JP6420606B2 - インプリント装置、インプリント方法及び物品製造方法 - Google Patents

インプリント装置、インプリント方法及び物品製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法及び物品製造方法に関する。
インプリント技術は、微細なパターンが形成された型（モールド）を用いて基板（ウエハ）の上に微細なパターンを形成する技術である。インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を用いたインプリント技術では、まず、ウエハの上のインプリント領域であるショット領域の位置にインプリント材としての流動状の樹脂が供給される。供給された樹脂にモールドのパターンを押し付けた状態（押印）で光を照射することによって樹脂が硬化される。硬化された樹脂からモールドを引き離す（離型）ことにより、樹脂のパターンが基板の上に転写される。
半導体チップを製作する場合、モールドの押印時に、ウエハとモールドとを正確に位置合わせすることを必要とする。インプリント装置においてウエハとモールドとを位置合わせする手法として、モールドに形成されたマークとウエハの各ショット領域に形成されたマークとを検出することによって位置合わせする、いわゆるダイバイダイ方式が知られている。
特許文献１には、アライメントマークの検出によりモールド（テンプレート）とウエハとの間の相対的な位置ずれを算出して、ステージ（テンプレートステージまたは基板ステージ）を相対的に動かすインプリント装置が記載されている。
特表２００８−５２２４１２号公報
微細なパターンのインプリントでは押印時のモールドとウエハとの隙間は１μｍ以下であり、この隙間に充填された樹脂は粘性と弾性の両方を合わせた粘弾性を持つ。押印時にモールドとウエハとを位置合わせするために両者を相対的に動かすと、樹脂の粘弾性によりモールドとウエハとの間に力が働く。この力はモールドのパターンに対しても作用するので、微細なパターンが変形する恐れがある。パターンの変形は、半導体の不良チップを発生させてしまう。
そこで、本発明は、モールドのパターンの変形の低減に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
本発明の１つの側面は、基板の上のインプリント材とモールドとを接触させることにより前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を、ショット領域ごとに行う、インプリント装置であって、前記基板を保持するステージと、前記ショット領域と前記モールドとの前記基板の表面に平行な方向における相対位置を検出する検出器と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、対象ショット領域とは異なる他のショット領域で前記パターンを形成した前記インプリント処理において、前記モールドと前記他のショット領域上のインプリント材とを接触させた状態で行われた前記他のショット領域と前記モールドの前記方向に関する位置合わせに用いた、前記他のショット領域と前記モールドの相対位置又は相対移動量に関連する情報を取得し、前記対象ショット領域に対して前記インプリント処理を行うとき、前記対象ショット領域に関する前記検出器の検出結果と前記取得した情報とを用いて前記対象ショット領域と前記モールドの前記方向に関する相対位置を調整し、前記モールドと前記対象ショット領域上のインプリント材とを接触させる、ことを特徴とする。
本発明によれば、モールドのパターンの変形の低減に有利なインプリント装置を提供することができる。
インプリント装置を説明する図である。 インプリント装置の制御系を示す図である。 モールドとウエハとに働く力の特性を説明する図である。 初期位置ずれ量の推定値とモールドとウエハとに働く力を示す図である。 θz軸方向のずれによる影響を示したものである。 周辺部のショット領域の例である。
以下、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明を適用できるインプリント装置を示したものである。まず、インプリント装置の構成から説明する。インプリント装置の本体１は、空気ばね等を用いた三脚または四脚の除振部２を介して、床の上に設置される。ウエハ（基板）３は、不図示のウエハチャックによりウエハ３の表面に平行な第１方向（Ｘ方向およびＹ方向）に移動可能なウエハステージ（ステージ）４に搭載されている。本実施形態では、ウエハ３とモールド８とを近づける方向（Ｚ方向）に垂直な方向を第１方向（Ｘ方向およびＹ方向）とする。第１方向は、ウエハ３の表面に平行な方向である。ウエハステージ４は、ウエハ３の全面にインプリント処理を行いかつウエハ３を不図示のウエハ交換ハンドにて載せ降ろしを行う交換位置まで移動できるのに十分なＸ方向およびＹ方向のストロークを有している。
図１では、ウエハステージ４は、簡易的に一つの箱と車輪で示してあるが、実際は次のような構造を持つ。ウエハステージ４として、Ｘ方向およびＹ方向に長ストロークを有する粗動ステージ上に、短ストロークで位置決め精度の高い微動ステージを搭載したものが使われている。ウエハステージ４の構成は、これに限らず、一般的に半導体露光装置に用いられている高精度に位置決め可能なステージを用いることができる。ウエハステージ４のＸ軸の位置は、本体１に設けたレーザ干渉計５とウエハステージ４に設けたレーザ光を反射する不図示の反射鏡とにより計測される。同様にウエハステージ４のＹ方向の位置を計測するレーザ干渉計も設けられている。ウエハステージ４の位置の計測に、本体１に設けたスケール基板とウエハステージ４に設けた光学機器からなるエンコーダシステムを用いても良い。
インプリント処理に用いる光硬化型の樹脂（インプリント材）は、本体１に設けられた供給部７によりウエハ３上のショット領域のそれぞれに供給される。微細なパターンが形成されたモールド（型）８は、インプリントヘッド機構９により本体１に支持されている。ショット領域はモールドに形成されたパターンが転写される領域である。インプリントヘッド機構９は、モールド８を保持しながらＺ軸方向に動かすことができる。
インプリントヘッド機構９の近傍には位置決め方向におけるモールド８の変位を検出するセンサ（第２の検出器）６が設けられている。センサ６の検出値は、後述のモールド変位算出部１４に入力される。センサ６およびモールド変位算出部１４の詳細は後述する。モールド８とウエハ３とのＸ方向およびＹ方向の相対位置は、本体１に設けられたアライメント検出器（検出器）１０により計測される。ウエハ３には前のインプリント処理により各ショット領域にアライメントマークが形成されている。モールド８にもこれに応じたアライメントマークが形成されている。アライメント検出器１０は、アライメント光をモールド８とウエハ３とに照射して、両者のアライメントマークをアライメントスコープにより検出する。アライメント検出器１０は、アライメントスコープの検出結果を画像処理することにより、モールド８とウエハ３との相対位置を算出する。樹脂を硬化させる紫外線を照射する照明系１１は、本体１に搭載されている。
図２は、インプリント装置の制御系を示したものである。インプリント処理時の各動作とともに制御系の機能を説明する。ウエハステージ４の位置制御は、ウエハステージ制御部１２により行われる。ウエハステージ制御部１２は、不図示のインプリント装置の主制御部１５から送られるステージ位置指令から前述のレーザ干渉計５で計測されたステージ位置を引いた偏差をフィードバックするフィードバック制御系を用いている。
まず、ウエハステージ４はウエハ交換位置に移動して、不図示のウエハ交換ハンドによりウエハ３が不図示のウエハチャックに搭載される。この際、ウエハ交換ハンドの位置決め精度により、ウエハ３の搭載時にウエハチャックに対してウエハ３がＸＹ方向、およびＺ軸周りの回転方向であるθz軸方向に位置ずれを持って搭載される。この位置ずれは、ウエハステージ４上に設けた不図示の基準マークとウエハ３に設けられたマークの相対位置をアライメント検出器１０によって検出することで、取得することができる。この位置ずれの情報は、ステージ位置補正算出部１３を介してウエハステージ制御部１２に送られ、ウエハステージ制御部１２は、ステージの位置を補正（調整）することでウエハ３のウエハチャックに対する位置ずれを補正する。また、ステージの位置を補正する代わりにインプリントヘッド機構９の位置を補正することでウエハ３のモールド８に対する相対位置または相対移動量（位置ずれ）を補正することができる。また、ステージ位置を補正することに加えて、インプリントヘッド機構９の位置を補正することで、ウエハ３のモールド８に対する相対位置または相対移動量（位置ずれ）を補正することができる。
ウエハステージ制御部１２は、押印を行うウエハ３上の第１ショット領域が供給部７の下になるようにウエハステージ４を移動し、供給部７は、第１ショット領域に樹脂を供給する。第１ショット領域がモールド８の直下になるようにウエハステージ制御部１２がウエハステージ４を移動した後、インプリントヘッド機構９はモールド８を降下して押印を行う。この押印とは、インプリントヘッド機構でモールド８をウエハ３上の樹脂に押し付けることにより、モールド８とウエハ３の隙間を１μｍ以下として、この隙間に樹脂を充填する動作のことである。
押印直後はモールド８とウエハ３との相対位置に位置ずれが生じている。この位置ずれは、モールド８とウエハ３との間の樹脂の充填が完了した後に、アライメント検出器１０により検出される。具体的には、モールド８と第１ショット領域に供給された樹脂とを接触させた後、アライメント検出器１０により、モールド側アライメントマークと基板側アライメントマークとを検出することによって基板の表面に平行な方向における位置ずれを検出する。アライメント検出器１０により検出された位置ずれはステージ位置補正算出部１３に送られる。ステージ位置補正算出部１３により出力されたステージ補正信号は、ウエハステージ制御部１２に送られる。ステージ位置補正算出部１３の機能の詳細は後述する。ウエハステージ制御部１２によりウエハステージ４の補正移動が行われ、ウエハ３がモールド８に対して位置決めされる。このように検出された位置ずれは、ショット領域とモールド８のウエハ８の表面に平行な方向に関する位置合わせに用いられる、ショット領域とモールド８の相対位置に関連する情報としてインプリント装置に取得される。モールド８が樹脂に接触した押印時初期のウエハ３のモールド８に対する位置ずれが大きい場合、アライメント検出器１０により検出されたウエハ３とモールド８との相対位置には大きな誤差が含まれる。この場合、アライメント検出器１０は位置ずれを繰り返し検出し、ステージ位置補正算出部１３に位置ずれの情報を送り続け、ウエハステージ４の補正駆動を行うので、位置ずれは徐々に小さくなる。アライメント検出器１０により検出された位置ずれが所定の値以下になった時点で、主制御部１５は、ウエハ３の位置決めが完了したものと判定する。照明系１１により紫外線をモールド８越しに樹脂に照射し、樹脂を硬化させる。樹脂の硬化後に、インプリントヘッド機構９を上昇してモールド８を樹脂から剥離して、第１ショット領域に対する押印を完了する。
次に、モールド変位算出部１４の機能について説明する。図３に本体１とモールド８とウエハ３との間に作用する力の概念図を示す。樹脂の粘弾性は、図３において、ばねＫ１で示している。ばねＫ２は、モールド８と本体１との間のばねであり、インプリントヘッド機構９の本体１に対する支持系の剛性が主である。押印時にウエハステージ４を動かすと、モールド８とウエハ３との間に充填された樹脂の粘弾性により、モールド８とウエハ３との間に力ｆ１が生じる。
この力ｆ１によるウエハステージ４の偏差は、ウエハステージ制御部１２の働きにより解消される。すなわち、ウエハステージ制御部１２からの制御指令は、不図示のアクチュエータに送られ、ウエハステージ４への制御力ｆ２を生成し、力ｆ２と力ｆ１とが釣合う。樹脂の粘弾性のばねＫ１とモールド８と本体１（基準位置）の間のばねＫ２とは直列に作用するので、ばねＫ２にも力ｆ１が作用する。よって、ばねＫ２が制御力ｆ２により伸ばされ、モールド８は変位する。モールド８の変位に相当するばねＫ２の伸び量は、インプリントヘッド機構９に設けられたセンサ６によって計測する。センサ６として、モールド８と本体１との間の相対位置を計測する変位センサを用いた場合、本体１にセンサ本体を設置し、インプリントヘッド機構に設けたセンサターゲットまでの変位を計測する。変位センサとして、レーザ干渉計などの非接触式の高精度のものを使用することができる。
センサ６として歪みゲージを用いる場合には、インプリントヘッド機構９の本体１への支持部に歪みゲージを貼り、歪み量からインプリントヘッド機構９の変位を求める。前述のように力ｆ１は力ｆ２と釣合っている。よって、ウエハステージ制御部１２からの制御指令を基に力ｆ２を算出し、予め求めておいた本体１とインプリントヘッド機構９との間のばね定数によりインプリントヘッド機構９の変位を計算することで、センサレスの構成とすることもできる。本体１とインプリントヘッド機構９との間のばね定数は、ウエハステージ４を位置決め方向に移動させた場合の駆動力とモールド８の位置決め方向の変位量とを規定する係数である。
このように求めたモールド８の変位には誤差が生じることがある。例えば、変位センサを用いた場合、ウエハ３に対面するモールド８それ自体とセンサターゲットの間の変位を、変位センサの値にさらに加える必要がある。この誤差はほぼ線形計算で近似できるので、変位センサの値に補正ゲインを乗じて補正を行うことができる。他の手法についても、同様に補正を行っても良い。モールド変位算出部１４で求めたモールド変位の情報は、ステージ位置補正算出部１３に送られる。主制御部１５、ウエハステージ制御部１２、モールド変位算出部１４、ステージ位置補正算出部１３は、制御部Ｃを構成している。
次にステージ位置補正算出部１３の詳細について説明する。前述のようにモールド８とウエハ３との間の位置ずれが大きな状態ではアライメント検出器１０による位置ずれの測定値には大きな誤差が含まれている。そのため、押印時のモールド８とウエハ３との初期の位置ずれ量を正確に求めることはできない。しかし、モールド８とウエハ３との位置合わせが完了した時点でのウエハステージ４の移動量から、モールド変位算出部１４から送られたモールド変位量を差し引くことで、押印時のモールド８とウエハ３との間の初期の位置ずれ量を推定することができる。この初期の位置ずれの推定値は、ステージ位置補正算出部１３内の記憶部により記憶される。第２ショット領域が、第１ショット領域と同様に樹脂の供給を終え、第２ショット領域がインプリントヘッド機構９の下に位置決めされる。ステージ位置補正算出部１３は、記憶部に記憶された第１ショット領域の押印時の初期の位置ずれの推定値を基に、補正指令を生成してウエハステージ制御部１２に送る。補正指令の生成方法の具体例は後述する。
ウエハステージ制御部１２は、補正指令を主制御部１５から送られたステージ位置指令に足し込み、ウエハステージ４の位置制御を行う。この補正指令によるウエハステージ４の移動は、インプリントヘッド機構９が降下してモールド８とウエハ３との間に樹脂の充填が完了する以前に終了させる。すなわち、樹脂の粘弾性の影響がほとんど生じない状態でウエハステージ４を移動させる。補正指令によるウエハステージ４の移動が完了し、樹脂の充填が完了した後に、第１ショット領域と同様にアライメント検出器１０により、モールド８と第２ショット領域との位置合わせを行う。
位置合わせの完了後に、照明系１１により紫外線を照射して樹脂を硬化させ、インプリントヘッド機構９を上昇して第２ショット領域に対する押印を完了する。この際、第１ショット領域と同様に、モールド変位算出部１４によってモールド８の変位を算出し、ステージ位置補正算出部１３に送る。ステージ位置補正算出部１３は、第２ショット領域の初期の位置ずれの推定値を算出して記憶部に記憶する。以降、１枚のウエハ内のすべてのショット領域に対して同様の動作を行い、１枚のウエハに対するインプリント処理を完了する。ウエハステージ４はウエハ交換位置に移動して、不図示のウエハ交換ハンドによりウエハ３を不図示のウエハチャックより外し、次にインプリント処理を行うウエハ３を搭載する。
次に、ステージ位置補正算出部１３における補正指令の生成方法の具体例について説明する。図４の（ａ）は、記憶部に記憶された、あるウエハの第１ショット領域から第１０ショット領域までのＸ軸方向における初期の位置ずれ（オフセット）の推定値の例である。推定値は最大値を１として正規化して示してある。オフセットは、モールド８を樹脂に接触させてから対象ショット領域をモールド８に対して位置決めするために要したウエハステージ４のモールド８に対する駆動量である。このように駆動量は、第１ショット領域に供給された樹脂とモールド８とを接触させた後、第１ショット領域とモールド８とのウエハ３の表面に平行な方向に関する位置合わせに用いたショット領域とモールド８の相対移動に関する情報として取得できる。この例では、初期の位置ずれの推定値は、範囲０．４程度のばらつき成分と、０．８程度のシフト成分との２成分を含む。ばらつき成分は、ウエハ３の前の下地層のインプリント処理で生じたずれや初期位置ずれの推定値自体の誤差による。シフト成分は、ウエハアライメントの誤差を含む。初期の位置ずれの推定値は、上述した、モールド８と第１ショット領域に供給された樹脂とを接触させた後、アライメント検出器１０により、モールドに形成されたアライメントマークと第１ショット領域に形成されたアライメントマークとの位置ずれでもよい。
モールド８とウエハ３の間の樹脂の充填が完了してから、モールド８とウエハ３との相対位置の位置合わせが完了したときに作用するモールド８とウエハ３との間の力は、樹脂のばね性と相対移動の積である。ショット領域毎の力は、図４の（ｂ）の○印プロットになる。ここでも、最大値を１としてモールド８とウエハ３との間の力を正規化して示した。本実施形態では、第２ショット領域以降において、樹脂の充填の完了する前に補正指令を生成する。次の例は、前のショット領域までの初期の位置ずれの推定値の平均値をオフセットとして取得する方法である。
（第Ｎショット領域に対する補正指令）＝（第１〜第（Ｎ−１）ショット領域の位置ずれの推定値の平均値）・・・（１）
ここで、第Ｎショット領域はインプリント処理の対象とするショット領域である。第１〜第（Ｎ−１）ショット領域は、対象ショット領域のオフセットを取得するために用いた先にインプリント処理を行った他の複数のショット領域である。
樹脂の充填の完了前にこの補正指令に従ってウエハステージ４の移動を完了すると、図４の（ａ）の初期の位置ずれ推定値のシフト成分の移動を樹脂充填後に行う必要がなくなり、樹脂充填後にはばらつき成分のみの補正でよくなる。本実施形態の場合の、位置合わせ完了時のモールド８とウエハ３との間の力は、図４の（ｂ）の×印プロットになる。○印プロットと同じ比率で示してあるので、第１ショット領域では同じ値である。この例では、第２ショット領域以降は、モールド８とウエハ３との間の力を約２割の大きさに低減することができている。この補正指令は、Ｙ軸およびθz軸も同様に行う。
また、式１の算出方法は、適宜変更が可能である。例えば、初期の位置ずれの推定値が一定方向にドリフトする場合がある。これは、熱や気圧変化などが原因である。この場合は第１〜第（Ｎ−１）ショット領域までの初期の位置ずれの推定値を関数近似や統計処理などを行い、第Ｎショット領域におけるずれ量を予想して補正指令を算出する。
また、ウエハ３の初期位置のθz軸のずれが大きく生じていた場合、図５のように、例えばショット領域のＸ座標に応じて、Ｙ方向の位置がずれる。θz軸の初期位置ずれの推定値からウエハ３のθz軸のずれを求め、各ショット領域のＸ，Ｙ座標との位置関係から補正指令を算出することで、θz軸ずれの影響を低減できる。ウエハ３のθz軸方向のずれを効率良く求めるには、ウエハ３の外周部に近いショット領域に対して先にインプリント処理を行うのが良い。図６は、ウエハ３の外周部に近い２つのショット領域の例である。外周部のショット領域が好都合である理由は、θz方向のずれ量を求める際に、ＸまたはＹ方向のずれ量から算出する場合、ショット領域間のスパンLが大きい方が精度を上げることができるからである。また、最初の数ショット領域は初期の位置ずれが大きいため、不良デバイスとなる可能性が高い。そのため、ウエハ３の外周部であって、ウエハ３の端部からショット領域の外形がはみ出した、欠けショットを使用することで、不良デバイスを減らすことができる。
また、図６において、θz方向のずれは、２つのショット領域のＹ方向のずれ量の差をスパンＬで除することで求めることができる。スパンＬを大きくとるために、少なくともウエハ３の半径の０．５倍より外側の周辺領域に存在するショット領域のインプリント処理を中心領域のショット領域より先に行うのがよい。ウエハ３のＸ，Ｙおよびθz方向のずれ量を求める手法は、上記に限らず、複数のショット領域のずれ量から統計的な処理を行って求める方法を用いることができる。この方法によると、単なるずれのみでなく、ウエハ面内の膨張や収縮の変形成分もとることができる。
［物品の製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路デバイス、液晶表示デバイス、ＭＥＭＳ等）の製造方法は、前述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。
３：ウエハ（基板）。４：ウエハステージ（ステージ）。８：モールド。１０：アライメント検出器（検出器）。Ｃ：制御部。

Claims (15)

  1. 基板の上のインプリント材とモールドとを接触させることにより前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を、ショット領域ごとに行う、インプリント装置であって、
    前記基板を保持するステージと、
    前記ショット領域と前記モールドとの前記基板の表面に平行な方向における相対位置を検出する検出器と、
    前記インプリント処理を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    対象ショット領域とは異なる他のショット領域で前記パターンを形成した前記インプリント処理において、前記モールドと前記他のショット領域上のインプリント材とを接触させた状態で行われた前記他のショット領域と前記モールドの前記方向に関する位置合わせに用いた、前記他のショット領域と前記モールドの相対位置又は相対移動量に関連する情報を取得し、
    前記対象ショット領域に対して前記インプリント処理を行うとき、前記対象ショット領域に関する前記検出器の検出結果と前記取得した情報とを用いて前記対象ショット領域と前記モールドの前記方向に関する相対位置を調整し、前記モールドと前記対象ショット領域上のインプリント材とを接触させる、
    ことを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記情報は、前記モールドと前記他のショット領域上のインプリント材とを接触させた状態で行われた前記他のショット領域と前記モールドの前記方向に関する位置合わせに要した、前記ステージの前記モールドに対する駆動量に基づく情報であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  3. 前記制御部は、前記モールドと前記対象ショット領域上のインプリント材とを接触させた後、前記検出器により前記パターンが形成されていない前記対象ショット領域と前記モールドとの前記方向に関する相対位置を検出し、当該検出器の検出結果に基づいて前記ステージを前記方向にさらに移動させる、ことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
  4. 前記他のショット領域は、最初に前記パターンが形成されたショット領域である、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
  5. 前記他のショット領域は、前記パターンが形成された複数のショット領域である、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
  6. 前記他のショット領域は、前記パターンが形成された複数のショット領域であり、
    前記制御部は、前記モールドと前記複数のショット領域のうちの１つのショット領域上のインプリント材とを接触させた状態での当該ショット領域と前記モールドの前記方向に関する位置合わせを、前記複数のショット領域のそれぞれについて行い、それぞれの位置合わせに要した、前記ステージの前記モールドに対する複数の駆動量の平均値に基づいて前記情報を取得する、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
  7. 前記制御部は、前記駆動量を前記ステージの基準位置からの前記方向における位置の検出結果と前記モールドの前記方向における変位とから取得する、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
  8. 前記変位を検出する第２の検出器をさらに備える、ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
  9. 前記第２の検出器は、変位センサを含む、ことを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
  10. 前記第２の検出器は、歪みゲージを含む、ことを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
  11. 前記制御部は、前記ステージを前記方向に移動させた場合の駆動力と前記モールドの前記方向における変位量との関係を規定する係数と、前記他のショット領域におけるインプリント処理において前記モールドを前記インプリント材に接触させた状態で前記ステージを前記方向に移動させるための駆動力と、に基づいて、前記変位を求める、ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
  12. 前記制御部は、前記基板の周辺領域に存在するショット領域に対するインプリント処理を前記基板の中心領域に存在するショット領域に対するインプリント処理よりも先に行う、ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のインプリント装置。
  13. 基板を保持するステージと、前記基板の上のショット領域とモールドとの前記基板の表面に平行な方向における相対位置を検出する検出器と、を備えたインプリント装置を用いて、前記基板の上のインプリント材と前記モールドとを接触させることにより前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理をショット領域ごとに行う、インプリント方法であって、
    対象ショット領域とは異なる他のショット領域で前記パターンを形成した前記インプリント処理において、前記モールドと前記他のショット領域上のインプリント材とを接触させた状態で行われた前記他のショット領域と前記モールドの前記方向に関する位置合わせに用いた、前記他のショット領域と前記モールドの相対位置又は相対移動量に関連する情報を取得する工程と、
    前記対象ショット領域に対して前記インプリント処理を行うとき、前記対象ショット領域に関する前記検出器の検出結果と前記取得した情報とを用いて前記対象ショット領域と前記モールドの前記方向に関する相対位置を調整し、前記モールドと前記対象ショット領域上のインプリント材とを接触させる工程と、
    を含むことを特徴とするインプリント方法。
  14. 前記モールドと前記対象ショット領域上のインプリント材とを接触させる工程の後、
    前記モールドと前記対象ショット領域上のインプリント材とが接触した状態で前記検出器により前記対象ショット領域と前記モールドとの前記方向に関する相対位置を検出する工程と、
    前記モールドと前記対象ショット領域上のインプリント材とが接触した状態での前記検出器の検出結果に基づいて前記ステージを前記方向にさらに移動させて前記インプリント材を硬化させる工程と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のインプリント方法。
  15. 請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
    前記工程でパターンが形成された基板を加工する工程と、
    を有し、前記加工する工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
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