JP2011023698A - ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 - Google Patents
ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011023698A JP2011023698A JP2010003195A JP2010003195A JP2011023698A JP 2011023698 A JP2011023698 A JP 2011023698A JP 2010003195 A JP2010003195 A JP 2010003195A JP 2010003195 A JP2010003195 A JP 2010003195A JP 2011023698 A JP2011023698 A JP 2011023698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- group
- nanoimprint
- nanoimprinting
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 CC(C)CCCC(C*)CC1CC(C)C(C)C1 Chemical compound CC(C)CCCC(C*)CC1CC(C)C(C)C1 0.000 description 2
- IHHQDRNIUBBTKE-UHFFFAOYSA-N CC1C(C)(C2)C2CC1 Chemical compound CC1C(C)(C2)C2CC1 IHHQDRNIUBBTKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIRARCHMRDHZAR-UHFFFAOYSA-N CC1C(C)CCC1 Chemical compound CC1C(C)CCC1 RIRARCHMRDHZAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDRNEEPGCUNEGF-UHFFFAOYSA-N CC1C2C1CCC(C)C2 Chemical compound CC1C2C1CCC(C)C2 UDRNEEPGCUNEGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】実施の形態に係るナノインプリント用組成物は、シロキサンポリマー(A)と、アルコキシシラン化合物(B)と、重合開始剤(C)と、を含有する。シロキサンポリマー(A)は、光照射により重合する重合性基を有する化合物である。重合開始剤(C)は、光照射時にシロキサンポリマー(A)の重合を開始、促進させる化合物である。
【選択図】なし
Description
実施の形態に係るナノインプリント用組成物を構成するシロキサンポリマー(A)(以下、(A)成分ということがある。)は、光照射により重合する重合性基を有する化合物であり、具体的には、下記一般式(A1)で表される。
実施の形態に係るナノインプリント用組成物を構成するアルコキシシラン化合物(B)(以下、(B)成分ということがある。)は、アルキル基Rが酸素原子に結合したアルコキシ基(RO−)を含むシラン化合物であり、下記式(B1)〜(B3)で表されるいずれかの化合物が挙げられる。
式(B2)中、Xとしては、単結合またはエチレン基が好ましい。
R8〜R9のうち少なくとも1つはアルコキシ基である。式(B3)中、R8〜R9におけるアルキル基は、炭素数1〜10のアルキル基であり上記と同様のものが挙げられる。好ましくは炭素数1〜6のアルキル基であり、特に好ましくはメチル基である。式(B3)中、R8〜R9におけるアルコキシ基は、式−O−RB3[RB3は上記RB3と同様である]で示されるものが挙げられる。好ましくは、n−ブトキシ基である。式(B3)中、R8〜R9におけるアルコキシ基の数は、好ましくは2〜8であり、特に好ましくは4である。前記式(B3)で表されるアルコキシシラン化合物として、硬化性および塗膜の性質の安定性が優れることから、特に好ましくは下記式で示されるものが挙げられる。
重合開始剤(C)(以下、(C)成分ということがある。)は、光照射時にシロキサンポリマー(A)の重合を開始、促進させる化合物であれば、特に限定されないが、たとえば、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−〔4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル〕−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、ビス(4−ジメチルアミノフェニル)ケトン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、エタノン−1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾル−3−イル]−1−(o−アセチルオキシム)、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、4−ベンゾイル−4’−メチルジメチルスルフィド、4−ジメチルアミノ安息香酸、4−ジメチルアミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、4−ジメチルアミノ−2−エチルヘキシル安息香酸、4−ジメチルアミノ−2−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、o−ベンゾイル安息香酸メチル、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、2−クロロチオキサンテン、2,4−ジエチルチオキサンテン、2−メチルチオキサンテン、2−イソプロピルチオキサンテン、2−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンパーオキシド、2−メルカプトベンゾイミダール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メトキシフェニル)−イミダゾリル二量体、ベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、p,p’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、4,4’−ジクロロベンゾフェノン、3,3−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−n−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、p−ジメチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、p−tert−ブチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、p−tert−ブチルトリクロロアセトフェノン、p−tert−ブチルジクロロアセトフェノン、α,α−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス−(9−アクリジニル)ヘプタン、1,5−ビス−(9−アクリジニル)ペンタン、1,3−ビス−(9−アクリジニル)プロパン、p−メトキシトリアジン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(フラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−エトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−n−ブトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン;メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルイソブチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイドなどのケトンパーオキサイド類;イソブチリルパーオキサイド、ビス(3,5,5−トリメチルヘキサノイル)パーオキサイドなどのジアシルパーオキサイド類;p−メンタンハイドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイドなどのハイドロパーオキサイド類;2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサンなどのジアルキルパーオキサイド類;1,1−ビス(t−ブチルパ−オキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンなどのパーオキシケタール類;t−ブチルパ−オキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチルパーオキシネオデカノエートなどのパーオキシエステル類;ジn−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネートなどのパーオキシジカーボネート類;アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビスイソブチレートなどのアゾ化合物類等が挙げられる。
図1は、実施の形態に係るナノインプリントリソグラフィによる第1のパターン形成方法を示す工程図である。
図2は、実施の形態に係るナノインプリントリソグラフィによる第2のパターン形成方法を示す工程図である。
(A)−1:下記式(A−1)で示されるシロキサンポリマー[分子量2000、東レファイン社製。式中の括弧の隅にある値はモル比である。]
(A)−2:両末端シラノール ポリジメチルシロキサン:DMS−S14(Gelest社製)
(A)−3:下記式(A−3)で示されるシロキサンポリマー[分子量2000、東レファイン社製。式中の括弧の隅にある値はモル比である。]。
(B)−1:下記式(B−1)で表される化合物(エチル−トリ−n−プロポキシシラン)
(B)−2:下記式(B−2)で表される化合物(テトラ−n−プロポキシシラン)
(B)−3:下記式(B−3)で表される化合物(テトラエトキシシラン)
(B)−4:下記式(B−4)で表される化合物(ビス(トリエトキシシリル)エタン)
(C)−1:IRGACURE907(Ciba社製)
(C)−2:IRGACURE369(Ciba社製)
IPA イソプロピルアルコール
MAK メチルアミルケトン
PGP プロピレングリコールモノプロピルエーテル
EtOH エタノール
MeOH メタノール
PGB 1−ブトキシ−2−プロパノール
各実施例、各比較例のナノインプリント用組成物をスピン塗布(5000回転)により基板上に塗布し、ナノインプリント用組成物の塗布性を評価した。さらに、塗布されたナノインプリント用組成物に光照射(365nm)を行い、ナノインプリント用組成物の硬化性を評価した。表1〜表3中、「塗布性」では、塗布された組成物にストリエーションが発生していない場合を○、ストリエーションが若干発生した場合を△、ストリエーションの発生量が多い場合を×とした。表1〜表4中、「硬化性」では、光照射後のナノインプリント用組成物について、触針計を用いた表面ひっかき試験(触針半径:12.5μm、加重:4mg、レンジ:2mm)で接触面に傷がつく場合を×とし、接触面に傷がつかない場合を○とした。表4中、「塗布面状態」では、塗布面に荒れがみられず良好な場合を◎、塗布面に若干の荒れが認められる場合を○、塗布面の荒れが大きい場合を×とした。
(1)シロキサンポリマー(A)(ポリマー成分)とアルコキシシラン化合物(B)(モノマー成分)とを併せ持つ実施例1〜17では、塗布性および硬化性が良好であるが、シロキサンポリマー(A)(ポリマー成分)のみの比較例10〜24では、十分な塗布性および/または硬化性が得られないことが確認された。
(2)溶剤が50質量%以下の組成物(表中の濃度が50%以上の組成物、実施例1〜17)は、ストリエーションが少なく塗付結果が良好であるが、シロキサンポリマー(A)(ポリマー成分)とアルコキシシラン化合物(B)(モノマー成分)とを併せ持つ組成物(比較例1〜5)であっても、溶剤が50質量%以下(表中の濃度が50%以上)の場合には、ストリエーションの発生量が多く、塗布性が損なわれることが確認された。
(3)表4は、シロキサンポリマー(A)(ポリマー成分)とアルコキシシラン化合物(B)(モノマー成分)の存在比を変えたときの塗布面状態および硬化性を調べた結果を示す。モノマー成分100%の比較例25は成膜ができず、膜厚評価、塗布性評価ともに不可能であった。ポリマー成分が70%以上の実施例22、23では塗布面に荒れが発生したが、ポリマー成分が50%以下の実施例18〜21では、塗布面に荒れが認められず、塗布面が良好であることが確認された。このため、ポリマー成分の存在比は、1質量%以上70%未満が好ましく、より好ましくは1質量%以上50質量以下である。
[ナノインプリントによるパターンの形成]
シリコン基板上に、実施例3、4、6、17〜20のナノインプリント用組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、膜厚約50nmのナノインプリント用組成物膜を形成した。次に、ナノインプリンター ST200(東芝機械製)を用いて、室温(25℃)において、上記ナノインプリント用組成物膜に対して凹型の石英モールドをプレス圧力5MPaで10秒間押し付けた。次いで、モールドを押し当てた状態で、ST200付属のi−lineLEDにより30秒間の露光を行い、モールドを剥離した。
[エッチレートの比較]
表5に記載の評価用組成物を調整した。
(A)−4:KAYARAD THE−330(日本化薬社性のアクリル3官能モノマー)
(B)−5:エチルトリエトキシシラン
・プラズマエッチング装置(東京応化社製、装置名:TCA−3822)
・O2ガスによるプラズマエッチング(圧力:40Pa、RF:800W、温度:100℃、処理時間:30秒、周波数:13.56MHz)
このときの膜減り量を計測して、一分間あたりの膜減り量に換算した値をエッチレート(Etch Rate(単位時間あたりにエッチングされた膜の厚さ)(単位:nm/分)として算出した。エッチレートに関して得られた結果を表6に示す。
支持体として、シリコン基板上に33nm膜厚のDLC(ダイヤモンドライクカーボン)がコーティングされた2層基板を用意した。前記支持体上に、実施例17のナノインプリント用組成物をスピンナーを用いて塗布し、膜厚約50nmのナノインプリント用組成物膜を形成した。次に、ナノインプリンターST200(東芝機械製)を用いて、室温(25℃)において、上記ナノインプリント用組成物膜に対して凹型の石英モールドをプレス圧力1MPaで(50秒間)押し付けた。次いで、モールドを押し当てた状態で、ST200付属のi−lineLEDにより露光を行い(30秒間)、モールドを剥離した。
・プラズマエッチング装置(東京応化社製、装置名:TCA−3822)
・O2ガスによるプラズマエッチング(圧力:40Pa、RF:800W、温度:100℃、処理時間:30秒、周波数:13.56MHz)
酸素プラズマエッチング処理の結果、実施例17のナノインプリント用組成物のLSパターンをマスクとして、支持体の上層にあたるDLC層がエッチングされ、下層のシリコン基板上に、ライン幅約50nmピッチ約100nmのDLCの1:1LSパターンが形成された。また、酸素プラズマエッチング処理のエッチング条件を室温(25℃)に変えた他は同様の条件にした場合も、同等の結果が得られた。
Claims (6)
- 光照射により重合する重合性基を有するシロキサンポリマー(A)と、
アルコキシシラン化合物(B)と、
重合開始剤(C)と、
を含有することを特徴とするナノインプリント用組成物。 - 組成物全体に対して50質量%以下の溶媒(D)をさらに含有する請求項1乃至3のいずれか1項に記載のナノインプリント用組成物。
- 前記シロキサンポリマー(A)の質量存在比(シロキサンポリマー(A)/(シロキサンポリマー(A)+アルコキシシラン化合物(B)))が、1質量%以上70質量%未満である請求項1乃至4のいずれか1項に記載のナノインプリント用組成物。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のナノインプリント用組成物を基板に塗布する工程と、
所定パターンの凹凸構造が形成されたモールドを前記基板に塗布された前記ナノインプリント用組成物に押圧し、前記ナノインプリント用組成物を前記所定パターンに変形させる工程と、
前記モールドが押圧された状態で、前記ナノインプリント用組成物に露光する工程と、
を備えることを特徴とするナノパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010003195A JP5560049B2 (ja) | 2009-06-17 | 2010-01-08 | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009144553 | 2009-06-17 | ||
JP2009144553 | 2009-06-17 | ||
JP2010003195A JP5560049B2 (ja) | 2009-06-17 | 2010-01-08 | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023698A true JP2011023698A (ja) | 2011-02-03 |
JP5560049B2 JP5560049B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=43633470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010003195A Active JP5560049B2 (ja) | 2009-06-17 | 2010-01-08 | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5560049B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012186464A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-27 | Dic Corp | ナノインプリント用硬化性組成物、ナノインプリント成形体及びパターン形成方法 |
JP2013108034A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 被膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP2014154600A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | インプリントによるパターン形成方法 |
US20150203683A1 (en) * | 2014-01-17 | 2015-07-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for optical imprint and method for producing pattern using the same |
US20160306276A1 (en) * | 2015-04-15 | 2016-10-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for nanoimprint and nanoimprint pattern forming method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6550275B2 (ja) | 2015-06-15 | 2019-07-24 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリント用組成物、硬化物、パターン形成方法及びパターンを含む物品 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003100609A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Japan Science & Technology Corp | Sogを用いた室温ナノ−インプリント−リソグラフィー |
JP2003183399A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 無機・有機ハイブリット材料とその製造方法 |
JP2008221491A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびその製造方法 |
JP2008274272A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-11-13 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 光半導体素子封止用組成物、その硬化物および光半導体素子封止体 |
WO2009021249A2 (en) * | 2007-10-29 | 2009-02-12 | Dow Corning Corporation | Polar polydimethylsiloxane molds, methods of making the molds, and methods of using the molds for pattern transfer |
JP2009275214A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 付加硬化型シリコーン組成物及びその硬化物 |
JP2010047746A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-03-04 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 感光性樹脂組成物 |
WO2010090280A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 荒川化学工業株式会社 | 透明封止材組成物および光半導体素子 |
-
2010
- 2010-01-08 JP JP2010003195A patent/JP5560049B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003100609A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Japan Science & Technology Corp | Sogを用いた室温ナノ−インプリント−リソグラフィー |
JP2003183399A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 無機・有機ハイブリット材料とその製造方法 |
JP2008221491A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用モールドおよびその製造方法 |
JP2008274272A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-11-13 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 光半導体素子封止用組成物、その硬化物および光半導体素子封止体 |
WO2009021249A2 (en) * | 2007-10-29 | 2009-02-12 | Dow Corning Corporation | Polar polydimethylsiloxane molds, methods of making the molds, and methods of using the molds for pattern transfer |
JP2009275214A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 付加硬化型シリコーン組成物及びその硬化物 |
JP2010047746A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-03-04 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 感光性樹脂組成物 |
WO2010090280A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 荒川化学工業株式会社 | 透明封止材組成物および光半導体素子 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012186464A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-27 | Dic Corp | ナノインプリント用硬化性組成物、ナノインプリント成形体及びパターン形成方法 |
JP2013108034A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 被膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP2014154600A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | インプリントによるパターン形成方法 |
US20150203683A1 (en) * | 2014-01-17 | 2015-07-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for optical imprint and method for producing pattern using the same |
JP2015135916A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 東京応化工業株式会社 | 光インプリント用組成物及びそれを用いたパターンの製造方法 |
US10501627B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-12-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for optical imprint and method for producing pattern using the same |
US20160306276A1 (en) * | 2015-04-15 | 2016-10-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for nanoimprint and nanoimprint pattern forming method |
KR20160123240A (ko) * | 2015-04-15 | 2016-10-25 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 나노 임프린트용 조성물 및 나노 임프린트 패턴 형성 방법 |
JP2016207685A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリント用組成物及びナノインプリントパターン形成方法 |
US9746766B2 (en) * | 2015-04-15 | 2017-08-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Composition for nanoimprint and nanoimprint pattern forming method |
TWI664239B (zh) * | 2015-04-15 | 2019-07-01 | 日商東京應化工業股份有限公司 | 奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法 |
KR102542219B1 (ko) * | 2015-04-15 | 2023-06-12 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 나노 임프린트용 조성물 및 나노 임프린트 패턴 형성 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5560049B2 (ja) | 2014-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6484493B2 (ja) | ナノインプリント用組成物及びナノインプリントパターン形成方法 | |
JP5560049B2 (ja) | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 | |
JP5037243B2 (ja) | 界面結合剤、該界面結合剤を含有するレジスト組成物、及び該界面結合剤からなる層を有する磁気記録媒体形成用積層体、並びに該界面結合剤を用いた磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法により製造された磁気記録媒体 | |
JP4963254B2 (ja) | ナノインプリント用の膜形成組成物、並びに構造体の製造方法及び構造体 | |
JP5671302B2 (ja) | インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン | |
JP5000112B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法 | |
JP4336310B2 (ja) | ハードマスク層としてのシリコン含有反射防止層及びその形成方法 | |
JP2014093385A (ja) | インプリント用密着膜の製造方法およびパターン形成方法 | |
JP5499596B2 (ja) | パターン形成方法及び半導体素子 | |
JP2007186570A (ja) | 光硬化性樹脂組成物及びパターン形成法 | |
JP6020532B2 (ja) | パターン形成方法 | |
KR20120039693A (ko) | 나노 임프린트용 레지스트 하층막 형성 조성물 | |
JP5078992B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP5332220B2 (ja) | 微細樹脂構造体並びにその製造方法 | |
JP6084055B2 (ja) | インプリントによるパターン形成方法 | |
JP7175092B2 (ja) | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 | |
JP2010157613A (ja) | パターン形成用光硬化性組成物及びパターン形成方法 | |
JP2010100785A (ja) | 感光性組成物および加工基板の製造方法 | |
JP5448649B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP2008256884A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP5393282B2 (ja) | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 | |
JP7458909B2 (ja) | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 | |
JP2019121639A (ja) | リワーク方法、及び酸性洗浄液 | |
JP6284371B2 (ja) | 光インプリント用組成物及びそれを用いたパターンの製造方法 | |
JP7466385B2 (ja) | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140513 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140609 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5560049 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |