JP2014059305A - インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 271
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 233
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 121
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 115
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 72
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 107
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 description 39
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000012552 review Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019912 CrN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】凹凸を有するパターン面全体及び平坦面からなるパターン面11の裏面が透明導電膜20で被覆されているインプリント用ガラス基板30を検査する検査方法であって、ステージ上に載置されたインプリント用ガラス基板30のパターン面11に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子ビーム照射工程と、該電子ビームの照射によりパターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する電子検出工程と、該検出面で検出された電子からパターン面11の画像を取得し、パターン面11の欠陥を検出する欠陥検出工程と、を含み、欠陥検出工程は、電子検出工程によりミラー電子を検出した場合の信号と二次放出電子を検出した場合の信号との差に基づき、パターン面11に存在する異物を検出する。
【選択図】図1
Description
11、11a パターン面
12 凸部
13 凹部
15 微細パターン
16 裏面
20 透明導電膜
30、30a、30b、30c インプリント用ガラス基板
40 シリコン基板
50、60 レジスト
70 1次光学系
71 電子銃
72、75、77、79、80、91、93 レンズ
73、74、78、92 アパーチャ
76 E×Bフィルタ
90 2次光学系
94 アライナ
100 検出器
101 EB−CCD
102 EB−TDI
103 ピン
104 カメラ
105 パッケージ
110 画像処理装置
120 ステージ
130 ランディングエネルギー設定手段
131 加速電圧設定手段
132 基板電圧調整機構
140 光学顕微鏡
150 SEM
160 メインチャンバ
161 トランスファーチャンバ
162 ロードロックチャンバ
170 除振台
180 ミニエンバイロメント
190 ロードポート
200 電子光学系
210 電子光学系制御装置
220 システムソフト
250 異物
280 画像
Claims (8)
- インプリント用の凹凸を有する微細パターンが形成されたパターン面及び平坦面からなる前記パターン面の裏面を有するガラス基板を備え、
前記凹凸を有するパターン面全体及び前記平坦面からなる前記パターン面の裏面が透明導電膜で被覆されているインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査方法であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子ビーム照射工程と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する電子検出工程と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出工程と、を含み、
前記欠陥検出工程は、前記電子検出工程によりミラー電子を検出した場合の信号と前記電子検出工程により二次放出電子を検出した場合の信号との差に基づき、前記パターン面に存在する異物を検出する、ことを特徴とするインプリント用ガラス基板の検査方法。 - インプリント用の凹凸を有する微細パターンが形成されたパターン面及び平坦面からなる前記パターン面の裏面を有するガラス基板を備え、
前記凹凸を有する微細パターンの凸部及び前記平坦面からなる前記パターン面の裏面が透明導電膜で被覆されているインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査方法であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子ビーム照射工程と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する電子検出工程と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出工程と、を含み、
前記欠陥検出工程は、前記電子検出工程によりミラー電子を検出した場合の信号と前記電子検出工程により二次放出電子を検出した場合の信号との差に基づき、前記パターン面に存在する異物を検出する、ことを特徴とするインプリント用ガラス基板の検査方法。 - 前記電子ビーム照射工程は、第1の電子ビームを照射する工程と、次いで、該第1の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第2の電子ビームを照射する工程とを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
- 前記二次放出電子の透過率は、前記ミラー電子の透過率と比較して低いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査方法。
- インプリント用の凹凸を有する微細パターンが形成されたパターン面及び平坦面からなる前記パターン面の裏面を有するガラス基板を備え、前記凹凸を有するパターン面全体及び前記平坦面からなる前記パターン面の裏面が透明導電膜で被覆されているインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査装置であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子銃と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する検出器と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出手段と、を含み、
前記欠陥検出手段は、前記検出器がミラー電子を検出した場合の信号と前記検出器が二次放出電子を検出した場合の信号との差に基づき、前記パターン面に存在する異物を検出する、ことを特徴とするインプリント用ガラス基板の検査装置。 - インプリント用の凹凸を有する微細パターンが形成されたパターン面及び平坦面からなる前記パターン面の裏面を有するガラス基板を備え、前記凹凸を有する微細パターンの凸部及び前記平坦面からなる前記パターン面の裏面が透明導電膜で被覆されているインプリント用ガラス基板を検査するインプリント用ガラス基板の検査装置であって、
ステージ上に載置された前記インプリント用ガラス基板のパターン面に、所定の照射領域を有する電子ビームを照射する電子銃と、
該電子ビームの照射により前記パターン面から発生した複数の電子を、複数画素を有する検出面で同時に検出する検出器と、
該検出面で検出された電子から前記パターン面の画像を取得し、前記パターン面の欠陥を検出する欠陥検出手段と、を含み、
前記欠陥検出手段は、前記検出器がミラー電子を検出した場合の信号と前記検出器が二次放出電子を検出した場合の信号との差に基づき、前記パターン面に存在する異物を検出する、ことを特徴とするインプリント用ガラス基板の検査装置。 - 前記電子銃が、第1の電子ビームと、該第1の電子ビームよりもランディングエネルギーの低い第2の電子ビームを連続的に照射可能なように、前記電子ビームのランディングエネルギーを設定するランディングエネルギー設定手段を更に有することを特徴とする請求項5又は6に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
- 前記二次放出電子の透過率は、前記ミラー電子の透過率と比較して低いことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか一項に記載のインプリント用ガラス基板の検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013206146A JP5771256B2 (ja) | 2013-10-01 | 2013-10-01 | インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2013206146A JP5771256B2 (ja) | 2013-10-01 | 2013-10-01 | インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008185236A Division JP2010027743A (ja) | 2008-07-16 | 2008-07-16 | インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014059305A true JP2014059305A (ja) | 2014-04-03 |
JP5771256B2 JP5771256B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=50615872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013206146A Active JP5771256B2 (ja) | 2013-10-01 | 2013-10-01 | インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5771256B2 (ja) |
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---|---|
JP5771256B2 (ja) | 2015-08-26 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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