JP2009212471A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1パターンの形成にナノインプリント装置を使用し、後続の工程は縮小投影露光装置を使用してパターンを形成する。この方法をとることによりショット間ディストーションの低減が図れる。また最終保護膜開口やバンプ電極用マスク形成にもナノインプリント装置を使用し縮小投影露光装置の使用台数を減らし半導体装置の原価低減を図る。
【選択図】図5
Description
5 縮小レンズ 6 半導体基板 7 レジスト 8 露光部レジスト
9 未露光部レジスト 10 現像液 11 レジストパターン
12 半導体基板パターン 13 スタンパー 14 レジスト樹脂
15 レジスト樹脂パターン 16 半導体基板パターン 17 ショット格子
18 固有ショット格子
Claims (5)
- 縮小投影露光装置とナノインプリント装置との混合使用によりホトリソグラフィパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 第1パターンのホトリソグラフィパターンをナノインプリント装置が形成し、その後第2パターンのホトリソグラフィパターンを縮小投影露光装置で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1パターンが素子分離パターンであり、第2パターンがゲートパターンであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 最終保護膜の開口パターンをナノインプリント装置で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- バンプ電極形成用保護膜をナノインプリント装置で形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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