CN108363272B - 用于压印的下层膜形成用组合物以及图案形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于压印的下层膜形成用组合物以及使用了该下层膜形成用组合物的图案形成方法，所述下层膜形成用组合物适合用于利用蚀刻法的图案的形成，能够分别将下层膜与纳米压印用固化性树脂层的蚀刻选择比、下层膜与金属膜的蚀刻选择比控制在最适当的范围，而且向基板的涂布性良好。一种用于压印的下层膜形成用组合物，含有(A)二氧化硅粒子、(B)光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂、(D)溶剂，其特征在于，所述(A)二氧化硅粒子以及所述(B)光聚合性化合物的总量100质量份中的所述(A)二氧化硅粒子的含量超过20质量份，且不足90质量份。

Description

用于压印的下层膜形成用组合物以及图案形成方法
技术领域
本发明涉及用于压印的下层膜形成用组合物以及图案形成方法。
背景技术
提出有如下的纳米压印法:将形成有规定的图案的模具抵于表面形成有树脂层(图案形成层)的被转印基板进行挤压，将模具的图案转印至树脂层。
纳米压印法是将预先在表面形成有纳米尺寸的凹凸图案的模具抵于在半导体晶圆等被转印基板的表面涂布形成的树脂层进行挤压，以力学方式使所述树脂层变形而转印所述凹凸图案，将该经图案转移的树脂层作为牺牲膜而加工被转印基板的技术。
在这样的纳米压印法中，公知有使用热塑性树脂通过热量转印凹凸图案的热压印法、或使用光固化性树脂通过紫外线转印凹凸图案的光压印法等。
采用纳米压印的图案形成方法具有将具热塑性或光固化性的纳米压印用固化树脂组合物涂布在基板上的工序。
为了提高纳米压印用固化树脂组合物与基板的密合性，有在基板上形成下层膜的方法。在专利文献1～2中记载有用于形成下层膜的压印用下层膜组合物。
在专利文献1中，记载有含有固化性主剂以及尿素类交联剂的压印用下层膜组合物。
在专利文献2中，记载有压印用下层膜形成组合物，所述压印用下层膜形成组合物包含具有烯属不饱和基团与选自氧杂环丙基以及氧杂环丁基的环状醚基、且重均分子量为1000以上的树脂。
用于压印的下层膜形成用组合物被用于在如下制品的制作中所使用的利用光照射而形成图案等应用纳米压印法的各种各样的用途，所述制品包括半导体集成电路、平面屏幕、微机电系统(MEMS)、传感器元件、光盘、高密度存储盘等磁记录介质、衍射光栅或浮雕全息图等光学部件、纳米器件、光学器件、用于平板显示制作的光学薄膜或线栅偏振器等偏振元件、液晶显示器的薄膜晶体管、有机晶体管、滤色片、外覆涂层、柱材、液晶取向用的肋材、微透镜阵列、免疫分析芯片、DNA分离芯片、微反应器、纳米生物器件、光波导、光学滤光片、光子液晶等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013－202982号公报
专利文献2：日本特开2014－192178号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在基板上通过纳米压印形成牺牲膜，并通过蚀刻法形成图案时，对于下层膜要求将与纳米压印用固化性树脂层的蚀刻选择比以及下层膜与金属膜的蚀刻选择比分别控制在最适合的范围。进而，对于用于压印的下层膜形成用组合物要求涂布在基板上时的涂布性良好。
本发明是鉴于上述问题而提出的，以提出用于压印的下层膜形成用组合物以及使用了该下层膜形成用组合物的图案形成方法为课题，所述下层膜形成用组合物适合用于利用蚀刻法的图案的形成，能够分别将下层膜与纳米压印用固化性树脂层的蚀刻选择比、下层膜与金属膜的蚀刻选择比控制在最适合的范围，而且向基板的涂布性良好。
用于解决上述技术问题的方案
本发明的第1种方案为一种用于压印的下层膜形成用组合物，含有：(A)二氧化硅粒子、(B)光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂与(D)溶剂，其特征在于，所述(A)二氧化硅粒子以及所述(B)光聚合性化合物的总量100质量份中，所述(A)二氧化硅粒子的含量超过20质量份且不足90质量份。
本发明的第2种方案为一种图案形成方法，具有如下工序：在基板表面涂布本发明的第1种方案的用于压印的下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序；在所述下层膜表面涂布压印用固化性组合物的工序；在夹于下层膜与具有微细图案的模具之间的状态下对所述压印用固化性组合物进行光照，而对压印用固化性组合物进行固化的工序；剥离所述具有微细图案的模具的工序。
发明效果
根据本发明，能够提供用于压印的下层膜形成用组合物以及使用了该下层膜形成用组合物的图案形成方法，所述下层膜形成用组合物适合用于利用蚀刻法的图案的形成，能够分别将下层膜与纳米压印用固化树脂层的蚀刻选择比、下层膜与金属膜的蚀刻选择比控制在最适当的范围，而且向基板的涂布性良好。
附图说明
图1是用于说明本发明的图案形成方法的工序的概略图。
具体实施方式
<用于压印的下层膜形成用树脂组合物>
本发明的用于压印的下层膜形成用树脂组合物含有：(A)二氧化硅粒子、(B)光聚合性固化剂、(C)光聚合引发剂与(D)溶剂。
本发明的用于压印的下层膜形成用树脂组合物通过使(A)二氧化硅粒子的含量为特定的范围，能够使在基板上涂布时的涂布性良好，而且能够达成期望的蚀刻选择比。
通过压印法在基板上制造图案(例如金属图案)时，首先在基板上形成的金属薄膜上使用用于压印的下层膜形成用树脂组合物形成下层膜(以下，存在将其记载为“底层”的情况)，接着在底层上适用压印用固化性组合物形成图案(以下，存在将其记载为“顶层”的情况)。之后，通过第1蚀刻工序对顶层与底层进行蚀刻。再之后，通过第2工序对底层与金属薄膜进行蚀刻。
本发明的用于压印的下层膜形成用树脂组合物通过使(A)二氧化硅粒子的含量为特定的范围，能够将第1蚀刻工序与第2蚀刻工序的蚀刻选择比一同控制在上述期望的范围。
以下对构成本发明的各成分进行说明。
《二氧化硅粒子》
对本发明所适用的二氧化硅粒子(以下存在将其记载为“(A)成分”的情况)进行说明。
二氧化硅粒子优选是由氧化硅(二氧化硅)形成，平均粒径优选是5nm以上100nm以下，更优选是10nm以上50nm以下。
二氧化硅粒子可以使用干燥后的粉末状的氧化硅粒子，也可以使用分散在有机溶剂中的胶体二氧化硅。
二氧化硅粒子可以是经表面修饰的二氧化硅粒子，也可以是无修饰的二氧化硅粒子。从提高在用于压印的下层膜形成用组合物中的分散性，而能够形成均匀的下层膜的观点来看，优选是经表面修饰的二氧化硅粒子。
在本发明中，相对于所述(A)成分以及所述(B)成分的总量100质量份，所述(A)成分的含量超过20质量份且不足90质量份，优选是25质量份以上80质量份以下，特别优选是30质量份以上60质量份以下。
若(A)成分的含量为上述下限值以上，则能够将第1蚀刻工序与第2蚀刻工序的蚀刻选择比一同控制在期望的范围。此外，若(A)成分的含量在上述上限值以下，则使将压印固化性树脂组合物涂布在下层膜上时的涂布性良好，能够将足量的压印固化性树脂组合物供给至基板上，能够在压印转印时向模具填充足够的液体。
《光聚合性化合物》
作为本发明所使用的光聚合性化合物(以下存在将其记载为“(B)成分”的情况)，能够列举光聚合性倍半硅氧烷化合物、光聚合性硅氧烷化合物、光聚合性环氧化合物、光聚合性甲基丙烯酸类化合物、光聚合性碱可溶性酚醛清漆树脂等。
·光聚合性倍半硅氧烷化合物
作为光聚合性倍半硅氧烷化合物，优选使用主链骨架由S i-O键构成的以下述式(1)表示的化合物。
[(RSiO3/2)n] (1)
式中，R表示有机基团，n表示自然数。
R表示1价的有机基团，作为1价的有机基团，能够列举可具有取代基的1价烃基。
作为烃基，能够列举脂肪族烃基以及芳香族烃基，作为脂肪族烃基，能够列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、2-甲基己基、辛基、壬基、癸基、十一烷基以及十二烷基等碳数1～20的脂肪族烃基，优选是碳数1～12的烷基。
作为芳香族烃基，能够列举苯基、萘基、苄基、甲苯基、苯乙烯基等碳数6～20的芳香族烃基。
作为1价的烃基可以具有的取代基，能够列举(甲基)丙烯酰基、羟基、巯基、羧基、异氰酰基、氨基、脲基等1价的取代基。此外，1价的烃基所含的-CH2-也可以被替换为-O-、-S-、羰基等。
以R表示的1价有机基团优选是至少含有1个反应性基团。反应性基团是指能够通过化学反应与其他部位进行反应的基团。
作为反应性基团，能够列举乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯酰基、苯乙烯基、氧杂环丙基、氧杂环丁基、羧基、羟基、硫杂环丙基、巯基、异氰酰基、氨基以及脲基，优选是(甲基)丙烯酰基、巯基以及氧杂环丙基。
以式(1)表示的化合物能够列举笼型、梯型或无规型，优选无规型。
笼型倍半硅氧烷化合物可以是完全笼型，也可以是笼的一部分打开的不完全笼型倍半硅氧烷化合物。
作为以式(1)表示的化合物，能够列举MAC-SQ LP-35、MAC-SQ TM-100、MAC-SQSI-20、MAC-SQSI-20、MAC-SQ HDM、(东亚合成株式会社制)、COMPOCERAN(注册商标)SQ107、COMPOCERAN(注册商标)SQ109、COMPOCERAN(注册商标)SQ506、COMPOCERAN(注册商标)SQ502-6(荒川化学工业株式会社制)等。
·光聚合性硅氧烷化合物
作为在分子内具有烷氧基硅烷基的含环氧基化合物，能够列举例如3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷硅、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷。
作为市售品，能够列举COMPOCERAN E102、E102B、E103、E103A、E201、E202、P501(荒川化学工业株式会社制)、Nagase ChemteX株式会社制的SK-401M、SK-602M、ST-B86(新日铁住金株式会社制)等。
·光聚合性环氧化合物
具有环氧基的烯属不饱和化合物，能够列举甲基丙烯酸缩水甘油基酯、3,4-环氧环己基甲基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯缩水甘油醚等以及它们的混合物。
作为本发明可使用的优选的市售的环氧化合物的例子，可列举Nagase ChemteX株式会社制EX111、EX201、EX411、EX611、EX901、EX212L、DA-111、DA-141、Denacol FCA-635、Denacol FCA-667、日本化药株式会社制EPPN501H、日本环氧树脂株式会社制JER152、大赛璐化学株式会社制EHPE3150等。
·光聚合性甲基丙烯酸类化合物
此外，也可以使用对双酚A进行烯化氧改性，而在两末端具有(甲基)丙烯酰基的化合物。烯化氧改性包括环氧乙烷改性、环氧丙烷改性、环氧丁烷改性、环氧戊烷改性、环氧己烷改性等。
作为这样的化合物，能够列举2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基二乙氧基)苯基)丙烷(例如新中村化学工业株式会社制NK Ester BPE-200)、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基三乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基四乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基五乙氧基)苯基)丙烷(例如新中村化学工业株式会社制NK Ester BPE-500)、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基六乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基七乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基八乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基九乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基十乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基十一乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基十二乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基十三乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基十四乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基十五乙氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基十六乙氧基)苯基)丙烷等2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基多乙氧基)苯基)丙烷等。
·光聚合性碱可溶性酚醛清漆树脂
作为碱可溶性酚醛清漆树脂的具体例子，能够列举下述例示的在酸催化剂下使酚类与醛类反应得到的酚醛清漆树脂。作为所述酚类，能够列举苯酚；间甲酚、对甲酚、邻甲酚等甲酚类；2,3-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚等二甲苯酚类；间乙基苯酚、对乙基苯酚、邻乙基苯酚、2,3,5-三甲基苯酚、2,3,5-三乙基苯酚、4-叔丁基苯酚、3-叔丁基苯酚、2-叔丁基苯酚、2-叔丁基-4-甲基苯酚，2-叔丁基-5-甲基苯酚等烷基苯酚类；对甲氧基苯酚、间甲氧基苯酚、对乙氧基苯酚、间乙氧基苯酚、对丙氧基苯酚、间丙氧基苯酚等烷氧基苯酚类；邻异丙烯基苯酚、对异丙烯基苯酚、2-甲基-4-异丙烯基苯酚、2-乙基-4-异丙烯基苯酚等异丙烯基苯酚类；苯基苯酚等芳基苯酚类；4,4'-二羟基联苯、双酚A、间苯二酚、对苯二酚、邻苯三酚等多羟基酚类等。这些酚类可以单独使用，也可以组合2种以上进行使用。在这些酚类之中，特别优选是间甲酚、对甲酚、2,3,5-三甲基苯酚。
作为市售的碱可溶性酚醛清漆树脂，能够列举TO-547(住友电木株式会社制)。
作为(B)成分，在上述之中优选光聚合性倍半硅氧烷化合物或光聚合性硅氧烷化合物，更优选光聚合性硅氧烷化合物。若使用这些化合物作为(B)成分，则能够将图案形成工序中的蚀刻选择比控制在良好的范围。
(B)成分的质均分子量没有特别地限定，优选是500～10000，更优选是1000～5000，进而优选是1000～3000。(B)成分可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
在本发明中，相对于所述(A)成分以及(B)成分的总量100质量份，所述(B)成分的含量优选是超过20质量份且不足90质量份，更优选是25质量份以上80质量份以下，特别优选是30质量份以上75质量份以下。
《光聚合引发剂》
本发明所使用的光聚合引发剂(以下，有时记作“(C)成分”)只要是在光照时引发、促进所述(B)成分的聚合的化合物即可，就没有特别地限定，能够列举例如1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、1-〔4-(2-羟基乙氧基)苯基〕-2-羟基-2-甲基-1-丙酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基-1-丙酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羟基-2-甲基-1-丙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-乙酮、双(4-二甲基氨基苯基)酮、2-甲基-1-(4-甲基硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-1-丁酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮-1-(O-乙酰肟)、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、4-苯甲酰基-4’-甲基二甲基硫醚、4-二甲基氨基苯甲酸、4-二甲基氨基苯甲酸甲酯、4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸丁酯、4-二甲基氨基-2-乙基己基苯甲酸、4-二甲基氨基-2-异戊基苯甲酸、苯偶酰-β-甲氧基乙基缩醛、苯偶酰二甲基缩酮、1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、邻苯甲酰基苯甲酸甲酯、2,4-二乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮、噻吨、2-氯噻吨、2,4-二乙基噻吨、2-甲基噻吨、2-异丙基噻吨、2-乙基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、偶氮双异丁腈、过氧化苯甲酰、过氧化异丙苯、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噁唑、2-巯基苯并噻唑、2-(邻氯苯基)-4,5-二(间甲氧基苯基)-咪唑基二聚物、二苯酮、2-氯二苯酮、p,p’-双二甲基氨基二苯酮、4,4’-双二乙基氨基二苯酮、4,4’-二氯二苯酮、3,3-二甲基-4-甲氧基二苯酮、苯甲酰、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻正丁基醚、苯偶姻异丁基醚、苯偶姻丁基醚、苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、对二甲基苯乙酮、对二甲基氨基苯丙酮、二氯苯乙酮、三氯苯乙酮、对叔丁基苯乙酮、对二甲基氨基苯乙酮、对叔丁基三氯苯乙酮、对叔丁基二氯苯乙酮、α,α-二氯-4-苯氧基苯乙酮、噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、二苯并环庚酮、4-二甲基氨基苯甲酸戊酯、9-苯基吖啶、1,7-双-(9-吖啶基)庚烷、1,5-双-(9-吖啶基)戊烷、1,3-双-(9-吖啶基)丙烷、对甲氧基三嗪、2,4,6-三(三氯甲基)均三嗪、2-甲基-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-[2-(4-二乙基氨基-2-甲基苯基)乙烯基]-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-(4-乙氧基苯乙烯基)-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-(4-正丁氧基苯基)-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2,4-双-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯基均三嗪、2,4-双-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯基均三嗪、2,4-双-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基均三嗪、2,4-双-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基均三嗪；甲基乙基酮过氧化物、甲基异丁基酮过氧化物、环己酮过氧化物等酮过氧化物类；过氧化二异丁酰、双(3，5，5-三甲基己酰)过氧化物等二酰基过氧化物类；萜烷过氧化氢、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化氢等氢过氧化物类；2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷等二烷基过氧化物类；1,1-双(叔丁基过氧化)-3,5,5-三甲基环己烷等过氧化缩酮类；过氧化新癸酸叔丁酯、1,1,3,3-四甲基过氧新癸酸酯等过氧化酯类；二正丙基过氧化二碳酸酯、二异丙基过氧化二碳酸酯等过氧化二碳酸酯类；偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2′-偶氮双异丁酸酯等偶氮化合物等。
在上述光聚合引发剂中，优选2-甲基-1-(4-甲基硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-乙酮、1-〔4-(2-羟基乙氧基)苯基〕-2-羟基-2-甲基-1-丙酮、1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、碘鎓、(4-甲基苯基)[4-(2-甲基丙基)苯基]-六氟磷酸盐、2-[2-氧代-2-苯基乙酰氧基乙氧基]乙酯与2-(2-羟基乙氧基)乙酯的混合物、乙醇酸苯基酯、二苯酮等。
这些聚合引发剂可以使用市售品，市场上销售有例如IRGACURE 907、IRGACURE369、IRGACURE 651(均由汽巴精化公司制)等。这些聚合引发剂可以单独地使用任一种，也可以组合2种以上进行使用。
在用于压印的下层膜形成用组合物中，相对于用于压印的下层膜形成用组合物中所含的所述(A)成分以及所述(B)成分的总量100质量份，(C)成分的含量优选是0.1～20质量份，更优选是1～15质量份，进一步优选是5～15质量份。通过使(C)成分的含量在上述范围内，光固化性变得良好。
《溶剂》
本发明所使用的溶剂(以下存在将其记载为“(D)成分”的情况)是从丙二醇单甲基醚乙酸酯、环己酮、2-庚酮、γ-丁内酯、丙二醇单甲基醚、乳酸乙酯中选择的单独溶剂或者混合溶剂，从涂布均匀性的观点来看，特别优选含有丙二醇单甲基醚的溶剂。
(D)成分的使用量没有特别地限定，能够以可涂布于基板等的浓度，根据涂布厚度适当设定。一般而言，以使用于压印的下层膜形成用组合物的固体成分浓度在1～20质量％，优选是2～15质量％的范围内的条件使用(D)成分。
<图案形成方法>
本发明的图案形成方法具有如下工序：在基板表面涂布所述本发明的用于压印的下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序；在所述下层膜表面涂布压印用固化性组合物的工序；在夹于下层膜与具有微细图案的模具之间的状态下对所述压印用固化性组合物进行光照，而对压印用固化性组合物进行固化的工序；剥离所述具有微细图案的模具的工序。
[下层膜形成工序]
参照图1对本发明的图案形成方法进行说明。
首先，如图1A所示，先在具备金属薄膜2的基板1的金属薄膜2上形成下层膜3。基板1能够列举玻璃、硅等。金属薄膜2能够列举铝、铟、银、铬等。使用所述本发明的用于压印的下层膜形成用树脂组合物形成下层膜3。下层膜的形成方法没有特别地限定，能够列举例如溅射法或旋涂法、狭缝涂布法等。
[压印用固化性组合物涂布工序]
如图1B所示，在下层膜3上涂布压印用固化性组合物，形成压印用固化性组合物层4。关于本发明中能够使用的压印用固化性组合物将在后文中进行说明。若为了形成下层膜而使用所述本发明的用于压印的下层膜形成用组合物，则压印用固化性组合物的涂布性变得良好。
[固化工序]
如图1C所示，在夹于下层膜3与具有微细图案的模具10之间的状态下对压印用固化性组合物层4进行光照，而对压印用固化性组合物进行固化。
如图1C所示，在层叠有压印用固化性组合物层4以及下层膜3的基板1上，与压印用固化性组合物层4对置地按压形成有凹凸结构的规定图案的模具10，使压印用固化性组合物层4与模具10的凹凸结构的图案相对应地变形。
挤压模具10时的压力优选是10MPa以下，更优选是5MPa以下，特别优选是1MPa以下。
通过与压印用固化性组合物层4对置地挤压模具10，位于模具10的凸部的压印用组合物在模具10的凹部一侧被容易地挤开，模具10的凹凸结构被转印至压印用固化性组合物层4。
接着，如图1C所示，在挤压模具10的状态下，对压印用固化性组合物层4进行曝光(图中箭头所示)。具体而言，紫外线(UV)等电磁波被照射于压印用固化性组合物层4。通过曝光，压印用固化性组合物层4在模具10被挤压的状态下固化，在下层膜3上形成由转印有模具10的凹凸结构的压印用固化性组合物层4构成的抗蚀膜。另外，模具10对于照射的电磁波具有透过性。
接着，如图1D所示，从基板1以及压印用固化性组合物层4剥离模具10。由此，固化后的状态下的压印用固化性组合物层4在下层膜3上图案化。
接着，如图1E所示，对于形成有图案化后的压印用固化性组合物层4的基板1，照射O2类的等离子体以及/或者反应性离子，由此通过蚀刻除去压印用固化性组合物层4的开口部分(模具10的凸部接触而形成的部分)露出的压印用固化性组合物层4。由此，形成有规定图案的压印用固化性组合物层4在基板1上图案化。
接着，如图1F所示，除去了开口部分的压印用固化性组合物层4后，对于形成有图案化后的压印用固化性组合物层4的基板1，照射卤素类的等离子体以及/或者反应性离子，由此通过蚀刻将压印用固化性组合物层4的开口部分(与模具10的凸部相对应的部分)暴露的下层膜3除去到规定深度。
接着，如图1G所示，照射卤素类的等离子体以及/或者反应性离子，由此通过蚀刻将因下层膜3的图案化而露出的金属薄膜2除去到规定深度。由此，如图1H所示，在基板1上形成金属图案2。
《压印用固化性组合物》
本发明中使用的压印用固化性组合物含有光聚合性化合物、光聚合引发剂、溶剂。
[光聚合性化合物]
作为光聚合性化合物，能够列举自由基聚合性化合物。作为自由基聚合性化合物，优选是具有1个以上的丙烯酰基或者甲基丙烯酰基的化合物。作为阳离子聚合性化合物，优选是具有1个以上的乙烯基醚基、环氧基或者氧杂环丁基。
具体而言，作为具有1个丙烯酰基或者甲基丙烯酰基的单官能(甲基)丙烯酸化合物，能够列举例如苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基-2-甲基乙基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、3-苯氧基-2-羟丙基(甲基)丙烯酸酯、2-苯基苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、4-苯基苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、3-(2-苯基苯基)-2-羟丙基(甲基)丙烯酸酯、EO改性对枯基苯酚的(甲基)丙烯酸酯、2-溴苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2,4-二溴苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2,4,6-三溴苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、EO改性苯氧基(甲基)丙烯酸酯、PO改性苯氧基(甲基)丙烯酸酯、聚氧乙烯壬基苯基醚(甲基)丙烯酸酯、异冰片基(甲基)丙烯酸酯、1-金刚烷基(甲基)丙烯酸酯、2-甲基-2-金刚烷基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基-2-金刚烷基(甲基)丙烯酸酯、冰片基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三环癸酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸4-丁基环己酯、丙烯酰基吗啉、(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丁酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸异硬脂基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸四氢糠酯、丁氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、乙氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、双丙酮(甲基)丙烯酰胺、异丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、叔辛基(甲基)丙烯酰胺、二甲氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、二乙氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、7-氨基-3,7-二甲基辛基(甲基)丙烯酸酯、N,N-二乙基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲氨基丙基(甲基)丙烯酰胺等，但不限于这些。
作为上述单官能(甲基)丙烯酸类化合物的市售品，能够列举Aronix M101、M102、M110、M111、M113、M117、M5700、TO-1317、M120、M150、M156(以上均由东亚合成株式会社制)；MEDOL10、MIBDOL10、CHDOL10、MMDOL30、MEDOL30、MIBDOL30、CHDOL30、LA、IBXA、2-MTA、HPA、Viscoat#150、#155、#158、#190、#192、#193、#220、#2000、#2100、#2150(以上均由大阪有机化学工业株式会社制)；LIGHT ACRYLATE BO-A、EC-A、DMP-A、THF-A、HOP-A、HOA-MPE、HOA-MPL、PO-A、P-200A、NP-4EA、NP-8EA、EXOXYESTER M-600A(以上均由共荣社化学株式会社制)；KAYARAD TC110S、R-564、R-128H(以上均由日本化药株式会社制)；NK ESTER AMP-10G、AMP-20G(以上均由新中村化学工业株式会社制)；FA-511A、512A、513A(以上均由日立化成株式会社制)；PHE、CEA、PHE-2、PHE-4、BR-31、BR-31M、BR-32(以上均由第一工业制药株式会社制)；VP(由巴斯夫公司制)；ACMO、DMAA、DMAPAA(以上均由兴人膜与化工产品株式会社制)等，但不限于这些。
作为具有两个以上的丙烯酰基或甲基丙烯酰基的多官能(甲基)丙烯酸类化合物，能够列举三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、EO改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、PO改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、EO,PO改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三(2-羟乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基)异氰脲酸酯、双(羟甲基)三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、EO改性2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基)苯基)丙烷、PO改性2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基)苯基)丙烷，EO,PO改性2,2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基)苯基)丙烷，但不限于这些。
作为上述多官能(甲基)丙烯酸类化合物的市售品，能够列举Upimer UV SA1002、SA2007(以上均由三菱化学株式会社制)；Viscoat#195、#230、#215、#260、#335HP、#295、#300、#360、#700、GPT、3PA(以上均由大阪有机化学工业株式会社制)；LIGHT ACRYLATE 4EG-A、9EG-A、NP-A、DCP-A、BP-4EA、BP-4PA、TMP-A、PE-3A、PE-4A、DPE-6A(以上均由共荣社化学株式会社制)；KAYARAD PET-30、TMPTA、R-604、DPHA、DPCA-20、-30、-60、-120、HX-620、D-310、D-330(以上均由日本化药株式会社制)；Aronix M208、M210、M215、M220、M240、M305、M309、M310、M315、M325、M400(以上均由东亚合成株式会社制)；Lipoxy VR-77、VR-60、VR-90(以上均由昭和高分子株式会社制)等，但不限于这些。
以上列举的自由基聚合性化合物可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。另外，在上述的化合物组中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯以及与之对应的甲基丙烯酸酯。(甲基)丙烯酰基是指丙烯酰基以及与之对应的甲基丙烯酰基。EO表示环氧乙烷，EO改性的化合物是指具有环氧乙烷基团的嵌段结构的化合物。另外，PO表示环氧丙烷，PO改性的化合物是指具有环氧丙烷基团的嵌段结构的化合物。
[光聚合物引发剂]
本发明所使用的光聚合引发剂只要是通过光照而产生使上述光聚合性化合物进行聚合的活性种的化合物即可，能够使用任意的化合物。作为光聚合引发剂，优选通过光照而产生自由基的自由基聚合引发剂、通过光照而产生酸的阳离子聚合引发剂，更优选自由基聚合引发剂，但能够根据所述聚合性化合物的聚合性基团的种类适当地决定。即，对于本发明中的光聚合引发剂，掺入对于使用的光源的波长具有活性的物质，需要根据反应形式的不同(例如自由基聚合或阳离子聚合等)而使用产生适当的活性种的物质。此外，在本发明中也可以并用多种光聚合引发剂。
[溶剂]
作为压印用固化性组合物的溶剂，因涂布性良好而优选醇类。
[其他成分]
除了上述成分以外，压印用固化性组合物还可以含有表面活性剂、敏化剂、抗氧化剂、脱模剂等。
实施例
以下，通过实施例对本发明更详细地进行说明，但本发明并不受这些实施例的限定。
<用于压印的下层膜形成用组合物的制备>
以下表所示的配比对下表中示出的(A)成分的二氧化硅粒子、(B)成分的光聚合性化合物、(C)成分的光聚合引发剂以及(D)成分的溶剂进行混合，得到实施例1～69、比较例1～65的各用于压印的下层膜形成用组合物。相对于(A)成分以及(B)成分的总量100质量份，以表11所示的比例混合(C)成分。(D)成分以固态成分浓度为3质量％的条件掺入。
<蚀刻试验>
[下层膜形成工序]
使用了使铝蒸镀在透明玻璃基板上的金属基板作为基板。在基板的铝层上旋涂实施例1～69、比较例1～65的各用于压印的下层膜形成用组合物，在加热板上以100℃对溶剂进行1分钟的干燥。之后，以200℃加热3分钟而使其固化，在基板表面形成下层膜(底层)。固化后的下层膜的膜厚为150nm。
[蚀刻工序1]
对于上述形成的下层膜，以如下的处理条件进行氟类烃(CxFy)/氩气混合(1:6)的气体蚀刻处理。顶层与底层通化蚀刻工序1被蚀刻。
·等离子体蚀刻装置：株式会社爱发科制、装置名称NE-550
·采用混合气体的等离子体蚀刻(压力：0.53Pa，90秒)
·功率：200
·偏置：75W
·基板温度：20℃
[蚀刻工序2]
同样地对于上述形成的下层膜，以如下的处理条件进行了C l2等离子体蚀刻。
·等离子体蚀刻装置：株式会社爱发科制、装置名称NE-550
·采用Cl2气体的等离子体蚀刻(压力：0.43Pa，90秒)
·功率：100
·偏置：100W
·基板温度：20℃
<评价>
《蚀刻评价1》
在上述的[蚀刻工序1]中，对底层的膜减少量进行测量，算出换算为每分钟的膜减少量的蚀刻速率(单位时间被蚀刻的膜的厚度；单位nm/分钟)。
将其值作为“F蚀刻速率(nm/s)”记载在下述表中。
在下述表中，若“F蚀刻速率(nm/s)”为2.5nm/s以上，则相对于已知的顶层的底层的蚀刻选择比充分，评价为“良好”。
《蚀刻评价2》
在上述的[蚀刻工序2]中，对底层的膜减少量进行测量，算出换算为每分钟的膜减少量的蚀刻速率(单位时间被蚀刻的膜的厚度；单位nm/分钟)。
将其值作为“Cl2蚀刻速率(nm/s)”记载在下述表中。
在下述表中，若“Cl2蚀刻速率(nm/s)”为2.0nm/s以下，则相对于底层的金属层的蚀刻选择比充分，评价为“良好”。
《扩散》
[涂布工序]
在上述[下层膜形成工序]中形成的下层膜上，使用柯尼卡美能达公司制的KM-512作为喷头，以每喷嘴14pL的液滴量，以图案的中心间距离(间距)为300μm的正方排列的方式控制喷出时机而喷出压印的模具抗蚀剂，在下层膜的整面涂布模具抗蚀剂。使用了丙烯酸异冰片酯单体(共荣社化学株式会社制LIGHT ACRYLATE IB-XA)作为压印用模具抗蚀剂。
在[涂布工序]中，评价了压印用模具抗蚀剂的液体对于底层的扩散(Spreading)。具体而言，喷涂后，在90秒后对液体的扩散进行了评价，在将液滴的中心间距离设为100％时，液滴的直径为75％以上的评价为“良好”。即，在本实施例中，因为液滴的中心间距离为300μm，所以在液滴的直径扩散到225μm以上的判断为“良好”。
在下述表1～8中，记载了(A)成分、(B)成分、(C)成分以及(D)成分、蚀刻评价1以及2、扩散评价结果。
【表1】
Figure BDA0001560387330000171
【表2】
Figure BDA0001560387330000181
【表3】
Figure BDA0001560387330000191
【表4】
Figure BDA0001560387330000201
【表5】
Figure BDA0001560387330000211
【表6】
Figure BDA0001560387330000221
【表7】
Figure BDA0001560387330000231
【表8】
Figure BDA0001560387330000241
上述表1～8中，以记号记载的各成分的详细信息记载在下述表9～11中。
【表9】
(A)成分 公司名称 商品名称
(A)-1 アドマテックス YA010C-SM1
(A)-2 アドマテックス YA010C-SM4
(A)-3 アドマテックス YA010C-SP3
【表10】
(B)成分 公司名称 商品名称
(B)-1 东亚合成 MAC-SQ LP-35
(B)-2 东亚合成 MAC-SQTM-100
(B)-3 东亚合成 MAC-SQ SI-20
(B)-4 荒川化学 COMPOCERAN E102B
(B)-5 荒川化学 COMPOCERAN P501
(B)-6 荒川化学 COMPOCERAN SQ506
(B)-7 荒川化学 COMPOCERAN SQ109
(B)-8 新日铁住金 ST-B86
(B)-9 Nagase ChemteX SK-401M
(B)-10 Nagase ChemteX SK-602M
(B)-11 Nagase ChemteX DA-111
(B)-12 Nagase ChemteX DA-141
(B)-13 Nagase ChemteX Denacol FCA-635
(B)-14 Nagase ChemteX Denacol FCA-667
(B)-15 住友电木 TO-547
(B)-16 新中村化学 NK ESTER BPE-500
【表11】
(C)成分、(D)成分
(C)-1 IRGACURE907：10wt％，IRGACURE369：2wt％
(C)-2 IRGAGURE907：10wt％，IRGACURE184：2wt％
(C)-3 IRGACURE907：10wt％，IRGACURE819：2wt％
(C)-4 IRGACURE907：10wt％，IRGACURETPO：2wt％
(D)-1 丙二醇单甲基醚
如上述结果所示，实施例1～69中，蚀刻评价1、2以及扩散评价均良好。

Claims (3)

1.一种用于压印的下层膜形成用组合物，被用于如下形成金属图案的方法：即，在具备金属薄膜的基板上形成下层膜，在所述下层膜表面涂布压印用固化性组合物，在夹于下层膜与具有微细图案的模具之间的状态下对所述压印用固化性组合物进行光照，而对压印用固化性组合物进行固化，剥离所述具有微细图案的模具，形成使用了所述压印用固化性组合物的图案，对使用了所述压印用固化性组合物的图案和所述下层膜进行蚀刻，之后对所述下层膜和所述金属薄膜进行蚀刻，形成金属图案，其特征在于，
含有(A)二氧化硅粒子、(B)光聚合性化合物、(C)光聚合引发剂和(D)溶剂，
所述(A)二氧化硅粒子以及所述(B)光聚合性化合物的总量100质量份中，所述(A)二氧化硅粒子的含量超过30质量份，且不足80质量份。
2.如权利要求1所述的用于压印的下层膜形成用组合物，其特征在于，所述(B)光聚合性化合物为光聚合性硅氧烷化合物。
3.一种图案形成方法，形成金属图案，该图案形成方法具有如下工序：
在具备金属薄膜的基板表面涂布权利要求1或2所述的用于压印的下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序；
在所述下层膜表面涂布压印用固化性组合物的工序；
在夹于下层膜与具有微细图案的模具之间的状态下对所述压印用固化性组合物进行光照，而对压印用固化性组合物进行固化的工序；
剥离所述具有微细图案的模具的工序；
对使用了所述压印用固化性组合物的图案和所述下层膜进行蚀刻的第1蚀刻工序；
在所述第1蚀刻工序之后，对所述下层膜和所述金属薄膜进行蚀刻的第2蚀刻工序。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101889247A (zh) * 2007-12-07 2010-11-17 三菱瓦斯化学株式会社 用于形成光刻用下层膜的组合物和多层抗蚀图案的形成方法
TW201351045A (zh) * 2012-03-15 2013-12-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 光壓印用之膜形成組成物及光學構件之製造方法
CN103676471A (zh) * 2012-09-13 2014-03-26 日立化成株式会社 制造具有图案的树脂层的方法及其中使用的树脂组合物
TWI515513B (zh) * 2009-07-29 2016-01-01 日產化學工業股份有限公司 奈米壓印用光阻下層膜形成組成物
JP5990411B2 (ja) * 2012-06-11 2016-09-14 旭化成株式会社 防塵膜の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5136439B2 (ja) * 2008-11-28 2013-02-06 Ｊｓｒ株式会社 多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法
JP5625301B2 (ja) * 2009-09-30 2014-11-19 Jsr株式会社 シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法
JP2012169434A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Asahi Glass Co Ltd 微細パターンを有する成型体の製造方法
JP5760522B2 (ja) * 2011-03-07 2015-08-12 帝人株式会社 光硬化性樹脂組成物及びその硬化皮膜を有する物品、その製造方法
JP5891090B2 (ja) 2012-03-29 2016-03-22 富士フイルム株式会社 インプリント用下層膜組成物およびこれを用いたパターン形成方法
WO2013154075A1 (ja) * 2012-04-09 2013-10-17 旭硝子株式会社 微細パターンを表面に有する物品の製造方法
JP6247826B2 (ja) * 2013-03-01 2017-12-13 協立化学産業株式会社 インプリント成型用光硬化性樹脂組成物
JP6029506B2 (ja) 2013-03-26 2016-11-24 富士フイルム株式会社 インプリント用下層膜形成組成物およびパターン形成方法
JP6119669B2 (ja) * 2013-06-11 2017-04-26 信越化学工業株式会社 下層膜材料及びパターン形成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101889247A (zh) * 2007-12-07 2010-11-17 三菱瓦斯化学株式会社 用于形成光刻用下层膜的组合物和多层抗蚀图案的形成方法
TWI515513B (zh) * 2009-07-29 2016-01-01 日產化學工業股份有限公司 奈米壓印用光阻下層膜形成組成物
TW201351045A (zh) * 2012-03-15 2013-12-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 光壓印用之膜形成組成物及光學構件之製造方法
JP5990411B2 (ja) * 2012-06-11 2016-09-14 旭化成株式会社 防塵膜の製造方法
CN103676471A (zh) * 2012-09-13 2014-03-26 日立化成株式会社 制造具有图案的树脂层的方法及其中使用的树脂组合物

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