JP2014078713A - ブロック共重合体組織、装置、およびブロック共重合体組織化構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】 実施の形態は、ブロック共重合体組織化構造を開示する。
【解決手段】 ブロック共重合体組織化構造は、第1密度のパターニングされた特徴がデータゾーンおよびサーボゾーンにおいて一体化されている第1パターンおよび第2パターンと、薄膜層が上に堆積されており、第1密度の第1パターンおよび第2パターンの特徴を用いてパターニングされたシリコン基板と、基板の一部にわたって、順序付けられたブロック共重合体周期構造を用いて作成され、第1密度よりも高い第2密度を有するテンプレート作製パターンとを含む。
【選択図】図1
【解決手段】 ブロック共重合体組織化構造は、第1密度のパターニングされた特徴がデータゾーンおよびサーボゾーンにおいて一体化されている第1パターンおよび第2パターンと、薄膜層が上に堆積されており、第1密度の第1パターンおよび第2パターンの特徴を用いてパターニングされたシリコン基板と、基板の一部にわたって、順序付けられたブロック共重合体周期構造を用いて作成され、第1密度よりも高い第2密度を有するテンプレート作製パターンとを含む。
【選択図】図1
Description
発明の詳細な説明
背景
ブロック共重合体(BCP:block copolymer)材料を用いるものを含むテンプレートは、概して、たとえばビットパターン媒体(BPM:bit patterned media)のテンプレート作製時にさまざまな区域を作成するために複数のオーバーレイに依拠している。1枚のオーバーレイを用いて、磁気ドットのあるデータ区域を作成し、別のオーバーレイを用いて、磁気ドットが作成されているトレンチ付きサーボゾーンを作成する。複数のオーバーレイを用いる場合、位置合せが不良であったり、層の厚みが不一致であったりすることにより、処理時間がより長くなり、品質に関する問題が頻繁に生じる。
背景
ブロック共重合体(BCP:block copolymer)材料を用いるものを含むテンプレートは、概して、たとえばビットパターン媒体(BPM:bit patterned media)のテンプレート作製時にさまざまな区域を作成するために複数のオーバーレイに依拠している。1枚のオーバーレイを用いて、磁気ドットのあるデータ区域を作成し、別のオーバーレイを用いて、磁気ドットが作成されているトレンチ付きサーボゾーンを作成する。複数のオーバーレイを用いる場合、位置合せが不良であったり、層の厚みが不一致であったりすることにより、処理時間がより長くなり、品質に関する問題が頻繁に生じる。
発明の詳細な説明
以下の説明においては、この明細書の一部をなす添付の図面が言及され、例示を目的として、本発明が実施され得る具体例が示される。他の実施の形態が利用されてもよく、構造上の変形例が本発明の範囲から逸脱することなく実施可能であり得ることが理解されるはずである。
以下の説明においては、この明細書の一部をなす添付の図面が言及され、例示を目的として、本発明が実施され得る具体例が示される。他の実施の形態が利用されてもよく、構造上の変形例が本発明の範囲から逸脱することなく実施可能であり得ることが理解されるはずである。
概略:
以下の説明は、たとえばブロック共重合体組織化に関して、例示を目的として記載されるものであって、その基礎をなすシステムが、如何なる数および複数のタイプのブロック共重合体、第1パターンおよび第2パターンのパターン特徴に適用されてもよいことが留意されるべきである。一実施の形態においては、ブロック共重合体組織化では、球状および円筒状のブロック共重合体が用いられる。第1パターンおよび第2パターンのパターンは、サーボ一体型のビットパターン媒体を含むスタックテンプレートを含んでもよく、本発明を用いた半導体および/またはフォトニックデバイスを含む用途のために第1パターンおよび第2パターンのドットおよび/またはラインのパターニングが用いられてもよい。
以下の説明は、たとえばブロック共重合体組織化に関して、例示を目的として記載されるものであって、その基礎をなすシステムが、如何なる数および複数のタイプのブロック共重合体、第1パターンおよび第2パターンのパターン特徴に適用されてもよいことが留意されるべきである。一実施の形態においては、ブロック共重合体組織化では、球状および円筒状のブロック共重合体が用いられる。第1パターンおよび第2パターンのパターンは、サーボ一体型のビットパターン媒体を含むスタックテンプレートを含んでもよく、本発明を用いた半導体および/またはフォトニックデバイスを含む用途のために第1パターンおよび第2パターンのドットおよび/またはラインのパターニングが用いられてもよい。
図1は、一実施の形態に従ったブロック共重合体組織化の概要を示すブロック図である。図1は、ブロック共重合体組織化テンプレート作製パターン100を示す。ブロック共重合体組織化テンプレート作製パターン100は、第1密度のパターニングされた特徴がデータゾーンおよびサーボゾーンにおいて一体化されている第1パターンおよび第2パターンから(110)作成される。第1パターンは、平方インチ当たり255ギガドット(Gdpsi:Giga dots per square inch)の面密度を含む2次元の薄膜ドットを含む第1密度の多次元特徴を備える。第2パターンは、一実施の形態に従った1次元の薄膜ラインを含む1次元特徴を含む。
シリコン基板は、その上に薄膜層が堆積されており、第1密度の第1パターンおよび第2パターンの特徴を用いてパターニングされる(120)。基板は、シリコンまたはガラスを含む材料からなる。パターニングされた薄膜層上における順序の乱れたブロック共重合体コーティング(130)は、データゾーンおよびサーボゾーンにおいて、同時に、転写された第1および第2のパターニングされた特徴によって方向付けされる周期構造を有する順序付けられたブロック共重合体組織へと組織化される(140)。周期構造を有する順序付けられたブロック共重合体の組織化が、一実施の形態に従って、データゾーンおよびサーボゾーンにおいて同時に行われることにより、処理時間が短くなり、オーバーレイ位置合せエラーが防止される。
順序付けられたブロック共重合体から1ブロックが除去されており、第1密度よりも高い第2密度を有する作製パターンが露出される(150)。第1密度よりも高い第2密度を有する基板の一部にわたる順序付けられたブロック共重合体の周期構造のテンプレート作製パターンが、シリコンまたはガラスを含む基板材料全体に至るまで、かつ、薄膜層よりも下方の基板全体にわたってエッチングされて、テンプレートが作成される(160)。
一実施の形態においては、第2パターンの特徴たとえばラインを用いて、データゾーンおよびサーボゾーンと、サーボ命令および設定データ情報が埋込まれているサーボゾーン区域形成部との間の分割境界を規定する。上述のゾーンとサーボゾーン区域形成部との間に分割境界を設けることにより、組織化プロセスが行われるよう意図された表面区域のみにブロック共重合体組織が方向付けられる。
プロセスは、作製パターンを順序付けられたブロック共重合体の残りのブロックから基板へと転写して、作製パターンの第2密度でパターニングされたテンプレートを作成するのに用いられる。作製パターンの第2密度でパターニングされたテンプレートは、第2密度のスタック、半導体および/またはフォトニックデバイスを作製するのに用いられる。ブロック共重合体組織化では、ビットパターン媒体(BPM)を含む第2密度のスタック、半導体および/またはフォトニックデバイスの作製のために、乾式のリフトオフ型作製パターンの第2密度のテンプレートパターン転写プロセスが用いられる。
概して、データゾーンおよびサーボゾーンにおける順序付けられたブロック共重合体組織化プロセスは、2つの別個のプロセスである。データゾーンおよびサーボゾーンの各々についてのブロック共重合体パターンは、処理される表面区域において異なっている。データゾーンは全視野パターンである。サーボゾーンパターンは全視野をカバーするものではなく、命令および設定データ情報を提供するよう作成された区域を含む。ブロック共重合体組織化では、一実施の形態に従った別個のデータゾーンおよびサーボゾーンの作成のために複数のオーバーレイを使用する手間を省くことによって、基板の表面にわたって均一な層厚みをもたらし、処理時間を短くし、位置合せ不良を減らすことによって利点が得られる。
ブロック共重合体を同時に組織化することにより、第2密度の作製パターンテンプレートを作成するための作製方法を迅速、単純かつ正確なものにすることが可能となる。第2密度の作製パターンテンプレートは、乾式のリフトオフ型第2密度パターン転写プロセスにおいて用いられる。第2密度の作製パターンテンプレートを用いた乾式のリフトオフ型転写プロセスは、一実施の形態に従った第2密度のスタック、半導体および/またはフォトニックデバイスの作製中に清潔で高品質の転写を実現する。
詳細な説明:
図2Aは、一実施の形態に従ったブロック共重合体組織化の概略的なフローチャートを示すブロック図である。図2Aは、薄膜層が上に堆積されたガラスまたはシリコン基板を示す(200)。薄膜層材料202は、材料、たとえば、炭素(C)204、チタン(Ti)206、クロム(Cr)208、インプリントレジスト210および他の膜材料212の堆積物である。薄膜層材料202の層は、一実施の形態に従った第1パターンおよび第2パターンのドットおよびラインのパターニングを作成するのに用いられる。
図2Aは、一実施の形態に従ったブロック共重合体組織化の概略的なフローチャートを示すブロック図である。図2Aは、薄膜層が上に堆積されたガラスまたはシリコン基板を示す(200)。薄膜層材料202は、材料、たとえば、炭素(C)204、チタン(Ti)206、クロム(Cr)208、インプリントレジスト210および他の膜材料212の堆積物である。薄膜層材料202の層は、一実施の形態に従った第1パターンおよび第2パターンのドットおよびラインのパターニングを作成するのに用いられる。
第1パターンの多次元特徴および第2パターンの1次元特徴を薄膜層にパターニングする場合、第1密度のドットおよびライン220が含まれる。第1パターンおよび第2パターンのドットおよびラインのパターニングは、一体化されたデータゾーンおよびサーボゾーンの薄膜ガイド構造225を作成するのに用いられる。第2のパターニングされた1次元薄膜ライン240は、サーボゾーンにおける順序付けられたブロック共重合体組織化のためのトレンチ薄膜ガイドを作成する(242)のに用いられる。第1のパターニングされた2次元薄膜ドット244は、データゾーンおよびサーボゾーンにおいて順序付けられたブロック共重合体組織化のための第1密度のガイドを作成する(246)のに用いられる。パターニングされた薄膜ガイドの用途を、一実施の形態の図2Bにさらに記載する。
順序付けられたブロック共重合体組織化:
図2Bは、一実施の形態に従った、方向付けされ順序付けられたブロック共重合体組織化の概略的なフローチャートのブロック図を示す。図2Bは、図2Aからの続きであって、パターニングされた薄膜ガイドを用いるブロック共重合体組織化の一実施の形態を示す。パターニングされた薄膜ガイドは、ブロック共重合体(BCP)組織を方向付けるのに用いられる。ブロック共重合体組織化は、パターニングされた薄膜層248上に順序の乱れたブロック共重合体をコーティングすることから始まる。順序の乱れたブロック共重合体250は、一実施の形態に従った、ポリ(スチレン−ブロック−メチルメタクリレート)P(S−b−MMA)252、ポリスチレン−ポリエチレン酸化物(PS−PEO)254、ポリ(スチレン−ジメチルシロキサン(PS−PDMS)256、他のブロック共重合体258、球状のブロック共重合体260、および円筒状のブロック共重合体262を含む。
図2Bは、一実施の形態に従った、方向付けされ順序付けられたブロック共重合体組織化の概略的なフローチャートのブロック図を示す。図2Bは、図2Aからの続きであって、パターニングされた薄膜ガイドを用いるブロック共重合体組織化の一実施の形態を示す。パターニングされた薄膜ガイドは、ブロック共重合体(BCP)組織を方向付けるのに用いられる。ブロック共重合体組織化は、パターニングされた薄膜層248上に順序の乱れたブロック共重合体をコーティングすることから始まる。順序の乱れたブロック共重合体250は、一実施の形態に従った、ポリ(スチレン−ブロック−メチルメタクリレート)P(S−b−MMA)252、ポリスチレン−ポリエチレン酸化物(PS−PEO)254、ポリ(スチレン−ジメチルシロキサン(PS−PDMS)256、他のブロック共重合体258、球状のブロック共重合体260、および円筒状のブロック共重合体262を含む。
第2密度の周期構造を有する順序付けられたブロック共重合体組織264は、薄膜ガイド構造によってデータゾーンおよびサーボゾーンにおいて同時に方向付けられる(268)。プロセスは、第2密度の作製パターンを作成する(272)ために、順序付けられたブロック共重合体から1つのブロックを除去する(270)のに用いられる。図2Cは、一実施の形態に従ったプロセスの続きを説明する。
作製パターンテンプレート:
図2Cは、一実施の形態に従った、ブロック共重合体組織の作製パターンテンプレートの作製についての概略的なフローチャートを示すブロック図である。図2Cは、ブロック共重合体の残りのブロックの作製パターンの基板への転写(273)を示す。作製パターンは、データゾーンおよびサーボゾーンにおける第2密度のパターン(274)を含む。図2Aの第2のパターニングされた1次元薄膜ライン240は、サーボゾーンにトレンチパターンを作成する(276)のに用いられる。基板への作製パターンの転写は、一実施の形態に従った、第2密度の作製パターニングが施されたテンプレートを作成する(278)のに用いられる。
図2Cは、一実施の形態に従った、ブロック共重合体組織の作製パターンテンプレートの作製についての概略的なフローチャートを示すブロック図である。図2Cは、ブロック共重合体の残りのブロックの作製パターンの基板への転写(273)を示す。作製パターンは、データゾーンおよびサーボゾーンにおける第2密度のパターン(274)を含む。図2Aの第2のパターニングされた1次元薄膜ライン240は、サーボゾーンにトレンチパターンを作成する(276)のに用いられる。基板への作製パターンの転写は、一実施の形態に従った、第2密度の作製パターニングが施されたテンプレートを作成する(278)のに用いられる。
乾式のリフトオフ型第2密度の作製パターン転写プロセス280はデバイスの作製(282)に用いられる。デバイスの作製(282)には、サーボ一体型ビットパターン媒体(BPM)292および他のパターニングされたスタックタイプ294を含む第2密度のスタックテンプレート290が含まれる。乾式のリフトオフ型第2密度の作製パターン転写プロセス280は、一実施の形態に従った、第2密度の半導体296および第2密度のフォトニックデバイス298を含む装置の作製(282)に用いられる。
方向付けされた第1密度の順序付けられたブロック共重合体組織化により、パターニングされた薄膜ガイドの区域においてBCP直接自己組織化(DSA:direct self-assembly)が同時に起こったときに処理を用いて第2密度の作製パターンテンプレートを作製する際に要する時間が短縮される。
図2Aにおける第2のパターニングされた1次元薄膜ライン240および図2Aにおける第1のパターニングされた2次元薄膜ドット244を含むパターニングされた薄膜ガイドを用いるプロセスにより、パターニングされた薄膜ガイドの区域においてBCP直接自己組織化(DSA)が同時に起こったときに、処理時間が短縮される。第2密度の作製パターンテンプレートの作製時に処理時間が短縮され、BCP DSAが一体化されることにより、乾式のリフトオフ型第2密度の作製パターン転写プロセス280を用いることによってパターン転写の品質が最適化される。乾式のリフトオフ型第2密度の作製パターン転写プロセス280では、たとえば、パターンニングされた薄膜ガイドを除去するために、酸素プラズマおよびイオンエッチングを含むプロセスが用いられる。ブロック共重合体組織化によって、一実施の形態に従った第2密度のスタック、半導体および/またはフォトニックデバイスの作製(180)において処理時間が節約され、品質が最適化される。
高面密度のスタックテンプレート:
図3A、図3Bおよび図3Cは、サーボ一体型ビットパターン媒体を含む高面密度スタックテンプレートの作製時に使用されるブロック共重合体の自己組織化を方向付けるために、パターニングされた炭素薄膜を用いるよう構成されたブロック共重合体組織化の一実施の形態を記載する。
図3A、図3Bおよび図3Cは、サーボ一体型ビットパターン媒体を含む高面密度スタックテンプレートの作製時に使用されるブロック共重合体の自己組織化を方向付けるために、パターニングされた炭素薄膜を用いるよう構成されたブロック共重合体組織化の一実施の形態を記載する。
BPM炭素薄膜ガイド:
図3Aは、一実施の形態に従ったビットパターン媒体の炭素薄膜ガイドについての概略的なフローチャートを示すブロック図である。図3Aはガラスまたはシリコン基板300を示す。プロセスは、炭素(c)薄膜層を基板上に堆積させる(305)のに用いられる。第1パターンの2次元の第1密度のドットの特徴および第2パターンの1次元ラインの特徴を炭素(c)薄膜層にパターニングする(310)プロセスを用いて、一体化されたデータゾーンおよびサーボゾーンの炭素(c)薄膜ガイド構造を作成する(315)。パターニングされた1次元の炭素薄膜ラインガイド構造320により、サーボゾーンにおいて、順序付けられたブロック共重合体組織化のためのトレンチ炭素薄膜ガイドが作成される(330)。パターニングされた2次元炭素薄膜ドットガイド構造325により、データゾーンおよびサーボゾーンにおいて、順序付けられたブロック共重合体組織化のための炭素の第1密度のドットガイドが作成される(332)。パターニングされた2次元炭素薄膜ドットガイド構造325は、平方インチ当たり255ギガドット(Gdpsi)の面密度(334)を含む第1密度を有する。記載のプロセスは一実施の形態の図3Bにおいて続けられる。
図3Aは、一実施の形態に従ったビットパターン媒体の炭素薄膜ガイドについての概略的なフローチャートを示すブロック図である。図3Aはガラスまたはシリコン基板300を示す。プロセスは、炭素(c)薄膜層を基板上に堆積させる(305)のに用いられる。第1パターンの2次元の第1密度のドットの特徴および第2パターンの1次元ラインの特徴を炭素(c)薄膜層にパターニングする(310)プロセスを用いて、一体化されたデータゾーンおよびサーボゾーンの炭素(c)薄膜ガイド構造を作成する(315)。パターニングされた1次元の炭素薄膜ラインガイド構造320により、サーボゾーンにおいて、順序付けられたブロック共重合体組織化のためのトレンチ炭素薄膜ガイドが作成される(330)。パターニングされた2次元炭素薄膜ドットガイド構造325により、データゾーンおよびサーボゾーンにおいて、順序付けられたブロック共重合体組織化のための炭素の第1密度のドットガイドが作成される(332)。パターニングされた2次元炭素薄膜ドットガイド構造325は、平方インチ当たり255ギガドット(Gdpsi)の面密度(334)を含む第1密度を有する。記載のプロセスは一実施の形態の図3Bにおいて続けられる。
BPM炭素薄膜によってガイドされるBCP DSA:
図3Bは、一実施の形態に従った、ビットパターン媒体の炭素薄膜によってガイドされるブロック共重合体の直接自己組織化を示す概略的なフローチャートのブロック図である。図3Bは、図3Aからの続きを示しており、パターニングされた炭素薄膜層の上に順序の乱れたブロック共重合体をコーティングする(340)ことで、ブロック共重合体を方向付ける組織化が開始される。コーティングは、ポリスチレン/ブロック/ポリメチルメタクリレート(PS/b/PMMA)252を含む順序の乱れたブロック共重合体342である。一体化された炭素薄膜層ガイド構造によって方向付けられる周期構造の順序付けられたブロック共重合体の組織化(350)は、ドットおよびラインの第1パターンおよび第2パターンのパターニングによって規定されるデータゾーンおよびサーボゾーンにおいて同時に行われる(351)。一体化された炭素薄膜層ガイド構造によって、ブロック共重合体の順序の乱れたコーティングの相分離が方向付けられて、第2密度のPSブロック周期構造が作成される。
図3Bは、一実施の形態に従った、ビットパターン媒体の炭素薄膜によってガイドされるブロック共重合体の直接自己組織化を示す概略的なフローチャートのブロック図である。図3Bは、図3Aからの続きを示しており、パターニングされた炭素薄膜層の上に順序の乱れたブロック共重合体をコーティングする(340)ことで、ブロック共重合体を方向付ける組織化が開始される。コーティングは、ポリスチレン/ブロック/ポリメチルメタクリレート(PS/b/PMMA)252を含む順序の乱れたブロック共重合体342である。一体化された炭素薄膜層ガイド構造によって方向付けられる周期構造の順序付けられたブロック共重合体の組織化(350)は、ドットおよびラインの第1パターンおよび第2パターンのパターニングによって規定されるデータゾーンおよびサーボゾーンにおいて同時に行われる(351)。一体化された炭素薄膜層ガイド構造によって、ブロック共重合体の順序の乱れたコーティングの相分離が方向付けられて、第2密度のPSブロック周期構造が作成される。
プロセスは、順序付けられたブロック共重合体からPMMAブロックを除去する(352)のに用いられる。順序付けられたブロック共重合体の残りのPSブロック周期構造360により、第2密度の作製パターン362が作成される。第2密度の作製パターンは、平方インチ当たり1テラドット(Tdpsi:Tera dots per square inch)を上回る面密度(364)を有するBPMパターンを含む。続きのプロセスの説明を一実施の形態の図3Cに示す。
BPM作製パターン:
図3Cは、一実施の形態に従った、ビットパターン媒体の炭素薄膜作製パターンテンプレートの作製を示す概略的なフローチャートのブロック図である。図3Cは、第2密度の作製パターンを基板に転写する(370)プロセスを示す。第2密度の作製パターンは、データゾーンおよびサーボゾーンにおける第2密度でパターニングされたドット371と、サーボゾーンにおけるトレンチパターン276とを含む。第2密度の作製パターンの転写は、基板全体にまで至り、かつ薄膜層よりも下方の基板全体にわたるエッチング(372)を含む。基板エッチングは、第2密度の作製パターニングが施されたテンプレートを作成する(278)のに用いられる。乾式のリフトオフ型第2密度の作製パターン転写プロセス380は、一実施の形態に従った、平方インチ当たり1テラドット(Tdpsi)を上回る面密度394を有する第2密度のサーボ一体型ビットパターン媒体(BPM)の作製(390)に用いられる。
図3Cは、一実施の形態に従った、ビットパターン媒体の炭素薄膜作製パターンテンプレートの作製を示す概略的なフローチャートのブロック図である。図3Cは、第2密度の作製パターンを基板に転写する(370)プロセスを示す。第2密度の作製パターンは、データゾーンおよびサーボゾーンにおける第2密度でパターニングされたドット371と、サーボゾーンにおけるトレンチパターン276とを含む。第2密度の作製パターンの転写は、基板全体にまで至り、かつ薄膜層よりも下方の基板全体にわたるエッチング(372)を含む。基板エッチングは、第2密度の作製パターニングが施されたテンプレートを作成する(278)のに用いられる。乾式のリフトオフ型第2密度の作製パターン転写プロセス380は、一実施の形態に従った、平方インチ当たり1テラドット(Tdpsi)を上回る面密度394を有する第2密度のサーボ一体型ビットパターン媒体(BPM)の作製(390)に用いられる。
水接触角:
平坦な固体表面に接して静止する水滴を含む液滴の形状は特徴的にレンズ形である。終点における水滴の上面に対する固体表面および接線によって設けられる角度を接触角と称する。接触角は、液体と蒸気に囲まれた固体との間に界面/表面張力(表面自由エネルギ)が生じた結果得られるものであり、水接触角を決定するために測定される。水滴は親水性表面上で広がることとなる。親水性の評価は水接触角の測定によってなされる。親水性表面上の水接触角は著しく低くなるだろう。疎水性表面は多量の水をはじき、疎水性表面上の水滴の形状は球形となり、遅れて広がるだろう。疎水性の評価は水接触角の測定によってなされる。疎水性表面上の水接触角は、一実施の形態においては著しく高くなるだろう。
平坦な固体表面に接して静止する水滴を含む液滴の形状は特徴的にレンズ形である。終点における水滴の上面に対する固体表面および接線によって設けられる角度を接触角と称する。接触角は、液体と蒸気に囲まれた固体との間に界面/表面張力(表面自由エネルギ)が生じた結果得られるものであり、水接触角を決定するために測定される。水滴は親水性表面上で広がることとなる。親水性の評価は水接触角の測定によってなされる。親水性表面上の水接触角は著しく低くなるだろう。疎水性表面は多量の水をはじき、疎水性表面上の水滴の形状は球形となり、遅れて広がるだろう。疎水性の評価は水接触角の測定によってなされる。疎水性表面上の水接触角は、一実施の形態においては著しく高くなるだろう。
以下の説明では、たとえば水接触角の点では、90度(90°)未満の角度が鋭角とされることに留意すべきである。以下の説明においては、鋭角の水接触角は低水接触角とも称される。90度(90°)に等しいおよび/または90度(90°)を上回る水接触角は直角および/または鈍角である。以下の説明においては、直角および鈍角の水接触角は、一実施の形態では高水接触角とも称される。
図4A、図4Bおよび図4Cは、パターニングされた炭素薄膜ガイドを用いるブロック共重合体(BCP)直接自己組織化(DSA)を示す。図示されるパターニングされた炭素薄膜ガイドは、パターニングされた2次元の炭素薄膜ドットガイド構造、すなわち、図3Aのパターニングされた2次元の炭素薄膜ドットガイド構造325として示される。図2Aの薄膜層材料202の表面の水接触角は、一実施の形態に従ったブロック共重合体組織化プロセスにおいて用いられる層材料の液体堆積物の分散をガイドするのに用いられる。
親水性表面は低水接触角を形成する。低水接触角を有する親水性表面はより高い表面エネルギを有しており、より低い表面張力を作り出し、これにより、堆積した液体の界面流量がより高速となる。疎水性表面は高水接触角を形成する。より高い水接触角を有する疎水性表面は、より低い表面エネルギを有しており、より低い表面張力を作り出し、これにより、堆積した液体の界面流量がより低速となる。図2Aの薄膜層材料202を用いて作成された第1パターンおよび第2パターンのドットおよび/またはラインのパターニングにより、一実施の形態に従った直接自己組織化(DSA)中に(BCP)ブロック共重合体材料260のタイプの分散が方向付けられる。
パターニングされた炭素(C)ドット:
図4Aは、一実施の形態に従った、パターニングされた炭素ドットの例を例示だけを目的として示す図である。図4Aは、薄膜のパターニングを用いるBCP DSAのプレパターニング方法を示す。基板が酸化シリコン(SiOx)基板400として示される。酸化シリコン(SiOx)基板400は、SiOx水接触角20°(430)を有する。SiOx水接触角20°(430)により親水性表面435が作り出される。パターニングされた炭素(C)ドット410が堆積することにより2次元パターンが形成される。パターニングされた炭素(C)ドット410は、一実施の形態に従った酸化シリコン(SiOx)基板400に対する疎水性表面420を有する。
図4Aは、一実施の形態に従った、パターニングされた炭素ドットの例を例示だけを目的として示す図である。図4Aは、薄膜のパターニングを用いるBCP DSAのプレパターニング方法を示す。基板が酸化シリコン(SiOx)基板400として示される。酸化シリコン(SiOx)基板400は、SiOx水接触角20°(430)を有する。SiOx水接触角20°(430)により親水性表面435が作り出される。パターニングされた炭素(C)ドット410が堆積することにより2次元パターンが形成される。パターニングされた炭素(C)ドット410は、一実施の形態に従った酸化シリコン(SiOx)基板400に対する疎水性表面420を有する。
PS−OH自己組織化単分子層(SAM):
図4Bは、一実施の形態に従った、水酸基末端ポリスチレンの自己組織化単分子層の例を例示だけを目的として示す図である。図4Bは、自己組織化単分子層(SAM:self-assembled monolayer)を作成するために、水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440の堆積を方向付けるパターニングされた炭素(C)ドット410を示す。図4AのSiOx水接触角20°(430)は親水性表面であって、その上に、水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)440が広がって、酸化シリコン(SiOx)基板400を湿らせる。水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440はSiOx水接触角91°のPS−OH(445)を有する。SiOx水接触角91°のPS−OH(445)は疎水性であって、ゆっくりと広がる。パターニングされた炭素(C)ドット410によって、水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440の自己組織化単分子層が濡れるのが阻止される。水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440の自己組織化単分子層により、一実施の形態に従ったパターニングされた炭素(C)ドット410間に疎水性表面420が作り出される。
図4Bは、一実施の形態に従った、水酸基末端ポリスチレンの自己組織化単分子層の例を例示だけを目的として示す図である。図4Bは、自己組織化単分子層(SAM:self-assembled monolayer)を作成するために、水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440の堆積を方向付けるパターニングされた炭素(C)ドット410を示す。図4AのSiOx水接触角20°(430)は親水性表面であって、その上に、水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)440が広がって、酸化シリコン(SiOx)基板400を湿らせる。水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440はSiOx水接触角91°のPS−OH(445)を有する。SiOx水接触角91°のPS−OH(445)は疎水性であって、ゆっくりと広がる。パターニングされた炭素(C)ドット410によって、水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440の自己組織化単分子層が濡れるのが阻止される。水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440の自己組織化単分子層により、一実施の形態に従ったパターニングされた炭素(C)ドット410間に疎水性表面420が作り出される。
PS−PMMA直接自己組織化:
図4Cは、一実施の形態に従った、炭素薄膜ドットを用いてピン留めするPMMAブロックの例を例示だけを目的として示す図である。図4Cは、パターニングされた炭素(C)410を含む酸化シリコン基板400を示す。ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)の堆積物が、水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440およびパターニングされた炭素(C)ドット410の疎水性表面上に作り出される。ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)の堆積物は、一実施の形態に従ったパターニングされた炭素(C)ドット410によって方向付けられる自己組織化したものである。
図4Cは、一実施の形態に従った、炭素薄膜ドットを用いてピン留めするPMMAブロックの例を例示だけを目的として示す図である。図4Cは、パターニングされた炭素(C)410を含む酸化シリコン基板400を示す。ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)の堆積物が、水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440およびパターニングされた炭素(C)ドット410の疎水性表面上に作り出される。ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)の堆積物は、一実施の形態に従ったパターニングされた炭素(C)ドット410によって方向付けられる自己組織化したものである。
パターニングされた炭素(C)ドット410の炭素薄膜の水接触角42°(475)により、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)の自己組織化が方向付けられる。Cドットにより、PMMAブロック470の形成物がピン留めされ、ポリスチレン(PS)450からポリメチルメタクリレート(PMMA)460が分離される。PSとPMMAとの分離は、一実施の形態に従った水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440によって作り出された基板上へのPMMAの移植に対するバリアによって促進される。
レジストインプリント:
図5Aは、一実施の形態に従ったレジストインプリントの例を例示だけを目的として示す図である。図5Aは、酸化シリコン(SiO2)を含む材料を用いて作製されたテンプレート基板500を含むBPMレジストインプリントプロセスを示す。薄い炭素層510がテンプレート基板500に堆積される。レジストの堆積物は薄い炭素層510上に作られる。石英の第1密度のインプリントテンプレート530がレジスト堆積物に押付けられる。BPMレジストインプリントプロセスが進められて、石英の第1密度のインプリントテンプレート535が除去されることにより、第1密度パターンを転写するインプリントされたレジスト520が作成される。紫外線(UV:ultraviolet)光を含むプロセスは、インプリントされたレジスト520を硬化させるのに用いられる。次のステップを一実施の形態の図5Bに記載する。
図5Aは、一実施の形態に従ったレジストインプリントの例を例示だけを目的として示す図である。図5Aは、酸化シリコン(SiO2)を含む材料を用いて作製されたテンプレート基板500を含むBPMレジストインプリントプロセスを示す。薄い炭素層510がテンプレート基板500に堆積される。レジストの堆積物は薄い炭素層510上に作られる。石英の第1密度のインプリントテンプレート530がレジスト堆積物に押付けられる。BPMレジストインプリントプロセスが進められて、石英の第1密度のインプリントテンプレート535が除去されることにより、第1密度パターンを転写するインプリントされたレジスト520が作成される。紫外線(UV:ultraviolet)光を含むプロセスは、インプリントされたレジスト520を硬化させるのに用いられる。次のステップを一実施の形態の図5Bに記載する。
HSQのスピンコーティング:
図5Bは、一実施の形態に従ったHSQレジスト層のスピンコーティングの例を例示だけを目的として示す図である。図5Bは、薄い炭素層510と硬化済みのインプリントされたレジスト520とを含むテンプレート基板500を示す。水素シルセスキオキサン(HSQ:hydrogen silsesquioxane)はネガ型の電子ビームレジストである。インプリントされたレジスト520および薄い炭素層510の上部540上にHSQのスピンコーティング層がある。HSQのコーティングは炭素ドットおよびトレンチの形成に用いられる。続きのプロセスを、一実施の形態の図5Cにおいて説明する。
図5Bは、一実施の形態に従ったHSQレジスト層のスピンコーティングの例を例示だけを目的として示す図である。図5Bは、薄い炭素層510と硬化済みのインプリントされたレジスト520とを含むテンプレート基板500を示す。水素シルセスキオキサン(HSQ:hydrogen silsesquioxane)はネガ型の電子ビームレジストである。インプリントされたレジスト520および薄い炭素層510の上部540上にHSQのスピンコーティング層がある。HSQのコーティングは炭素ドットおよびトレンチの形成に用いられる。続きのプロセスを、一実施の形態の図5Cにおいて説明する。
HSQエッチング:
図5Cは、一実施の形態に従ったHSQエッチングの例を例示だけを目的として示す図である。HSQ処理では、HSQと反応させるためにテトラフルオロメタン(CF4)を含む気体を用いて反応性イオンエッチング(RIE:reactive-ion etching)を含むプロセスが用いられる。図5Cは、インプリントされたレジスト520を露出させるようHSQのコーティングをエッチングするためのCF4 RIEエッチバック552プロセスを示す。CF4 RIEエッチバック552プロセスでは、テンプレート基板500に堆積させた薄い炭素層510上に、エッチングされたHSQ 550電子ビームレジストが作成される。エッチングされたHSQ 550電子ビームレジストにより、一実施の形態に従った、硬化されたレジストパターンのネガ型を薄い炭素層510に転写するための、図5Dに記載された電子ビームプロセスが容易になる。
図5Cは、一実施の形態に従ったHSQエッチングの例を例示だけを目的として示す図である。HSQ処理では、HSQと反応させるためにテトラフルオロメタン(CF4)を含む気体を用いて反応性イオンエッチング(RIE:reactive-ion etching)を含むプロセスが用いられる。図5Cは、インプリントされたレジスト520を露出させるようHSQのコーティングをエッチングするためのCF4 RIEエッチバック552プロセスを示す。CF4 RIEエッチバック552プロセスでは、テンプレート基板500に堆積させた薄い炭素層510上に、エッチングされたHSQ 550電子ビームレジストが作成される。エッチングされたHSQ 550電子ビームレジストにより、一実施の形態に従った、硬化されたレジストパターンのネガ型を薄い炭素層510に転写するための、図5Dに記載された電子ビームプロセスが容易になる。
薄い炭素層のエッチング:
図5Dは、一実施の形態に従った、薄い炭素層をエッチングする例を例示だけを目的として示す図である。図5Dは、図5Aのエッチングされた薄い炭素層510を含むテンプレート基板500を示す。O2RIEエッチング562プロセスでは、図5CのエッチングされたHSQ 550が除去され、図5Aの薄い炭素層510にエッチングされて、硬化されたレジストパターンのネガ型が転写される。図5Aのエッチングされた薄い炭素層510が残っていることにより、C−ドット570およびC−ライン580が作成される。C−ライン580によって、サーボゾーン595領域のC−トレンチ585区域が作成される。C−ドット570により、テンプレート基板500上のデータゾーン590領域において第1密度のパターン、たとえば、1平方インチ当たり255Gドット(dpsi:dots per square inch)の面密度が作り出される。図5Dは、C−ドット570の高さをトリムするプロセスの前に、第1パターンおよび第2パターンでパターニングされた薄膜ブロック共重合体の直接自己組織化ガイド構造の一実施の形態を示す。次のステップを一実施の形態の図6Aに記載する。
図5Dは、一実施の形態に従った、薄い炭素層をエッチングする例を例示だけを目的として示す図である。図5Dは、図5Aのエッチングされた薄い炭素層510を含むテンプレート基板500を示す。O2RIEエッチング562プロセスでは、図5CのエッチングされたHSQ 550が除去され、図5Aの薄い炭素層510にエッチングされて、硬化されたレジストパターンのネガ型が転写される。図5Aのエッチングされた薄い炭素層510が残っていることにより、C−ドット570およびC−ライン580が作成される。C−ライン580によって、サーボゾーン595領域のC−トレンチ585区域が作成される。C−ドット570により、テンプレート基板500上のデータゾーン590領域において第1密度のパターン、たとえば、1平方インチ当たり255Gドット(dpsi:dots per square inch)の面密度が作り出される。図5Dは、C−ドット570の高さをトリムするプロセスの前に、第1パターンおよび第2パターンでパターニングされた薄膜ブロック共重合体の直接自己組織化ガイド構造の一実施の形態を示す。次のステップを一実施の形態の図6Aに記載する。
光リソグラフィ:
図6Aは、一実施の形態に従った光リソグラフィの例を例示だけを目的として示す図である。図6Aは、図5Aのテンプレート基板500およびパターニングされた薄い炭素層510を示す。光レジスト600は、図5Dの領域のうちサーボゾーン595におけるC−ライン580およびC−トレンチ585の上にわたって塗布される。光レジスト600は、光リソグラフィプロセス中にC−ライン580およびC−トレンチ585を保護するのに用いられる。図5Dの領域のうちデータゾーン590におけるC−ドット570は、一実施の形態に従った光リソグラフィによって処理されることとなる。
図6Aは、一実施の形態に従った光リソグラフィの例を例示だけを目的として示す図である。図6Aは、図5Aのテンプレート基板500およびパターニングされた薄い炭素層510を示す。光レジスト600は、図5Dの領域のうちサーボゾーン595におけるC−ライン580およびC−トレンチ585の上にわたって塗布される。光レジスト600は、光リソグラフィプロセス中にC−ライン580およびC−トレンチ585を保護するのに用いられる。図5Dの領域のうちデータゾーン590におけるC−ドット570は、一実施の形態に従った光リソグラフィによって処理されることとなる。
酸素プラズマトリム:
図6Bは、一実施の形態に従った、炭素ドット高さの酸素プラズマトリムの例を例示だけを目的として示す図である。図6Bは、たとえば酸素プラズマを用いる光リソグラフィプロセスを示す。光リソグラフィは、炭素ドット高さの酸素プラズマトリム610である。酸素プラズマトリムの深さ612により、図5Dの保護されていないデータゾーン590におけるC−ドット570の高さが低くなる。炭素ドット高さ610の酸素プラズマトリムにより、C−ドット570の高さがリフトオフ(Lo)高さの3分の1に等ししいドット高さ(h)にトリムされる。hdot=1/3Lo(616)のトリミングにより、一実施の形態に従ったトリムされた炭素ドット620が作成される。
図6Bは、一実施の形態に従った、炭素ドット高さの酸素プラズマトリムの例を例示だけを目的として示す図である。図6Bは、たとえば酸素プラズマを用いる光リソグラフィプロセスを示す。光リソグラフィは、炭素ドット高さの酸素プラズマトリム610である。酸素プラズマトリムの深さ612により、図5Dの保護されていないデータゾーン590におけるC−ドット570の高さが低くなる。炭素ドット高さ610の酸素プラズマトリムにより、C−ドット570の高さがリフトオフ(Lo)高さの3分の1に等ししいドット高さ(h)にトリムされる。hdot=1/3Lo(616)のトリミングにより、一実施の形態に従ったトリムされた炭素ドット620が作成される。
光レジスト600は、Lo高さの1.5倍であるC−ライン580の高さ(H)のトリミングからC−ライン580を保護する。光レジスト600はまた、図5D領域のうちサーボゾーン595における図5D区域のC−トレンチ585を保護する。hdot=1/3Lo(616)であるトリムされた炭素ドット620と、Htrench=1.5 Lo(606)であるトリムされていないC−ライン580とが一実施の形態に従ったテンプレート基板500上に残存する。
PS−OHグラフト:
図6Cは、一実施の形態に従った、Si部位上のPS−OHグラフトの例を例示だけを目的として示す図である。図6Cは、図6Aの光レジスト600を剥すためのプロセス後における、テンプレート基板500上のトリムされた炭素ドット620およびトリムされていないC−ライン580を示す。図6Cは、図6Bの炭素ドット高さ610の酸素プラズマトリム後における、第1パターンおよび第2パターンでパターニングされた薄膜ブロック共重合体の直接自己組織化ガイド構造の一実施の形態を示す。図4Bの水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440がテンプレート基板500に塗布されて、ポリスチレン(PS)自己組織化単分子層(SAM)が作成される。たとえばシリコン(Si)材料を用いて作られたたとえばテンプレート基板500上における図4BのSAMの水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440により、テンプレート基板500のうち露出されたSi部位上にPS−OHグラフトが作成される。露出されたSi部位上のPS−OHグラフトにより、トリムされた炭素ドット620を囲むPS層630が作成される。PS層630は、一実施の形態に従ったC−ライン580間の図5D領域のサーボゾーン595において、図5D区域のC−トレンチ585を覆う。
図6Cは、一実施の形態に従った、Si部位上のPS−OHグラフトの例を例示だけを目的として示す図である。図6Cは、図6Aの光レジスト600を剥すためのプロセス後における、テンプレート基板500上のトリムされた炭素ドット620およびトリムされていないC−ライン580を示す。図6Cは、図6Bの炭素ドット高さ610の酸素プラズマトリム後における、第1パターンおよび第2パターンでパターニングされた薄膜ブロック共重合体の直接自己組織化ガイド構造の一実施の形態を示す。図4Bの水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440がテンプレート基板500に塗布されて、ポリスチレン(PS)自己組織化単分子層(SAM)が作成される。たとえばシリコン(Si)材料を用いて作られたたとえばテンプレート基板500上における図4BのSAMの水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ440により、テンプレート基板500のうち露出されたSi部位上にPS−OHグラフトが作成される。露出されたSi部位上のPS−OHグラフトにより、トリムされた炭素ドット620を囲むPS層630が作成される。PS層630は、一実施の形態に従ったC−ライン580間の図5D領域のサーボゾーン595において、図5D区域のC−トレンチ585を覆う。
ブロック共重合体の順序の乱れたコーティング:
図6Dは、一実施の形態に従った、パターニングされた炭素膜上のブロック共重合体の順序の乱れたコーティングの例を例示だけを目的として示す図である。図6Dは、トリムされた第1パターンおよび第2パターンでパターニングされた薄膜ブロック共重合体のパターニング済み炭素膜ガイド構造上におけるBCP645の配置を示す。球状のブロック共重合体および円筒状のブロック共重合体を含むブロック共重合体(BCP)が、トリムされた炭素ドット620上に堆積され、C−ライン580およびPS層630がテンプレート基板500上に堆積される。パターニングされた炭素膜上のBCPコーティングには、たとえば、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)が用いられる。堆積時のポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)コーティングの順序が乱れており、この場合、PSブロック650およびPMMAブロック640が、一実施の形態に従った表面上にわたって任意に分散されている。
図6Dは、一実施の形態に従った、パターニングされた炭素膜上のブロック共重合体の順序の乱れたコーティングの例を例示だけを目的として示す図である。図6Dは、トリムされた第1パターンおよび第2パターンでパターニングされた薄膜ブロック共重合体のパターニング済み炭素膜ガイド構造上におけるBCP645の配置を示す。球状のブロック共重合体および円筒状のブロック共重合体を含むブロック共重合体(BCP)が、トリムされた炭素ドット620上に堆積され、C−ライン580およびPS層630がテンプレート基板500上に堆積される。パターニングされた炭素膜上のBCPコーティングには、たとえば、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)が用いられる。堆積時のポリスチレン−ポリメチルメタクリレート(PS−PMMA)コーティングの順序が乱れており、この場合、PSブロック650およびPMMAブロック640が、一実施の形態に従った表面上にわたって任意に分散されている。
順序付けられたブロック共重合体:
図6Eは、一実施の形態に従った、パターニングされた炭素膜上の順序付けられたブロック共重合体の例を例示だけを目的として示す図である。図6Eは、サーボゾーンにおけるBCPのC−ライン580ガイドの順序付けを用いたBCPの順序付けを示す。トリムされた炭素ドット620は、データゾーンにおいてBCPの順序付けをガイドする。トリムされた炭素ドット620およびC−ライン580により、一実施の形態に従ったテンプレート基板500上のPS層630上において順序付けがガイドされる。
図6Eは、一実施の形態に従った、パターニングされた炭素膜上の順序付けられたブロック共重合体の例を例示だけを目的として示す図である。図6Eは、サーボゾーンにおけるBCPのC−ライン580ガイドの順序付けを用いたBCPの順序付けを示す。トリムされた炭素ドット620は、データゾーンにおいてBCPの順序付けをガイドする。トリムされた炭素ドット620およびC−ライン580により、一実施の形態に従ったテンプレート基板500上のPS層630上において順序付けがガイドされる。
順序の乱れたPS−PMMAは、トリムされた炭素ドット620の表面上にPMMAブロック640をピン留めするトリムされた炭素ドット620によって図5Dのデータゾーン590において方向付けられる。PSブロック650は、第2密度パターンで、トリムされた炭素ドット620を囲むPS層630に接着している。図5Dの領域のサーボゾーン595における自己組織化されたPS−PMMAは、C−ライン580によって方向付けられる。PSブロック650は、図5D領域のサーボゾーン595におけるC−ライン580によって作り出された図5D区域のC−トレンチ585を覆うPS層630に接着している。PS層630に接着しているPSブロック650は、一実施の形態に従った第2密度パターンへと順序付けされる。
PMMAブロック除去:
図7Aは、一実施の形態に従った、順序付けられたブロック共重合体から1つのブロックを除去する湿式プロセスの例を例示だけを目的として示す図である。図7Aは、トリムされた炭素ドット620、C−ライン580およびPS層630を含むテンプレート基板500を示す。PMMAブロック700を除去するための湿式プロセスを実行して、図6DのPMMAブロック640を除去する。パターニングされた炭素膜上におけるBCPが方向付けされた自己組織化の残りの部分は、第2密度であって、たとえば、一実施の形態に従ったPSブロック650の平方インチ当たり1テラドット(Tdpsi)を上回る面密度である。
図7Aは、一実施の形態に従った、順序付けられたブロック共重合体から1つのブロックを除去する湿式プロセスの例を例示だけを目的として示す図である。図7Aは、トリムされた炭素ドット620、C−ライン580およびPS層630を含むテンプレート基板500を示す。PMMAブロック700を除去するための湿式プロセスを実行して、図6DのPMMAブロック640を除去する。パターニングされた炭素膜上におけるBCPが方向付けされた自己組織化の残りの部分は、第2密度であって、たとえば、一実施の形態に従ったPSブロック650の平方インチ当たり1テラドット(Tdpsi)を上回る面密度である。
酸素プラズマディスカム:
図7Bは、一実施の形態に従った、酸素プラズマディスカムおよびエッチングプロセスを用いて、PSブロックを処理する例を例示だけを目的として示す図である。図7Bは、テンプレート基板500上における露出されたPS層630、トリムされた炭素ドット620およびC−ライン580上のO2プラズマディスカム710のプロセスを示す。O2プラズマディスカム710により、残留する如何なるPMMA材料も除去される。O2プラズマディスカム710により、C−ライン580の上部上における図6DのPSブロック650が除去される。O2プラズマディスカム710により、データゾーンにおける図6DのPSブロック650と、図5D領域のうちサーボゾーン595における図5D区域のC−トレンチ585とがエッチングされる。O2プラズマディスカム710のエッチングにより、一実施の形態に従った、トリムされていないC−ライン580の高さと等しい高さになるようエッチングされたPSブロック720が作成される。
図7Bは、一実施の形態に従った、酸素プラズマディスカムおよびエッチングプロセスを用いて、PSブロックを処理する例を例示だけを目的として示す図である。図7Bは、テンプレート基板500上における露出されたPS層630、トリムされた炭素ドット620およびC−ライン580上のO2プラズマディスカム710のプロセスを示す。O2プラズマディスカム710により、残留する如何なるPMMA材料も除去される。O2プラズマディスカム710により、C−ライン580の上部上における図6DのPSブロック650が除去される。O2プラズマディスカム710により、データゾーンにおける図6DのPSブロック650と、図5D領域のうちサーボゾーン595における図5D区域のC−トレンチ585とがエッチングされる。O2プラズマディスカム710のエッチングにより、一実施の形態に従った、トリムされていないC−ライン580の高さと等しい高さになるようエッチングされたPSブロック720が作成される。
Cr硬質マスク層:
図7Cは、一実施の形態に従った、Cr硬質マスク層の例を例示だけを目的として示す図である。図7Cは、テンプレート基板500、トリムされた炭素ドット620、トリムされていないC−ライン580、PS層630およびエッチングされたPSブロック720を示す。Cr蒸着730を用いるプロセスにより硬質マスク層が作成される。Cr硬質マスク740は、PS層630およびトリムされた炭素ドット620上に堆積する。Cr蒸着730での堆積により、一実施の形態に従ったエッチングされたPSブロック720およびC−ライン580の上部上において、キャップされたCr硬質マスク745が作成される。
図7Cは、一実施の形態に従った、Cr硬質マスク層の例を例示だけを目的として示す図である。図7Cは、テンプレート基板500、トリムされた炭素ドット620、トリムされていないC−ライン580、PS層630およびエッチングされたPSブロック720を示す。Cr蒸着730を用いるプロセスにより硬質マスク層が作成される。Cr硬質マスク740は、PS層630およびトリムされた炭素ドット620上に堆積する。Cr蒸着730での堆積により、一実施の形態に従ったエッチングされたPSブロック720およびC−ライン580の上部上において、キャップされたCr硬質マスク745が作成される。
高角度イオンミリング:
図8Aは、一実施の形態に従った、キャップされたCrを除去するための高角度イオンミリングの例を例示だけを目的として示す図である。図8Aは、テンプレート基板500上におけるトリムされた炭素ドット620およびPS層630上のCr硬質マスク740を示す。エッチングされたPSブロック720およびC−ライン580上における図7CのキャップされたCr硬質マスク745は、高角度イオンミリング800を用いて除去される。高角度イオンミリング800により、エッチングされたPSブロック720およびC−ライン580の一部が除去されて、一実施の形態に従ったそれらブロックおよびラインの高さが低くなる。
図8Aは、一実施の形態に従った、キャップされたCrを除去するための高角度イオンミリングの例を例示だけを目的として示す図である。図8Aは、テンプレート基板500上におけるトリムされた炭素ドット620およびPS層630上のCr硬質マスク740を示す。エッチングされたPSブロック720およびC−ライン580上における図7CのキャップされたCr硬質マスク745は、高角度イオンミリング800を用いて除去される。高角度イオンミリング800により、エッチングされたPSブロック720およびC−ライン580の一部が除去されて、一実施の形態に従ったそれらブロックおよびラインの高さが低くなる。
酸素プラズマディスカムおよびトリム:
図8Bは、一実施の形態に従った、酸素プラズマを用いるディスカムおよびトリムプロセスの例を例示だけを目的として示す図である。図8Bはテンプレート基板500を示しており、PS層630およびトリムされた炭素ドット620の頂部がCr硬質マスク740を用いて覆われている。酸素プラズマディスカムおよびトリム810を用いて表面をクリーニングする。図7BのエッチングされたPSブロック720および図5DのC−ライン580は高さが低くなっており、酸素プラズマディスカムおよびトリム810のプロセスを用いてさらにトリムされる。トリムされたPSブロック820およびトリムされたC−ライン830により、一実施の形態に従ったCr硬質マスク740の高さを一致させる。
図8Bは、一実施の形態に従った、酸素プラズマを用いるディスカムおよびトリムプロセスの例を例示だけを目的として示す図である。図8Bはテンプレート基板500を示しており、PS層630およびトリムされた炭素ドット620の頂部がCr硬質マスク740を用いて覆われている。酸素プラズマディスカムおよびトリム810を用いて表面をクリーニングする。図7BのエッチングされたPSブロック720および図5DのC−ライン580は高さが低くなっており、酸素プラズマディスカムおよびトリム810のプロセスを用いてさらにトリムされる。トリムされたPSブロック820およびトリムされたC−ライン830により、一実施の形態に従ったCr硬質マスク740の高さを一致させる。
パターン転写:
図8Cは、一実施の形態に従った、ブロック共重合体の残りのブロックから基板にパターンを転写する例を例示だけを目的として示す図である。図8Cは、たとえば、図5Aのテンプレート基板500をエッチングするのに用いられるCF4 RIEパターン転写830のプロセスを示す。Cr硬質マスク740層を用いて、CF4 RIEエッチングから図5Aのテンプレート基板500の部分をマスクする。Cr硬質マスク740層の下には、トリムされた炭素ドット620と、PS層630のうちエッチングプロセスからもマスクされている部分とが存在する。CF4 RIEパターン転写830のプロセスにより、トリムされたPSブロック820と、トリムされたC−ライン830と、PS層630のうちマスクされていない部分とが除去される。処理されたパターンは、一実施の形態に従ったエッチングされたテンプレート基板840を作成するために、CF4 RIEパターン転写830プロセスを用いて、図5Aのテンプレート基板500にエッチングされる。
図8Cは、一実施の形態に従った、ブロック共重合体の残りのブロックから基板にパターンを転写する例を例示だけを目的として示す図である。図8Cは、たとえば、図5Aのテンプレート基板500をエッチングするのに用いられるCF4 RIEパターン転写830のプロセスを示す。Cr硬質マスク740層を用いて、CF4 RIEエッチングから図5Aのテンプレート基板500の部分をマスクする。Cr硬質マスク740層の下には、トリムされた炭素ドット620と、PS層630のうちエッチングプロセスからもマスクされている部分とが存在する。CF4 RIEパターン転写830のプロセスにより、トリムされたPSブロック820と、トリムされたC−ライン830と、PS層630のうちマスクされていない部分とが除去される。処理されたパターンは、一実施の形態に従ったエッチングされたテンプレート基板840を作成するために、CF4 RIEパターン転写830プロセスを用いて、図5Aのテンプレート基板500にエッチングされる。
作製パターンでパターニングされたテンプレート:
図8Dは、一実施の形態に従った、パターニングされた薄膜を用いて、作製パターンでパターニングされたテンプレートの例を例示だけを目的として示す。図8Aの高角度イオンミリング800を含むプロセスは、図7CのCr硬質マスク740を除去するのに用いられる。図8Aの酸素プラズマディスカムおよびトリム810を含むプロセスを用いて、図8Cのエッチングされたテンプレート基板840上におけるトリムされた炭素ドット620、PS層630の部分、およびいずれの残留物質をも除去する。除去、ディスカムおよびトリミングのプロセスにより、高面密度のBPMテンプレート850が現われ、この場合、一実施の形態に従ったブロック共重合体組織化を用いて作り出されるデータゾーン590においては高面密度ドットがたとえば1Tdpsiよりも高く、サーボゾーン595においては高面密度ドットがたとえば1Tdpsiよりも高くなっている。
図8Dは、一実施の形態に従った、パターニングされた薄膜を用いて、作製パターンでパターニングされたテンプレートの例を例示だけを目的として示す。図8Aの高角度イオンミリング800を含むプロセスは、図7CのCr硬質マスク740を除去するのに用いられる。図8Aの酸素プラズマディスカムおよびトリム810を含むプロセスを用いて、図8Cのエッチングされたテンプレート基板840上におけるトリムされた炭素ドット620、PS層630の部分、およびいずれの残留物質をも除去する。除去、ディスカムおよびトリミングのプロセスにより、高面密度のBPMテンプレート850が現われ、この場合、一実施の形態に従ったブロック共重合体組織化を用いて作り出されるデータゾーン590においては高面密度ドットがたとえば1Tdpsiよりも高く、サーボゾーン595においては高面密度ドットがたとえば1Tdpsiよりも高くなっている。
上記において動作の原理、実施の形態およびモードについて説明してきた。しかしながら、本発明は、説明された特定の実施の形態に限定されるものとして解釈されるべきではない。上述の実施の形態は限定的ではなく例示的なものと見なされるべきであり、添付の特許請求の範囲によって規定される範囲から逸脱することなく、当業者によってこれらの実施の形態において変形がなされ得ることが認識されるべきである。
400 酸化シリコン(SiOx)基板、410 炭素(C)ドット、420 疎水性表面、440 水酸基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ。
Claims (20)
- ブロック共重合体組織であって、
シリコン基板上に堆積させた薄膜層のデータゾーンに多次元特徴が転写されている、第1密度を有する第1パターンと、
薄膜層のサーボゾーンに転写され、データゾーンと一体化されるよう構成された1次元特徴の第2パターンと、
第1密度よりも高い第2密度を有する作製パターンとを含み、作製パターンは、シリコン基板の一部にわたって位置するよう構成された順序付けられたブロック共重合体周期構造である、ブロック共重合体組織。 - 薄膜層の第1パターンおよび第2パターンの堆積物は、炭素(C)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、インプリントレジストおよび他の膜材料の堆積物を含む、請求項1に記載のブロック共重合体組織。
- 作製パターンが、データゾーンおよびサーボゾーンの特徴を用いて作成され、シリコン基板上に堆積されたブロック共重合体の順序の乱れたコーティングの相分離を方向付け、
作製パターンが、テンプレートを作成するためにエッチングプロセスを用いて、シリコンまたはガラスを含む基板材料へと、かつ、薄膜層よりも下方の基板の部分全体にわたって転写される、請求項1に記載のブロック共重合体組織。 - 第1パターンの第1密度の多次元特徴は、1平方インチ当たり255ギガドット(Gdpsi)の面密度を含む2次元の薄膜ドットを含む、請求項1に記載のブロック共重合体組織。
- 第2パターンの1次元特徴は1次元の薄膜ラインを含む、請求項1に記載のブロック共重合体組織。
- 順序付けられたブロック共重合体周期構造の作製パターンの第2密度は、1平方インチ当たり1テラドット(Tdpsi)を上回る面密度を含む、請求項1に記載のブロック共重合体組織。
- テンプレートは、高面密度のサーボ一体型ビットパターン媒体を含む半導体、フォトニックデバイスおよび第2密度スタックの作製に使用するためのものである、請求項3に記載のブロック共重合体組織。
- テンプレートを用いる作成プロセスは、テンプレートパターンをスタックに転写するための乾式のリフトオフ型パターン転写プロセスを含む、請求項3に記載のブロック共重合体組織。
- ブロック共重合体の順序の乱れたコーティングは、ポリ(スチレン−ブロック−メチルメタクリレート)P(S−b−MMA)、ポリスチレン−ポリエチレン酸化物(PS−PEO)、ポリ(スチレン−ジメチルシロキサン)(PS−PDMS)、球状のブロック共重合体、および円筒状のブロック共重合体を含む、請求項1に記載のブロック共重合体組織。
- 装置であって、
データゾーンにおいて、第1パターンの第1密度の多次元特徴をシリコン基板上に堆積された薄膜層にエッチングするための手段と、
サーボゾーンにおいて、データゾーンの2次元特徴と一体化された第2パターンの1次元特徴を薄膜層にエッチングするための手段と、
第1密度よりも高い第2密度を有する作製パターンをシリコン基板にエッチングするための手段とを含み、作製パターンは、シリコン基板の一部にわたって位置するよう構成された順序付けられたブロック共重合体周期構造である、装置。 - 第1パターンおよび第2パターンの薄膜層を炭素(C)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、インプリントレジストを含む薄膜層材料を含む基板上に堆積させるための手段をさらに含む、請求項10に記載の装置。
- ポリ(スチレン−ブロック−メチルメタクリレート)P(S−b−MMA)、ポリスチレン−ポリエチレン酸化物(PS−PEO)、ポリ(スチレン−ジメチルシロキサン)(PS−PDMS)、球状のブロック共重合体および円筒状のブロック共重合体を含むブロック共重合体の順序の乱れたコーティングの相分離を基板の一部にわたって方向付けるために、第1パターンおよび第2パターンが一体化されたデータ特徴およびサーボ特徴を用いるための手段をさらに含む、請求項10に記載の装置。
- シリコンまたはガラスを含む基板材料全体にまで至り、かつ薄膜層よりも下方の基板全体にわたるエッチングを用いて、作製パターンの第2密度テンプレートを作製するための手段をさらに含む、請求項10に記載の装置。
- 第1密度よりも高い第2密度を有する基板の一部にわたって順序付けられたブロック共重合体周期構造のテンプレート作製パターンを作成するために、2次元薄膜ドットを含む第1パターンの多次元データゾーン特徴と、1次元薄膜ラインを含む第2パターンのサーボ特徴とを一体化させたものを作成するための手段をさらに含む、請求項10に記載の装置。
- 基板全体にわたって順序付けられたブロック共重合体周期構造の第2密度テンプレート作製パターンを用いてエッチングされた作製パターンの第2密度テンプレートを用いて、スタックをインプリントするために、乾式のリフトオフ型パターン転写プロセスを用いるための手段をさらに含む、請求項10に記載の装置。
- ブロック共重合体組織化構造であって、
パターニングされた特徴の第1密度がデータゾーンおよびサーボゾーンにおいて一体化されている第1パターンおよび第2パターンと、
薄膜層が上に堆積されており、第1パターン特徴および第2パターン特徴の第1密度を用いてパターニングされたシリコン基板と、
基板の一部にわたって、順序付けられたブロック共重合体周期構造を用いて作成され、第1密度よりも高い第2密度を有するテンプレート作製パターンとを含む、ブロック共重合体組織化構造。 - 第1パターンおよび第2パターンの薄膜層は、炭素(C)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、インプリントレジストおよび他の膜材料を含む、請求項16に記載のブロック共重合体組織化構造。
- パターニングされた特徴の第1パターンの第1密度は、2次元薄膜ドットおよび第2パターンの1次元薄膜ラインを含む、請求項16に記載のブロック共重合体組織化構造。
- 第1パターン特徴および第2パターン特徴により、シリコン基板上に堆積させたブロック共重合体の順序の乱れたコーティングの基板の一部にわたって相分離が方向付けられ、ブロック共重合体の順序の乱れたコーティングは、ポリ(スチレン−ブロック−メチルメタクリレート)P(S−b−MMA)、ポリスチレン−ポリエチレン酸化物(PS−PEO)、ポリ(スチレン−ジメチルシロキサン)(PS−PDMS)、球状のブロック共重合体、および円筒状のブロック共重合体を含む、請求項16に記載のブロック共重合体組織化構造。
- 第2密度のテンプレート作製パターンは、テンプレートを作成するために、シリコンまたはガラスを含む基板材料全体に至るまで、かつ、薄膜層よりも下方の基板全体にわたってエッチングされる、請求項16に記載のブロック共重合体組織化構造。
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