로 도포되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  10. 청구항 제 7 항에 있어서,
    상기 접착제는 쓰리엠(3M)사의 EC-2320으로 명명된 소재인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  11. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 몰드용 레진은 액상 고분자 전구체이며 또한 광경화 소재인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  12. 청구항 제 1항에 있어서,
    상기 몰드용 레진은 폴리우레탄 아크릴레이트이거나 글리시딜 아크릴레이트 또는 부틸 메타크릴레이트에 이가큐어 369 또는 이가큐어 819가 혼합된 소재인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  13. 청구항 제 1 항에 있어서,
    상기 제2단계는, 상기 마스터기판에 상기 몰드용 레진을 스핀 코팅 방식 또는 슬릿 코팅 방식으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조방법
  14. 몰드용 레진이 코팅된 마스터기판이 상부에 안착되고 상하 기동 및 좌우 기동이 가능한 스테이지부와;
    상기 스테이지부의 상부에 위치하며 상기 마스터기판으로부터 상기 몰드용 레진을 분리시키기 위한 몰드분리부와;
    상기 스테이지부와 몰드분리부가 내치되며 광투과부를 구비한 챔버와;
    상기 챔버의 외부에 구성되며 상기 광투과부를 통해 상기 마스터기판으로 빛을 조사하는 광조사부
    를 포함하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비
  15. 청구항 제 14 항에 있어서,
    상기 광조사부는 석영, 글라스 중 하나인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비
  16. 청구항 제 14 항에 있어서,
    상기 몰드분리부는,
    상기 몰드용 레진과 접촉시키기 위한 분리용 기판과, 상기 분리용 기판이 안착되는 기판 지그와, 상기 분리용 기판을 고정시키는 기판 가이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비
  17. 청구항 제 16 항에 있어서,
    상기 분리용 기판에는 접착제가 도포된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비
  18. 청구항 제 14 항에 있어서,
    상기 광조사부는 자외선광을 조사하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비
  19. 청구항 제 14 항에 있어서,
    상기 챔버는 진공의 분위기를 조성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비
  20. 청구항 제 14 항에 있어서,
    상기 챔버의 외장에 고정되어 상기 광투과부를 통해 상기 챔버 내부를 촬영하기 위한 카메라
    를 더욱 포함하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비
  21. 청구항 제 20 항에 있어서,
    상기 카메라는 비젼 카메라인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조용 몰드의 제조장비
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110129446A (ko) * 2009-03-17 2011-12-01 도판 인사츠 가부시키가이샤 반도체 소자용 기판의 제조 방법 및 반도체 장치

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100832298B1 (ko) * 2006-06-29 2008-05-26 엘지디스플레이 주식회사 패턴 형성용 레지스트와 이를 이용한 소프트몰드 제조방법
KR101329079B1 (ko) 2007-04-09 2013-11-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP2010049745A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Fuji Electric Device Technology Co Ltd ナノインプリント用モールドおよびこれを用いて作製された磁気記録媒体
US20100264566A1 (en) * 2009-03-17 2010-10-21 Suss Microtec Inc Rapid fabrication of a microelectronic temporary support for inorganic substrates
NL2005263A (en) * 2009-09-29 2011-03-30 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.
KR101255285B1 (ko) * 2009-12-18 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법
SG187703A1 (en) 2010-08-06 2013-03-28 Soken Kagaku Kk Resin mold for nanoimprinting and manufacturing method thereof
US8651849B2 (en) * 2011-01-10 2014-02-18 Xerox Corporation Digitally prepared stamp masters and methods of making the same
KR101260939B1 (ko) * 2011-03-09 2013-05-06 엘아이지에이디피 주식회사 점착 모듈, 이를 포함하는 기판 합착 장치 및 점착 패드의 제조방법
KR101576702B1 (ko) * 2012-06-08 2015-12-10 코오롱인더스트리 주식회사 유리섬유시트의 수지조성물 도포장치

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2670110B2 (ja) * 1988-11-10 1997-10-29 大日本印刷株式会社 スタンパ
DE69524247T2 (de) * 1995-08-04 2002-08-08 Ibm Stempel für lithographie-verfahren
US6482742B1 (en) * 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
US5669303A (en) * 1996-03-04 1997-09-23 Motorola Apparatus and method for stamping a surface
JPH1010741A (ja) * 1996-06-27 1998-01-16 Dow Corning Asia Kk 紫外線硬化性ポリシロキサン組成物およびこれを用いた硬化物パターンの製造方法
DE19648844C1 (de) * 1996-11-26 1997-09-18 Jenoptik Jena Gmbh Einrichtung und Verfahren zur Abformung mikrosystemtechnischer Strukturen
JP4082545B2 (ja) * 2000-01-11 2008-04-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマディスプレイパネル用基板を製造するための装置、成形型及び方法
JP2001234383A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Nikon Corp スタンパーの製造方法
US6663820B2 (en) * 2001-03-14 2003-12-16 The Procter & Gamble Company Method of manufacturing microneedle structures using soft lithography and photolithography
JP2003086537A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Tdk Corp 構造体を用いた薄膜パターン製造方法および構造体
JP2003109915A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 剥離性雰囲気でのインプリントリソグラフィー方法及び装置
US20030071016A1 (en) * 2001-10-11 2003-04-17 Wu-Sheng Shih Patterned structure reproduction using nonsticking mold
US7455955B2 (en) * 2002-02-27 2008-11-25 Brewer Science Inc. Planarization method for multi-layer lithography processing
US6849558B2 (en) * 2002-05-22 2005-02-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Replication and transfer of microstructures and nanostructures
JP4326190B2 (ja) * 2002-07-10 2009-09-02 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 可とう性成形型及びその製造方法
MY144124A (en) * 2002-07-11 2011-08-15 Molecular Imprints Inc Step and repeat imprint lithography systems
JP2004216641A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Three M Innovative Properties Co 可とう性成形型及びその製造方法ならびに微細構造体の製造方法
KR100568581B1 (ko) * 2003-04-14 2006-04-07 주식회사 미뉴타텍 미세패턴 형성 몰드용 조성물 및 이로부터 제작된 몰드
JP4625247B2 (ja) * 2003-10-24 2011-02-02 株式会社ナノテック マイクロコンタクトプリント方法及び装置
JP6067954B2 (ja) * 2003-12-19 2017-01-25 ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒルＴｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｏｆ Ｎｏｒｔｈ Ｃａｒｏｌｉｎａ Ａｔ Ｃｈａｐｅｌ Ｈｉｌｌ ナノサイズ物品、及びソフトリソグラフィー又はインプリントリソグラフィーを用いる分離構造の作製方法によって製造されたナノサイズ物品
JP4466074B2 (ja) * 2003-12-26 2010-05-26 株式会社日立製作所 微細金属構造体とその製造方法、並びに微細金型とデバイス
KR101050292B1 (ko) * 2003-12-27 2011-07-19 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
KR20050075580A (ko) * 2004-01-16 2005-07-21 엘지전자 주식회사 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작방법
JP4393244B2 (ja) * 2004-03-29 2010-01-06 キヤノン株式会社 インプリント装置
JP3819397B2 (ja) * 2004-03-30 2006-09-06 株式会社東芝 インプリント方法
KR101185613B1 (ko) * 2004-04-27 2012-09-24 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 소프트 리소그래피용 복합 패터닝 장치
WO2005105401A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Minuta Technology Co. Ltd. Mold made of amorphous fluorine resin and fabrication method thereof
JP4420746B2 (ja) * 2004-06-09 2010-02-24 リコー光学株式会社 形状転写用金型、及びその製造方法、並びにそれを用いた製品の製造方法
JP4154529B2 (ja) * 2004-08-27 2008-09-24 株式会社日立プラントテクノロジー 微細構造転写装置
US7641468B2 (en) * 2004-09-01 2010-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography apparatus and method employing an effective pressure
ATE509298T1 (de) * 2004-09-15 2011-05-15 Agency Science Tech & Res Bedruckter polymer-träger
JP2006116602A (ja) * 2004-09-24 2006-05-11 Bondotekku:Kk 加圧装置の平行調整方法及び装置
JP2006137021A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Asahi Glass Co Ltd 転写体の製造方法
JP2006237312A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Yoshihiko Hirai 注型インプリント法
JP5082262B2 (ja) * 2006-03-03 2012-11-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 樹脂膜の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110129446A (ko) * 2009-03-17 2011-12-01 도판 인사츠 가부시키가이샤 반도체 소자용 기판의 제조 방법 및 반도체 장치

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