JP2017157639A - インプリント装置、および物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、押印時や離型時にステージが傾くことにより生じる基板とモールドの相対的な傾きを低減するために有利なインプリント装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、基板上に供給されたインプリント材に、モールドを用いてパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記モールドを保持するモールド保持部と、前記モールドと前記インプリント材とを接触させたときに前記基板保持部が傾くことにより生じる前記モールドと前記基板の相対的な傾きを低減するように、前記モールドと前記インプリント材が接触する前記基板の面方向の位置に基づいて、前記モールドが前記インプリント材に接触している間に前記モールドの傾きを変化させる前記モールド保持部を制御する制御部と、を含むことを特徴とする。【選択図】 図1
Description
本発明は、インプリント装置、および物品の製造方法に関する。
基板上に供給されたインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント装置が、半導体デバイスや磁気記憶媒体などの量産用リソグラフィ装置の1つとして注目されている。インプリント装置では、モールドのパターン領域と基板のショット領域とを重ね合わせるため、モールドとインプリント材とが接触している状態において、モールドと基板との位置合わせ制御が行われる(特許文献1)。例えば、位置合わせ制御は、パターン領域とショット領域のそれぞれに設けられたマークを検出することで、モールドと基板との相対位置が目標相対位置の許容範囲に収まるように行われる。
このようにインプリント装置では、モールドと基板の位置合わせ制御を行い、モールドとインプリント材とが接触している状態でインプリント材が硬化される。そして、インプリント装置は、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことによって、基板の上のインプリント材にパターンを形成する。
インプリント装置は、モールドとショット領域上のインプリント材とを接触させるとき、モールドとインプリント材とを接触させる力によって、基板を保持するステージが傾いてしまう。接触時(押印時)にステージが傾くとモールドが基板に対して傾いてしまい、モールドが基板に対して傾いた状態でモールドのパターン領域にインプリント材の充填が行われたり、傾いた状態でインプリント材が硬化されたりする。このように、モールドが基板に対して傾いた状態でインプリント材の充填や硬化が行われると、基板上に所望のパターンが形成されない恐れがある。
またインプリント装置では、硬化したインプリント材からモールドを剥離させるとき、インプリント材からモールドを剥離させる力によって、基板を保持するステージが傾いてしまい、モールドが基板に対して傾いてしまうことがある。剥離時(離型時)にモールドが基板に対して傾くと、モールドのパターンやインプリント材に形成されたパターンが破損する恐れがある。
そこで本発明は、押印時や離型時にステージが傾くことにより生じる基板とモールドの相対的な傾きを低減するために有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材に、モールドを用いてパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、前記モールドを保持するモールド保持部と、前記モールドと前記インプリント材とを接触させたときに前記基板保持部が傾くことにより生じる前記モールドと前記基板の相対的な傾きを低減するように、前記モールドと前記インプリント材が接触する前記基板の面方向の位置に基づいて、前記モールドが前記インプリント材に接触している間に前記モールドの傾きを変化させる前記モールド保持部を制御する制御部と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、押印時や離型時にステージが傾くことにより生じる基板とモールドの相対的な傾きを低減するために有利なインプリント装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
<第1実施形態>
本発明に係る第1実施形態のインプリント装置100について説明する。ここでは、モールドを基板に対して近づける方向をZ方向(Z軸)とし、Z軸に垂直で基板の面方向にX軸とY軸を設定する。インプリント装置100は、半導体デバイスなどの製造に使用され、基板3のショット領域上のインプリント材11にモールド6を用いてパターンを形成するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置100は、モールド6とショット領域上のインプリント材11とを接触(押印)させ、その状態でインプリント材11を硬化させる。そして、インプリント装置100は、モールド6と基板3との間隔を広げ、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離(離型)する。このインプリント処理により、ショット領域上にインプリント材11のパターンを形成することができる。インプリント材11を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、ここでは光硬化法を採用する場合について説明する。光硬化法は、インプリント材11として光の照射により硬化する光硬化性組成物を用いる。そのため光硬化法は、モールド6とインプリント材11とを接触させた状態でインプリント材11に光(例えば紫外線)を照射することによりインプリント材11を硬化させる方法である。
本発明に係る第1実施形態のインプリント装置100について説明する。ここでは、モールドを基板に対して近づける方向をZ方向(Z軸)とし、Z軸に垂直で基板の面方向にX軸とY軸を設定する。インプリント装置100は、半導体デバイスなどの製造に使用され、基板3のショット領域上のインプリント材11にモールド6を用いてパターンを形成するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置100は、モールド6とショット領域上のインプリント材11とを接触(押印)させ、その状態でインプリント材11を硬化させる。そして、インプリント装置100は、モールド6と基板3との間隔を広げ、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離(離型)する。このインプリント処理により、ショット領域上にインプリント材11のパターンを形成することができる。インプリント材11を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、ここでは光硬化法を採用する場合について説明する。光硬化法は、インプリント材11として光の照射により硬化する光硬化性組成物を用いる。そのため光硬化法は、モールド6とインプリント材11とを接触させた状態でインプリント材11に光(例えば紫外線)を照射することによりインプリント材11を硬化させる方法である。
[装置構成について]
図1は、第1実施形態のインプリント装置100を示す概略図である。インプリント装置100は、インプリントヘッド7、基板ステージ4、硬化部8、供給部5、計測部9、制御部10を含みうる。インプリントヘッド7、硬化部8、供給部5および計測部9はそれぞれ構造体1によって支持されており、基板ステージ4は定盤2の上を移動可能に構成されている。また、制御部10は、例えばCPUやメモリなどを有し、インプリント装置100の各部の動作を制御することでインプリント処理を制御している。
図1は、第1実施形態のインプリント装置100を示す概略図である。インプリント装置100は、インプリントヘッド7、基板ステージ4、硬化部8、供給部5、計測部9、制御部10を含みうる。インプリントヘッド7、硬化部8、供給部5および計測部9はそれぞれ構造体1によって支持されており、基板ステージ4は定盤2の上を移動可能に構成されている。また、制御部10は、例えばCPUやメモリなどを有し、インプリント装置100の各部の動作を制御することでインプリント処理を制御している。
モールド6(型、テンプレート)は、通常、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で作製されており、基板に対向する面の一部には、インプリント材11を成形するための凹凸状のパターン(パターン領域6a)が形成されている。また、基板3には、例えば単結晶シリコン基板やガラス基板などが用いられ、基板3の上面(被処理面)には供給部5によってインプリント材11が供給される。
硬化部8は、インプリント材11を硬化させる光(紫外線)を、モールド6を介してインプリント材11に照射する。硬化部8は、例えば、インプリント材11を硬化させる光を射出する光源と、光源から射出された光を適切な光に調整するための光学素子とを含みうる。第1実施形態では光硬化法が採用されているため、硬化部8には紫外線を射出する光源が設けられているが、例えば熱サイクル法が採用される場合には、光源の代わりに、インプリント材11としての熱硬化性組成物を硬化させるための熱源が設けられる。
インプリント材11は、硬化性組成物であり、典型的には、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。これらのうち光により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物および光重合開始剤を含有しうる。また、光硬化性組成物は、付加的に非重合性化合物または溶剤を含有しうる。非重合性化合物は、例えば、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種でありうる。
計測部9は、モールド6(パターン領域6a)に形成されたアライメントマークと、基板3(ショット領域)に設けられたアライメントマークとを検出する。インプリント装置は、計測部9によって検出されたアライメントマークの相対位置に基づき、パターン領域6aとショット領域との相対位置(位置ずれ)を計測する。複数のアライメントマークを検出することでパターン領域6aとショット領域の形状差も計測することができる。
供給部5は、基板3のショット領域上にインプリント材11を供給(塗布)する。第1実施形態のインプリント装置100では、紫外線の照射によって硬化するインプリント材11がショット領域上に供給される。
インプリントヘッド7(モールド保持部)は、例えば、真空吸着力や静電力などによりモールド6を保持するモールド保持部7aと、モールド保持部7aをZ方向に駆動するモールド駆動部7bとを含みうる。モールド保持部7aおよびモールド駆動部7bは、硬化部8からの光が通過できるように、それぞれの中心部(内側)に開口領域を有している。硬化部8からの光は、開口領域を通り、モールド6を介して基板上のインプリント材11を照射する。モールド駆動部7bは、Z方向にモールド6を駆動する機能だけでなく、XY方向やθ方向(Z軸回りの回転方向)におけるモールド6の位置を調整する調整機能を有している。さらに、モールド6の傾きを変えるためのチルト機能(X軸回りやY軸回りの回転方向におけるモールドの位置)を有していてもよい。
基板ステージ4(基板保持部)は、例えば、真空吸着力や静電力などにより基板3を保持する基板チャック4aと、基板チャック4aを機械的に保持して定盤2の上を移動可能に構成された基板駆動部4bとを含み、基板3のXY方向における位置決めを行う。基板ステージ4は、XY方向に基板3を移動させる機能だけでなく、Z方向やθ方向における基板3の位置を調整する調整機能や、基板3の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。
第1実施形態では、基板ステージ4が移動することによってモールド6と基板3のXY方向(面方向)における相対位置を変更させているが、インプリントヘッド7が移動してもよいし、基板ステージ4とインプリントヘッド7の双方を移動させてもよい。同様に、第1実施形態では、インプリントヘッド7が移動することによってモールド6と基板3の間隔(Z方向の距離)を変更させているが、基板ステージ4が移動してもよいし、インプリントヘッド7と基板ステージ4の双方を移動させてもよい。
ここで、基板ステージ4の構成例について、図2を参照しながら説明する。図2は、基板ステージ4の構成例を示す図である。図2(a)は、基板ステージ4をZ方向から見た図であり、図2(b)は、図2(a)のA−A’における断面図である。基板ステージ4の基板駆動部4bは、例えば、Xステージ4b1(第1ステージ)と、Yステージ4b2(第2ステージ)とを含みうる。Xステージ4b1は、定盤2の上を第1方向(例えばX方向)に沿って移動可能に構成される。また、Yステージ4b2は、基板チャック4aを支持し、静圧案内(不図示)によりXステージ4b1の上を第1方向と異なる第2方向(例えばY方向)に沿って移動可能に構成される。このように構成された基板駆動部4bは、Xステージ4b1をX方向に沿って駆動することによりYステージ4b2および基板チャック4a(基板3)をX方向に移動させることができる。また、基板駆動部4bは、Yステージ4b2をY方向に沿って駆動することにより基板チャック4a(基板3)をY方向に移動させることができる。つまり、基板駆動部4bは、Xステージ4b1のX方向への駆動およびYステージ4b2のY方向への駆動によって、基板3をXY方向に移動させることができる。
Xステージ4b1は、定盤2に対して所定量の隙間が生じるように静圧案内によって位置決めされており、第1駆動部4b3によって定盤2の上をX方向に沿って移動する。第1駆動部4b3は、例えば、永久磁石を含む可動子4b31と、X方向に沿って配置した複数のコイルを含む固定子4b32とを有するリニアモータを含みうる。そして、第1駆動部4b3は、固定子4b32における複数のコイルに供給する電流を制御して、可動子4b31を固定子4b32に沿って移動させることにより、Xステージ4b1をX方向に沿って移動させることができる。Xステージ4b1のX方向における位置は、例えばエンコーダや干渉計などによって構成された第1検出部4b4によって検出されうる。図2に示す例では、スケール4b41と、スケール4b41からの光によってXステージ4b1のX方向における位置を求めるヘッド4b42とを含むエンコーダが、第1検出部4b4として設けられている。
また、Yステージ4b2は、Xステージ4b1に対して所定量の隙間が生じるように静圧案内によって位置決めされており、第2駆動部4b5によってXステージ4b1の上をY方向に沿って移動する。第2駆動部4b5は、図2(b)に示すように、例えば、永久磁石を含む可動子4b51と、Y方向に沿って配列した複数のコイルを含む固定子4b52とを有するリニアモータを含みうる。そして、第2駆動部4b5は、固定子4b52における複数のコイルに供給する電流を制御して、可動子4b51を固定子4b52に沿って移動させることにより、Yステージ4b2をY方向に沿って移動させることができる。Yステージ4b2のY方向における位置は、例えばエンコーダや干渉計などによって構成された第2検出部4b6によって検出されうる。図2に示す例では、スケール4b61と、スケール4b61からの光によってYステージ4b2のY方向における位置を求めるヘッド4b62とを含むエンコーダが、第2検出部4b6として設けられている。
またインプリント装置100には、Xステージ4b1の高さを計測する計測器(不図示)やYステージ4b2の高さを計測する計測器(不図示)が複数設けられていても良い。例えば、高さを計測する計測器が定盤2に複数設けられていれば、定盤2に対するXステージ4b1の傾きやYステージ4b2の傾きを計測することができる。
[各ショット領域へのインプリント処理について]
次に、インプリント装置が基板3上の複数のショット領域にインプリント材のパターンを形成する動作について、図3を参照して説明する。図3は、インプリント処理の動作シーケンスを示すフローチャートである。複数のショット領域の各々に対してインプリント処理を行うことで複数のショット領域にパターンを形成することができる。
次に、インプリント装置が基板3上の複数のショット領域にインプリント材のパターンを形成する動作について、図3を参照して説明する。図3は、インプリント処理の動作シーケンスを示すフローチャートである。複数のショット領域の各々に対してインプリント処理を行うことで複数のショット領域にパターンを形成することができる。
S101において、制御部10はパターンが形成される対象のショット領域(以下、対象ショット領域3a)が供給部5の下に配置されるように基板ステージ4を制御する。そして、供給部5は対象ショット領域3aにインプリント材11を供給する。対象ショット領域3aへのインプリント材11の供給は、対象ショット領域3aと供給部5との位置関係を変更せずに行ってもよいし、対象ショット領域3aと供給部5との相対的な位置を変えながら行ってもよい。
S102において、制御部10は、モールド6(パターン領域6a)の下方に対象ショット領域3aが配置されるように基板ステージ4を制御する。S103において、制御部10は、モールド6と基板3との間隔が狭まるようにインプリントヘッド7を制御し、モールド6と対象ショット領域3a上のインプリント材11とを接触させる。そして、制御部10は、パターン領域6aに形成された凹凸パターンにインプリント材11が充填されるように、モールド6とインプリント材11を接触させる力をインプリントヘッド7のモールド駆動部7bに発生させる。モールド6とインプリント材11とを接触させる力とは、例えばモールド6をインプリント材11に押し付ける力のことであり、以下では押印力と表す。制御部10は、モールド駆動部7bに押印力を発生させた状態で所定の時間を経過させた後、この押印力を解除することができる。この時、押印力を発生させない(ゼロにする)のではなく、わずかに残っていてもよい。また、モールド6と基板3の間隔を広げる方向にわずかに力を発生させてもよい。モールド6とインプリント材11とが接触している場合、毛細管現象によりモールド6と基板3との間隔を狭める方向に力が生じるため、間隔を広げる方向にわずかに力を発生させてもモールド6がインプリント材11から離れないことがある。
S104において、インプリント装置はモールド6と基板3の位置合わせを行う。例えば、制御部10は、計測部9にモールド6と基板3に形成されたアライメントマークを検出させて、検出されたアライメントマークに基づきパターン領域6aと対象ショット領域3aとの相対位置を計測する。そして、制御部10は、計測部9によって計測された相対位置と目標相対位置との偏差が許容範囲に収まるように、モールド6と基板3との相対位置のフィードバック制御を行う。
S105において、制御部10は、モールド6とインプリント材11を接触させた状態で光(紫外線)を照射するように硬化部8を制御する。光の照射によりインプリント材11は硬化する。S106において、制御部10は、モールド6と基板3の間隔が拡がるようにインプリントヘッド7と基板ステージ4の少なくとも一方を制御し、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離(離型)する。S107において、制御部10は、基板上にパターンを形成すべきショット領域(次のショット領域)があるか否かの判定を行う。次のショット領域がある場合はS101に戻って再びインプリント処理を行い、次のショット領域がない場合はインプリント処理の動作を終了する。
本発明のインプリント装置100は、S103の接触させる工程からS106の剥離する工程までの間に、基板ステージが傾くことによって発生するモールド6と基板3の相対的な傾きを補正することができる(S108)。モールド6と基板3の相対的な傾きを補正する方法は後述する。
[モールドと基板の相対的な傾きについて]
インプリント装置100では、モールド6とインプリント材11とを接触させる工程(S103)において、押印力により基板ステージ4(Yステージ4b2)が傾く。基板ステージ4が傾くことにより、モールド6に対して基板3が相対的に傾く(例えばY軸回りのθY方向)ことがある。
インプリント装置100では、モールド6とインプリント材11とを接触させる工程(S103)において、押印力により基板ステージ4(Yステージ4b2)が傾く。基板ステージ4が傾くことにより、モールド6に対して基板3が相対的に傾く(例えばY軸回りのθY方向)ことがある。
モールド6とインプリント材11とを接触させるときの基板ステージ4の挙動について、図4および図5を参照しながら説明する。図4は、モールド6とインプリント材11とを接触させる工程における基板ステージ4の挙動を説明するための基板ステージ4の概念図である。図4に示す基板ステージ4の概念図では、説明を容易にするため、静圧案内41がばね記号で表されており、静圧案内41を介してXステージ4b1およびYステージ4b2が横に並べて図示されている。静圧案内は、高圧潤滑油や圧縮空気などの加圧流体で基板ステージ4を支える機構で、高い位置決め精度を実現できる。定盤2の上の静圧案内42は、ばね記号と車輪とで表されており、Z方向のみにばね性を有し、XY方向には移動自由であることを示している。また、図5は、モールド6とインプリント材11とを接触させる工程における基板ステージ4の断面図(図2(a)のA−A’における断面図)を示す図である。
例えば、対象ショット領域3aが、図4(a)に示すように、基板3の基準位置(例えば中心)から+X方向に距離Lだけ離れて配置されているとする。理解をし易くするため、図4(a)では、対象ショット領域3aのマーク3bとモールド6のマーク6bのX方向の初期の位置ずれがないものと仮定する。この場合、図4(a)に示す状態から押印力Fzを加えると、図4(b)および図5に示すように、押印力FzによってYステージ4b2がθY方向(Y軸回りの回転方向)に傾く。その結果、第1検出部4b4による検出結果に基づいてXステージ4b1のX方向における位置のフィードバック制御が行われていても、対象ショット領域3aのマーク3bとモールド6のマーク6bとがX方向に相対的にシフトしうる。即ち、モールド6と対象ショット領域3aとのX方向における相対位置がずれてしまう。この状態における硬化前のインプリント材11には、ばね性と粘性の両方の特性(粘弾性特性)を持っている。
そのため、対象ショット領域3a(基板3)には、インプリント材11のばね性により、インプリント材11から−X方向の力が作用する。即ち、モールド6および基板3に、相対位置をずらすような力が作用する。しかしながら、Xステージ4b1の位置は、第1検出部4b4の検出結果によって制御されるため、静圧案内41は引き伸ばされている状態となる。したがって、押印力Fzを解除してYステージ4b2の傾きを元に戻そうとしても、インプリント材11の粘性によってモールド6と対象ショット領域3aとの相対位置がゆっくりと変動しうる。そのため、モールド6と対象ショット領域3aとの相対位置が整定するまでに相応の時間を要しうる。
また、モールド6とインプリント材11の接触時に基板ステージ4(基板駆動部4b)が傾くことにより、モールド6に対して基板3が相対的に傾くことがある。モールド6と基板3が相対的に傾くことにより、パターン領域6aと対象ショット領域3aが平行にならない。このとき、対象ショット領域3aに対してパターン領域6aが相対的に傾いた状態でモールド6の凹凸パターンにインプリント材11が充填される。モールド6と基板3とが相対的に傾いた状態でモールド6の凹凸パターンにインプリント材11が充填すると、パターン領域6a内でインプリント材11の分布が不均一になったり、充填が完了するまでの時間を要したりする恐れがある。さらに、モールド6と基板3とが相対的に傾くと、パターン領域6aと対象ショット領域3aに形状差が生じることがある。押印時に基板ステージ4が傾いた後に、基板ステージ4が元に戻った(平行に戻る)としても、インプリント材11の粘弾性により、対象ショット領域3aとパターン領域6aの位置合わせ精度が低下する(形状差が生じる)恐れがある。
さらに、モールド6と基板3とが相対的に傾いた状態で基板3とモールド6に押印力を与えると、モールド6の一部と基板3との間隔が局所的に狭い状態(接触状態)で押印を行うことになる。この状態で基板3とモールド6の間に押印力を与え続けることにより、基板3やモールド6が破損する恐れがある。また、モールド6と基板3が相対的に傾いた状態でモールド6をインプリント材から引き離す際に、引き離す方向(Z方向)と直交する方向(XY方向)に力が作用して、基板3上に形成されたインプリント材11のパターンが破損する恐れがある。
[モールドと基板の相対的な傾きの制御について]
次に、第1実施形態のインプリント装置100におけるモールド6と基板3の相対的な傾きの制御について図6を参照しながら説明する。図6は、第1実施形態のインプリント装置100におけるモールド6と基板3の傾きの制御を説明するためのブロック線図である。図6における減算器10a、補償器10b、補正器10cおよび主制御器10dは、制御部10に含まれるものとする。
次に、第1実施形態のインプリント装置100におけるモールド6と基板3の相対的な傾きの制御について図6を参照しながら説明する。図6は、第1実施形態のインプリント装置100におけるモールド6と基板3の傾きの制御を説明するためのブロック線図である。図6における減算器10a、補償器10b、補正器10cおよび主制御器10dは、制御部10に含まれるものとする。
第1実施形態のインプリント装置100は、モールド6をインプリント材11に接触させたときに基板ステージ4が傾くことにより生じる、モールド6と基板3の相対的な傾きが低減するように、インプリントヘッド7の傾きを制御する。基板3とモールド6の相対的な傾き(X軸回りやY軸回りの回転方向)の制御は、モールド保持部7aの傾きを変更可能に構成されたモールド駆動部7bによって行われる。モールド駆動部7bは、例えば複数のアクチュエータを含み、インプリント材11にモールド6を押し付ける方向(Z方向)にモールド6を駆動したり、複数のアクチュエータの出力に差を付けてモールド6を傾けたりするように構成されうる。基板駆動部4bは、基板3上のインプリント材11とモールド6を接触させる方向(Z方向)に基板3を駆動したり、基板3を傾けたりするように構成されうる。
具体的には、モールド6とインプリント材11を接触させた後、基板ステージ4の傾きに応じてモールド駆動部7bによりモールド6の傾きを調整する。モールド駆動部7bは、基板ステージ4が傾くことにより生じるモールド6と基板3の相対的な傾きが低減するように、モールド保持部7aの傾きを調整する。モールド駆動部7bは、モールド6とインプリント材11が接触している間に、モールド6と基板3(特にパターン領域6aと対象ショット領域3a)が平行になるようにモールド保持部7aの傾きを調整するのが望ましい。つまり、基板3上に形成されるインプリント材11のパターンの残膜の厚さが均一になるようにするのが好ましい。インプリント材11の残膜とは、インプリント材11で構成された凹凸のパターンの凹部と基板3との間におけるインプリント材11の膜のことであり、RLT(Residual Layer Thickness)とも呼ばれる。また、モールド6と基板3の相対的な傾きの調整は基板駆動部4bによって行われても良く、基板駆動部4bとモールド駆動部7bの双方を駆動させることによって行われても良い。
モールド6と基板3との相対的な傾きの制御は、押印力Fzと基板3の基準位置から対象ショット領域3aまでの距離Lとに基づいて行われうる。ここで基準位置は、モールド6をインプリント材11に接触させたときの基板ステージ4の傾きが他と比較して小さい位置であることが好ましく、例えば、基板3の中心にすることができる。また、基板3の重心を基準位置に設定してもよい。
押印時のモールド6と基板3の相対的な傾きは、押印力Fz、および基板3の基準位置から対象ショット領域3aまでの距離Lに比例することが分かった。そのため、補正器10cは、押印力Fzや距離Lに対するモールド6と基板3の相対的な傾き量の関係を示す情報(計算式やテーブル)に基づいて、押印時のモールド6と基板3の傾き量(補正値)を求めることができる。押印力Fzや距離Lと傾き量の関係を示す情報は、シミュレーションや実験などにより予め取得されうる。また、他の基板3でパターンを形成した際の結果を用いて押印位置と傾き量の関係を求めても良いし、押印位置と傾き量の関係を補正してもよい。
また、インプリント装置100は、モールド6を基板3に対して凸形状にすることで、接触面積が徐々に拡がるようにインプリント材11に接触させたりすることができる。この場合、基板3とモールド6の相対的な傾きは、基板ステージ4とインプリントヘッド7の傾きとみなすことができる。基板3とモールド6の相対的な傾きの調整は、基板ステージ4とインプリントヘッド7の相対的な傾きを調整すればよい。基板3の表面がXY面に平行でない場合は、基板3をインプリント材11に接触させる時は、対象ショット領域3aの傾きに合わせてモールド保持部7aを傾けてモールド6をインプリント材11に接触させるのが望ましい。その後、モールド保持部7aは、基板3上の位置に応じて求められる基板ステージ4の傾き量に基づいてモールド6の傾きを調整する。
また、インプリント装置100は、基板ステージ4の傾きを検出した結果に基づいてインプリントヘッド7の傾きを調整することができる。例えば、インプリント装置100には、モールド6と基板3の相対的な傾きを計測するため、基板3の面の傾きを計測する基板計測部12(図1(a))と、モールド6のパターン領域6aの傾きを計測するモールド計測部13(図1(b))が設けられている。
基板計測部12は、モールド6と基板3上のインプリント材11とが接触する位置における基板3の面の傾きを計測する。基板計測部12には、基板3の面上の複数の箇所の高さ(Z方向)を計測することができる高さセンサ(ギャップセンサ)が含まれる。基板計測部12は、基板3の面上の複数の高さ情報から基板3の傾き量を求めることができる。例えば、基板計測部12には基板3の面上の複数の箇所に光(レーザ光)を照射することで基板3の面上の高さを計測するレーザ干渉計を含む。
モールド計測部13は、モールド6と基板3上のインプリント材11とを接触させる位置におけるモールド6の面の傾きを計測する。モールド計測部13には、モールド6のパターン領域6a上の複数の箇所の高さ(Z方向)を計測することができる高さセンサ(ギャップセンサ)が含まれる。モールド計測部13は、モールド6の面上の複数の高さ情報からモールド6の傾き量を求めることができる。例えば、モールド計測部13にはモールド6の面上の複数の箇所に光(レーザ光)を照射することでモールド6の面上の高さを計測するレーザ干渉計を含む。モールド6の面は、パターンが形成されているパターン領域6aでも良いし、その裏面側でも良い。
また上述のように、定盤2に設けられた基板ステージ4の高さを計測する計測器(基板計測部)の計測結果を用いて基板ステージ4の傾き量を求めることができる。
次に、モールド6と基板3の相対的な傾きを調整(補正)する方法を説明する(図3のS108)。図3のS103では、モールド6のパターン領域6aとインプリント材11が接触して基板ステージ4に押印力が加わるため、基板ステージ4が傾く。そのため、S103の工程と並行して、予め求めた基板3上の位置と傾き量の関係に基づいてモールド保持部7aの傾きを調整する。また、基板計測部12を用いて基板ステージ4の傾き量を計測している場合は、計測結果に基づいてモールド保持部7aの傾きを調整する。モールド6の傾きはモールド計測部13を用いて計測しても良い。
基板計測部12とモールド計測部13のそれぞれが計測した傾き量から、基板3とモールド6の相対的な傾き量を求める。そして、図3のS103からS106の離型動作が完了する時まで、求めた傾き量に基づいて、対象ショット領域3aとパターン領域6aの傾き量が小さくなるように、モールド駆動部7bもしくは基板駆動部4bの少なくともどちらか一方を駆動する。つまり、モールド6とインプリント材11の接触後にパターン領域6aと対象ショット領域3aが平行に近づくように、モールド6と基板3の相対的な傾きを調整する。制御部10は、モールド駆動部7bに押印力を発生させた状態で所定の時間を経過させた後、S104の位置合わせを行う際にモールド駆動部7bにおける押印力を小さくすることがある。そのため、押印力の変化により、基板3とモールド6の相対的な傾きが変化することがあるため、傾き量の計測は、離型動作が完了するときまで行うのが望ましい。
また、予め求めた傾きの補正値と基板ステージ4の傾き量の計測結果を用いて基板3とモールド6の相対的な傾きを調整してもよい。補正値は減算器10aによって、モールド駆動部7bの現在の傾きと目標傾き量との偏差に加えられ、モールド駆動部7bをチルト駆動するための指令値は、偏差に補正値を加えられた値に基づいて補償器10bによって決定される。このように、モールド6とインプリント材11の接触後、基板ステージ4(基板3の面)の傾き計測に基づいてインプリントヘッド7(モールド6)の傾き量の補正をフィードバック制御が行われても良い。
第1実施形態のインプリント装置100は、モールド6とインプリント材11とを接触させている間において、基板3とモールド6の相対的な傾きを制御する。これにより、第1実施形態のインプリント装置100は、基板ステージ4が傾くことにより生じる、基板3とモールド6の相対的な傾きを低減することができる。
ここで、押印力Fzは、例えば、モールド駆動部7bに供給する信号値に、単位量の信号値を供給したときにモールド駆動部7bが発生する力を示す定数(推力定数)を乗ずることにより求められうる。また、モールド駆動部7bが発生する力を検出するセンサ(例えば、力センサやロードセル、歪みゲージなど)を設け、当該センサによる検出結果に基づいて押印力Fzが求められてもよい。
上述したように、第1実施形態のインプリント装置100は、モールド6とインプリント材11とを接触させる工程において、押印力Fzと距離Lとに基づいて、モールド6と基板3の相対的な傾きを制御する。上述の傾き量の関係を示す情報は、基板3上に複数の対象ショット領域3aが設けられている場合、距離Lの代わりに対象ショット領域3aの場所に応じた傾き量(補正値)を予め取得しておいてもよい。つまり、基板3上の座標に応じて傾き量(補正値)を決定する。これにより、モールド6とインプリント材11とを接触させたときに基板ステージ4が傾くことにより発生するモールド6と基板3の相対的な傾きを低減させることができる。つまり、押印した後に、モールド6のパターン領域6aと基板3の対象ショット領域3aとが相対的に傾かずに(平行に)してインプリント材の充填や位置合わせを行うことができる。そのため、パターン領域6aのインプリント材の充填に要する時間を低減し、スループットを向上させることができる。
<第2実施形態>
インプリント装置100では、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離(離型)させる工程(S106)において、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離させる力(剥離力)をインプリントヘッド7のモールド駆動部7bに発生させる。そのため、S106の工程においても、剥離力により基板ステージ4が傾くことがある。基板ステージ4が傾くことによって、モールド6に対して基板3が相対的に傾く。ここで、剥離力は、硬化したインプリント材11からモールド6を引き離すための、押印力の逆向きの力であり、離型力とも呼ばれる。
インプリント装置100では、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離(離型)させる工程(S106)において、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離させる力(剥離力)をインプリントヘッド7のモールド駆動部7bに発生させる。そのため、S106の工程においても、剥離力により基板ステージ4が傾くことがある。基板ステージ4が傾くことによって、モールド6に対して基板3が相対的に傾く。ここで、剥離力は、硬化したインプリント材11からモールド6を引き離すための、押印力の逆向きの力であり、離型力とも呼ばれる。
図7は、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離させる工程における基板ステージ4の挙動を説明するための基板ステージ4の概念図である。図7(a)は、インプリント材11の硬化直後の状態を示し、図7(b)は、剥離力Fz’が働き、硬化したインプリント材11からのモールド6の剥離が始まる直前の状態を示している。図7(b)では、剥離力Fz’によって基板ステージ4(Yステージ4b2)が傾いてしまう。モールド6に対して基板3が傾いた状態になるため、モールド6およびパターンが形成されたインプリント材11に対して、パターンが倒れる向き(XY方向)に力が作用しうる。その結果、モールド6のパターンやインプリント材11のパターンが破損する恐れがある。
そこで、第2実施形態のインプリント装置は、インプリント材11からモールド6を離すときに基板ステージ4が傾くことにより生じる、モールド6と基板3の相対的な傾きを低減するように、インプリントヘッド7の傾きを制御する。モールド6と基板3の相対的な傾きの制御は、剥離力Fz’と基板3の基準位置から対象ショット領域3aまでの距離Lとに基づいて行われうる。
第2実施形態では、制御部10は、S106の工程においてもS103の工程と同様に、補正器10cによって、基板ステージ4が傾くことによるモールド6と基板3の相対的な傾きを補正する。具体的には離型時にモールド6と基板3の相対的な傾きが低減されるようにインプリントヘッド7を傾ける。このとき、補正器10cは、剥離力Fz’および距離Lに対する基板ステージ4の傾き量(補正値)を求める。補正器10cが求めた傾き量に基づき、インプリントヘッド7は制御部により傾きが制御される。または、押印力Fzおよび距離Lに対する相対位置のずれの関係を示す情報に基づいて求められた補正値を、押印力Fzと剥離力Fz’との差に応じた係数を乗ずることなどによって変更した値を用いてもよい。ここで、剥離力Fz’は、例えば、モールド駆動部7bに供給する信号値に、単位量の信号値を供給したときにモールド駆動部7bが発生する力を示す定数(推力定数)を乗ずることにより求められうる。また、モールド駆動部7bが発生する力を検知するセンサ(例えば、力センサやロードセル、歪みゲージなど)を設け、当該センサによる検出結果に基づいて剥離力Fz’が求められてもよい。
上述したように、第2実施形態のインプリント装置は、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離させる工程において、剥離力Fz’と距離Lとに基づいて、モールド6と基板3の相対的な傾き制御する。剥離力が一定の場合には、距離Lに基づいて、モールド6と基板3の傾きを制御してもよい。これにより、硬化したインプリント材11からモールド6を剥離させるときに発生するパターンを倒す向きの力を低減することができる。
<第3実施形態>
上述の実施形態でインプリント装置100は、モールド6をインプリント材11に接触させるときに、押印力により基板ステージ4が傾くためモールド6と基板3が相対的に傾いてしまうことを説明した。モールド6とインプリント材11を接触させた後に、押印力を除去すると基板ステージの傾きは元に(平行に)戻る。しかしながら、インプリント材に接触したモールド6のパターン領域6aには押印力が作用していた時と反対向きにインプリント材の粘弾性による力が作用する。このインプリント材の粘弾性による力により、モールド6のパターン領域6aは変形してしまうため、インプリント材の硬化後のパターン形状(いわゆるディストーション)の精度が低下する恐れがある。
上述の実施形態でインプリント装置100は、モールド6をインプリント材11に接触させるときに、押印力により基板ステージ4が傾くためモールド6と基板3が相対的に傾いてしまうことを説明した。モールド6とインプリント材11を接触させた後に、押印力を除去すると基板ステージの傾きは元に(平行に)戻る。しかしながら、インプリント材に接触したモールド6のパターン領域6aには押印力が作用していた時と反対向きにインプリント材の粘弾性による力が作用する。このインプリント材の粘弾性による力により、モールド6のパターン領域6aは変形してしまうため、インプリント材の硬化後のパターン形状(いわゆるディストーション)の精度が低下する恐れがある。
また、基板3の外周付近でモールド6のパターン領域6aの一部が基板の上のインプリント材と接触する場合、モールド6の基板3と対向している領域と対向していない領域で受ける反力に差が生じ、押印力によりモールドが傾く。この場合も同様に押印力を除去したときにパターン領域6aにはインプリント材11の粘弾性による力が作用し、パターン形状のディストーションが低下するという問題が生じる。そこで第3実施形態のインプリント装置は、インプリント材の粘弾性によりパターン領域6aの変形を低減するために、押印後にパターン領域の形状を補正する。
図8に第3実施形態のインプリント装置200を示す。上述の図1に示したインプリント装置100と同じ符号については説明を省略する。また、モールド形状補正部14は、モールド6の外周に配置されており、モールド6の外周(側面)に力を加えることによりパターン領域6aを変形させることができる。インプリント装置200は、パターン領域6aを変形させるにより、パターン領域6aと基板に予め形成されているパターンの領域(対象ショット領域3a)との倍率差や形状差を補正する。パターン領域6aと対象ショット領域3aの形状差は、計測部9がモールド6(パターン領域6a)に形成されたアライメントマークと、基板3(ショット領域)に設けられたアライメントマークとを検出することによって計測することができる。
図4に示すように、押印終了後(図4(b))に押印力を除去し、モールド6と対象ショット領域3aの相対的な傾きが無くなると(図4(a))、パターン領域6aにインプリント材11の粘弾性の影響により力が加わる。そのため、パターン領域6aの形状が弓形に変形することがあり、いわゆるディストーションが低減する。パターン領域6aが変形する大きさは、モールド6とインプリント材11が接触したときの基板ステージの傾き量に応じて変化する。ここでは、力が加わっていないパターン領域6aの形状と対象ショット領域3aの形状は一致している(同形状である)と仮定して説明する。
ここで、押印力による基板ステージ4の傾き量は、押印力の大きさと基準位置から対象ショット領域3aが配置された位置までの距離の情報より、ある程度予測することが可能である。押印力と対象ショット領域の位置からモールド6と基板3との傾き量が予測できれば、押印後にインプリント材11の粘弾性によりパターン領域6aが変形する大きさも予測することができる。これは、傾き量とインプリント材11の粘弾性によりパターン領域6aに作用する力には相関があるためである。更に、インプリント材11の粘弾性によりパターン領域6aに作用する力とパターン領域6aが変形する大きさにも相関がある。従って、押印力の大きさと対象ショット領域3aの基板3内での水平位置の情報(基準位置からの距離)より、インプリント材の粘弾性によるパターン領域6aの変形を予測することができる。
押印後のパターン領域6aの変形を予測できれば、図3に示したインプリント処理の動作シーケンスのS104でモールド形状補正部14を制御し、パターン領域6aの形状補正を行うことができる。本実施形態のインプリント装置200は、インプリント材11の粘弾性によるパターン領域の変形を相殺するような補正を行うことができる。
図9は第3実施形態のインプリント装置200による、形状補正(ディストーション補正)の概念を示す図である。例えば、第3実施形態による補正を行わない場合、押印後、パターン領域6aがインプリント材11の粘弾性により図9(a)の破線に示した矩形形状から実線で示す弓形形状(−X方向に凸)のように変形する場合を想定する。インプリント装置200は、モールド6とインプリント材11とが接触する前に、モールド形状補正部14を駆動させて、パターン領域6aの形状を図9(b)の実線に示す弓形形状(+X方向に凸)のように変形させる。図9(b)に示す形状は、図9(a)に示す形状とは逆側に凸となる弓形形状である。こうすると、パターン領域6aは、押印後にインプリント材11の粘弾性により、図9(c)の破線に示す弓形形状から実線に示す矩形形状に変形し、所望の形状とすることができる。
さらに、第3実施形態のインプリント装置200には、モールド形状補正部14によるモールド6のパターン領域6aの変形量(形状補正量)を予測する補正量予測部15が設けられていてもよい。補正量予測部15は制御部10と接続されている。パターン領域6aの変形において、補正量予測部15は押印力の情報と、パターンを形成しようとしている対象ショット領域3aの位置の情報を、制御部10より取得する。これらの情報により補正量予測部15はインプリント材11の粘弾性によるパターン領域6aの変形を相殺するパターン領域6aの形状補正量を算出し、制御部10へと送る。制御部10は補正量予測部15で算出された形状補正量に基づいてモールド形状補正部14を駆動し、モールド6のパターン領域6aを変形させる。このようにモールド6を変形させて、基板3の上にパターンを形成することによって、押印後のパターン領域6aと対象ショット領域3aとの倍率差や形状差を低減することができる。尚、補正量予測部15が得る各情報と形状補正量の相関については、実験あるいはシミュレーションにより予め求められているものとする。
第3実施形態では、パターン領域6aの形状補正を図3に示す動作シーケンスにおいて、S103の接触前に行う場合について説明した。しかし、第3実施形態の形状補正は、S103の接触前に限らず、S103の接触後からS105でインプリント材を硬化させるまでの間のいずれかで行ってもよい。
また、補正量予測部15はパターン領域6aの形状補正量を、予めパターン領域6aの形状補正量の補正テーブルを作成しておき、モールド形状補正部14の駆動時に補正テーブルを参照するように構成してもよい。さらに、形状補正量や補正テーブルは、制御部10に接続された入力部(不図示)より入力されるように構成されていてもよい。
上述のインプリント装置200は、パターン領域6aの形状を補正することで、パターン領域6aと対象ショット領域3aとの倍率差や形状差を補正しているが、対象ショット領域3aを変形させることで補正してもよい。例えば、基板3に熱を加えることによって、対象ショット領域3aの形状をインプリント材の粘弾性により変形したパターン領域6aの形状に合わせるように変化させる。このようにインプリント装置200には、基板を加熱する熱源(不図示の基板形状補正部)を備えることができるとして備えていてもよい。対象ショット領域3aに対して加える熱の分布を調整することで、モールド形状補正部を用いる場合よりも複雑な(高次の)形状補正を行うことができる。モールド形状補正部と基板形状補正部を共に用いて、パターン領域6aと対象ショット領域3aとの倍率差や形状差を補正してもよい。
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子や、マイクロレンズアレイ等の光学部材等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程(基板にインプリント処理を行う工程)と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子や、マイクロレンズアレイ等の光学部材等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程(基板にインプリント処理を行う工程)と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
3 基板
4 基板ステージ
5 供給部
6 モールド
7 インプリントヘッド
8 硬化部
9 計測部
10 制御部
11 インプリント材
12 基板計測部
13 モールド計測部
100 インプリント装置
4 基板ステージ
5 供給部
6 モールド
7 インプリントヘッド
8 硬化部
9 計測部
10 制御部
11 インプリント材
12 基板計測部
13 モールド計測部
100 インプリント装置
Claims (12)
- 基板上に供給されたインプリント材に、モールドを用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記モールドを保持するモールド保持部と、
前記モールドと前記インプリント材とを接触させたときに前記基板保持部が傾くことにより生じる前記モールドと前記基板の相対的な傾きを低減するように、前記モールドと前記インプリント材が接触する前記基板の面方向の位置に基づいて、前記モールドが前記インプリント材に接触している間に前記モールドの傾きを変化させる前記モールド保持部を制御する制御部と、
を含むことを特徴とするインプリント装置。 - 前記制御部は、前記モールドと前記インプリント材とを接触させる場合に前記モールドと前記基板に加わる力に基づいて、前記前記モールドと前記インプリント材が接触する時の前記モールドと前記基板の相対的な傾きを制御することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記制御部は、前記モールドが前記基板の面に対して相対的に傾くように前記モールドを保持する前記モールド保持部を駆動させることを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。
- 前記制御部は、前記モールドに対して前記基板の面が相対的に傾くように前記基板を保持する前記基板保持部を駆動させることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のインプリント装置。
- 前記基板の高さを計測することで前記基板の傾きを計測する基板計測部を有し、前記基板計測部の計測に基づいて、前記制御部を制御することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のインプリント装置。
- 前記基板計測部は、前記基板の上におけるパターンが形成される複数のショット領域ごとに、前記モールドと前記インプリント材とを接触させたときに前記基板保持部が傾く大きさを予め計測し、
前記制御部は、前記予め計測した傾きに基づいて、前記モールドと前記インプリント材が接触する時の前記モールドと前記基板の相対的な傾きを制御する、ことを特徴とする請求項5記載のインプリント装置。 - 前記モールドの高さを計測することで前記モールドの傾きを計測するモールド計測部を有し、前記モールド計測部の計測に基づいて、前記制御部を制御することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載のインプリント装置。
- 前記モールドと前記インプリント材とを接触させる場合に前記モールドと前記基板に加わる力と、前記基板の基準位置からの前記モールドと前記インプリント材が接触する前記基板の上の位置までの距離とに基づいて前記制御部を制御することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のインプリント装置。
- 基板上に供給されたインプリント材に、モールドを用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記モールドを保持するモールド保持部と、
前記基板保持部の傾きを計測する基板計測部と、
前記モールドと前記インプリント材とを接触させたときに前記基板保持部が傾くことにより生じる前記モールドと前記基板の相対的な傾きを低減するように、前記基板計測部の計測に基づいて、前記モールドが前記インプリント材に接触している間に前記モールドの傾きを変化させる前記モールド保持部を制御する制御部と、
を含むことを特徴とするインプリント装置。 - 基板上に供給されたインプリント材に、モールドを用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記モールドを保持するモールド保持部と、
前記モールドと前記インプリント材とを引き離したときに前記基板保持部が傾くことにより生じる前記モールドと前記基板の相対的な傾きを低減するように、前記モールドと前記インプリント材が接触する前記基板の面方向の位置に基づいて、前記モールドと前記インプリント材が離れる時の前記モールドと前記基板の相対的な傾きを制御する制御部と、
を含むことを特徴とするインプリント装置。 - 基板上に供給されたインプリント材に、モールドを用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記モールドを保持するモールド保持部と、
基板保持部の傾きを計測する基板計測部と、
前記モールドと前記インプリント材とを引き離したときに前記基板保持部が傾くことにより生じる前記モールドと前記基板の相対的な傾きを低減するように、前記基板計測部の計測に基づいて、前記モールドと前記インプリント材が離れる時の前記モールドと前記基板の相対的な傾きを制御する制御部と、
を含むことを特徴とするインプリント装置。 - 請求項1〜11の何れか1項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。
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---|---|---|---|---|
KR20190078520A (ko) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 6 자유도의 임프린트 헤드 모듈을 갖는 나노임프린트 리소그래피 |
Families Citing this family (3)
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---|---|---|---|---|
JP6726987B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品製造方法 |
JP7263088B2 (ja) * | 2019-04-08 | 2023-04-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
US20210318610A1 (en) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Measurement method, imprint apparatus, and article manufacturing method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005026462A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Canon Inc | 微細加工方法及び微細加工装置 |
JP2005533393A (ja) * | 2002-07-11 | 2005-11-04 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
JP2007173614A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | 微細加工装置 |
JP2009200345A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Canon Inc | 加工装置 |
JP2013219230A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7670530B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-03-02 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
JP4958614B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2012-06-20 | キヤノン株式会社 | パターン転写装置、インプリント装置、パターン転写方法および位置合わせ装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005533393A (ja) * | 2002-07-11 | 2005-11-04 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム |
JP2005026462A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Canon Inc | 微細加工方法及び微細加工装置 |
JP2007173614A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | 微細加工装置 |
JP2009200345A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Canon Inc | 加工装置 |
JP2013219230A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190078520A (ko) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 6 자유도의 임프린트 헤드 모듈을 갖는 나노임프린트 리소그래피 |
JP2019117927A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | キヤノン株式会社 | 6自由度インプリントヘッドモジュールを有するナノインプリントリソグラフィ |
US10996561B2 (en) | 2017-12-26 | 2021-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanoimprint lithography with a six degrees-of-freedom imprint head module |
KR102355144B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2022-01-26 | 캐논 가부시끼가이샤 | 6 자유도의 임프린트 헤드 모듈을 갖는 나노임프린트 리소그래피 |
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