JP2015130535A - インプリント用基板およびインプリント方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高精細なインプリント転写が安定して行えるインプリント方法と、このようなインプリント方法を可能とするインプリント用基板とを提供する。【解決手段】インプリント用基板１１を、基板本体１２と、この基板本体１２の一方の面であって、インプリント転写で凹凸構造物が形成される領域の内側に位置する包囲構造物１３とを備え、この包囲構造物１３は樹脂の液滴を囲んで広がりを防止するものとし、このインプリント用基板１１上に被加工物として供給された樹脂５１の液滴の高さが維持でき、また、モールド６１のパターン領域を押し当てたときに、樹脂はモールド全面に広がる。【選択図】 図１３

Description

本発明は、被加工物に所望のパターン（線、模様等の図形）を転写形成するインプリント方法と、それに使用するインプリント用基板に関する。

微細加工技術として、インプリント方法に注目が集まっている。このインプリント方法は、基材の表面に微細な凹凸構造を形成した型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被加工物に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。
上記のインプリント方法の一つの方法として、光インプリント方法が知られている。この光インプリント方法では、例えば、基板表面に被加工物として光硬化性の樹脂層を配設し、この樹脂層に所望の凹凸構造を有するモールドを押し当てる。そして、この状態でモールド側から樹脂層に光を照射して硬化させ、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが有する凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を被加工物である樹脂層に形成することができる（特許文献１）。また、基板表面に流動性を有する樹脂を液滴として供給し、基板表面に離散的に存在する液滴にモールドを押し当てて液滴を均等に広げて樹脂層とすることが提案されている（特許文献２）。

特表２００２−５３９６０４号公報 特表２００５−５３３３９３号公報

インプリント方法では、硬化させた樹脂層からモールドを引き離す際に、樹脂層が基板側に密着している必要があるため、基板と樹脂層との濡れ性が高い必要がある。しかし、上記のように、流動性を有する樹脂を液滴として基板表面に供給する場合、濡れ性の高い（水に対する接触角が小さい）基板上に滴下された樹脂の液滴は、基板全面に広がる挙動を示し、液滴の高さはすぐに低くなってしまう。このように液滴の高さが十分に得られない状態では、モールドを押し当てたときに樹脂をモールド全面に広げるためには、モールドと基板とを完全に平行とする必要があり、高い機械精度が要求されるという問題がある。
一方、基板に滴下する樹脂量を増やすことにより、上述の液滴の高さの低下による問題は解消できるが、モールドからはみ出る樹脂量が多くなる。また、リソグラフィーに利用する際にも不利となる。その理由を従来技術と比較して説明する。従来の光リソグラフィーでは、レジストを現像することで基板表面が露出する部分とレジストパターンで被覆される部分とを形成することができる。よって基板への加工を行ないたい場合、そのまま次の加工へ進むことができる。これに対してナノインプリントの場合、基板上に滴下された樹脂にモールドを押し込むため、モールドを引き剥がしても基板表面は露出されず、パターン凹凸の高低差のみが作製される。ここからパターン凹凸の凹部に該当する基板表面を露出させたい場合には、凹部に残る樹脂を除去しなければならない。この除去すべき膜のことを残膜という。残膜の除去にはＯ₂ガス等によるエッチング工程が必要となる。そして、滴下する樹脂量を増やすと残膜の厚みが大きくなりやすく、残膜を除去する間にパターン寸法の変動を起こすリスクが増える。したがって、リソグラフィーへの利用は好ましくないという問題がある。

また、樹脂の液滴を多数滴下する場合において、最初に滴下された液滴と、最後に滴下された液滴とに時間差が生じた場合、これにより液滴の高さに相違が生じる。このように、液滴の高さが異なる状態でモールドを押し当てると、樹脂の広がり方に差が生じ、膜厚ムラや転写ムラ、転写欠陥が発生するという問題がある。これを解消するためには、モールドを押し当てる時間を十分長くする必要があるが、スループットの低下を来すことになる。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、高精細なインプリント転写が安定して行えるインプリント方法と、このようなインプリント方法を可能とするインプリント用基板とを提供することを目的とする。

このような目的を達成するために、本発明は、被加工物としての樹脂の液滴が供給され、モールドを用いてインプリント転写に供されるインプリント用基板において、基板本体と、該基板本体の一方の面であって、インプリント転写で凹凸構造物が形成される領域の内側に位置する包囲構造物とを備え、該包囲構造物は樹脂の液滴を囲んで広がりを防止するものであるような構成とした。

本発明の他の態様として、前記包囲構造物は、前記基板本体からの高さがインプリント転写により形成される樹脂層の残膜厚み以下であるような構成とした。

本発明の他の態様として、前記包囲構造物は、前記基板本体からの高さがインプリント転写により形成される樹脂層の残膜厚みよりも大きく、インプリント転写時の圧力により変形可能であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記包囲構造物は、水に対する接触角が変化可能であるような構成とした。

本発明の他の態様として、前記包囲構造物は、前記基板本体の一方の面の所望の領域に位置するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記包囲構造物は、少なくとも使用するモールドのパターン領域と同じか、それより大きい領域に位置するような構成とした。

本発明の他の態様として、前記基板本体は、多面付けで区画されており、各面付けごとに前記包囲構造物を備えるような構成とした。

本発明の他の態様として、前記包囲構造物は、加熱により変形可能であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記包囲構造物は、水に対する接触角が変化可能であるような構成とした。

本発明の他の態様として、前記包囲構造物は、前記基板本体の一方の面の所望の領域に位置するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記包囲構造物は、少なくとも使用するモールドのパターン領域と同じか、それより大きい領域に位置するような構成とした。

本発明の他の態様として、前記基板本体は、多面付けで区画されており、各面付けごとに前記包囲構造物を備えるような構成とした。

また、本発明のインプリント方法は、包囲構造物を備えた上述の本発明のインプリント用基板の前記基板本体上の前記包囲構造物で囲まれた領域に、被加工物としての樹脂を液滴で供給する液滴供給工程と、樹脂にモールドのパターン領域を押し当て、前記液滴が前記包囲構造物を乗り越えるように広げて樹脂層を形成する押し当て工程と、前記樹脂層の所望領域を硬化させ、次いで、硬化した樹脂層から前記モールドを引き離す硬化・剥離工程と、を有するような構成とした。

また、本発明のインプリント方法は、包囲構造物を備えた上述の本発明のインプリント用基板の前記基板本体上の前記包囲構造物で囲まれた領域に、被加工物としての樹脂を液滴で供給する液滴供給工程と、前記包囲構造物を加熱するとともに、樹脂にモールドのパターン領域を押し当て、前記液滴が前記包囲構造物を乗り越えるように広げて樹脂層を形成する加熱・押し当て工程と、前記樹脂層の所望領域を硬化させ、次いで、硬化した樹脂層から前記モールドを引き離す硬化・剥離工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
本発明の他の態様として、前記液滴供給工程の後、硬化した樹脂層から前記モールドを引き離す前に、前記包囲構造物の水に対する接触角を低下させるような構成とした。

本発明のインプリント用基板では、被加工物としてインプリント用基板に滴下供給された樹脂の液滴の広がりが包囲構造物によって防止されるので、包囲構造物で囲まれる領域の面積、液滴量によって液滴の高さを目的の高さに制御することが可能であり、これにより、モールドとインプリント用基板との機械的精度（平坦度、平行度）に起因した接触時（インプリント用基板上の樹脂にモールドを押し当てた時）の樹脂の広がりの不均一性、厚みムラ等が防止される。また、上記のように包囲構造物が液滴の高さ維持の作用を発現するので、基板本体は硬化後の樹脂層との密着性が良好なものとすることができ、これによりモールドの離型性を向上させることができる。

本発明のインプリント方法では、インプリント用基板の包囲構造物で囲まれた領域に樹脂を液滴で供給するので、基板本体を樹脂に対する濡れ性の高いものとしても、液滴の高さが維持され、モールドとインプリント用基板との接触時（インプリント用基板上の樹脂にモールドを押し当てた時）に、樹脂の良好な広がりが得られ、厚みムラが防止されるとともに、モールドのパターン内部への樹脂の充填性と、硬化した樹脂に対するモールドの離型性とを両立させることができ、これにより高精細なインプリント転写を安定して行うことができる。また、モールドの条件は常に一定にすることができるので、モールドを連続して繰り返し使用するプロセス（例えば、ステップアンドリピート方式）であっても、安定したインプリント転写が可能である。

本発明のインプリント用基板の一実施形態を示す断面図である。 本発明のインプリント用基板の他の実施形態を示す断面図である。 本発明のインプリント用基板の他の実施形態を示す平面図である。 本発明のインプリント用基板の他の実施形態を示す平面図である。 図４に示されるインプリント用基板のＡ−Ａ線における断面図である。 本発明のインプリント用基板の他の実施形態を示す断面図である。 本発明のインプリント用基板における包囲構造物を説明するための図である。 本発明のインプリント方法の一実施形態を示す工程図である。 本発明のインプリント方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明のインプリント方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明のインプリント方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明のインプリント方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明のインプリント方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明のインプリント方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明のインプリント方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明のインプリント方法の他の実施形態を示す工程図である。 本発明のインプリント方法の他の実施形態を示す工程図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
［インプリント用基板］
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明のインプリント用基板の一実施形態を示す断面図である。
図１において、インプリント用基板１は、基板本体２と、この基板本体２の一方の面２ａに位置する濡れ性変化層３とを備えたものである。
インプリント用基板１を構成する基板本体２は、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンやガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、金属基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。また、図２に示されるように、基板本体２は所望のパターン構造物５が面２ａ側に形成されたものであってもよい。このパターン構造物５としては、特に限定されず、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等が挙げられる。
また、インプリント用基板１を構成する濡れ性変化層３は、温度変化により表面の濡れ性が変化（水に対する接触角が変化）する層である。尚、本発明では、水に対する接触角はマイクロシリンジから水滴を滴下して３秒後に接触角測定器（協和界面科学（株）製 ＣＡ−Ｚ型）を用いて測定する。

濡れ性変化層３に使用する材料は、温度が高くなることにより水に対する接触角が大きくなる材料として、例えば、ポリ−Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−ｎ−プロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−シクロプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−メチル−Ｎ−イソプロピルアクリルアミド等のポリ−Ｎ−置換アクリルアミドや、ポリ−Ｎ−置換メタクリルアミド、ポリエーテル類やメチルセルロース等を挙げることができる。また、温度が高くなることにより水に対する接触角が小さくなる材料として、例えば、スルホベタインポリマー等を挙げることができる。このような材料は、水に対する接触角が変化する高温側の温度が通常５０℃以下であり、一般的な熱硬化性樹脂の硬化反応が急速に進む温度よりも低いものである。また、温度変化により表面の濡れ性が変化する材料として、上記のＮ−置換アクリルアミド構造等の構造を含むポリマーも挙げることができる。特に、インプリントに使用する光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂が、上記のような構造のみを成分とした濡れ性変化層を損なう場合には、架橋剤等を用いてポリマー構造を形成して用いることが好ましい。

このような濡れ性変化層３は、上述した成分を必要に応じて他の添加物とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、この塗布液を基板本体２上に塗布することにより形成することができる。使用する溶剤としては、水、１−メトキシ−２−プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を挙げることができる。これらの溶剤は単独で、または２種以上の組み合わせで使用することができる。塗布はスピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、ビードコーティング法等の公知の塗布方法により行うことができる。また、紫外線硬化型の成分を含有している場合、紫外線を照射して硬化処理を行うことにより濡れ性変化層３を形成することができる。

このような濡れ性変化層３の厚みは、例えば、０．０５〜５μｍ、好ましくは０．０１〜３μｍの範囲で適宜設定することができる。濡れ性変化層３の厚みが０．０５μｍ未満であると、膜厚が薄くなることで剥離力に対する機械的強度が低下し、例えば、モールドを被加工物から引き剥がす際に濡れ性変化層３が破損し、被加工物がモールドに付着してしまうことがあり好ましくない。一方、濡れ性変化層３の厚みが５μｍを超えると、濡れ性変化層３の基板本体２に対する応力が無視できなくなり、基板本体２に意図しない反りが発生するため好ましくない。ただし、濡れ性変化層３から作用する応力による基板本体２の反りの程度は、基板本体２の厚みや剛性により変わるので、上記の厚みの上限値５μｍはあくまで目安である。同様に、濡れ性変化層３の膜厚が薄くなることで、剥離力により濡れ性変化層３が破損する可能性も、濡れ性変化層３を構成する材料の機械強度により変化するため、上記の厚みの下限値０．０５μｍも目安の数値である。

また、温度変化により表面の濡れ性が変化（水に対する接触角が変化）する材料の濡れ性変化層３中の含有量は、所望の溶液粘度、塗膜厚さ等を考慮して適宜設定することができ、例えば、５０〜９５重量％の範囲で設定することができる。この含有量が５０重量％未満であると、濡れ性変化が不十分となったり、濡れ性変化に要する時間が長くなり、９５重量％を超えると、濡れ性変化層３の機械的強度が低下したり、インプリントで使用する光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が含有する溶剤等に対する耐久性が低下することがある。
上述のような濡れ性変化層３は、基板本体２の所望の領域、例えば、基板本体２の周辺部を除く領域、あるいは、基板本体２に予め形成された特定のパターン構造物を除く領域、あるいは、後工程で所望の加工が施される部位を除く領域等に形成されたものでもよく、また、基板本体２の全面に形成されたものであってもよい。また、濡れ性変化層３は、インプリント用基板１に滴下する樹脂の液滴の直径と同じ直径を有する円形より大きくなければならない。これは、基板本体２に形成された濡れ性変化層３の上に樹脂の液滴が滴下された際に必要な最小限の領域である。但し、装置を作製し液滴を射出する際にはアライメントずれが起きる可能性があることや、濡れ性変化層３に衝突した際に液滴がミルククラウンのように潰れてしまい、接触面積が一時的に大きくなることを考慮して、濡れ性変化層３は、滴下する樹脂の液滴の直径の２倍の大きさの直径を有する円形であることが好ましい。また、濡れ性変化層３は、使用するモールド（型部材）のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）と同じか、それよりも大きい領域に１箇所、または、複数箇所形成されたものであってよい。また、図３に示すように、基板本体２が多面付けで区画（各区画の境界を鎖線で示している）されている場合には、各面付け毎に濡れ性変化層３を形成してもよい。

このような本発明のインプリント用基板１は、濡れ性変化層３の濡れ性を任意に変更することができるので、樹脂に対する濡れ性を低くして、被加工物としてインプリント用基板１に滴下供給された樹脂の液滴の高さを目的の高さに制御することが可能である。これにより、モールドとインプリント用基板との機械的精度（平坦度、平行度）に起因した接触時（インプリント用基板上の樹脂にモールドを押し当てた時）の樹脂の広がりの不均一性、厚みのムラ等が防止される。また、液滴の高さが所望の高さになった後、あるいは、液滴にモールドを押し当てた後等に、濡れ性変化層３の水に対する接触角を低下させ樹脂に対する濡れ性を高くすることができ、これにより硬化後の樹脂層との密着性を高いものとすることができる。

＜第２の実施形態＞
図４は、本発明のインプリント用基板の他の実施形態を示す平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ線における断面図である。
図４および図５において、インプリント用基板１１は、基板本体１２と、この基板本体１２の一方の面１２ａに位置する包囲構造物１３とを備えたものである。包囲構造物１３は、樹脂の液滴を囲んで広がりを防止するものであり、図示例では、内側の領域１４が円形をなしている。
インプリント用基板１１を構成する基板本体１２は、上述の基板本体２と同様とすることができる。また、基板本体１２は、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が面１２ａ側に形成されたものであってもよい。また、基板本体１２は、包囲構造物１３を備える面１２ａが、被加工物である樹脂に対する濡れ性の高いものを選択することもでき、例えば、水に対する接触角が３０°以下の範囲にあるもの、あるいは、水に対する接触角が、使用するモールドの水に対する接触角よりも３０°以上小さいようなものを基板本体１２として選択することができる。

また、インプリント用基板１１を構成する包囲構造物１３は、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体等、これらの化合物、あるいは、これらの酸化物、炭化物等の材質で形成することができる。また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の材質で形成することができる。包囲構造物１３の形成は、例えば、基板本体１２上に上記の材質の膜を形成し、これをパターンエッチングして形成する方法、基板本体１２上に光硬化性樹脂を塗布し、これをパターン露光、現像して形成する方法等を挙げることができる。また、基板本体１２をパターンエッチングして、非エッチング部位を包囲構造物１３として形成してもよい。

このような包囲構造物１３の内側の距離Ｌ（円形の領域１４の直径）は、包囲構造物１３の内側の領域１４で高さを制御する樹脂液滴５１の直径をｄ、樹脂の基板に対する接触角をθとし、液滴５１の制御しようとする高さをｈとしたときに、下記の式（１）を満足するように設定することができる。尚、図５では、液滴５１を二点鎖線で示している。
ｄ ＜ Ｌ ≦ ２ｈ／tan(θ／２) … 式（１）
ここで、本発明では、液滴の高さの測定は、三次元形状計測器により包囲構造物の上方から計測する方法や、側面からＣＣＤカメラ等により測定する方法等、実測に基づく計測方法を用いることが好ましいが、予め樹脂液滴５１の表面張力が判明している場合には、滴下した液滴量から計算により求めることも可能である。
また、包囲構造物１３が、後述するようなモールドから受ける圧力で変形可能なものではない場合、その高さＨは、モールドを押し当てた際に樹脂の液滴５１とモールドとが接触するのを阻害しないよう、液滴５１の高さｈよりも低い必要がある。また、インプリント転写により形成される樹脂層の残膜厚みｔ（モールドのパターン領域の凹凸構造が転写された樹脂層の凹凸構造のうち、凹部に残る樹脂層の厚み）以下とする必要がある。したがって、この場合、下記の式（２）、式（３）を満足するように包囲構造物１３の高さＨを設定する。
Ｈ ＜ ｈ … 式（２）
Ｈ ≦ ｔ … 式（３）

また、包囲構造物１３の幅Ｗは、包囲構造物１３が樹脂の液滴５１を内側の領域１４に保持できる強度を有するものであれば特に制限はない。したがって、例えば、包囲構造物１３を構成する材料に応じて可能な範囲で幅Ｗを狭いものとすることができ、また、図６に示されるように、基板本体１２をパターンエッチングして凹部（上記の包囲構造物１３の内側の領域１４に相当）を形成し、周囲を包囲構造物１３としたような、幅Ｗが広いものであってもよい。尚、包囲構造物１３と樹脂の液滴５１との濡れ性が低い（包囲構造物１３の水に対する接触角が大きい）場合、インプリント転写で樹脂を硬化した後、モールドを樹脂層から引き離す際に、包囲構造物１３を起点にして樹脂層が基板本体１２から引き剥がされるおそれがある。このような場合には、包囲構造物１３の幅Ｗを可能な範囲で狭くするか、モールドの引き離しの際には、水に対する接触角を小さいものに変更できる材料で形成することが好ましい。後者の材料は、上述の本発明のインプリント用基板１の濡れ性変化層３に使用する材料を挙げることができ、また、後述する光照射によって水に対する接触角が低下するような材料を挙げることができる。

上述の例では、包囲構造物１３は、内側の領域１４が円形をなしているが、本発明では液滴を取り囲むものであればこれに限定されず、例えば、内側の領域１４が多角形、楕円等となるものであってもよい。多角形の場合、液滴５１の表面張力の作用を考慮すると、内側の領域１４が正方形、正六角形、正八角形等の正多角形となるものが好ましく、同様に、内側の領域１４が楕円の場合、長短の軸比が１に近いものが好ましい。尚、このように包囲構造物１３の内側の領域１４が正多角形である場合、上記の領域１４の距離Ｌは、正多角形の対角線の長さとし、楕円の場合、長軸の長さとする。
また、図示例では、１個の包囲構造物１３が示されているが、複数の包囲構造物１３が所望の間隔で配設されたものであってもよい。また、包囲構造物１３は、基板本体１２の所望の領域、例えば、基板本体１２の周辺部を除く領域、あるいは、基板本体１２に予め形成された特定のパターン構造物を除く領域、あるいは、後工程で所望の加工が施される部位を除く領域等に１個、または、複数個が配設されたものでもよい。また、基板本体１２の全面に所望の間隔で配設されたものであってもよい。また、包囲構造物１３が位置する領域は、使用するモールド（型部材）のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）と同じか、それよりも大きい領域であってよい。さらに、基板本体１２が多面付けで区画されている場合には、各面付け毎に１個、または、複数個の包囲構造物１３が位置するものであってもよい。

＜第３の実施形態＞
本発明では、包囲構造物１３がインプリント転写時にモールドから受ける圧力で変形可能なものであってもよい。図７は、圧力で変形可能な包囲構造物１３の例を示す図である。この例では、円形の領域１４を囲む包囲構造物１３の８箇所に、幅Ｗよりも薄い肉薄部１３ａを有するもの（図７（Ａ））、正方形の領域１４を囲む包囲構造物１３の４個の頂点部位に、幅Ｗよりも薄い肉薄部１３ａを有するもの（図７（Ｂ））、正六角形の領域１４を囲む包囲構造物１３の６個の頂点部位に、幅Ｗよりも薄い肉薄部１３ａを有するものである（図７（Ｃ））。このような肉薄部１３ａを有する包囲構造物１３は、インプリント転写時にモールドに接触することにより受ける圧力で肉薄部１３ａが破断し、残った部位が圧力で変形する。そして、包囲構造物１３の内側の領域１４に保持されていた液滴５１は、モールドとインプリント用基板１１との間隙中を容易に広がることができる。尚、包囲構造物１３の肉薄部１３ａの位置、数には特に制限はないが、インプリント転写時にモールドに接触することにより受ける圧力が集中し易い箇所が好ましい。
このような圧力により変形可能な包囲構造物１３の材質としては、上記と同様の材質を挙げることができる。また、肉薄部１３ａの厚みＷ′は、包囲構造物１３の材質、肉薄部１３ａの数等を考慮して、インプリント転写時にモールドに接触することにより受ける圧力で肉薄部１３ａが破断可能となるように設定することができ、例えば、厚みＷ′を厚みＷの６０％以下、好ましくは１０〜５０％程度の範囲で設定することができる。厚みＷ′が厚みＷの６０％を超える場合、圧力が加わっても破断が起きにくく、１０％以下では、ごくわずかな意図しない外力により破断が発生してしまう可能性がある。

また、包囲構造物１３がインプリント転写時にモールドから受ける圧力で変形可能なものとして、包囲構造物１３の全域において、幅Ｗを薄くしたものを挙げることができる。この場合、包囲構造物１３の幅Ｗは、包囲構造物１３が樹脂の液滴を内側の領域１４の保持できる強度を有し、かつ、インプリント転写時にモールドから受ける圧力で変形するように、使用する材料の強度を考慮して設定することができる。
このように、圧力で変形可能な包囲構造物１３の場合、その内側の領域１４の距離Ｌは、上記の式（１）を満足するように設定することができる。また、包囲構造物１３の高さＨは、モールドを押し当てた際に、樹脂の液滴５１とモールドとが接触するのを阻害しないよう、液滴５１の高さｈよりも低い必要はあるが、圧力で変形するので、インプリント転写により形成される樹脂層の残膜厚みｔよりも大きくてもよい。したがって、この場合、上記の式（２）を満足するように包囲構造物１３の高さＨを設定することができる。

＜第４の実施形態＞
インプリント転写では、被加工物である樹脂が熱硬化性である場合、モールドとインプリント用基板との接触状態（インプリント用基板上の樹脂にモールドを押し当てた状態）で加熱がなされる。また、被加工物である樹脂が光硬化性であっても、モールドとインプリント用基板との接触時における樹脂の広がりを助長する目的で、粘度を低下させるために加熱が行われる場合がある。
本発明では、包囲構造物１３が加熱により変形可能なものであってもよい。このような包囲構造物１３は、インプリント転写に使用する被加工物である樹脂の硬化後の軟化点よりも３０度以上低い軟化点を有する樹脂材料で形成する。尚、被加工物である樹脂が熱硬化性である場合、包囲構造物１３を構成する樹脂材料は、熱硬化性樹脂の硬化温度よりも３０度以上低い軟化点を有するものとする。
このような加熱により変形可能な包囲構造物１３を備えたインプリント用基板１１は、例えば、供給された液滴５１が目的の高さとなったところで、加熱によって包囲構造物１３を変形して、その高さをインプリント転写時のモールドとの接近に支障を来さない高さに制御することができる。
また、供給された液滴５１が目的の高さとなったところで、加熱によって包囲構造物１３を変形して、その高さを低くすることにより、インプリント転写時のモールドとインプリント用基板１１との間隙を樹脂が広がる際の抵抗を低減することができる。
また、加熱によって包囲構造物１３をインプリント転写時の圧力により変形可能とし、インプリント転写時にモールドに接触することにより受ける圧力で変形し、包囲構造物１３の内側の領域１４に保持されていた液滴５１のモールドとインプリント用基板１１との間隙への広がりを誘発することができる。

このように、加熱により変形可能な包囲構造物１３の場合、その内側の領域１４の距離Ｌは、上記の式（１）を満足するように設定することができる。また、包囲構造物１３の高さＨは、モールドを押し当てた際に、樹脂の液滴５１とモールドとが接触するのを阻害しないよう、液滴５１の高さｈよりも低い必要はあるが、加熱により変形可能とされるので、インプリント転写により形成される樹脂層の残膜厚みｔよりも大きくてもよい。したがって、この場合、上記の式（２）を満足するように包囲構造物１３の高さＨを設定することができる。
尚、上記のように包囲構造物１３が加熱により変形可能な場合であっても、上記の第３の実施形態のように、所望の箇所に肉薄部を有するものであってもよい。

上記の第２〜第４の実施形態で説明した本発明のインプリント用基板では、被加工物としてインプリント用基板１１に滴下供給された樹脂の液滴の広がりが包囲構造物１３によって防止されるので、包囲構造物１３で囲まれる領域１４の面積、液滴量によって液滴の高さを目的の高さに制御することが可能である。これにより、モールドとインプリント用基板との機械的精度（平坦度、平行度）に起因した接触時（インプリント用基板上の樹脂にモールドを押し当てた時）の樹脂の広がりの不均一性、厚みムラ等が防止される。また、上記のように包囲構造物１３が液滴の高さ維持の作用を発現するので、基板本体１２は硬化後の樹脂層との密着性が良好なものとすることができ、これによりモールドの離型性を向上させることができる。
また、第２の実施形態では、基板本体１２からの包囲構造物１３の高さＨをインプリント転写により形成される樹脂の残膜厚みｔ以下とするので、インプリント転写時のモールドとの接近に支障を来すことがない。
また、第３の実施形態では、基板本体１２からの包囲構造物の高さＨがインプリント転写により形成される樹脂の残膜厚みｔよりも大きいものであっても、包囲構造物１３をインプリント転写時の圧力により変形可能であるため、液滴の高さ設定をより高いものとすることができ、かつ、インプリント転写時のモールドとの接近にも支障を来すことがない。
また、第４の実施形態では、凸状構造部１３が加熱により変形可能であり、加熱によって包囲構造物１３の高さをインプリント転写時のモールドとの接近に支障を来さない高さに制御すること、あるいは、加熱によって包囲構造物１３をインプリント転写時の圧力により変形可能としてインプリント転写時のモールドとの接近に支障を来さないようにすることができる。

［インプリント方法］
＜第１の実施形態＞
図８は、本発明のインプリント方法の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、まず、液滴供給工程として、インプリント用基板２１の濡れ性変化層２３を、水に対する接触角が大きくして、被加工物としての樹脂に対する濡れ性が低い状態に設定し、この濡れ性変化層２３上に樹脂を液滴５１で供給する（図８（Ａ））。供給された樹脂の液滴５１は、濡れ性変化層２３に対する濡れ性が低く広がりが防止され、所望の高さを維持している。樹脂を液滴５１として滴下供給する手段としては、ディスペンサやインクジェット等を挙げることができる。
ここで使用するインプリント用基板２１は、上述の本発明のインプリント用基板１とすることができる。また、インプリント用基板２１は、後述するような、濡れ性変化層が光触媒を含有し、光照射で濡れ性が変化するインプリント用基板であってもよい。
また、樹脂を液滴５１で供給する際の濡れ性変化層２３の水に対する接触角は、例えば、６０°以上、好ましくは７０〜１００°の範囲とすることができる。これにより、濡れ性変化層２３を、樹脂に対する濡れ性が低い状態に設定することができる。

次に、濡れ性変化工程として、濡れ性変化層２３の水に対する接触角を、使用するモールド（型部材）の水に対する接触角よりも３０°以上小さくなるように低下させて、濡れ性変化層２３′とする（図８（Ｂ））。上記の接触角の差が３０°未満であると、後工程において、硬化した樹脂層５２の濡れ性変化層２３′に対する密着性とモールド６１に対する密着性との差が不十分なものとなり、硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離す際に、モールド６１に樹脂層５２が付着するおそれがある。このような水に対する接触角の低下は、使用するインプリント用基板２１が備える濡れ性変化層２３に応じて、濡れ性変化層２３の温度変化、あるいは、濡れ性変化層２３への光照射により行う。
このように濡れ性変化層２３の水に対する接触角を低下させると、液滴５１の広がりが始まるので、液滴５１がモールド６１の押し当てに支障を来さない高さを維持しているうちに、液滴５１へのモールド６１の押し当てを行うことがこのましい。
上記の濡れ性変化層２３の水に対する接触角の低下を、加熱による温度変化で行う場合であって、樹脂液滴５１が熱硬化性である場合には、液滴５１が熱硬化しないような温度範囲で濡れ性変化層２３を加熱する必要がある。但し、上記の本発明のインプリント用基板１の説明で記述したように、水に対する接触角が変化する高温側の温度は、通常、５０℃以下であり、熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低いので、加熱による液滴５１の熱硬化や、それに伴う急激な粘性の増加が生じない条件で濡れ性変化層２３の水に対する接触角の低下を確実に行うことができる。

また、濡れ性変化層２３の水に対する接触角の低下を、光照射で行う場合であって、樹脂液滴５１が光硬化性である場合には、照射する光は、濡れ性変化層２３に含有される光触媒の励起波長域を含む光であって、光硬化性の樹脂液滴５１の感光波長域から外れる光を使用する。このような照射光としては、例えば、ＶＵＶ（真空紫外線）、紫外線、可視光線、赤外線等を使用することができる。濡れ性変化層２３への光照射は、液滴５１側から行ってもよく、また、インプリント用基板２１の基板本体２２が照射光を透過可能である場合には、インプリント用基板２１側から行ってもよい。
次に、押し当て工程として、樹脂の液滴５１にモールド６１のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）を押し当て、樹脂層５１′を形成する（図８（Ｃ））。モールド６１が押し当てられた液滴５１は、濡れ性変化層２３′に対する濡れ性が高く、モールド６１と濡れ性変化層２３との間隙中を容易に広がり、均一な樹脂層５１′を形成する。

次いで、硬化・剥離工程として、樹脂層５１′を硬化させて樹脂層５２とし（図８（Ｄ））、この硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離すことにより、モールド６１が有する凹凸パターンが反転した凹凸構造５３が被加工物である樹脂層５２に転写形成される（図８（Ｅ））。樹脂層５１′の硬化は、樹脂液滴５１が熱硬化性の場合には、加熱により行い、また、樹脂液滴５１が光硬化性の場合には、モールド６１側から樹脂層５１′に光を照射することにより行うことができる。また、上記の濡れ性変化工程において、濡れ性変化層２３′の水に対する接触角が、モールド６１の水に対する接触角よりも３０°以上小さいものとなっているので、硬化した樹脂層５２と濡れ性変化層２３′との密着性が、硬化した樹脂層５２とモールド６１との密着性よりも大きいものとなり、硬化した樹脂層５２からのモールド６１の引き離しでは、モールド６１に樹脂層５２が付着することが防止される。
上記の例では、インプリント用基板２１の濡れ性変化層２３上に１個の液滴５１が滴下して供給されているが、図９に示すように、複数の液滴５１を濡れ性変化層２３上に滴下して供給してもよい（図９（Ａ））。この場合も、上記の実施形態と同様に、濡れ性変化工程として、濡れ性変化層２３の水に対する接触角を、使用するモールド（型部材）の水に対する接触角よりも３０°以上小さくなるように低下させて、濡れ性変化層２３′とする（図９（Ｂ））。その後、押し当て工程として、複数の液滴５１にモールド６１のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）を押し当て、樹脂層５１′を形成する（図９（Ｃ））。その後の工程も、上記の実施形態と同様に行うことができる。

＜第２の実施形態＞
図１０は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、上述の実施形態と同様に、液滴供給工程として、インプリント用基板２１の濡れ性変化層２３を、水に対する接触角が大きくして、被加工物としての樹脂に対する濡れ性が低い状態に設定し、この濡れ性変化層２３上に樹脂を液滴５１で供給する（図１０（Ａ））。
次に、押し当て工程として、樹脂の液滴５１にモールド６１のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）を押し当て、樹脂層５１′を形成する（図１０（Ｂ））。
次に、濡れ性変化工程として、濡れ性変化層２３の水に対する接触角を、使用するモールド６１の水に対する接触角よりも３０°以上小さくなるように低下させて、濡れ性変化層２３′とする（図１０（Ｃ））。このような濡れ性変化層２３′は液滴５１の濡れ性が高く、液滴５１はモールド６１と濡れ性変化層２３′の間隙中を広がり易くなる。このような効果をより有効に奏するために、押し当て工程から濡れ性変化工程までの時間は短い程好ましく、両工程を同時に進行してもよい。

このような水に対する接触角の低下は、上述の実施形態と同様に行うことができ、使用するインプリント用基板２１が備える濡れ性変化層２３に応じて、濡れ性変化層２３の温度変化、あるいは、濡れ性変化層２３への光照射により行う。尚、濡れ性変化層２３の水に対する接触角の低下を、光照射で行う場合であって、樹脂液滴５１が光硬化性である場合には、照射する光は、濡れ性変化層２３に含有される光触媒の励起波長域を含む光であって、光硬化性の樹脂層５１′の感光波長域から外れる光を使用する。このような照射光としては、例えば、ＶＵＶ（真空紫外線）、紫外線、可視光線、赤外線等から適宜選択することができる。濡れ性変化層２３への光照射は、樹脂層５１′側から行ってもよく、また、インプリント用基板２１の基板本体２２が照射光を透過可能である場合には、インプリント用基板２１側から行ってもよい。
次いで、硬化・剥離工程として、樹脂層５１′を硬化させて樹脂層５２とし（図１０（Ｄ））、この硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離すことにより、モールド６１が有する凹凸パターンが反転した凹凸構造５３が被加工物である樹脂層５２に転写形成される（図１０（Ｅ））。樹脂層５１′の硬化は、樹脂液滴５１が熱硬化性の場合には、加熱により行い、また、樹脂液滴５１が光硬化性の場合には、モールド６１側から樹脂層５１′に光を照射することにより行うことができる。
尚、この実施形態においても、図９に示すように、複数の液滴５１を濡れ性変化層２３上に滴下して供給してもよい。

＜第３の実施形態＞
図１１は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、上述の第１の実施形態と同様に、液滴供給工程として、インプリント用基板２１の濡れ性変化層２３を、水に対する接触角が大きくして、被加工物としての樹脂に対する濡れ性が低い状態に設定し、この濡れ性変化層２３上に樹脂を液滴５１で供給する（図１１（Ａ））。但し、インプリント用基板２１として、上述の本発明のインプリント用基板１を使用する場合、温度が高くなることにより水に対する接触角が小さくなる濡れ性変化層３を備えたものを使用する。
次に、押し当て工程として、樹脂の液滴５１にモールド６１のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）を押し当て、樹脂層５１′を形成する（図１１（Ｂ））。
次に、硬化・濡れ性変化工程として、樹脂層５１′を硬化させて樹脂層５２とするとともに、濡れ性変化層２３の水に対する接触角を、使用するモールド６１の水に対する接触角よりも３０°以上小さくなるように低下させて、濡れ性変化層２３′とする（図１１（Ｃ））。
樹脂層５１′の硬化は、樹脂液滴５１が熱硬化性の場合には、加熱により行い、また、樹脂液滴５１が光硬化性の場合には、モールド６１側から樹脂層５１′に光を照射することにより行うことができる。
また、濡れ性変化層２３の水に対する接触角の低下は、上述の実施形態と同様に、使用するインプリント用基板２１が備える濡れ性変化層２３に応じて、濡れ性変化層２３の温度変化（加熱）、あるいは、濡れ性変化層２３への光照射により行う。

このような硬化・濡れ性変化工程において、濡れ性変化層２３の水に対する接触角の低下を、濡れ性変化層２３の温度変化（加熱）により行う場合であって、樹脂液滴５１が熱硬化性の場合には、熱硬化のための加熱過程の途中で水に対する接触角の低下がなされる。一方、濡れ性変化層２３の水に対する接触角の低下を、濡れ性変化層２３への光照射により行う場合であって、樹脂液滴５１が光硬化性の場合には、照射する光は、光硬化性の樹脂層５１′の感光波長域と濡れ性変化層２３に含有される光触媒の励起波長域とに波長が存在する光を少なくとも含むものとする。このような照射光としては、例えば、ＶＵＶ（真空紫外線）、紫外線、可視光線、赤外線等から適宜選択することができる。
また、硬化・濡れ性変化工程において、濡れ性変化層２３の水に対する接触角の低下を、濡れ性変化層２３の温度変化（加熱）により行う場合であって、樹脂液滴５１が光硬化性の場合、あるいは、濡れ性変化層２３の水に対する接触角の低下を、濡れ性変化層２３への光照射により行う場合であって、樹脂液滴５１が熱硬化性の場合には、それぞれ、樹脂の硬化条件、濡れ性変化層の濡れ性変化（水に対する接触角低下）条件の範囲内で行う。
次いで、剥離工程として、硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離すことにより、モールド６１が有する凹凸パターンが反転した凹凸構造５３が被加工物である樹脂層５２に転写形成される（図１１（Ｄ））。
尚、この実施形態においても、図９に示すように、複数の液滴５１を濡れ性変化層２３上に滴下して供給してもよい。

上記の第１〜第３の実施形態で説明した本発明のインプリント方法では、被加工物としての樹脂に対する濡れ性が低い状態に設定した濡れ性変化層２３上に樹脂を液滴５１で供給するので、液滴５１の高さを所望の高さに維持することができる。そして、モールド６１とインプリント用基板２１との接触時（インプリント用基板上の樹脂にモールドを押し当てた時）よりも前、あるいは、接触状態で、インプリント用基板２１の濡れ性変化層２３の水に対する接触角を、モールドの水に対する接触角よりも３０°以上小さくなるように低下させて濡れ性変化層２３′とするので、濡れ性変化層２３′は樹脂に対する濡れ性が高いものとなり、樹脂の良好な広がりが得られ、厚みムラが防止される。また、モールド６１のパターン内部への樹脂の充填性と、硬化した樹脂に対するモールドの離型性とを両立させることができ、これにより高精細なインプリント転写を安定して行うことができる。

また、本発明のインプリント方法では、モールド６１の条件は常に一定とすることができるので、モールド６１を連続して繰り返し使用するプロセス（例えば、ステップアンドリピート方式）であっても、安定したインプリント転写が可能である。これについて、図１２を参照して説明する。ここでは、多面付けのインプリント用基板２１の所望の面付けの濡れ性変化層２３上に被加工物として樹脂を液滴５１として供給する（図１２（Ａ））。図示例では、多面付けの各面付けの境界を鎖線で示している。次に、この１面付けの範囲内において、濡れ性変化層２３の水に対する接触角を、使用するモールド６１の水に対する接触角よりも３０°以上小さくなるように低下させて、濡れ性変化層２３′とし、また、液滴５１にモールド６１のパターン領域を押し当てて樹脂層とし、この樹脂層を硬化させて樹脂層５２とする（図１２（Ｂ））。尚、濡れ性変化工程、押し当て工程、硬化工程の順序は、上記の第１〜第３の実施形態に示すいずれの順序であってもよい。そして、硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離し、モールド６１が有する凹凸パターンが反転した凹凸構造５３を樹脂層５２に転写形成し、次いで、次の面付けの濡れ性変化層２３上に被加工物として樹脂を液滴５１として供給し（図１２（Ｃ））、同様の操作を繰り返すことができる。このように、ステップアンドリピート方式を採用する場合、本発明では、繰り返し転写を行うことでモールド表面の状態が変化したとしても、モールドの離型処理をその都度やり直す必要はなく、インプリント用基板２１の濡れ性を面付け毎に調整するだけで安定したインプリント転写が可能である。尚、上記のようなステップアンドリピート方式でのインプリント転写では、全ての面付けに予め樹脂を液滴５１として供給してもよい。

＜第４の実施形態＞
図１３は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、上述の本発明のインプリント用基板１１（図４、図５参照）を用いた例である。
本実施形態では、まず、液滴供給工程として、インプリント用基板１１の包囲構造物１３で囲まれた領域１４に樹脂を液滴５１で供給する（図１３（Ａ））。供給された樹脂の液滴５１は、包囲構造物１３によって広がりが防止され、所望の高さを維持している。したがって、インプリント用基板１１の基板本体１２は、樹脂に対する濡れ性の高い材質とすることができる。樹脂を液滴５１として滴下供給する手段としては、ディスペンサやインクジェット等を挙げることができる。
包囲構造物１３の領域１４の長さＬは、上述の式（１）を満足し、包囲構造物１３の高さＨは、上述の式（２）を満足し（液滴の高さｈよりも低い）さらに、この実施形態では、包囲構造物１３の高さＨは、上述の式（３）を満足する（後工程で形成される樹脂層５２の残膜高さｔ以下）ものである。
次に、押し当て工程として、樹脂の液滴５１にモールド６１のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）を押し当て、樹脂層５１′を形成する（図１３（Ｂ））。モールド６１が押し当てられた液滴５１は、包囲構造物１３を乗り越え、モールド６１と基板本体１２との間隙中を広がり、均一な樹脂層５１′を形成する。また、このとき、包囲構造物１３の高さＨは、後工程で形成される樹脂層５２の残膜高さｔ以下であるため、包囲構造物１３がモールド６１と接触することはなく、モールド６１の押し当てに支障を生じることはない。

次いで、硬化・剥離工程として、樹脂層５１′を硬化させて樹脂層５２とし（図１３（Ｃ））、この硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離すことにより、モールド６１が有する凹凸パターンが反転した凹凸構造５３が被加工物である樹脂層５２に転写形成される（図１３（Ｄ））。樹脂層５１′の硬化は、樹脂液滴５１が熱硬化性の場合には、加熱により行い、また、樹脂液滴５１が光硬化性の場合には、モールド６１側から樹脂層５１′に光を照射することにより行うことができる。また、供給された樹脂の液滴５１の広がりが包囲構造物１３によって防止されるので、インプリント用基板１１の基板本体１２を、樹脂に対する濡れ性の高い材質とすることができる。これにより、硬化した樹脂層５２と基板本体１２との密着性を、硬化した樹脂層５２とモールド６１との密着性よりも大きいものとすることができ、硬化した樹脂層５２からのモールド６１の引き離しでは、モールド６１に樹脂層５２が付着することが防止される。

尚、包囲構造物１３と樹脂の液滴５１との濡れ性が低い（包囲構造物１３の水に対する接触角が大きい）場合、硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離す際に、包囲構造物１３を起点にして樹脂層が基板本体１２から引き剥がされるおそれがある。このような場合には、包囲構造物１３の幅Ｗを可能な範囲で狭くすること、あるいは、モールド６１の引き離しの際には、水に対する接触角を小さいものに変更できる材料で包囲構造物１３を形成すること、により対処できる。そして、後者の場合には、樹脂層５１′の硬化と同時、あるいは、押し当て工程において包囲構造物１３の水に対する接触角を低下させることができる。これは、以下の第５〜第７の実施形態においても同様である。
上記の例では、インプリント用基板１１の１個の包囲構造物１３が配設されており、これに液滴５１が滴下して供給されているが、図１４に示すように、複数の包囲構造物１３に液滴５１を滴下して供給してもよい（図１４（Ａ））。この場合も、上記の第４の実施形態と同様に、押し当て工程として、複数の液滴５１にモールド６１のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）を押し当て、樹脂層５１′を形成する（図１４（Ｂ））。その後の工程も、上記の実施形態と同様に行うことができる。

＜第５の実施形態＞
図１５は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、上述の本発明のインプリント用基板１１（図４、図５参照）を用いた例である。
本実施形態では、上述の第４の実施形態と同様に、液滴供給工程として、インプリント用基板１１の包囲構造物１３で囲まれた領域１４に樹脂を液滴５１で供給する（図１５（Ａ））。供給された樹脂の液滴５１は、包囲構造物１３によって広がりが防止され、所望の高さを維持している。したがって、インプリント用基板１１の基板本体１２は、樹脂に対する濡れ性の高い材質とすることができる。
包囲構造物１３の領域１４の長さＬは、上述の式（１）を満足し、包囲構造物１３の高さＨは、上述の式（２）を満足する（液滴の高さｈよりも低い）が、後工程で形成される樹脂層５２の残膜高さｔよりも高いものとする。さらに、この実施形態では、包囲構造物１３は、モールドの圧力で変形可能なものとする。
次に、押し当て工程として、樹脂の液滴５１にモールド６１のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）を押し当て、樹脂層５１′を形成する（図１５（Ｂ））。この押し当て工程では、包囲構造物１３の高さＨが後工程で形成される樹脂層５２の残膜高さｔよりも高いので、包囲構造物１３はモールド６１に接触するが、モールド６１の圧力により包囲構造物１３が破断し変形する。これにより、液滴５１は包囲構造物１３を乗り越え、モールド６１と基板本体１２との間隙中を広がり、均一な樹脂層５１′を形成する。

次いで、硬化・剥離工程として、樹脂層５１′を硬化させて樹脂層５２とし（図１５（Ｃ））、この硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離すことにより、モールド６１が有する凹凸パターンが反転した凹凸構造５３が被加工物である樹脂層５２に転写形成される（図１５（Ｄ））。樹脂層５１′の硬化は、樹脂液滴５１が熱硬化性の場合には、加熱により行い、また、樹脂液滴５１が光硬化性の場合には、モールド６１側から樹脂層５１′に光を照射することにより行うことができる。
尚、この実施形態においても、図１４に示すように、複数の包囲構造物１３を配設し、これらに液滴５１を滴下して供給してもよい。
＜第６の実施形態＞
図１６は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、上述の本発明のインプリント用基板１１（図４、図５参照）を用いた例である。
本実施形態では、上述の第４の実施形態と同様に、液滴供給工程として、インプリント用基板１１の包囲構造物１３で囲まれた領域１４に樹脂を液滴５１で供給する（図１６（Ａ））。供給された樹脂の液滴５１は、包囲構造物１３によって広がりが防止され、所望の高さを維持している。したがって、インプリント用基板１１の基板本体１２は、樹脂に対する濡れ性の高い材質とすることができる。
包囲構造物１３の領域１４の長さＬは上述の式（１）を満足し、包囲構造物１３の高さＨは、上述の式（２）を満足する（液滴の高さｈよりも低い）ものであり、さらに、この実施形態では、包囲構造物１３は、加熱により変形可能なものとする。

次に、加熱・押し当て工程として、加熱により包囲構造物１３を変形して高さを低くし（図１６（Ｂ））、樹脂の液滴５１にモールド６１のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）を押し当て、樹脂層５１′を形成する（図１６（Ｃ））。この加熱・押し当て工程では、加熱により包囲構造物１３の高さが低くされるので、液滴５１が包囲構造物１３を乗り越えてモールド６１と基板本体１２との間隙中を広がり易くなり、均一な樹脂層５１′が形成される。したがって、包囲構造物１３の高さＨは、上述の式（３）（後工程で形成される樹脂層５２の残膜高さｔ以下）を満足しなくてもよい。
尚、包囲構造物１３の加熱と、液滴５１へのモールド６１の押し当ては、同時であってもよく、いずれかを先にしてもよい。包囲構造物１３の加熱を先に行う場合、加熱により包囲構造物１３の高さが低くされることにより、液滴５１の広がりが始まるので、液滴５１がモールド６１の押し当てに支障を来さない高さを維持しているうちに、液滴５１へのモールド６１の押し当てを行うことが好ましい。また、液滴５１へのモールド６１の押し当てを先に行う場合、加熱により包囲構造物１３の高さを低くすることの効果を奏するためには、液滴５１へのモールド６１の押し当てが開始されてから包囲構造物１３の加熱の開始までの時間が短い方が好ましい。

次いで、硬化・剥離工程として、樹脂層５１′を硬化させて樹脂層５２とし（図１６（Ｄ））、この硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離すことにより、モールド６１が有する凹凸パターンが反転した凹凸構造５３が被加工物である樹脂層５２に転写形成される（図１６（Ｅ））。樹脂層５１′の硬化は、樹脂液滴５１が熱硬化性の場合には、加熱により行い、また、樹脂液滴５１が光硬化性の場合には、モールド６１側から樹脂層５１′に光を照射することにより行うことができる。
尚、この実施形態においても、図１４に示すように、複数の包囲構造物１３を配設し、これらに液滴５１を滴下して供給してもよい。

＜第７の実施形態＞
図１７は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図であり、上述の本発明のインプリント用基板１１（図４、図５参照）を用いた例である。
本実施形態では、上述の第４の実施形態と同様に、液滴供給工程として、インプリント用基板１１の包囲構造物１３で囲まれた領域１４に樹脂を液滴５１で供給する（図１７（Ａ））。供給された樹脂の液滴５１は、包囲構造物１３によって広がりが防止され、所望の高さを維持している。したがって、インプリント用基板１１の基板本体１２は、樹脂に対する濡れ性の高い材質とすることができる。
包囲構造物１３の領域１４の長さＬは、上述の式（１）を満足し、包囲構造物１３の高さＨは、上述の式（２）を満足する（液滴の高さｈよりも低い）が、後工程で形成される樹脂層５２の残膜高さｔよりも高いものとする。さらに、この実施形態では、包囲構造物１３は、加熱により変形可能なものとする。
次に、加熱・押し当て工程として、包囲構造物１３を加熱するとともに、樹脂の液滴５１にモールド６１のパターン領域（凹凸構造が形成されている領域）を押し当て、樹脂層５１′を形成する（図１７（Ｂ））。包囲構造物１３の高さＨは、後工程で形成される樹脂層５２の残膜高さｔよりも高いので、この加熱・押し当て工程では、包囲構造物１３とモールド６１とが接触するが、包囲構造物１３は加熱によって変形可能とされるので、モールド６１の圧力により包囲構造物１３が破断し変形する。これにより、液滴５１は包囲構造物１３を乗り越え、モールド６１と基板本体１２との間隙中を広がり、均一な樹脂層５１′を形成する。

次いで、硬化・剥離工程として、樹脂層５１′を硬化させて樹脂層５２とし（図１７（Ｃ））、この硬化した樹脂層５２からモールド６１を引き離すことにより、モールド６１が有する凹凸パターンが反転した凹凸構造５３が被加工物である樹脂層５２に転写形成される（図１７（Ｄ））。樹脂層５１′の硬化は、樹脂液滴５１が熱硬化性の場合には、加熱により行い、また、樹脂液滴５１が光硬化性の場合には、モールド６１側から樹脂層５１′に光を照射することにより行うことができる。
尚、この実施形態においても、図１４に示すように、複数の包囲構造物１３を配設し、これらに液滴５１を滴下して供給してもよい。
上記の第４〜第７の実施形態で説明した本発明のインプリント方法では、インプリント用基板１１の包囲構造物１３で囲まれた領域１４に樹脂を液滴５１で供給するので、基板本体１２を樹脂に対する濡れ性の高いものとしても、液滴５１の高さが維持され、モールド６１とインプリント用基板１１との接触時（インプリント用基板上の樹脂にモールドを押し当てた時）に、樹脂の良好な広がりが得られ、厚みムラが防止されるとともに、モールド６１のパターン内部への樹脂の充填性と、硬化した樹脂層５２に対するモールド６１の離型性を両立させることができ、これにより高精細なインプリント転写を安定して行うことができる。

また、第４の実施形態では、基板本体１２からの包囲構造物１３の高さがインプリント転写により形成される樹脂の残膜厚みｔ以下であるインプリント用基板１１を使用するので、インプリント転写時のモールドとの接近に支障を来すことが防止される。
また、第５の実施形態では、基板本体１２からの包囲構造物１３の高さがインプリント転写により形成される樹脂の残膜厚みｔよりも大きいが、包囲構造物１３がインプリント転写時の圧力により変形可能であるインプリント用基板１１を使用するので、液滴の高さ設定をより高いものとすることができ、かつ、インプリント転写時のモールドとの接近に支障を来すことが防止される。
また、第６の実施形態では、包囲構造物１３が加熱により変形可能であるインプリント用基板１１を使用するので、モールドとインプリント用基板との接触時の前、または、接触状態で、加熱によって包囲構造物１３の高さを制御してインプリント転写時のモールドとの接近に支障を来すことを防止することができる。したがって、基板本体１２からの包囲構造物１３の高さを、目的とする液滴の高さに応じて適宜設定することができる。
また、第７の実施形態では、包囲構造物１３が加熱により変形可能であるインプリント用基板を使用するので、加熱によって包囲構造物１３をインプリント転写時の圧力により変形可能としてインプリント転写時のモールドとの接近に支障を来すことを防止することができ、したがって、基板本体１２からの包囲構造物１３の高さを、目的とする液滴の高さに応じて適宜設定することができる。
また、モールド６１の条件は常に一定とすることができるので、図１２を参照して説明した上述のステップアンドリピート方式を採用することもできる。

ここで、上記の第１〜第３の実施形態で説明した本発明のインプリント方法に使用するインプリント用基板であって、光照射で濡れ性が変化するインプリント用基板２１について説明する。
このようなインプリント用基板２１の基板本体２２は、上述の本発明のインプリント用基板１を構成する基板本体２と同様とすることができる。
また、濡れ性変化層２３は、光触媒とオルガノポリシロキサンを含有する層とすることができる。濡れ性変化層２３に使用する光触媒としては、照射された光を吸収したときに、周囲の有機物の化学構造に変化を及ぼすものであり、例えば、光半導体として知られている酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）、酸化タングステン（ＷＯ₃）、酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）等のような金属酸化物を挙げることができ、これらの１種、あるいは２種以上の組み合わせで使用することができる。

このような光触媒のなかで、本発明では特に酸化チタンが、バンドギャップエネルギーが高く、化学的に安定で毒性もなく、入手も容易であることから好適に使用することができる。酸化チタンには、アナターゼ型とルチル型があり、本発明ではいずれも使用することができるが、アナターゼ型の二酸化チタンが好ましい。このアナターゼ型の酸化チタンは励起波長が３８０ｎｍ以下にあり、また、粒径が小さいものの方が光触媒反応が効率的に起るので好ましく、例えば、平均粒径が５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下のものが好適である。このようなアナターゼ型の酸化チタンとしては、例えば、塩酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（石原産業（株）製 ＳＴＳ−０２（平均粒径７ｎｍ））、硝酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（日産化学（株）製 ＴＡ−１５（平均粒径１２ｎｍ））等を挙げることができる。

また、濡れ性変化層２３に使用するオルガノポリシロキサンは、光触媒により濡れ性が変化し、かつ、光触媒の作用により劣化、分解し難い主鎖を有するものであり、例えば、（１）ゾルゲル反応等によりクロロまたはアルコキシシラン等を加水分解、重縮合して大きな強度を発揮するオルガノポリシロキサン、（２）撥水性や撥油性に優れた反応性シリコーンを架橋したオルガノポリシロキサン等を挙げることができる。
上記の（１）の場合、一般式 Ｙ_nＳｉＸ_(4-n)
（ここで、Ｙはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Ｘはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示す。ｎは０〜３までの整数である。）
で示される珪素化合物の１種または２種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。尚、Ｙで示される基の炭素数は１〜２０の範囲内であることが好ましく、また、Ｘで示されるアルコキシル基は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。

具体的には、メチルトリクロルシラン、メチルトリブロムシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリｔ−ブトキシシラン；エチルトリクロルシラン、エチルトリブロムシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリｔ−ブトキシシラン；ｎ−プロピルトリクロルシラン、ｎ−プロピルトリブロムシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリイソプロポキシシラン、ｎ−プロピルトリｔ−ブトキシシラン；ｎ−ヘキシルトリクロルシラン、ｎ−ヘキシルトリブロムシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリイソプロポキシシラン、ｎ−ヘキシルトリｔ−ブトキシシラン；ｎ−デシルトリクロルシラン、ｎ−デシルトリブロムシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリイソプロポキシシラン、ｎ−デシルトリｔ−ブトキシシラン；ｎ−オクタデシルトリクロルシラン、ｎ−オクタデシルトリブロムシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリイソプロポキシシラン、ｎ−オクタデシルトリｔ−ブトキシシラン；フェニルトリクロルシラン、フェニルトリブロムシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリｔ−ブトキシシラン；テトラクロルシラン、テトラブロムシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン；ジメチルジクロルシラン、ジメチルジブロムシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン；ジフェニルジクロルシラン、ジフェニルジブロムシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン；フェニルメチルジクロルシラン、フェニルメチルジブロムシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン；トリクロルヒドロシラン、トリブロムヒドロシラン、トリメトキシヒドロシラン、トリエトキシヒドロシラン、トリイソプロポキシヒドロシラン、トリｔ−ブトキシヒドロシラン；ビニルトリクロルシラン、ビニルトリブロムシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリｔ−ブトキシシラン；トリフルオロプロピルトリクロルシラン、トリフルオロプロピルトリブロムシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリｔ−ブトキシシラン；γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリｔ−ブトキシシラン；γ−メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシラン、γ−メタアクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリｔ−ブトキシシラン；γ−アミノプロピルメチルジメトキシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリｔ−ブトキシシラン；γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリｔ−ブトキシシラン；β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシラン；および、これらの部分加水分解物；および、これらの混合物を使用することができる。

また、特にフルオロアルキル基を含有するポリシロキサンを好ましく用いることができ、具体的には、下記のフルオロアルキルシランの１種または２種以上の加水分解縮合物、共加水分解縮合物が挙げられ、一般にフッ素系シランカップリング剤として知られたものを使用することができる。
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
（ＣＦ₃）ＣＦ（ＣＦ₂）₄ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
（ＣＦ₃）ＣＦ（ＣＦ₂）₆ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
（ＣＦ₃）ＣＦ（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（Ｃ₆Ｈ₄）Ｃ₂Ｈ₄Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃（Ｃ₆Ｈ₄）Ｃ₂Ｈ₄Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅（Ｃ₆Ｈ₄）Ｃ₂Ｈ₄Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇（Ｃ₆Ｈ₄）Ｃ₂Ｈ₄Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₉ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
（ＣＦ₃）ＣＦ（ＣＦ₂）₄ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
（ＣＦ₃）ＣＦ（ＣＦ₂）₆ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
（ＣＦ₃）ＣＦ（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂ＣＨ₂ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
ＣＦ₃（Ｃ₆Ｈ₄）Ｃ₂Ｈ₄ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃（Ｃ₆Ｈ₄）Ｃ₂Ｈ₄ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅（Ｃ₆Ｈ₄）Ｃ₂Ｈ₄ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇（Ｃ₆Ｈ₄）Ｃ₂Ｈ₄ＳｉＣＨ₃（ＯＣＨ₃）₂；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₃；
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₉ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₃；および
ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇ＳＯ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）Ｃ₂Ｈ₄ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃。
また、上記の（２）の反応性シリコーンとしては、下記のような一般式で表される骨格を有する化合物を挙げることができる。

ただし、ｎは２以上の整数であり、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル、アルケニル、アニールあるいはシアノアルキル基であり、モル比で全体の４０％以下がビニル、フェニル、ハロゲン化フェニルである。また、Ｒ¹、Ｒ²がメチル基のものが表面エネルギーが最も小さくなるので好ましく、モル比でメチル基が６０％以上であることが好ましい。また、鎖末端もしくは側鎖には、分子鎖中に少なくとも１個以上の水酸基等の反応性基を有することが好ましい。

また、上記のオルガノポリシロキサンとともに、ジメチルポリシロキサンのような架橋反応を生じない安定なオルガノシリコーン化合物を混合してもよい。
また、濡れ性変化層２３には、さらに界面活性剤を含有させることができる。具体的には、日光ケミカルズ（株）製 ＮＩＫＫＯＬ ＢＬ、ＢＣ、ＢＯ、ＢＢの各シリーズ等の炭化水素系、デュポン社製 ＺＯＮＹＬ ＦＳＮ、ＦＳＯ、旭硝子（株）製 サーフロンＳ−１４１，１４５、大日本インキ化学工業（株）製 メガファックＦ−１４１，１４４、ネオス（株）製 フタージェントＦ−２００、Ｆ−２５１、ダイキン工業（株）製 ユ二ダインＤＳ−４０１、４０２、スリーエム（株）製 フロラードＦＣ−１７０、１７６等のフッ素系あるいはシリコーン系の非イオン界面活性剤を挙げることができ、また、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、両性界面活性剤を用いることもできる。
また、濡れ性変化層２３には、上記の界面活性剤の他にも、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、アクリル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を含有させることができる。

このような濡れ性変化層２３は、上述した成分を必要に応じて他の添加物とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、この塗布液を基板本体２２上に塗布することにより形成することができる。使用する溶剤としては、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系の有機溶剤が好ましい。塗布はスピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、ビードコーティング法等の公知の塗布方法により行うことができる。また、紫外線硬化型の成分を含有している場合、紫外線を照射して硬化処理を行うことにより濡れ性変化層２３を形成することができる。
このような濡れ性変化層２３の厚みは、例えば、０．０１〜１μｍの範囲で適宜設定することができ、また、濡れ性変化層３中の光触媒の含有量は、５〜６０重量％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲で設定することができる。濡れ性変化層２３の厚みが０．０１μｍ未満であると、膜厚が薄くなることで剥離力に対する機械的強度が低下し、例えば、モールド６１を硬化した樹脂層５２から引き剥がす際に濡れ性変化層２３が破損し、樹脂層５２がモールド６１に付着してしまうことがあり好ましくない。一方、濡れ性変化層２３の厚みが１μｍを超えると、濡れ性変化層２３の基板本体２２に対する応力が無視できなくなり、基板本体２２に意図しない反りが発生するため好ましくない。また、濡れ性変化層２３中の光触媒の含有量が５重量％未満であると、濡れ性変化が不十分となったり、濡れ性変化に要する時間が長くなり、６０重量％を超えると、濡れ性変化層２３の機械的強度が不十分となり好ましくない。

また、インプリント用基板２１を構成する濡れ性変化層２３が、基板本体２２上に、光触媒含有層とオルガノポリシロキサン含有層とがこの順に積層されてなるものであってもよい。
この場合の光触媒含有層は、光触媒単独で形成されたものであってもよく、また、バインダーと混合して形成されたものであってもよい。
光触媒含有層を光触媒単独で形成する場合、例えば、光触媒が酸化チタンの場合は、基板本体２２上に無定形チタニアを形成し、次いで、焼結により結晶性チタニアに相変化させる方法等が挙げられる。ここで用いる無定形チタニアとしては、例えば、四塩化チタン、硫酸チタン等のチタンの無機塩の加水分解、脱水縮合により、あるいは、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラメトキシチタン等の有機チタン化合物を酸存在下で加水分解、脱水縮合させることにより得ることができる。次いで、４００〜５００℃における焼成によってアナターゼ型チタニアに変性し、６００〜７００℃の焼成によってルチル型チタニアに変性することができる。

また、光触媒含有層をバインダーと混合して形成する場合、バインダーの主骨格が光触媒の作用で分解されないような高い結合エネルギーを有するものが好ましく、例えば、上述のオルガノポリシロキサン等をバインダーとして使用することができる。このようにオルガノポリシロキサンをバインダーとして用いた場合は、光触媒とバインダーであるオルガノポリシロキサンを必要に応じて他の添加物とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、この塗布液を基板本体２２上に塗布することにより光触媒含有層を形成することができる。使用する溶剤としては、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系の有機溶剤が好ましい。塗布はスピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、ロールコーティング法、ビードコーティング法等の公知の塗布方法により行うことができる。また、バインダーとして紫外線硬化型の成分を含有している場合、紫外線を照射して硬化処理を行うことにより光触媒含有層を形成することができる。

また、バインダーとして無定形シリカ前駆体を用いることができる。この無定形シリカ前駆体は、一般式ＳｉＸ₄で表され、Ｘはハロゲン、メトキシ基、エトキシ基またはアセチル基等であるケイ素化合物、それらの加水分解物であるシラノール、または平均分子量３０００以下のポリシロキサンが好ましい。具体的には、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラメトキシシラン等が挙げられ、これらを単独で、あるいは２種以上混合して用いることができる。そして、バインダーとして無定形シリカ前駆体を用いる場合、無定形シリカ前駆体と光触媒の粒子とを非水性溶媒中に均一に分散させ、基板本体２２上に空気中の水分により加水分解させてシラノールを形成させた後、常温で脱水縮重合することにより光触媒含有層を形成することができる。シラノールの脱水縮重合を１００℃以上で行えば、シラノールの重合度が増し、膜表面の強度を向上できる。
光触媒含有層の光触媒の含有量は、５〜６０重量％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲で設定することができる。また、光触媒含有層の厚みは０．００５〜１０μｍ程度の範囲で適宜設定することができる。光触媒含有層の光触媒の含有量が５重量％未満であると、オルガノポリシロキサン含有層の濡れ性変化が不十分となったり、濡れ性変化に要する時間が長くなり、また、６０重量％を超えると、光触媒含有層の機械的強度が不十分となり好ましくない。光触媒含有層の厚みが０．００５μｍ未満であると、光触媒含有層の均一性の信頼が低下し、十分な機能を発揮できないおそれがあり、１０μｍを超えると、濡れ性変化層２３の基板本体２２に対する応力が無視できなくなり、基板本体２２に意図しない反りが発生するため好ましくない。

また、光触媒含有層には、上記の光触媒、バインダーの他に、界面活性剤を含有させることができる。具体的には、日光ケミカルズ（株）製 ＮＩＫＫＯＬ ＢＬ、ＢＣ、ＢＯ、ＢＢの各シリーズ等の炭化水素系、デュポン社製 ＺＯＮＹＬ ＦＳＮ、ＦＳＯ、旭硝子（株）製 サーフロンＳ−１４１，１４５、大日本インキ化学工業（株）製 メガファックＦ−１４１，１４４、ネオス（株）製 フタージェントＦ−２００、Ｆ−２５１、ダイキン工業（株）製 ユ二ダインＤＳ−４０１、４０２、スリーエム（株）製 フロラードＦＣ−１７０、１７６等のフッ素系あるいはシリコーン系の非イオン界面活性剤を挙げることができ、また、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、両性界面活性剤を用いることもできる。
また、光触媒含有層には、上記の界面活性剤の他にも、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、アクリル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を含有させることができる。

また、濡れ性変化層２３を構成するオルガノポリシロキサン含有層は、上述のオルガノポリシロキサンを、必要に応じてオルガノシリコーン化合物、界面活性剤、オリゴマー、ポリマー等とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、この塗布液を光触媒含有層上に塗布することにより形成することができる。このようなオルガノポリシロキサン含有層の厚みは、０．００１〜１μｍ、好ましくは０．０１〜０．１μｍの範囲で適宜設定することができる。オルガノポリシロキサン含有層の厚みが０．００１μｍ未満であると、膜厚が薄くなることで剥離力に対する機械的強度が低下するため、例えば、モールドを被加工物から引き剥がす際にオルガノポリシロキサン含有層が破損し、被加工物がモールドに付着してしまうおそれがあり好ましくない。一方、オルガノポリシロキサン含有層の厚みが１μｍを超えると、基板本体２２に対する応力が無視できなくなり、基板本体２２に意図しない反りが発生するため好ましくない。
上述の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。また、本発明のインプリント方法で使用するモールドも、図示例のような形状に限定されるものではなく、例えば、メサ構造を有するモールドであってもよい。

次に、より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
［参考例１］
＜インプリント用基板の作製＞
基板本体として、厚み６２５μｍの石英ウエハを１５０ｍｍφの寸法としたものを準備した。
また、下記組成の濡れ性変化層形成用の塗布液を調製し、この塗布液を上記の基板本体上にスピンコーティング法で塗布し、乾燥（２００℃、３０分間）して濡れ性変化層（厚み２．６μｍ）とした。これにより、濡れ性変化層を備えたインプリント用基板とした。
（濡れ性変化層形成用の塗布液）
・ポリマーＩ … １００重量部
・トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル … １５重量部
・１−メトキシ−２−プロパノール … １０００重量部
上記のポリマーＩは、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド構造のモル分率８０％、ヒドロキシエチルアクリレート構造のモル分率２０％である下記のような一般式で表される骨格を有するポリマーである。

このように作製したインプリント用基板の濡れ性変化層は、温度変化により水に対する接触角が変化するものであり、２５℃の濡れ性変化層の水に対する接触角は５９．６°であり、４０℃の濡れ性変化層の水に対する接触角は９１．８°であった。尚、水に対する接触角はマイクロシリンジから水滴を滴下して３秒後に接触角測定器（協和界面科学（株）製 ＣＡ−Ｚ型）を用いて測定した。

＜モールドの作製＞
厚み６．３５ｍｍの石英ガラスを用いてモールドを作製した。このモールドは、大きさが２５ｍｍ×２５ｍｍであり、深さ５０ｎｍ、ライン／スペースが５０ｎｍ／５０ｎｍの凹凸パターンを備えるものであった。また、このモールドの水に対する接触角を上記と同様に測定したところ、９７．５°であった。

＜インプリント＞
上記にように作製したインプリント用基板の濡れ性変化層の温度を４０℃とし、水に対する接触角が大きく、樹脂に対する濡れ性が低い状態とした。そして、この濡れ性変化層に滴下容量が１００ｐＬとなるように下記組成の光硬化性樹脂を５列×５列（計２５箇所）に５ｍｍピッチで滴下して被加工物としての樹脂液滴とした。
（光硬化性樹脂の組成）
・アクリロキシメチルペンタメチルジシロキサン … ３７重量部
・イソボルニルアクリレート … ４２重量部
・エチレングリコールジアクリレート … １８重量部
・２−ヒドロジ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン
… ３重量部
この樹脂液滴の滴下はインクジェット塗布装置を用いて行い、要した時間は約３０秒であった。そして、最初に滴下された液滴の滴下直後の高さは１８４μｍであり、３０秒経過後（最後の液滴が滴下されたとき）の高さは１７８μｍであり、殆ど変化がなく、２５個の液滴の高さは均一なものとなった。尚、液滴の高さの測定は、インプリント用基板を側面からハイスピードカメラにより観察し、観察画像により得られた接触角と、射出された液滴の量から算出した。

次に、基板本体側が当接するようにインプリント装置の基板ステージに載置した。
次いで、インプリント用基板の濡れ性変化層の温度を２５℃とすることにより、水に対する接触角を９１．８°から５９．６°へ低下させて、上記のモールドの水の接触角（９７．５°）よりも３０°以上小さい値とした。その後、直ちに樹脂液滴に上記のモールドを押し当て濡れ性変化層上に樹脂層を形成し、この状態でインプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をモールド側に２０ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射した。これにより、光硬化性の樹脂層を硬化させた。
その後、硬化した樹脂層からモールドを引き離した。そして、形成されたパターンについて、欠陥率を下記のように測定した。その結果、欠陥率は０．０３であり、良好なインプリント転写が行われたことが確認された。
（欠陥率の測定）
光学顕微鏡でパターン領域内を５箇所観察し、一つの観察箇所（１．０ｍｍ×１．０ｍｍ）内で、樹脂層の剥がれや、パターン欠損が確認できた面積の割合を測定した。したがって、この欠陥率が大きい程、欠陥が多いことを意味し、本発明では、欠陥率が０．１未満を実用レベルと判定する。

［参考例２］
＜インプリント用基板の作製＞
基板本体として、厚み６２５μｍの石英ウエハを１５０ｍｍφの寸法としたものを準備した。
また、ＪＳＲ（株）製 グラスカＨＰＣ７００２を３０ｇ、ＪＳＲ（株）製 グラスカＨＰＣ４０２Ｈ（アルキルアルコキシシラン）を１０ｇ混合し、この塗布液を上記の基板本体の一方の面にスピンコーティング法で塗布し、乾燥（１５０℃、１０分間）して、厚さ２μｍの塗布層を形成した。次に、ＪＳＲ（株）製 グラスカＨＰＣ７００２を１５ｇ、ＪＳＲ（株）製 グラスカＨＰＣ４０２Ｈ（アルキルアルコキシシラン）を５ｇ、チタニアゾル（日産化学（株）製 ＴＡ−１５（平均粒径１２ｎｍ））を３ｇ混合し、この塗布液を上記の塗布層上にスピンコーティング法で塗布した。これを乾燥（１５０℃、１０分間）することにより、加水分解、重縮合反応を進行させ、光触媒とオルガノポリシロキサンを含有する濡れ性変化層（厚み３μｍ）を形成し、インプリント用基板とした。
このように作製したインプリント用基板の濡れ性変化層は、光照射によって水に対する接触角が変化するものであり、未照射状態での水に対する接触角は６３°であった。

＜モールドの作製＞
参考例１と同様にして、モールドを作製した。このモールドの水に対する接触角は９７．５°であった。
＜インプリント＞
上記にように作製したインプリント用基板の濡れ性変化層（未照射状態）に、参考例１と同様の条件で被加工物としての樹脂液滴を滴下した。このように滴下された最初の液滴の滴下直後の高さは１５１μｍであり、３０秒経過後（最後の液滴が滴下されたとき）の高さは１５０μｍであり、殆ど変化がなく、２５個の液滴の高さは均一なものとなった。
次に、基板本体側が当接するようにインプリント装置の基板ステージに載置した。
次に、インプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が１７２ｎｍの真空紫外線）を１３０ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射した。これにより、インプリント用基板の濡れ性変化層の水に対する接触角は６３°から８°へ低下し、上記のモールドの水に対する接触角（９７．５°）よりも３０°以上小さい値とした。その後、直ちに樹脂液滴に上記のモールドを押し当て濡れ性変化層上に樹脂層を形成し、この状態でインプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をモールド側に２０ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射した。これにより、光硬化性の樹脂層を硬化させた。
その後、硬化した樹脂層からモールドを引き離した。そして、形成されたパターンについて、参考例１と同様に欠陥率を測定した結果、欠陥率は０．０２であり、良好なインプリント転写が行われたことが確認された。

［参考例３］
＜インプリント用基板の作製＞
参考例１と同様にして、温度変化により水に対する接触角が変化する濡れ性変化層を備えたインプリント用基板を作製した。
＜モールドの作製＞
参考例１と同様にして、モールドを作製した。このモールドの水に対する接触角は９７．５°であった。
＜インプリント＞
上記にように作製したインプリント用基板の濡れ性変化層の温度を４０℃とし、参考例１と同様の条件で被加工物としての樹脂液滴を滴下した。このように滴下された最初の液滴の滴下直後の高さは１８０μｍであり、３０秒経過後（最後の液滴が滴下されたとき）の高さは１７６μｍであり、殆ど変化がなく、２５個の液滴の高さは均一なものとなった。
次に、基板本体側が当接するようにインプリント装置の基板ステージに載置した。
次いで、樹脂液滴に上記のモールドを押し当て濡れ性変化層上に樹脂層を形成し、直ちに、インプリント用基板の濡れ性変化層の温度を２５℃とすることにより、水に対する接触角を９１．８°から５９．６°へ低下させて、上記のモールドの水の接触角（９７．５°）よりも３０°以上小さい値とした。
次に、この状態でインプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をモールド側に２０ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射した。これにより、光硬化性の樹脂層を硬化させた。
その後、硬化した樹脂層からモールドを引き離した。そして、形成されたパターンについて、参考例１と同様に欠陥率を測定した結果、欠陥率は０．０１であり、良好なインプリント転写が行われたことが確認された。

［参考例４］
＜インプリント用基板の作製＞
参考例１と同様にして、温度変化により水に対する接触角が変化する濡れ性変化層を備えたインプリント用基板を作製した。
＜モールドの作製＞
参考例１と同様にして、モールドを作製した。このモールドの水に対する接触角は９７．５°であった。

＜インプリント＞
上記にように作製したインプリント用基板の濡れ性変化層の温度を４０℃とし、参考例１と同様の条件で被加工物としての樹脂液滴を滴下した。このように滴下された最初の液滴の滴下直後の高さは１８３μｍであり、３０秒経過後（最後の液滴が滴下されたとき）の高さは１８１μｍであり、殆ど変化がなく、２５個の液滴の高さは均一なものとなった。
次に、基板本体側が当接するようにインプリント装置の基板ステージに載置した。
次いで、樹脂液滴に上記のモールドを押し当て濡れ性変化層上に樹脂層を形成した。
次に、インプリント用基板の濡れ性変化層の温度を２５℃とすることにより、水に対する接触角を９１．８°から５９．６°へ低下させて、上記のモールドの水の接触角（９７．５°）よりも３０°以上小さい値とした。これと同時に、この状態でインプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をモールドに２０ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射した。これにより、光硬化性の樹脂層を硬化させた。
その後、硬化した樹脂層からモールドを引き離した。そして、形成されたパターンについて、参考例１と同様に欠陥率を測定した結果、欠陥率は０．０９であり、良好なインプリント転写が行われたことが確認された。

［実施例１］
＜インプリント用基板の作製＞
基板本体として、厚み６２５μｍのシリコンウエハを１５０ｍｍφの寸法としたものを準備した。この基板本体の水に対する接触角は５０°であり、下記のモールドの水に対する接触角よりも３０°以上小さい値であった。
また、包囲構造物形成用の塗布液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製 ＡＺ５２０６）を上記の基板本体上にスピンコーティング法で塗布し、乾燥（９０℃、９０秒間）した。その後、包囲構造物形成用のマスクを介して塗布膜を露光、現像し、包囲構造物を形成してインプリント用基板とした。この包囲構造物は、５ｍｍピッチで５列×５列（計２５箇所）に形成され、内側の領域が直径２００μｍの円形をなすものであり、幅は５．０μｍ、高さは１．０μｍであった。また、包囲構造物は、等間隔で４箇所に幅が１．５μｍである肉薄部を有するものであった（図７（Ａ）参照）。
尚、この包囲構造物の内側の領域の直径（Ｌ）は、包囲構造物の内側の領域で高さを制御する樹脂液滴の直径ｄを１６０μｍ、この樹脂の基板に対する接触角θを３０°とし、液滴の制御高さｈを１８０μｍとして、下記の式（１）を満足するように設定した。
ｄ ＜ Ｌ ≦ ２ｈ／tan(θ／２) … 式（１）
また、包囲構造物の高さ（Ｈ）は、液滴の制御高さｈを１８０μｍとし、下記の式（２）を満足するように設定した。
Ｈ ＜ ｈ … 式（２）
＜モールドの作製＞
参考例１と同様にして、モールドを作製した。このモールドの水に対する接触角は９７．５°であった。

＜インプリント＞
上記にように作製したインプリント用基板の各包囲構造物で囲まれた領域に、参考例１と同様にして、被加工物としての樹脂液滴を滴下した。この樹脂液滴の滴下に要した時間は約３０秒であり、最初に滴下された液滴の滴下直後の高さは１８６μｍであり、３０秒経過後（最後の液滴が滴下されたとき）の高さは１６６μｍであった。そして、最初の樹脂の滴下から１分経過後に、包囲構造物に囲まれた状態で、２５個の液滴の高さは１５５μｍで均一なものとなった。
次に、基板本体側が当接するようにインプリント装置の基板ステージに載置した。
次いで、基板本体とモールドとの間隙（残膜厚み）を０．５μｍに設定し、樹脂液滴に上記のモールドを押し当て、基板本体上に樹脂層を形成した。このモールドの押し当てでは、包囲構造物にモールドが接触したが、モールドの圧力（１００ｋＰａ）で、包囲構造物は肉薄部で破断を生じ、変形した。
次いで、インプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をモールド側に２０ｍＪ／ｃｍ²の条件で照射した。これにより、光硬化性の樹脂層を硬化させた。
その後、硬化した樹脂層からモールドを引き離した。そして、形成されたパターンについて、参考例１と同様に欠陥率を測定した結果、欠陥率は０．０８であり、良好なインプリント転写が行われたことが確認された。

［参考例５］
濡れ性変化層（水に対する接触角９１．８°）上に樹脂の液滴を滴下後、濡れ性変化層の濡れ性を変化させずに樹脂液滴にモールド（水に対する接触角９７．５°）を押し当てた他は、参考例１と同様にしてインプリントを行った。
このインプリントでは、モールドへの樹脂層の付着が大となり、形成されたパターンについて、参考例１と同様に欠陥率を測定した結果、欠陥率は０．２２であり、実用レベルを満足していないことが確認された。

［比較例１］
包囲構造物を形成しない他は、実施例１と同様にしてインプリントを行った。
このインプリントでは、滴下された樹脂液滴が基板本体（水に対する接触角５０°）上に広がり、モールド（水に対する接触角９７．５°）への樹脂層の付着はないものの、形成されたパターンについて、参考例１と同様に欠陥率を測定した結果、欠陥率は０．１６であり、実用レベルを満足していないことが確認された。

ナノインプリント技術を用いた微細加工に利用可能である。

１，１１，２１…インプリント用基板
２，１２，２２…基板本体
３，２３…濡れ性変化層
１３…包囲構造物
１３ａ…肉薄部
２３′…濡れ性が変化した濡れ性変化層
５１…樹脂の液滴
５１′…樹脂層
５２…硬化した樹脂層
６１…モールド

Claims (15)

1. 被加工物としての樹脂の液滴が供給され、モールドを用いてインプリント転写に供されるインプリント用基板において、
   基板本体と、該基板本体の一方の面であって、インプリント転写で凹凸構造物が形成される領域の内側に位置する包囲構造物とを備え、該包囲構造物は樹脂の液滴を囲んで広がりを防止するものであることを特徴とするインプリント用基板。
2. 前記包囲構造物は、前記基板本体からの高さがインプリント転写により形成される樹脂層の残膜厚み以下であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用基板。
3. 前記包囲構造物は、前記基板本体からの高さがインプリント転写により形成される樹脂層の残膜厚みよりも大きく、インプリント転写時の圧力により変形可能であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用基板。
4. 前記包囲構造物は、水に対する接触角が変化可能であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のインプリント用基板。
5. 前記包囲構造物は、前記基板本体の一方の面の所望の領域に位置することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のインプリント用基板。
6. 前記包囲構造物は、少なくとも使用するモールドのパターン領域と同じか、それより大きい領域に位置することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のインプリント用基板。
7. 前記基板本体は、多面付けで区画されており、各面付けごとに前記包囲構造物を備えることを特徴とする請求項６に記載のインプリント用基板。
8. 前記包囲構造物は、加熱により変形可能であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用基板。
9. 前記包囲構造物は、水に対する接触角が変化可能であることを特徴とする請求項８に記載のインプリント用基板。
10. 前記包囲構造物は、前記基板本体の一方の面の所望の領域に位置することを特徴とする請求項８または請求項９に記載のインプリント用基板。
11. 前記包囲構造物は、少なくとも使用するモールドのパターン領域と同じか、それより大きい領域に位置することを特徴とする請求項８または請求項９に記載のインプリント用基板。
12. 前記基板本体は、多面付けで区画されており、各面付けごとに前記包囲構造物を備えることを特徴とする請求項１１に記載のインプリント用基板。
13. 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のインプリント用基板の前記基板本体上の前記包囲構造物で囲まれた領域に、被加工物としての樹脂を液滴で供給する液滴供給工程と、
    樹脂にモールドのパターン領域を押し当て、前記液滴が前記包囲構造物を乗り越えるように広げて樹脂層を形成する押し当て工程と、
    前記樹脂層の所望領域を硬化させ、次いで、硬化した樹脂層から前記モールドを引き離す硬化・剥離工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
14. 請求項８乃至請求項１２のいずれかに記載のインプリント用基板の前記基板本体上の前記包囲構造物で囲まれた領域に、被加工物としての樹脂を液滴で供給する液滴供給工程と、
    前記包囲構造物を加熱するとともに、樹脂にモールドのパターン領域を押し当て、前記液滴が前記包囲構造物を乗り越えるように広げて樹脂層を形成する加熱・押し当て工程と、
    前記樹脂層の所望領域を硬化させ、次いで、硬化した樹脂層から前記モールドを引き離す硬化・剥離工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
15. 前記液滴供給工程の後、硬化した樹脂層から前記モールドを引き離す前に、前記包囲構造物の水に対する接触角を低下させることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載のインプリント方法。

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