JP3176580B2 - 電子部品の実装方法及び実装装置 - Google Patents

電子部品の実装方法及び実装装置

Info

Publication number
JP3176580B2
JP3176580B2 JP09733598A JP9733598A JP3176580B2 JP 3176580 B2 JP3176580 B2 JP 3176580B2 JP 09733598 A JP09733598 A JP 09733598A JP 9733598 A JP9733598 A JP 9733598A JP 3176580 B2 JP3176580 B2 JP 3176580B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
bonding
mounting
bump
ultrasonic vibration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP09733598A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11297761A (ja
Inventor
知徳 藤井
一高 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=14189624&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3176580(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP09733598A priority Critical patent/JP3176580B2/ja
Priority to TW088105036A priority patent/TW526688B/zh
Priority to EP04017118A priority patent/EP1469319B1/en
Priority to DE69928457T priority patent/DE69928457T2/de
Priority to EP04017117A priority patent/EP1486790B1/en
Priority to DE69925878T priority patent/DE69925878T2/de
Priority to US09/287,639 priority patent/US6543668B1/en
Priority to EP99106876A priority patent/EP0949670B1/en
Priority to DE69930433T priority patent/DE69930433T2/de
Publication of JPH11297761A publication Critical patent/JPH11297761A/ja
Publication of JP3176580B2 publication Critical patent/JP3176580B2/ja
Application granted granted Critical
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B23K20/023—Thermo-compression bonding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/02—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a press ; Diffusion bonding
    • B23K20/023—Thermo-compression bonding
    • B23K20/025—Bonding tips therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
    • B23K20/106—Features related to sonotrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/08—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/80—General aspects of machine operations or constructions and parts thereof
    • B29C66/83—General aspects of machine operations or constructions and parts thereof characterised by the movement of the joining or pressing tools
    • B29C66/832—Reciprocating joining or pressing tools
    • B29C66/8322—Joining or pressing tools reciprocating along one axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/81206—Direction of oscillation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の基板導
体への実装方法に関し、特にフリップチップボンディン
グを行う際のボンディングの接合の良否を検査する方法
と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品、特に半導体チップの基
板導体への高密度実装方式として、フリップチップボン
ディング方式が開発され、実用化されている。
【０００３】上記フリップチップボンディング方式は、
半導体チップの電極または基板導体の電極にバンプ（半
田バンプや金バンプ）を形成し、半導体チップの電極を
フェイスダウンで基板導体の対向する電極にバンプを介
して接合する方式であり、チップ表面の任意の位置から
電極が取り出せるので、基板導体と最短距離の接続が可
能なばかりでなく、電極数が増えてもチップサイズが大
形にならず、しかも超薄形実装ができるのが特徴であ
る。
【０００４】上記フリップチップボンディング方式にお
ける半導体チップの電極または基板導体の電極に設けた
バンプと相手側の電極との接合方法としては、半田リフ
ロー、異方導電性樹脂接続、熱圧着、超音波併用熱圧着
などが採用されている。
【０００５】この中、超音波併用熱圧着による接合方法
は、図１２のように、超音波振動発生装置８と、ホーン
７と、コレットツール６と、基板導体加熱装置４と、制
御系装置９と、からなり、フリップチップボンディング
方式の超音波併用熱圧着接続を行う電子部品である半導
体チップ３の実装装置１０における基板導体１側を基板
導体加熱装置４で加熱しながら半導体チップ３側のコレ
ットツール６に圧電素子８等によってホーン７を介して
超音波振動を加え、半導体チップ３に形成したバンプ５
と基板導体１の電極２とを拡散接合する方法である。
【０００６】この超音波併用熱圧着は他の方式と比べ
て、（イ）接合材料が不要であること、（ロ）短時間で
接続可能なこと、（ハ）比較的低温で接続可能なこと、
等のメリットがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のフリップチップボンディング方式の超音波併用熱圧
着接続方法による実装方法は、上記種々のメリットがあ
る一方で、超音波振動の伝搬が不安定で接合不良を起こ
す危険性があるという問題が生じている。これは、図１
２における従来の半導体チップ３の裏面（図の上面）と
コレットツール６の間での滑り、ホーン７からの振動の
拡散、圧電素子８の経時劣化等が原因と考えられる。
【０００８】また、フリップチップボンディング方式で
は、接合部分が外から見て半導体チップ３の裏側に隠れ
てしまうため、接合部を後から外観検査することができ
ない。したがって、上記接合不良の発生は特に重大な問
題となる。
【０００９】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、電子部品を超音波併用熱圧着接続方法にて基板導
体にフリップチップボンディングする際のボンディング
の接合状態を逐次検査しながら実装する方法及びその実
装装置を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、 （１）超音波振動発生装置と、ホーンと、コレットツー
ルと、基板導体加熱装置と、制御系装置と、からなり、
フリップチップボンディング方式の超音波併用熱圧着接
続を行う電子部品の実装装置において、電子部品の電極
または基板導体の電極に設けたバンプの沈み込み量をモ
ニタリングする高さ測定装置を前記制御系装置と連結し
て備え、前記制御系装置は前記高さ測定装置で得たバン
プの沈み込み量が所望の範囲内か否かで接合の良否判定
を行いつつ実装することを特徴とする電子部品の実装装
置を提供することにより上記目的を達成するものであ
る。
【００１１】 （２）また、上記（１）記載の電子部品の実装装置にて
電子部品を基板導体に対して降下させ、電子部品の電極
または基板導体の電極に設けたバンプが対向する相手側
の電極と接した時点から所定加重を印加し、次に所定加
重と超音波振動を所定時間印加することによるバンプの
沈み込み量を高さ測定装置にてモニタリングし、前記超
音波振動印加時のバンプの沈み込み量が所望の範囲内で
あるか否かによってフリップチップボンディング方式の
超音波併用熱圧着接続による接合の良否判定を行うこと
を特徴とする電子部品の実装方法を提供することにより
上記目的を達成するものである。
【００１２】 （３）また、上記（２）記載の電子部品の実装方法にお
いて、バンプが対向する相手側の電極と接した時点から
所定加重を所定時間印加した状態での第１段階のバンプ
の沈み込み量と、さらに超音波振動を所定時間印加する
ことによる第２段階のバンプの沈み込み量と、を高さ測
定装置にて個別にモニタリングし、前記各段階のバンプ
の沈み込み量が各々所望の範囲内であるか否かによって
フリップチップボンディング方式の超音波併用熱圧着接
続による接合の良否判定を行うことを特徴とする電子部
品の実装方法を提供することにより上記目的を達成する
ものである。
【００１３】 （４）また、超音波振動発生装置と、ホーンと、コレッ
トツールと、基板導体加熱装置と、制御系装置と、から
なり、フリップチップボンディング方式の超音波併用熱
圧着接続を行う電子部品の実装装置において、電子部品
またはバンプの振動状態をモニタリングする振動測定装
置を制御系装置と連結して備えてなることを特徴とする
電子部品の実装装置を提供することにより上記目的を達
成するものである。
【００１４】 （５）また、上記（４）記載の電子部品の実装装置にて
実装時の電子部品の振動状態を測定するとともにこれを
基準波形と比較することにより超音波振動が正常に印加
されたか否かを判定して接合の良否を検査することを特
徴とするフリップチップボンディング方式の超音波併用
熱圧着接続方法による基板導体への電子部品の実装方法
を提供することにより上記目的を達成するものである。
【００１５】 （６）また、超音波振動発生装置と、ホーンと、コレッ
トツールと、基板導体加熱装置と、制御系装置と、から
なり、フリップチップボンディング方式の超音波併用熱
圧着接続を行う電子部品の実装装置において、超音波振
動発生装置に印加される電圧または電流またはその双方
をモニタリングする測定装置を制御系装置と連結して備
えてなることを特徴とする電子部品の実装装置を提供す
ることにより上記目的を達成するものである。
【００１６】 （７）さらに、上記（６）記載の電子部品の実装装置に
て超音波振動発生装置に印加される電圧・電流を測定す
るとともにこれを基準波形と比較することにより超音波
振動が正常に印加されたか否かを判定して接合の良否を
検査することを特徴とするフリップチップボンディング
方式の超音波併用熱圧着接続方法による基板導体への電
子部品の実装方法を提供することにより上記目的を達成
するものである。
【００１７】即ち、上記（１）、（２）及び（３）は実
装時の電子部品（主に半導体チップ）のバンプの高さ変
位（沈み込み量）をモニタリングする手段、また上記
（４）、（５）は実装時の電子部品あるいはバンプの振
動状態（振幅または振動速度または振動加速度など）を
モニタリングする手段、また上記（６）、（７）は超音
波振動発生装置（主に圧電素子を利用）に印加される電
圧・電流をモニタリングする手段を用いながら接合の良
否を基準と比較しつつ実装を行うのである。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基い
て詳細に説明する。なお、従来と同等部材については同
符合にて指称する。
【００１９】図１は本発明の請求項１及び請求項２に係
わる電子部品の実装装置のシステム概念図である。
【００２０】図２はツールヘッドの高さの時間変化を表
す図であり、図３は実装時のツールヘッドの動きを説明
するための図である。
【００２１】図４はＡｕバンプの高さと基板導体の電極
との接合強度の関係を表すグラフである。
【００２２】図５はグリッドによるバンプ沈み込み量検
出手段を備えた電子部品の実装装置のシステム概念図で
ある。
【００２３】図６は静電容量の変化による沈み込み量の
検出手段を備えた電子部品の実装装置のシステム概念図
である。
【００２４】図７は本発明の請求項３及び請求項４に係
わる実装装置のシステム概念図である。
【００２５】図８は振動波形Ｗと予め設定された基準波
形Ｗ0との比較図である。
【００２６】図９は振動波形Ｗを周波数分解して各スペ
クトルを各々基準波形Ｗ0の対応する基準波スペクトル
と比較した図である。
【００２７】図１０は本発明の請求項５及び請求項６に
係わる電子部品の実装装置のシステム概念図である。
【００２８】図１１はモニタリングした圧電素子に印加
した電流波形ｉと基準電流波形ｉ0との比較図である。
【００２９】図１において、本発明の電子部品の実装装
置２０は、フリップチップボンディング方式の超音波併
用熱圧着接続を行う装置であって、超音波振動発生装置
８と、ホーン７と、コレットツール６と、基板導体加熱
装置（図示略）と、制御系装置９と、加えて上記コレッ
トツール６に吸着された電子部品としての半導体チップ
３の電極または基板導体（図示略）の電極に設けたバン
プ５の沈み込み量をモニタリングする高さ測定装置とし
てのレーザー変位計１１を前記制御系装置９と連結して
備え、前記制御系装置９は前記レーザー変位計１１で得
たバンプの沈み込み量が所望の範囲内か否かで接合の良
否判定を行いつつ実装することを特徴とする（請求項１
に対応）。
【００３０】そして上記半導体チップ３の実装装置２０
を用いた基板導体への実装は以下のステップで行なわれ
る。
【００３１】例えば、第１に、図３の（ａ）に示される
ように高さＨ＝５０μｍのバンプ５（例えばＡｕバン
プ）を電極に形成した半導体チップ３をコレットツール
のヘッド１２にて吸着して基板導体１の電極２に対向し
て下降させる。
【００３２】第２に、図３の（ｂ）に示されるように半
導体チップ３のバンプ５と基板導体１の電極２とが接し
た時点で所定加重Ｒ（バンプ５の材質・形状・大きさと
個数等によって適宜設定されるが、通常は数百ｇｗ〜１
ｋｇｗである。）を概ね数百ミリ秒印加する。この際、
前記所定加重Ｒによってバンプ５は多少潰されて沈み込
む（これを第１段階の沈み込み量Ｈ１とする）。
【００３３】第３に、図３の（ｃ）に示されるように所
定加重Ｒと超音波振動ＵＳ（横方向の振動）を所定時間
印加して半導体チップ３の電極と基板導体１の電極２と
をバンプ５の超音波併用熱圧着で接合させる。
【００３４】第４に、図３の（ｄ）に示されるようにコ
レットツールのヘッド１２を半導体チップ３から離して
上昇させるとともに、前記所定加重Ｒと超音波振動ＵＳ
を所定時間印加したことによるバンプ５の沈み込み量
（これを第２段階の沈み込み量Ｈ２とする）を図１のレ
ーザー変位計１１（高さ測定装置）にてモニタリング
し、前記バンプ５の沈み込み量Ｈ２が所望の範囲内であ
るか否かによってフリップチップボンディング方式の超
音波併用熱圧着接続による接合の良否判定を行う。
【００３５】上記実装時のコレットツールのヘッド１２
の高さ方向の動きは図２のようになっており、図３と対
応させると以下の通りである。（Ａ）はヘッド１２の下
降の段階であり、図３の（ａ）の状態に対応する。
（Ｂ）はバンプ５と相手側の基板導体１の電極２とが接
した時点から所定加重Ｒを所定時間Ｔ１印加する段階で
あり、図３の（ｂ）の状態に対応する。（Ｃ）は所定加
重Ｒと超音波振動ＵＳを所定時間Ｔ２印加する段階であ
り、図３の（ｃ）の状態に対応する。（Ｄ）は接合終了
してバンプの前記（Ｃ）の段階の沈み込み量Ｈ２をモニ
タリングして接合の良否を判定するとともにヘッド１２
を上昇させる段階であり、図３の（ｄ）の状態に対応す
る。
【００３６】ここに、バンプ５の高さの第２段階の沈み
込み量Ｈ２（換言すれば、バンプ５が所定加重Ｒと超音
波振動ＵＳを印加されて潰れることによる半導体チップ
３の基板導体に対する高さの変位量）と当該バンプ５に
よる半導体チップ３の電極と基板導体１の電極２との接
合強度は実験から図４のような関係にあることが分かっ
ている。
【００３７】そこで、例えばバンプ（Ａｕバンプ）５の
電極２への接合強度が５０ｇｆ以上を良、それ未満を不
可とする判定基準を予め設定するならば、図２の（Ｃ）
の過程での第２段階の沈み込み量Ｈ２が２５μｍ以上を
良、２５μｍ未満を否とし、先のレーザー変位計１１か
らのモニタリングデータを基に制御系装置９にて接合の
良否判定を行う（請求項２に対応）。
【００３８】上記方法によれば、接合強度５０ｇｆ以下
の製品は否となるため、不良として以後処理するか、あ
るいは再度超音波を印加して所望の沈み込み量Ｈ２が得
られれば再生することができ、これにより接合不良を後
工程に流すことなく、また製品歩留まりを上げることが
できる。
【００３９】以上のように上記実装方法は図２の（Ｃ）
の過程での第２段階の沈み込み量Ｈ２のみをモニタリン
グする方法であって、勿論このモニタリング手段でも接
合状態の良否判定に不足はないが、より精度良く良否判
定を行うには、前記第１段階の沈み込み量Ｈ１をもモニ
タリングして、第１段階の沈み込み量Ｈ１と第２段階の
沈み込み量Ｈ２の両者を接合の良否判定のデータにする
方が望ましいといえる。
【００４０】そこで、上記実装方法において、バンプ５
が対向する相手側の電極と接した時点から所定加重Ｒを
所定時間Ｔ１印加した状態での第１段階のバンプの沈み
込み量Ｈ１と、さらに超音波振動ＵＳを所定時間Ｔ２印
加することによる第２段階のバンプの沈み込み量Ｈ２
と、を高さ測定装置のレーザー変位計１１にて個別にモ
ニタリングし、前記各段階のバンプの沈み込み量Ｈ１、
Ｈ２が各々所望の範囲内であるか否かを制御系装置９に
て判定することによってフリップチップボンディング方
式の超音波併用熱圧着接続による当該半導体チップ３の
基板導体１への接合の良否判定を行う（請求項３に対
応）。
【００４１】上記実装方法によれば、図２の（Ｂ）の段
階での所定加重Ｒを所定時間Ｔ１印加した際のバンプ５
の沈み込み量Ｈ１が設定された通常の数値範囲から外れ
た場合は、バンプ形状異常やバンプの抜けが起こってい
ると考えられるので、接合前の前段階でのバンプの良否
判定ができることになる。このように第１段階の沈み込
み量Ｈ１と第２段階の沈み込み量Ｈ２を分けて各々モニ
タリング、評価することによって、接合の良否判定を高
い精度で行うことができる。
【００４２】なお、上記実施の形態で沈み込み量Ｈ１、
Ｈ２をモニタリングするためのヘッド１２の高さを逐次
モニタリングする高さ測定装置としては上記レーザー変
位計１１以外のもの、例えばパルスモータのパルス数カ
ウントなど他の装置であってもよい。
【００４３】また、上記高さ測定の手段として、図５に
示されるようなシステムとして、コレットツール６にグ
リッドＧを目盛りとして入れる手段、即ち、電子部品を
吸着して基板導体に接合するコレットツール６の側面に
例えば１μｍ刻みのグリッドＧを形成し、コレットツー
ル先端のヘッドの半導体チップ３がバンプに触れた時を
基準として、超音波振動ＵＳ印加中にグリッドセンサー
３１を通過するグリッドの数を光、レーザーなどでカウ
ントし、チップの第２段階の沈み込み量Ｈ２をこれより
求めることもできる。なお、上記グリッドＧの形成を磁
性体で行い、磁気センサーでカウントしてもよい。ま
た、グリッドを入れる位置はホーン７の先端でもよい。
【００４４】さらに、ヘッドの基板導体に対する高さを
測る他の測定手段として、静電容量による計測手段があ
る。即ち、図６に示されるようにホーン７の下死点から
例えば１ｍｍ下方に平板電極Ｂを設け、この平板電極Ｂ
と金属でできたホーン７との間の静電容量Ｃを求める。
静電容量Ｃはホーン７と平板電極Ｂの間の距離Ｓによっ
て決まることから該静電容量Ｃを静電容量検出計で計る
ことによって半導体チップ３の沈み込み量を検知し、前
述の実施の形態同様に良否の判定を行うことができる。
【００４５】また、上記平板電極Ｂではなく、ホーン７
としてコイルホーンを直接取り付けてそのインダクタン
ス成分により当該コイルホーンと基板導体との距離を求
めることもできる。
【００４６】次に、本発明の請求項４に係わる実装装置
及び請求項５に係る実装方法について説明する。
【００４７】図７はその実装装置３０のシステム概念図
であるが、従来の電子部品（半導体チップ）の実装装置
１０に加えて、半導体チップ３またはバンプ５の振動状
態をモニタリングする振動測定装置２１を制御系装置９
と連結して備えてなることを特徴とし（請求項４に対
応）、実装時の半導体チップ３の例えば振動波形Ｗを測
定するとともにこれを図８の予め設定された基準波形Ｗ
0と比較することにより、超音波振動ＵＳが正常に印加
されたか否かを判定して接合の良否を検査する（請求項
５に対応）。
【００４８】蓋し、半導体チップ３やバンプ５の超音波
振動ＵＳによる振動波形は接合過程において一定の変化
を示すため、基準振動波形Ｗ0とモニタリングした振動
波形Ｗとのずれから、接合部に超音波振動ＵＳが正常に
印加されたか否かを判断することができるのである。
【００４９】具体的には、振動状態のモニタリングとし
て振動波形Ｗを測定対象にし、振動測定装置２１として
レーザードップラー振動計２２を備える。そして上記半
導体チップ３に前記レーザードップラー振動計２２のレ
ーザー光を照射し、実装時の半導体チップ３の振動状態
（振幅と振動速度）を波形としてモニタリングする。得
られた振動波形Ｗを制御系装置９にて基準波形Ｗ0と比
較することにより、超音波振動ＵＳが正常にバンプ５に
印加されたか否かを検知することができ、基準波形Ｗ0
の許容範囲から外れたものを不良として処理する。
【００５０】この判定の際は、図９に示されるように、
振動波形ＷをＦＦＴ（高速フーリエ変換）により周波数
分解して各スペクトルＷ１，Ｗ２，・・を各々基準波形
Ｗ0の対応する基準波スペクトルＷ01，Ｗ02，・・と比
較すれば、より定量的に比較判定ができる。
【００５１】次に、本発明の請求項６及び請求項７に係
わる実装装置について説明する。
【００５２】図１０はその実装装置４０のシステム概念
図であるが、従来の電子部品（半導体チップ）の実装装
置１０に加えて、超音波振動発生装置（圧電素子）８に
印加される電流ｉをモニタリングする測定装置を制御系
装置９と連結してその内部に備えてなることを特徴とし
（請求項６に対応）、測定された電流ｉの波形を図１１
の予め設定された基準電流波形ｉ0と比較することによ
り超音波振動ＵＳが正常にバンプ５に印加されたか否か
を判定して接合の良否を検査する（請求項７に対応）。
【００５３】蓋し、図１１から判るように、超音波振動
発生装置８としての圧電素子に印加される電圧Ｖ・電流
ｉは接合過程において一定の変化を示すため、基準電圧
波形Ｖ0または基準電流波形ｉ0とモニタリングした対応
する波形Ｖ，ｉとのずれから、接合時に超音波振動ＵＳ
が正常であったかどうか判断することができるのであ
る。
【００５４】なお、印加する電流ｉの波形を比較する代
わりに印加する電圧Ｖの波形またはその双方をモニタリ
ングして各々予め設定された基準波形と比較しても良
い。
【００５５】また、超音波振動発生装置（圧電素子）８
に流れる電流ｉをモニタリングする測定装置としてホー
ル素子を用いた電流プローブを使用すれば、測定時のノ
イズが低減でき測定精度が上がるであろう。
【００５６】そして図１１のように電流ｉの波形と基準
電流波形ｉ0とを比較することにより（前述のＦＦＴに
よるスペクトル比較分析）、超音波振動ＵＳが正常にバ
ンプ５に印加されたか否かを知ることができ、基準電流
波形ｉ0の許容範囲から外れたものを不良として以後処
理する。
【００５７】なお、以上説明した実施の形態では全てバ
ンプ５が半導体チップ３の電極側に設けられているケー
スであったが、バンプ５が基板導体１の電極２側に設け
られているケースでも同様であることは言うまでもな
い。
【００５８】また、上述の本発明の対象とする電子部品
の実装方法は、主に半導体チップ３を対象として説明し
たが、超音波併用熱圧着方式にてフリップチップボンデ
ィング可能な電子部品の全てに適用可能であることは言
うまでもない。
【００５９】
【発明の効果】以上、詳述した実施の形態から明らかな
ように、本発明に係る電子部品の実装方法及び実装装置
は、電子部品の電極または基板導体の電極に設けたバン
プの沈み込み量または振動状態または超音波振動発生装
置（圧電素子）の電圧・電流をモニタリングして基準値
もしくは基準波形と比較することにより、当該電子部品
のバンプによる接合状態・超音波振動状態が正常かどう
か実装と同時に判断できるので、それにより異常が生じ
た場合には、（ａ）直ちに機械を停止して異常を報知す
る、（ｂ）製品を不良としてマーキングする、（ｃ）再
度超音波を印加して製品を再生する、（ｄ）正常となる
まで超音波を印加し続ける、という措置を適宜採ること
ができ、接合不良を判別あるいは再生できるという優れ
た効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の請求項１及び請求項２に係わる電子部
品の実装装置のシステム概念図である。
【図２】ツールヘッドの高さの時間変化を表す図であ
る。
【図３】実装時のツールヘッドの動きを説明するための
図である。
【図４】Ａｕバンプの高さと基板導体の電極との接合強
度の関係を表すグラフである。
【図５】グリッドによるバンプ沈み込み量検出手段を備
えた電子部品の実装装置のシステム概念図である。
【図６】静電容量の変化による沈み込み量の検出手段を
備えた電子部品の実装装置のシステム概念図である。
【図７】本発明の請求項３及び請求項４に係わる実装装
置のシステム概念図である。
【図８】振動波形Ｗと予め設定された基準波形Ｗ0との
比較図である。
【図９】振動波形Ｗを周波数分解して各スペクトルを各
々基準波形Ｗ0の対応する基準波スペクトルと比較した
図である。
【図１０】本発明の請求項５及び請求項６に係わる電子
部品の実装装置のシステム概念図である。
【図１１】モニタリングした圧電素子に印加した電流ｉ
の波形と基準電流波形ｉ0との比較図である。
【図１２】従来のフリップチップボンディング方式の超
音波併用熱圧着接続方法による実装装置のシステム概念
図である。
【符号の説明】
１ 基板導体 ２ 電極 ３ 半導体チップ ４ 基板導体加熱装置 ５ バンプ（金バンプ） ６ コレットツール ７ ホーン ８ 超音波振動発生装置 ９ 制御系装置 １０、２０、３０、４０ 実装装置 １１ レーザー変位計 １２ ヘッド ２１ 振動測定装置 ２２ レーザードップラー振動計 Ｒ 所定加重 ＵＳ 超音波振動 Ｈ１ 第１段階の沈み込み量 Ｈ２ 第２段階の沈み込み量 Ｇ グリッド Ｂ 平板電極 Ｃ 静電容量 Ｗ 振動波形 Ｗ0 基準波形 Ｗ１，Ｗ２，・・ 振動波形スペクトル Ｗ01，Ｗ02，・・ 基準波スペクトル ｉ 電流 ｉ0 基準電流波形 Ｖ 電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−259229（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−326623（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−355940（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−86135（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 311 H01L 21/603 H01L 21/607

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 超音波振動発生装置と、ホーンと、コレ
    ットツールと、基板導体加熱装置と、制御系装置と、か
    らなり、フリップチップボンディング方式の超音波併用
    熱圧着接続を行う電子部品の実装装置において、電子部品の電極または基板導体の電極に設けたバンプの
    沈み込み量 をモニタリングする高さ測定装置を前記制御
    系装置と連結して備え、前記制御系装置は前記高さ測定
    装置で得たバンプの沈み込み量が所望の範囲内か否かで
    接合の良否判定を行いつつ実装することを特徴とする電
    子部品の実装装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の電子部品の実装装置にて
    電子部品を基板導体に対して降下させ、電子部品の電極
    または基板導体の電極に設けたバンプが対向する相手側
    の電極と接した時点から所定加重を印加し、次に所定加
    重と超音波振動を所定時間印加することによるバンプの
    沈み込み量を高さ測定装置にてモニタリングし、前記超
    音波振動印加時のバンプの沈み込み量が所望の範囲内で
    あるか否かによってフリップチップボンディング方式の
    超音波併用熱圧着接続による接合の良否判定を行うこと
    を特徴とする電子部品の実装方法。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の電子部品の実装方法にお
    いて、バンプが対向する相手側の電極と接した時点から
    所定加重を所定時間印加した状態での第１段階のバンプ
    の沈み込み量と、さらに超音波振動を所定時間印加する
    ことによる第２段階のバンプの沈み込み量と、を高さ測
    定装置にて個別にモニタリングし、前記各段階のバンプ
    の沈み込み量が各々所望の範囲内であるか否かによって
    フリップチップボンディング方式の超音波併用熱圧着接
    続による接合の良否判定を行うことを特徴とする電子部
    品の実装方法。
  4. 【請求項４】 超音波振動発生装置と、ホーンと、コレ
    ットツールと、基板導体加熱装置と、制御系装置と、か
    らなり、フリップチップボンディング方式の超音波併用
    熱圧着接続を行う電子部品の実装装置において、 電子部品またはバンプの振動状態をモニタリングする振
    動測定装置を制御系装置と連結して備えてなることを特
    徴とする電子部品の実装装置。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の電子部品の実装装置にて
    実装時の電子部品の振動状態を測定するとともにこれを
    基準波形と比較することにより超音波振動が正常に印加
    されたか否かを判定して接合の良否を検査することを特
    徴とするフリップチップボンディング方式の超音波併用
    熱圧着接続方法による基板導体への電子部品の実装方
    法。
  6. 【請求項６】 超音波振動発生装置と、ホーンと、コレ
    ットツールと、基板導体加熱装置と、制御系装置と、か
    らなり、フリップチップボンディング方式の超音波併用
    熱圧着接続を行う電子部品の実装装置において、 超音波振動発生装置に印加される電圧または電流または
    その双方をモニタリングする測定装置を制御系装置と連
    結して備えてなることを特徴とする電子部品の実装装
    置。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の電子部品の実装装置にて
    超音波振動発生装置に印加される電圧・電流を測定する
    とともにこれを基準波形と比較することにより超音波振
    動が正常に印加されたか否かを判定して接合の良否を検
    査することを特徴とするフリップチップボンディング方
    式の超音波併用熱圧着接続方法による基板導体への電子
    部品の実装方法。
JP09733598A 1998-04-09 1998-04-09 電子部品の実装方法及び実装装置 Expired - Lifetime JP3176580B2 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09733598A JP3176580B2 (ja) 1998-04-09 1998-04-09 電子部品の実装方法及び実装装置
TW088105036A TW526688B (en) 1998-04-09 1999-03-30 Mounting method of electronic component and mounting apparatus
US09/287,639 US6543668B1 (en) 1998-04-09 1999-04-07 Mounting method and mounting apparatus for electronic part
DE69928457T DE69928457T2 (de) 1998-04-09 1999-04-07 Verfahren und Vorrichtung zur "Flip-Chip" Montage eines elektronischen Bauteils
EP04017117A EP1486790B1 (en) 1998-04-09 1999-04-07 Mounting method and mounting apparatus of electronic part
DE69925878T DE69925878T2 (de) 1998-04-09 1999-04-07 Verfahren und Vorrichtung zur "Flip-Chip" Montage eines elektronischen Bauteils
EP04017118A EP1469319B1 (en) 1998-04-09 1999-04-07 Flip-chip mounting method and mounting apparatus of electronic part
EP99106876A EP0949670B1 (en) 1998-04-09 1999-04-07 Flip-chip mounting method and mounting apparatus of electronic part
DE69930433T DE69930433T2 (de) 1998-04-09 1999-04-07 Verfahren und Vorrichtung zur "Flip-Chip" Montage eines elektronischen Bauteils

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09733598A JP3176580B2 (ja) 1998-04-09 1998-04-09 電子部品の実装方法及び実装装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11297761A JPH11297761A (ja) 1999-10-29
JP3176580B2 true JP3176580B2 (ja) 2001-06-18

Family

ID=14189624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09733598A Expired - Lifetime JP3176580B2 (ja) 1998-04-09 1998-04-09 電子部品の実装方法及び実装装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6543668B1 (ja)
EP (3) EP1486790B1 (ja)
JP (1) JP3176580B2 (ja)
DE (3) DE69925878T2 (ja)
TW (1) TW526688B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100662820B1 (ko) 2005-09-27 2006-12-28 삼성테크윈 주식회사 플립칩 본더

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10020374A1 (de) * 1999-07-02 2001-01-25 Fujitsu Ltd Kopfbaugruppe einer Plattenvorrichtung mit einem Kopf-IC-Chip, der durch Ultraschallbonden an eine Aufhängung montiert ist
JP3451373B2 (ja) * 1999-11-24 2003-09-29 オムロン株式会社 電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法
JP2004511081A (ja) * 2000-03-10 2004-04-08 チップパック，インク． フリップ・チップ・イン・リードフレームのパッケージ及び方法
JP3506233B2 (ja) * 2000-06-28 2004-03-15 シャープ株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2004047944A (ja) * 2002-05-22 2004-02-12 Nec Corp 接合装置および接合の良否判別方法を有する接合方法
JP4507582B2 (ja) * 2003-12-12 2010-07-21 パナソニック株式会社 バンプ付電子部品の実装方法
US7017422B2 (en) * 2004-04-02 2006-03-28 Luna Innovations Incorporated Bond testing system, method, and apparatus
JP2005340780A (ja) * 2004-04-27 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品装着装置および電子部品装着方法
KR101429098B1 (ko) * 2004-06-04 2014-09-22 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치
JP4529759B2 (ja) * 2005-03-29 2010-08-25 パナソニック株式会社 電子部品装着装置および電子部品装着方法
JP4989492B2 (ja) * 2005-06-13 2012-08-01 パナソニック株式会社 半導体素子接合装置及びこれを用いた半導体素子接合方法
JP5046253B2 (ja) * 2007-02-22 2012-10-10 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置及び実装方法
WO2008139668A1 (ja) * 2007-04-27 2008-11-20 Panasonic Corporation 電子部品装着装置および電子部品装着方法
US20090155958A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Boris Kolodin Robust die bonding process for led dies
JP4924480B2 (ja) * 2008-03-03 2012-04-25 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法および装置
US20090289101A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Yong Du Method for ball grid array (bga) solder attach for surface mount
JP2010153672A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Nec Corp 半導体装置の製造装置およびその製造方法
US8939346B2 (en) * 2011-02-15 2015-01-27 International Business Machines Corporation Methods and systems involving soldering
JP5877645B2 (ja) * 2011-02-15 2016-03-08 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および実装装置
JP5686321B2 (ja) * 2011-03-31 2015-03-18 Ｊｕｋｉオートメーションシステムズ株式会社 実装装置、電子部品の実装方法及び基板の製造方法
US8967452B2 (en) * 2012-04-17 2015-03-03 Asm Technology Singapore Pte Ltd Thermal compression bonding of semiconductor chips
US8870051B2 (en) * 2012-05-03 2014-10-28 International Business Machines Corporation Flip chip assembly apparatus employing a warpage-suppressor assembly
JP5878843B2 (ja) * 2012-08-08 2016-03-08 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグの製造方法
DE102013204590B3 (de) * 2013-03-15 2014-07-24 Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg Erkennen eines schwingenden Bauelementeträgers während einer Bestückung mit Bauelementen
US9165902B2 (en) 2013-12-17 2015-10-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of operating bonding machines for bonding semiconductor elements, and bonding machines
US9575560B2 (en) 2014-06-03 2017-02-21 Google Inc. Radar-based gesture-recognition through a wearable device
US9811164B2 (en) 2014-08-07 2017-11-07 Google Inc. Radar-based gesture sensing and data transmission
US9921660B2 (en) 2014-08-07 2018-03-20 Google Llc Radar-based gesture recognition
US9588625B2 (en) 2014-08-15 2017-03-07 Google Inc. Interactive textiles
US10268321B2 (en) 2014-08-15 2019-04-23 Google Llc Interactive textiles within hard objects
US11169988B2 (en) 2014-08-22 2021-11-09 Google Llc Radar recognition-aided search
US9778749B2 (en) 2014-08-22 2017-10-03 Google Inc. Occluded gesture recognition
US9600080B2 (en) 2014-10-02 2017-03-21 Google Inc. Non-line-of-sight radar-based gesture recognition
WO2016087904A1 (zh) * 2014-12-05 2016-06-09 三星电子株式会社 制造半导体装置的设备和利用其制造半导体封装件的方法
US10016162B1 (en) 2015-03-23 2018-07-10 Google Llc In-ear health monitoring
US9983747B2 (en) 2015-03-26 2018-05-29 Google Llc Two-layer interactive textiles
US9847313B2 (en) * 2015-04-24 2017-12-19 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Thermocompression bonders, methods of operating thermocompression bonders, and horizontal scrub motions in thermocompression bonding
WO2016176600A1 (en) 2015-04-30 2016-11-03 Google Inc. Rf-based micro-motion tracking for gesture tracking and recognition
CN111880650A (zh) 2015-04-30 2020-11-03 谷歌有限责任公司 基于宽场雷达的手势识别
WO2016176606A1 (en) 2015-04-30 2016-11-03 Google Inc. Type-agnostic rf signal representations
JP5930563B2 (ja) * 2015-05-14 2016-06-08 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および実装装置
US9693592B2 (en) 2015-05-27 2017-07-04 Google Inc. Attaching electronic components to interactive textiles
US10088908B1 (en) 2015-05-27 2018-10-02 Google Llc Gesture detection and interactions
US9929121B2 (en) 2015-08-31 2018-03-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bonding machines for bonding semiconductor elements, methods of operating bonding machines, and techniques for improving UPH on such bonding machines
US10817065B1 (en) 2015-10-06 2020-10-27 Google Llc Gesture recognition using multiple antenna
CN107851932A (zh) 2015-11-04 2018-03-27 谷歌有限责任公司 用于将嵌入在服装中的电子器件连接至外部装置的连接器
KR102427644B1 (ko) 2015-11-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2017192167A1 (en) 2016-05-03 2017-11-09 Google Llc Connecting an electronic component to an interactive textile
US10175781B2 (en) 2016-05-16 2019-01-08 Google Llc Interactive object with multiple electronics modules
US10579150B2 (en) 2016-12-05 2020-03-03 Google Llc Concurrent detection of absolute distance and relative movement for sensing action gestures
KR102242248B1 (ko) * 2017-05-02 2021-04-20 주식회사 엘지화학 이차전지의 용접 검사장치 및 검사방법
DE102019109262A1 (de) * 2019-04-09 2020-10-15 Lisa Dräxlmaier GmbH VORRICHTUNG ZUM BESTIMMEN EINES ZUSTANDS EINES ULTRASCHALLSCHWEIßPROZESSES
KR20220133377A (ko) * 2021-03-24 2022-10-05 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
WO2022222148A1 (zh) * 2021-04-23 2022-10-27 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移方法、装置、显示背板及显示器

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3596050A (en) * 1970-05-05 1971-07-27 Union Carbide Corp Automatic torch height control
SU1128201A1 (ru) * 1983-04-07 1984-12-07 Предприятие П/Я Р-6668 Устройство контрол па ных соединений
DD217088A1 (de) * 1983-08-29 1985-01-02 Adw Ddr Verfahren zur einstellung eines optimalen arbeitsbereiches beim ultraschallbonden
JP2506958B2 (ja) * 1988-07-22 1996-06-12 松下電器産業株式会社 ワイヤボンディング装置
CA1285661C (en) * 1988-08-19 1991-07-02 Randy Tsang Automatic visual measurement of surface mount device placement
US5176140A (en) * 1989-08-14 1993-01-05 Olympus Optical Co., Ltd. Ultrasonic probe
JPH03125447A (ja) * 1989-10-11 1991-05-28 Toshiba Corp ボンディング装置
US4998664A (en) * 1989-12-22 1991-03-12 Hughes Aircraft Company Bond signature analyzer
DE59104416D1 (de) * 1991-02-15 1995-03-09 Esec Sa Verfahren und Einrichtung zur Messung der Schwingungsamplitude an einem Energietransducer.
JP2953116B2 (ja) * 1991-06-11 1999-09-27 日本電気株式会社 ワイヤーボンディング装置
JP3007195B2 (ja) * 1991-09-18 2000-02-07 株式会社日立製作所 ボンディング装置およびボンディング部検査装置
JP2705423B2 (ja) * 1992-01-24 1998-01-28 株式会社日立製作所 超音波接合装置及び品質モニタリング方法
US5230458A (en) * 1992-06-23 1993-07-27 National Semiconductor Corp. Interconnect formation utilizing real-time feedback
JPH06210475A (ja) * 1993-01-14 1994-08-02 Fanuc Ltd レーザロボットのハイトセンサ装置
JP3194553B2 (ja) * 1993-08-13 2001-07-30 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US5341979A (en) * 1993-09-03 1994-08-30 Motorola, Inc. Method of bonding a semiconductor substrate to a support substrate and structure therefore
JPH07115109A (ja) * 1993-10-15 1995-05-02 Nec Corp フリップチップボンディング方法及び装置
US5446261A (en) * 1993-10-26 1995-08-29 International Business Machines Corporation Solder application system using helix to control solder meniscus
US5493775A (en) * 1994-01-21 1996-02-27 International Business Machines Corporation Pressure contact open-circuit detector
US5427301A (en) * 1994-05-06 1995-06-27 Ford Motor Company Ultrasonic flip chip process and apparatus
JPH0817876A (ja) * 1994-06-29 1996-01-19 Fujitsu Ltd ワイヤーボンダー
JPH0951007A (ja) * 1995-08-09 1997-02-18 Mitsubishi Electric Corp ダイボンド装置および半導体装置の製造方法
US5992729A (en) * 1996-10-02 1999-11-30 Mcnc Tacking processes and systems for soldering
JP3330037B2 (ja) * 1996-11-29 2002-09-30 富士通株式会社 チップ部品の接合方法および装置
EP1010492B1 (en) * 1998-12-10 2004-09-01 Ultex Corporation Ultrasonic vibration bonding method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100662820B1 (ko) 2005-09-27 2006-12-28 삼성테크윈 주식회사 플립칩 본더

Also Published As

Publication number Publication date
DE69930433D1 (de) 2006-05-11
EP1486790B1 (en) 2005-11-16
DE69928457T2 (de) 2006-07-27
EP1469319A1 (en) 2004-10-20
US6543668B1 (en) 2003-04-08
EP1469319B1 (en) 2006-03-22
JPH11297761A (ja) 1999-10-29
EP1486790A1 (en) 2004-12-15
DE69925878T2 (de) 2006-05-11
EP0949670A3 (en) 1999-11-17
TW526688B (en) 2003-04-01
EP0949670B1 (en) 2005-06-22
EP0949670A2 (en) 1999-10-13
DE69930433T2 (de) 2006-12-07
DE69925878D1 (de) 2005-07-28
DE69928457D1 (de) 2005-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3176580B2 (ja) 電子部品の実装方法及び実装装置
Or et al. Ultrasonic wire-bond quality monitoring using piezoelectric sensor
US6483190B1 (en) Semiconductor chip element, semiconductor chip element mounting structure, semiconductor chip element mounting device and mounting method
JP3007195B2 (ja) ボンディング装置およびボンディング部検査装置
US4373653A (en) Method and apparatus for ultrasonic bonding
Or et al. Dynamics of an ultrasonic transducer used for wire bonding
US5533398A (en) Method and apparatus for testing lead connections of electronic components
Mayer et al. In situ ultrasonic stress measurements during ball bonding using integrated piezoresistive microsensors
US6929168B2 (en) Method for determining optimum bonding parameters for bonding with a wire bonder
JP6664300B2 (ja) ワイヤボンディング良否判定装置およびワイヤボンディング良否判定方法
Ume et al. Laser ultrasonic inspection of solder bumps in flip-chip packages using virtual chip package as reference
JP2008084881A (ja) 電子装置の製造方法およびその検査方法
Rodwell et al. Quality control in ultrasonic wire bonding
Brokelmann et al. Bond process monitoring via self-sensing piezoelectric transducers
JP2708222B2 (ja) ボンディング装置
US7080771B2 (en) Method for checking the quality of a wedge bond
Harman Acoustic-emission-monitored tests for TAB inner lead bond quality
TWI824274B (zh) 導線接合狀態判斷方法及導線接合狀態判斷裝置
Tamura et al. Analysis and application of vibration behaviour for wirebonding capillary by transmission laser vibrometer
Gao et al. An investigation of capillary vibration during wire bonding process
Seppänen et al. Ultrasonic Wire Bond Outlier Classification
JP2000137026A (ja) 異常検査方法およびワイヤボンディング装置の接合良否検査システム
JP2021190527A (ja) デバイス製造装置の検査方法及びデバイス製造装置
Fu-liang et al. Experiments on the Bonding Interface Vibration of Thermosonic Flip Chip
Mayer In situ Monitoring of Microjoining Processes

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010313

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080406

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090406

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140406

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term