CN102540702A - 压印引导的嵌段共聚物图案化的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了压印引导的嵌段共聚物图案化的系统和方法。本说明书表述了用于纳米图案化的方法，通过在一个制造工艺中并入一个或多个块聚合物以及一个或多个纳米压印步骤。嵌段共聚物可以包含有机或有机成分，并且可以是片状的、球型的或者圆柱的。结果，形成图案化的媒介，具有5-100nm的特征间距和/或至少1Tdpsi位密度的一维或者两维图案。

Description

压印引导的嵌段共聚物图案化的系统和方法
技术领域
本说明书通常涉及图案化的媒介，并且特别地，涉及用于位图案化的媒介的纳米压印光刻(“NIL”)图案化的嵌段共聚物的使用。本说明书还涉及用于压印引导的嵌段共聚物纳米图案化的系统和方法。
背景技术
因为其高存储容量，位图案化的媒介(“BPM”)用在存储工业中。BPM的存储容量依赖于磁岛的密度，或者在媒介衬底表面上的“位”。
用于获得高密度图案化的媒介的当前工艺包括电子束(e束)对准用于压印模制造的写入技术，纳米压印和图案转移到磁点上。类似嵌段共聚物的对准自装配结合“上-下”e束光刻和“下-上”自装配材料已经作为延伸技术被接受，以产生用于压印模块制造的超高密度纳米图案。在这个方法中，e束光刻是传统的用于化学或者地形地图案化表面。
附图说明
本说明书实施例在附图中通过示例而非限制的方式图示，其中相同的参考数字表示相似的部分，并且其中：
图1是SEM图像，图示了使用e束光刻制造的预图案的嵌段共聚物纳米图案化。
图2是根据实施例的流程图。
图3是根据实施例的流程图。
图4是根据实施例的流程图。
图5是根据实施例的流程图。
图6是根据实施例的流程图。
图7是根据实施例的流程图。
图8是根据实施例的SEM图像。
图9是根据实施例的SEM图像。
图10是根据实施例的SEM图像。
具体实施方式
于此公开的是在BPM制造工艺中包括了BCP的引导生长的系统和工艺。具体地，于此公开的工艺图示了BCP如何可以用于在媒介衬底上形成纳米图案而不通过e束光刻在衬底上形成预图案。本说明书表述了工艺，而不是通过e束光刻形成的预图案的制造。在衬底上的e束光刻会在预图案中引入污染缺陷，这个会反过来影响嵌段共聚物(BCP)高密度结构生长的长距离排序和质量。图1是高密度BCP图案的扫描电子显微镜图像，产生于以使用e束光刻在衬底上形成低密度预图案开始。跨越整个衬底上高密度图案的均匀周期性不能保持。
取而代之，压印技术被用于引导BCP结构的生长。结果，本说明书的实施例避免了与e束光刻技术相关的图案缺陷和潜在的化学毒性。一个本领域技术人员可以意识到的是，可以使用不同的BCP，诸如柱状、片状或者球形的BCP。在一个实施例中，BCP可以具有有机成分、无机成分或者有机和无机成分的结合。BCP的选择可以是基于尺寸、分子量、或者下面进一步表述的BCP构成单元的其他特征。当为了特定应用选择具体BCP时，于此公开的工艺可以是概括工艺。其他变体在下面进一步讨论并且在图中图示。
图2-7针对说明书的各种各样的实施例；然而，一个本领域技术人员可以意识的是，在不脱离本说明书的情况下，其他实施例是可能的，并且在图2-7中表述的工艺不意指限制本说明书为任何一个工艺或者实施例。本领域技术人员可以意识到的是，图2-7仅仅图示了部分BPM制造工艺，并且其他工艺可以包括在图2-7所示和上面表述的工艺之前或者之后。例如，图2-7图示了用于产生在随后制造的工艺中使用的BPM模板的工艺实施例。可替换地或者额外地，图2-7图示了用于直接使用BCP图案化BPM衬底的工艺的实施例。
在下面的示例中，BCP包括至少两个构成单元、结构单元或者“块”，于此定义为“块A”和“块B”，或者“A块”和“B块”。下面示例表述了A块的移除；然而，本领域技术人员可以意识到的是，在一个实施例中，取代A块，B块可以移除。使用单一的“块A”或者“块B”还包括多个“块A”和“块B”。如上面表述的，块A和块B可以是有机或者无机的，或者块A可以是有机的，并且块B是无机的，或者，块A可以是无机的以及块B是有机的。在一个实施例中，块A或块B包括有机聚苯乙烯-块-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA)、聚苯乙烯-块-2-乙烯基吡啶均聚物、聚苯乙烯-块-4-乙烯基吡啶均聚物、聚苯乙烯-块-聚氧化乙烯、聚苯乙烯-块-聚异戊二烯或者聚苯乙烯-块-丁二烯。在一个实施例中，块A或块B包含无机聚苯乙烯-块-聚二甲硅氧烷(PS-b-PDMS)或聚苯乙烯-块-聚二茂铁硅烷。本领域技术人员可以意识的是，于此表述的工艺可以相应地依赖于BCP块的化学特性而变化。他们可以意识到的是，BCP的选择同样依赖于使用BCP要建立的目标图案。例如，由下面表述的压印步骤留下的外形图案可以确定选择的BCP，由于特定BCP块更与一定的外形图案和图案尺寸相关。
图2涉及工艺，其中使用具有压印抗蚀剂图案的柱状或者片状BCP。在一个实施例中，图2中使用的BCP是PS-b-PMMA；然而，也可以使用其他柱状或者片状BCP。在块201中，覆盖衬底的压印抗蚀剂通过压印印模压印以形成外形图案。压印可利用UV、热或喷墨技术。在块203中，BCP被旋涂在压印抗蚀剂上，然后在块205中应用退火。本领域技术人员可以意识到，在块205中，可以应用热或溶剂退火。在块207中，选择性移除一个退火的BCP块。在一个实施例中，如果块A和块B是有机的，那么使用UV暴露和酸来移除块A。例如，如果在块203中使用的BCP是PS-b-PMMA，那么使用UV暴露和醋酸清洗或者溶剂以移除PMMA块。在一个实施例中，如果块A是有机的并且B是无机的，那么使用氧等离子体以移除有机A块。图2的块207还包括清除浮渣，其可以包括氧等离子体刻蚀；然而，为了移除残渣，还可以使用其他方法以清除退火的BCP。
在图3中示出了其中使用柱状或者片状BCP以压印和处理抗蚀剂图案的工艺。在一个实施例中，图3中使用的BCP是PS-b-PMMA；然而，也可以使用其他柱状或者片状BCP。在块301中，覆盖在衬底上的压印抗蚀剂借助于压印印模而压印以形成外形图案。压印可利用UV、热或者喷墨技术。在块303中，为了形成化学图案，化学处理压印抗蚀剂。在块305中，BCP是旋涂在压印处理了的抗蚀剂上的，然后在块307中退火。本领域技术人员可以意识到，在块307中，可以应用热或溶剂退火。在块309中，选择性移除由退火的BCP形成的块中的一个。在一个实施例中，如果块A和块B是有机的，那么使用UV暴露和酸或者溶剂移除块A。例如，如果在块305中使用的BCP是PS-b-PMMA，那么使用UV暴露和醋酸清洗以移除PMMA块。在一个实施例中，如果块A是有机的并且B是无机的，那么使用氧等离子体以移除有机A块。图3的块309还包括清除浮渣，其可以包括氧等离子体刻蚀；然而，为了移除残渣，还可以使用其他方法以清除退火的BCP。
通过示例的方式，下面表述了并入图3中所示工艺的一个工艺。在块301中，覆盖在衬底上的压印抗蚀剂是丙烯酸盐基UV压印抗蚀剂的20-50nm厚度的薄膜。即使在本示例中使用丙烯酸盐基UV压印抗蚀剂，也可以使用其他类型的压印抗蚀剂材料，只要他们具有在聚合物中与一个块的亲和性。还可以应用其他压印方法，诸如热压印或者喷墨压印。在这个示例中，使用预制造压印印模以在抗蚀剂层上形成外形表面图案。在块303中，使用在30W、2mTorr的压力下和30标况毫升每分(sccm)的氧等离子体工艺处理压印抗蚀剂。结果，压印抗蚀剂层减薄至小于10nm的厚度，暴露衬底压印区域。然后清洗减薄的压印抗蚀剂层以移除残渣，特别是由压印产生的凹陷或者孔洞。
在块305中，在1％甲苯溶剂中的PS-b-PMMA的BCP涂层，旋涂到压印定义图案化的衬底上。这些是在块307之后，其中PS-b-PMMA膜在170℃持续12-24小时退火以使得有序的BCP纳米图案能够引导自组装构造(即，热退火工艺)。本领域技术人员可以意识到，还可以使用溶剂退火工艺，使用丙酮蒸汽气氛。使用设置为248nm的UV辐射，在块309中完成选择性共聚物块的移除。例如，当使聚苯乙烯(PS)块交联时，PMMA块减退。在醋酸中浸泡一分钟以移除任何杂质、残渣或者BCP减退的部分后，剩下纳米多孔PS圆柱系统模板或者PS线阵列。留下的PS形成圆柱系统或者线/片状阵列，是由上面块305中选择的具体BCP所确定的。
图4涉及工艺，其中使用具有压印和转移的图案的圆柱或者片状BCP。在一个实施例中，在图4中使用的BCP是PS-b-PMMA；然而，也可以使用其他圆柱或者片状BCP。在块401中，覆盖在衬底上的压印抗蚀剂压印，使用压印印模以形成外形图案。可以利用UV、热或者喷墨技术压印。在块403中，压印抗蚀剂图案转移到衬底上。在块405中，BCP旋涂到压印处理抗蚀剂上，然后在块407中退火。本领域技术人员可以意识到，在块407中还可以使用热或溶剂退火。在块409中，选择性移除退火BCP后的块中的一个。在一个实施例中，如果块A和块B是有机的，那么使用UV暴露和酸或者溶剂移除块A。例如，如果在块405中使用的BCP是PS-b-PMMA，那么使用UV暴露和醋酸清洗以移除PMMA块。在一个实施例中，如果块A是有机的并且B是无机的，那么使用氧等离子体以移除有机A块。图4的块409还包括清除浮渣，其可以包括氧等离子体刻蚀；然而，为了移除残渣，还可以使用其他方法以清除退火的BCP。
在图5中示出工艺，其中使用球面BCP，具有压印抗蚀剂图案。在一个实施例中，在图5使用的BCP是PS-b-PDMS；然而，也可以使用其他球面BCP。在块501中，使用压印印模压印覆盖在衬底上的压印抗蚀剂，以形成外形图案。可以利用UV、热或者喷墨技术压印。在块503中，BCP旋涂到压印处理抗蚀剂上，然后在块505中退火。本领域技术人员可以意识到，在块505中还可以使用热或溶剂退火，以生长自组装BCP结构。在块507中，选择性移除自退火BCP的块中的一个。在一个实施例中，如果块A是无机的，但是B是有机的，那么使用氧等离子体以移除块B。例如，如果在块503中使用的BCP是PS-b-PDMS，使用氧等离子体以移除PS块，从而留下纳米点阵列。
在图6中示出工艺，其中使用球面BCP，具有压印和处理了的抗蚀剂图案。在一个实施例中，在图6使用的BCP是PS-b-PDMS；然而，也可以使用其他球面BCP。在块601中，使用压印印模压印覆盖在衬底上的压印抗蚀剂，以形成外形图案。可以利用UV、热或者喷墨技术压印。在块603中，为了形成化学图案，化学处理压印抗蚀剂。在块605中，BCP旋涂到压印处理抗蚀剂上，然后在块607中退火。本领域的技术人员将意识到，在块607中可以应用热或溶剂退火。在块609中，选择性移除自退火BCP的块中的一个。在一个实施例中，如果块A是无机的，但是B是有机的，那么使用氧等离子体以移除块B。例如，如果在块605中使用的BCP是PS-b-PDMS，使用氧等离子体以移除PS块，从而留下纳米点阵列。
通过示例的方式，下面表述了并入图6中所示工艺的一个工艺。在块601中，覆盖在衬底上的压印抗蚀剂是丙烯酸盐基UV压印抗蚀剂的20-50nm厚度的薄膜。即使在本示例中使用丙烯酸盐基UV压印抗蚀剂，也可以使用其他类型的压印抗蚀剂材料，只要他们具有在聚合物中与一个块的亲和性。还可以应用其他压印方法，诸如热压印或者喷墨压印。在这个示例中，使用预制造压印印模以在抗蚀剂层上形成外形表面图案。在块603中，使用在30W、2mTorr的压力下和30标况毫升每分(sccm)的O2等离子体工艺处理压印抗蚀剂。结果，压印抗蚀剂层减薄至小于10nm的厚度。然后清洗减薄的压印抗蚀剂层以移除残渣，特别是由压印产生的凹陷或者孔洞。
在块605中，在1％甲苯溶液中的PS-b-PDMS的BCP涂层，旋涂到压印定义图案化的衬底上。这个步骤是在块607之后，其中PS-b-PDMS膜在170℃持续12-24小时退火以使得有序的BCP纳米图案能够引导自组装构造(即，热退火工艺)。一个本领域技术人员可以意识到，还可以使用溶剂退火工艺，使用甲苯蒸汽气氛。在30W、2mTorr的压力下和30标况毫升每分(sccm)的氧等离子体，在块609中完成选择性块的移除。这个步骤移除了PS块的大部分，从而留下PDMS纳米点阵列。本领域的技术人员可以意识到的是，块间BCP的具体分子量和容量比率的选择将确定纳米点阵列的球形组织、范围尺寸和空间。
在图7中示出工艺，其中使用球面BCP，具有压印和处理了的抗蚀剂图案。在一个实施例中，在图7使用的BCP是PS-b-PDMS；然而，也可以使用其他球面BCP。在块701中，使用压印印模压印覆盖在衬底上的压印抗蚀剂，以形成外形图案。可以利用UV、热或者喷墨技术压印。在块703中，压印抗蚀剂图案转移到衬底上。在块705中，BCP旋涂到压印处理抗蚀剂上，然后在块707中退火。本领域技术人员可以意识到，在块707中还可以使用热或溶剂退火。在块709中，选择性移除自退火BCP的块中的一个。在一个实施例中，如果块A是无机的，但是B是有机的，那么使用氧等离子体以移除块B。例如，如果在块705中使用的BCP是PS-b-PDMS，那么使用氧等离子体以移除PS块，从而留下纳米点阵列。
通过示例的方式，下面表述了并入图7中所示工艺的一个工艺。在块701中，覆盖在衬底上的压印抗蚀剂是丙烯酸盐基UV压印抗蚀剂的20-50nm厚度的薄膜。即使在本示例中使用丙烯酸盐基UV压印抗蚀剂，也可以使用其他类型的压印抗蚀剂材料，只要他们具有在聚合物中与一个块的亲和性。还可以应用其他压印方法，诸如热压印或者喷墨压印。在这个示例中，使用预制造压印印模以在抗蚀剂层上形成外形表面图案。然后使用在30W、2mTorr的压力下和30sccm的氧等离子体工艺处理压印抗蚀剂，然后清洗减薄的压印抗蚀剂层以移除残渣，特别是由压印产生的凹陷或者孔洞。
在块703中，使用80W、20mTorr、30sccm CF4和30sccmAr的CF4反应离子刻蚀，以将压印抗蚀剂图案转移到下面的硅衬底上。刻蚀深度是5-10nm。在块705中，在1％甲苯溶液中的PS-b-PDMS的BCP涂层，旋涂到图案化的衬底上，然后在块707中退火，在170℃持续12-24小时退火以使得有序的BCP纳米图案能够引导自组装构造(即，热退火工艺)。一个本领域技术人员可以意识到，还可以使用溶剂退火工艺，使用甲苯蒸汽气氛。在30W、2mTorr的压力下和30sccm的O2等离子体，在块709中完成选择性块的移除。这个步骤移除了PS块的大部分，从而留下PDMS纳米点阵列。本领域的技术人员可以意识到的是，块间BCP的具体分子量和容量比率的选择将确定纳米点阵列的球形组织、范围尺寸和空间。
如上面图1中提到和图示的，在预图案化工艺期间，由于使用的化学物质和工艺，在通过e束光刻加上嵌段共聚物自组装而形成的图案化了的模板或者衬底上，目前没有发现大面积的无缺陷长距离横向排序。由于e束光刻是由预图案化工艺排除的并且由UV、热或者喷墨压印技术代替，使用于此表述的工艺，这些缺陷可以避免。本领域技术人员可以意识到，于此表述的指向BCP的自组装可产生压印模板，具有线性或者至少1Tdpsi面位密度，和/或5-100nm的特征节距。此外，于此表述的工艺形成长距离横向排序阵列，其使得纳米图案化能够按比例。图8-10是上面表述的工艺和图2-7中图示的实施例而产生的BCP模板的扫描电子显微镜(“SEM”)图像。图8图示了其中PS-b-PMMA BCP模板具有1Tdpsi位密度的实施例。预图案表面经过图3中表述的压印和处理。图9，图示了其中PS-b-PDMS BCP模板具有1.3Tdpsi位密度的示例。预图案表面经过压印和处理。如图9示出的，横向排序与图1中所示的横向排序不同。图9中示出的跨越大面积的形成的莫尔图案表明本说明书的长距离可量测性。图10图示了其中PS-b-PDMS BCP模板具有1.3Tdpsi位密度的示例。在图10中，预图案的表面如图7中表述的经过压印和转移。
如前面提到的，图2-7中图示和于此表述的工艺可以形成位图案媒介(BPM)媒介制造工艺的部分。在一个实施例中，本说明书可以应用任何以大面积高密度具有长距离横向排序的纳米图案为特征的制造工艺，诸如存储媒介、半导体制造等等中的图案化磁膜层。在一个实施例中，于此表述的工艺可用于制造用作掩模的模板，从而便于功能材料的沉积或者其他附加工艺。在一个实施例中，于此表述的工艺可以用于使得功能材料的刻蚀便利，以直接或间接在存储媒介上形成图案，或者其他减去工艺。在不脱离本说明书的范围的其他应用是可行的。
对于本领域技术人员来说，明显的是，没有这些公开的具体细节的情况下，可以实践实施例。在其他事例中，以块图的形式示出已知结构和器件，以便于表述。实施例的表述不意指限制关于这个附加的权利要求的范围。进一步，在于此公开的方法中，公开了各种各样的工艺，图示实施例的一些功能。本领域的技术人员可以意识到的是，这些工艺仅仅是示例，并且不意味着以任何方式限制。在不脱离本说明书或者实施例的范围的情况下，可以计划其他功能。
与此表述的所有元件、部分和步骤是优选包括在内的。可以理解的是，这些元件、部分和步骤可以被其他元件、部分和步骤取代或者删除，对于本领域技术人员来说完全是显而易见的。
广泛地，本文件公开了用于纳米图案化的方法的表述，借助于在一个制造工艺中并入一个或多个嵌段共聚物和一个或多个纳米压印步骤。嵌段共聚物可以包含有机或有机成分，并且可以是片状的、球型的或者圆柱的。结果，形成图案化的媒介，具有5-100nm节距和/或至少1Tdpsi位密度特征的一维或者两维图案。
本文件至少揭露了下面的概念。
概念1.一种方法，包括：
用压印印模在衬底上压印抗蚀剂，以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案；
在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP；以及
移除退火后的BCP的至少一部分，其中可以在衬底上形成具有离散区域的图案。
概念2.根据概念1的方法，进一步包括步骤：
在沉积BCP材料之前，处理得到的压印抗蚀剂以形成化学表面图案。
概念3.根据概念2的方法，其中处理包括将得到的压印抗蚀剂暴露至氧等离子体。
概念4.根据概念1的方法，进一步包括：
在沉积BCP材料之前，直接将得到的压印图案转移到衬底上。
概念5.根据概念1的方法，其中压印包括应用从UV压印、热压印和喷墨压印组成的工艺组中选择的压印工艺。
概念6.根据概念1的方法，其中沉积包括沉积从片状嵌段共聚物、圆柱嵌段共聚物和球型嵌段共聚物组成的BCP材料组中选择的BCP材料。
概念7.根据概念1的方法，其中BCP材料选自由聚苯乙烯-块-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA)、聚苯乙烯-块-2-乙烯基吡啶均聚物、聚苯乙烯-块-4-乙烯基吡啶均聚物、聚苯乙烯-块-聚氧化乙烯、聚苯乙烯-块-聚异戊二烯、聚苯乙烯-块-丁二烯以及它们的混合物组成的BCP材料组。
概念8.根据概念1的方法，其中BCP材料选自由聚苯乙烯-块-聚二甲硅氧烷(PS-b-PDMS)、聚苯乙烯-块-聚二茂铁硅烷以及它们的混合物组成的BCP材料组。
概念9.根据概念1的方法，其中退火包括热退火。
概念10.根据概念1的方法，其中退火包括溶剂退火。
概念11.根据概念1的方法，其中移除包括将抗蚀剂暴露于UV射线和至少一种酸。
概念12.根据概念1的方法，其中移除包括将抗蚀剂暴露于至少一种溶剂。
概念13.根据概念1的方法，其中移除包括将抗蚀剂暴露于氧等离子体。
概念14.根据概念1的方法，其中在移除退火后的BCP的至少一部分的过程中所形成的图案具有5-100nm的特征节距。
概念15.根据概念1的方法，其中在移除退火后的BCP的至少一部分的过程中所形成的图案具有长距离的横向排序的1D阵列。
概念16.根据概念1的方法，其中在移除退火后的BCP的至少一部分的过程中所形成的图案具有长距离的横向排序的2D阵列。
概念17.一种方法，包括：
用压印印模在衬底上压印抗蚀剂，以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案；
在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP；
移除退火后的BCP的至少一部分，其中可以形成具有离散区域的模板；以及
使用该模板以使衬底上的抗蚀剂图案化，以在衬底上形成图案。
概念18.根据概念17的方法，其中在移除退火后的BCP的至少一部分的步骤中所形成的图案具有5-100nm的特征节距。
概念19.一种方法，包括：
用压印印模在衬底上压印抗蚀剂，以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案；
在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP；
移除退火后的BCP的至少一部分，其中可以形成具有离散区域的模板；以及
使用该模板作为掩模。
概念20.根据概念19的方法，其中移除退火后的BCP的至少一部分产生了具有5-100nm的特征节距的模板。
概念21.一种系统，包括：
压印模板，用于在衬底上压印抗蚀剂，以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案；
沉积设备，用于在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
退火装置，用于将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP；和
BCP移除装置，用于移除退火后的BCP的至少一部分，其中可以形成具有离散区域的模板，这些离散区域具有5-100nm的特征节距。
概念22.一种系统，包括：
用于在衬底上压印抗蚀剂以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案的装置；
用于在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料的装置，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
用于将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP的装置；以及
用于移除退火后的BCP的至少一部分的装置，其中可以形成具有离散区域的模板，这些离散区域具有5-100nm的特征节距。

Claims (22)

1.一种方法，包括：
用压印印模在衬底上压印抗蚀剂，以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案；
在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP；以及
移除退火后的BCP的至少一部分，其中可以在衬底上形成具有离散区域的图案。
2.根据权利要求1的方法，进一步包括步骤：
在沉积BCP材料之前，处理得到的压印抗蚀剂以形成化学表面图案。
3.根据权利要求2的方法，其中处理包括将得到的压印抗蚀剂暴露至氧等离子体。
4.根据权利要求1的方法，进一步包括：
在沉积BCP材料之前，直接将得到的压印图案转移到衬底上。
5.根据权利要求1的方法，其中压印包括应用从UV压印、热压印和喷墨压印组成的工艺组中选择的压印工艺。
6.根据权利要求1的方法，其中沉积包括沉积从片状嵌段共聚物、圆柱嵌段共聚物和球型嵌段共聚物组成的BCP材料组中选择的BCP材料。
7.根据权利要求1的方法，其中BCP材料选自由聚苯乙烯-块-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA)、聚苯乙烯-块-2-乙烯基吡啶均聚物、聚苯乙烯-块-4-乙烯基吡啶均聚物、聚苯乙烯-块-聚氧化乙烯、聚苯乙烯-块-聚异戊二烯、聚苯乙烯-块-丁二烯以及它们的混合物组成的BCP材料组。
8.根据权利要求1的方法，其中BCP材料选自由聚苯乙烯-块-聚二甲硅氧烷(PS-b-PDMS)、聚苯乙烯-块-聚二茂铁硅烷以及它们的混合物组成的BCP材料组。
9.根据权利要求1的方法，其中退火包括热退火。
10.根据权利要求1的方法，其中退火包括溶剂退火。
11.根据权利要求1的方法，其中移除包括将抗蚀剂暴露于UV射线和至少一种酸。
12.根据权利要求1的方法，其中移除包括将抗蚀剂暴露于至少一种溶剂。
13.根据权利要求1的方法，其中移除包括将抗蚀剂暴露于氧等离子体。
14.根据权利要求1的方法，其中在移除退火后的BCP的至少一部分的过程中所形成的图案具有5-100nm的特征节距。
15.根据权利要求1的方法，其中在移除退火后的BCP的至少一部分的过程中所形成的图案具有长距离的横向排序的1D阵列。
16.根据权利要求1的方法，其中在移除退火后的BCP的至少一部分的过程中所形成的图案具有长距离的横向排序的2D阵列。
17.一种方法，包括：
用压印印模在衬底上压印抗蚀剂，以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案；
在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP；
移除退火后的BCP的至少一部分，其中可以形成具有离散区域的模板；以及
使用该模板以使衬底上的抗蚀剂图案化，以在衬底上形成图案。
18.根据权利要求17的方法，其中在移除退火后的BCP的至少一部分的步骤中所形成的图案具有5-100nm的特征节距。
19.一种方法，包括：
用压印印模在衬底上压印抗蚀剂，以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案；
在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP；
移除退火后的BCP的至少一部分，其中可以形成具有离散区域的模板；以及
使用该模板作为掩模。
20.根据权利要求19的方法，其中移除退火后的BCP的至少一部分产生了具有5-100nm的特征节距的模板。
21.一种系统，包括：
压印模板，用于在衬底上压印抗蚀剂，以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案；
沉积设备，用于在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
退火装置，用于将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP；和
BCP移除装置，用于移除退火后的BCP的至少一部分，其中可以形成具有离散区域的模板，这些离散区域具有5-100nm的特征节距。
22.一种系统，包括：
用于在衬底上压印抗蚀剂以在得到的压印抗蚀剂上形成外形表面图案的装置；
用于在得到的压印抗蚀剂的至少一部分上沉积嵌段共聚物(“BCP”)材料的装置，其中BCP材料与得到的压印抗蚀剂上的外形表面图案相关；
用于将沉积的BCP材料退火以形成退火的BCP的装置；以及
用于移除退火后的BCP的至少一部分的装置，其中可以形成具有离散区域的模板，这些离散区域具有5-100nm的特征节距。
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