TW201702314A - 奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法 - Google Patents

奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201702314A
TW201702314A TW105111685A TW105111685A TW201702314A TW 201702314 A TW201702314 A TW 201702314A TW 105111685 A TW105111685 A TW 105111685A TW 105111685 A TW105111685 A TW 105111685A TW 201702314 A TW201702314 A TW 201702314A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
composition
nanoimprinting
alkyl group
resin layer
Prior art date
Application number
TW105111685A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI664239B (zh
Inventor
昆野健理
Original Assignee
東京應化工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京應化工業股份有限公司 filed Critical 東京應化工業股份有限公司
Publication of TW201702314A publication Critical patent/TW201702314A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI664239B publication Critical patent/TWI664239B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

本發明提供一種奈米壓印用組合物，其特徵在於：含有具有會藉由光照射而聚合之聚合性基之矽氧烷聚合物(A)、聚合起始劑(C)、及含氟高分子化合物(F)，且上述含氟高分子化合物(F)具有以下述通式(f1-1)表示之結構單元。[式(f1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103可相同亦可不同；nf1為1~5之整數，Rf101為含有氟原子之有機基]。 □

Description

奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法
本發明係關於一種奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法。
本案基於2015年4月15日在日本申請之日本專利特願2015-083209號主張優先權，並將其內容援引至此。
光微影技術係半導體器件製程之核心技術，隨著近年來之半導體積體電路(IC)之高積體化，進行配線之進一步之微細化。作為微細化方法，一般係使用更短波長之光源、例如KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、F2雷射、EUV(極端紫外光)、EB(電子束)、X射線等之光源波長之短波長化，或曝光裝置之透鏡之數值孔徑(NA)之大口徑化(高NA化)等。
此種狀況下，提出有將在表面形成有樹脂層之基體壓抵於形成有特定之圖案之模具，將模具之圖案轉印至樹脂層之奈米壓印光微影法。
於奈米壓印光微影法中，提出有使用含有會藉由光(紫外線、電子束)而硬化之光硬化性樹脂之奈米壓印用組合物的光奈米壓印光微影法。於該製程中，將模具壓抵於含有光硬化性樹脂之樹脂層，繼而，照射光使樹脂硬化，其後，剝離模具，藉此獲得轉印圖案(結構 體)。
作為對用於奈米壓印光微影法之奈米壓印用組合物整體要求之特性，可列舉：藉由旋塗等塗佈至基板上時之塗佈性、進行加熱或曝光時之硬化性。若塗佈性欠佳，則塗佈至基板上之奈米壓印用組合物之膜厚會產生不均，而導致模具按壓時之圖案轉印性之降低。又，於將藉由模具按壓而形成之圖案維持於所需之尺寸之方面，硬化性係重要之特性。
例如，於專利文獻1中揭示有將調配之聚合物設為特定之調配比，而使塗佈性及硬化性提高之奈米壓印用組合物。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5560049號公報
於奈米壓印光微影法中，係將模具壓抵於樹脂層，其後剝離模具，故而對用於奈米壓印光微影法之奈米壓印用組合物進而要求模具脫模性。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其課題在於提供一種模具脫模性優異之奈米壓印用組合物及使用該奈米壓印用組合物之奈米壓印圖案形成方法。
本實施形態之第1態樣係一種奈米壓印用組合物，其特徵在於：含有具有會藉由光照射而聚合之聚合性基之矽氧烷聚合物(A)、聚合起始劑(C)、及含氟高分子化合物(F)，且上述含氟高分子化合物(F)具有以下述通式(f1-1)表示之結構單元，[化1]
[式(f1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103可相同亦可不同；nf1為1~5之整數，Rf101為含有氟原子之有機基]。
本實施形態之第2態樣係一種奈米壓印圖案形成方法，其特徵在於具有如下步驟：對基板上塗佈上述本實施形態之第1態樣之奈米壓印用組合物，形成奈米壓印用組合物之樹脂層；將形成有特定圖案之凹凸構造之模具按壓於上述奈米壓印用組合物之樹脂層，使上述奈米壓印用組合物之樹脂層變形為上述特定圖案；及於按壓上述模具之狀態下，對上述奈米壓印用組合物之樹脂層進行曝光。
本實施形態之第3態樣係一種奈米壓印圖案形成方法，其特徵在於具有如下步驟：於無機基板上形成有機物層；對上述有機物層上塗佈上述本實施形態之第1態樣之奈米壓印用組合物，形成奈米壓印用組合物之樹脂層；將形成有特定圖案之凹凸構造之模具按壓於上述奈米壓印用組合物之樹脂層，使上述奈米壓印用組合物之樹脂層變形為上述特定圖案；及於按壓上述模具之狀態下，對上述奈米壓印用組合物之樹脂層進行曝光。
根據本發明，能夠提供一種模具脫模性優異之奈米壓印用組合 物及使用該奈米壓印用組合物之奈米壓印圖案形成方法。
1‧‧‧基板
2‧‧‧樹脂層
3‧‧‧模具
4‧‧‧有機物層
10‧‧‧基板
31‧‧‧模具之表面
圖1(A)~(F)係表示本實施形態之奈米壓印圖案形成方法之一例之概略圖。
圖2(A)~(H)係表示本實施形態之奈米壓印圖案形成方法之一例之概略圖。
≪奈米壓印用組合物≫
本實施形態之奈米壓印用組合物含有具有會藉由光照射而聚合之聚合性基之矽氧烷聚合物(A)、聚合起始劑(C)、及含氟高分子化合物(F)。
以下，對各成分進行詳細敍述。
<矽氧烷聚合物(A)>
構成本實施形態之奈米壓印用組合物之矽氧烷聚合物(A)(以下，有時稱為(A)成分)係具有會藉由光照射而聚合之聚合性基之高分子化合物。具體而言，較佳為以下述通式(A1)表示之高分子化合物。
[式(A1)中，R1為含有乙烯性不飽和雙鍵之基，R0為碳數1~9之伸烷基，可存在m個R0具有不同R0之情況，R2為烷基、芳基、或氫原子，可存在n個R2具有不同R2之情況，m：n為50：50~100：0之範 圍]。
[R1]
式(A1)中，作為R1中之含有乙烯性不飽和雙鍵之基，較佳為末端具有乙烯性不飽和雙鍵者，尤其是，較佳為以下述式(A1-1-1)~(A1-1-2)表示者。
於具有m個R1之情形時，亦可具有不同R1。
式中「*」表示鍵結鍵。
[R0]
式(A1)中，作為R0中之碳數1~9之伸烷基，可列舉直鏈狀或支鏈狀之伸烷基。作為R0，較佳為碳數1~7之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，進而較佳為碳數1~5之直鏈狀之伸烷基，尤佳為亞甲基、伸乙基、或伸正丙基。於具有m個R0之情形時，亦可具有不同R0。
[R2]
式(A1)中，作為R2中之烷基，可列舉碳數1~10之烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等直鏈狀烷基；1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等支鏈狀烷基；環戊基、環己基、金剛烷基、降基、異基、三環癸基等環狀烷基。作 為R2中之烷基，較佳為碳數1~5之烷基，更佳為碳數1~3之烷基，尤佳為甲基。
又，R2之烷基中之氫原子亦可經鹵素原子取代。作為鹵素原子，就模具之脫模性之方面而言，最佳為氟原子。
式(A1)中，作為R2中之芳基，例如可列舉：苯基、聯苯(biphenyl)基、茀(fluorenyl)基、萘基、蒽(anthryl)基、菲基等。作為R2中之芳基，較佳為苯基。又，R2之芳基亦可具有烷基等取代基。
於具有n個R2之情形時，亦可具有不同R2。
式(A1)中，m：n(莫耳比)只要考慮Si含有率或膜厚調整、壓抵調整之方面適當設定即可。m：n(莫耳比)較佳為50：50~99：1之範圍，更佳為70：30~99：1，進而較佳為80：20~99：1，尤佳為90：10~99：1。若m增加，則硬化性優異。
作為以式(A1)表示之矽氧烷聚合物，尤佳為可列舉以下述式(A1-1)或下述式(A1-2)表示者。
[化4]
上述式(A1-1)及上述式(A1-2)中，Ra為甲基或氫原子，m及n係與上述式(A1)中之m及n相同。
(A)成分之質量平均分子量並無特別限定，較佳為500~10000，更佳為1000~5000，進而較佳為1000~3000。藉由設為上述範圍內，按壓之減少效果之提高與所形成之圖案形狀之特性提高的平衡性優異。(A)成分可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
<聚合起始劑(C)>
聚合起始劑(C)(以下，有時稱為(C)成分)只要為於光照射時使矽氧烷聚合物(A)之聚合開始、促進之化合物，便無特別限定，例如可列舉：1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、雙(4-二甲基胺基苯基)酮、 2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(鄰乙醯基肟)、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、4-苯甲醯基-4'-甲基二甲基硫醚、4-二甲基胺基苯甲酸、4-二甲基胺基苯甲酸甲酯、4-二甲基胺基苯甲酸乙酯、4-二甲基胺基苯甲酸丁酯、4-二甲基胺基-2-乙基己基苯甲酸、4-二甲基胺基-2-苯甲酸異戊酯、苄基-β-甲氧基乙基縮醛、苯偶醯二甲基縮酮、1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟、鄰苯甲醯基苯甲酸甲酯、2,4-二乙基9-氧硫、2-氯9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、1-氯-4-丙氧基9-氧硫、硫、2-氯硫、2,4-二乙基硫、2-甲基硫、2-異丙基硫、2-乙基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、偶氮二異丁腈、苯甲醯過氧化物、異丙苯過氧化物、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并唑、2-巰基苯并噻唑、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(間甲氧基苯基)-咪唑基二聚物、二苯甲酮、2-氯二苯甲酮、p,p'-雙二甲基胺基二苯甲酮、4,4'-雙二乙基胺基二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮、3,3-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、苯甲醯基、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香-正丁醚、安息香異丁醚、安息香丁醚、苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、對二甲基苯乙酮、對二甲基胺基苯丙酮、二氯苯乙酮、三氯苯乙酮、對第三丁基苯乙酮、對二甲基胺基苯乙酮、對第三丁基三氯苯乙酮、對第三丁基二氯苯乙酮、α,α-二氯-4-苯氧基苯乙酮、9-氧硫、2-甲硫基酮、2-異丙基9-氧硫、二苯并環庚酮、戊基-4-二甲基胺基苯甲酸酯、9-苯基吖啶、1,7-雙-(9-吖啶基)庚烷、1,5-雙-(9-吖啶基)戊烷、1,3-雙-(9-吖啶基)丙烷、對甲氧基三、2,4,6-三(三氯甲基)-對稱三、2-甲基-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三、2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三、2- [2-(4-二乙基胺基-2-甲基苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三、2-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三、2-(4-乙氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三、2-(4-正丁氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-對稱三、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯基-對稱三、2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯基-對稱三、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基-對稱三、2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基-對稱三；甲基乙基酮過氧化物、甲基異丁基酮過氧化物、環己酮過氧化物等酮過氧化物類；異丁醯過氧化物、雙(3,5,5-三甲基己醯基)過氧化物等二醯基過氧化物類；對薄荷烷氫過氧化物、1,1,3,3-四甲基丁基氫過氧化物等氫過氧化物類；2,5-二甲基-2,5-雙(第三丁基過氧基)己烷等二烷基過氧化物類；1,1-雙(第三丁基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷等過氧縮酮類；過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化新癸酸1,1,3,3-四甲酯等過氧酯類；二正過氧化二碳酸二正丙酯、過氧化二碳酸二異丙酯等過氧化二碳酸酯類；偶氮二異丁腈、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙異丁酸酯等偶氮化合物類等。
上述中，較佳為2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、錪、(4-甲基苯基)[4-(2-甲基丙基)苯基]-六氟磷酸酯、2-[2-側氧基-2-苯基乙醯氧基乙氧基]乙酯與2-(2-羥基乙氧基)乙酯之混合物、乙醛酸苯酯、二苯甲酮等。
該等聚合起始劑可使用市售者，例如市售有IRGACURE 907，IRGACURE 369，IRGACURE 651(均為Ciba Specialty Chemicals公司製造)等。該等聚合起始劑可單獨使用任一種，亦可組合使用兩種以 上。
奈米壓印用組合物中，(C)成分之含量相對於奈米壓印用組合物中所含之(A)成分1質量份，較佳為0.1~10質量份，更佳為0.1~5質量份，進而較佳為0.1~1質量份。藉由設為上述範圍內，光硬化性變得良好。
<含氟高分子化合物(F)>
對本實施形態之奈米壓印用組合物所含有之含氟高分子化合物(F)(以下，有時記作「(F)成分」)進行說明。(F)成分具有以下述通式(f1-1)表示之結構單元。
[式(f1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基。Rf102及Rf103分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基。Rf102及Rf103可相同亦可不同。nf1為1~5之整數，Rf101為含有氟原子之有機基]。
[R]
通式(f1-1)中，R中之碳數1~5之烷基較佳為碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5之鹵化烷基係上述碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵素原子 取代而成之基。作為該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，尤佳為氟原子。
作為通式(f1-1)中之R，較佳為氫原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之氟化烷基，就工業上之獲得之容易性而言，最佳為氫原子或甲基。
[Rf102及Rf103]
通式(f1-1)中，作為Rf102及Rf103之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，尤佳為氟原子。作為Rf102及Rf103之碳數1~5之烷基，可列舉與上述R之碳數1~5之烷基相同者，較佳為甲基或乙基。作為Rf102及Rf103之碳數1~5之鹵化烷基，具體而言，可列舉上述碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵素原子取代而成之基。作為該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，尤佳為氟原子。其中，作為Rf102及Rf103，較佳為氫原子、氟原子、或碳數1~5之烷基，較佳為氫原子、氟原子、甲基、或乙基。
[nf1]
式(f1-1)中，nf1為1~5之整數，較佳為1~3之整數，更佳為1或2。
[Rf101]
式(f1-1)中，Rf101係含有氟原子之有機基，較佳為含有氟原子之烴基。
作為含有氟原子之烴基，可為直鏈狀、支鏈狀、或環狀中之任一種，碳數較佳為1~20，碳數更佳為1~15，碳數尤佳為1~10。
作為含有氟原子之烴基之碳數1~10之烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基、1,1-二甲基乙基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丁基等。
又，含有氟原子之烴基較佳為該烴基中之氫原子之25%以上經氟化，更佳為50%以上經氟化，於60%以上經氟化之情形時，能夠提高使用奈米壓印用組合物形成樹脂層之情形時之該樹脂層之接觸角，進而提高對模具之脫模性，故而尤佳。
其中，作為Rf101，尤佳為碳數1~6之氟化烴基，最佳為甲基、-CH2-CF3、-CH2-CF2-CF3、-CH(CF3)2、-CH2-CH2-CF3、-CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3。
於本發明中，(F)成分中之以通式(f1-1)表示之結構單元之比率相對於構成(F)成分之全部結構單元之合計，較佳為20~99莫耳%，更佳為40~95莫耳%，尤佳為60~90莫耳%。
於本發明中，(F)成分較佳為不僅具有以上述通式(f1-1)表示之結構單元，而且具有含有脂環式烴基之結構單元。
作為含有脂環式烴基之結構單元，較佳為含有脂肪族環式基之結構單元(a1)(以下，有時記作「結構單元(a1)」)。
(結構單元(a1))
作為結構單元(a1)所具有之脂肪族環式基，可為多環式，亦可為單環式。作為單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷烴去除1個以上之氫原子後而成之基。作為該單環烷烴，較佳為碳數3~8者，具體而言，可列舉：環戊烷、環己烷、環辛烷等。作為多環式之脂環式烴基，較佳為自聚環烷烴去除1個以上之氫原子後而成之基，作為該聚環烷烴，較佳為碳數7~12者，具體而言，可列舉：金剛烷、降烷、異烷、三環癸烷、四環十二烷等。
又，上述脂肪族環式基亦可具有取代基。
作為該取代基，可列舉：烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。
作為上述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基，最佳為甲 基、乙基、丙基、正丁基、第三丁基。
作為上述取代基之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基，更佳為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第三丁氧基，最佳為甲氧基、乙氧基。
作為上述取代基之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，較佳為氟原子。
作為上述取代基之鹵化烷基，可列舉上述烷基之氫原子之一部分或全部經上述鹵素原子取代而成之基。
作為結構單元(a1)，較佳為具有以下述通式(a1-r2-1)表示之脂肪族環式基之結構單元。
又，作為結構單元(a1)，亦可為具有含有以下述通式(a1-r2-2)表示之脂肪族環式基之基之結構單元。
[式中，Ra'10表示氫原子或碳數1~10之烷基，Ra'11表示與Ra'10所鍵結之碳原子一併形成脂肪族環式基之基。Ra'12及Ra'14分別獨立地表示氫原子或烴基，Ra'13表示脂肪族環式基。*係意指鍵結鍵]。
式(a1-r2-1)中，Ra'10之碳數1~10之烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基、1,1-二甲基乙基、1,1-二乙基丙基、2,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丁基等。
式(a1-r2-1)中，Ra'11所構成之脂肪族環式基可為多環式，亦可為 單環式。作為單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷烴去除1個氫原子後而成之基。作為該單環烷烴，較佳為碳數3~8者，具體而言，可列舉：環戊烷、環己烷、環辛烷等。作為多環式之脂環式烴基，較佳為自聚環烷烴去除1個氫原子後而成之基，作為該聚環烷烴，較佳為碳數7~12者，具體而言，可列舉：金剛烷、降烷、異烷、三環癸烷、四環十二烷等。
式(a1-r2-2)中，Ra'12及Ra'14較佳為分別獨立地為碳數1~10之烷基，該烷基更佳為作為式(a1-r2-1)中之Ra'10之直鏈狀或支鏈狀之烷基而舉出之基，進而較佳為碳數1~5之直鏈狀烷基，尤佳為甲基或乙基。
式(a1-r2-2)中，Ra'13較佳為與上述式(a1-r2-1)中之Ra'11所構成之脂肪族環式基相同之基。
以下舉出以上述式(a1-r2-1)表示之基之具體例。於以下之式中，「*」係表示鍵結鍵。
[化7]
以下舉出以上述式(a1-r2-2)表示之基之具體例。
[化8]
作為結構單元(a1)，較佳為鍵結於α位之碳原子之氫原子可經取代基取代之自丙烯酸酯衍生的結構單元。
作為結構單元(a1)，較佳為以下述通式(a1-1)或(a1-2)表示之結構單元。
[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基。Va1為可具有醚鍵、胺基甲酸酯鍵、或醯胺鍵之二價烴基，na1為0~2，Ra1為以上述式(a1-r2-1)或(a1-r2-2)表示之脂肪族環式基。
Wa1為na2+1價烴基，na2為1~3，Ra2為含有以上述式(a1-r2-1)表 示之脂肪族環式基、或以上述式(a1-r2-2)表示之脂肪族環式基之基]。
[R]
上述通式(a1-1)中，R中之碳數1~5之烷基較佳為碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基等。碳數1~5之鹵化烷基係上述碳數1~5之烷基之氫原子之一部分或全部經鹵素原子取代而成之基。作為該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，尤佳為氟原子。
作為R，較佳為氫原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之氟化烷基，就工業上之獲得之容易性而言，最佳為氫原子或甲基。
[Va1]
Va1之烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。脂肪族烴基係意指不具有芳香族性之烴基。Va1中之作為二價烴基之脂肪族烴基可飽和，亦可不飽和，通常較佳為飽和。
作為該脂肪族烴基，更具體而言，可列舉直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、結構中含有環之脂肪族烴基等。
又，作為Va1，上述二價烴基亦可為具有醚鍵、胺基甲酸酯鍵、或醯胺鍵之二價烴基。
上述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之碳數較佳為1~10，更佳為1~6，進而較佳為1~4，最佳為1~3。
作為直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉：亞甲基[-CH2-]、伸乙基[-(CH2)2-]、三亞甲基[-(CH2)3-]、四亞甲基[-(CH2)4-]、五亞甲基[-(CH2)5-]等。
作為支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉：-CH(CH3)-、-CH(CH2CH3)-、-C(CH3)2-、-C(CH3)(CH2CH3)-、-C(CH3)(CH2CH2CH3)-、-C(CH2CH3)2-等烷基亞甲 基；-CH(CH3)CH2-、-CH(CH3)CH(CH3)-、-C(CH3)2CH2-、-CH(CH2CH3)CH2-、-C(CH2CH3)2-CH2-等烷基伸乙基；-CH(CH3)CH2CH2-、-CH2CH(CH3)CH2-等烷基三亞甲基；-CH(CH3)CH2CH2CH2-、-CH2CH(CH3)CH2CH2-等之烷基四亞甲基等烷基伸烷基等。作為烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。
作為上述結構中含有環之脂肪族烴基，可列舉：脂環式烴基(自脂肪族烴環去除2個氫原子後而成之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之末端而成之基、脂環式烴基介存於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之中途之基等。作為上述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可列舉與上述相同者。
上述脂環式烴基之碳數較佳為3~20，更佳為3~12。
上述脂環式烴基可為多環式，亦可為單環式。作為單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷烴去除2個氫原子後而成之基。作為該單環烷烴，較佳為碳數3~6者，具體而言，可列舉環戊烷、環己烷等。作為多環式之脂環式烴基，較佳為自聚環烷烴去除2個氫原子後而成之基，作為該聚環烷烴，較佳為碳數7~12者，具體而言，可列舉：金剛烷、降烷、異烷、三環癸烷、四環十二烷等。
芳香族烴基係具有芳香環之烴基。
上述Va1中之作為二價烴基之芳香族烴基之碳數較佳為3~30，更佳為5~30，進而較佳為5~20，尤佳為6~15，最佳為6~10。其中，該碳數係設為不含有取代基中之碳數者。
作為芳香族烴基所具有之芳香環，具體而言，可列舉：苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等芳香族烴環；構成上述芳香族烴環之碳原子之一部分經雜原子取代而成之芳香族雜環等。作為芳香族雜環中之雜原子，可列舉：氧原子、硫原子、氮原子等。
作為該芳香族烴基，具體而言，可列舉：自上述芳香族烴環去除2個氫原子後而成之基(伸芳基)；自上述芳香族烴環去除1個氫原子後而成之基(芳基)之1個氫原子經伸烷基取代而成之基(例如自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等芳烷基中之芳基進而去除1個氫原子後而成之基)等。上述伸烷基(芳烷基中之烷基鎖)之碳數較佳為1~4，更佳為1~2，尤佳為1。
[Wa1]
上述式(a1-2)中，Wa1中之na2+1價烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。該脂肪族烴基係意指不具有芳香族性之烴基，可飽和，亦可不飽和，通常較佳為飽和。作為上述脂肪族烴基，可列舉直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、結構中含有環之脂肪族烴基、或直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基與結構中含有環之脂肪族烴基組合而成之基。作為Wa1，具體而言，可列舉與上述式(a1-1)之Va1相同之基。
上述na2+1價較佳為二~四價，更佳為二或三價。
作為以上述式(a1-2)表示之結構單元，尤佳為以下述通式(a1-2-01)表示之結構單元。
式(a1-2-01)中，Ra2係以上述式(a1-r2-1)或(a1-r2-2)表示之基。na2 為1~3之整數，較佳為1或2，更佳為1。c為0~3之整數，較佳為0或1，更佳為1。R係與上述相同。
以下，示出以上述式(a1-1)、(a1-2)表示之結構單元之具體例。以下之各式中，Rα係表示氫原子、甲基、或三氟甲基。
[化13]
[化15]
於本發明中，(F)成分中之結構單元(a1)之比率相對於構成(F)成分之全部結構單元之合計，較佳為1~50莫耳%，更佳為10~40莫耳%，進而較佳為15~30莫耳%。
於本發明中，含氟高分子化合物(F)較佳為以通式(f1-1)表示之結構單元與結構單元(a1)之共聚物。
(F)成分之質量平均分子量(Mw)(利用凝膠滲透層析法之聚苯乙烯換算基準)較佳為1000~100000，更佳為5000~80000，最佳為10000~60000。若為該範圍之上限值以下，則當用作抗蝕劑時對抗蝕劑溶劑具有充分之溶解性，若為該範圍之下限值以上，則耐乾式蝕刻性或抗蝕劑圖案剖面形狀良好。
(F)成分之分散度(Mw/Mn)較佳為1.0~5.0，更佳為1.0~4.0，最佳為1.2~3.0。
(F)成分可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
奈米壓印用組合物中，(F)成分之含量相對於奈米壓印用組合物中所含之(A)成分1質量份，較佳為0.1~10質量份，更佳為0.1~5質量份，進而較佳為0.1~1質量份。藉由設為上述範圍內，光硬化性變得良好。
本實施形態之奈米壓印用組合物中可進而根據所需適當添加含有具有混和性之添加劑，該添加劑例如為用以改良奈米壓印用組合物 膜之性能之烷氧基矽烷化合物、溶劑、加成樹脂、溶解抑制劑、塑化劑、穩定劑、著色劑、防光暈劑、染料等。
<任意成分>
(B)烷氧基矽烷化合物
於本實施形態之奈米壓印用組合物中，較佳為進而含有烷氧基矽烷化合物(B)。烷氧基矽烷化合物(B)(以下，有時稱為(B)成分)係含有烷基R鍵結於氧原子而成之烷氧基(RO-)之矽烷化合物，可列舉以下述通式(B1)~(B3)表示之任一種化合物。
[式(B1)中，R3及R4分別獨立地為烷基，s+t=4，t為1~4之整數]。
式(B1)中，s+t=4，t為1~4之整數。又，式(B1)中，R3及R4分別獨立地為烷基。式(B1)中，R3、R4中之烷基較佳為碳數1~10之烷基，可列舉與式(A1)中之R2中之烷基相同者。R3、R4中之烷基較佳為甲基、乙基、或丙基。式(B1)中，t較佳為2~4之整數。s為0~3之整數。
作為以上述式(B1)表示之烷氧基矽烷化合物，因硬化性及塗膜之性質之穩定性優異，故而尤佳為可列舉乙基-三-正丙氧基矽烷、四-正丙氧基矽烷、四乙氧基矽烷。
[化17]
[式(B2)中，R5~R7分別獨立地為烷基或烷氧基，R5~R7中之至少一者為烷氧基，X為單鍵或碳數1~5之伸烷基]。
式(B2)中，R5~R7中之烷基較佳為碳數1~10之烷基，可列舉與式(A1)中之R2中之烷基相同者。較佳為甲基、乙基、或丙基。式(B2)中，作為R5~R7中之烷氧基，可列舉以式-O-RB2[RB2為碳數1~5之烷基]表示者。作為RB2之烷基，係與式(A1)中之R2中之烷基相同。作為RB2，較佳為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第三丁氧基。式(B2)中，R5~R7中之烷氧基之個數較佳為2以上，更佳為2~6。式(B2)中，作為X中之碳數1~5之伸烷基，可列舉：亞甲基、伸乙基、伸正丙基、四亞甲基、五亞甲基等。式(B2)中，作為X，較佳為單鍵或伸乙基。
作為以上述式(B2)表示之烷氧基矽烷化合物，因硬化性及塗膜之性質之穩定性優異，故而尤佳為可列舉以下述式表示者。
[化18]
[式(B3)中，R8~R9分別獨立地為烷基或烷氧基，R8~R9中之至少一者為烷氧基]。
式(B3)中，R8~R9分別獨立地為烷基或烷氧基，R8~R9中之至少 1者為烷氧基。
式(B3)中，R8~R9中之烷基較佳為碳數1~10之烷基，可列舉與式(A1)中之R2中之烷基相同者。作為R8~R9，更佳為碳數1~6之烷基，尤佳為甲基。式(B3)中，R8~R9中之烷氧基可列舉以式-O-RB3[RB3係與上述RB2相同]表示者。作為R8~R9，較佳為正丁氧基。式(B3)中，R8~R9中之烷氧基之個數較佳為2~8，尤佳為4。作為以上述式(B3)表示之烷氧基矽烷化合物，因硬化性及塗膜之性質之穩定性優異，故而尤佳為可列舉以下述式表示者。
藉由對奈米壓印用組合物添加以上述式(B1)~(B3)為代表之烷氧基矽烷化合物(B)，能夠提高光照射時之硬化性。
烷氧基矽烷化合物(B)可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
於奈米壓印用組合物中，烷氧基矽烷化合物(B)之含量相對於奈米壓印用組合物中所含之(A)成分1質量份，較佳為10~120質量份之比率，更佳為20~100質量份，進而較佳為25~80質量份。藉由設為上述範圍內，光硬化性變得良好。
(D)溶劑
本實施形態之奈米壓印用組合物可含有溶劑(D)，亦可不含有溶劑(D)。
於含有溶劑(D)之情形時，作為溶劑(D)，因塗佈性尤為良好，故而較佳為醇類，具體而言，可列舉：甲醇(沸點64.7度)、乙醇(沸點78.3度)、正丙醇(沸點97.2度)、異丙醇(IPA；沸點82.4度)、正戊醇(沸點138.0度)、第二戊醇(沸點119.3度)、第三戊醇(101.8度)、異戊醇(沸點130.8度)、異丁醇(亦稱為異丁醇或2-甲基-1-丙醇)(沸點107.9度)、2-乙基丁醇(沸點147度)、新戊醇(沸點114度)、正丁醇(沸點117.7度)、第二丁醇(沸點99.5度)、第三丁醇(沸點82.5度)、1-丙醇(沸點97.2度)、正己醇(沸點157.1度)、2-庚醇(沸點160.4度)、3-庚醇(沸點156.2度)、2-甲基-1-丁醇(沸點128.0度)、2-甲基-2-丁醇(沸點112.0度)、4-甲基-2-戊醇(沸點131.8度)、1-丁氧基-2-丙醇(1,2-Propylene glycol 1-monobutyl ether：PGB；沸點170度)、丙二醇單丙醚(沸點150度)、5-甲基-1-己醇(沸點167度)、6-甲基-2-庚醇(沸點171度)、1-辛醇(沸點196度)、2-辛醇(沸點179度)、3-辛醇(沸點175度)、4-辛醇(沸點175度)、2-乙基-1-己醇(沸點185度)、2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇(沸點231度)等鏈狀結構之醇類；環戊烷甲醇(沸點162度)、1-環戊基乙醇(沸點167度)、環己醇(沸點161度)、環己烷甲醇(CM；沸點183度)、環己烷乙醇(沸點205度)、1,2,3,6-四氫苄醇(沸點191度)、外降烷醇(沸點176度)、2-甲基環己醇(沸點165度)、環庚醇(沸點185度)、3,5-二甲基環己醇(沸點185度)、苄醇(沸點204度)、松油醇(沸點217度)等具有環狀結構之醇類等。其中，PGB沸點高達170度，故而奈米壓印用組合物之膜厚控制更容易。該等溶劑可單獨使用任一種，亦可組合使用兩種以上。上述中，較佳為鏈狀結構之醇類，尤佳為異丙醇、乙醇、甲醇、1-丁氧基-2-丙醇。
(第1圖案形成方法)
本實施形態之第2態樣係一種奈米壓印圖案形成方法(以下，有時記作「第1圖案形成方法」)，其特徵在於具有如下步驟：將上述本實施 形態之奈米壓印用組合物塗佈至基板，形成奈米壓印用組合物之樹脂層；將形成有特定圖案之凹凸構造之模具按壓於上述奈米壓印用組合物之樹脂層，使上述奈米壓印用組合物之樹脂層變形為上述特定圖案；及於按壓上述模具之狀態下，對上述奈米壓印用組合物之樹脂層進行曝光。
圖1係表示利用實施形態之奈米壓印光微影法之第1圖案形成方法之步驟圖。
首先，如圖1(A)所示，對基板1塗佈奈米壓印用組合物，形成奈米壓印用組合物之樹脂層2。作為基板1，可列舉形成有供實施半導體微細加工之Si晶圓、銅配線、絕緣層等、或形成有圖案形成前之DTM(Discrete Track Media，離散磁道介質)用磁性層之硬碟基板。
作為塗佈奈米壓印用組合物之方法，可列舉：旋塗法、噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法等。樹脂層2係於之後實施之基板1之蝕刻步驟中作為遮罩而發揮功能者，故而較佳為塗佈至基板1時之厚度均勻。因此，當將奈米壓印用組合物塗佈至基板1上時，較佳為旋塗。
然後，如圖1(B)所示，將形成有凹凸構造之特定圖案之模具3，與樹脂層2對向地壓抵於積層有樹脂層2之基板1，使樹脂層2配合模具3之凹凸構造之圖案而變形。模具3之按壓時之壓力較佳為10MPa以下，更佳為5MPa以下，尤佳為1MPa以下。
藉由與樹脂層2對向地按壓模具3，將位於模具3之凸部之奈米壓印用組合物容易地推開至模具3之凹部之側，從而將模具3之凹凸構造轉印至樹脂層2。
然後，如圖1(C)所示，於按壓模具3之狀態下，對樹脂層2進行曝光。具體而言，對樹脂層2照射紫外線(UV)等電磁波(以箭頭圖示)。藉由曝光，於按壓模具3之狀態下使奈米壓印用組合物硬化，形成包含轉印有模具3之凹凸構造之樹脂層2之抗蝕劑膜。再者，模具3對所 照射之電磁波具有透過性。
然後，如圖1(D)所示，自基板1及樹脂層2剝離模具3。藉此，將硬化之狀態之樹脂層2圖案化至基板1上。
認為於本實施形態中，藉由採用含有含氟高分子化合物(F)之奈米壓印用組合物，使奈米壓印用組合物對基板1之密接性提高，使奈米壓印用組合物對模具3之脫模性提高。
因此，認為於自基板1及樹脂層2剝離模具3之步驟中，能夠剝離模具3，而不會使樹脂層2附著至模具3。
於本實施形態中，亦可進而對模具3之表面31塗佈脫模劑，形成脫模層。此處，作為塗佈至模具之表面之脫模劑，可列舉：矽系脫模劑、氟系脫模劑、聚乙烯系脫模劑、聚丙烯系脫模劑、石蠟系脫模劑、褐煤系脫模劑、巴西棕櫚系脫模劑等。例如，可較佳使用Daikin工業(股)製造之OPTOOL DSX等市售之塗佈型脫模劑。再者，脫模劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。其等中，尤佳為氟系脫模劑。
然後，較佳為如圖1(E)所示，藉由對形成有經圖案化之樹脂層2之基板1照射電漿及/或反應性離子(以箭頭圖示)，利用蝕刻去除露出於樹脂層2之開口部分(模具3之凸部接觸而形成之部分)之基板1至特定深度。
於蝕刻步驟中使用之電漿及/或反應性離子之氣體只要為乾式蝕刻領域中通常使用之氣體，則無特別限定。
可根據基板與所採用之奈米壓印組合物之選擇比，適當選擇較佳之氣體。
然後，如圖1(F)所示，於基板1之蝕刻結束後，去除存在於基板1上之樹脂層2。自基板1去除多餘之樹脂層2之方法並無特別限定，例如可列舉使用能夠溶解樹脂層2之溶液，洗淨基板1之處理等。
(第2圖案形成方法)
本實施形態之第3態樣係一種奈米壓印圖案形成方法(以下，有時記作「第2圖案形成方法」)，其特徵在於具有如下步驟：於無機基板上形成有機物層；對上述有機物層上塗佈上述奈米壓印用組合物，形成奈米壓印用組合物之樹脂層；將形成有特定圖案之凹凸構造之模具按壓於上述奈米壓印用組合物層，使上述奈米壓印用組合物層變形為上述特定圖案；及於按壓上述模具之狀態下，對上述奈米壓印用組合物層進行曝光。
圖2係表示利用實施形態之奈米壓印光微影法之第2圖案形成方法之步驟圖。
首先，如圖2(A)所示，於基板10之上形成有機物層4。有機物層4之膜厚只要根據基板10欲加工(蝕刻)之深度適當調整即可，例如較佳為0.02~2.0μm。基板10係藍寶石基板、GaN基板、Si基板等無機材料之基板。有機物層4之材料較佳為與於後續步驟中形成之奈米壓印用組合物相比，對氧系氣體之蝕刻耐性較低，並且與基板10相比，對鹵素系氣體之蝕刻耐性較高。形成有機物層4之方法並無特別限定，例如可列舉濺鍍法或旋塗法。
作為適合濺鍍法之材料，可列舉類鑽碳。又，作為適合旋塗法之材料，可列舉：酚醛清漆樹脂、丙烯酸系樹脂、酚系樹脂等。將該等樹脂溶解於溶劑而形成溶液，藉由旋轉器等將該溶液旋轉塗佈至基板10之後，以200℃以上，較佳為200~300℃之溫度加熱，藉此可成膜有機物層4。
作為旋塗用溶劑，可列舉：丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、甲基戊基酮、甲基異戊酮、1,1,1-三甲基丙酮等酮類；乙二醇、乙二醇單乙酸酯、二乙二醇或二乙二醇單乙酸酯、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、或其等之單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚或單苯醚等多元醇類及其衍生物；如二烷般之環狀醚類；或者乳酸乙酯、乙酸甲 酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯等酯類。其等可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。
然後，如圖2(B)所示，對有機物層4之上塗佈奈米壓印用組合物，較佳為形成厚度0.02~1.0μm之奈米壓印用組合物之樹脂層2。作為塗佈奈米壓印用組合物之方法，可列舉：旋塗法、噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法等。
於本發明中，如圖2(B)所示，亦可對模具3之表面31塗佈脫模劑，形成脫模層。此處，作為塗佈至模具之表面之脫模劑，可列舉：矽系脫模劑、氟系脫模劑、聚乙烯系脫模劑、聚丙烯系脫模劑、石蠟系脫模劑、褐煤系脫模劑、巴西棕櫚系脫模劑等。例如，亦可較佳使用Daikin工業(股)製造之OPTOOL DSX等市售之塗佈型脫模劑。再者，脫模劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。其等中，尤佳為氟系脫模劑。
其次，如圖2(C)所示，將形成有凹凸構造之特定圖案之模具3，與樹脂層2相對向地壓抵於積層有有機物層4及樹脂層2之基板10，使樹脂層2配合模具3之凹凸構造之圖案而變形。
模具3之按壓時之壓力較佳為10MPa以下，更佳為5MPa以下，尤佳為1MPa以下。
藉由與樹脂層2相對向地按壓模具3，將位於模具3之凸部之奈米壓印用組合物容易地推開至模具3之凹部之側，從而將模具3之凹凸構造轉印至樹脂層2。
然後，如圖2(D)所示，於按壓模具3之狀態下，對樹脂層2進行曝光。具體而言，對樹脂層2照射紫外線(UV)等電磁波(以箭頭圖示)。藉由曝光，於按壓模具3之狀態下使樹脂層2硬化，於有機物層4之上形成包含轉印有模具3之凹凸構造之樹脂層2之抗蝕劑膜。再者，模具 3對所照射之電磁波具有透過性。
然後，如圖2(E)所示，自基板10及樹脂層2剝離模具3。藉此，硬化狀態之樹脂層2於有機物層4之上得以圖案化。
然後，如圖2(F)所示，藉由對形成有經圖案化之樹脂層2之基板10照射O2系電漿及/或反應性離子(以箭頭圖示)，利用蝕刻去除露出於樹脂層2之開口部分(模具3之凸部接觸而形成之部分)之有機物層4。藉此，形成有特定之圖案之有機物層4於基板10之上得以圖案化。
然後，如圖2(G)所示，於去除樹脂層2之後，對形成有經圖案化之有機物層4之基板10照射鹵素系電漿及/或反應性離子(以箭頭圖示)，藉此利用蝕刻去除露出於有機物層4之開口部分(對應於模具3之凸部之部分)之基板1至特定深度。
然後，如圖2(H)所示，於基板10之蝕刻結束後，去除存在於基板10上之有機物層4。自基板10去除多餘有機物層4之方法並無特別限定，例如可列舉使用能夠溶解有機物層4之溶液，洗淨基板10之處理等。
根據以上說明之第2圖案形成方法，即便於奈米壓印用組合物與基板之、對O2系電漿及/或反應性離子之蝕刻速率無充分之差之情形時，亦能夠將圖案轉印至對鹵素系電漿及/或反應性離子之蝕刻速率與基板相比充分小之有機物層，將有機物層作為遮罩對基板進行蝕刻，藉此能夠於基板簡便並且確實地形成所需之圖案。
[實施例]
以下，藉由實施例更具體地對本發明進行說明，但本發明並不限定於以下之實施例。
≪實施例1：奈米壓印用組合物1≫
對將3質量份之下述高分子化合物(A)-1與97質量份之下述高分子化合物(B1)-1混合而成之樹脂成分100質量份混合1質量份之下述化合 物(C)-1與1質量份之下述高分子化合物(F)-1(30%PGMEA供給品)，製備奈米壓印用組合物1。
≪比較例1：奈米壓印用組合物2≫
使用1質量份之添加劑1(商品名：BYK-UV3500，BYK-Chemie公司製造)作為添加劑成分，來代替高分子化合物(F)-1，除此以外與上述奈米壓印用組合物1同樣地製備奈米壓印用組合物2。
≪比較例2：奈米壓印用組合物3≫
使用1質量份之添加劑2(商品名：BYK-3560，BYK-Chemie公司製造)作為添加劑成分，來代替高分子化合物(F)-1，除此以外與上述奈米壓印用組合物1同樣地製備奈米壓印用組合物3。
[溶解性評價]
針對上述奈米壓印用組合物1~3，評價添加劑成分(上述高分子化合物(F)-1、添加劑1~2)向樹脂成分之溶解性。將樹脂成分與添加劑成分溶解者設為「A」，將未溶解者設為「C」，記載於表1。
[接觸角提高能力評價]
針對奈米壓印用組合物1及2，測定調配添加劑成分前後之接觸角，依照以下順序評價調配添加劑成分前後之接觸角提高能力。
順序(1)：將調配添加劑成分前後之奈米壓印用組合物1或2分別使用旋轉器塗佈至矽基板上，形成膜厚約50nm之奈米壓印用組合物膜。
順序(2)：將水2μL滴至藉由順序(1)獲得之奈米壓印用組合物膜之表面，藉由接觸角計，測定接觸角(靜態接觸角)。
將其結果記載於表1。
如上述表1所示，採用高分子化合物(F)-1或添加劑1作為添加劑成分者之樹脂溶解性良好。
進而，採用高分子化合物(F)-1作為添加劑成分之奈米壓印用組合物1與奈米壓印用組合物2相比，接觸角提高能力優異。
≪實施例1-1~1-4、比較例3≫
針對上述奈米壓印用組合物1，製備將高分子化合物(F)-1之調配量設為下述表2所示之調配量之奈米壓印用組合物1-1~1-4。
進而，除不調配高分子化合物(F)-1以外，係與奈米壓印用組合物1同樣地製備奈米壓印用組合物4。
[接觸角提高能力評價]
針對奈米壓印用組合物1-1~1-4、4，依照以下順序評價接觸角。
順序(1)：將奈米壓印用組合物1-1~1-4、4分別使用旋轉器塗佈至矽基板上，形成膜厚約50nm之奈米壓印用組合物膜。
順序(2)：將水2μL滴至藉由順序(1)獲得之奈米壓印用組合物膜之表面，藉由接觸角計，測定接觸角(靜態接觸角)。
將其結果記載於表2。
[模具脫模性]
(利用奈米壓印用組合物之圖案形成)
將奈米壓印用組合物1-1~1-4、4分別使用旋轉器(2000rpm)塗佈至矽基板上，形成膜厚約50nm之奈米壓印用組合物膜。
然後，使用NANOIMPRINTER ST2000(東芝機械製造)，於室溫(25℃)下，將凹型之石英模具以0.5MPa之加壓壓力壓抵於上述奈米壓印用組合物膜30秒鐘。繼而，於壓抵模具之狀態下，藉由ST2000附帶之i-Line LED，以10mW/cm2進行30秒鐘之曝光，將模具剝離。
此時，將模具自奈米壓印用組合物膜順利地剝離者設為「A」，將利用鑷子稍微施力而剝離者設為「B」，將無法剝離者設為「C」，記載於表2。
[表2]
如上述表2所示，於使用奈米壓印用組合物1-1~1-4之情形時，組合物膜(樹脂層)之接觸角較大，模具脫模性優異。

Claims (7)

  1. 一種奈米壓印用組合物，其特徵在於：含有具有會藉由光照射而聚合之聚合性基之矽氧烷聚合物(A)、聚合起始劑(C)、及含氟高分子化合物(F)，且上述含氟高分子化合物(F)具有以下述通式(f1-1)表示之結構單元， [式(f1-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1~5之烷基、或碳數1~5之鹵化烷基；Rf102及Rf103可相同亦可不同；nf1為1~5之整數，Rf101為含有氟原子之有機基]。
  2. 如請求項1之奈米壓印用組合物，其中上述含氟高分子化合物(F)進而具有含有脂環式烴基之結構單元。
  3. 如請求項1之奈米壓印用組合物，其中上述矽氧烷聚合物(A)係以下述通式(A1)表示之高分子化合物， [式(A1)中，R1為含有乙烯性不飽和雙鍵之基，R0為碳數1~9之伸烷基，可存在m個R0具有不同R0之情況，R2為烷基、芳基、或氫原子，可存在n個R2具有不同R2之情況，m：n為50：50~100：0之範圍]。
  4. 如請求項1之奈米壓印用組合物，其進而含有烷氧基矽烷化合物(B)，且上述烷氧基矽烷化合物(B)係以下述通式(B1)~(B3)中之任一者表示之化合物， [式(B1)中，R3及R4分別獨立地為烷基，s+t=4，t為1~4之整數，s為0~3之整數]， [式(B2)中，R5~R7分別獨立地為烷基或烷氧基，R5~R7中之至少一者為烷氧基，X為單鍵或碳數1~5之伸烷基]， [式(B3)中，R8~R9分別獨立地為烷基或烷氧基，R8~R9中之至少一者為烷氧基]。
  5. 一種奈米壓印圖案形成方法，其特徵在於具有如下步驟：對基板上塗佈如請求項1之奈米壓印用組合物，形成奈米壓印用組合物之樹脂層；將形成有特定圖案之凹凸構造之模具按壓於上述奈米壓印用組合物之樹脂層，使上述奈米壓印用組合物之樹脂層變形為上述特定圖案；及於按壓上述模具之狀態下，對上述奈米壓印用組合物之樹脂層進行曝光。
  6. 一種奈米壓印圖案形成方法，其特徵在於具有如下步驟：於無機基板上形成有機物層；對上述有機物層上塗佈如請求項1之奈米壓印用組合物，形成奈米壓印用組合物之樹脂層；將形成有特定圖案之凹凸構造之模具按壓於上述奈米壓印用組合物之樹脂層，使上述奈米壓印用組合物之樹脂層變形為上述特定圖案；及於按壓上述模具之狀態下，對上述奈米壓印用組合物之樹脂層進行曝光。
  7. 如請求項5之奈米壓印圖案形成方法，其進而具有如下步驟，即，將變形為上述特定圖案之奈米壓印用組合物之樹脂層作為遮罩，進行蝕刻。
TW105111685A 2015-04-15 2016-04-14 奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法 TWI664239B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015083209A JP6484493B2 (ja) 2015-04-15 2015-04-15 ナノインプリント用組成物及びナノインプリントパターン形成方法
JP2015-083209 2015-04-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201702314A true TW201702314A (zh) 2017-01-16
TWI664239B TWI664239B (zh) 2019-07-01

Family

ID=57129759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105111685A TWI664239B (zh) 2015-04-15 2016-04-14 奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9746766B2 (zh)
JP (1) JP6484493B2 (zh)
KR (1) KR102542219B1 (zh)
TW (1) TWI664239B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6320530B2 (ja) * 2014-07-09 2018-05-09 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
KR101892553B1 (ko) * 2014-07-09 2018-08-28 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
US20170066208A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10488753B2 (en) 2015-09-08 2019-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography
US10134588B2 (en) 2016-03-31 2018-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10620539B2 (en) 2016-03-31 2020-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10095106B2 (en) 2016-03-31 2018-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10509313B2 (en) 2016-06-28 2019-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10317793B2 (en) * 2017-03-03 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography
JP7175092B2 (ja) * 2018-03-16 2022-11-18 東京応化工業株式会社 光硬化性組成物及びパターン形成方法
CN110804330A (zh) * 2019-11-18 2020-02-18 泰州清润环保科技有限公司 一种超疏水涂料改性添加剂
JP7458909B2 (ja) 2020-06-10 2024-04-01 東京応化工業株式会社 光硬化性組成物及びパターン形成方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5172494B2 (ja) * 2008-06-23 2013-03-27 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素高分子化合物
JP2010006870A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Fujifilm Corp ナノインプリント用硬化性組成物、硬化物およびその製造方法
JP5398194B2 (ja) * 2008-07-09 2014-01-29 東京応化工業株式会社 レジスト用重合体、レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5052534B2 (ja) * 2009-01-08 2012-10-17 株式会社ブリヂストン 光硬化性転写シート、及びこれを用いた凹凸パターンの形成方法
JP5560049B2 (ja) * 2009-06-17 2014-07-23 東京応化工業株式会社 ナノインプリント用組成物およびパターン形成方法
JP5873250B2 (ja) * 2011-04-27 2016-03-01 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5898985B2 (ja) * 2011-05-11 2016-04-06 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5815430B2 (ja) * 2012-01-31 2015-11-17 株式会社ニューギン 遊技機
JP5959865B2 (ja) * 2012-02-09 2016-08-02 キヤノン株式会社 光硬化物及びその製造方法
JP5846974B2 (ja) * 2012-03-13 2016-01-20 富士フイルム株式会社 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン
SG11201510349TA (en) * 2013-06-19 2016-01-28 Ev Group E Thallner Gmbh Embossing Material For Embossing Lithography

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160123240A (ko) 2016-10-25
KR102542219B1 (ko) 2023-06-12
JP2016207685A (ja) 2016-12-08
JP6484493B2 (ja) 2019-03-13
US20160306276A1 (en) 2016-10-20
TWI664239B (zh) 2019-07-01
US9746766B2 (en) 2017-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI664239B (zh) 奈米壓印用組合物及奈米壓印圖案形成方法
US9499646B2 (en) Negative resist composition, method of forming resist pattern and complex
TWI585178B (zh) 壓印用密合膜之製造方法及圖案形成方法
CN107112440B (zh) 装置的光刻图案化
TWI626276B (zh) 光壓印用硬化性組成物、圖案形成方法、及半導體裝置的製造方法
US9442371B2 (en) Method of producing structure containing phase-separated structure, method of forming pattern and method of forming fine pattern
JP5499596B2 (ja) パターン形成方法及び半導体素子
TW200804991A (en) Method for pattern formation and high-carbon-containing resin composition
US20200109305A1 (en) Kit, laminate, method for producing laminate, method for producing cured product pattern, and method for producing circuit board
CN107251190B (zh) 电子装置的光刻图案化
TW201234109A (en) Compositions comprising base-reactive component and processes for photolithography
JP7175092B2 (ja) 光硬化性組成物及びパターン形成方法
TWI645252B (zh) 壓印用光硬化性組成物、圖案形成方法及元件製造方法
US9618845B2 (en) Method for forming resist pattern, resist pattern splitting agent, split pattern improving agent, resist pattern splitting material, and positive resist composition for forming split pattern
JP6084055B2 (ja) インプリントによるパターン形成方法
TWI644958B (zh) Resin composition, resist mask for dry etching, and pattern forming method
TWI643893B (zh) 光壓印用硬化性組成物、圖案形成方法及圖案
JP4736522B2 (ja) エッチング処理された処理基板の製造方法
TWI662087B (zh) 光壓印用硬化性組成物、圖案形成方法及圖案
TW201920504A (zh) 壓印用下層膜形成用組成物、套組、壓印用硬化性組成物、積層體、積層體的製造方法、硬化物圖案的製造方法及電路基板的製造方法
JP2013108034A (ja) 被膜形成材料及びパターン形成方法
TWI815981B (zh) 多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法
TW200530756A (en) A low outgassing and non-crosslinking series of polymers for euv negative tone photoresists
JP2022170092A (ja) パターン形成方法
JP2021197379A (ja) 光硬化性組成物及びパターン形成方法