JPH0541413A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

Info

Publication number
JPH0541413A
JPH0541413A JP19639991A JP19639991A JPH0541413A JP H0541413 A JPH0541413 A JP H0541413A JP 19639991 A JP19639991 A JP 19639991A JP 19639991 A JP19639991 A JP 19639991A JP H0541413 A JPH0541413 A JP H0541413A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
transducer
impedance
output
correlation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP19639991A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2976602B2 (ja
Inventor
Hironori Kusuki
弘典 楠木
Kenichiro Sadakane
健一郎 貞包
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP19639991A priority Critical patent/JP2976602B2/ja
Publication of JPH0541413A publication Critical patent/JPH0541413A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2976602B2 publication Critical patent/JP2976602B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワイヤボンディングの良、不良を簡単に判別
して、不良の場合には、直ちに良となるように装置の調
整ができる手段を提供する。 【構成】 トランスデューサ1に加えられる電圧と電流
をサンプリングしてトランスデューサ1の出力とインピ
ーダンスを算出し、一方、トランスデューサ1の出力及
びインピーダンスとボンディングの良否の相関関係を予
め求めておき、上記算出結果をこの相関関係に照らし
て、ボンディングの良否を判断するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング方法
に係り、詳しくはトランスデューサに加えられる電圧と
電流をサンプリングして、トランスデューサの出力とイ
ンピーダンスを求め、これに基づいて、ワイヤボンディ
ングの良否を判断するようにしたものである。
【0002】
【従来の技術】ダイボンダーによりリードフレームなど
の基板上に半導体チップを搭載した後で、半導体チップ
の電極と基板の電極は、ワイヤボンダーによりワイヤに
て接続される。このワイヤボンダーは、トランスデュー
サに保持されたキャピラリの下端部からワイヤを導出
し、このトランスデューサに高周波エネルギーを付与し
て、このトランスデューサを超音波(US)振動させな
がら、ワイヤを半導体チップや基板の電極にボンディン
グして、半導体チップと基板をワイヤにより接続するよ
うになっている。
【0003】トランスデューサは、US発振部から高周
波エネルギーが付与され、またリニアモータなどの荷重
装置から荷重が付与されるが、良好なボンディングを行
うためには、基板をクランパーによりしっかりクランプ
したうえで、高周波エネルギーや荷重を的確に付与する
ように、US発振部や荷重装置を制御しなければならな
い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】トランスデューサに
は、US発振部から高周波エネルギーとして所定の電圧
が付与され、トランスデューサの負荷に応じた電流が流
れるが、ボンディング中の負荷変動により、この電圧と
電流の値がずれると、ボンディング不良が発生する。そ
こで本発明者がトランスデューサの出力の大きさと、荷
重装置によってトランスデューサに加えられる荷重の大
きさに基づくトランスデューサのインピーダンスの相関
関係図を作成してみたところ、良好なボンディングと不
良なボンディングは、相関関係図上において明瞭に区別
できることが判明した。
【0005】そこで本発明は上記の点に着眼してなされ
たものであって、上記出力とインピーダンスの相関関係
に基づいて、ボンディングの良否を判断できる手段を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、トランスデュ
ーサに加えられる電圧と電流をサンプリングしてトラン
スデューサの出力とインピーダンスを算出し、一方、ト
ランスデューサの出力及びインピーダンスとボンディン
グ良否の相関関係を予め求めておき、上記算出結果をこ
の相関関係に照らして、ボンディングの良否を判断する
ようにしたものである。
【0007】
【作用】上記構成において、サンプリングされた電圧と
電流に基づいて、トランスデューサの出力とインピーダ
ンスを算出する。そして予め求められた相関関係にこの
算出結果を照らしてみることにより、ボンディングの良
否を判断する。そしてボンディング不良の場合には、ボ
ンディング動作を中止する。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
【0009】図1において、1はトランスデューサであ
って、棒状のホーン2の後端部に圧電素子3が取り付け
られており、またホーン2の先端部にはキャピラリ4が
保持されている。5はリードフレームのような基板、6
はその上面に搭載された半導体チップである。7はキャ
ピラリ4に通された細い金線のようなワイヤであって、
このワイヤ7により、半導体チップ6の上面に形成され
た電極と、基板5の電極を接続する。9は基板5を左右
からクランプして位置決めするクランパーである。
【0010】10はリニアモータから成る荷重装置、1
1はコイルばねである。コイル部10aに電流を流す
と、コイル部10aはばね11のばね力に抗して突没
し、ホーン2は回転軸8を中心に矢印方向に揺動して、
キャピラリ4の下端部を、半導体チップ6や基板5の上
面に押し付ける。19はタッチセンサである。この押し
付け力すなわちキャピラリ4の荷重は、コイル部10a
への給電量により制御される。
【0011】20は8ビットのデジタルアナログ変換器
から成る入力設定部であって、US発振部21に接続さ
れている。22はUS発振部21に接続されたアンプ、
23はトランスである。トランス23の2次側は、上記
圧電素子3に接続されている。またトランス23の2次
側には電圧取出部24と電流取出部25が設けられてお
り、トランスデューサ1に付与される電圧VOと電流I
Oを取り出す。この電圧VOと電流IOは、モニター部
30の実効値回路31,32に加えられる。このモニタ
ー部30は、実効値回路31,32から取り出された電
圧実効値Vと、電流実効値Iを乗算する乗算器41、除
算する除算器42、その結果をA/D変換するA/D変
換器32,33,マルチバス34を介してA/D変換器
32,33に接続された認識ユニット35,CPU3
6,メモリ37,認識ユニット35に接続された表示器
38から成っている。40はスイッチ部である。
【0012】図2は、実効値回路31,32の出力V,
Iの波形を示している。V’,I’はサンプリングされ
た実効値であって、サンプリング時間は0.2mSであ
る。上記メモリ37は、このサンプリングされた実効値
V’,I’を記憶する。上記乗算器41と除算器42に
より、トランスデューサ1の出力P=V×Iとインピー
ダンスZ=V÷Iを算出する。
【0013】認識ユニット35は、この算出結果を基
に、図3に示すインピーダンスZ及び出力Pとボンディ
ングの良否の相関関係を示す2次元座標の相関関係図を
作成し、表示器38はこれをモニター画面にプロット表
示する。
【0014】図3において、黒点はボンディングが良の
ものであり、×は不良のものである。発明が解決しよう
とする課題の項で述べたように、ボンディングが良のも
のと、不良のものは明瞭に区別できる。すなわち、図3
から明らかなように、ボンディングが良のものは、曲線
Aを中心とする細長いエリアBの中に存在しており、ま
た不良のものは、エリアB外に存在している。この相関
関係図は、実験的に簡単に求められる。
【0015】そこで、上記サンプリングを適宜行って、
その算出値をこの図形中に表示する。そして例えば点
a,bのように、この算出値がエリアB内に存在してい
れば、ボンディングは良好に行われていると判断でき、
また点c,d,eのようにエリアBからはみ出していれ
ば、ボンディングは不良と判断できる。この場合、装置
の運転を中止し、US出力が大きいのか、あるいは荷重
が大きすぎるのか等の判断材料を提供する。そして例え
ば点cの場合は、インピーダンスと出力がそれぞれ△Z
1,△P1以上増加するように、上記入力設定部20の
設定値を調整する。また点dの場合は、インピーダンス
は変えずに、出力が△P2以上増加するように、入力設
定部20の設定値を調整する。また点eの場合は、出力
とインピーダンスがそれぞれ△P3,△Z3以上減少す
るように調整すればよい。
【0016】なおインピーダンスZは、キャピラリ4を
基板5や半導体チップ6に強く押し付ける力の強さに比
例するので、インピーダンスZは、リニアモータ10に
対する給電量を制御することにより調整できる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、トランス
デューサに加えられる電圧と電流をサンプリングしてト
ランスデューサの出力とインピーダンスを算出し、トラ
ンスデューサの出力とインピーダンスを2次元座標の相
関関係図にプロット表示するなどして、各ワイヤ毎のボ
ンディングの良否を簡単に判断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るワイヤボンディング手段の全体図
【図2】本発明に係る電圧と電流の波形図
【図3】本発明に係る電圧及び電流とボンディングの良
否相関関係図
【符号の説明】
1 トランスデューサ 4 キャピラリ 5 基板 6 半導体チップ 7 ワイヤ 20 入力設定部 21 US発振部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ワイヤが通されるキャピラリと、このキャ
    ピラリを保持するトランスデューサと、このトランスデ
    ューサに高周波エネルギーを付与するUS発振部と、こ
    のUS発振部を制御する入力設定部とを備え、このUS
    発振部を駆動してトランスデューサを超音波振動させな
    がら、キャピラリから導出されたワイヤを半導体チップ
    及び基板にボンディングして、半導体チップと基板をワ
    イヤにより接続するようにしたワイヤボンダーにおい
    て、上記トランスデューサに加えられる電圧と電流をサ
    ンプリングして、この電圧と電流からトランスデューサ
    の出力とインピーダンスを算出し、一方、トランスデュ
    ーサの出力及びインピーダンスとボンディング良否の相
    関関係を予め求めておき、上記算出結果をこの相関関係
    に照らして、ボンディングの良否を判断するようにした
    ことを特徴とするワイヤボンディング方法。
JP19639991A 1991-08-06 1991-08-06 ワイヤボンディング方法 Expired - Fee Related JP2976602B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19639991A JP2976602B2 (ja) 1991-08-06 1991-08-06 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19639991A JP2976602B2 (ja) 1991-08-06 1991-08-06 ワイヤボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0541413A true JPH0541413A (ja) 1993-02-19
JP2976602B2 JP2976602B2 (ja) 1999-11-10

Family

ID=16357222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19639991A Expired - Fee Related JP2976602B2 (ja) 1991-08-06 1991-08-06 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2976602B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017005228A (ja) * 2015-06-16 2017-01-05 富士電機株式会社 良否判断装置、ワイヤボンダ装置及び良否判断方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017005228A (ja) * 2015-06-16 2017-01-05 富士電機株式会社 良否判断装置、ワイヤボンダ装置及び良否判断方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2976602B2 (ja) 1999-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3276421B2 (ja) 制御システム
WO2018110417A1 (ja) ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
WO2000013229A1 (fr) Dispositif pour evaluer un assemblage par bosses et procede y relatif, et dispositif de production d'un composant a semiconducteur et procede y relatif
JPH06216202A (ja) ワイヤボンディング装置
US5115960A (en) Wire bonding method
US6672503B2 (en) Method of bonding wires
JPH0541413A (ja) ワイヤボンデイング方法
US20060043149A1 (en) Method of bonding and bonding apparatus for a semiconductor chip
JP3655179B2 (ja) 半導体チップ素子
JP3531378B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2725117B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JP2000036519A (ja) バンプ接合装置及び方法、並びに半導体部品製造装置
JP2725116B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JP2770542B2 (ja) ワイヤボンダーにおけるトランスデューサのus発振装置
JP3149676B2 (ja) 超音波ボンディング装置
JPH10256320A (ja) 半導体製造装置
US11370180B2 (en) Ultrasonic bonding apparatus, control device and control method
JP2785461B2 (ja) ワイヤボンダーにおけるトランスデューサのus発振装置
JP3399679B2 (ja) ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法
JPH0732174B2 (ja) 超音波ワイヤボンディング方法および装置
JP2977028B2 (ja) 超音波ワイヤボンディング装置の振動状態監視方法及び装置
JP2799938B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
JP2712481B2 (ja) ワイヤボンダーにおけるトランスデューサのus発振装置
JP2000174068A (ja) 電子部品の超音波圧着装置および超音波圧着方法
JPH06283579A (ja) ワイヤボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees