JP2506958B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

Info

Publication number
JP2506958B2
JP2506958B2 JP18430988A JP18430988A JP2506958B2 JP 2506958 B2 JP2506958 B2 JP 2506958B2 JP 18430988 A JP18430988 A JP 18430988A JP 18430988 A JP18430988 A JP 18430988A JP 2506958 B2 JP2506958 B2 JP 2506958B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
bonding
wire
speed
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP18430988A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0233943A (ja
Inventor
和幸 船津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP18430988A priority Critical patent/JP2506958B2/ja
Priority to US07/381,249 priority patent/US5011061A/en
Publication of JPH0233943A publication Critical patent/JPH0233943A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2506958B2 publication Critical patent/JP2506958B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • B23K20/005Capillary welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3511Warping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路装置を製造する際に用いられ
るワイヤボンディング装置に関するものである。
従来の技術 従来より半導体集積回路装置のうちハイブリッド集積
回路装置は、セラミック基板やガラス強化エポキシ基板
の上に半導体チップを載せ、基板の配線部分と半導体チ
ップをワイヤボンディングすることによって半導体チッ
プと基板の配線部分を接続している。
このワイヤボンディングの工程について以下説明をす
る。まず中空のキャピラリに金線を通し、キャピラリの
先端より少し金線の先端を突出させる。そしてキャピラ
リの先端より突出した金線の部分を放電によって溶融
し、ボール状にする。この金線の先端のボール状の部分
がキャピラリの先端より突出した状態でキャピラリの先
端を半導体チップのボンディング面に押し付ける。キャ
ピラリの先端を半導体チップのボンディング面に押し付
けたままキャピラリに超音波振動を加える。するとキャ
ピラリの先端より突出した金線は半導体チップとの摩擦
熱によって溶解し接合される。この状態でキャピラリを
一旦持ち上げ、基板の配線部分の上に移動させる。そし
てキャピラリを基板の配線部分に押し付け再びキャピラ
リに超音波振動を加える。するとキャピラリの先端より
突出した金線は基板の配線部分との摩擦熱によって溶解
し接合される。これによって半導体チップと基板の配線
部分の接続がなされる。次にキャピラリを基板の配線部
分より持ち上げ、キャピラリの先端より突出した金線を
切断する。そして金線のキャピラリの先端より突出した
部分を放電によって溶融し、金線の先端をボール状にす
る。そして以下上記の動作を繰り返して、半導体チップ
と基板の配線部分の接続を行なう。
以上のボンディング動作において、キャピラリが金線
をボンディング面に押し付ける荷重はボンディングの品
質に大きな影響を与える。例えば押し付け荷重が大きく
過ぎると、金線の先端のボール状の部分が大きくつぶれ
隣接した部分と接触し、短絡する場合がある。また半導
体チップのボンンディング面を傷付ける場合がある。そ
して押し付け荷重が小さ過ぎると、ボンディングが不十
分となって金線がボンディング部分より外れることがあ
った。
一方、キャピラリの下降動作はキャピラリの先端のワ
イヤがボンディング面に接触するまではボンディング作
業に直接関係する時間ではないので、キャピラリを途中
まで高速で下降させてボンディング作業に要する時間の
短絡を図っていた。この場合、基板は反りを有していた
り、厚みにばらつきがあるので、その分の余裕をとっ
て、キャピラリの下降速度を高速から低速に変更する高
度を予め設定しておき、その固定された高さまでは高速
でキャピラリを下降させ、その後低速で降下させてキャ
ピラリの先端のワイヤをボンディング面に接触させてい
た。これはキャピラリを高速でボンディング面に衝突さ
せないためである。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来のキャピラリの降下速度の変更高
度は、ボンディング面の高度に関わらず一定であるた
め、ボンディング面の高度によっては、また高速でキャ
ピラリを降下させることができる部分でも低速で降下さ
せることになっていた。
これは更なるボンディング作業時間の短縮の障害とな
っている。
本発明は、この点に鑑み、ボンディング面の高度に応
じて、キャピラリの降下速度の変更高度を変えて、更な
るボンディング時間の短縮を図ったボンディング装置及
びボンディング方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この課題を解決するために本発明は、ボンディング面
にワイヤを圧接するキャピラリと、前記キャピラリを降
下させる際の、速度を高速から低速に変更すべき高さに
対応するデータを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に
記憶されているデータに対応する高度まで前記キャピラ
リを所定の速度で降下させ、それ以降前記キャピラリが
ボンディング面に当たるまで前記キャピラリを前記所定
の速度より低い速度で降下させるよう制御される駆動モ
ータと、前記キャピラリの先端のワイヤがボンディング
面に当った際の前記キャピラリの高度に基づくデータに
前記記憶手段に記憶されたデータを更新する制御手段と
を有し、ボンディング動作における前記キャピラリの先
端のワイヤのボンディング面への接触高度に基づいて前
記記憶手段に記憶したデータを更新しながら複数箇所の
ボンディング作業を行うことを特徴とするワイヤボンデ
ィング装置という構成でなる。
また、本発明は、記憶手段に記憶されたデータに対応
する高さまでキャピラリを所定の速度で降下させ、前記
記憶手段に記憶されたデータに対応する高さに達した以
降は前記所定の速度よりも遅い速度でキャピラリを降下
させ、前記所定の速度よりも遅い速度で下降中のキャピ
ラリがボンディング面に達したか否かを判別し、前記キ
ャピラリの先端のワイヤが前記ボンディング面に達した
際の前記キャピラリの高さに基づくデータに前記記憶手
段に記憶されたデータを更新し、 前記手順を繰り返すことによって複数箇所のボンディン
グ動作を行うことを特徴とするワイヤボンディング方法
という構成でなる。
作用 この構成によって本発明は、記憶手段に記憶されたキ
ャピラリの降下速度の変更高度を示すデータが逐次更新
され、複数箇所のボンディング面に対するボンディング
作業におけるキャピラリの高速降下領域を更に拡大す
る。
実施例 以下本発明のワイヤボンディング装置の一実施例につ
いて、図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例に於けるワイヤボンディン
グ装置の構成を示す機能ブロック図である。
第1図に於て1は超音波ホーンであり、この超音波ホ
ーン1は先端にキャピラリ2を有している。キャピラリ
2は中空で金線の通過孔を有している。3は超音波発振
器であり、超音波ホーン1の超音波振動子に接続されて
いる。4は高さ測定手段であり、キャピラリ2の先端の
基準位置に対する高度を測定するものである。5はデー
タ記憶手段であり、高さ測定手段4の出力データを記憶
する。6はモータ制御手段であり、データ記憶手段5に
格納されたデータに従って駆動モータ7を制御する。駆
動モータ7はキャピラリ2に連結されており、キャピラ
リ2を上下動させる。第2図は本発明のワイヤボンディ
ング装置の電気回路を示すブロック図である。8はマイ
クロコンピュータ(以下CPUと書く。)である。9は振
幅検出回路であり、キャピラリ2の振幅が所定値以下に
なった場合にそれを示す。信号を出力する。また振幅検
出回路9はCPU8の入力ポートに接続されている。10は読
みだし専用記憶装置(以下ROMと書く。)であり、CPU8
の動作手順を示すデータを格納している。11は読み書き
自在記憶装置(以下RAMと書く。)であり、CPU8の動作
中に一時的に保管すべきデータを格納する。12はモータ
駆動回路であり、CPU8の出力信号に従って駆動モータ7
に制御信号を送るものである。第4図は本発明のワイヤ
ボンディング装置の主要部の側面図である。13はキャピ
ラリ支持体であり、軸14によって本体(図示せず)に回
動自在に取り付けられている。15は軸であり、超音波ホ
ーン1を支持するホーン支持具16をボディングヘッド支
持体13に回動自在に支持している。17は予圧ばねであ
り、ホーン支持具16を第4図の左回転方向に付勢し、キ
ャピラリ2を下方に押し下げている。18はボディングヘ
ッド支持体13より突出した回動制限突起であり、19はホ
ーン支持具16に突設された棒である。20,21はそれぞれ
アームであり、ボディングヘッド支持体13に突設され、
それぞれ先端にローラ22,23を有している。24はカムで
あり、駆動モータ7に連結されている。25は基板支持台
であり、26は基板である。27は基板25の上に乗せられた
半導体チップである。基板25は反りを有しているが、第
4図では理解を助けるために基板2の反りを誇張して示
している。
以上のように構成された本発明のワイヤボンディング
装置について、第3図のフローチャートに沿って以下そ
の動作を説明する。
まずステップaで基準となる位置に対するキャピラリ
の最初の高度h0を示すデータを入力する。ステップbお
よびステップcで駆動モータ7に信号を送って駆動モー
タを高速回転させ、カム24によってボンディングヘッド
支持体13を軸14を中心に回動させることによって、キャ
ピラリ2が最初の高度h0に達するまで高速でキャピラリ
2を降ろす。ステップdで駆動モータ7に信号を送って
駆動モータを低速回転させ、キャピラリ2を低速で降下
させる。ステップeで振幅検出回路9の出力信号をチェ
ックし、キャピラリ2の振幅が所定値以下の場合はキャ
ピラリ2の先端がボンディング面に接触したと見なす。
キャピラリ2の先端がボンディング面に接触すると、ス
テップfでキャピラリ2の先端がボンディンダ面に接触
した位置の高度h1を示すデータをRAM11に格納する。ス
テップgでワイヤボンディング動作を行う。ワイヤボン
ディング動作が終了するとキャピラリ2を元の位置に戻
す。ここで1回目のワイヤボンディング作業が終了し、
以降2回目のワイヤボンディング作業に入る。ステップ
hおよびステップiでキャピラリ2が高度h1に達するま
で高速でキャピラリ2を降ろす。ステップjで駆動モー
タ7に信号を送って駆動モータを低速回転させ、キャピ
ラリ2を低速で降下させる。ステップkで振幅検出回路
9の出力信号をチェックし、キャピラリ2の振幅が所定
値以下の場合はキャピラリ2の先端がボンディング面に
接触したと見なす。ステップlでキャピラリ2の先端が
ボンディング面に接触した位置の高度h2を示すデータを
RAM11に格納する。ステップmでワイヤボンディング動
作を行い、ワイヤボンディング動作が終了するとキャピ
ラリ2を元の位置に戻す。ステップnでワイヤボンディ
ング動作をすべて終了したか否かチェックし、終了して
いなかったらステップhへ戻り、終了していたらすべて
の動作を終わる。
このようにしてワイヤボンディング動作を繰返して行
なっている間、前回のワイヤボンディング動作の際にキ
ャピラリ2が接触したボンディング面の高度を示すデー
タに基づいてキャピラリを降ろしてボンディング動作を
行なう。よって基板が大きく反っていても、ボンディン
グ面のすぐそばまでキャピラリを高速で降ろすことがで
きる。
発明の効果 以上のように本発明は、ボンディング面にワイヤを圧
接するキャピラリと、前記キャピラリを降下させる際
の、速度を高速から低速に変更すべき高さに対応するデ
ータを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶されて
いるデータに対応する高度まで前記キャピラリを所定の
速度で降下させ、それ以降前記キャピラリがボンディン
グ面に当たるまで前記キャピラリを前記所定の速度より
低い速度で降下させるよう制御される駆動モータと、前
記キャピラリの先端のワイヤがボンディング面に当った
際の前記キャピラリの高度に基づくデータに前記記憶手
段に記憶されたデータを更新する制御手段とを有し、ボ
ンディング動作における前記キャピラリの先端のワイヤ
のボンディング面への接触高度に基づいて前記記憶手段
に記憶したデータを更新しながら複数箇所のボンディン
グ作業を行うようにしたので、キャピラリの降下速度変
更高度がボンディング動作毎に更新され、高速降下領域
が拡大され、作業時間の短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のワイヤボンディング装置の一実施例に
於ける機能ブロック図、第2図は同電気回路の構成を示
すブロック図、第3図は同動作を示すフローチャート、
第4図は同要部側面図である。第5図はキャピラリーの
高さの時間特性図である。 1……超音波ホーン、2……キャピラリ 3……超音波発振器、4……高さ測定手段 5……データ記憶手段、6……モータ制御手段 7……駆動モータ、8……CPU、9……振幅検出回路 10……ROM、11……RAM 12……モータ駆動回路、13……キャピラリ支持体 14,15……軸、16……ホーン支持具 17……予圧ばね、18……回動制御突起、19……棒 20,21……アーム、22,23……ローラ 24……カム、25……基板支持台、26……基板 27……半導体チップ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ボンディング面にワイヤを圧接するキャピ
    ラリと、 前記キャピラリを降下させる際の、速度を高速から低速
    に変更すべき高さに対応するデータを記憶する記憶手段
    と、 前記記憶手段に記憶されているデータに対応する高度ま
    で前記キャピラリを所定の速度で降下させ、それ以降前
    記キャピラリがボンディング面に当たるまで前記キャピ
    ラリを前記所定の速度より低い速度で降下させるよう制
    御される駆動モータと、 前記キャピラリの先端のワイヤがボンディング面に当っ
    た際の前記キャピラリの高度に基づくデータに前記記憶
    手段に記憶されたデータを更新する制御手段と、を有
    し、ボンディング動作における前記キャピラリの先端の
    ワイヤのボンディング面への接触高度に基づいて前記記
    憶手段に記憶したデータを更新しながら複数箇所のボン
    ディング作業を行うことを特徴とするワイヤボンディン
    グ装置。
  2. 【請求項2】記憶手段に記憶されたデータに対応する高
    さまでキャピラリを所定の速度で降下させ、 前記記憶手段に記憶されたデータに対応する高さに達し
    た以降は前記所定の速度よりも遅い速度でキャピラリを
    降下させ、 前記所定の速度よりも遅い速度で下降中のキャピラリが
    ボンディング面に達したか否かを判別し、 前記キャピラリの先端のワイヤが前記ボンディング面に
    達した際の前記キャピラリの高さに基づくデータに前記
    記憶手段に記憶されたデータを更新し、 前記手順を繰り返すことによって複数箇所のボンディン
    グ動作を行うことを特徴とするワイヤボンディング方
    法。
JP18430988A 1988-07-22 1988-07-22 ワイヤボンディング装置 Expired - Fee Related JP2506958B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18430988A JP2506958B2 (ja) 1988-07-22 1988-07-22 ワイヤボンディング装置
US07/381,249 US5011061A (en) 1988-07-22 1989-07-18 Wire bonding device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18430988A JP2506958B2 (ja) 1988-07-22 1988-07-22 ワイヤボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0233943A JPH0233943A (ja) 1990-02-05
JP2506958B2 true JP2506958B2 (ja) 1996-06-12

Family

ID=16151083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18430988A Expired - Fee Related JP2506958B2 (ja) 1988-07-22 1988-07-22 ワイヤボンディング装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5011061A (ja)
JP (1) JP2506958B2 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH039540A (ja) * 1989-06-07 1991-01-17 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法
US5176311A (en) * 1991-03-04 1993-01-05 Kulicke And Soffa Investments, Inc. High yield clampless wire bonding method
US5121870A (en) * 1991-04-29 1992-06-16 Hughes Aircraft Company Method for reducing time to place a tool onto a workpiece
JP2789394B2 (ja) * 1991-05-29 1998-08-20 株式会社新川 ワイヤボンデイング方法及び装置
US5443200A (en) * 1993-10-13 1995-08-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bonding apparatus and bonding method
JP3370551B2 (ja) * 1997-04-02 2003-01-27 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びそのボンディング荷重補正方法
JP3370556B2 (ja) * 1997-05-14 2003-01-27 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びその制御方法
JPH11191568A (ja) * 1997-12-25 1999-07-13 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング方法及び装置
JP3176580B2 (ja) * 1998-04-09 2001-06-18 太陽誘電株式会社 電子部品の実装方法及び実装装置
JP3681676B2 (ja) * 2001-11-16 2005-08-10 松下電器産業株式会社 バンプボンディング方法及び装置
KR100585145B1 (ko) * 2004-06-05 2006-05-30 삼성전자주식회사 제트 레벨에 의한 리젝트 프레임 판별 시스템 및 이를 이용한 와이어 본딩 방법
KR101133131B1 (ko) * 2006-04-06 2012-04-06 삼성테크윈 주식회사 와이어본딩 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU462682A1 (ru) * 1973-02-12 1975-03-05 Предприятие П/Я Р-6707 Установка дл ультразвуковой сварки
JPS5457863A (en) * 1977-10-18 1979-05-10 Toshiba Corp Wire bonding device
US4266710A (en) * 1978-11-22 1981-05-12 Kulicke And Soffa Industries Inc. Wire bonding apparatus
JPS567441A (en) * 1979-06-29 1981-01-26 Hitachi Ltd Wire bonding device
JPS5736839A (en) * 1980-08-15 1982-02-27 Hitachi Ltd Wire bonding device
JPS5950536A (ja) * 1982-09-16 1984-03-23 Toshiba Corp ワイヤボンデイング装置
US4631685A (en) * 1984-12-07 1986-12-23 General Motors Corporation Method and apparatus for ultrasonic plastic forming and joining
JPS62188231A (ja) * 1986-02-14 1987-08-17 Toshiba Corp ボンデイング装置
JPS63194343A (ja) * 1987-02-09 1988-08-11 Toshiba Corp ワイヤボンディング装置の制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5011061A (en) 1991-04-30
JPH0233943A (ja) 1990-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2506958B2 (ja) ワイヤボンディング装置
KR950009619B1 (ko) 반도체장치의 와이어 본딩방법
US5816477A (en) Wire bonding apparatus and method
US5443200A (en) Bonding apparatus and bonding method
US20030098333A1 (en) Wire bonding device and wire bonding method
US5586713A (en) Method for wire bonding
JPH02231736A (ja) ワイヤボンデイング方法
US6164518A (en) Wire bonding method and apparatus
JP2004047665A (ja) ワイヤボンディング装置
JPS6341215B2 (ja)
JP3221191B2 (ja) ボンディング装置及びボンディング方法
JP2676446B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2860650B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2003031619A (ja) ボンディング装置およびボンディング方法
JP3002022B2 (ja) ボンディング方法
JPH07201903A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS6313344B2 (ja)
JPS6224942B2 (ja)
JPS6120342A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09186187A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH06338534A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH08236573A (ja) ワイヤボンディング装置
JP2001168136A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0831862A (ja) ワイヤボンディング装置
JPS60249340A (ja) ワイヤボンデイング方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees