JP5883621B2 - インプリントで誘導されるブロック共重合体のパターン化のためのシステムおよび方法 - Google Patents
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Description
分野
本開示は概して、パターンド媒体に関し、具体的には、ビットパターンド媒体のナノインプリントリソグラフィ(「NIL」)パターン化へのブロック共重合体の使用に関する。本開示は、インプリントで誘導されるブロック共重合体のナノパターン化のためのシステムおよび方法にも関する。
ビットパターンド媒体(「BPM」)は、その高い記憶容量から記憶装置業界で使用される。BPMの記憶容量は、磁気島の密度または媒体基板表面上の「ビット」に依存する。
ここに開示されるのは、BCPの誘導された成長をBPM製造プロセスに組み込むためのシステムおよびプロセスである。具体的には、ここに記載されるプロセスは、電子ビームリソグラフィによって基板上に形成されたプリパターンなしに、媒体基板上にナノパターンを形成するためにBCPがどのように使用され得るかを例示する。本開示は、電子ビームリソグラフィによって作製されたプリパターンの製造以外のプロセスについて記載する。基板上での電子ビームリソグラフィは、最終的にブロック共重合体(BCP)高密度構造の成長の長範囲の配列および品質に影響を及ぼすプリパターンに汚染欠陥を導入し得る。図1は、電子ビームリソグラフィを使用して基板上に形成された密度がより低いプリパターンから開始して生成された高密度BCPパターンの走査電子顕微鏡画像である。高密度パターンの均一な周期性は、基板全体にわたっては維持されない。
本文書は、少なくとも以下の概念を開示している。
得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるステップとを含み、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、
アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有する、基板上のパターンを形成することが可能である、方法。
概念10 アニールするステップは溶媒アニールを含む、概念1に記載の方法。
得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるステップとを含み、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、
アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、
テンプレートを使用して基板上のレジストをパターン化し、基板上にパターンを形成する、方法。
得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるステップとを含み、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、
アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、さらに、
テンプレートをマスクとして使用するステップを含む、方法。
得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるための堆積装置とを備え、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するためのアニール装置と、
アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するためのBCP除去装置とを備え、5〜100nmの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能である、システム。
得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるための手段とを備え、BCP材料は、得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関し、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するための手段と、
アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するための手段とを備え、5〜100nmの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能である、システム。
Claims (19)
- 基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるステップとを含み、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、
前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有する、基板上のパターンを形成することが可能であり、
前記地形的な表面パターンは、第1の高さを有する第1の領域と、前記第1の高さとは異なる第2の高さを有する第2の領域とを備え、
前記アニールされたBCPは、前記第1の領域の上の第1のブロックと、前記第2の領域の上の第2のブロックとを含み、前記アニールされたBCPは、地形的に平らである、方法。 - 前記BCP材料を堆積させる前に化学的な表面パターンを形成するように、前記得られたインプリントされたレジストを処理するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記処理するステップは、前記得られたインプリントされたレジストを酸素プラズマに露出させることを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記BCP材料を堆積させる前に、前記得られたインプリントされたパターンを直接基板上に転写するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- インプリントするステップは、UVインプリント、熱インプリント、およびインキ盛りインプリントからなるプロセスのグループから選択されるインプリントプロセスを適用することを含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記堆積させるステップは、層状のブロック共重合体、円筒状のブロック共重合体、および球状のブロック共重合体からなるBCP材料のグループから選択されるBCP材料を堆積させることを含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記BCP材料は、ポリスチレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート(PS−b−PMMA)、ポリスチレン−ブロック−ポリ2−ビニルピリジン、ポリスチレン−ブロック−ポリ4−ビニルピリジン、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレンオキシド、ポリスチレン−ブロック−ポリイソプレン、ポリスチレン−ブロック−ブタジエン、およびそれらの混合物からなるBCP材料のグループから選択される、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記BCP材料は、ポリスチレン−ブロック−ポリジメチルシロキサン(PS−b−PDMS)、ポリスチレン−ブロック−ポリフェロセニルシラン、およびそれらの混合物からなるBCP材料のグループから選択される、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記アニールするステップは、熱アニールまたは溶媒アニールを含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記除去するステップは、レジストを、UV照射および少なくとも1つの酸に露出させること、または、少なくとも1つの溶媒に露出させることを含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記除去するステップは、レジストを酸素プラズマに露出させることを含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、5〜100nmの特徴ピッチを有する、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、長範囲の横方向に配列された一次元または二次元アレイを有する、請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- 基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるステップとを含み、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、
前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、
前記テンプレートを使用して基板上のレジストをパターン化し、前記基板上にパターンを形成し、
前記地形的な表面パターンは、第1の高さを有する第1の領域と、前記第1の高さとは異なる第2の高さを有する第2の領域とを備え、
前記アニールされたBCPは、前記第1の領域の上の第1のブロックと、前記第2の領域の上の第2のブロックとを含み、前記アニールされたBCPは、地形的に平らである、方法。 - 前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、5〜100nmの特徴ピッチを有する、請求項14に記載の方法。
- 基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるステップとを含み、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するステップと、
前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、さらに、
前記テンプレートをマスクとして使用するステップを含み、
前記地形的な表面パターンは、第1の高さを有する第1の領域と、前記第1の高さとは異なる第2の高さを有する第2の領域とを備え、
前記アニールされたBCPは、前記第1の領域の上の第1のブロックと、前記第2の領域の上の第2のブロックとを含み、前記アニールされたBCPは、地形的に平らである、方法。 - 前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、5〜100nmの特徴ピッチを有する、請求項16に記載の方法。
- 基板上のレジストをインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するためのインプリントモールドと、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるための堆積装置とを備え、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するためのアニール装置と、
前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するためのBCP除去装置とを備え、5〜100nmの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、
前記地形的な表面パターンは、第1の高さを有する第1の領域と、前記第1の高さとは異なる第2の高さを有する第2の領域とを備え、
前記アニールされたBCPは、前記第1の領域の上の第1のブロックと、前記第2の領域の上の第2のブロックとを含み、前記アニールされたBCPは、地形的に平らである、システム。 - 基板上のレジストをインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するための手段と、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体(「BCP」)材料を堆積させるための手段とを備え、前記BCP材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたBCP材料をアニールして、アニールされたBCPを形成するための手段と、
前記アニールされたBCPの少なくとも一部分を除去するための手段とを備え、5〜100nmの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、
前記地形的な表面パターンは、第1の高さを有する第1の領域と、前記第1の高さとは異なる第2の高さを有する第2の領域とを備え、
前記アニールされたBCPは、前記第1の領域の上の第1のブロックと、前記第2の領域の上の第2のブロックとを含み、前記アニールされたBCPは、地形的に平らである、システム。
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Families Citing this family (43)
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US8557128B2 (en) | 2007-03-22 | 2013-10-15 | Micron Technology, Inc. | Sub-10 nm line features via rapid graphoepitaxial self-assembly of amphiphilic monolayers |
US8097175B2 (en) | 2008-10-28 | 2012-01-17 | Micron Technology, Inc. | Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure |
US8372295B2 (en) | 2007-04-20 | 2013-02-12 | Micron Technology, Inc. | Extensions of self-assembled structures to increased dimensions via a “bootstrap” self-templating method |
US8404124B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-03-26 | Micron Technology, Inc. | Alternating self-assembling morphologies of diblock copolymers controlled by variations in surfaces |
US8999492B2 (en) | 2008-02-05 | 2015-04-07 | Micron Technology, Inc. | Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers |
US8425982B2 (en) | 2008-03-21 | 2013-04-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids |
US8426313B2 (en) | 2008-03-21 | 2013-04-23 | Micron Technology, Inc. | Thermal anneal of block copolymer films with top interface constrained to wet both blocks with equal preference |
US8114301B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-02-14 | Micron Technology, Inc. | Graphoepitaxial self-assembly of arrays of downward facing half-cylinders |
US20120164389A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-06-28 | Yang Xiaomin | Imprint template fabrication and repair based on directed block copolymer assembly |
US20120196094A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Seagate Technology Llc | Hybrid-guided block copolymer assembly |
CN102983065B (zh) * | 2011-09-06 | 2015-12-16 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 图案、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法 |
JP5558444B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2014-07-23 | 株式会社東芝 | モールドの製造方法 |
US8900963B2 (en) * | 2011-11-02 | 2014-12-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor device structures, and related structures |
US20130193103A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Seagate Technology, Llc | Method of self-aligned fully integrated stck fabrication |
KR101529646B1 (ko) * | 2012-09-10 | 2015-06-17 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체 |
US9087699B2 (en) | 2012-10-05 | 2015-07-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming an array of openings in a substrate, and related methods of forming a semiconductor device structure |
JP6088803B2 (ja) | 2012-11-16 | 2017-03-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、自己組織化リソグラフィ技術によるパターン生成方法、及びコンピュータープログラム |
US9088020B1 (en) | 2012-12-07 | 2015-07-21 | Integrated Photovoltaics, Inc. | Structures with sacrificial template |
WO2014124795A1 (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Methods for providing spaced lithography features on a substrate by self-assembly of block copolymers |
US8821736B1 (en) * | 2013-02-20 | 2014-09-02 | HGST Netherlands B.V. | Method for making a perpendicular magnetic recording disk with template layer formed of nanoparticles embedded in a polymer material |
US9638995B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-05-02 | Seagate Technology Llc | Method of sheared guiding patterns |
JP2014186773A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | パターンの形成方法、及び磁気記録媒体の製造方法 |
US9229328B2 (en) | 2013-05-02 | 2016-01-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor device structures, and related semiconductor device structures |
KR101449850B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2014-10-13 | 한국과학기술원 | 용매 어닐링 방법, 이를 이용한 블록 공중합체 패턴 형성 방법 및 이에 의하여 제조된 블록 공중합체 패턴 |
JP6167057B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-07-19 | Jxtgエネルギー株式会社 | 凹凸パターン転写用モールドの製造方法及び凹凸構造を有する部材の製造方法 |
JP6170378B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US9177795B2 (en) | 2013-09-27 | 2015-11-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming nanostructures including metal oxides |
US9466324B2 (en) | 2013-10-31 | 2016-10-11 | Seagate Technology Llc | Bit patterned media template including alignment mark and method of using same |
CN104181770B (zh) * | 2014-09-10 | 2017-10-20 | 青岛理工大学 | 一种基于4d打印和纳米压印制造微纳复合结构的方法 |
FR3025616A1 (fr) * | 2014-09-10 | 2016-03-11 | Arkema France | Procede de controle du taux de defauts dans des films obtenus avec des melanges de copolymeres a blocs et de polymeres |
US10011713B2 (en) | 2014-12-30 | 2018-07-03 | Dow Global Technologies Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US11021630B2 (en) | 2014-12-30 | 2021-06-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US10294359B2 (en) | 2014-12-30 | 2019-05-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US20160186001A1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-06-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
TWI669337B (zh) | 2015-02-26 | 2019-08-21 | 美商羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
TWI612379B (zh) | 2015-02-26 | 2018-01-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
TWI627219B (zh) | 2015-02-26 | 2018-06-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
TWI588200B (zh) | 2015-02-26 | 2017-06-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
CN106252208B (zh) * | 2015-06-12 | 2019-03-08 | 华邦电子股份有限公司 | 图案化方法 |
JP6688464B2 (ja) * | 2016-07-13 | 2020-04-28 | 株式会社豊田中央研究所 | ナノインプリント転写体の製造方法 |
FR3060422B1 (fr) | 2016-12-16 | 2019-05-10 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de fonctionnalisation d'un substrat |
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JP2007251108A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Sii Nanotechnology Inc | ナノインプリントリソグラフィの原版から転写された凹凸パターンの欠損欠陥修正方法 |
JP4163729B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2008-10-08 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録装置 |
US8394483B2 (en) * | 2007-01-24 | 2013-03-12 | Micron Technology, Inc. | Two-dimensional arrays of holes with sub-lithographic diameters formed by block copolymer self-assembly |
US7964107B2 (en) * | 2007-02-08 | 2011-06-21 | Micron Technology, Inc. | Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning |
US20090029189A1 (en) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Fujifilm Corporation | Imprint mold structure, and imprinting method using the same, as well as magnetic recording medium, and method for manufacturing magnetic recording medium |
KR100930966B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2009-12-10 | 한국과학기술원 | 블록공중합체의 나노구조와 일치하지 않는 형태의 표면패턴상에 형성되는 블록공중합체의 나노구조체 및 그 제조방법 |
US8119017B2 (en) * | 2008-06-17 | 2012-02-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method using block copolymers for making a master mold with high bit-aspect-ratio for nanoimprinting patterned magnetic recording disks |
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