JP2770542B2 - ワイヤボンダーにおけるトランスデューサのｕｓ発振装置 - Google Patents
ワイヤボンダーにおけるトランスデューサのｕｓ発振装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はワイヤボンダーにおけるトランスデューサの
US発振装置に係り、入力設定部とトランスデューサの間
に設けられる積分回路に、積分機能をオンオフする切り
換え手段を設け、この切り換え手段を切り換えることに
より、トランスデューサに付与される高周波エネルギー
の立ち上り時の波形を制御して、ワイヤの良好なボンデ
ィングを行えるようにしたものである。
US発振装置に係り、入力設定部とトランスデューサの間
に設けられる積分回路に、積分機能をオンオフする切り
換え手段を設け、この切り換え手段を切り換えることに
より、トランスデューサに付与される高周波エネルギー
の立ち上り時の波形を制御して、ワイヤの良好なボンデ
ィングを行えるようにしたものである。
（従来の技術） ダイボンダーによりリードフレームのような基板上に
半導体チップを搭載した後で、半導体チップと基板は、
ワイヤボンダーにより細いワイヤにて接続される。この
ワイヤボンダーは、トランスデューサに保持されたキャ
ピラリの下端部からワイヤを導出し、このトランスデュ
ーサに高周波エネルギーを付与して、このトランスデュ
ーサを超音波（US）振動させながら、ワイヤを半導体チ
ップや基板にボンディングして、半導体チップと基板を
ワイヤにより接続するようになっている。
半導体チップを搭載した後で、半導体チップと基板は、
ワイヤボンダーにより細いワイヤにて接続される。この
ワイヤボンダーは、トランスデューサに保持されたキャ
ピラリの下端部からワイヤを導出し、このトランスデュ
ーサに高周波エネルギーを付与して、このトランスデュ
ーサを超音波（US）振動させながら、ワイヤを半導体チ
ップや基板にボンディングして、半導体チップと基板を
ワイヤにより接続するようになっている。
第４図はトランスデューサに上記のような高周波エネ
ルギーを付与するための従来のUS発振回路を示すもので
あって、100はトランスデューサ、102はホーン101の先
端部に装着されたキャピラリ、103はキャピラリ102に通
されたワイヤ、104は半導体チップ、105はリードフレー
ムのような基板である。また106はデジタルアナログ変
換器から成る入力設定部、107は積分回路、108は乗算
器、109は正弦波発振器、110はアンプ、111はトランス
である。
ルギーを付与するための従来のUS発振回路を示すもので
あって、100はトランスデューサ、102はホーン101の先
端部に装着されたキャピラリ、103はキャピラリ102に通
されたワイヤ、104は半導体チップ、105はリードフレー
ムのような基板である。また106はデジタルアナログ変
換器から成る入力設定部、107は積分回路、108は乗算
器、109は正弦波発振器、110はアンプ、111はトランス
である。
トランスデューサ100はトランス111から出力される高
周波エネルギーにより超音波振動し、その振動をキャピ
ラリ102に伝達することにより、ワイヤ103をキャピラリ
102の下端部によりチップ104や基板105に押し付けて接
着する際に、接着効果をあげるとともに、電気的接続状
態を良好とするためにワイヤ103の新鮮面を露出させる
ようになっている。
周波エネルギーにより超音波振動し、その振動をキャピ
ラリ102に伝達することにより、ワイヤ103をキャピラリ
102の下端部によりチップ104や基板105に押し付けて接
着する際に、接着効果をあげるとともに、電気的接続状
態を良好とするためにワイヤ103の新鮮面を露出させる
ようになっている。
上記従来手段は、入力設定部106に入力される制御信
号ａにより、トランスデューサ100を駆動する入力設定
部106の出力波形１−１の振幅と時間が設定される。
号ａにより、トランスデューサ100を駆動する入力設定
部106の出力波形１−１の振幅と時間が設定される。
第５図は、上記各部106,107,108の出力波形を示すも
のであり、図中、1stボンディングとはワイヤ103と半導
体チップ104の接続、2ndボンディングとはワイヤ103と
基板105のボンディングである。このものは、入力設定
部106の出力波形１−１を積分回路107により積分したう
えで（１−２）、乗算器108により正弦波と乗算し（１
−３）、トランスデューサ100に高周波エネルギーを付
与するようになっていた。
のであり、図中、1stボンディングとはワイヤ103と半導
体チップ104の接続、2ndボンディングとはワイヤ103と
基板105のボンディングである。このものは、入力設定
部106の出力波形１−１を積分回路107により積分したう
えで（１−２）、乗算器108により正弦波と乗算し（１
−３）、トランスデューサ100に高周波エネルギーを付
与するようになっていた。
上記従来手段の1stボンディングの各々の出力波形１
−1,1−2,1−３と、2ndボンディングの出力波形２−1,2
−2,2−３は何れも同じであり、したがってワイヤ103を
半導体チップ104に1stボンディングする際と、基板105
に2sdボンディングする際は、トランスデューサ100は同
様のUS振動をするようになっていた。
−1,1−2,1−３と、2ndボンディングの出力波形２−1,2
−2,2−３は何れも同じであり、したがってワイヤ103を
半導体チップ104に1stボンディングする際と、基板105
に2sdボンディングする際は、トランスデューサ100は同
様のUS振動をするようになっていた。
（発明が解決しようとする課題） ところで、1stボンディングの場合、トランスデュー
サ100がいきなり強力にUS振動すると、半導体チップ104
にチップダメージを与えるため、この種US発振手段は、
入力設定部106と乗算器108の間に積分回路107を介在さ
せて、トランスデューサ100に付与される出力波形の立
ち上り部ｂ（第５図１−３参照）を平滑することによ
り、立ち上り時T1には弱いエネルギーでボンディング
し、これに続く一定時間T2に、強いエネルギーで強力に
ボンディングするようになっている。このように1stボ
ンディングの場合は、立ち上り時T1のエネルギーを弱く
することにより、良好にボンディングできるが、ワイヤ
103を基板105にボンディングする2ndボンディングにお
いては、立ち上り時T1のエネルギーが弱すぎるため、迅
速にボンディングできない問題があった。
サ100がいきなり強力にUS振動すると、半導体チップ104
にチップダメージを与えるため、この種US発振手段は、
入力設定部106と乗算器108の間に積分回路107を介在さ
せて、トランスデューサ100に付与される出力波形の立
ち上り部ｂ（第５図１−３参照）を平滑することによ
り、立ち上り時T1には弱いエネルギーでボンディング
し、これに続く一定時間T2に、強いエネルギーで強力に
ボンディングするようになっている。このように1stボ
ンディングの場合は、立ち上り時T1のエネルギーを弱く
することにより、良好にボンディングできるが、ワイヤ
103を基板105にボンディングする2ndボンディングにお
いては、立ち上り時T1のエネルギーが弱すぎるため、迅
速にボンディングできない問題があった。
またワイヤボンディングには、半導体チップ104の電
極部の数が多く、したがってワイヤ103の本数が多い高
密度ボンディングと、ワイヤ103の本数が少い低密度ボ
ンディングがあるが、高密度ボンディングの場合には、
ワイヤ103とワイヤ103のピッチは小さいため、相隣るワ
イヤ103,103同士が干渉し合わないように丁寧にボンデ
ィングし、また低密度ボンディングの場合は、相隣るワ
イヤ103,103同士が干渉する虞れはないので、トランス
デューサ100に強いエネルギーを付与して、迅速にボン
ディングすることが望ましい。このようにこの種US発振
手段は、ボンディングの態様によって、トランスデュー
サ100に付与する高周波エネルギーを調整することが望
ましいのであるが、上記従来手段では、上記のように様
々のボンディングの態様には対応できないものであり、
またキャピラリ102の荷重（ワイヤ103を半導体チップ10
4や基板105に押し付ける力）も、US発振手段と、組み合
わせて調整できないものであった。
極部の数が多く、したがってワイヤ103の本数が多い高
密度ボンディングと、ワイヤ103の本数が少い低密度ボ
ンディングがあるが、高密度ボンディングの場合には、
ワイヤ103とワイヤ103のピッチは小さいため、相隣るワ
イヤ103,103同士が干渉し合わないように丁寧にボンデ
ィングし、また低密度ボンディングの場合は、相隣るワ
イヤ103,103同士が干渉する虞れはないので、トランス
デューサ100に強いエネルギーを付与して、迅速にボン
ディングすることが望ましい。このようにこの種US発振
手段は、ボンディングの態様によって、トランスデュー
サ100に付与する高周波エネルギーを調整することが望
ましいのであるが、上記従来手段では、上記のように様
々のボンディングの態様には対応できないものであり、
またキャピラリ102の荷重（ワイヤ103を半導体チップ10
4や基板105に押し付ける力）も、US発振手段と、組み合
わせて調整できないものであった。
そこで本発明は、トランスデューサに付与される高周
波エネルギーの立ち上り波形を簡単に調整できるUS発振
手段を提供することを目的とする。
波エネルギーの立ち上り波形を簡単に調整できるUS発振
手段を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） このために本発明は、入力設定部と乗算器の間に設け
られる積分回路に、積分機能をオンオフする切り換え手
段を設け、この切り換え手段を切り換えることにより、
上記トランスデューサに付与される高周波エネルギーの
立ち上り時の波形を制御するようにしたものである。
られる積分回路に、積分機能をオンオフする切り換え手
段を設け、この切り換え手段を切り換えることにより、
上記トランスデューサに付与される高周波エネルギーの
立ち上り時の波形を制御するようにしたものである。
（作用） 上記構成において、例えば1stボンディングや高密度
ボンディングにおける2ndボンディング等において、ワ
イヤをまず弱いエネルギーでボンディングし、続いて強
いエネルギーでボンディングしたい場合には、切り換え
手段を閉にして、積分回路の積分機能をオンにし、高周
波エネルギーの立ち上り波形を滑らかにする。また例え
ば低密度ボンディングにおける2ndボンディング等にお
いて、ワイヤをいきなり強いエネルギーで迅速にボンデ
ィングしたい場合には、切り換え手段を開にして、積分
回路の積分機能をオフにする。
ボンディングにおける2ndボンディング等において、ワ
イヤをまず弱いエネルギーでボンディングし、続いて強
いエネルギーでボンディングしたい場合には、切り換え
手段を閉にして、積分回路の積分機能をオンにし、高周
波エネルギーの立ち上り波形を滑らかにする。また例え
ば低密度ボンディングにおける2ndボンディング等にお
いて、ワイヤをいきなり強いエネルギーで迅速にボンデ
ィングしたい場合には、切り換え手段を開にして、積分
回路の積分機能をオフにする。
（実施例） 以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図はワイヤボンダーのトランスデューサを駆動す
るUS発振回路図、第２図はワイヤボンディングの動作図
である。US（超音波）発振回路を説明する前に、ワイヤ
ボンディング作業を簡単に説明する。
るUS発振回路図、第２図はワイヤボンディングの動作図
である。US（超音波）発振回路を説明する前に、ワイヤ
ボンディング作業を簡単に説明する。
第１図において、１はトランスデューサであって、棒
常のホーン２の後端部に圧電素子３が取り付けられてお
り、またホーン２の先端部にはキャピラリ４が保持され
ている。５はリードフレームのような基板、６はその上
面に搭載された半導体チップである。７はキャピラリ４
に通された細い金線のようなワイヤであって、このワイ
ヤ７により、半導体チップ６の上面に形成された電極部
と、基板５の電極部を接続する。本発明では、キャピラ
リ４の下端部から導出されたワイヤ７の下端部をチップ
６に接着することを1stボンディングといい、これに続
いてワイヤ７の他端部側を基板５に接着することを2nd
ボンディングという。
常のホーン２の後端部に圧電素子３が取り付けられてお
り、またホーン２の先端部にはキャピラリ４が保持され
ている。５はリードフレームのような基板、６はその上
面に搭載された半導体チップである。７はキャピラリ４
に通された細い金線のようなワイヤであって、このワイ
ヤ７により、半導体チップ６の上面に形成された電極部
と、基板５の電極部を接続する。本発明では、キャピラ
リ４の下端部から導出されたワイヤ７の下端部をチップ
６に接着することを1stボンディングといい、これに続
いてワイヤ７の他端部側を基板５に接着することを2nd
ボンディングという。
第２図は作業順を示すものであって、縦軸は基板５の
上面からキャピラリ４の下端部までの高さＨ、横軸は時
間Ｔ、〜は作業順である。当初、キャピラリ４は高
さH1の待機位置にあり（）、トーチ電極８をワイヤ７
の下端部に近づけて、電気スパークによりワイヤ７の下
端部に溶融ボール９を形成する。次いでキャピラリ４は
チップ６の上面（高さH2）へ下降し（）、ワイヤ７の
下端部に形成されたボール９をチップ６の上面に1stボ
ンディングする（）。このボンディングは、キャピラ
リ４の下端部をチップ６に押し付けることにより行われ
るが、その際、トランスデューサ１をUS発振手段により
高速振動させることにより、ボール９の新鮮面を露出さ
せながらボンディングする。
上面からキャピラリ４の下端部までの高さＨ、横軸は時
間Ｔ、〜は作業順である。当初、キャピラリ４は高
さH1の待機位置にあり（）、トーチ電極８をワイヤ７
の下端部に近づけて、電気スパークによりワイヤ７の下
端部に溶融ボール９を形成する。次いでキャピラリ４は
チップ６の上面（高さH2）へ下降し（）、ワイヤ７の
下端部に形成されたボール９をチップ６の上面に1stボ
ンディングする（）。このボンディングは、キャピラ
リ４の下端部をチップ６に押し付けることにより行われ
るが、その際、トランスデューサ１をUS発振手段により
高速振動させることにより、ボール９の新鮮面を露出さ
せながらボンディングする。
このようにしてボール９をチップ６にボンディングし
た後、キャピラリ４を上昇させるとともに、トランスデ
ューサ１をXY方向に移動させ、次いでキャピラリ４の下
端部を基板５上に着地させ（）、2ndボンディングを
行う（）。この2ndボンディングも、上記1stボンディ
ングと同様に、トランスデューサ１をUS発振手段により
高速振動させながら行う。
た後、キャピラリ４を上昇させるとともに、トランスデ
ューサ１をXY方向に移動させ、次いでキャピラリ４の下
端部を基板５上に着地させ（）、2ndボンディングを
行う（）。この2ndボンディングも、上記1stボンディ
ングと同様に、トランスデューサ１をUS発振手段により
高速振動させながら行う。
このようにして、ワイヤ７によりチップ６と基板５を
接続したならば、キャピラリ４を上昇させ（）、キャ
ピラリ４は元の高さH1に復帰する。かかる一連の作業を
繰り返し行うことにより、チップ６の電極部と基板５の
電極部は次々にワイヤ７により接続される。
接続したならば、キャピラリ４を上昇させ（）、キャ
ピラリ４は元の高さH1に復帰する。かかる一連の作業を
繰り返し行うことにより、チップ６の電極部と基板５の
電極部は次々にワイヤ７により接続される。
第１図において、10はリニアモータから成る荷重装
置、11はコイルばねである。コイル部10aに電流を流す
と、コイル部10aはばね11のばね力に抗して突没し、ホ
ーン２は回転軸８を中心に矢印方向に揺動して、キャピ
ラリ４の下端部を、半導体チップ６や基板５の上面に押
し付ける。19はタッチセンサである。この押し付け力す
なわちキャピラリ４の荷重は、コイル部10aへの給電量
により制御される。勿論、ホーン２を上下動させて、キ
ャピラリ４の荷重を調整するようにしてもよい。第２図
（ａ），（ｂ），（ｃ）は、高密度ボンディング（後に
詳述）の場合のタッチセンサ、US発振、キャピラリ荷重
のタイムチャートの１例である。
置、11はコイルばねである。コイル部10aに電流を流す
と、コイル部10aはばね11のばね力に抗して突没し、ホ
ーン２は回転軸８を中心に矢印方向に揺動して、キャピ
ラリ４の下端部を、半導体チップ６や基板５の上面に押
し付ける。19はタッチセンサである。この押し付け力す
なわちキャピラリ４の荷重は、コイル部10aへの給電量
により制御される。勿論、ホーン２を上下動させて、キ
ャピラリ４の荷重を調整するようにしてもよい。第２図
（ａ），（ｂ），（ｃ）は、高密度ボンディング（後に
詳述）の場合のタッチセンサ、US発振、キャピラリ荷重
のタイムチャートの１例である。
タッチセンサ19は、キャピラリ４が所定高さまで下降
するとONとなる。またUS発振手段は、タッチセンサ19が
ONとなった後に駆動する。更にキャピラリ４の荷重は、
上述したように、荷重装置10のコイル部10aへの給電量
により制御される。次に第１図を参照しながら、US発振
回路の説明を行う。
するとONとなる。またUS発振手段は、タッチセンサ19が
ONとなった後に駆動する。更にキャピラリ４の荷重は、
上述したように、荷重装置10のコイル部10aへの給電量
により制御される。次に第１図を参照しながら、US発振
回路の説明を行う。
20は８ビットのデジタルアナログ変換器から成る入力
設定部であって、抵抗体21を介して、積分回路22を構成
するアンプ23に接続されている。アンプ23の一方の入力
部は、抵抗体24を介して接地されている。このアンプ23
と並列に、抵抗体25と、コンデンサ26及び切り換え手段
としてのアナログスイッチ27が接続されている。このア
ナログスイッチ27は、波形セレクト信号により制御され
る。28は乗算器であって、積分回路22の出力と、正弦波
発振器29の出力を乗算し、乗算値をトランスデューサ１
側に出力する。また乗算器28は、パワーアンプ30,トラ
ンス31を介して上記圧電素子３に接続されている。
設定部であって、抵抗体21を介して、積分回路22を構成
するアンプ23に接続されている。アンプ23の一方の入力
部は、抵抗体24を介して接地されている。このアンプ23
と並列に、抵抗体25と、コンデンサ26及び切り換え手段
としてのアナログスイッチ27が接続されている。このア
ナログスイッチ27は、波形セレクト信号により制御され
る。28は乗算器であって、積分回路22の出力と、正弦波
発振器29の出力を乗算し、乗算値をトランスデューサ１
側に出力する。また乗算器28は、パワーアンプ30,トラ
ンス31を介して上記圧電素子３に接続されている。
本装置は、1stボンディングや2ndボンディング、ある
いは高密度ボンディングや低密度ボンディング等のボン
ディングの態様により、上記切り換え手段27を切り換え
開閉し、積分回路22の積分機能をオンオフするものであ
り、第３図を参照しながら、まず高密度ボンディングの
説明を行う。
いは高密度ボンディングや低密度ボンディング等のボン
ディングの態様により、上記切り換え手段27を切り換え
開閉し、積分回路22の積分機能をオンオフするものであ
り、第３図を参照しながら、まず高密度ボンディングの
説明を行う。
入力設定部20の出力波形１−１（第３図参照）は、こ
れに入力される制御信号ａ（第１図参照）により設定さ
れる。すなわち、出力波形１−１の振巾Ｖは、８ビット
の“0"、“1"により設定され、また時間Ｔは入力信号ａ
のパルス巾Ｌにより設定される。そこで1stボンディン
グを行うにあたっては、第３図１−１に示す矩形の出力
波形が得られるように入力値を設定する。1stボンディ
ングにおいては、アナログスイッチ27は閉にして、積分
回路22の積分機能をオンにしておく。したがってこの矩
形の出力波形１−１は積分されて、１−２に示す滑らか
な立ち上り部ｂを有する波形となる。この波形は、乗算
器28により正弦波発振器29から入力された正弦波と乗算
され、１−３で示す波形となる。この出力はパワーアン
プ30で増巾され、さらにトランス31で昇圧されて、その
高周波エネルギーはトランスデューサ１の圧電素子３に
付与され、トランスデューサ１はUS発振する。
れに入力される制御信号ａ（第１図参照）により設定さ
れる。すなわち、出力波形１−１の振巾Ｖは、８ビット
の“0"、“1"により設定され、また時間Ｔは入力信号ａ
のパルス巾Ｌにより設定される。そこで1stボンディン
グを行うにあたっては、第３図１−１に示す矩形の出力
波形が得られるように入力値を設定する。1stボンディ
ングにおいては、アナログスイッチ27は閉にして、積分
回路22の積分機能をオンにしておく。したがってこの矩
形の出力波形１−１は積分されて、１−２に示す滑らか
な立ち上り部ｂを有する波形となる。この波形は、乗算
器28により正弦波発振器29から入力された正弦波と乗算
され、１−３で示す波形となる。この出力はパワーアン
プ30で増巾され、さらにトランス31で昇圧されて、その
高周波エネルギーはトランスデューサ１の圧電素子３に
付与され、トランスデューサ１はUS発振する。
このように1stボンディングの場合には、１−３で示
す出力波形の立上り部ｂを滑らかにすることにより、ボ
ンディングの開始時に、半導体チップ６がチップダメー
ジを受けるのを回避している。またこの場合、荷重装置
10への給電力を大きくして、コイルばね11のばね力を相
殺し、キャピラリ４の荷重を小さくして、キャピラリ４
を半導体チップ６の上面に軽く押し付けることにより、
チップダメージを回避する（第３図１−４参照）。
す出力波形の立上り部ｂを滑らかにすることにより、ボ
ンディングの開始時に、半導体チップ６がチップダメー
ジを受けるのを回避している。またこの場合、荷重装置
10への給電力を大きくして、コイルばね11のばね力を相
殺し、キャピラリ４の荷重を小さくして、キャピラリ４
を半導体チップ６の上面に軽く押し付けることにより、
チップダメージを回避する（第３図１−４参照）。
また2ndボンディングを行う場合も、アナログスイッ
チ27は閉にする。そして入力設定部20から２−１に示す
段階状の波形を出力し、積分回路22により立ち上り部ｂ
の波形を滑らかにしたうえで（２−２）、乗算器28によ
り正弦波と乗算し（２−３）、高周波エネルギーをトラ
ンスデューサ１に付与する。
チ27は閉にする。そして入力設定部20から２−１に示す
段階状の波形を出力し、積分回路22により立ち上り部ｂ
の波形を滑らかにしたうえで（２−２）、乗算器28によ
り正弦波と乗算し（２−３）、高周波エネルギーをトラ
ンスデューサ１に付与する。
このように2ndボンディングにおいて、トランスデュ
ーサ１に付与される高周波エネルギーを段階的に大きく
すれば、ボンディング開始時T1においては、まず軽くワ
イヤ７を基板５に圧着し、これに続く時間T2で強く圧着
することができ、かつこのように丁寧にボンディングす
ることにより、密に相隣るワイヤ７同士が干渉し合うの
を防止できる。この場合、２−４に示すように、キャピ
ラリ４の荷重は当初はやや大にして、時間T1における小
さな高周波エネルギーを補償し、次いで高周波エネルギ
ーが大きくなった後（T2）には、荷重を小さくして、ワ
イヤ７に過大な力が加えられるのを回避する。勿論上記
波形２−1,2−2,2−３は、３段階以上に段階的に増大さ
せてもよく、あるいはアナログ的に次第に大きくしても
よいものであり、この場合、キャピラリ４の荷重は、ア
ナログ的に次第に小さくすることが望ましい。このよう
にトランスデューサ１に付与される高周波エネルギーの
波形は、様々に調整してよいものである。
ーサ１に付与される高周波エネルギーを段階的に大きく
すれば、ボンディング開始時T1においては、まず軽くワ
イヤ７を基板５に圧着し、これに続く時間T2で強く圧着
することができ、かつこのように丁寧にボンディングす
ることにより、密に相隣るワイヤ７同士が干渉し合うの
を防止できる。この場合、２−４に示すように、キャピ
ラリ４の荷重は当初はやや大にして、時間T1における小
さな高周波エネルギーを補償し、次いで高周波エネルギ
ーが大きくなった後（T2）には、荷重を小さくして、ワ
イヤ７に過大な力が加えられるのを回避する。勿論上記
波形２−1,2−2,2−３は、３段階以上に段階的に増大さ
せてもよく、あるいはアナログ的に次第に大きくしても
よいものであり、この場合、キャピラリ４の荷重は、ア
ナログ的に次第に小さくすることが望ましい。このよう
にトランスデューサ１に付与される高周波エネルギーの
波形は、様々に調整してよいものである。
次いで低密度ボンディングについて説明する。この場
合、1stボンディングは、上記高密度ボンディングの場
合とまったく同様であって、アナログスイッチ27は閉に
しておく。また2ndボンディングの場合は、アナログス
イッチ27は開にし、コンデンサ26の積分機能をオフにす
る。すると２′−１に示す入力設定部20の出力波形は、
そのままの矩形波形として積分回路22から出力され
（２′−２）、乗算器28から出力された矩形の高周波出
力（２′−３）が、トランスデューサ１に付与される。
すなわち2ndボンディングは、ワイヤ７を基板５にボン
ディングするものであるから、チップダメージを与える
虞れはなく、また低密度ボンディングであるので相隣る
ワイヤ７が干渉し合うこともないので、１−３に示す波
形のように、立ち上り部を滑らかにする必要はなく、
２′−３に示す矩形の波形で迅速にボンディングする。
このように本手段は、積分回路22に、アナログスイッチ
27を設けたことにより、1stボンディングや2ndボンディ
ング、或いは高密度ボンディングや低密度ボンディング
等のボンディングの態様に応じて、トランスデューサ１
に付与される高周波エネルギーの立ち上り部の波形を自
由に制御することができる。
合、1stボンディングは、上記高密度ボンディングの場
合とまったく同様であって、アナログスイッチ27は閉に
しておく。また2ndボンディングの場合は、アナログス
イッチ27は開にし、コンデンサ26の積分機能をオフにす
る。すると２′−１に示す入力設定部20の出力波形は、
そのままの矩形波形として積分回路22から出力され
（２′−２）、乗算器28から出力された矩形の高周波出
力（２′−３）が、トランスデューサ１に付与される。
すなわち2ndボンディングは、ワイヤ７を基板５にボン
ディングするものであるから、チップダメージを与える
虞れはなく、また低密度ボンディングであるので相隣る
ワイヤ７が干渉し合うこともないので、１−３に示す波
形のように、立ち上り部を滑らかにする必要はなく、
２′−３に示す矩形の波形で迅速にボンディングする。
このように本手段は、積分回路22に、アナログスイッチ
27を設けたことにより、1stボンディングや2ndボンディ
ング、或いは高密度ボンディングや低密度ボンディング
等のボンディングの態様に応じて、トランスデューサ１
に付与される高周波エネルギーの立ち上り部の波形を自
由に制御することができる。
（発明の効果） 以上説明したように本発明は、積分回路に、積分機能
をオンオフする切り換え手段を設け、この切り換え手段
を切り換えることにより、トランスデューサに付与され
る高周波エネルギーの立ち上り時の波形を制御するよう
にしているので、ボンディングの態様に応じて、トラン
スデューサに付与される高周波エネルギーの立ち上り波
形を制御し、チップダメージを回避するとともに、ワイ
ヤを半導体チップや基板に良好にボンディングすること
ができる。
をオンオフする切り換え手段を設け、この切り換え手段
を切り換えることにより、トランスデューサに付与され
る高周波エネルギーの立ち上り時の波形を制御するよう
にしているので、ボンディングの態様に応じて、トラン
スデューサに付与される高周波エネルギーの立ち上り波
形を制御し、チップダメージを回避するとともに、ワイ
ヤを半導体チップや基板に良好にボンディングすること
ができる。
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図はUS発
振回路図、第２図は動作図、第３図は波形図、第４図及
び第５図は従来手段のUS発振回路図及び波形図である。 １……トランスデューサ ４……キャピラリ ５……基板 ６……半導体チップ ７……ワイヤ 20……入力設定部 22……積分回路 27……切り換え手段 28……乗算器 29……正弦波発振器
振回路図、第２図は動作図、第３図は波形図、第４図及
び第５図は従来手段のUS発振回路図及び波形図である。 １……トランスデューサ ４……キャピラリ ５……基板 ６……半導体チップ ７……ワイヤ 20……入力設定部 22……積分回路 27……切り換え手段 28……乗算器 29……正弦波発振器
Claims (1)
- 【請求項１】ワイヤが通されるキャピラリと、このキャ
ピラリを保持するトランスデューサと、このトランスデ
ューサに高周波エネルギーを付与するUS発振回路とを備
え、このUS発振回路を駆動してトランスデューサを超音
波振動させながら、キャピラリの下端部から導出された
ワイヤを半導体チップ及び基板に接着して、半導体チッ
プと基板をワイヤにより接続するようにしたワイヤボン
ダーにおいて、 上記US発振回路が、入力設定部と、この入力設定部の出
力を積分する積分回路と、この積分回路と正弦波発振器
の出力を乗算し、かつ乗算された出力を上記トランスデ
ューサに印加する乗算器とを備え、上記積分回路に、積
分機能をオンオフする切り換え手段を設けて、この切り
換え手段を切り換えることにより、上記トランスデュー
サに付与される高周波エネルギーの立ち上り時の波形を
制御するようにしたことを特徴とするワイヤボンダーに
おけるトランスデューサのUS発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2063236A JP2770542B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | ワイヤボンダーにおけるトランスデューサのｕｓ発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2063236A JP2770542B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | ワイヤボンダーにおけるトランスデューサのｕｓ発振装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263850A JPH03263850A (ja) | 1991-11-25 |
| JP2770542B2 true JP2770542B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=13223385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2063236A Expired - Fee Related JP2770542B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | ワイヤボンダーにおけるトランスデューサのｕｓ発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770542B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5444125B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-03-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| TWI506710B (zh) * | 2009-09-09 | 2015-11-01 | Renesas Electronics Corp | 半導體裝置之製造方法 |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP2063236A patent/JP2770542B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03263850A (ja) | 1991-11-25 |
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