JP5393282B2 - ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 - Google Patents
ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5393282B2 JP5393282B2 JP2009144550A JP2009144550A JP5393282B2 JP 5393282 B2 JP5393282 B2 JP 5393282B2 JP 2009144550 A JP2009144550 A JP 2009144550A JP 2009144550 A JP2009144550 A JP 2009144550A JP 5393282 B2 JP5393282 B2 JP 5393282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- composition
- group
- compound
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Polyethers (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、スループットの短縮や微細化という要望に応えつつ、モールドを押し付けた際に生じる残渣を低減することのできるナノインプリント リソグラフィの提供にある。また、本発明の他の目的は、スループットの短縮や微細化という要望に応えつつ、モールド汚染を抑制することができるナノインプリント リソグラフィの提供にある。
Si(OR1)m(R2)4−m (a1−1)
[式(a1−2)中、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基であり、mは1〜4の整数である。]
本実施の形態に係るナノインプリント用組成物を構成するSi化合物は、下記式(a1−1)で表されるアルコキシシランモノマーから選択される少なくとも1種を出発原料とする縮合物(A1)を含む。
Si(OR1)m(R2)4−m (a1−1)
式(a1−1)中、R1およびR2はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基であり、mは1〜4の整数である。縮合物(A1)の分子量は、500〜10000が好ましく、より好ましくは1000〜5000であり、さらに好ましくは1000〜2000である。
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−n−プロポキシシラン、トリ−iso−プロポキシシラン、トリ−n−ブトキシシラン、トリ−sec−ブトキシシラン、トリ−tert−ブトキシシラン、トリフェノキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ−iso−プロポキシシラン、メチルトリ−n−ブトキシシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラン、メチルトリ−tert−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシラン、エチルトリ−iso−プロポキシシラン、エチルトリ−n−ブトキシシラン、エチルトリ−sec−ブトキシシラン、エチルトリ−tert−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、n−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、n−プロピルトリ−n−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−sec−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−tert−ブトキシシラン、n−プロピルトリフェノキシシラン、iso−プロピルトリメトキシシラン、iso−プロピルトリエトキシシラン、iso−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、iso−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、iso−プロピルトリ−n−ブトキシシラン、iso−プロピルトリ−sec−ブトキシシラン、iso−プロピルトリ−tert−ブトキシシラン、iso−プロピルトリフェノキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−ブチルトリ−n−プロポキシシラン、n−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、n−ブチルトリ−n−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、n−ブチルトリフェノキシシラン、sec−ブチルトリメトキシシラン、sec−ブチル−iso−トリエトキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−プロポキシシラン、sec−ブチル−トリ−iso−プロポキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−ブトキシシラン、sec−ブチル−トリ−sec−ブトキシシラン、sec−ブチル−トリ−tert−ブトキシシラン、sec−ブチル−トリフェノキシシラン、tert−ブチルトリメトキシシラン、tert−ブチルトリエトキシシラン、tert−ブチルトリ−n−プロポキシシラン、tert−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、tert−ブチルトリ−n−ブトキシシラン、tert−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、tert−ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、tert−ブチルトリフェノキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピルジエトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−iso−プロピルジメトキシシラン、ジ−iso−プロピルジエトキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ブチルジエトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−フェノキシシラン、トリメチルモノメトキシシラン、トリメチルモノエトキシシラン、トリメチルモノ−n−プロポキシシラン、トリメチルモノ−iso−プロポキシシラン、トリメチルモノ−n−ブトキシシシラン、トリメチルモノ−sec−ブトキシシシラン、トリメチルモノ−tert−ブトキシシシラン、トリメチルモノフェノキシシラン、トリエチルモノメトキシシラン、トリエチルモノエトキシシラン、トリエチルモノ−n−プロポキシシラン、トリエチルモノ−iso−プロポキシシラン、トリエチルモノ−n−ブトキシシラン、トリエチルモノ−sec−ブトキシシラン、トリエチルモノ−tert−ブトキシシラン、トリエチルモノフェノキシシラン、トリ−n−プロピルモノ−n−プロピルメトキシシラン、トリ−n−プロピルモノ−n−エトキシシラン、トリ−n−プロピルモノ−n−プロポキシシラン、トリ−n−プロピルモノ−iso−プロポキシシラン、トリ−n−プロピルモノ−n−ブトキシシラン、トリ−n−プロピルモノ−tert−ブトキシシラン、トリ−n−プロピルモノ−sec−ブトキシシラン、トリ−n−プロピルモノフェノキシシラン、トリ−iso−プロピルモノメトキシシラン、トリ−iso−プロピルモノ−n−プロポキシシラン、トリ−iso−プロピルモノ−iso−プロポキシシラン、トリ−iso−プロピルモノ−n−ブトキシシラン、トリ−iso−プロピルモノ−sec−ブトキシシラン、トリ−iso−プロピルモノ−tert−ブトキシシラン、トリ−iso−プロピルモノフェノキシシラン、フェネチルトリメトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、フェネチルジメチルメトキシシラン、フェネチルメチルエトキシシラン、3−フェノキシプロピルトリメトキシシラン、3−フェノキシプロピルトリエトキシシラン、シクロペンチルトリエトキシシラン、シクロペンチルメチルジメトキシシラン、ジシクロペンチルジエトキシシラン、ジシクロペンチルメチルエトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジエトキシシラン、ジシクロヘキシルメチルエトキシシラン、シクロヘプチルトリエトキシシラン、シクロヘプチルメチルジメトキシシラン、ジシクロヘプチルジエトキシシラン、ジシクロヘプチルメチルエトキシシラン
前記式(a1−1)で表されるアルコキシシランモノマーとして、好ましい具体例は、ジエチルジエトキシシラン、ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシランが挙げられる。
・縮合物(A1)および、式(a1−1)で表されるアルコキシシランモノマーとの組み合わせ
・縮合物(A1)および、式(a1−2)で表されるSi化合物との組み合わせ
・Si含有高分子化合物(A2)および式(a1−2)で表されるSi化合物との組み合わせ
中でも、縮合物(A1)を必須とする組み合わせが特に好ましい。
酸発生剤(B)は、熱または露光によって酸を発生する。この酸により、上述したSi化合物(A)の脱水縮合が促進される。言い換えると、上述したSi化合物(A)の熱または露光に対する感応性がより敏感になり、Si化合物(A)をより容易に硬化させることができる。なお、「熱」とは、Si化合物(A)の脱水縮合が進行する温度であれば特に限定されないが、典型的には100〜140℃の温度範囲をいう。また「露光」とは、Si化合物(A)の脱水縮合が進行する電磁波の照射であれば特に限定されないが、典型的には350nm以下、特に350〜248nmの波長範囲の電磁波の照射をいう。
図1は、実施の形態に係るナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法を示す工程図である。
(A)−1:下記合成例(A)−1で得られたシロキサンポリマー[分子量2000]
(A)−2:下記合成例(A)−2で得られたシロキサンポリマー[分子量1000]
(A)−3:下記式(A)−3で表される化合物(ジエチルジエトキシシラン)
(A)−4:下記式(A)−4で表される化合物(ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン)
(A)−5:下記式(A)−5で表される化合物(エチルトリエトキシシラン)
(A)−6:下記式(A)−6で表される化合物(ベンジルトリエトキシシラン)
(A)−7:下記式(A)−7で表される化合物[分子量700] SIB1660
(A)−8:上記式(2)において、n/m=70/30[分子量9000]
(B)−1:下記式(B)−1で表される化合物[(5-プロピルスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2-イリデン)- (2-メチルフェニル)アセトニトリル]
(C)−1:PGMEA
(C)−2:エチレングリコール
(C)−3:プロピレングリコールモノプロピルエーテル
メチルトリメトキシシラン29.5g、テトラメトキシシラン33.0g、およびアセ
トン:イソプロピルアルコール=2:1の混合溶媒83.0gを混合し、撹拌した。ここ
に、水54.6g、および60%硝酸4.7μLを加え、更に3時間撹拌した。その後、
26℃で4日間熟成させ、反応溶媒を除去し、分子量2000のシロキサンポリマー(A)−1を得た。
・シロキサンポリマー((A)−2)
メチルトリメトキシシラン29.5g、テトラメトキシシラン33.0g、およびアセ
トン:イソプロピルアルコール=2:1の混合溶媒83.0gを混合し、撹拌した。ここ
に、水54.6g、および60%硝酸4.7μLを加え、更に3時間撹拌した。その後、
26℃で2日間熟成させ、反応溶媒を除去し、分子量1000のシロキサンポリマー(A)−2を得た。
シリコン基板上に、上記ナノインプリント用組成物をそれぞれスピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で表1〜3記載の条件でプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚約100nmのナノインプリント用組成物膜を形成した。
形成されたパターンの形状について、下記のように分類した。
「角が丸い」…パターントップ部分の丸みが大きく、ほぼ丸太状のラインパターンになっている。
「角が丸いが矩形性高い」…パターントップ部分が若干丸みを帯びているが、基板界面のパターン垂直性は高い。
「角があり矩形性高い」…パターントップ部分に丸みがなく、基板界面のパターン垂直性も高い。
形成されたパターンの押圧状態について下記のように分類した。
「基板界面まで押圧できている」…基板界面にナノインプリント用組成物の残渣によるスペース部の厚みが10nm未満。
「ほぼ基板界面まで押圧できている」…基板界面にナノインプリント用組成物の残渣によるスペース部の厚みが10nm以上30nm未満。
各実施例のナノインプリント用組成物では、モールド剥離後に露光してもパターン形成を行うことができることが確認できた。各実施例のナノインプリント用組成物では、モールドを押し付けたまま露光を行っておらず、ナノインプリント用組成物からモールドを容易に剥離することができるため、モールド汚染リスクが低減される。また、各実施例のナノインプリント用組成物では、モールドを剥離してから露光までの間、形状を維持する硬さを有しつつ、残渣の少ないパターンを形成できるということが確認できた。さらに、実施例6〜9より、モノマー量を調整することで、モールド時の圧力を低圧化できることが確認された。
Claims (5)
- アルコキシ基を含有するSi化合物(A)と、
熱または露光によって酸を発生する酸発生剤(B)と、
を含有し、
前記Si化合物(A)は、下記式(a1−1)で表されるアルコキシシランモノマーから選択される少なくとも1種を出発原料とする縮合物を含み、
Si(OR 1 ) m (R 2 ) 4−m (a1−1)
[式(a1−1)中、R 1 およびR 2 はそれぞれ独立に、炭素数1〜10のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基であり、mは1〜4の整数である。]
かつ、前記Si化合物(A)は、前記式(a1−1)で表されるアルコキシシランモノマーを含むことを特徴とするナノインプリント用組成物。 - 沸点160℃〜250℃の高沸点溶剤(C)をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載のナノインプリント用組成物。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のナノインプリント用組成物を基板に塗布して膜を形成する工程と、
前記膜にモールドを押圧する工程と、
前記モールドを剥離し、未硬化パターンを得る工程と、
加熱する工程と、
を備えることを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のナノインプリント用組成物を基板に塗布して膜を形成する工程と、
前記膜にモールドを押圧する工程と、
前記モールドを剥離し、未硬化パターンを得る工程と、
未硬化パターンを露光する工程と、
を備えることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009144550A JP5393282B2 (ja) | 2009-06-17 | 2009-06-17 | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009144550A JP5393282B2 (ja) | 2009-06-17 | 2009-06-17 | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011000766A JP2011000766A (ja) | 2011-01-06 |
JP5393282B2 true JP5393282B2 (ja) | 2014-01-22 |
Family
ID=43559147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009144550A Active JP5393282B2 (ja) | 2009-06-17 | 2009-06-17 | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5393282B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2012108072A1 (ja) * | 2011-02-07 | 2014-07-03 | 日立化成株式会社 | インクジェット用シリカ系被膜形成組成物、シリカ系被膜の形成方法、半導体デバイス及び太陽電池システム |
TWI529487B (zh) | 2011-02-15 | 2016-04-11 | 迪愛生股份有限公司 | 奈米壓印用硬化性組成物之用途、奈米壓印成形體、奈米壓印積層物、複製品模、圖案形成方法、圖案形成物、金屬模的製造方法及樹脂成形體的製造方法 |
WO2024014152A1 (ja) * | 2022-07-11 | 2024-01-18 | 東洋合成工業株式会社 | パターン基材の製造方法、硬化性組成物、及び部品の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4072642B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2008-04-09 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜用組成物 |
JP2006205723A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Jsr Corp | 樹脂成形体の表面加工方法、樹脂成形体および光学材料 |
JP5000112B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2012-08-15 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法 |
JP4772632B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2011-09-14 | 東京応化工業株式会社 | 電子線用ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
-
2009
- 2009-06-17 JP JP2009144550A patent/JP5393282B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011000766A (ja) | 2011-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI531865B (zh) | A multilayer photoresist process pattern forming method and an inorganic film forming composition for a multilayer photoresist process | |
TWI416262B (zh) | A silicon film-forming composition, a silicon-containing film, and a pattern-forming method | |
JP4699140B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP4602842B2 (ja) | 反射防止膜形成用組成物、それを用いた反射防止膜 | |
JP4597844B2 (ja) | フォトレジスト膜のリワーク方法 | |
JP4840255B2 (ja) | パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物 | |
US20080312400A1 (en) | Composition for forming resist underlayer film, and resist underlayer film | |
JP5825177B2 (ja) | 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法 | |
KR101943023B1 (ko) | 규소 함유 euv 레지스트 하층막 형성 조성물 | |
JP6399083B2 (ja) | 多層レジストプロセス用組成物および該多層レジストプロセス用組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2005221534A (ja) | 珪素含有レジスト下層膜材料及びパターン形成方法 | |
JPWO2015037398A1 (ja) | 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法 | |
JP5393282B2 (ja) | ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法 | |
JP5387814B2 (ja) | 3次元モールドの製造方法 | |
KR100763828B1 (ko) | 실릴페닐렌계 폴리머 함유 중간층 형성용 조성물 및 그것을 사용한 패턴 형성방법 | |
KR101127265B1 (ko) | 포토레지스트막의 리워크 방법 | |
JP5824317B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2007178455A (ja) | レジスト下層膜用組成物、これを用いたレジスト下層膜及び基板のパターン形成方法 | |
JP4758303B2 (ja) | フォトレジスト膜のリワーク方法 | |
JP2007218943A (ja) | 基板及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120327 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5393282 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |