JPH07201903A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング方法Info
- Publication number
- JPH07201903A JPH07201903A JP5351862A JP35186293A JPH07201903A JP H07201903 A JPH07201903 A JP H07201903A JP 5351862 A JP5351862 A JP 5351862A JP 35186293 A JP35186293 A JP 35186293A JP H07201903 A JPH07201903 A JP H07201903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- capillary
- wire
- movement
- height position
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85186—Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定したワイヤループを形成し、製品の品質
を安定させる。 【構成】 キャピラリ１５を用いて端子部３ａと電極５
ａとの間をワイヤ１６にてボンディングするワイヤボン
ディング方法において、端子部３ａの実際の高さ方向に
おける位置Ｂを求め、求めた高さ位置Ｂと予め記憶され
ている基準高さ位置Ａとを比較し、この比較結果に基づ
いてキャピラリ１５の移動軌跡を補正するものである。
を安定させる。 【構成】 キャピラリ１５を用いて端子部３ａと電極５
ａとの間をワイヤ１６にてボンディングするワイヤボン
ディング方法において、端子部３ａの実際の高さ方向に
おける位置Ｂを求め、求めた高さ位置Ｂと予め記憶され
ている基準高さ位置Ａとを比較し、この比較結果に基づ
いてキャピラリ１５の移動軌跡を補正するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被ボンディング物にお
けるボンディング点間をキャピラリを用いてワイヤでボ
ンディングするボンディング方法に関する。
けるボンディング点間をキャピラリを用いてワイヤでボ
ンディングするボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体レーザパッケージの製造
工程においては、レーザダイオードチップ等の半導体ペ
レットがステム上に搭載された後、ステムに設けられた
端子部と半導体ペレットの電極部との間がワイヤにてボ
ンディングされる。
工程においては、レーザダイオードチップ等の半導体ペ
レットがステム上に搭載された後、ステムに設けられた
端子部と半導体ペレットの電極部との間がワイヤにてボ
ンディングされる。
【０００３】この際のボンディング動作は、図３に示す
ように、まずキャピラリ１をステム２に支持された端子
棒３の端子部３ａの上方より下動させてこの端子部３ａ
にワイヤ４の一端をボンディング（第１ボンディング）
し、次にキャピラリ１を半導体ペレット５の電極５ａに
移動させこの電極５ａにワイヤの他端をボンディング
（第２ボンディング）し、両者間にワイヤループＬ１を
形成するものである。
ように、まずキャピラリ１をステム２に支持された端子
棒３の端子部３ａの上方より下動させてこの端子部３ａ
にワイヤ４の一端をボンディング（第１ボンディング）
し、次にキャピラリ１を半導体ペレット５の電極５ａに
移動させこの電極５ａにワイヤの他端をボンディング
（第２ボンディング）し、両者間にワイヤループＬ１を
形成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来このよ
うなワイヤボンディング動作においては、予め設定した
移動パターンに従ってキャピラリ１を移動させることで
理想的なワイヤループＬ１を形成するようになっている
ため、ボンディング点の高さ方向の位置が基準位置と相
違していた場合に、正常なワイヤループが形成できず、
ショート等の不良を引き起こす原因となり、製品の品質
を安定させることができない、という問題を生じてい
た。一例を示すと次の如くである。今、第１ボンディン
グ後のキャピラリ１の上昇量が所定値ｈに設定されてい
たとする。ところが、図３にて二点鎖線で示すように、
装着精度の悪さなどが起因して端子部３ａの表面高さ位
置が正規の基準位置より下方へ距離Δｈだけ変位してい
た場合、第１ボンディング後のキャピラリ１の上昇位置
は、この変位量Δｈ分だけ正規の上昇位置Ｈよりも低く
なってしまう。このため、端子部３ａと電極５ａとの間
に形成されるワイヤループＬ２は、正常なワイヤループ
Ｌ１に比べてループ高さが低くなり、上記した欠点を有
することになる。
うなワイヤボンディング動作においては、予め設定した
移動パターンに従ってキャピラリ１を移動させることで
理想的なワイヤループＬ１を形成するようになっている
ため、ボンディング点の高さ方向の位置が基準位置と相
違していた場合に、正常なワイヤループが形成できず、
ショート等の不良を引き起こす原因となり、製品の品質
を安定させることができない、という問題を生じてい
た。一例を示すと次の如くである。今、第１ボンディン
グ後のキャピラリ１の上昇量が所定値ｈに設定されてい
たとする。ところが、図３にて二点鎖線で示すように、
装着精度の悪さなどが起因して端子部３ａの表面高さ位
置が正規の基準位置より下方へ距離Δｈだけ変位してい
た場合、第１ボンディング後のキャピラリ１の上昇位置
は、この変位量Δｈ分だけ正規の上昇位置Ｈよりも低く
なってしまう。このため、端子部３ａと電極５ａとの間
に形成されるワイヤループＬ２は、正常なワイヤループ
Ｌ１に比べてループ高さが低くなり、上記した欠点を有
することになる。
【０００５】本発明は、安定したワイヤループを形成
し、製品の品質を安定させることができるワイヤボンデ
ィング方法を提供することを目的とする。
し、製品の品質を安定させることができるワイヤボンデ
ィング方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ボンディング
点の実際の高さ方向における位置を求め、求めた位置と
予め記憶されている前記ボンディング点の基準位置とを
比較し、この比較結果に基づいてキャピラリの移動軌跡
を補正することを特徴とする。
点の実際の高さ方向における位置を求め、求めた位置と
予め記憶されている前記ボンディング点の基準位置とを
比較し、この比較結果に基づいてキャピラリの移動軌跡
を補正することを特徴とする。
【０００７】また本発明は、ボンディング点の実際の高
さ方向における位置を、ボンディング点にワイヤをボン
ディングしたときのキャピラリの位置から求めるように
したことを特徴とする。
さ方向における位置を、ボンディング点にワイヤをボン
ディングしたときのキャピラリの位置から求めるように
したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、求めたボンディング点の実際
の高さ方向における位置が基準位置と比較され、その比
較結果に基づいてキャピラリの移動軌跡が補正され、こ
の補正された移動軌跡に沿ってキャピラリは移動させら
れる。
の高さ方向における位置が基準位置と比較され、その比
較結果に基づいてキャピラリの移動軌跡が補正され、こ
の補正された移動軌跡に沿ってキャピラリは移動させら
れる。
【０００９】また、ボンディング点の実際の高さ方向に
おける位置は、キャピラリの位置検出機構の出力値に基
づいて検出される。
おける位置は、キャピラリの位置検出機構の出力値に基
づいて検出される。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面を用いて説明する。図
１は本発明を適用したワイヤボンディング装置の構成
図、図２は図１に示したワイヤボンディング装置の動作
を示す図である。
１は本発明を適用したワイヤボンディング装置の構成
図、図２は図１に示したワイヤボンディング装置の動作
を示す図である。
【００１１】図において、ボンディング装置１０は、Ｘ
Ｙテーブル１１に搭載されたボンディングヘッド１２を
有する。ボンディングヘッド１２には、駆動部１２ａに
よって揺動させられるボンディングアーム１３が設けら
れており、ボンディングアーム１３の揺動軸には、ボン
ディングアーム１３の揺動角度を検出する角度検出器１
４が設けられる。ボンディングアーム１３の先端部には
キャピラリ１５が装着されており、このキャピラリ１５
に不図示の供給手段から供給されたワイヤ１６が挿通支
持される。
Ｙテーブル１１に搭載されたボンディングヘッド１２を
有する。ボンディングヘッド１２には、駆動部１２ａに
よって揺動させられるボンディングアーム１３が設けら
れており、ボンディングアーム１３の揺動軸には、ボン
ディングアーム１３の揺動角度を検出する角度検出器１
４が設けられる。ボンディングアーム１３の先端部には
キャピラリ１５が装着されており、このキャピラリ１５
に不図示の供給手段から供給されたワイヤ１６が挿通支
持される。
【００１２】ボンディングヘッド１２は、制御装置１７
に接続されている。この制御装置１７は、角度検出器１
４からの出力信号に基づいてキャピラリ１５の位置を検
出する位置検出部１８と、この位置検出部１８の検出信
号に基づいて駆動部１２ａを制御する移動制御部１９
と、位置検出部１８からの検出信号と基準高さ位置設定
部２０からの信号を比較する比較部２１と、この比較部
２１からの比較結果信号に基づいてキャピラリ１５の移
動補正量を求める補正値算出部２２とを有する。
に接続されている。この制御装置１７は、角度検出器１
４からの出力信号に基づいてキャピラリ１５の位置を検
出する位置検出部１８と、この位置検出部１８の検出信
号に基づいて駆動部１２ａを制御する移動制御部１９
と、位置検出部１８からの検出信号と基準高さ位置設定
部２０からの信号を比較する比較部２１と、この比較部
２１からの比較結果信号に基づいてキャピラリ１５の移
動補正量を求める補正値算出部２２とを有する。
【００１３】なお、移動制御部１９は記憶部２３を有
し、この記憶部２３にはステム２に対して端子棒３が正
規の位置に装着された場合におけるキャピラリの移動軌
跡が予め記憶され、また基準高さ位置設定部２０には、
同場合における端子棒３の端子部３ａ上面の高さ方向位
置Ａ（図２参照）を示す相当値が設定される。
し、この記憶部２３にはステム２に対して端子棒３が正
規の位置に装着された場合におけるキャピラリの移動軌
跡が予め記憶され、また基準高さ位置設定部２０には、
同場合における端子棒３の端子部３ａ上面の高さ方向位
置Ａ（図２参照）を示す相当値が設定される。
【００１４】次に、上記した装置構成の作動について説
明する。
明する。
【００１５】まず図２に示すように、キャピラリ１５か
ら導出されたワイヤ１６の先端部に、公知の放電手段に
よってボール１６ａを形成する。
ら導出されたワイヤ１６の先端部に、公知の放電手段に
よってボール１６ａを形成する。
【００１６】次に、移動制御部１９の制御下において、
キャピラリ１５は端子棒３の端子部３ａに向けて下降
し、端子部３ａ上にボール１６ａをボンディングする。
このとき、位置検出部１８では角度検出器１４の出力値
に基づき、キャピラリ１５のボンディング高さ位置、す
なわち端子部３ａ上面（ボンディング点）の実際の高さ
位置Ｂが求められる。そして、この求められた実際の高
さ位置Ｂは、比較部２１において、基準高さ位置設定部
２０に予め設定されている基準高さ位置Ａ相当値と比較
され、その比較結果は補正値算出部２２に送られ、そし
て補正値算出部２２にて補正値Δｈ´が算出される。移
動制御部１９は、記憶部２３に記憶されたキャピラリ１
５の上昇量ｈを補正値Δｈ´に基づいて補正するととも
に、補正後の上昇量ｈ１を求める。例えば図示の場合で
は、予め設定された上昇量ｈに補正値Δｈ´を単純に加
えた値を補正後の上昇量ｈ１としている。そこで移動制
御部１９は、補正された上昇量ｈ１に従ってキャピラリ
１５を上昇させて正規の上昇位置Ｈに位置付けるととも
に、その後、電極５ａ上に移動させてワイヤ１６の他端
をこの電極５ａにボンディングし、ワイヤループＬを形
成する。この後は、従来と同様にキャピラリ１５が上昇
するとともに、不図示のクランパの作動によりワイヤ１
４がボンディング部より切断され１サイクルのボンディ
ング動作が完了する。
キャピラリ１５は端子棒３の端子部３ａに向けて下降
し、端子部３ａ上にボール１６ａをボンディングする。
このとき、位置検出部１８では角度検出器１４の出力値
に基づき、キャピラリ１５のボンディング高さ位置、す
なわち端子部３ａ上面（ボンディング点）の実際の高さ
位置Ｂが求められる。そして、この求められた実際の高
さ位置Ｂは、比較部２１において、基準高さ位置設定部
２０に予め設定されている基準高さ位置Ａ相当値と比較
され、その比較結果は補正値算出部２２に送られ、そし
て補正値算出部２２にて補正値Δｈ´が算出される。移
動制御部１９は、記憶部２３に記憶されたキャピラリ１
５の上昇量ｈを補正値Δｈ´に基づいて補正するととも
に、補正後の上昇量ｈ１を求める。例えば図示の場合で
は、予め設定された上昇量ｈに補正値Δｈ´を単純に加
えた値を補正後の上昇量ｈ１としている。そこで移動制
御部１９は、補正された上昇量ｈ１に従ってキャピラリ
１５を上昇させて正規の上昇位置Ｈに位置付けるととも
に、その後、電極５ａ上に移動させてワイヤ１６の他端
をこの電極５ａにボンディングし、ワイヤループＬを形
成する。この後は、従来と同様にキャピラリ１５が上昇
するとともに、不図示のクランパの作動によりワイヤ１
４がボンディング部より切断され１サイクルのボンディ
ング動作が完了する。
【００１７】上記実施例によれば、端子部３ａの上面の
実際の高さ位置Ｂが基準位置Ａに対してずれていた場
合、このずれ状態に応じてキャピラリ１５の補正移動量
が補正値算出部２２で算出され、この補正移動量に基づ
いてキャピラリ１５の移動が制御されることとなる。従
って、端子部３ａの高さ位置に関するばらつきの影響を
受けることなく、安定したワイヤループＬを形成するこ
とができる。よって、製品の品質を安定して得ることが
できる。
実際の高さ位置Ｂが基準位置Ａに対してずれていた場
合、このずれ状態に応じてキャピラリ１５の補正移動量
が補正値算出部２２で算出され、この補正移動量に基づ
いてキャピラリ１５の移動が制御されることとなる。従
って、端子部３ａの高さ位置に関するばらつきの影響を
受けることなく、安定したワイヤループＬを形成するこ
とができる。よって、製品の品質を安定して得ることが
できる。
【００１８】なお、上記実施例においては、補正後のキ
ャピラリ１５の上昇量ｈ１を、端子部３ａの実際の高さ
位置と基準位置とのずれ量Δｈ´に基づいて求める例を
説明したが、端子部３ａの高さ位置に応じた何種類かの
キャピラリ１５の移動情報を例えば移動制御部１９の記
憶部２３に予め設定しておき、検出された端子部３ａの
高さ位置Ｂに最も適したキャピラリ１５の移動情報を記
憶部２３より選択して呼び出し、この呼び出した移動情
報に基づいてキャピラリ１５の移動制御を行なうように
してもよい。
ャピラリ１５の上昇量ｈ１を、端子部３ａの実際の高さ
位置と基準位置とのずれ量Δｈ´に基づいて求める例を
説明したが、端子部３ａの高さ位置に応じた何種類かの
キャピラリ１５の移動情報を例えば移動制御部１９の記
憶部２３に予め設定しておき、検出された端子部３ａの
高さ位置Ｂに最も適したキャピラリ１５の移動情報を記
憶部２３より選択して呼び出し、この呼び出した移動情
報に基づいてキャピラリ１５の移動制御を行なうように
してもよい。
【００１９】また、上記実施例においては、半導体レー
ザパッケージの製造工程において、位置ずれの大きい端
子部３ａの位置情報に基づいてキャピラリ１５の移動軌
跡を補正するようにしたが、電極５ａの実際の位置情報
に基づいても補正するようにすればより好ましい。この
場合、製造工程中の１ロット内におけるずれ状態は同一
傾向を示すことが経験上明らかであることから、例えば
初回或いは今回のボンディング作業時に、端子部３ａの
実際の高さ位置Ｂに加えて電極５ａの高さ位置も検出
し、両者の検出値より最適なキャピラリの移動情報を求
め、または予め設定されている記憶部より選択して呼び
出し、以後のボンディング動作時には、この移動情報に
基づいてキャピラリ１５の移動制御を行なうようにして
もよい。
ザパッケージの製造工程において、位置ずれの大きい端
子部３ａの位置情報に基づいてキャピラリ１５の移動軌
跡を補正するようにしたが、電極５ａの実際の位置情報
に基づいても補正するようにすればより好ましい。この
場合、製造工程中の１ロット内におけるずれ状態は同一
傾向を示すことが経験上明らかであることから、例えば
初回或いは今回のボンディング作業時に、端子部３ａの
実際の高さ位置Ｂに加えて電極５ａの高さ位置も検出
し、両者の検出値より最適なキャピラリの移動情報を求
め、または予め設定されている記憶部より選択して呼び
出し、以後のボンディング動作時には、この移動情報に
基づいてキャピラリ１５の移動制御を行なうようにして
もよい。
【００２０】また、上記実施例においては、ボンディン
グアーム１３の角度検出器１４の検出信号に基づいて端
子部３ａの実際の高さ位置Ｂを求めるようにしたが、こ
の高さ検出手段は他の手段によるものであってもよい。
例えば、非接触型の位置検出器にてボンディングアーム
１３の揺動量を検出するようにしてもよい。さらには、
非接触型の距離測定センサを用いてボンディング動作直
前に端子部３ａの実際の高さ位置を直接検出するように
してもよい。この時、電極５ａの高さ位置も同時に検出
し、端子部３ａと電極５ａとの高さ位置に基づいてキャ
ピラリ１５の移動制御を行なうことも可能である。
グアーム１３の角度検出器１４の検出信号に基づいて端
子部３ａの実際の高さ位置Ｂを求めるようにしたが、こ
の高さ検出手段は他の手段によるものであってもよい。
例えば、非接触型の位置検出器にてボンディングアーム
１３の揺動量を検出するようにしてもよい。さらには、
非接触型の距離測定センサを用いてボンディング動作直
前に端子部３ａの実際の高さ位置を直接検出するように
してもよい。この時、電極５ａの高さ位置も同時に検出
し、端子部３ａと電極５ａとの高さ位置に基づいてキャ
ピラリ１５の移動制御を行なうことも可能である。
【００２１】また上記実施例では、本発明を半導体レー
ザパッケージに対するワイヤボンディング作業に適用し
た例を示したが、リードフレーム等の上にダイボンディ
ングされた半導体ペレットに対してボンディング作業す
る場合においても適用することは可能である。
ザパッケージに対するワイヤボンディング作業に適用し
た例を示したが、リードフレーム等の上にダイボンディ
ングされた半導体ペレットに対してボンディング作業す
る場合においても適用することは可能である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、安定したワイヤループ
を形成し、製品の品質を安定させることができる。
を形成し、製品の品質を安定させることができる。
【図１】本発明を適用したワイヤボンディング装置の構
成図である。
成図である。
【図２】図１に示したワイヤボンディング装置の動作を
示す図である。
示す図である。
【図３】従来のボンディング動作を示す図である。
３ 端子棒 ３ａ 端子部 ５ 半導体ペレット ５ａ 電極 １０ ボンディング装置 １２ ボンディングヘッド １４ 角度検出器 １５ キャピラリ １６ ワイヤ １７ 制御装置 １８ 位置検出部 １９ 移動制御部 ２０ 基準高さ位置設定部 ２１ 比較部 ２２ 補正値算出部 ２３ 記憶部 Ａ 基準高さ位置 Ｂ 実際の高さ位置 ｈ 基準上昇量 Δｈ´ 補正値 ｈ１ 補正後の上昇量
Claims (2)
- 【請求項１】 被ボンディング物におけるボンディング
点間にてキャピラリを移動させ、このキャピラリに保持
されたワイヤを用いて両ボンディング点間をボンディン
グするワイヤボンディング方法において、前記ボンディ
ング点の実際の高さ方向における位置を求め、求めた位
置と予め記憶されている前記ボンディング点の基準位置
とを比較し、この比較結果に基づいて前記キャピラリの
移動軌跡を補正することを特徴とするワイヤボンディン
グ方法。 - 【請求項２】 被ボンディング物におけるボンディング
点間にてキャピラリを移動させ、このキャピラリに保持
されたワイヤを用いて両ボンディング点間をボンディン
グするワイヤボンディング方法において、一方のボンデ
ィング点にワイヤをボンディングしたときの前記キャピ
ラリの位置から前記一方のボンディング点の実際の高さ
方向の位置を求め、求めた位置と予め記憶されている前
記一方のボンディング点の基準位置とを比較し、この比
較結果に基づいて前記被ボンディング物における他方の
ボンディング点へ前記キャピラリが移動する際の移動軌
跡を補正することを特徴とするワイヤボンディング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351862A JPH07201903A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5351862A JPH07201903A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201903A true JPH07201903A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18420125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5351862A Pending JPH07201903A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004090636A1 (en) * | 2003-04-14 | 2004-10-21 | Minuta Technology Co. Ltd. | Resin composition for mold used in forming micropattern, and method for fabricating organic mold therefrom |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5351862A patent/JPH07201903A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004090636A1 (en) * | 2003-04-14 | 2004-10-21 | Minuta Technology Co. Ltd. | Resin composition for mold used in forming micropattern, and method for fabricating organic mold therefrom |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950009619B1 (ko) | 반도체장치의 와이어 본딩방법 | |
| JPS60223137A (ja) | 増加したボンデイング表面積を有するリ−ドワイヤボンデイング | |
| US6467678B2 (en) | Wire bonding method and apparatus | |
| US5443200A (en) | Bonding apparatus and bonding method | |
| JP2506958B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPH07201903A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP3152764B2 (ja) | ワイヤボンダ− | |
| KR19980019578A (ko) | 반도체 패키지 제조용 디스펜서의 니들 원점 보정장치 (needle origin correcting device of a dispenser) | |
| JPS6341215B2 (ja) | ||
| JPS593850B2 (ja) | 半導体ワイヤ−ボンディング装置 | |
| JPS5826524Y2 (ja) | ハンドウタイワイヤボンダソウチ | |
| JPH11191568A (ja) | ワイヤボンディング方法及び装置 | |
| JP2002076049A (ja) | ワイヤボンディング装置及び電気部品の製造方法 | |
| US5121870A (en) | Method for reducing time to place a tool onto a workpiece | |
| JP3817021B2 (ja) | ワイヤボンディング装置のボンディングレベル設定方法 | |
| JPH02155247A (ja) | ワイヤボンデイング装置のヘッド制御方法 | |
| JP2676446B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH0666371B2 (ja) | ワイヤボンディング検査方法 | |
| KR19990081015A (ko) | 와이어 본딩 장치 및 그 제어 방법 | |
| JPH08236573A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPS61190953A (ja) | ワイヤボンダ | |
| JPH0124931Y2 (ja) | ||
| JPH03116742A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| KR850000989B1 (ko) | 와이어 본딩(Bonding) 방법 | |
| JPS61111554A (ja) | 超音波ワイヤボンデイング装置 |