KR102542219B1 - 나노 임프린트용 조성물 및 나노 임프린트 패턴 형성 방법 - Google Patents

나노 임프린트용 조성물 및 나노 임프린트 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

광조사에 의해 중합하는 중합성기를 가지는 실록산 폴리머(A)와, 중합 개시제(C)와, 함불소 고분자 화합물(F)을 함유하고, 상기 함불소 고분자 화합물(F)이, 하기 일반식(f1-1)로 나타내는 구성 단위를 가지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 조성물. [식(f1-1) 중, R은 수소 원자, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기이다. Rf102 및 Rf103은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1~5의 알킬기, 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기를 나타낸다. Rf102 및 Rf103은 동일해도 상이해도 된다. nf1은 1~5의 정수이며, Rf101은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.]
Figure 112016034980522-pat00027

Description

나노 임프린트용 조성물 및 나노 임프린트 패턴 형성 방법{COMPOSITION FOR NANOIMPRINT, AND METHOD OF FORMING NANOIMPRINT PATTERN}
본 발명은 나노 임프린트용 조성물 및 나노 임프린트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본원은 2015년 4월 15일에 일본에 출원된, 일본 특원 2015-083209호에 근거해 우선권 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
리소그래피 기술은 반도체 디바이스 프로세스의 코어 테크놀로지이며, 최근의 반도체 집적회로(IC)의 고집적화에 따라 추가적인 배선의 미세화가 진행되고 있다. 미세화 수법으로서는 보다 단파장의 광원, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, F2 레이저, EUV(극단 자외광), EB(전자선), X선 등을 이용하는 광원 파장의 단파장화나, 노광 장치의 렌즈의 개구수(NA)의 대구경(大口徑)화(고 NA화) 등이 일반적이다.
이와 같은 상황 아래, 소정의 패턴이 형성된 몰드를 표면에 수지층이 형성된 기체(基體)에 대해서 눌러 몰드의 패턴을 수지층에 전사하는 나노 임프린트 리소그래피가 제안되고 있다.
나노 임프린트 리소그래피에서는 광(자외선, 전자선)으로 경화하는 광경화성 수지를 함유하는 나노 임프린트용 조성물을 이용한 광 나노 임프린트 리소그래피가 제안되어 왔다. 이 프로세스에서는 광경화성 수지를 포함하는 수지층에 몰드를 누르고, 그 다음에 광을 조사해 수지를 경화시키며, 그 후 몰드를 박리함으로써 전사 패턴(구조체)이 얻어진다.
나노 임프린트 리소그래피에 이용되는 나노 임프린트용 조성물 전반에 요구되는 특성으로서는 스핀 도포 등에 의해 기판 위에 도포할 때의 도포성, 가열이나 노광을 실시할 때의 경화성을 들 수 있다. 도포성이 나쁘면 기판 위에 도포된 나노 임프린트용 조성물의 막 두께에 차이가 생겨 몰드 압압(押壓)시의 패턴 전사성의 저하를 초래한다. 또, 경화성은 몰드 압압에 의해 형성된 패턴을 원하는 치수로 유지하는데 있어서 중요한 특성이다.
예를 들면, 특허문헌 1에는 배합하는 폴리머를 소정의 배합비로 하고, 도포성 및 경화성을 향상시킨 나노 임프린트용 조성물이 개시되어 있다.
일본 특허 제5560049호 공보
나노 임프린트 리소그래피에서는 수지층에 몰드를 누르고, 그 후 몰드를 박리하기 위해, 나노 임프린트 리소그래피에 이용되는 나노 임프린트용 조성물에는 추가로 몰드 이형성이 요구된다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 몰드 이형성이 뛰어난 나노 임프린트용 조성물 및 상기 나노 임프린트용 조성물을 이용한 나노 임프린트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 실시 형태의 제1 양태는 광조사에 의해 중합하는 중합성기를 가지는 실록산 폴리머(A)와, 중합 개시제(C)와, 함불소 고분자 화합물(F)을 함유하고, 상기 함불소 고분자 화합물(F)이, 하기 일반식(f1-1)로 나타내는 구성 단위를 가지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 조성물이다.
[화 1]
Figure 112016034980522-pat00001
[식(f1-1) 중, R은 수소 원자, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기이다. Rf102 및 Rf103은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1~5의 알킬기, 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기를 나타낸다. Rf102 및 Rf103은 동일해도 상이해도 된다. nf1은 1~5의 정수이며, Rf101은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.]
본 실시 형태의 제2 양태는 기판 위에, 상기 본 실시 형태의 제1 양태의 나노 임프린트용 조성물을 도포하고, 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 형성하는 공정과, 소정 패턴의 요철 구조가 형성된 몰드를 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층에 압압하고, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 상기 소정 패턴으로 변형시키는 공정과, 상기 몰드가 압압된 상태로, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 노광하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 패턴 형성 방법이다.
본 실시 형태의 제3 양태는 무기 기판 위에, 유기물층을 형성하는 공정과, 상기 유기물층 위에, 상기 본 실시 형태의 제1 양태의 나노 임프린트용 조성물을 도포하고, 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 형성하는 공정과, 소정 패턴의 요철 구조가 형성된 몰드를, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층에 압압하고, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 상기 소정 패턴으로 변형시키는 공정과, 상기 몰드가 압압된 상태로, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 노광하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 패턴 형성 방법이다.
본 발명에 의하면, 몰드 이형성이 뛰어난 나노 임프린트용 조성물 및 상기 나노 임프린트용 조성물을 이용한 나노 임프린트 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 나노 임프린트 패턴 형성 방법의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 실시 형태의 나노 임프린트 패턴 형성 방법의 일례를 나타내는 개략도이다.
≪나노 임프린트용 조성물≫
본 실시 형태의 나노 임프린트용 조성물은 광조사에 의해 중합하는 중합성기를 가지는 실록산 폴리머(A)와, 중합 개시제(C)와, 함불소 고분자 화합물(F)을 함유한다.
이하, 각 성분에 대해 상술한다.
＜실록산 폴리머(A)＞
본 실시 형태의 나노 임프린트용 조성물을 구성하는 실록산 폴리머(A)(이하, (A) 성분이라고 하는 경우가 있음)는 광조사에 의해 중합하는 중합성기를 가지는 고분자 화합물이다. 구체적으로는 하기 일반식(A1)로 나타내는 고분자 화합물이 바람직하다.
[화 2]
Figure 112016034980522-pat00002
[식(A1) 중, R1은 에틸렌성 불포화 이중 결합을 함유하는 기이며, R0는 탄소수 1~9의 알킬렌기이며, m개의 R0는 상이한 R0를 가지는 경우가 있어도 되고, R2는 알킬기, 아릴기, 또는 수소 원자이며, n개의 R2는 상이한 R2를 가지는 경우가 있어도 되고, m:n은 50:50~100:0의 범위이다.]
[R1]
식(A1) 중, R1에서의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 함유하는 기로서는 말단에 에틸렌성 불포화 이중 결합을 가지는 것이 바람직하고, 특히 하기 식(A1-1-1)~(A1-1-2)로 나타내는 것이 바람직하다.
m개의 R1을 가지는 경우에는 상이한 R1을 가지고 있어도 된다.
식 중 「*」는 결합손을 나타낸다.
[화 3]
Figure 112016034980522-pat00003
[R0]
식(A1) 중, R0에서의 탄소수 1~9의 알킬렌기로서는 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기를 들 수 있다. R0로서는 바람직하게는 탄소수 1~7의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기, 더욱 바람직하게는 탄소수 1~5의 직쇄상의 알킬렌기이며, 특히 바람직하게는 메틸렌기, 에틸렌기 또는 n-프로필렌기이다. m개의 R0를 가지는 경우에는 상이한 R0를 가지고 있어도 된다.
[R2]
식(A1) 중, R2에서의 알킬기로서는 탄소수 1~10의 알킬기를 들 수 있고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 직쇄상의 알킬기; 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등의 분기쇄상의 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 이소보닐기, 트리시클로데카닐기 등의 환상의 알킬기;를 들 수 있다. R2에서의 알킬기로서는 바람직하게는 탄소수 1~5의 알킬기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1~3의 알킬기이며, 특히 바람직하게는 메틸기이다.
또, R2의 알킬기에서의 수소 원자는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다. 할로겐 원자로서는 몰드의 이형성의 점에서 불소 원자가 가장 바람직하다.
식(A1) 중, R2에서의 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 비페닐(biphenyl)기, 플루오레닐(fluorenyl)기, 나프틸기, 안트릴(anthryl)기, 페난트릴기 등을 들 수 있다. R2에서의 아릴기로서는 바람직하게는 페닐기이다. 또, R2의 아릴기는 알킬기 등의 치환기를 가지고 있어도 된다.
n개의 R2를 가지는 경우에는 상이한 R2를 가지고 있어도 된다.
식(A1) 중, m:n(몰비)는 Si 함유율이나, 막 두께 조정, 압압 조정의 점을 고려해 적절히 설정하면 된다. m:n(몰비)는 바람직하게는 50:50~99:1의 범위이며, 보다 바람직하게는 70:30~99:1, 더욱 바람직하게는 80:20~99:1, 특히 바람직하게는 90:10~99:1이다. m이 증가하면 경화성이 뛰어나다.
식(A1)로 나타내는 실록산 폴리머로서 특히 바람직하게는 하기 식(A1-1) 혹은 하기 식(A1-2)로 나타내는 것을 들 수 있다.
[화 4]
Figure 112016034980522-pat00004
상기 식(A1-1) 및 상기 식(A1-2) 중, Ra는 메틸기 또는 수소 원자이며, m 및 n은 상기 식(A1)에서의 m 및 n과 동일하다.
(A) 성분의 질량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않고, 500~10000이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1000~5000이며, 더욱 바람직하게는 1000~3000이다. 상기 범위 내로 함으로써 압압의 저감 효과의 향상과, 형성되는 패턴 형상의 특성 향상의 밸런스가 뛰어나다. (A) 성분은 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
＜중합 개시제(C)＞
중합 개시제(C)(이하, (C) 성분이라고 하는 경우가 있음)는 광조사시에 실록산 폴리머(A)의 중합을 개시, 촉진시키는 화합물이면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 1-(4-이소프로필 페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 비스(4-디메틸아미노페닐)케톤, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(o-아세틸옥심), 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 4-벤조일-4'-메틸디메틸설피드, 4-디메틸아미노벤조산, 4-디메틸아미노벤조산메틸, 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산부틸, 4-디메틸아미노-2-에틸헥실벤조산, 4-디메틸아미노-2-이소아밀벤조산, 벤질-β-메톡시에틸아세탈, 벤질디메틸케탈, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, o-벤조일벤조산메틸, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤, 티옥산텐, 2-클로로티옥산텐, 2,4-디에틸티옥산텐, 2-메틸티옥산텐, 2-이소프로필티옥산텐, 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥시드, 쿠멘퍼옥시드, 2-머캅토벤조이미달, 2-머캅토벤조옥사졸, 2-머캅토벤조티아졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)-이미다졸릴2량체, 벤조페논, 2-클로로벤조페논, p,p'-비스디메틸아미노벤조페논, 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 벤조일, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인부틸에테르, 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-tert-부틸아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, p-tert-부틸트리클로로아세토페논, p-tert-부틸디클로로아세토페논, α,α-디클로로-4-페녹시아세토페논, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디벤조스베론, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스-(9-아크리디닐)헵탄, 1,5-비스-(9-아크리디닐)펜탄, 1,3-비스-(9-아크리디닐)프로판, p-메톡시트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진; 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 메틸이소부틸케톤퍼옥사이드, 시클로헥사논퍼옥사이드 등의 케톤퍼옥사이드류; 이소부틸퍼옥사이드, 비스(3,5,5-트리메틸헥사노일)퍼옥사이드 등의 디아실퍼옥사이드류; p-멘탄하이드로퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드 등의 하이드로퍼옥사이드류; 2,5-디메틸-2,5-비스(t-부틸퍼옥시)헥산 등의 디알킬퍼옥사이드류; 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산 등의 퍼옥시케탈류; t-부틸퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸퍼옥시네오데카노에이트 등의 퍼옥시에스테르류; 디n-프로필퍼옥시디카보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카보네이트 등의 퍼옥시디카보네이트류; 아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스이소부틸레이트 등의 아조 화합물류 등을 들 수 있다.
상기 중에서도, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 요도늄, (4-메틸페닐)[4-(2-메틸프로필)페닐]-헥사플루오로포스페이트, 2-[2-옥소-2-페닐아세톡시에톡시]에틸에스테르와, 2-(2-히드록시에톡시)에틸 에스테르의 혼합물, 페닐글리코실레이트, 벤조페논 등이 바람직하다.
이들 중합 개시제는 시판의 것을 이용할 수 있고, 예를 들어 IRGACURE 907, IRGACURE 369, IRGACURE 651(모두 치바·스페셜티·케미컬즈사 제) 등이 시판되고 있다. 이들 중합 개시제는 어느 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
나노 임프린트용 조성물 중, (C) 성분의 함유량은 나노 임프린트용 조성물 중에 포함되는 (A) 성분 1중량부에 대해, 0.1~10중량부인 것이 바람직하고, 0.1~5중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.1~1중량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기의 범위 내로 함으로써 광경화성이 양호해진다.
＜함불소 고분자 화합물(F)＞
본 실시 형태의 나노 임프린트용 조성물이 함유하는 함불소 고분자 화합물(F)(이하, 「(F) 성분」으로 기재하는 경우가 있음)에 대해 설명한다. (F) 성분은 하기 일반식(f1-1)로 나타내는 구성 단위를 갖는다.
[화 5]
Figure 112016034980522-pat00005
[식(f1-1) 중, R은 수소 원자, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기이다. Rf102 및 Rf103은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1~5의 알킬기, 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기를 나타낸다. Rf102 및 Rf103은 동일해도 상이해도 된다. nf1은 1~5의 정수이며, Rf101은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.]
[R]
일반식(f1-1) 중, R에서의 탄소수 1~5의 알킬기는 탄소수 1~5의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기는 상기 탄소수 1~5의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.
일반식(f1-1)에서의 R로서는 수소 원자, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1~5의 불소화 알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.
[Rf102 및 Rf103]
일반식(f1-1) 중, Rf102 및 Rf103의 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. Rf102 및 Rf103의 탄소수 1~5의 알킬기로서는 상기 R의 탄소수 1~5의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다. Rf102 및 Rf103의 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기로서 구체적으로는 상기 탄소수 1~5의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가, 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 그 중에서도 Rf102 및 Rf103로서는 수소 원자, 불소 원자, 또는 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기, 또는 에틸기가 바람직하다.
[nf1]
식(f1-1) 중, nf1은 1~5의 정수로서, 1~3의 정수가 바람직하고, 1 또는 2인 것이 보다 바람직하다.
[Rf101]
식(f1-1) 중, Rf101은 불소 원자를 포함하는 유기기로서, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기인 것이 바람직하다.
불소 원자를 포함하는 탄화수소기로서는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 어느 하나여도 되고, 탄소수는 1~20인 것이 바람직하며, 탄소수 1~15인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1~10이 특히 바람직하다.
불소 원자를 포함하는 탄화수소기로서의 탄소수 1~10의 알킬기는 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디메틸에틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸프로필기, 2,2,-디메틸부틸기 등을 들 수 있다.
또, 불소 원자를 포함하는 탄화수소기는 상기 탄화수소기에서의 수소 원자의 25% 이상이 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 50% 이상이 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하며, 60% 이상이 불소화되어 있는 것이, 나노 임프린트용 조성물을 이용해 수지층을 형성한 경우의, 상기 수지층의 접촉각을 향상시킬 수 있고, 나아가서는 몰드에 대한 이형성이 높아지는 점에서, 특히 바람직하다.
그 중에서도, Rf101로서는 탄소수 1~6의 불소화 탄화수소기가 특히 바람직하고, 메틸기, -CH2-CF3, -CH2-CF2-CF3, -CH(CF3)2, -CH2-CH2-CF3, -CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3이 가장 바람직하다.
본 발명에서, (F) 성분에서의 일반식(f1-1)로 나타내는 구성 단위의 비율은 (F) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해, 20~99몰%인 것이 바람직하고, 40~95몰%인 것이 보다 바람직하며, 60~90몰%인 것이 특히 바람직하다.
본 발명에서, (F) 성분은 상기 일반식(f1-1)로 나타내는 구성 단위에 더하여 지환식 탄화수소기를 포함하는 구성 단위를 가지는 것이 바람직하다.
지환식 탄화수소기를 포함하는 구성 단위로서는 지방족 환식기를 포함하는 구성 단위(a1)(이하, 「구성 단위(a1)」라고 기재하는 경우가 있음)가 적합하다.
(구성 단위(a1))
구성 단위(a1)가 가지는 지방족 환식기로서는 다환식이어도 되고, 단환식이어도 된다. 단환식의 지환식 탄화수소기로서는 모노시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하다. 상기 모노시클로알칸으로서는 탄소수 3~8인 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로옥탄 등을 들 수 있다. 다환식의 지환식 탄화수소기로서는 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하고, 상기 폴리시클로알칸으로서는 탄소수 7~12인 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.
또, 상기 지방족 환식기는 치환기를 가지고 있어도 된다.
상기 치환기로서는 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.
상기 치환기로서의 알킬기로서는 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.
상기 치환기로서의 알콕시기로서는 탄소수 1~5의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.
상기 치환기로서의 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.
상기 치환기로서의 할로겐화 알킬기로서는 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.
구성 단위(a1)로서는 하기 일반식(a1-r2-1)로 나타내는 지방족 환식기를 가지는 구성 단위가 바람직하다.
또, 구성 단위(a1)로서는 하기 일반식(a1-r2-2)로 나타내는 지방족 환식기를 포함하는 기를 가지는 구성 단위여도 된다.
[화 6]
Figure 112016034980522-pat00006
[식 중, Ra'10은 수소 원자, 또는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타내고, Ra'11은 Ra'10이 결합한 탄소 원자와 함께 지방족 환식기를 형성하는 기를 나타낸다. Ra'12 및 Ra'14는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄화수소기를 나타내고, Ra'13은 지방족 환식기를 나타낸다. *는 결합손을 의미한다.]
식(a1-r2-1) 중, Ra'10의 탄소수 1~10의 알킬기는 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디메틸에틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있다.
식(a1-r2-1) 중, Ra'11이 구성하는 지방족 환식기는 다환식이어도 되고, 단환식이어도 된다. 단환식의 지환식 탄화수소기로서는 모노시클로알칸으로부터 1개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하다. 상기 모노시클로알칸으로서는 탄소수 3~8인 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로옥탄 등을 들 수 있다. 다환식의 지환식 탄화수소기로서는 폴리시클로알칸으로부터 1개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하고, 상기 폴리시클로알칸으로서는 탄소수 7~12인 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.
식(a1-r2-2) 중, Ra'12 및 Ra'14는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기인 것이 바람직하고, 상기 알킬기는 식(a1-r2-1)에서의 Ra'10의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서 열거한 기가 보다 바람직하고, 탄소수 1~5의 직쇄상 알킬기인 것이 더욱 바람직하며, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.
식(a1-r2-2) 중, Ra'13은 상기 식(a1-r2-1) 중의, Ra'11이 구성하는 지방족 환식기와 동일한 기가 바람직하다.
상기 식(a1-r2-1)로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다. 이하의 식 중, 「*」는 결합손을 나타낸다.
[화 7]
Figure 112016034980522-pat00007
상기 식(a1-r2-2)로 나타내는 기의 구체예를 이하에 든다.
[화 8]
Figure 112016034980522-pat00008
구성 단위(a1)로서는, α위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산 에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.
구성 단위(a1)로서 하기 일반식(a1-1) 또는 (a1-2)로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.
[화 9]
Figure 112016034980522-pat00009
[식 중, R은 수소 원자, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기이다. Va1은 에테르 결합, 우레탄 결합, 또는 아미드 결합을 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이며, na1은 0~2이며, Ra1는 상기 식(a1-r2-1) 또는 (a1-r2-2)로 나타내는 지방족 환식기이다.
Wa1는 na2＋1가의 탄화수소기이며, na2는 1~3이며, Ra2는 상기 식(a1-r2-1)로 나타내는 지방족 환식기, 또는 상기 식(a1-r2-2)로 나타내는 지방족 환식기를 포함하는 기이다.]
[R]
상기 일반식(a1-1) 중, R에서의 탄소수 1~5의 알킬기는 탄소수 1~5의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기는 상기 탄소수 1~5의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.
R로서는 수소 원자, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1~5의 불소화 알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.
[Va1]
Va1의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다. 지방족 탄화수소기는 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. Va1에서의 2가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기는 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상은 포화인 것이 바람직하다.
상기 지방족 탄화수소기로서 보다 구체적으로는 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.
또 Va1로서는 상기 2가의 탄화수소기가 에테르 결합, 우레탄 결합, 또는 아미드 결합을 가지는 2가의 탄화수소기여도 된다.
상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 1~10인 것이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~4가 더욱 바람직하고, 1~3이 가장 바람직하다.
직쇄상의 지방족 탄화수소기로서는 직쇄상의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸렌기[-CH2-], 에틸렌기[-(CH2)2-], 트리메틸렌기[-(CH2)3-], 테트라메틸렌기[-(CH2)4-], 펜타메틸렌기[-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.
분기쇄상의 지방족 탄화수소기로서는 분기쇄상의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에서의 알킬기로서는 탄소수 1~5의 직쇄상의 알킬기가 바람직하다.
상기 구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기로서는 지환식 탄화수소기(지방족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 2개 제외한 기), 지환식 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환식 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 지환식 탄화수소기는 탄소수가 3~20인 것이 바람직하고, 3~12인 것이 보다 바람직하다.
상기 지환식 탄화수소기는 다환식이어도 되고, 단환식이어도 된다. 단환식의 지환식 탄화수소기로서는 모노시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하다. 상기 모노시클로알칸으로서는 탄소수 3~6인 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다환식의 지환식 탄화수소기로서는 폴리시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하고, 상기 폴리시클로알칸으로서는 탄소수 7~12인 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.
방향족 탄화수소기는 방향환을 가지는 탄화수소기이다.
상기 Va1에서의 2가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기는 탄소수가 3~30인 것이 바람직하고, 5~30인 것이 보다 바람직하며, 5~20이 더욱 바람직하며, 6~15가 특히 바람직하고, 6~10이 가장 바람직하다. 다만, 상기 탄소수에는 치환기에서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.
방향족 탄화수소기가 가지는 방향환으로서 구체적으로는 벤젠, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소환; 상기 방향족 탄화수소환을 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소환; 등을 들 수 있다. 방향족 복소환에서의 헤테로 원자로서는 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.
상기 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는 상기 방향족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 2개 제외한 기(알릴렌기); 상기 방향족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기(아릴기)의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기(예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1개 제외한 기); 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기(아릴알킬기 중의 알킬쇄)의 탄소수는 1~4인 것이 바람직하고, 1~2인 것이 보다 바람직하며, 1인 것이 특히 바람직하다.
[Wa1]
상기 식(a1-2) 중, Wa1에서의 na2＋1가의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다. 상기 지방족 탄화수소기는 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미하고, 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상은 포화인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소기로서는 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기, 혹은 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기와 구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기를 조합한 기를 들 수 있다. Wa1로서 구체적으로는 상술의 식(a1-1)의 Va1과 같은 기를 들 수 있다.
상기 na2＋1가는 2~4가가 바람직하고, 2 또는 3가가 보다 바람직하다.
상기 식(a1-2)로 나타내는 구성 단위로서는, 특히 하기 일반식(a1-2-01)로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.
[화 10]
Figure 112016034980522-pat00010
식(a1-2-01) 중, Ra2는 상기 식(a1-r2-1) 또는 (a1-r2-2)로 나타내는 기이다. na2는 1~3의 정수이며, 1 또는 2인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다. c는 0~3의 정수이며, 0 또는 1인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다. R은 상기와 동일하다.
이하에 상기 식(a1-1), (a1-2)로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.
[화 11]
Figure 112016034980522-pat00011
[화 12]
Figure 112016034980522-pat00012
[화 13]
Figure 112016034980522-pat00013
[화 14]
Figure 112016034980522-pat00014
[화 15]
Figure 112016034980522-pat00015
본 발명에서, (F) 성분에서의 구성 단위(a1)의 비율은 (F) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해, 1~50몰%가 바람직하고, 10~40몰%가 보다 바람직하며, 15~30몰%가 더욱 바람직하다.
본 발명에서, 함불소 고분자 화합물(F)은 일반식(f1-1)로 나타내는 구성 단위와 구성 단위(a1)의 공중합체인 것이 바람직하다.
(F) 성분의 질량 평균 분자량(Mw)(겔 투과 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준)는 1000~100000이 바람직하고, 5000~80000이 보다 바람직하며, 10000~60000이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한값 이하이면 레지스트로서 이용하는데 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 하한값 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.
(F) 성분의 분산도(Mw/Mn)는 1.0~5.0이 바람직하고, 1.0~4.0이 보다 바람직하며, 1.2~3.0이 가장 바람직하다.
(F) 성분은 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
나노 임프린트용 조성물 중, (F) 성분의 함유량은 나노 임프린트용 조성물 중에 포함되는 (A) 성분 1중량부에 대해, 0.1~10중량부인 것이 바람직하고, 0.1~5중량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1~1중량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기의 범위 내로 함으로써, 광경화성이 양호해진다.
본 실시 형태의 나노 임프린트용 조성물에는 추가로 원하는 바에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들면 나노 임프린트용 조성물막의 성능을 개량하기 위한, 알콕시실란 화합물, 용제, 부가적 수지, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히, 첨가 함유시킬 수 있다.
＜임의 성분＞
(B) 알콕시실란 화합물
본 실시 형태의 나노 임프린트용 조성물에서는 추가로 알콕시실란 화합물(B)을 함유하는 것이 바람직하다. 알콕시실란 화합물(B)(이하, (B) 성분이라고 하는 경우가 있음)은 알킬기 R이 산소 원자에 결합한 알콕시기(RO-)를 포함하는 실란 화합물이며, 하기 일반식(B1)~(B3)로 나타내는 어느 하나의 화합물을 들 수 있다.
[화 16]
Figure 112016034980522-pat00016
[식(B1) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 알킬기이며, s＋t=4이고, t는 1~4의 정수이다.]
식(B1) 중, s＋t=4, t는 1~4의 정수이다. 또, 식(B1) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 알킬기이다. 식(B1) 중, R3, R4에서의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬기이며, 식(A1) 중의 R2에서의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다. R3, R4에서의 알킬기는 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 또는 프로필기이다. 식(B1) 중, t는 바람직하게는 2~4의 정수이다. s는 0~3의 정수이다.
상기 식(B1)로 나타내는 알콕시실란 화합물로서는 경화성 및 도막의 성질의 안정성이 뛰어난 점에서, 특히 바람직하게는 에틸-트리-n-프로폭시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라에톡시실란을 들 수 있다.
[화 17]
Figure 112016034980522-pat00017
[식(B2) 중, R5~R7은 각각 독립적으로 알킬기 또는 알콕시기이며, R5~R7 중, 적어도 1개는 알콕시기이며, X는 단결합 또는 탄소수 1~5의 알킬렌기이다.]
식(B2) 중, R5~R7에서의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬기이며, 식(A1) 중의 R2에서의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다. 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 또는 프로필기이다. 식(B2) 중, R5~R7에서의 알콕시기로서는 식 -O-RB2[RB2는 탄소수 1~5의 알킬기]로 나타내는 것을 들 수 있다. RB2의 알킬기로서는 식(A1) 중의 R2에서의 알킬기와 동일하다. RB2로서는 바람직하게는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기이다. 식(B2) 중, R5~R7에서의 알콕시기의 수는 바람직하게는 2 이상이며, 보다 바람직하게는 2~6이다. 식(B2) 중, X에서의 탄소수 1~5의 알킬렌기로서는 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기 등을 들 수 있다. 식(B2) 중, X로서는 단결합 또는 에틸렌기가 바람직하다.
상기 식(B2)로 나타내는 알콕시실란 화합물로서는 경화성 및 도막의 성질의 안정성이 뛰어난 점에서, 특히 바람직하게는 하기 식으로 나타내는 것을 들 수 있다.
[화 18]
Figure 112016034980522-pat00018
[화 19]
Figure 112016034980522-pat00019
[식(B3) 중, R8~R9는 각각 독립적으로 알킬기 또는 알콕시기이며, R8~R9 중, 적어도 1개는 알콕시기이다.]
식(B3) 중, R8~R9는 각각 독립적으로 알킬기 또는 알콕시기이며, R8~R9 중 적어도 1개는 알콕시기이다.
식(B3) 중, R8~R9에서의 알킬기는 바람직하게는 탄소수 1~10의 알킬기이며, 식(A1) 중의 R2에서의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다. R8~R9로서는 보다 바람직하게는 탄소수 1~6의 알킬기이며, 특히 바람직하게는 메틸기이다. 식(B3) 중, R8~R9에서의 알콕시기는 식-O-RB3[RB3는 상기 RB2와 동일하다]로 나타내는 것을 들 수 있다. R8~R9로서는 바람직하게는 n-부톡시기이다. 식(B3) 중, R8~R9에서의 알콕시기의 수는 바람직하게는 2~8이며, 특히 바람직하게는 4이다. 상기 식(B3)로 나타내는 알콕시실란 화합물로서는 경화성 및 도막의 성질의 안정성이 뛰어난 점에서, 특히 바람직하게는 하기 식으로 나타내는 것을 들 수 있다.
[화 20]
Figure 112016034980522-pat00020
나노 임프린트용 조성물에 상기 식(B1)~(B3)로 대표되는 알콕시실란 화합물(B)을 첨가함으로써, 광조사시의 경화성을 향상시킬 수 있다.
알콕시실란 화합물(B)은 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
나노 임프린트용 조성물 중, 알콕시실란 화합물(B)의 함유량은 나노 임프린트용 조성물 중에 포함되는 (A) 성분 1중량부에 대해, 10~120중량부의 비율이 바람직하고, 20~100중량부가 보다 바람직하며, 25~80중량부가 더욱 바람직하다. 상기의 범위 내로 함으로써, 광경화성이 양호해진다.
(D) 용제
본 실시 형태의 나노 임프린트용 조성물은 용제(D)를 함유하고 있어도 되고, 함유하고 있지 않아도 된다.
용제(D)를 함유하는 경우에는 용매(D)로서는 도포성이 특히 양호한 점에서, 알코올류가 바람직하고, 구체적으로는 메탄올(비점 64.7도), 에탄올(비점 78.3도), n-프로필알코올(비점 97.2도), 이소프로필알코올(IPA; 비점 82.4도), n-펜틸알코올(비점 138.0도), s-펜틸알코올(비점 119.3도), t-펜틸알코올(101.8도), 이소펜틸알코올(비점 130.8도), 이소부탄올(이소부틸알코올 또는 2-메틸-1-프로판올로도 부름)(비점 107.9도), 2-에틸부탄올(비점 147도), 네오펜틸알코올(비점 114도), n-부탄올(비점 117.7도), s-부탄올(비점 99.5도), t-부탄올(비점 82.5도), 1-프로판올(비점 97.2도), n-헥산올(비점 157.1도), 2-헵탄올(비점 160.4도), 3-헵탄올(비점 156.2도), 2-메틸-1-부탄올(비점 128.0도), 2-메틸-2-부탄올(비점 112.0도), 4-메틸-2-펜탄올(비점 131.8도), 1-부톡시-2-프로판올(1,2-Propylene glycol1-monobutyl ether: PGB; 비점 170도), 프로필렌글리콜 모노프로필에테르(비점 150도), 5-메틸-1-헥산올(비점 167도), 6-메틸-2-헵탄올(비점 171도), 1-옥탄올(비점 196도), 2-옥탄올(비점 179도), 3-옥탄올(비점 175도), 4-옥탄올(비점 175도), 2-에틸-1-헥산올(비점 185도), 2-(2-부톡시에톡시)에탄올(비점 231도) 등의 쇄상 구조의 알코올류; 시클로펜탄메탄올(비점 162도), 1-시클로펜틸에탄올(비점 167도), 시클로헥산올(비점 161도), 시클로헥산메탄올(CM; 비점 183도), 시클로헥산에탄올(비점 205도), 1,2,3,6-테트라히드로벤질알코올(비점 191도), exo-노르보르네올(비점 176도), 2-메틸시클로헥산올(비점 165도), 시클로헵탄올(비점 185도), 3,5-디메틸시클로헥산올(비점 185도), 벤질알코올(비점 204도), 터피네올(비점 217도) 등의 환상 구조를 가지는 알코올류; 등을 들 수 있다. 이 중, PGB는 비점이 170도로 높기 때문에, 나노 임프린트용 조성물의 막 두께 컨트롤이 보다 용이하다. 이들 용제는 어느 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 상기 중에서도, 쇄상 구조의 알코올류가 바람직하고, 특히 바람직하게는 이소프로필알코올, 에탄올, 메탄올, 1-부톡시-2-프로판올이다.
(제1 패턴 형성 방법)
본 실시 형태의 제2 양태는 상술한 본 실시 형태의 나노 임프린트용 조성물을 기판에 도포하고, 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 형성하는 공정과, 소정 패턴의 요철 구조가 형성된 몰드를, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층에 압압하고, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 상기 소정 패턴으로 변형시키는 공정과, 상기 몰드가 압압된 상태로, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 노광하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 패턴 형성 방법(이하, 「 제1 패턴 형성 방법」이라고 기재하는 경우가 있음)이다.
도 1은 실시 형태에 관한 나노 임프린트 리소그래피에 의한 제1 패턴 형성 방법을 나타내는 공정도이다.
우선, 도 1의 (A)에 나타내는 바와 같이, 기판(1)에 나노 임프린트용 조성물을 도포하고, 나노 임프린트용 조성물의 수지층(2)을 형성한다. 기판(1)로서는 반도체 미세 가공이 실시되는 Si 웨이퍼, 구리 배선, 절연층 등, 또는 패턴 형성 전의 DTM(디스크리트 트럭 미디어)용 자성층이 형성된 하드 디스크 기판을 들 수 있다.
나노 임프린트용 조성물을 도포하는 방법으로서는 스핀 코트법, 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법 등을 들 수 있다. 수지층(2)은 그 후에 실시되는 기판(1)의 에칭 공정에서, 마스크로서 기능하는 것이기 때문에, 기판(1)에 도포되었을 때의 두께가 균일하다는 것이 바람직하다. 이때문에, 나노 임프린트용 조성물을 기판(1) 위에 도포할 때, 스핀 코트가 적합하다.
다음에, 도 1의 (B)에 나타내는 바와 같이, 수지층(2)이 적층된 기판(1)에, 요철 구조의 소정 패턴이 형성된 몰드(3)를, 수지층(2)에 대향해 눌러 수지층(2)을 몰드(3)의 요철 구조의 패턴에 맞추어 변형시킨다. 몰드(3)의 압압시의 압력은 10MPa 이하가 바람직하고, 5MPa 이하가 보다 바람직하며, 1MPa 이하가 특히 바람직하다.
몰드(3)를 수지층(2)에 대향해 압압함으로써, 몰드(3)의 볼록부에 위치하는 나노 임프린트용 조성물이 몰드(3)의 오목부의 측에 용이하게 밀려나서 몰드(3)의 요철 구조가 수지층(2)에 전사된다.
다음에, 도 1의 (C)에 나타내는 바와 같이, 몰드(3)를 압압한 상태로, 수지층(2)에 노광을 실시한다. 구체적으로는 자외선(UV) 등의 전자파(화살표로 도시)가 수지층(2)에 조사된다. 노광에 의해, 몰드(3)이 압압된 상태로 나노 임프린트용 조성물이 경화해, 몰드(3)의 요철 구조가 전사된 수지층(2)으로 이루어지는 레지스트막이 형성된다. 또한 몰드(3)는 조사되는 전자파에 대해서 투과성을 갖는다.
다음에, 도 1의 (D)에 나타내는 바와 같이, 기판(1) 및 수지층(2)로부터 몰드(3)를 박리한다. 이것에 의해, 경화한 상태의 수지층(2)이 기판(1) 위에 패터닝된다.
본 실시 형태에서는 함불소 고분자 화합물(F)을 함유하는 나노 임프린트용 조성물을 채용함으로써, 기판(1)에 대해서는 나노 임프린트용 조성물의 밀착성이 향상되고, 몰드(3)에 대해서는 나노 임프린트용 조성물의 이형성이 향상된다고 생각된다.
따라서, 기판(1) 및 수지층(2)으로부터 몰드(3)를 박리하는 공정에서, 몰드(3)에 수지층(2)이 부착하는 경우 없이, 몰드(3)를 박리할 수 있다고 생각된다.
본 실시 형태에서는 추가로 몰드(3)의 표면(31)에, 이형제를 도포하여 이형층을 형성해도 된다. 여기서, 몰드의 표면에 도포하는 이형제로서는 실리콘계 이형제, 불소계 이형제, 폴리에틸렌계 이형제, 폴리프로필렌계 이형제, 파라핀계 이형제, 몬탄계 이형제, 카르나우바계 이형제 등을 들 수 있다. 예를 들면, 다이킨공업(주) 제의 오프툴 DSX 등의 시판의 도포형 이형제를 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 이형제는 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서도, 불소계의 이형제가 특히 바람직하다.
다음에, 도 1의 (E)에 나타내는 바와 같이, 패터닝된 수지층(2)이 형성된 기판(1)에 대해서, 플라즈마 및/또는 반응성 이온(화살표로 도시)을 조사함으로써, 수지층(2)의 개구 부분(몰드(3)의 볼록부가 접촉해 형성된 부분)에 노출한 기판(1)을 소정 깊이까지 에칭에 의해 제거하는 것이 바람직하다.
에칭 공정에서 사용되는 플라즈마 및/또는 반응성 이온의 가스는 드라이 에칭 분야에서 통상 이용되고 있는 가스이면, 특별히 한정되는 것은 아니다.
기판과 채용하는 나노 임프린트 조성물의 선택비에 의해, 바람직한 가스를 적절히 선택하는 것이 가능하다.
다음에, 도 1의 (F)에 나타내는 바와 같이, 기판(1)의 에칭이 완료한 후에, 기판(1) 위에 존재하는 수지층(2)을 제거한다. 기판(1)으로부터 불필요해진 수지층(2)의 제거 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 수지층(2)을 용해할 수 있는 용액을 이용하고, 기판(1)을 세정하는 처리 등을 들 수 있다.
(제2 패턴 형성 방법)
본 실시 형태의 제3 양태는 무기 기판 위에, 유기물층을 형성하는 공정과, 상기 유기물층 위에, 상술한 나노 임프린트용 조성물을 도포하고, 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 형성하는 공정과, 소정 패턴의 요철 구조가 형성된 몰드를, 상기 나노 임프린트용 조성물층에 압압하고, 상기 나노 임프린트용 조성물층을 상기 소정 패턴으로 변형시키는 공정과, 상기 몰드가 압압된 상태로, 상기 나노 임프린트용 조성물층을 노광하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 패턴 형성 방법(이하, 「 제2 패턴 형성 방법」이라고 기재하는 경우가 있음)이다.
도 2는 실시 형태에 관한 나노 임프린트 리소그래피에 의한 제2 패턴 형성 방법을 나타내는 공정도이다.
우선, 도 2의 (A)에 나타내는 바와 같이, 기판(10) 위에 유기물층(4)을 형성한다. 유기물층(4)의 막 두께는 기판(10)이 가공(에칭)되는 깊이에 따라 적절히 조정하면 되고, 예를 들어 0.02~2.0㎛이 바람직하다. 기판(10)은 사파이어 기판, GaN 기판, Si 기판 등의 무기 재료의 기판이다. 유기물층(4)의 재료는 후의 공정에서 형성되는 나노 임프린트용 조성물에 비해 산소계 가스에 대한 에칭 내성이 낮고, 또한 기판(10)보다도 할로겐계 가스에 대한 에칭 내성이 높은 것이 바람직하다. 유기물층(4)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 스퍼터법이나 스핀 코트법을 들 수 있다.
스퍼터법에 적절한 재료로서는 다이아몬드 라이크 카본을 들 수 있다. 또, 스핀 코트법에 적절한 재료로서는 노볼락 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지를 용제에 용해한 용액으로 하고, 이 용액을 스피너 등에 의해 기판(10)에 회전 도포한 후, 200℃ 이상, 바람직하게는 200~300℃의 온도로 가열함으로써 유기물층(4)을 성막할 수 있다.
스핀 코트용의 용제로서는 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로펜탄온, 시클로헥사논, 메틸아밀케톤, 메틸이소아밀케톤, 1,1,1-트리메틸아세톤 등의 케톤류나, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜 또는 디에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 혹은 이들 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 또는 모노페닐에테르 등의 다가 알코올류 및 그 유도체나, 디옥산과 같은 환상 에테르류나, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 혼합해 이용해도 된다.
다음에, 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 유기물층(4) 위에 나노 임프린트용 조성물을 도포하고, 바람직하게는 두께 0.02~1.0㎛의 나노 임프린트용 조성물의 수지층(2)을 형성한다. 나노 임프린트용 조성물을 도포하는 방법으로서는 스핀 코트법, 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법 등을 들 수 있다.
본 발명에서는 도 2의 (B)에 나타내는 바와 같이, 몰드(3)의 표면(31)에, 이형제를 도포하여, 이형층을 형성해도 된다. 여기서, 몰드의 표면에 도포하는 이형제로서는 실리콘계 이형제, 불소계 이형제, 폴리에틸렌계 이형제, 폴리프로필렌계 이형제, 파라핀계 이형제, 몬탄계 이형제, 카르나우바계 이형제 등을 들 수 있다. 예를 들면, 다이킨공업(주) 제의 오프 툴 DSX 등의 시판의 도포형 이형제도 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 이형제는 1종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 병용해 이용해도 된다. 이들 중에서도, 불소계의 이형제가 특히 바람직하다.
다음에, 도 2의 (C)에 나타내는 바와 같이, 유기물층(4) 및 수지층(2)이 적층된 기판(10)에, 요철 구조의 소정 패턴이 형성된 몰드(3)를, 수지층(2)에 대향해 눌러 수지층(2)을 몰드(3)의 요철 구조의 패턴에 맞추어 변형시킨다.
몰드(3)의 압압시의 압력은 10MPa 이하가 바람직하고, 5MPa 이하가 보다 바람직하며, 1MPa 이하가 특히 바람직하다.
몰드(3)를 수지층(2)에 대향해 압압함으로써, 몰드(3)의 볼록부에 위치하는 나노 임프린트용 조성물이 몰드(3)의 오목부의 측에 용이하게 밀려나서 몰드(3)의 요철 구조가 수지층(2)에 전사된다.
다음에, 도 2의 (D)에 나타내는 바와 같이, 몰드(3)를 압압한 상태로, 수지층(2)에 노광을 실시한다. 구체적으로는 자외선(UV) 등의 전자파(화살표로 도시)가 수지층(2)에 조사된다. 노광에 의해, 몰드(3)이 압압된 상태로 수지층(2)이 경화해, 몰드(3)의 요철 구조가 전사된 수지층(2)으로 이루어지는 레지스트막이 유기물층(4) 위에 형성된다. 또한 몰드(3)는 조사되는 전자파에 대해서 투과성을 갖는다.
다음에, 도 2의 (E)에 나타내는 바와 같이, 기판(10) 및 수지층(2)로부터 몰드(3)를 박리한다. 이것에 의해, 경화한 상태의 수지층(2)이 유기물층(4) 위에 패터닝된다.
다음에, 도 2의 (F)에 나타내는 바와 같이, 패터닝된 수지층(2)이 형성된 기판(10)에 대해서, O2계의 플라즈마 및/또는 반응성 이온(화살표로 도시)을 조사함으로써, 수지층(2)의 개구 부분(몰드(3)의 볼록부가 접촉해 형성된 부분)에 노출한 유기물층(4)을 에칭에 의해 제거한다. 이것에 의해, 소정의 패턴이 형성된 유기물층(4)이 기판(10) 위에 패터닝된다.
다음에, 도 2의 (G)에 나타내는 바와 같이, 수지층(2)을 제거한 후, 패터닝된 유기물층(4)이 형성된 기판(10)에 대해서, 할로겐계의 플라즈마 및/또는 반응성 이온(화살표로 도시)을 조사함으로써, 유기물층(4)의 개구 부분(몰드(3)의 볼록부에 대응하는 부분)에 노출한 기판(1)을 소정 깊이까지 에칭에 의해 제거한다.
다음에, 도 2의 (H)에 나타내는 바와 같이, 기판(10)의 에칭이 완료한 후에, 기판(10) 위에 존재하는 유기물층(4)을 제거한다. 기판(10)으로부터 불필요해진 유기물층(4)의 제거 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 유기물층(4)을 용해할 수 있는 용액을 이용하여 기판(10)을 세정하는 처리 등을 들 수 있다.
이상 설명한 제2 패턴 형성 방법에 의하면, O2계의 플라즈마 및/또는 반응성 이온에 대한 에칭 레이트가 나노 임프린트용 조성물과 기판에서 충분한 차이가 없는 경우여도, 할로겐계의 플라즈마 및/또는 반응성 이온에 대한 에칭 레이트가 기판에 비해 충분히 작은 유기물층에 패턴을 전사해, 유기물층을 마스크로서 기판을 에칭함으로써, 기판에 원하는 패턴을 간편하고 확실히 형성할 수 있다.
[ 실시예 ]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
≪실시예 1: 나노 임프린트용 조성물 1≫
3중량부의 하기 고분자 화합물(A)-1과, 97중량부의 하기 고분자 화합물(B1)-1을 혼합한 수지 성분 100중량부에, 1중량부의 하기 화합물(C)-1과, 1중량부의 하기 고분자 화합물(F)-1(30% PGMEA 공급품)을 혼합해, 나노 임프린트용 조성물 1을 조제했다.
[화 21]
Figure 112016034980522-pat00021
≪비교예 1: 나노 임프린트용 조성물 2≫
고분자 화합물(F)-1 대신에, 첨가제 성분으로서 1중량부의 첨가제 1(상품명: BYK-UV3500, 빅케미사 제)를 이용한 것 이외에는 상기 나노 임프린트용 조성물 1과 동일하게 나노 임프린트용 조성물 2를 조제했다.
≪비교예 2: 나노 임프린트용 조성물 3≫
고분자 화합물(F)-1 대신에, 첨가제 성분으로서 1중량부의 첨가제 2(상품명: BYK-3560, 빅케미사 제)를 이용한 것 이외에는 상기 나노 임프린트용 조성물 1과 동일하게 나노 임프린트용 조성물 3을 조제했다.
[용해성 평가]
상기 나노 임프린트용 조성물 1~3에 대해서, 첨가제 성분(상기 고분자 화합물(F)-1, 첨가제 1~2)의 수지 성분에 대한 용해성을 평가했다. 수지 성분과, 첨가제 성분이 용해한 것을 「A」, 용해하지 않았던 것을 「C」로서, 표 1에 기재한다.
[접촉각 향상능 평가]
나노 임프린트용 조성물 1 및 2에 대해서, 첨가제 성분을 배합하는 전후에서의 접촉각을 측정해, 첨가제 성분의 배합 전후에서의 접촉각 향상능을 이하의 절차에 의해 평가했다.
절차(1): 실리콘 기판 위에, 첨가제 성분을 배합하는 전후에서의 나노 임프린트용 조성물 1 또는 2를, 각각 스피너를 이용해 도포해, 막 두께 약 50nm의 나노 임프린트용 조성물막을 형성했다.
절차(2): 절차(1)에 의해 얻은 나노 임프린트용 조성물막의 표면에, 물 2㎕를 적하하고, 접촉각계로 접촉각(정적 접촉각)을 측정했다.
그 결과를 표 1에 기재한다.
첨가제 성분 용해성 평가 접촉각 향상능
실시예 1 나노 임프린트용 조성물 1 고분자 화합물
(F)-1		 A 100°
(첨가 전: 66°)
비교예 1 나노 임프린트용 조성물 2 첨가제 1 A 80°
(첨가 전: 66°)
비교예 2 나노 임프린트용 조성물 3 첨가제 2 C -
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 첨가제 성분으로서 고분자 화합물(F)-1 또는 첨가제 1을 채용한 것은 수지 용해성이 양호했다.
또한, 첨가제 성분으로서 고분자 화합물(F)-1을 채용한 나노 임프린트용 조성물 1은 나노 임프린트용 조성물 2보다도, 접촉각 향상능이 우수했다.
≪실시예 1-1~1-4, 비교예 3≫
상기 나노 임프린트용 조성물 1에 대해서, 고분자 화합물(F)-1의 배합량을 하기 표 2에 나타내는 배합량으로 한, 나노 임프린트용 조성물 1-1~1-4를 조제했다.
또한, 고분자 화합물(F)-1을 배합하지 않는 것 이외에는, 나노 임프린트용 조성물 1과 동일하게 해 나노 임프린트용 조성물 4를 조제했다.
[접촉각 향상능 평가]
나노 임프린트용 조성물 1-1~1-4, 4에 대해 접촉각을 이하의 절차에 의해 평가했다.
절차(1): 실리콘 기판 위에, 나노 임프린트용 조성물 1-1~1-4, 4를, 각각 스피너를 이용해 도포해, 막 두께 약 50nm의 나노 임프린트용 조성물막을 형성했다.
절차(2): 절차(1)에 의해 얻은 나노 임프린트용 조성물막의 표면에, 물 2㎕를 적하하고, 접촉각계에 의해 접촉각(정적 접촉각)을 측정했다.
그 결과를 표 2에 기재한다.
[몰드 이형성]
(나노 임프린트용 조성물에 의한 패턴 형성)
실리콘 기판 위에, 나노 임프린트용 조성물 1-1~1-4, 4를, 각각 스피너(2000 rpm)를 이용해 도포해, 막 두께 약 50nm의 나노 임프린트용 조성물막을 형성했다.
다음에, 나노 임프린터 ST2000(토시바기계 제)를 이용하고, 실온(25℃)에서, 상기 나노 임프린트용 조성물막에 대해서 오목형의 석영 몰드를 0.5MPa의 프레스 압력으로 30초간 눌렀다. 그 다음에, 몰드를 대고 누른 상태로, ST2000 부속의 i-Line LED에 의해, 10 mW/cm2로 30초간의 노광을 실시해, 몰드를 박리했다.
이때, 나노 임프린트용 조성물막으로부터 몰드가 깨끗이 벗겨진 것을 「A」, 핀셋으로 조금 힘을 가해 벗겨진 것을 「B」, 벗겨지지 않았던 것을 「C」로서, 표 2에 기재한다.
고분자 화합물(F)-1
첨가량
(중량부)		 접촉각(°) 몰드 이형성
실시예 1-1 나노 임프린트용 조성물1-1 1.0 100.4 A
실시예 1-2 나노 임프린트용 조성물1-2 0.5 101.2 A
실시예 1-3 나노 임프린트용 조성물1-3 0.2 98.8 A
실시예 1-4 나노 임프린트용 조성물1-4 0.1 67.9 B
비교예 3 나노 임프린트용 조성물 4 0 66.9 C
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 나노 임프린트용 조성물 1-1~1-4를 이용한 경우, 조성물막(수지층)의 접촉각이 크고, 몰드 이형성이 우수했다.
1…기판, 2…수지층, 3…몰드, 4…유기물층, 10…기판

Claims (8)

  1. 광조사에 의해 중합하는 중합성기를 가지는 실록산 폴리머(A)와,
    중합 개시제(C)와,
    함불소 고분자 화합물(F)을 함유하고,
    상기 함불소 고분자 화합물(F)이, 하기 일반식(f1-1)로 나타내는 구성 단위를 가지는 것이며,
    상기 함불소 고분자 화합물(F)의 함유량이, 상기 실록산 폴리머(A) 1 중량부에 대해서 0.1∼10 중량부인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 조성물.
    Figure 112023047922935-pat00022

    [식(f1-1) 중, R은 수소 원자, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기이다. Rf102 및 Rf103은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1~5의 알킬기, 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기를 나타낸다. Rf102 및 Rf103은 동일해도 상이해도 된다. nf1은 1~5의 정수이며, Rf101은 불소 원자를 포함하는 유기기이다.]
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 함불소 고분자 화합물(F)이, 추가로, 지환식 탄화수소기를 포함하는 구성 단위를 가지는 나노 임프린트용 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 실록산 폴리머(A)가, 하기 일반식(A1)로 나타내는 고분자 화합물인 나노 임프린트용 조성물.
    Figure 112016034980522-pat00023

    [식(A1) 중, R1은 에틸렌성 불포화 이중 결합을 함유하는 기이며, R0는 탄소수 1~9의 알킬렌기이며, m개의 R0는 상이한 R0를 가지는 경우가 있어도 되고, R2는 알킬기, 아릴기, 또는 수소 원자이며, n개의 R2는 상이한 R2를 가지는 경우가 있어도 되고, m:n은 50:50~100:0의 범위이다.]
  4. 청구항 1에 있어서,
    추가로, 알콕시실란 화합물(B)을 함유하고,
    상기 알콕시실란 화합물(B)이, 하기 식(B1)~(B3)의 어느 하나로 나타내는 화합물인 나노 임프린트용 조성물.
    Figure 112016034980522-pat00024

    [식(B1) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 알킬기이며, s＋t=4이고, t는 1~4의 정수이며, s는 0~3의 정수이다.]
    Figure 112016034980522-pat00025

    [식(B2) 중, R5~R7은 각각 독립적으로 알킬기 또는 알콕시기이며, R5~R7 중, 적어도 1개는 알콕시기이며, X는 단결합 또는 탄소수 1~5의 알킬렌기이다.]
    Figure 112016034980522-pat00026

    [식(B3) 중, R8~R9는 각각 독립적으로 알킬기 또는 알콕시기이며, R8~R9 중, 적어도 1개는 알콕시기이다.]
  5. 기판 위에, 청구항 1의 나노 임프린트용 조성물을 도포하고, 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 형성하는 공정과,
    소정 패턴의 요철 구조가 형성된 몰드를, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층에 압압하고, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 상기 소정 패턴으로 변형시키는 공정과,
    상기 몰드가 압압된 상태로, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 노광하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 패턴 형성 방법.
  6. 무기 기판 위에, 유기물층을 형성하는 공정과,
    상기 유기물층 위에, 청구항 1의 나노 임프린트용 조성물을 도포하고, 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 형성하는 공정과,
    소정 패턴의 요철 구조가 형성된 몰드를, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층에 압압하고, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 상기 소정 패턴으로 변형시키는 공정과,
    상기 몰드가 압압된 상태로, 상기 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 노광하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 패턴 형성 방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    추가로, 상기 소정 패턴으로 변형된 나노 임프린트용 조성물의 수지층을 마스크로 하여 에칭하는 공정을 가지는 나노 임프린트 패턴 형성 방법.
  8. 삭제
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