JP2019121639A - リワーク方法、及び酸性洗浄液 - Google Patents
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Abstract
Description
このような場合にそのまま半導体製品等の製造を続けると、不良製品が製造される結果となる。この場合、基板が無駄に消費されるだけでなく、不良製品の製造に要した時間と労力も無駄になる。
リワーク方法としては、例えば、ケイ素樹脂膜と、フォトレジスト膜とが順次積層された基板に対して、ケイ素樹脂膜を残したままフォトレジスト膜を除去する方法が提案されている(特許文献1を参照)。特許文献1に記載の方法では、溶剤を用いてフォトレジスト膜の除去が行われる。
これに対して、例えば、市販の塩基性の洗浄液を用いることにより、短時間である程度良好にフォトレジスト膜を除去できる場合がある。しかし、この場合、ケイ素樹脂膜のような含ケイ素材料からなる下層膜にダメージが生じやすい場合がある。
基板上への、含ケイ素材料を含む下層膜の形成と、
下層膜上への、パターニングされた有機樹脂膜の形成と、
有機樹脂膜の、酸性洗浄液による下層膜上からの除去と、を含み、
酸性洗浄液が、アルキルスルホン酸を含み、
アルキルスルホン酸が有するアルキル基中の水素原子の少なくとも一部が、ハロゲン原子により置換されていてもよい、リワーク方法である。
酸性洗浄液が、アルキルスルホン酸を含み、
アルキルスルホン酸が有するアルキル基中の水素原子の少なくとも一部が、ハロゲン原子により置換されていてもよい、酸性洗浄液である。
アルキルスルホン酸が有するアルキル基中の水素原子の少なくとも一部が、ハロゲン原子により置換されていてもよい、酸性洗浄液である。
リワーク方法は、表面に含ケイ素材料を含む下層膜を備える基板において、下層膜上に形成されたパターニングされた有機樹脂膜を除去することを含む、方法である。
より具体的には、リワーク方法は、
基板上への、含ケイ素材料を含む下層膜の形成と、
下層膜上への、パターニングされた有機樹脂膜の形成と、
有機樹脂膜の、酸性洗浄液による下層膜上からの除去と、を含む。
上記方法では、酸性洗浄液としてアルキルスルホン酸を含む酸性洗浄液を用いる。かかる酸性洗浄液を用いることにより、下層膜へのダメージを抑制しつつ、下層膜上から良好に有機樹脂膜を剥離することができる。
基板のリワーク方法において、まず、基板上に、含ケイ素材料を含む下層膜を形成する。
典型的には、含ケイ素材料とは、ケイ素原子の含有量が5質量%以上である材料である。含ケイ素材料におけるケイ素原子の含有量は10質量%以上が好ましい。
かかる感光性組成物としては、シリカ粒子と、光重合性化合物と、光重合開始剤とを含む組成物が好ましい。以下の、好ましい感光性組成物について説明する。
シリカ粒子は、乾燥された粉末状の酸化ケイ素粒子を用いてもよく、有機溶媒に分散させたコロイダルシリカを用いてもよい。
シリカ粒子は、表面修飾されていてもよく、無修飾でもよい。感光性組成物中での分散性が向上し、均一な下層膜を形成できる観点から、表面修飾されたシリカ粒子が好ましい。
光重合性シルセスキオキサン化合物として、主鎖骨格がSi−O結合からなる下記式(1)で表される化合物分を用いることが好ましい。
[(RSiO3/2)n] (1)
(式中、Rは有機基を表し、nは自然数を表す。)
炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、及び芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基m及びn−ドデシル基等の炭素原子数1以上20以下の脂肪族炭化水素基が挙げられる。なかでも、炭素原子数1以上12以下のアルキル基が好ましい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、トリル基、スチリル基等の炭素原子数6以上20以下の芳香族炭化水素基が挙げられる。
1価の炭化水素基が有してもよい置換基としては、(メタ)アクリロイル基、ヒドロキシ基、スルファニル基、カルボキシ基、イソシアナト基、アミノ基、ウレイド基等の1価の置換基が挙げられる。また、1価の炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−、−S−、カルボニル基等に置き換わっていてもよい。
反応性基としては、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、スチリル基、オキシラニル基、オキセタニル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、チアシクロプロピル基、スルファニル基、イソシアナト基、アミノ基及びウレイド基が挙げられ、(メタ)アクリロイル基、スルファニル基及びオキシラニル基であることが好ましい。
カゴ型のシルセスキオキサン化合物は、完全なカゴ型であってもよいし、カゴの一部が開いているような不完全なカゴ型のシルセスキオキサン化合物であってもよい。
式(1)で表される化合物としては、MAC−SQ LP−35、MAC−SQ TM−100、MAC−SQSI−20、MAC−SQ SI−20、MAC−SQ HDM、(東亜合成(株)製)、コンポラセン(登録商標)SQ107、コンポラセン(登録商標)SQ109、コンポラセン(登録商標)SQ506、コンポラセン(登録商標)SQ502−6(荒川化学工業(株)製)等が挙げられる。
光重合性シロキサンとして、分子内にアルコキシシリル基を有するエポキシ基含有化合物が挙げられる。
分子内にアルコキシシリル基を有するエポキシ基含有化合物として、例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランを挙げることができる。
市販品としては、例えば、コンポセランE102、E102B、E103、E103A、E201、E202、P501(荒川化学工業株式会社製)、ナガセケムテックス株式会社製のSK−401M、SK−602M、ST−B86(新日鉄住金株式会社製)等を挙げることができる。
光重合性エポキシ化合物として、エポキシ基を有するエチレン性不飽和化合物が挙げられる。
エポキシ基を有するエチレン性不飽和化合物としては、例えば、クリシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートグリシジルエーテル等、及びこれらの混合物を挙げることができる。
好ましい市販のエポキシ化合物の例としては、ナガセケムテックス社製EX111、EX201、EX411、EX611、EX901、EX212L、DA−111、DA−141、デナコールFCA−635、デナコールFCA−667、日本化薬社製EPPN501H、ジャパンエポキシレジン社製JER152、ダイセル化学社製EHPE3150等が挙げられる。
光重合性メタクリル系化合物としては、例えば、ビスフェノールAをアルキレンオキシド変性し、両末端に(メタ)アクリロイル基を結合させた化合物を用いてもよい。アルキレンオキシド変性にはエチレンオキシド変性、プロピレンオキシド変性、ブチレンオキシド変性、ペンチレンオキシド変性、へキシレンオキシド変性等がある。
光重合型アルカリ可溶性ノボラック樹脂とは、例えば、i線ネガ型フォトレジスト組成物等に含まれるアルカリ可溶性ノボラック樹脂である。かかるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、露光により光酸発生剤が発生させる酸の作用により生じる、架橋剤のエステル部位とノボラック樹脂の水酸基との反応により、架橋・重合する。
アルカリ可溶性ノボラック樹脂の具体例としては、下記に例示するフェノール類と、アルデヒド類とを酸触媒下で反応させて得られるノボラック樹脂が挙げられる。
フェノール類としては、例えばフェノール;m−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のクレゾール類;2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、3,4−キシレノール等のキシレノール類;m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−エチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、4−tert−ブチルフェノール、3−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2−tert−ブチル−5−メチルフェノール等のアルキルフェノール類;p−メトキシフェノール、m−メトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m−エトキシフェノール、p−プロポキシフェノール、m−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類;o−イソプロペニルフェノール、p−イソプロペニルフェノール、2−メチル−4−イソプロペニルフェノール、2−エチル−4−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類;フェニルフェノール等のアリールフェノール類;4,4’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、また2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのフェノール類の中では、特にm−クレゾール、p−クレゾール、2,3,5−トリメチルフェノールが好ましい。
市販のアルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、TO−547(住友ベークライト株式会社製)が挙げられる。
光重合開始剤の具体例としては、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、ビス(4−ジメチルアミノフェニル)ケトン、2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、エタノン−1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾル−3−イル]−1−(o−アセチルオキシム)、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、4−ベンゾイル−4’−メチルジメチルスルフィド、4−ジメチルアミノ安息香酸、4−ジメチルアミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、4−ジメチルアミノ−2−エチルヘキシル安息香酸、4−ジメチルアミノ−2−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、o−ベンゾイル安息香酸メチル、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、2−クロロチオキサンテン、2,4−ジエチルチオキサンテン、2−メチルチオキサンテン、2−イソプロピルチオキサンテン、2−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンヒドロペルオキシド、2−メルカプトベンゾイミダール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メトキシフェニル)−イミダゾリル二量体、ベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、p,p’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、4,4’−ジクロロベンゾフェノン、3,3−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、ベンゾイル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−n−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、p−ジメチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、p−tert−ブチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、p−tert−ブチルトリクロロアセトフェノン、p−tert−ブチルジクロロアセトフェノン、α,α−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス−(9−アクリジニル)ヘプタン、1,5−ビス−(9−アクリジニル)ペンタン、1,3−ビス−(9−アクリジニル)プロパン、p−メトキシトリアジン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(フラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−エトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−n−ブトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン;メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルイソブチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド類;イソブチリルパーオキサイド、ビス(3,5,5−トリメチルヘキサノイル)パーオキサイド等のジアシルパーオキサイド類;p−メンタンハイドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類;2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン等のジアルキルパーオキサイド類;1,1−ビス(t−ブチルパ−オキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン等のパーオキシケタール類;t−ブチルパ−オキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラメチルパーオキシネオデカノエート等のパーオキシエステル類;ジn−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート類;アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビスイソブチレート等のアゾ化合物類等が挙げられる。
前述の通り、基板の表面に下層膜を形成した後、下層膜上に、パターニングされた有機樹脂膜を形成する。
パターニングされた有機樹脂膜を形成する方法としては特に限定されない。典型的な方法としては、感光性組成物であるフォトレジスト材料を用いてフォトリソグラフィー法によりパターニングされた有機樹脂膜を形成する方法や、インプリント法によりパターニングされた有機樹脂膜を形成する方法が挙げられる。
有機樹脂成分は、当業者に有機樹脂として認識される樹脂であれば特に限定されない。有機樹脂成分は、炭素原子と、水素原子と、任意に、酸素原子、窒素原子、及び硫黄原子から選択される1種以上の原子とから構成されるのが好ましい。
有機樹脂成分には、光重合性化合物や熱硬化性化合物が高分子量化した高分子化合物も含まれる。
感光性組成物としては、ネガ型感光性組成物、及びポジ型感光性組成物のいずれも用いることができる。
下層膜上へ感光性組成物を塗布することにより塗布膜の形成と、
形成された塗布膜に対する、位置選択的な露光と、
露光された塗布膜の現像液による現像と、
を含む方法によりパターニングされた有機樹脂膜が形成される。
位置選択的な露光は、典型的には、マスクを介して行われる。露光に用いる光線の種類や、露光量は、感光性組成物の組成や、塗布膜の膜厚等に応じて適宜選択される。
現像は、感光性組成物の組成に応じた種々の現像液を用いて行われる。現像液としては、有機溶媒や、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の有機系の現像液や、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア、4級アンモニウム塩等の水溶液が挙げられる。
インプリント法としては、スループットが高いことから、光インプリント法が好ましい。
有機溶媒としては、下層膜形成用の塗布液について説明した有機溶媒と同様である。有機溶媒の使用量は、感光性層の形成方法を勘案したうえで感光性組成物の粘度が適切な粘度であるように適宜決定される。
下層膜上にパターニングされた有機樹脂膜を形成した後、有機樹脂膜の、酸性洗浄液による下層膜上からの除去を行う。除去対象の有機樹脂膜について特に限定されない。典型的には、位置ずれや寸法ずれ等の不良が生じた有機樹脂膜の他、クラックやクレイズ等の種々の欠陥を含む有機樹脂膜が、好適な除去対象である。
アルキルスルホン酸の好適な具体例としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸、及びノナフルオロブタンスルホン酸が挙げられる。
有機樹脂膜を特に良好に除去しやすいことから、酸性洗浄液は、メタンスルホン酸、及び/又はトリフルオロメタンスルホン酸を含むのがより好ましい。
アルキルスルホン酸と併用可能な脂肪族カルボン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、及び乳酸等が挙げられる。
酸性洗浄液中の脂肪族カルボン酸の含有量の上限は、有機樹脂膜を良好に除去できる限り特に限定されない。酸性洗浄液中の脂肪族カルボン酸の含有量の上限は例えば50質量以下であり、20質量%以下であってよい。
酸性洗浄液中のアルキルスルホン酸と脂肪族カルボン酸との総量は、80質量%以上が好ましく、90質量%以上がより好ましく、95質量%以上がさらにより好ましく、100質量%が最も好ましい。
酸性洗浄液と、有機樹脂膜とを接触させる方法は特に限定されない。好ましい方法としては以下の1)〜4)の方法が挙げられる。以下の方法の中では、操作が簡単であり、有機樹脂膜全体に酸性洗浄液を接触させやすい点から、1)の浸漬法が好ましい。
1)有機樹脂膜を備える基板を、酸性洗浄液中に浸漬する方法
2)有機樹脂膜に、酸性洗浄液を盛る方法
3)有機樹脂膜に、酸性洗浄液を噴霧する方法
4)有機樹脂膜の表面に、酸性洗浄液を流す方法
典型的には、酸性洗浄液の温度は40℃以上170℃以下が好ましく、50℃以上160℃以下が好ましく、60℃以上150℃以下がより好ましい。
かかる範囲内の温度の酸性洗浄液を有機樹脂膜と接触させることにより、下層膜へのダメージを抑制しながら、容易且つ良好に有機樹脂膜の除去を行うことができる。
調製例1において、下層膜形成用の塗布液を調整した。
シリカ粒子(YA010C−SM1、(アドマックス社製))80質量部と、光重合性化合物(メタクリレート変性シルセスキオキサン、MAC−SQ LP−35、(東亞合成株式会社製))20質量部と、光重合開始剤(2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノプロパン−1−オン、Irgacure 907(BASF社製)2質量部と、光重合開始剤(2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、Irgacure 369)0.4質量部とを、固形分濃度が3.5%であるように、プロピレングリコールモノメチル−テル中に均一に溶解・分散させて塗布液を得た。
イソボルニルアクリレート(ライトアクリレートIB−XA(共栄社化学株式会社製))80質量部と、光重合性化合物(メタクリレート変性シルセスキオキサン、MAC−SQ LP−35、(東亞合成株式会社製))20質量部と、光重合開始剤(2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノプロパン−1−オン、Irgacure 907(BASF社製)10質量部と、光重合開始剤(2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、Irgacure 369)2質量部を混合してインプリント用の感光性組成物を得た。
シリコン基板上に、調製例1で得た塗布液をスピンコートした後、100℃で1分間加熱して、塗布膜中の溶剤を除去した。次いで、塗布膜を180℃で3分加熱して硬化させて、膜厚100nmの下層膜を形成した。
ナノインプリント転写装置(ST200(東芝機械株式会社製))を用いて、50nmラインアンドスペースパターンの鋳型モールドを、真空下、2MPaの押圧力で4秒間感光性層に押し付けて、感光性層を変形させた。変形した感光性層に対して、波長365nmのUV光を、露光量300mJ/cm2で露光して、感光性層を硬化させた後、鋳型モールドを剥離させて、ラインアンドスペースパターンにパターニングされた有機樹脂膜を形成した。
得られた基板を、走査型電子顕微鏡(S−4700(株式会社日立製作所製))により観察して、パターニングされた有機樹脂膜の除去性と、下層膜のダメージとを、以下の基準に従い評価した。これらの評価結果を、表1に記す。
<除去性評価>
A:パターニングされた有機樹脂膜が、完全に除去された。
B:パターニングされた有機樹脂膜がわずかに残存した。
C:パターニングされた有機樹脂膜の大部分が残存した。
<下層膜ダメージ評価>
○:ダメージ無し
×:ダメージ有り
実施例2〜4、及び比較例1〜3では、酸性洗浄液を、表1に記載の酸性洗浄液又は塩基性洗浄液に変更することの他は、実施例1と同様にして、パターニングされた有機樹脂膜と、下層膜とを備える基板に対する、有機樹脂膜の除去試験を行った。
なお、比較例1〜3で用いた洗浄液は、いずれも市販の洗浄液である。
比較例4では、実施例1と同様にして得られたパターニングされた有機樹脂膜と、下層膜とを備える基板に対して、O2プラズマアッシングによる有機樹脂膜の除去試験を行った。
実施例2〜4、及び比較例1〜4で得られた基板を、走査型電子顕微鏡(S−4700(株式会社日立製作所製))により観察して、パターニングされた有機樹脂膜の剥離性と、下層膜のダメージとを、前述の基準に従い評価した。これらの評価結果を、表1に記す。
なお、比較例1〜3では、洗浄液の沸点を考慮し、表1に記載した温度条件で有機樹脂膜の除去を行った。
Claims (10)
- 基板のリワーク方法であって、
前記基板上への、含ケイ素材料を含む下層膜の形成と、
前記下層膜上への、パターニングされた有機樹脂膜の形成と、
前記有機樹脂膜の、酸性洗浄液による前記下層膜上からの除去と、を含み、
前記酸性洗浄液が、アルキルスルホン酸を含み、
前記アルキルスルホン酸が有するアルキル基中の水素原子の少なくとも一部が、ハロゲン原子により置換されていてもよい、リワーク方法。 - 前記酸性洗浄液における、前記アルキルスルホン酸の含有量が80質量%以上である、請求項1に記載のリワーク方法。
- 前記下層膜が、前記含ケイ素材料を50質量%以上含む、請求項1又は2に記載のリワーク方法。
- 前記下層膜の形成が、下層膜形成用材料の塗布、又は蒸着により行われる、請求項1〜3のいずれか1項に記載のリワーク方法。
- 前記有機樹脂膜の形成が、インプリント法、又はフォトレジスト材料を用いるフォトリソグラフィー法により行われる、請求項1〜4のいずれか1項に記載のリワーク方法。
- 前記酸性洗浄液が、メタンスルホン酸及び/又はトリフルオロメタンスルホン酸を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載のリワーク方法。
- 前記有機樹脂膜の除去を、前記基板を前記酸性洗浄液に浸漬させることにより行う、請求項1〜6のいずれか1項に記載のリワーク方法。
- 50℃以上170℃以下の前記酸性洗浄液と、前記有機樹脂膜とを接触させる、請求項1〜7のいずれか1項に記載のリワーク方法。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板のリワーク方法において、前記下層膜上からの前記有機樹脂膜の除去に用いられる酸性洗浄液であって、
前記酸性洗浄液が、アルキルスルホン酸を含み、
前記アルキルスルホン酸が有するアルキル基中の水素原子の少なくとも一部が、ハロゲン原子により置換されていてもよい、酸性洗浄液。 - アルキルスルホン酸を含み、
前記アルキルスルホン酸が有するアルキル基中の水素原子の少なくとも一部が、ハロゲン原子により置換されていてもよい、酸性洗浄液。
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