TW202221752A - 使用帶電粒子束裝置對樣品成像的方法、校準帶電粒子束裝置的方法及帶電粒子束裝置 - Google Patents

Abstract

一種使用帶電粒子束裝置對樣品成像的方法，包含：決定帶電粒子束裝置的物鏡的第一聚焦強度，第一聚焦強度適於將帶電粒子束聚焦在樣品的第一表面區域上；決定複數個焦點子範圍的第一焦點子範圍，使得第一聚焦強度在第一焦點子範圍內，其中複數個聚焦子範圍與校準參數的一組值相關聯；決定校準參數的第一值，第一值與第一焦點子範圍相關聯；以及以第一值對第一表面區域成像。

Description

使用帶電粒子束裝置對樣品成像的方法、校準帶電粒子束裝置的方法及帶電粒子束裝置

本揭示係關於一種使用帶電粒子束裝置對樣品成像的方法。具體而言，成像可具有非平面表面的用於顯示器製造的大面積基板。更具體地，本文描述的實施例係關於用於使用聚焦的帶電粒子束對樣品成像的方法及設備，具體地用於計量、檢驗及檢查缺陷中的至少一者。具體而言，本文描述的實施例可用於對樣品成像，用於執行量測，諸如關鍵尺寸量測。另外，描述了校準帶電粒子束裝置的方法及用於對樣品成像的帶電粒子束裝置。

在眾多應用中，薄層在基板上沉積，例如，在玻璃基板上沉積。基板通常在塗佈設備的真空腔室中塗佈。針對一些應用，基板在真空腔室中使用氣相沉積技術塗佈。在過去幾年里，電子裝置及具體地光電裝置的價格顯著降低。另外，顯示器中的像素密度增加。針對TFT顯示器，高密度TFT整合係有利的。儘管裝置內的薄膜電晶體(thin-film transistor; TFT)的數量增加，良率將增加並且製造成本將進一步降低。

一或多種結構或層可在基板（諸如玻璃基板）上沉積以在基板上形成電子或光電裝置（諸如TFT）的陣列。其上形成有電子或光電結構的基板本文亦稱為「樣品」。在製造TFT顯示器及其他樣品期間，可能有利地對在樣品上沉積的一或多種結構成像以監控樣品的品質。

例如，樣品成像可以藉由光學系統執行。然而，樣品的特徵（例如，薄的微影定義線的邊緣）可能在光學系統中出現模糊或變寬或可能作為獨立特徵是不可分辨的。由此，光學系統可能不適用於對樣品的一些特徵成像。帶電粒子（諸如電子）可用於對樣品的表面成像。帶電粒子可提供與光學系統相比較佳的解析度及/或更準確的特徵（諸如微影定義的結構的邊緣）的識別。

然而，使用帶電粒子束對具有不平坦表面的樣品或位於不平坦基板固持器上的樣品成像可能係具有挑戰性的，因為樣品表面可能不位於距物鏡的校準距離，並且帶電粒子束裝置的景深受到限制。將帶電粒子束重新聚焦到樣品表面上可能引入量測誤差，而藉由平台移動將樣品表面移動到帶電粒子束的焦點中可能減慢樣品的表面區域的成像。

由此，考慮到對大面積基板上的提高的顯示品質的增加的需求，需要用於以高量測準確度並且以快速且可靠的方式調查樣品的改進方法。具體而言，例如，當執行關鍵尺寸量測時，需要具有高或預定量測準確度的大面積樣品的製程控制。

根據本揭示的態樣，提供了使用帶電粒子束裝置對樣品成像的方法、校準帶電粒子束裝置的方法以及用於對樣品成像的帶電粒子束裝置。本揭示的另外的態樣、益處、及特徵從申請專利範圍、說明書、及附圖顯而易見。

根據一個態樣，提供了一種使用帶電粒子束裝置對樣品成像的方法。方法包括：決定帶電粒子束裝置的物鏡的第一聚焦強度，第一聚焦強度適於將帶電粒子束聚焦在樣品的第一表面區域上；決定複數個焦點子範圍的第一焦點子範圍，使得第一聚焦強度在第一焦點子範圍內，其中複數個聚焦子範圍與校準參數的一組值相關聯；決定校準參數的第一值，第一值與第一焦點子範圍相關聯；以及以第一值對第一表面區域成像。

根據另一態樣，提供了一種校準帶電粒子束裝置的方法。方法包括：藉由針對第一複數個聚焦強度中的每一者執行校準物體的第一量測來執行第一量測；藉由基於第一量測針對第一複數個聚焦強度中的每一者決定量測誤差來決定量測誤差；基於量測誤差及量測準確度來決定複數個焦點子範圍；藉由針對複數個焦點子範圍中的每一者執行校準物體的第二量測來執行第二量測；以及基於第二量測針對複數個焦點子範圍來決定校準參數的一組值。

根據另外的態樣，提供了一種用於對樣品成像的帶電粒子束裝置。帶電粒子束裝置包括：平台，用於佈置待成像的樣品；物鏡，經構造為聚焦沿著光軸傳播的帶電粒子束；以及電腦可讀取媒體，含有用於對樣品成像的程式，當由處理器執行時，該程式執行根據本文描述的實施例的方法。

本揭示的另外的態樣、優點及特徵從說明書及附圖顯而易見。

現將詳細參考示例性實施例，其一或多個實例在圖式中示出。每個實例藉由說明的方式提供並且不意欲為限制。例如，示出或描述為一個實施例的部分的特徵可以用於其他實施例或與其他實施例結合使用以產生又一些實施例。本揭示意欲包括此種修改及變化。

在圖式的以下描述中，相同的元件符號代表相同的部件。僅描述了關於獨立實施例的差異。圖式中所示的結構不一定按真實比例描繪，而是用於更佳地理解實施例。

第1圖圖示了經構造為根據本文描述的方法操作的帶電粒子束裝置100。帶電粒子束裝置100可包括具有束源110的掃描電子顯微鏡102，束源110經構造為產生帶電粒子束101，具體為電子束。帶電粒子束101可以沿著光軸A穿過掃描電子顯微鏡102的柱103導引。可以抽空柱103的內部體積。掃描電子顯微鏡102可包括束影響元件，諸如一或多個束偏轉器、掃描偏轉器140、加速器115、減速器、透鏡元件120或其他聚焦或散焦元件、束校正器、束分離器、偵測器及/或提供用於影響沿著光軸A傳播的帶電粒子束101的另外元件。

帶電粒子束裝置100包括用於佈置待在其上成像的樣品10的平台20、及經構造為將帶電粒子束聚焦在平台20上佈置的樣品10上的物鏡150。

平台20可在樣品成像腔室105中佈置，可以在一些實施例中抽空樣品成像腔室105。在一些實施例中，平台20可係可移動平台。具體而言，平台20可在與帶電粒子束裝置100的光軸A垂直的平面（本文亦稱為X-Y平面）中可移動。藉由在帶電粒子束裝置100的X-Y平面中或沿著X-Y軸移動平台20，將樣品10的指定表面區域移動到掃描電子顯微鏡102下方的面積中，使得指定表面區域可以藉由在其上聚焦帶電粒子束101來成像。例如，在第1圖中，樣品10的第一表面區域11與掃描電子顯微鏡102的光軸A相交，使得可以成像第一表面區域11。平台20亦可在Z方向上可移動，亦即，在光軸A的方向上。在實施例中，平台20可在X-Y平面中並且在Z方向上藉由平台運動控制器181移動。

根據本文描述的實施例，樣品10的一或多個表面區域可使用帶電粒子束裝置100成像。如本文使用的術語「樣品」可關於其上形成有一或多個層或特徵的基板。樣品可經成像用於下列的一或多者：(i)執行計量，具體地用於量測樣品的一或多個特徵的尺寸，例如，在橫向方向上，亦即，在X-Y平面上，更具體地執行關鍵尺寸量測，(ii)偵測缺陷，及/或(iii)調查或檢查樣品的品質。

在一些實施例中，待成像的樣品的表面可係非平面表面。例如，樣品表面可係粗糙的、不均勻的或可包括其上形成有變化高度的三維特徵或結構。樣品的不同表面區域可在相對於物鏡平面的不同位準處定位。

在一些實施例中，樣品（其可具有平面或非平面的樣品表面）可在平台20上佈置，其中平台20具有非平面的平台表面13。例如，非平面的平台表面13可具有在相對於物鏡150的平面的不同位準處的平台表面區域。例如，在平台表面區域的位準之間的差異可係幾百微米大。由此，當樣品10在非平面的平台表面13上佈置時，樣品10可以具有在不同位準處佈置的第一表面區域11及第二表面區域12。在平台上佈置的樣品的表面區域的「位準」可指沿著光軸A或在表面區域相對於物鏡150的平面的Z方向上的距離。如第1圖中示意性描繪，樣品10可在平台20的非平面的平台表面13上佈置。樣品10可包括在第一位準處提供的第一表面區域11及在第二位準處提供的與第一表面區域11橫向隔開的第二表面區域12。換言之，第一表面區域11相對於物鏡150的平面的距離（具體地Z方向上的距離）不同於第二表面區域12相對於物鏡150的平面的距離。

對於使用帶電粒子束101對樣品成像，帶電粒子束通常在具有物鏡150的樣品表面上聚焦。當帶電粒子束101撞擊在樣品表面上時，產生二次電子或後向散射電子（亦稱為「信號電子」）。信號電子提供關於樣品表面的特徵的空間特性及尺寸的資訊並且使用偵測器130來偵測。藉由在樣品表面上方掃描帶電粒子束101，例如，使用掃描偏轉器140，並且偵測信號電子隨著信號電子的產生位置變化，可以對樣品表面或其部分成像。

在一些實施例中，可提供一或多個掃描偏轉器140用於在樣品的表面上方（例如，在X方向上及/或在Y方向上）掃描帶電粒子束101。

帶電粒子束可以在樣品表面上聚焦成小點。將帶電粒子束聚焦成小點可以增加可獲得的圖像解析度。由此，樣品表面應當在成像期間在物鏡的聚焦平面中佈置。在物鏡150的下游端與其中將佈置樣品表面的帶電粒子束的聚焦平面之間的距離通常被稱為帶電粒子束裝置100的工作距離WD。

使用帶電粒子束對非平面的樣品表面成像可係具有挑戰性的，因為並非所有表面區域皆位於共同的聚焦平面內。例如，第1圖中的第一表面區域11及第二表面區域12位於不同的聚焦平面中。藉由局部調適物鏡的聚焦強度或藉由沿著光軸A移動平台，使得樣品表面聚焦，可以對位於距物鏡變化的距離處的表面區域進行清晰成像。取決於待成像的表面區域的局部高度，可調適物鏡的聚焦強度。例如，物鏡可包括具有一或多個線圈的磁透鏡部件151。物鏡的聚焦強度可藉由增加施加到磁透鏡部件151的一或多個線圈的聚焦電流（減小聚焦距離）來增加，並且物鏡的聚焦強度可藉由減小施加到一或多個線圈的聚焦電流（增加聚焦距離）來減小。聚焦距離可理解為當使用相關聯的聚焦電流激勵物鏡150時在物鏡的下游端與聚焦平面之間的距離。

第2圖示出了用於三個不同聚焦強度的物鏡150及帶電粒子束101。針對三個不同的聚焦強度中的每一者，帶電粒子束101在距物鏡150不同聚焦距離處聚焦，具體地在工作距離WD處、在第一距離D1處或在第二距離D2處。藉由調節物鏡150的聚焦強度，具體地聚焦電流，聚焦平面可以朝向或遠離物鏡150偏移。具有變化的表面位準的樣品可以藉由局部調節物鏡150的聚焦強度來清晰成像。換言之，當將對不均勻樣品表面或在非平面的平台上佈置的樣品成像時，物鏡150的聚焦強度可取決於待成像的表面區域的位準而改變。

用於在樣品10的表面區域上聚焦帶電粒子束101的物鏡150的聚焦強度的改變可以導致例如在所獲取圖像中的像素大小（nm/像素）的改變。例如，如第3A圖所示，在樣品的樣品表面308上的特徵310可在距物鏡150工作距離WD處定位。掃描偏轉器140可以第一偏轉342偏轉電子束，使得在帶電粒子束101的圖像掃描的第一視野312中觀察到特徵310。例如，可校準帶電粒子束101用於在工作距離WD處的量測。具體而言，在所獲取圖像中的像素可與樣品表面308上的尺寸（例如，樣品表面308上的長度）相關聯。由此，在掃描偏轉器140的掃描電流與第一視野312之間的關聯係已知的並且特徵310的實際尺寸可以由樣品表面308的所獲取圖像決定。

在第3B圖中，定位樣品用於對樣品表面308的不同表面區域成像。與特徵310大小相同的另外的特徵311在距物鏡150未知的距離D _X處定位。帶電粒子束101可以聚焦到樣品表面308上。以第一偏轉342掃描樣品表面308可以導致在樣品表面308上觀察第二視野314，第二視野314可與第一視野312不同。例如，在第3B圖中，第二視野314大於第3A圖所示的第一視野312，具體地歸因於第3B圖的未知的距離D _X大於第3A圖中的工作距離WD。由此，與第一視野312（第3A圖）中的特徵310相比，樣品10的另外特徵311在第二視野314（第3B圖）中呈現為較小。具體而言，與另外特徵311的實際尺寸相比，另外特徵311的尺寸或關鍵尺寸可呈現為較小。類似地，當在樣品的表面區域與物鏡之間的距離小於預定的工作距離（例如，工作距離WD）時，與特徵的實際尺寸相比，樣品的特徵呈現為較大。量測在與根據習知技術的預定工作距離不同的距離處定位的特徵的尺寸可以負面地影響量測的準確度。

在此上下文中，注意到，針對在樣品上具有高著陸能量的帶電粒子束，量測誤差可係相當低的。然而，當使用具有低著陸能量的帶電粒子束時，例如，在電子束具有5 keV或更小的著陸能量（具體地具有1 keV或更小的著陸能量）的情況下，量測誤差可能變得明顯。由此，在帶電粒子束裝置包括低電壓SEM (low voltage SEM; LV-SEM)的情況下，量測誤差可能變得明顯。

低能量電子束有利地成像玻璃樣品或其他不導電樣品。然而，低能量電子束對在樣品表面與物鏡之間的距離變化更敏感。對非平面樣品或非平面平台上的樣品成像的習知方法不能提供適於執行計量、審查或檢查大面積基板（諸如用於製造基於平板及/或TFT的顯示器的玻璃基板）的準確度或處理量位準。

根據本文描述的方法及設備，可校準帶電粒子束裝置用於對樣品成像，具體地用於以預定的量測準確度對樣品表面成像。

根據實施例，提供了校準帶電粒子束裝置的方法。方法可以包括在帶電粒子裝置的平台上佈置校準樣品。校準樣品可具有在校準樣品的表面上的校準物體。校準物體可以具有已知尺寸。例如，校準物體可包括在已知距離處或在已知節距處定位的線。線可藉由微影製程形成。校準樣品可具體地係校準標準。例如，校準標準可由標準協會提供。

在一些實施例中，方法可包括針對帶電粒子束裝置定義量測準確度。例如，量測準確度可取決於製程限制及/或取決於量測可接受的不準確度位準。量測準確度可提供為尺寸準確度，例如，在表面區域的圖像中的長度量測的準確度。例如，量測準確度可提供為長度量測準確度，例如，以奈米計。在實施例中，量測準確度可小於20 nm，具體地小於10 nm，更具體地小於5 nm，小於2 nm或小於0.5 nm。在本文中，針對校準帶電粒子束裝置決定的量測準確度亦可稱為預定的量測準確度。

在實施例中，方法可包括針對帶電粒子束裝置100的柱103定義操作點。操作點可包括至少一個操作點設置，具體地加速能量、著陸能量、磁透鏡元件的電流、掃描偏轉器電流、消像散器電流及將電子束從束源110（電子槍）縮小到校準樣品中的至少一者。具體而言，操作點可包括針對著陸能量的操作點設置，使得為帶電粒子束提供5 keV或更小（具體地1 keV或更小）的著陸能量。定義操作點可包括在距物鏡150工作距離WD處（具體而言在工作距離的標稱值處）定位校準樣品。帶電粒子束可聚焦在含有校準物體的校準樣品表面區域上。帶電粒子束可使用操作點聚焦強度聚焦在校準樣品表面區域上。

在實施例中，定義操作點可包括決定校準參數（具體而言偏轉器參數）的操作點校準值。在一些實施例中，定義操作點可包括決定掃描旋轉，使得校準樣品或校準物體的X-Y軸與用於操作點的帶電粒子束裝置的圖像掃描的X-Y軸對準。例如，可決定掃描旋轉，使得帶電粒子束的掃描方向係至少基本上與校準物體的縱軸（例如，校準樣品線）垂直。

第4圖圖示了用於根據本揭示的實施例示出校準帶電粒子束裝置的方法的流程圖。在實施例中，方法包括藉由針對第一複數個聚焦強度中的每一者執行校準物體的第一量測來執行（方塊410）第一量測。第一複數個聚焦強度可在具有對應的聚焦距離範圍的聚焦強度範圍內選擇，例如使得聚焦距離範圍跨越數百微米，例如，至少100 μm，具體地至少200 μm或至少300 μm。

在一些實施例中，第一複數個聚焦強度可在聚焦強度範圍內相等地隔開。聚焦強度範圍可含有操作點聚焦強度。具體而言，聚焦強度範圍可包括小於操作點聚焦強度的至少一個聚焦強度及/或大於操作點聚焦強度的至少一個聚焦強度。

例如，如第5A圖所示，第一複數個聚焦強度F _-N、...、F _-1、F ₀、F ₁、...、F _N可包括操作點聚焦強度F ₀。在第5A圖中，第一複數個聚焦強度F _-N、...、F _-1、F ₀、F ₁、...、F _N藉由將聚焦強度差R的倍數（具體地整數(-N、...、N)倍）與操作點聚焦強度F ₀相加來決定。例如，第一複數個聚焦強度F _-N、...、F _-1、F ₀、F ₁、...、F _N可藉由F ₀-NR、...、F ₀-R、F ₀、F ₀+R、...、F ₀+NR計算。

在實施例中，針對物鏡的複數個聚焦強度中的每一者，使校準物體聚焦。例如，針對第一複數個聚焦強度中的最小聚焦強度F _-N，平台可沿著光軸向下移動，直到表面在焦點中。在針對最小聚焦強度F _-N執行第一量測之後，針對下一聚焦強度F _-N+1，平台可向上移動以使校準物體聚焦。方法可繼續針對第一複數個聚焦強度F _-N、...、F _-1、F ₀、F ₁、...、F _N的每一者執行第一量測。

在一些實施例中，校準物體可以由帶電粒子束裝置的操作人員手動地聚焦。操作人員可沿著光軸移動平台以找到平台位置，從而提供校準物體的清晰圖像。在一些實施例中，校準物體可使用可變距離自動聚焦製程聚焦。可變距離自動聚焦製程可以包括在距物鏡變化距離處對校準物體成像並且分析所獲得圖像的圖像清晰度。視情況，可分析圖像對比。在物鏡與校準物體之間的距離可藉由沿著光軸移動平台而在獲得圖像之間變化。具體而言，藉由最佳化圖像清晰度，圖像可在迭代收斂過程中在校準物體與物鏡之間的距離處獲得。收斂迭代過程可包括基於黃金比率搜索法或基於菲波那扯(Fibonacci)搜索法選擇在校準物體與物鏡之間的距離。

如本文使用，聚焦的表面區域或聚焦在表面區域上的帶電粒子束可理解為使得表面區域在帶電粒子束的焦點處。表面區域的圖像掃描可以提供表面區域的清晰圖像。表面區域可處於最佳聚焦。例如，帶電粒子束可在表面區域上聚焦成小點。具體地，表面區域可手動地或藉由自動聚焦製程（例如，藉由根據本文描述的實施例的可變距離自動聚焦製程或藉由可變焦點自動聚焦製程）聚焦。

一旦針對第一複數個聚焦強度的聚焦強度使校準物體聚焦，執行第一量測可包括獲取校準物體的圖像。執行第一量測可包括量測所獲取圖像中的校準物體的尺寸。具體而言，尺寸可係校準物體的橫向尺寸。校準物體的尺寸可以具有已知值。例如，尺寸可係校準物體的線的節距。校準物體的第一量測可以針對第一複數個聚焦強度中的每一者執行。

在實施例中，方法包括藉由基於第一量測針對第一複數個聚焦強度中的每一者決定量測誤差來決定（方塊420）量測誤差。量測誤差可以基於第一量測並且基於校準物體的尺寸的已知值來決定。例如，量測誤差可針對第一複數個聚焦強度中的每一者決定為在尺寸的相應第一量測與尺寸的已知值之間的差。例如，如第5A圖所示，量測誤差520可在誤差E與聚焦強度F的圖表中繪製。

在實施例中，方法包括基於量測誤差及量測準確度（具體地預定的量測準確度）來決定（方塊430）複數個焦點子範圍。根據本文描述的實施例，可定義或提供量測準確度。決定複數個焦點子範圍可以包括將量測誤差函數擬合到量測誤差。例如，量測誤差函數可係線性擬合。可在某些條件下使用線性擬合。在另外的實施例中，不同於線性擬合的曲線可用於擬合量測誤差。在第5A圖中，量測誤差520藉由量測誤差函數522擬合，具體而言藉由線性擬合。

根據實施例，可以基於量測誤差函數及量測準確度來決定複數個焦點子範圍。在一些實施例中，可以決定複數個子範圍，使得在複數個焦點子範圍中的每一者內，量測誤差函數所跨越的誤差範圍小於或等於量測準確度。具體而言，誤差函數及量測準確度的倍數可用於決定另外的複數個聚焦強度F _a、F _b、...F _i、F _j、...、F _x、F _y。量測準確度的倍數可具體地包括在量測誤差所跨越的範圍中含有的量測準確度的倍數。例如，另外的複數個聚焦強度可使用量測誤差函數的反函數計算。具體而言，可藉由將反函數應用於量測準確度的倍數來計算另外的複數個聚焦強度。複數個焦點子範圍可各自決定為在另外的複數個聚焦強度的兩個相鄰聚焦強度之間的範圍。

第5B圖示出了根據本文描述的實施例的複數個焦點子範圍的決定。第5B圖包括由量測誤差520（第5A圖）決定的量測誤差函數522。水平線524可沿著誤差E的軸在量測準確度U的倍數處提供。垂直線526可以在水平線524與量測誤差函數522的交點處提供。垂直線526與聚焦強度F的軸的交點可以提供另外的複數個聚焦強度F _a、F _b、...、F _i、F _j、...、F _x、F _y。複數個焦點子範圍可決定為沿著聚焦強度F的軸在另外的複數個聚焦強度F _a、F _b、...、F _i、F _j、...F _x、F _y的相鄰聚焦強度之間的範圍。例如，複數個焦點子範圍可包括子範圍[F _a,F _b]、...、[F _i,F _j]、...、[F _x,F _y]。在每個子範圍內，量測誤差可以小於量測準確度U。複數個焦點子範圍可以各自跨越子範圍寬度ΔF。具體地，若量測誤差函數522係線性擬合，則複數個焦點子範圍可具有相同的子範圍寬度ΔF。在另外的實施例中，具體地若將量測誤差函數決定為不同於線性擬合的曲線，針對複數個焦點子範圍的不同焦點子範圍，子範圍寬度可係不同的。

根據實施例，方法包括藉由針對複數個焦點子範圍中的每一者執行校準物體的第二量測來執行（方塊440）第二量測。執行第二量測可以包括針對複數個焦點子範圍中的每一者決定校準聚焦強度。例如，校準聚焦強度可係針對複數個焦點子範圍中的每一者的中心聚焦強度或平均聚焦強度。參見第5B圖，針對複數個焦點子範圍中的每一者，可將校準聚焦強度決定為例如(F _a+F _b)/2、...、(F _i+F _j)/2、...、(F _x+F _y)/2。

在一些實施例中，複數個焦點子範圍中的每一者具有用於執行第二量測的校準聚焦強度。物鏡可以使用複數個焦點子範圍中的焦點子範圍的校準聚焦強度來聚焦帶電粒子束。校準物體可以藉由沿著光軸移動平台而聚焦。校準物體可手動地或藉由使用根據本文描述的實施例的可變距離自動聚焦製程而聚焦。

一旦校準物體聚焦，執行第二量測可包括獲取校準物體的圖像。執行第二量測可包括量測所獲取圖像中的校準物體的尺寸，具體而言橫向尺寸。尺寸（例如，校準物體的線的節距）可以具有已知值。可以針對複數個焦點子範圍中的每一者執行校準物體的第二量測。

根據實施例，方法包括基於第二量測來決定（方塊450）複數個焦點子範圍的校準參數的一組值。可基於校準物體的尺寸的第二量測及校準物體的尺寸的已知值來決定該組值。該組值可以包括與複數個焦點子範圍中的每一者相關聯的至少一個值。校準參數可用於對樣品成像，具體而言用於關鍵尺寸量測。

在一些實施例中，校準參數係偏轉器參數。偏轉器參數可以係用於控制由帶電粒子束裝置的掃描偏轉器提供的偏轉的參數。具體而言，該組值可以包括一組偏轉器電流值及/或一組偏轉器電壓值。可決定該組值，使得針對每個校準聚焦強度，由帶電粒子束使用校準參數掃描的視野具有相同大小。具體而言，可決定該組值，使得針對每個校準聚焦強度，視野具有與在操作點聚焦強度處的參考視野相同的大小。根據本文描述的實施例校準帶電粒子束裝置可以使得能夠以量測準確度（具體地預定的量測準確度）對樣品成像，具體地執行量測或關鍵尺寸量測。具體而言，可提供具有預定的量測準確度的量測用於複數個焦點子範圍內的任何聚焦強度。

在一些實施例中，複數個焦點子範圍（具體地複數個焦點子範圍作為整體）可以對應於聚焦距離範圍。聚焦距離範圍可以跨越數百微米，例如，至少100 μm，具體地至少200 μm或至少300 μm。根據實施例提供校準參數的一組值可以使得能夠在寬範圍的聚焦距離上的準確量測，具體而言針對諸如大面積基板的樣品、佈置在非平面的平台上的樣品或具體地具有在距物鏡平面數個距離（該等距離相差數百微米）處定位的表面區域的樣品。

根據一些實施例，方法可以包括藉由針對第二複數個聚焦強度中的每一者決定關於校準物體的帶電粒子束裝置的掃描旋轉的定向失配來決定定向失配。在不同聚焦強度下的定向失配可源於在不同聚焦強度下（具體而言在不同聚焦電流下）提供的不同磁場。具體而言，磁場可使帶電粒子束的帶電粒子的軌跡彎曲，使得帶電粒子束在不同聚焦強度下的掃描旋轉或掃描方向可以具有定向失配。

在實施例中，針對第二複數個聚焦強度中的每一者，定向失配可以係關於在參考聚焦強度下（具體地在操作點聚焦強度下）執行的參考圖像掃描的圖像掃描的定向差異。可將圖像掃描的定向失配決定為例如關於校準物體的X-Y軸的定向的圖像掃描的X-Y軸的定向（例如，角度定向）的差異。可以手動地或自動地決定定向失配，例如，使用邊緣發現演算法，諸如Soebel邊緣偵測器。

在一些實施例中，第二複數個聚焦強度可以與第一複數個聚焦強度相同。具體而言，可利用針對第一複數個聚焦強度中的每一者執行校準物體的第一量測來決定定向失配，例如，第4圖的方塊410。例如，針對第一複數個聚焦強度中的每一者，校準物體可聚焦。可在校準物體的第一圖像中決定定向失配。可以校正定向失配。第一量測可在校準物體的第二圖像中執行，具體地在校正定向失配之後獲取的第二圖像中。可根據本文描述的實施例執行第一量測。

在一些實施例中，第二複數個聚焦強度可與第一複數個聚焦強度不同。校準物體可針對第二複數個聚焦強度中的每一者聚焦，例如，藉由手動地移動平台或藉由使用可變距離自動聚焦製程。一旦針對第二複數個聚焦強度中的一者校準物體處於焦點中，可決定定向失配。可以針對第二複數個聚焦強度中的每一者決定定向失配。

根據實施例，方法可包括基於定向失配及第二複數個聚焦強度來決定在聚焦強度與掃描旋轉之間的關聯。關聯可以係例如函數，例如，分析表達式、或關聯聚焦強度與掃描旋轉的表。可藉由將擬合曲線擬合到作為聚焦強度的函數的定向失配來決定關聯。擬合曲線可係例如線性擬合曲線。

第6圖圖示了掃描旋轉ΔSC及聚焦強度F的圖表。圖表包括針對第二複數個聚焦強度中的每一者決定的定向失配630。在第6圖中，第二複數個聚焦強度對應於第一複數個聚焦強度F _-N、...、F _-1、F ₀、F ₁、...、F _N。在第6圖中，藉由擬合曲線632（具體地藉由線性擬合曲線）擬合定向失配630來決定在聚焦強度F與掃描旋轉ΔSC之間的關聯。在聚焦強度與掃描旋轉之間的關聯可用於校正圖像掃描的掃描旋轉。在聚焦強度與掃描旋轉之間的關聯可用作預定關聯，具體地用於根據本文描述的實施例對樣品成像。基於在聚焦強度與掃描旋轉之間的關聯，在根據本揭示的方法執行第二量測之前，可校正掃描旋轉。關聯可用於根據本文描述的實施例對樣品成像，具體地用於調節掃描旋轉參數。

根據可以與本文描述的其他實施例相結合的實施例，提供了使用帶電粒子束裝置對樣品成像的方法。方法可與根據本文描述的實施例的校準帶電粒子束裝置的方法結合。

參見第1圖，方法可以包括在帶電粒子束裝置100的平台20上佈置樣品。樣品10包括待使用帶電粒子束裝置100成像的第一表面區域11。第一表面區域11在距物鏡150未知的距離D _X處佈置。第一表面區域11可能不在物鏡150的聚焦平面中定位。另外，第一表面區域11可能不在距物鏡150預定的工作距離WD處定位。在一些實施例中，方法可以包括將帶電粒子束裝置設置為在操作點處操作。操作點可根據本文描述的實施例定義。

第7圖圖示了用於根據本文描述的實施例示出對樣品成像的方法的流程圖。根據實施例，方法包括決定（方塊710）帶電粒子束裝置的物鏡的第一聚焦強度，第一聚焦強度適於在樣品10的第一表面區域11上聚焦帶電粒子束101。在實施例中，可手動地決定第一聚焦強度。

在一些實施例中，使用可變焦點自動聚焦製程來決定第一聚焦強度。可變焦點自動聚焦製程可以包括以物鏡150的變化聚焦強度對第一表面區域11成像並且分析所獲得圖像的圖像清晰度。視情況，可分析圖像對比。例如，藉由改變物鏡的聚焦電流，物鏡150的聚焦強度可在獲得圖像之間變化。可在迭代收斂過程中藉由最佳化圖像清晰度來獲得針對各個聚焦強度的圖像。迭代收斂過程可包括基於黃金比率搜索法或基於菲波那扯(Fibonacci)搜索法選擇變化的聚焦強度。

根據實施例，方法包括決定（方塊720）複數個焦點子範圍的第一焦點子範圍，使得第一聚焦強度在第一焦點子範圍內，其中複數個焦點子範圍與校準參數的一組值相關聯。可在對樣品成像之前決定複數個焦點子範圍（具體而言預定的複數個焦點子範圍）。具體而言，可藉由根據本文描述的實施例校準帶電粒子束裝置來決定複數個焦點子範圍。

在一些實施例中，複數個焦點子範圍中的每一者可具有校準聚焦強度。該組值可提供帶電粒子束的偏轉，使得針對每個校準聚焦強度的視野具有相同大小。在一些實施例中，校準參數係偏轉器參數。具體而言，該組值可以包括一組偏轉器電流值及/或一組偏轉器電壓值。

根據實施例，方法包括決定（方塊730）校準參數的第一值，第一值與第一焦點子範圍相關聯。例如，第一值可係第一偏轉器電流值或第一偏轉器電壓值。第一值可提供帶電粒子束的偏轉，使得針對第一焦點子範圍內的任何聚焦強度，可以預定的量測準確度執行樣品的成像。

在實施例中，方法包括以第一值對第一表面區域成像（方塊740）。例如，藉由執行下列中的一或多者對第一表面區域成像：計量、樣品的特徵的缺陷檢驗及檢查、及/或量測，諸如關鍵尺寸量測。

參見第3C圖，可示出對樣品成像的方法的實施例。在第3C圖中，樣品表面308的第一表面區域11沿著帶電粒子束裝置的光軸定位。樣品表面308可以具有在第一表面區域11中定位的另外特徵311。第一表面區域11在距物鏡150未知的距離D _X處定位。使用第一聚焦強度將帶電粒子束101聚焦到第一表面區域11上。第一聚焦強度可以使用根據本文描述的實施例的可變焦點自動聚焦製程來決定。從複數個焦點子範圍中決定含有第一聚焦強度的第一焦點子範圍。決定校準參數的一組值中的第一值，其中第一值與第一焦點子範圍相關聯。例如，在第3C圖中，校準參數可以係偏轉器參數並且第一值可以係針對掃描偏轉器140的第一偏轉器電流值。第一值可以提供帶電粒子束101的第二偏轉344，使得校準的視野316藉由帶電粒子束101掃描。第一表面區域11可以例如藉由獲取校準的視野316的圖像來成像。可使用圖像，例如，用於執行另外特徵311的關鍵尺寸量測。校準的視野316可以具有至少基本上與在工作距離WD處定位的樣品表面308的第一視野312（例如，如第3A圖所示）相同的大小。「至少基本上相同大小」可理解為使得所獲取的圖像的nm/像素像素大小使得執行的量測將在校準的視野316的圖像中具有在預定量測準確度內的不準確度。

在一些實施例中，對第一表面區域成像可以包括使用該組值中的第一值獲取第一表面區域的第一圖像。第一值可用於在用於獲得第一圖像的圖像掃描期間控制帶電粒子束的偏轉。方法可以包括量測第一圖像中的第一物體的尺寸。具體而言，尺寸可係第一物體的橫向尺寸。例如，尺寸可係第一物體的關鍵尺寸。可以預定的量測準確度來量測尺寸。

本揭示的實施例可以實現以快速且可靠的方式的準確量測。具體而言，實施例可以提供以下優點：量測（例如，關鍵尺寸量測）可以預定的量測準確度在樣品的表面區域中執行，其中表面區域在距物鏡平面不同距離處定位。更特定地，可以保持針對複數個焦點子範圍的聚焦強度的nm/像素的規格，具體地沒有量測誤差超過預定的量測準確度。使用可變焦點自動聚焦製程對樣品成像（具體地用於執行準確量測）可以增加計量、樣品檢驗或樣品檢查的處理量。

根據一些實施例，方法可以包括基於第一聚焦強度並且基於在聚焦強度與掃描旋轉之間的預定關聯來調節帶電粒子束裝置的掃描旋轉參數。在聚焦強度與掃描旋轉之間的預定關聯（本文亦稱為在聚焦強度與掃描旋轉之間的關聯）可以藉由根據本文描述的實施例校準帶電粒子束裝置來決定。可以在以第一值對第一表面區域成像之前執行對掃描旋轉參數的調節。對掃描旋轉參數的調節可以增加量測的一致性及/或準確度。例如，量測可以在樣品的不同表面區域的圖像中執行，使得在每個圖像中，掃描方向與樣品表面上的特徵的縱向方向垂直。

根據可與本文描述的其他實施例相結合的實施例，方法可包括相繼對樣品10的複數個表面區域成像。例如，第1圖的樣品10的第一表面區域11首先成像，並且在不同位準或高度處定位的樣品10的第二表面區域12隨後成像。樣品或非平面的平台表面13的表面輪廓可能不係先前已知的，使得在對第一表面區域11成像之後，可決定第二聚焦強度，用於在樣品10的第二表面區域12上聚焦帶電粒子束101。根據本文描述的實施例，方法可針對第二表面區域12及/或針對第一表面區域11的複數個表面區域中的每一者繼續。

在可以與其他實施例相結合的本揭示的一些實施例中，帶電粒子束具有5 keV或更小（具體地1 keV或更小）的著陸能量。具體而言，帶電粒子束101以該著陸能量撞擊在樣品上。參見第1圖，物鏡150可包括經構造為將帶電粒子束101減速到5 keV或更小的著陸能量的減速電場部件152。減速電場部件152可包括減速電極。具體而言，帶電粒子束裝置100可包括低電壓SEM (LV-SEM)。低能量帶電粒子束（具體地低能量電子束）不會深入地穿透到樣品中並且由此提供關於樣品表面上的特徵的優異的高品質資訊。具體而言，具有5 keV或更低的著陸能量（具體地1 keV或更低的著陸能量）的優點係與高能量電子束相比，撞擊到樣品上的電子束產生可忽略不計的束誘發的損壞及充電。

在可以與其他實施例相結合的一些實施例中，對樣品成像的方法及/或校準帶電粒子裝置的方法可部分或完全自動化。具體而言，自動化校準及/或成像可提供高處理量及/或降低成本。根據本揭示，用於計量、檢驗及/或樣品檢查的成像可在樣品表面的一部分上執行，例如，基於樣品表面上方的取樣。

在一些實施例中，帶電粒子束裝置經構造為用於對樣品成像，樣品包括具有1 m ²或更大的表面積的用於顯示器製造的大面積基板。表面積可係從約1.375 m ²(1100 mmx1250 mm-GEN 5)至約9 m ²，更特定地從約2 m ²至約9 m ²或甚至高達12 m ²。例如，基板可以係GEN 7.5（對應於約4.39 m ²(1.95 mx2.25 m)的表面積）、GEN 8.5（對應於約5.7 m ²(2.2 mx2.5 m)的表面積）、或甚至GEN 10（對應於約9 m ²(2.88 m×3130 m)的表面積）。可以實施甚至更大代，諸如GEN 11及GEN 12。

樣品可包括非撓性基板（例如，玻璃基板或玻璃板）、或撓性基板（諸如網或箔或薄玻璃片）。樣品可係塗佈的基板，其中一或多個薄材料層或其他特徵在基板上沉積，例如藉由物理氣相沉積(physical vapor deposition; PVD)製程或化學氣相沉積(chemical vapor deposition; CVD)製程或微影製程或蝕刻製程。具體而言，樣品可係其上形成有複數個電子或光電裝置的用於顯示器製造的基板。在基板上形成的電子或光電裝置通常係包括薄層堆疊的薄膜裝置。例如，樣品可係其上形成有薄膜電晶體(thin film transistor; TFT)陣列的基板，例如，基於薄膜電晶體的基板。

本文描述的實施例具體地關於對樣品成像，其中樣品包括在基板上形成的結構。在一些實施例中，結構可藉由微影及/或蝕刻形成。結構可包括電子或光電裝置，諸如電晶體，具體地薄膜電晶體。樣品可包括大面積基板，具體地用於顯示器製造的大面積基板，例如，具有1 m ²或更大的表面積。

根據本揭示的實施例，用於對樣品10成像的帶電粒子束裝置100包括用於佈置待成像的樣品10或校準樣品的平台20。帶電粒子束裝置100包括經構造為聚焦沿著光軸A傳播的帶電粒子束101的物鏡150。帶電粒子束裝置100包括含有用於對樣品成像的程式的電腦可讀取媒體，當由處理器執行時，該程式執行根據本文描述的實施例的方法，具體地對樣品成像的方法。在一些實施例中，電腦可讀取媒體含有用於校準帶電粒子束裝置的另外程式，當由處理器執行時，該程式執行根據本文描述的實施例的校準帶電粒子束裝置100的方法。

在一些實施例中，帶電粒子束裝置包括控制器160，控制器160連接到帶電粒子束裝置100。帶電粒子束裝置100的控制器160可包括中央處理單元(central processing unit; CPU)、根據本文描述的實施例的電腦可讀取媒體、及例如支援電路。為了促進對帶電粒子束裝置的控制，CPU可係任何形式的通用電腦處理器中的一者，該通用電腦處理器可以在工業設置中用於控制各個部件及子處理器。電腦可讀取媒體耦合到CPU。電腦可讀取媒體或記憶體可係一或多個容易獲得的記憶體裝置，諸如隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟碟、硬碟、或任何其他形式的數位儲存器（本端或遠端）。支援電路可耦合到CPU，用於以習知方式支援處理器。這些電路包括快取記憶體、電源供應器、時鐘電路、輸入/輸出電路及相關子系統、以及類似者。用於對樣品成像的指令及/或用於校準帶電粒子束裝置的指令大體在電腦可讀取媒體中儲存為通常已知為配方的軟體常式。軟體常式亦可由第二CPU儲存及/或執行，該第二CPU位於由CPU控制的硬體遠端。當由CPU執行時，軟體常式將通用電腦轉換為專用電腦（控制器），該專用電腦控制帶電粒子束裝置，並且可以提供用於根據本揭示的實施例中的任一者對樣品成像及/或校準帶電粒子束裝置。儘管將本揭示的方法論述為作為軟體常式實施，本文揭示的一些方法操作可在硬體中執行以及藉由軟體控制器執行。因此，實施例可在電腦系統上執行時以軟體實施，及以作為特殊應用積體電路或其他類型的硬體實施方式的硬體實施，或以軟體及硬體的組合實施。控制器可執行或進行根據本揭示的實施例對樣品成像的方法、及/或根據本文描述的實施例校準帶電粒子束裝置的方法。

根據本文描述的實施例，本揭示的方法可以使用電腦程式、軟體、電腦軟體產品及相關控制器進行，該等控制器可以具有CPU、電腦可讀取媒體或記憶體、使用者界面、以及與設備的對應部件通訊的輸入及輸出裝置。

本文描述的方法允許校準帶電粒子束裝置（例如，掃描電子顯微鏡）、及/或使用帶電粒子束裝置對樣品成像。本文描述的方法提供了量測的高或預定保真度。具體而言，方法允許對表面區域成像及/或以預定量測準確度執行量測，其中表面區域可以在距物鏡未知的距離處定位。具體而言，實施例可以提供校正掃描偏轉或校正視野以在不同聚焦強度下保持圖像掃描中的nm/像素的規格。本揭示的方法可以允許在大的散焦範圍上（具體地在跨越數百微米的聚焦距離範圍上）進行準確量測。本文描述的實施例可以增加計量、樣品檢驗及/或樣品檢查的處理量。實施例可以提供對掃描旋轉的校正，具體地用於增加在相對於物鏡的不同位準處定位的表面區域中的量測的一致性。本文描述的方法可以為LV-SEM中的關鍵尺寸量測提供增強的準確度，具體地針對面積較大的及/或非平面的及/或在非平面的平台上定位的及/或電氣浮動的（不能被帶到某一電位）的樣品。

根據本文描述的實施例的方法可以用於製程控制，例如，用於生產平板、顯示器、OLED裝置（諸如OLED螢幕）、基於TFT的基板或其他樣品，包括其上形成的複數個電子或光電裝置。製程控制可包括某些關鍵尺寸的定期監控、成像及/或量測以及缺陷檢驗。

儘管上述內容涉及一些實施例，但可在不脫離其基本範疇的情況下設計其他及另外的實施例，並且其範疇由以下申請專利範圍決定。

10:樣品 11:第一表面區域 12:第二表面區域 13:平台表面 20:平台 100:帶電粒子束裝置 101:帶電粒子束 102:掃描電子顯微鏡 103:柱 105:樣品成像腔室 110:束源 115:加速器 120:透鏡元件 130:偵測器 140:掃描偏轉器 150:物鏡 151:磁透鏡部件 152:減速電場部件 160:控制器 181:平台運動控制器 308:樣品表面 310:特徵 311:特徵 312:第一視野 314:第二視野 316:校準的視野 342:第一偏轉 344:第二偏轉 410:方塊 420:方塊 430:方塊 440:方塊 450:方塊 520:量測誤差 522:量測誤差函數 524:水平線 526:垂直線 630:定向失配 632:擬合曲線 710:方塊 720:方塊 730:方塊 740:方塊 ΔF:子範圍寬度 ΔSC:掃描旋轉 A:光軸 D1:第一距離 D2:第二距離 D _X:未知的距離 E:誤差 F:聚焦強度 F ₀:操作點聚焦強度 F ₁:聚焦強度 F _-1:聚焦強度 Fa:聚焦強度 Fb:聚焦強度 Fi:聚焦強度 Fj:聚焦強度 F _N:聚焦強度 F _-N:聚焦強度 Fx:聚焦強度 Fy:聚焦強度 U:量測準確度 WD:工作距離 X-Y:平面 Z:方向

在包括參考附圖的說明書的剩餘部分中闡述了對一般技藝人士的充分且賦能的揭示內容，其中：

第1圖圖示了經構造為根據本文描述的方法操作的帶電粒子束裝置；

第2圖圖示了用於示出聚焦距離對聚焦強度的依賴性的物鏡的示意圖；

第3A圖及第3B圖示出了視野對在樣品表面與帶電粒子束裝置的物鏡之間的距離的依賴性；

第3C圖示出了根據本文描述的實施例的對樣品成像。

第4圖係根據本文描述的實施例示出校準帶電粒子束裝置的方法的流程圖；

第5A圖係將量測誤差與物鏡的第一複數個聚焦強度進行關聯的圖表的示意性圖式；

第5B圖係用於決定複數個焦點子範圍的圖表的示意性圖式；

第6圖係將掃描旋轉的定向失配與第二複數個聚焦強度進行關聯的圖表的示意性圖式；

第7圖係示出根據本文描述的實施例的對樣品成像的方法的流程圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

10:樣品

11:第一表面區域

12:第二表面區域

13:平台表面

20:平台

100:帶電粒子束裝置

101:帶電粒子束

102:掃描電子顯微鏡

103:柱

105:樣品成像腔室

110:束源

115:加速器

120:透鏡元件

130:偵測器

140:掃描偏轉器

150:物鏡

151:磁透鏡部件

152:減速電場部件

160:控制器

181:平台運動控制器

A:光軸

D_X:未知的距離

WD:工作距離

X-Y:平面

Z:方向

Claims (20)

1. 一種使用一帶電粒子束裝置對一樣品成像的方法，包含以下步驟： 決定該帶電粒子束裝置的一物鏡的一第一聚焦強度，該第一聚焦強度適於在該樣品的一第一表面區域上聚焦一帶電粒子束； 決定複數個焦點子範圍的一第一焦點子範圍，使得該第一聚焦強度在該第一焦點子範圍內，其中該複數個焦點子範圍與一校準參數的一組值相關聯； 決定該校準參數的一第一值，該第一值與該第一焦點子範圍相關聯；以及 以該第一值對該第一表面區域成像。
2. 如請求項1所述的方法，其中該校準參數係一偏轉器參數。
3. 如請求項2所述的方法，其中該組值包含一組偏轉器電流值及一組偏轉器電壓值中的至少一者。
4. 如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟： 基於該第一聚焦強度並且基於在一聚焦強度與一掃描旋轉之間的一預定關聯來調節該帶電粒子束裝置的一掃描旋轉參數。
5. 如請求項1所述的方法，其中該第一聚焦強度藉由一可變焦點自動聚焦製程來決定。
6. 如請求項5所述的方法，其中該可變焦點自動聚焦製程包含以該物鏡的可變聚焦強度對該第一表面區域成像並且分析所獲得圖像的一圖像清晰度。
7. 如請求項1至6中任一項所述的方法，其中對該第一表面區域成像之步驟包含以下步驟： 以該第一值獲取該第一表面區域的一第一圖像；以及其中該方法進一步包含以下步驟： 量測該第一圖像中的一第一物體的一尺寸。
8. 如請求項1至6中任一項所述的方法，其中該帶電粒子束具有5 keV或更小的一著陸能量。
9. 一種校準一帶電粒子束裝置的方法，包含以下步驟： 藉由針對第一複數個聚焦強度中的每一者執行一校準物體的一第一量測來執行第一量測； 藉由基於該等第一量測針對該第一複數個聚焦強度中的每一者決定一量測誤差來決定量測誤差； 基於該等量測誤差及一量測準確度來決定複數個焦點子範圍； 藉由針對該複數個焦點子範圍中的每一者執行該校準物體的一第二量測來執行第二量測；以及 基於該等第二量測決定該複數個焦點子範圍的一校準參數的一組值。
10. 如請求項9所述的方法，其中該校準參數係一偏轉器參數。
11. 如請求項10所述的方法，其中該組值包含一組偏轉器電流值及一組偏轉器電壓值中的至少一者。
12. 如請求項9所述的方法，其中校準之步驟進一步包含以下步驟： 藉由針對第二複數個校準強度中的每一者決定關於該校準物體的該帶電粒子束裝置的一掃描旋轉的一定向失配來決定定向失配；以及 基於該等定向失配及該第二複數個聚焦強度來決定在一聚焦強度與一掃描旋轉之間的一關聯。
13. 如請求項9至12中任一項所述的方法，其中執行該第一量測及執行該第二量測中的至少一者之步驟包含以下步驟：使用一可變距離自動聚焦製程使該校準物體進入一帶電粒子束的一焦點中。
14. 如請求項13所述的方法，其中該可變距離自動聚焦製程包含以下步驟： 以距一物鏡變化的距離對該校準物體成像並且分析所獲得圖像的一圖像清晰度。
15. 如請求項9至12中任一項所述的方法，其中該複數個焦點子範圍中的每一者具有用於執行該第二量測的一校準聚焦強度。
16. 如請求項9至12中任一項所述的方法，其中該帶電粒子束具有5 keV或更小的一著陸能量。
17. 如請求項16所述的方法，其中該帶電粒子束具有1 keV或更小的一著陸能量。
18. 如請求項9至12中任一項所述的方法，其中該帶電粒子束裝置經構造為用於對一樣品成像，該樣品包含具有1 m ²或更大的一表面積的用於顯示器製造的一大面積基板。
19. 一種用於對一樣品成像的帶電粒子束裝置，包含： 一平台，用於佈置待成像的該樣品； 一物鏡，經構造為聚焦沿著一光軸傳播的一帶電粒子束；以及 一電腦可讀取媒體，含有用於對該樣品成像的一程式，當由一處理器執行時，該程式執行如請求項1至6中任一項所述的方法。
20. 如請求項19所述的帶電粒子束裝置，其中該電腦可讀取媒體含有用於校準該帶電粒子束裝置的一另外程式，當由該處理器執行時，該程式執行如請求項9至12中任一項所述的方法。

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