JPS63194343A - ワイヤボンディング装置の制御方法 - Google Patents

ワイヤボンディング装置の制御方法

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JPS63194343A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は半導体装置の組立ての際に、接合部に加圧力を
印加させつつ互いに接触させ、しかる後、接合部に超音
波を印加させてワイヤを配線接続電極等に接合させるワ
イヤボンディング装置の制御方法に関する。
(従来の、技術) 従来の上記ワイヤボンディング装置の制御方法を第3図
を参照して、第4図に基づいて説明する。
即ち、X方向駆動モータ1とY方向駆動モータ2により
制御されるX−Yテーブル3の上面にはボンディングヘ
ッドユニット4が搭載されている。
そして、このボンディングヘッドユニット4には、超音
波トランスジューサ5が取付けられ、この先端にはボン
ディングワイヤ6を通したボンディング工具7が設けら
れている。このトランスジューサ5は、枢軸8を回転中
心として揺動する副揺動アーム9に取付けられ、ボイス
コイルモータ10とロックビン11により、揺動アーム
12に連動して揺動するよう構成され、この揺動アーム
12の後端は、これに揺動を与えるためのアーム駆動モ
ータ13に偏心軸14を介して連結されている揺動アー
ム12は、第4図で示すタイムチャートの線図Sで示す
ように、1本のワイヤをボンディングする度に2回の上
下動(揺動)を繰返し、ボイスコイルモータ10の推力
(コイルスプリングの張力を併用する場合もある)は、
同図の線図Fで示すように、大小切換操作が電気的に行
われる。この推力Fは、ボンディング工具7をワークと
しての半導体チップ15の接合面に押付ける加圧力とし
て働くとともに、副揺動アーム9を揺動アーム12につ
らなるロックビン11に押付け、同図に示す高速上下動
時Tl、T7及び”13において、揺動アーム12の高
速動作に副揺動アーム9、同時にトランスジューサ7が
安定して追従するよう構成されている。この高速上下動
時T1゜T7及び”13では、動作の加速度に応じた一
定の大加圧力が、第1ボンディング時T2〜T6では、
第1のボンディングの条件により、これ最適な接合に用
いる一定の加圧力が、第2のボンディング時T8〜T1
2では、第2のボンディングの条件により、これに最適
な接合に用いる一定の加圧力が夫々作用するようなされ
ていた。
なお、T2.T8はボンディング時に加わる衝撃を緩和
するためのソフトアプローチ時で、線図りはボンディン
グ工具6が接合面に到達したことを検知するセンサの信
号、同じくUは超音波の出力波形である。
(発明が解決しようとする問題点) 超音波を使用したワイヤボンディングにおける最適な接
合条件は、接合部の構成等により異なり、その接合条件
のなかの接合部に印加する加圧力も異なる。
例えば、Cuワイヤ等の硬い接合部の場合、あるいは太
いワイヤによる大きな接合部の場合には、100〜20
0gの加圧力を必要とすることもあり、逆に高い密度で
配線を施すために接合部の大きさを小さくする場合には
、接合に最適な超音波エネルギーを印加するとともに、
接合部に印加する加圧力を小さくする必要がある。
更に、接合部に超音波を印加する際の、加圧力により平
面状に潰された初頭の接合部の面積についても、接合部
に印加される加圧力、熱及び超音波等による接合エネル
ギーが、単位面積当りの接合に供されるエネルギーと考
えた時に、この接合条件として見合った最適な面積を必
要とする。同じエネルギーを供給したと仮定すると、初
頭の面積が極少の場合には素子側にダメージが、面積が
過大の場合には接合強度不足等の問題が夫々生じ、接合
強度を上げるために加圧力を大きくすると、過大なボー
ル漬れ又はワイヤ漬れとなり、近接する配線等とショー
トするおそれが生じる。
上記従来のワイヤボンディング装置においては、ボンデ
ィング工具7が接合面に到達する以前のソフトアプロー
チから、接合後のボンディング工具6がある程度上昇す
るまでの間T2〜T6においては、超音波を印加して接
合するための加圧力、即ち推力Fは一定に固定されてお
り、初頭の接合部面積をこの推力Fによってコントロー
ルすることができなかった。
更に、ボンディング工具7の上下動作において、加圧力
の大きな高速上下動時TI ’ ”7 ’ ”13及び
接合するための加圧力が限度以上に大きい場合には、ボ
ンディング工具7は安定して動作して震動等は発生しな
いが、低い加圧力で接合しようとするとソフトアプロー
チ時T2.T8及び上昇開始時点で、駆動側に追従でき
なくなって上下振動が発生してしまう。従って、必要に
せまられて低い加圧力で接合する場合には、全体の動作
スピードを落としてボンディングせざるを得ないことと
なる。
また、高い加圧力で接合する場合には、大きな衝撃をワ
ーク(半導体チップ)15に加えることとなり、これに
ダメージが残ってしまうことがあるばかりでなく、必要
以上にワイヤ又はボールを潰してしまい、超音波を印加
する際の面積が過大となるおそれがあるといった問題点
があった。
本発明は上記に鑑み、接合に最適な加圧力により、超音
波又は超音波と熱併用で接合する時の超音波スタート時
の接触面積を任意に設定することができ、低加圧力によ
り接合する時のボンディング工具(トランスジューサ)
の上下動を駆動源に追従させて安定して動作させるとと
もに、高加圧力により接合する時の衝撃を緩和すること
ができるものを提供することを目的としてなされたもの
である。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するため、接合部に加圧力を印
加させつつ互いに接触させ、しかる後、接合部に超音波
を印加させてワイヤを配線接続電極等に接合させるワイ
ヤボンディング装置の制御方法において、接合部が互い
に接触する前と、接触した後で超音波の印加を開始する
前と、印加を開始した後との夫々の加圧力を各々区別し
独立して制御するようにしたものである。
而して、接合部が互いに接触する前の加圧力を、ボンデ
ィング工具が安定して動作し振動が生じないように、接
触した後で超音波を印加する前の加圧力を、超音波を印
加する際に最適な初頭の接合部面積が得られるように、
超音波の印加した後の加圧力を、この接合に最適となる
ように、夫々設定すること等により、加圧力を印加する
駆動源の推力を目的により自在に変化させるようにした
ものである。
(実施例) 第1図乃至第3図に基づいて、本発明の一実施例を詳細
に説明する。
本実施例において、ワイヤボンディング装置自体は、−
に記従来のものをそのまま使用しており、」−記と異な
る点は第1ボンディング時T2〜TB及び第2ボンディ
ング時T8〜T12におけるボイスコイルモータ10の
推力Fが変化している点にある。
即ち、ボンディング工具7の上下動の位置を、アーム駆
動モータ13のエンコーダ16で読取り、所定の高さま
で下降が完了したことを人出力インターフェース17で
検知すると、高速下降時T1からソフトアプローチ時T
2として、低速な一定速度の下降となすとともに、入出
力インターフェース17からD/Aコンバータ18及び
モータドライバ19を介してボイスコイルモータ10の
推力Fを設定された値に変更(下降)させる。この推力
Fは、ボンディング工具7が安定して動作し振動が生じ
ない程度の値とする。
ボンディング工具7が更に下降してこの下端が接合面に
到達し、この到達を検知する面検知センサ20の信号り
がオンとなった時、次の設定された推力Fに変更(上昇
)させ、超音波の発振をスタートさせるまでのディレィ
タイムT3をカウントする。この推力Fは、ディレィタ
イムT3との関係で、超音波を印加する際に最適な初頭
の接合部面積が得られる程度の加圧力となる大きさとす
る。
この時間T3経過後に推力Fを接合に適した加圧力とな
るよう変更(下降)させ、超音波発振電源21を介して
トランスジューサ5を作動させ、超音波発振の設定時間
T4この出力波形Uを印加してmlのワイヤボンディン
グを完了させる。
超音波発振の終了後の超音波残留発振を考慮して、ディ
レィタイムT5経過後にボンディング工具6の上昇を開
始させ、時間T8の間ボンディング工具6が振動を起こ
さない程度の推力Fを維持し、所定の高さまで上昇した
後、高速動作に追従゛させるための大きな推力Fに変更
して次の接合に移る。
推力Fがかなり小さい場合には、このように一旦推力F
を上昇させた後、再び上昇させるようにした方が振動防
止を図る上で好ましい。
そして、高速上下動時T7の後、上記とほぼ同様に、ソ
フトアプローチ時T8として、低速な一定速度の下降と
なすとともに、ボイスコイルモータ10の推力Fを設定
された値、ここでは変更なしとし、超音波の発振をスタ
ートさせるまでのディレィタイムT9をカウントする。
この時間T9経過後に推力Fを接合に適した加圧力とな
るよう変更(上昇)させて超音波発振型?R21を介し
てトランスジューサ5を作動させ、超音波発振の設定時
間T10この出力波形Uを印加して第2のワイヤボンデ
ィングを完了させる。
超音波発振の終了後の超音波残留発振を考慮して、ディ
レィタイムT11経過後にボンディング工具6の上昇を
開始させ、時間T1□、T1□の間推力Fを維持した後
、高速動作に追従させるさせるための大きな推力Fに変
更して次の接合に移る。
上記制御は、ブロックダイヤプラムの第2図に示すよう
に、CPU22により予めプログラムされた動作で、タ
イムカウントはCPU22を作動させるためのクロック
23を基準クロックとして、ソフトウラエアタイマを使
用している。
本実施例では、時間をT1−”13に細分化して推力F
を設定しているが、小品種生産では、例えば時間T 2
 、T s及びT、における推力を同一値とする等、制
御系の負担を緩和して操作性の簡略化を図ることができ
る。
また、多品種少量生産では、種々の条件に適合した各設
定値のノウハウを集積して数値化し、CPU22により
演算させることにより、少ない設定項目で操作し、各細
目の設定値を自動的に設定するようにしても良い。
更に、本実施例では、ボイスコイルモータ10のモータ
ドライバ19にコンデンサを配し、充放電を利用して推
力が滑らかに変化するようにしているが、CPU22に
よりリアルタイムに推力Fを制御することもできる。
なお、本実施例では、ワイヤ(線材)を一本一本接続す
る装置として説明しているが、これに限定されることな
く、例えは偏平な配線部材に一括して超音波を印加して
、これを接合するボンディング装置に応用することがで
きることは勿論である。
(発明の効果〕 本発明は上記のような構成であるので、多様な品種の多
様な接合条件に適した接合を、生産性を低下することな
く行うことができるばかりでなく、従来のものでは安定
動作範囲外で使用することができなかった極低加圧力や
極高加圧力の条件による接合が可能となり、新しい半導
体製品の量産の道を開くことができる。
更に、最適な条件設定で接合することができることから
、品質が高く、シかも高歩留のワイヤボンディングを行
うことができるといった効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すタイムチャート、第2
図及び第3図は本発明が制御するワイヤボンディング装
置を示し、第2図はブロックダイヤグラム、第3図は装
置の全体側面図、第4図は従来例を示すタイムチャート
である。 5・・・トランスジューサ、6・・・ボンディング工具
、10・・・ボイスコイルモータ、S・・・ボンディン
グ工具の軌跡、D・・・面検出センサの信号、F・・・
ボイスコイルモータの推力(加圧力)、U・・・超音波
の出力波形。 出願人代理人  佐  藤  −雄 ■ 第1目 早3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、接合部に加圧力を印加させつつ互いに接触させ、し
    かる後、接合部に超音波を印加させてワイヤを配線接続
    電極等に接合させるワイヤボンディング装置の制御方法
    において、接合部が互いに接触する前と、接触した後で
    超音波の印加を開始する前と、印加を開始した後との夫
    々の加圧力を各々区別し独立して制御するようにしたこ
    とを特徴とするワイヤボンディング装置の制御方法。 2、接合部が互いに接触する前の加圧力をボンディング
    工具が安定して動作し振動が生じないように、接触した
    後で超音波を印加する前の加圧力を超音波を印加する際
    に最適な初頭の接合部面積が得られるように、超音波の
    印加した後の加圧力をこの接合に最適となるように夫々
    設定したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    ワイヤボンディング装置の制御方法。 3、前記接合部が互いに接触する前と、接触した後で超
    音波の印加を開始する前と、印加を開始した後との夫々
    の加圧力の内の2つの値を同一としたことを特徴とする
    特許請求の範囲第1項又は第2項記載のワイヤボンディ
    ング装置の制御方法。 4、超音波による印加を終了した後、ボンディング工具
    が振動を起こさない程度の加圧力を維持するようにしこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項のいず
    れかに記載のワイヤボンディング装置の制御方法。 5、偏平な配線部材に一括して超音波を印加してこれを
    接合するワイヤボンディング装置を制御するようにした
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4項記載
    のいずれかに記載のワイヤボンディング装置の制御方法
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443200A (en) * 1993-10-13 1995-08-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bonding apparatus and bonding method
JP2011009261A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp 加圧式超音波振動接合方法および加圧式超音波振動接合装置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2506958B2 (ja) * 1988-07-22 1996-06-12 松下電器産業株式会社 ワイヤボンディング装置
GB8826488D0 (en) * 1988-11-11 1988-12-14 Emhart Deutschland Quality control for wire bonding
JP2736914B2 (ja) * 1989-03-06 1998-04-08 株式会社新川 ワイヤボンデイング方法
JPH039540A (ja) * 1989-06-07 1991-01-17 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法
US4976392A (en) * 1989-08-11 1990-12-11 Orthodyne Electronics Corporation Ultrasonic wire bonder wire formation and cutter system
JPH088285B2 (ja) * 1990-02-23 1996-01-29 株式会社東芝 ワイヤボンディング方法
JPH04247631A (ja) * 1991-02-01 1992-09-03 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンディング装置
JP3094374B2 (ja) * 1991-02-15 2000-10-03 株式会社新川 ワイヤボンダ用フレーム固定装置
US5386092A (en) * 1991-11-04 1995-01-31 Unitek Equipment Inc. Fast response weld head
US5225647A (en) * 1991-11-04 1993-07-06 Unitek Equipment Inc. Motorized weld head
US5230458A (en) * 1992-06-23 1993-07-27 National Semiconductor Corp. Interconnect formation utilizing real-time feedback
JP3017895B2 (ja) * 1992-12-01 2000-03-13 株式会社東芝 チップ部品マウント装置
JPH06349876A (ja) * 1993-06-11 1994-12-22 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法及び装置
US5586713A (en) * 1993-08-31 1996-12-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for wire bonding
US5868300A (en) * 1995-06-29 1999-02-09 Orthodyne Electronics Corporation Articulated wire bonder
JP3504448B2 (ja) * 1996-10-17 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US5775055A (en) * 1997-02-21 1998-07-07 Tetra Laval Holdings & Finance, S. A. Ultrasonic sealing anvil
TW486399B (en) * 2000-05-11 2002-05-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of operating a welding machine and a welding machine
US6299052B1 (en) * 2000-06-28 2001-10-09 American Technology, Inc. Anti-slide splice welder
DE102005044048B4 (de) * 2004-09-30 2007-05-03 Unaxis International Trading Ltd. Wire Bonder

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4444349A (en) * 1981-05-04 1984-04-24 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Wire bonding apparatus
JPS5950536A (ja) * 1982-09-16 1984-03-23 Toshiba Corp ワイヤボンデイング装置
US4597519A (en) * 1984-02-27 1986-07-01 Fairchild Camera & Instrument Corporation Lead wire bonding with increased bonding surface area
US4603802A (en) * 1984-02-27 1986-08-05 Fairchild Camera & Instrument Corporation Variation and control of bond force
US4653681A (en) * 1985-05-16 1987-03-31 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Voice coil actuated fine wire clamp

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443200A (en) * 1993-10-13 1995-08-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bonding apparatus and bonding method
JP2011009261A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp 加圧式超音波振動接合方法および加圧式超音波振動接合装置

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US4789095A (en) 1988-12-06

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