JPH03125447A - ボンディング装置 - Google Patents

ボンディング装置

Info

Publication number
JPH03125447A
JPH03125447A JP1263116A JP26311689A JPH03125447A JP H03125447 A JPH03125447 A JP H03125447A JP 1263116 A JP1263116 A JP 1263116A JP 26311689 A JP26311689 A JP 26311689A JP H03125447 A JPH03125447 A JP H03125447A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
bonding tool
inclination
inner lead
measuring device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1263116A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Arai
秀樹 新井
Tetsuo Komatsu
哲郎 小松
Tatsuro Mihashi
龍郎 三橋
Noriyasu Kashima
規安 加島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1263116A priority Critical patent/JPH03125447A/ja
Publication of JPH03125447A publication Critical patent/JPH03125447A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、例えば、ボンディングツールにより半導体チ
ップと配線パターンのインナリードとを熱圧着するイン
ナリードボンダ等ボンディング装置に関する。
(従来の技術) 一般に、半導体装置の各製造工程では、ボンディングツ
ールによリボンディング部品と被ボンディング部品とを
圧着するボンディング装置が用いられている。そして、
このようなボンディング装置としては、例えば第3図に
示すような、インナリードボンディング工程で用いられ
るインナリドボンダ等が知られている。
すなわち、このインナリードボンダ1は、インナリード
ボンディングを行うのに十分な温度(例えば、約500
℃)に加熱されるボンディングツール2を有している。
そして、インナリードボンダ1はこのボンディングツー
ル2を下降させ、キャリアテープ3に形成された配線パ
ターンの、ボンディング部品としてのインナリード4・
・・と、ステージ5のステージ面6に載置された、被ボ
ンディング部品としての半導体チップ7のバンプ8・・
・とを、ボンディングツール2の、押圧面としてのヘッ
ド面9により押圧して熱圧着する。
また、このようなインナリードボンダ1では、互いに対
応する全てのインナリード4・・・とバンブ8・・・と
を均一に接続するために、ボンディングツル2のヘッド
面9とステージ5のステージ面6とを平行合せする必要
がある。そして、従来は、ボンディングツール2の、ス
テージ5に対する傾斜を測定する装置として例えば特開
昭63196048号公報や特開昭63−200540
号公報に開示されているようなものが知られている。
つまり、従来は、第3図に示すように、ボンディングツ
ール2に変位測定対象部位10及び3つ以上の変位セン
サ11・・・を設け、変位センサ11・・・により変位
測定対象部位10の上下変位を検出してボンディングツ
ール2の傾きを測定するものがあった。
また、キャリアテープ3をボンディングツール5にセッ
トし、ボンディングツール2を200〜300℃に加熱
したのち下降させてキャリアテープ3に押付け、第4図
に示すようにキャリアテープ3の一部に圧痕12を付け
、この圧痕12の状態から、ボンディングツール2の傾
きゃヘッド面9の状態を判断するようにしたものがあっ
た。
(発明が解決しようとする課題) しかし、第3図に示すようなインナリードボンダは、変
位センサ11・・・により変位測定対象部位10の変位
を測定しており、ボンディングツル2のヘッド面6を直
接にはfl11定していない。このため、変位測定対象
部位10とヘッド面9との平行度や、変位測定対象部位
10の平面度が不十分な場合には、上記平行度や平面度
のばらつきを誤差として測定値に加えてしまう。さらに
、第3図に示すものは、ボンディングツール2のヘッド
面9の状態を直接的に知ることはできない。
一方、第4図に示すものは、圧痕12の状態からボンデ
ィングツール2の傾きやヘッド面9の状態を判断するた
め、ボンディングツール2の傾きやヘッド面9の状態を
数値として定量的に評価することができない。さらに、
キャリアテープ3がボンディングツール2の、実際のボ
ンディング動作中の温度(例えば、約500℃)に耐え
られないため、ボンディングツール2の傾きやヘッド面
9の状態を作業条件下で測定することができない。
ここで、作業条件下とは、連続ボンディング動作中で且
つボンディングツール2を、例えば半導体チップの7の
位置認識等を行うために停止させた場合のように、実ボ
ンディングを行っていない状態をあられしている。
本発明の目的とするところは、ボンディングツルの傾き
や押圧面の状態を高精度で測定することが可能なインナ
リードボンディング装置を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段および作用)上記目的を達
′成するために本発明は、押圧面を有するボンディング
ツールを備え、押圧面によリボンディング部品を被ボン
ディング部品に抑圧して圧着するボンディング装置にお
いて、ボンディングツールの押圧面で光を反射させ、押
圧面での反射光により干渉縞を形成して押圧面の傾きを
測定する傾き測定装置を設けたことにある。
こうすることによって本発明は、ボンディングツールの
傾きや押圧面の状態を高精度で測定できるようにしたこ
とにある。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図に基づいて説明する。
なお、従来の技術の項で説明したものと重複するものに
ついては同一番号を付し、その説明は省略する。
第1図は本発明の一実施例を示すもので、図中1は、半
導体装置の各製造工程のうちのインナリードボンディン
グ工程で用いられる、ボンディング装置としてのインナ
リードボンダを示している。
このインナリードボンダ1は、キャリアテープ3を間欠
的に走行させるもので、キャリアテープ3を走行させる
ことにより、キャリアテープ3上に長手方向に沿って間
欠的に配置された配線パターンをステージ5に順次供給
するようになっている。
また、このインナリードボンダ1は、被ボンディング部
品としての半導体チップ7をボンディングステージ5の
ステージ面6に載置し、半導体チップ7の電極パッドと
上記配線パターンの、ボンディング部品としてのインナ
リード4・・・とを位置合わせする。そして、ボンディ
ングステージ5上に位置し例えば約500℃に加熱され
たボンディングツール2を下降させ、ボンディングツー
ル2の、押圧面としてのヘッド面9を、キャリアテプ3
の配線パターンに押し当てる。そして、インナリード4
・・・をバッド上のバンプ8・・・に圧接させ、互いに
対応するインナリード4・・・とバンプ8・・・とを熱
圧着する。
また、インナリードボンダ1には、傾き測定装置(以下
、測定装置と称する)21が設けられている。この測定
装置21は、レーザ発振器22と、このレーザ発振器2
2からのレーザ光23を拡げる凸レンズ24、および、
凸レンズ24により拡げられたレーザ光23を平行光2
5に変換する凹レンズ26を備えている。
そして、測定装置21は、平行光25をハーフミラ−2
7に入射させ、このハーフミラ−27で2方向に分光す
る。そして、ハーフミラ−27により、測定装置21の
側に移動したボンディングツール2のヘッド面9に向か
う偏光28と、ステジ面6と平行合せされて測定の基準
となる参照ミラー29へ向かう偏光30とを形成する。
さらに、測定装置21は、両偏光28.30をヘッド面
9と参照ミラー29とで反射させ、両反射光23a、3
0aをハーフミラ−25に再び入射させる。そして、測
定装置21は、両反射光28a130aをハーフミラ−
27で合成して干渉させ、ハーフミラ−27から出射さ
れた合成光31をカメラ32に入ノJする。
さらに、測定装置21は、カメラ32の出力画像をモニ
タ33に入力し、モニタ33に、第2図に示すような、
ヘッド面9での反射光28aと参照ミラー29での反射
光29aとの幾何学的光路差による干渉縞A・・・を写
し出す。また、測定装置21は、コンピュータ等の解析
装置34をモニタ33と接続しており、カメラ32の出
力画像をもとにして、解析装置34により干渉縞を解析
できるようになっている。
そして、実際には、レーザ光23としてHe−Neレー
ザ(波長0.633μm)を採用し、本当たり0.31
65μmの干渉縞を得た。さらに、ボンディングツール
2のヘッド面9を、焼結ダイヤモンド、および、CBN
 (立方晶型窒化はう素)を用いて形成した。
なお、ボンディングツール2は、図中に矢印B1Cで示
すように、ボンディングステージ5上と測定装置21の
間を行き来できるようになっており、測定装置21によ
る測定が終わった後には、矢印Cで示すように、ボンデ
ィングツール2をボンディングツ−ル5の側へ移動させ
て戻すようになっている。
このようなインナリードボンダ1は、ボンディングツー
ル2のヘッド面9で偏光28を反射させているので、ヘ
ッド面9を直に高精度でi91定することができる。
さらに、インナリードボンダ1は、レーザ光23を介し
てボンディングツール2の測定を行っているから、ヘッ
ド面9と測定装置2]を構成するハーフミラ−等との距
離を十分に大きく設定することかできる(例えば、10
〜30c+n)。したかって、ボンディングツール2を
作業条件下においた場合と同様に加熱したまま、ボンデ
ィングツル2からの熱の影響を受けることなく、ヘッド
面9の測定を行うことができる。
また、第2図に示すように、カメラ32で撮影した上記
両反射光28a、29aの干渉縞A・・・をモニタ33
に写し出すので、ボンディングツールの傾きおよびヘッ
ド面9の状態をリアルタイムで観測することができる。
さらに、ボンディングツル2の交換時には、ボンディン
グツール2のヘッド面9とステージ面6との平行合せを
、モニタ33を見ながら行うことが可能である。
また、モニタ33に写し出された干渉縞A・・・を見る
ことにより、連続ボンディング作業中にボンディングツ
ール2の傾き、ヘッド面9の状態、ヘッド面9の摩耗の
状態、および、半導体チップ7のバンプ8・・・の一部
がヘッド面9に付着した時に生じる汚れ等を作業中に知
ることが可能である。
そして、実施例中の説明から明らかなように、干渉縞A
・・・はヘッド面9の等高線を表している。
0 したがって、ボンディングツール2の傾きのみならず、
ヘッド面9の数μm程度の凹凸をも知ることができ、ツ
ールの研磨時期を知ることが可能である。
さらに、ボンディングツール2の単体の評価(例えば、
ボンディングツール2を加熱したときにヘッド面9がど
のように変化するかということ等)を、インナリードボ
ンダ1に取付けた状態のまま行うことができる。
なお、実施例ではインナリードボンダについて説明した
が、アウタリードボンダ、フリップチップボンダ等のよ
うにボンディング部品を被ボンディング部品に、ボンデ
ィングツールのヘッド面で押圧して圧着するボンディン
グ装置であれば、本実施例と同様の効果がある。
また、本実施例では、測定装置21をインナリードボン
ダ1に一体的に設けているが、本発明はこれに限定され
ず、例えば測定装置21をインナリードボンダ1から分
離できるようにしてもよい。
1 [発明の効果] 以上説明したように本発明は、押圧面を有するボンディ
ングツールを備え、押圧面によリボンディング部品を被
ボンディング部品に押圧して圧着するボンディング装置
において、ボンディングツールの押圧面で光を反射させ
、押圧面での反射光により干渉縞を形成して押圧面の傾
きを測定する傾き測定装置を設けたものである。
したがって本発明は、ボンディングツールの傾きや押圧
面の状態を高精度で測定できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の要部を示す概略構成図、第
2図は干渉縞の一例を示す概略図、第3図および第4図
は従来例を概略的に示す説明図である。 1・・・インナリードボンダ(−4ボンデイング装置)
、2・・・ボンディングツール、4・・・インナリード
(ボンディング部品)、7・・・半導体チップ(被ボン
ディング部品)、9・・・ヘッド面、2 21・・・傾き測定装置、A・・・干渉縞。  3

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 押圧面を有するボンディングツールを備え、上記押圧面
    によリボンディング部品を被ボンディング部品に押圧し
    て圧着するボンディング装置において、上記ボンディン
    グツールの押圧面で光を反射させ、上記押圧面での反射
    光により干渉縞を形成し、上記押圧面の傾きを測定する
    傾き測定装置を設けたことを特徴とするボンディング装
    置。
JP1263116A 1989-10-11 1989-10-11 ボンディング装置 Pending JPH03125447A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1263116A JPH03125447A (ja) 1989-10-11 1989-10-11 ボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1263116A JPH03125447A (ja) 1989-10-11 1989-10-11 ボンディング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03125447A true JPH03125447A (ja) 1991-05-28

Family

ID=17385051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1263116A Pending JPH03125447A (ja) 1989-10-11 1989-10-11 ボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03125447A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0949670A3 (en) * 1998-04-09 1999-11-17 TAIYO YUDEN Co., Ltd. Flip-chip mounting method and mounting apparatus of electronic part

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0949670A3 (en) * 1998-04-09 1999-11-17 TAIYO YUDEN Co., Ltd. Flip-chip mounting method and mounting apparatus of electronic part
EP1469319A1 (en) * 1998-04-09 2004-10-20 Taiyo Yuden Co., Ltd. Flip-chip mounting method and mounting apparatus of electronic part
EP1486790A1 (en) * 1998-04-09 2004-12-15 Taiyo Yuden Co., Ltd. Mounting method and mounting apparatus of electronic part

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5872633A (en) Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization
CN113432590B (zh) 基于光谱共焦的半球谐振陀螺精密装配装置及其调整方法
JP3645933B2 (ja) 材料の屈折率を測定する装置および測定法
US7810698B2 (en) Vision system for positioning a bonding tool
US11168977B2 (en) Thickness measuring apparatus
JP2009534206A (ja) チャックと、工具ホルダまたは加工部品ホルダとの間の距離を測定するための手段を備える緊締装置
US6525331B1 (en) Ball grid array (BGA) package on-line non-contact inspection method and system
JPH03125447A (ja) ボンディング装置
US20230228558A1 (en) Thickness measuring apparatus
JPH05264869A (ja) 光結合される光ファイバと受光素子の相対的位置関係の調整方法及び評価方法並びにこれらの方法の実施に使用する装置
JP2002221411A (ja) 非接触式三次元形状測定器の計測精度保証方法
JPH10246618A (ja) 平行度測定装置
US20220390355A1 (en) Device and method for measuring the profile of flat objects comprising unknown materials
US20220268569A1 (en) Device and method for measuring height profiles on an object
TW201503314A (zh) 零件之安裝方法及安裝裝置
Colvin BGA and advanced package wire to wire bonding for backside emission microscopy
US20230326778A1 (en) Methods of adjusting a tilt between a bonding tool assembly and a support structure assembly of a bonding system, and related bonding systems
JP2631003B2 (ja) 試料形状測定装置及びその測定方法
JP2002022549A (ja) インナーリードボンダーの温度測定方法
JPH10112449A (ja) 研磨方法および研磨装置
JP2004297051A (ja) 光モジュールの組立方法および装置
Martin Design and use of a laser interferometer for ultrasonic bonding studies
JP2000263380A (ja) 工作物の加工方法およびその装置
TW201423036A (zh) 手動白光干涉階高量測方法
JP4414187B2 (ja) 面合わせ装置及び面合わせ方法