KR101839459B1 - 유기박막 전사방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 유기박막이 형성된 전사기판 상에 피전사기판을 대향하여 합착하는 단계; 상기 전사기판 상에 형성된 발열패턴에 전기 에너지를 공급하여 유기박막을 피전사기판으로 전사하는 단계; 상기 전사기판 및 피전사기판을 탈착하는 단계; 및 상기 피전사 기판을 진공 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법에 관한 것으로서,
본 발명은 상기 발광층과 정공수송층의 접합 계면 특성이 안정화됨에 따라 유기발광다이오드의 효율이 상승하고, 수명이 증가되는 등 성능이 향상되는 효과가 있다.

Description

유기박막 전사방법{Transcripting Method in using thermal transfer process}
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치를 제조하기 위한 유기박막 전사방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display: FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 및 전계발광장치(Electroluminescence Device) 등이 있다.
PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 얇으면서도 대형화에 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. TFT LCD(Thin Film Transistor LCD)는 가장 널리 사용되고 있는 평판표시소자이지만 시야각이 좁고 응답속도가 낮은 문제점이 있다. 전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기발광다이오드 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며, 이 중 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 가진다.
OLED(10)는 전계발광하는 유기 화합물층과, 유기 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드(Cathode) 전극(90) 및 애노드(Anode) 전극(30)을 포함한다. 유기 화합물층은 전자주입층(Electron Injection Layer: EIL)(80), 전자수송층(Electron Transport Layer: ETL)(70), 발광층(Emission Layer: EML)(60), 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL)(50), 및 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL)(40)을 포함하여 다층으로 적층된 구조를 갖는다.
애노드 전극(30)과 캐소드 전극(90)에 구동전압이 인가되면 정공수송층(50)을 통과한 정공과 전자수송층(70)을 통과한 전자가 발광층(60)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(60)이 가시광을 발산한다.
유기발광다이오드 표시장치는 풀 컬러(Full Color) 구현을 위해, R(적색), G(녹색), 및 B(청색) 화소 각각에서 OLED가 배치될 위치에 발광층(60)을 형성한다.
발광층(60)은 화소 별로 패터닝된다. 발광층(60)을 형성하는 방법으로 FMM(Fine Metal Mask) 방법, 레이저 열 전사법, 잉크 분사법 등이 알려져 있다. 그러나, 이러한 방법들은 짧은 시간 내에 고정밀 패턴 형성이 필요한 대면적 기판을 대상으로는 적합하지 않다.
최근, 짧은 시간 내에 고정밀 패턴 형성을 위해, 주울 히팅(Joule Heating)을 이용한 열 전사법(또는, "주울 열 전사법" 이라 함)을 사용한 유기박막 전사장치가 대두 되고 있다.
도 2a는 주울 열 전사법에 의한 유기박막 전사장치의 개요를 나타내는 단면도이고, 도 2b는 유기박막 전사장치의 개략적인 구조를 나타내는 분해 사시도이다.
도 2a 및 도 2b에서 알 수 있듯이, 유기박막 전사장치는 전사기판(1), 피 전사기판(11), 발열패턴(5), 공통전극(3a, 3b), 장치전극(7a, 7b), 및 전원(15)을 포함한다.
주울 열 전사법은, 유기박막(13)이 성막된 전사기판(1)을 피 전사기판(11)과 스페이서(9)를 사이에 두고 정렬하여 일정 간격으로 마주보도록 배치한 후, 전사기판(1)에 전기 에너지를 인가하여 유기박막(13)을 피 전사기판(11)으로 전사시킨다.
전사기판(1)에는 유기박막(13)이 전사될 피 전사기판(11)의 화소 영역에 대응되도록, 다수의 금속 발열패턴(5)이 형성된다. 금속 발열패턴(5)의 일측단과 타측단에는 각각 금속 발열패턴(5)들 모두를 연결하는 제1 공통전극(3a)과 제2 공통전극(3b)이 형성되어 있다. 금속 발열패턴(5)들 위에는 피 전사기판(11)으로 전사시킬 유기박막(13)이 박막 형태로 형성되어 있다. 유기박막(13) 위에는 피 전사기판(11)이 위치할 수 있다.
제1 및 제2 공통전극(3a 및 3b) 위에는 각각 제1 장치전극(7a)과 제2 장치전극(7b)이 정렬되어 있어, 공통전극(3a, 3b)과 장치전극(7a, 7b)은 서로 연결 및 분리가 가능하도록 구성되어 있다. 전원(15)은 구성하는 전사장치에 따라서, 직류 전원 혹은 교류 전원을 발생할 수 있다.
피 전사기판(11)을 유기박막(13)이 성막되어 있는 금속 발열패턴(5) 위에 일정 간격을 두고 장착한 후, 장치전극들(7a, 7b)을 각각 대향하는 공통전극들(3a, 3b)과 접촉시킨 후, 제1 장치전극(7a)과 제2 장치전극(7b) 사이에 연결된 전원(15)을 가동하여 소정의 전압을 인가한다. 금속 발열패턴(5)에서 발생된 주울 열은 금속 발열패턴(5) 상에 위치한 유기박막(13)에 전달되고, 그 결과 유기박막(13)이 증발하면서, 피 전사기판(11)으로 전사되어 화소 영역에 유기발광층을 형성한다.
유기박막(13)을 충분히 가열하기 위해서는 상당히 높은 열에너지가 필요하고, 충분한 열에너지를 공급하기 위해서는 금속 발열패턴(5)에 인가되는 전기에너지가 커야 한다. 큰 전기 에너지를 얻기 위해서는 제1 장치전극(7a)과 제2 장치전극(7b) 사이에 인가되는 전원이 고전압과 고전류를 발생하는 전원(15)이어야 한다.
도 3은 종래 유기박막 전사방법으로 유기박막을 전사하는 과정에 있어 전사된 유기박막의 접합계면을 나타내는 도면이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 전사기판(1) 상에는 유기박막(13)이 전사될 피전사기판의 화소 영역에 대응되도록 발열패턴(5)이 형성된다. 발열패턴(5) 상에는 유기박막(13)이 증착된다.
피전사기판(11)은 상기 전사기판(1)과 대향하여 마주보고 소정의 간격으로 이격되어 배치된다. 상기 피전사기판(11) 상에는 유기발광다이오드를 형성하기 위한 복수의 박막이 형성될 수 있는데, 유기박막이 증착되는 최상위층(11a)은 보통 정공수송층(HTL)이 된다.
앞서 설명한 바와 같이, 발열패턴(5)에 전기 에너지를 공급하면 발열패턴(5)의 저항에 의해 전기 에너지가 열 에너지로 변환되고 이때 유기박막(13)이 피전사기판으로 승화되어 전사된다. 이때, 전사된 유기박막(13)은 발광층(EML)(13a)으로 작용한다.
주울 열 전사법은 순간적인 가열로 유기박막을 전사하므로 일반적인 Thermal Evaporation 공정에 비해 매우 빠른 성막 속도를 갖는 것이 특징이다. 따라서, 도 3에서 알 수 있듯이 발광층(13a)과 정공수송층(11a)의 접합계면 특성이 불안정하다.
따라서, 상술한 유기박막 전사방법은 다음과 같은 문제가 있다.
첫째, 발광층(13a)과 정공수송층(11a)의 접합계면 특성이 불안정한 것이 문제된다.
둘째, 상기 발광층(13a)과 정공수송층(11a)의 접합 계면 특성이 불안정은 유기발광다이오드의 구동전압 상승, 효율 저하, 수명 저하 등의 성능 저하를 야기하여 문제된다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로, 본 발명은 발광층과 정공수송층의 접합계면 특성을 안정화하여 소자의 성능을 향상시키는 유기박막 전사방법을 제공함을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 유기박막이 형성된 전사기판 상에 피전사기판을 대향하여 합착하는 단계; 상기 전사기판 상에 형성된 발열패턴에 전기 에너지를 공급하여 유기박막을 피전사기판으로 전사하는 단계; 상기 전사기판 및 피전사기판을 탈착하는 단계; 및 상기 피전사 기판을 진공 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법를 제공한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 발광층과 정공수송층의 접합계면 특성이 안정화되는 효과가 있다.
둘째, 상기 발광층과 정공수송층의 접합 계면 특성이 안정화됨에 따라 유기발광다이오드의 효율이 상승하고, 수명이 증가되는 등 성능이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 유기발광다이오드 표시장치에 사용되는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 나타내는 도면이다.
도 2a는 주울 열 전사법에 의한 유기박막 전사장치의 개요를 나타내는 단면도이다.
도 2b는 유기박막 전사장치의 개략적인 구조를 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 종래 유기박막 전사방법으로 유기박막을 전사하는 과정에 있어 전사된 유기박막의 접합계면을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기박막 전사방법의 공정순서를 나타내는 순서도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 유기박막 전사방법를 이용하여 유기박막을 전사하는 과정을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 유기박막 전사방법에 의한 열처리 공정 전후에서 발광층의 접합계면 변화를 나타내는 도면이다.
이하에서는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치와 이를 이용한 유기박막 전사방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물의 "상에" 또는 "아래에" 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고, 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 4는 본 발명에 따른 유기박막 전사방법의 공정순서를 나타내는 순서도이다.
우선, 도 4에서 알 수 있듯이, 전사기판 상에 발열패턴을 증착하고 상기 발열패턴 상에 유기박막을 증착한다(S110).
발열패턴은 전사기판 상에 형성되며, 복수개의 얇은 전사패턴 및 전사패턴의 양단에서 전사패턴과 연결되어 있는 공통전극을 포함한다.
전사패턴은 외부로부터 공급된 전기 에너지를 열 에너지로 바꾸어 전사패턴 상에 형성된 유기박막을 피전사기판으로 전사시킨다. 이러한 유기박막의 전사기법을 주울 열 전사법이라고 한다. 전사패턴은 피전사기판의 화소배치에 따라 다양한 형태로 패터닝 될 수 있다.
공통전극은 발열패턴의 양단에서 복수의 전사패턴을 연결한다. 따라서, 공통전극은 판(sheet) 형태의 금속으로 구성된다. 또한, 공통전극은 외부에서 전기에너지를 공급하는 전극부와 전기적으로 접속하여 외부에서 전기 에너지를 공급받는다.
유기박막은 발열패턴 상에 형성되어, 외부에서 공급되는 열 에너지에 의해 피전사기판으로 전사됨으로써 대상 화소들에 발광층을 형성한다.
유기박막은 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 유기박막 중 어느 하나를 포함하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 다른 색의 유기박막을 형성할 수도 있다. 또한, 유기박막은 전사기판의 일면 상에 전면적으로 형성되는 것 외에도, 발열패턴의 상부에만 형성할 수도 있으며, 필요에 따라 전사패턴 상에만 형성될 수도 있다.
다음, 피전사기판 상에 박막트렌지스터(TFT)를 형성한 후 상기 박막트렌지스터 상에 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL) 및 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL)을 차례로 증착한다(S120).
다음, 유기박막이 형성된 전사기판 상에 피전사기판을 대향하여 합착한다(S130). 이때, 전사기판 및 피전사기판 사이의 스페이서에 의해 전사기판 및 피전사기판은 일정한 간격을 유지할 수 있다.
다음, 전사기판 상에 형성된 발열패턴에 전기 에너지를 공급하여 유기박막을 피전사기판으로 전사한다(S140). 외부의 전원부에서 소정의 전력을 공급하면, 발열패턴으로 전력이 흐르게 되고, 얇은 선폭을 가진 발열패턴에는 줄열이 발생하게 된다. 이에 따라, 발열패턴 중 전사패턴 상에 형성된 유기박막이 가열되어 피전사기판으로 증착되게 된다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 유기박막 전사방법를 이용하여 유기박막을 전사하는 과정을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 5a에서 알 수 있듯이, 전사기판(130) 상에 전사패턴(144)이 형성되어 있고, 그 위에는 유기박막(146, 148)이 형성되어 있다. 또한, 전사기판(130)에 대향하여 마주보고 형성된 피전사기판(170) 상에는 제 1전극(171), 정공주입층(HIL)(175), 정공수송층(HTL)(177), 및 격벽(173)이 형성되어 있다.
도 5b에서 알 수 있듯이, 전사패턴(144)에 전기 에너지가 인가되면 줄 열이 발생하여 전사패턴(144) 상에 형성된 유기박막(148)이 승화되어 피전사기판(170)에 증착되게 되고, 이렇게 증착된 유기박막(148)은 발광층으로 작용한다.
다음, 상기 전사기판 및 피전사기판을 탈착한다(S150). 피전사기판에는 발광층이 전사되었는 바, 전사기판 및 피전사기판을 탈착한 후 피전사기판에 OLED를 제조하기 위한 다음 공정을 차례로 진행한다.
다음, 피전사 기판을 진공 분위기에서 열처리한다(S160). 상기 열처리하는 단계는 상기 유기박막이 이동할 수 있는 온도인 유리 전이점(Tg) 이상이고 상기 유기박막의 용융점(Tm) 이하의 온도에서 열처리한다.
본 발명에 따른 유기박막 전사방법의 일 실시예에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 100℃에서 30분간 열처리할 수 있다. 이하, 상기와 같은 열처리 과정에 대한 실험을 표 1과 같이 정리할 수 있다.
Figure 112011093637329-pat00001
표 1은 상기 피전사기판을 100℃ 에서 열처리 시간을 변화시켜가며 시간경과에 따른 밝기 변화를 실험을 분석한 것이다. 시간경과에 따른 밝기 변화는 OLED의 수명을 측정하는 것인 바, 열처리 조건에 따라 OLED의 수명이 어떻게 변화하는지 알 수 있다.
표 1에 따르면, 피전사기판에 증착된 발광층을 열처리하지 않은 경우 및 100℃ 에서 10분, 30분, 60분 간 열처리한 결과를 비교했을 때, 열처리 시간이 증가할 수록 OLED의 밝기가 유지되는 시간이 증가함을 알 수 있다.
이는 열처리로 인하여 발광층과 정공수송층의 접합계면 특성이 안정화되고, HTL층의 밀도가 조밀해지기 때문으로 분석된다. 이를 상세하게 설명하기 위해 이하 도 6을 참고한다.
도 6은 본 발명에 따른 유기박막 전사방법에 의한 열처리 공정 전후에서 발광층의 접합계면 변화를 나타내는 도면이다.
도 6에서 알 수 있듯이, 전사기판(130) 상에는 유기박막(148)이 전사될 피전사기판의 화소 영역에 대응되도록 발열패턴(144)이 형성된다. 발열패턴(144) 상에는 유기박막(148)이 증착된다.
피전사기판(170)은 상기 전사기판(130)과 대향하여 마주보고 소정의 간격으로 이격되어 배치된다. 상기 피전사기판(170) 상에는 유기발광다이오드를 형성하기 위한 복수의 박막이 형성될 수 있는데, 유기박막이 증착되는 최상위층(177)은 보통 정공수송층(HTL)이 된다.
앞서 설명한 바와 같이, 발열패턴(144)에 전기 에너지를 공급하면 발열패턴(144)의 저항에 의해 전기 에너지가 열 에너지로 변환되고, 이때 유기박막(148)이 피전사기판으로 승화되어 전사된다. 이때, 전사된 유기박막(148)은 발광층(EML)(148a)으로 작용한다.
주울 열 전사법은 순간적인 가열로 유기박막을 전사하므로 일반적인 Thermal Evaporation 공정에 비해 매우 빠른 성막 속도를 갖는 것이 특징이다. 따라서, 도 3에서 알 수 있듯이 발광층(13a)과 정공수송층(11a)의 접합계면 특성이 불안정하다.
이에 따라, 전사 후 발광층(148a)를 열처리하면 도 6에서 알 수 있듯이, 발광층(148a)과 정공수송층(177)의 막밀도(file density)가 증가되어, 접합계면 특성이 안정화된다.
또한, 상기 발광층(148a)과 정공수송층(177)의 접합계면 특성이 안정화됨에 따라 유기발광다이오드의 효율이 상승하고, 수명이 증가되는 등 성능이 향상되는 효과가 있다.
한편, 상기 열처리하는 단계는 진공 분위기에서 실시한다. 상기 진공 분위기는 바람직하게는 10-5 torr 이하의 고진공 상태에서 열처리한다.
또한, 본 발명에 따른 유기박막 전사방법은 열처리 단계, 유기박막의 전사 단계를 포함하여 모든 단계를 진공 분위기에서 실시할 수 있다.
고진공 상태에서 열처리를 수행함에 따라, 전사되는 유기박막의 오염, 유기박막과 정공수송층 사이의 계면 간 오염 문제를 최소화할 수 있다.
이러한 오염 문제를 최소화함에 따라 상기 발광층(148a)과 정공수송층(177)의 접합계면 특성이 안정화될 수 있고, 접합계면 특성의 안정화로 인하여 유기발광다이오드의 효율이 상승하고, 수명이 증가되는 등 성능이 향상되는 효과가 있다.
다음, 피전사기판 상에 전자주입층(Electron Injection Layer: EIL) 및 전자수송층(Electron Transport Layer: ETL)을 차례로 증착한다(S170).
이하 상술한 본 발명에 따른 유기박막 전사방법의 효과를 비교 설명하기 위하여 피전사기판의 열처리를 실시한 기판과 미실시한 기판의 시간경과에 따른 밝기 변화를 실험한 결과를 표 2로 정리한다.
Figure 112011093637329-pat00002
표 2에 있어서, A는 피전사기판에 열처리를 실시하지 않은 경우의 시간경과에 따른 밝기 변화 그래프이고, B는 피전사기판에 열처리를 실시한 경우의 시간경과에 따른 밝기 변화 그래프이다.
A의 실험조건은 다음과 같다.
먼저, 전사기판 상에 Mo을 재료로 하여 발열패턴을 패터닝하고, 상기 발열전극 상에 Alq3와 Coumarin6를 3% 도핑하여 녹색 유기박막을 200Å 두께로 전면 성막한다.
다음, 피전사기판은 산소 플라즈마로 전처리한 ITO 전극 상에 NDP를 재료로 하여 HTL을 500Å 두께로 성막한다.
다음, 상기 전사기판 및 피전사기판을 대면 합착하고 정밀하게 정렬한다.
다음, 전사기판에 전기 에너지를 20J 인가하여 유기박막을 피전사기판으로 전사한다.
다음, 전사기판과 피전사기판을 탈착한다.
다음, 피전사기판 상에 LGC212를 재료로 ETL을 300Å 두께로 성막한다.
다음, ETL 상에 Al을 재료로 하여 전극을 500Å 두께로 성막한 후 봉지공정을 수행한다. 이때, 상기 공정은 모두 10-5 torr 이하의 고진공 상태에서 수행한다.
B의 실험조건은 다음과 같다.
먼저, 전사기판 상에 Mo을 재료로 하여 발열패턴을 패터닝하고, 상기 발열전극 상에 Alq3와 Coumarin6를 3% 도핑하여 녹색 유기박막을 200Å 두께로 전면 성막한다.
다음, 피전사기판은 산소 플라즈마로 전처리한 ITO 전극 상에 NDP를 재료로 하여 HTL을 500Å 두께로 성막한다.
다음, 상기 전사기판 및 피전사기판을 대면 합착하고 정밀하게 정렬한다.
다음, 전사기판에 전기 에너지를 20J 인가하여 유기박막을 피전사기판으로 전사한다.
다음, 전사기판과 피전사기판을 탈착한다.
다음, 피전사기판을 100℃ 로 가열되어 있는 열판 상에서 30분간 열처리한다.
다음, 피전사기판 상에 LGC212를 재료로 ETL을 300Å 두께로 성막한다.
다음, ETL 상에 Al을 재료로 하여 전극을 500Å 두께로 성막한 후 봉지공정을 수행한다. 이때, 상기 공정은 모두 10-5 torr 이하의 고진공 상태에서 수행한다.
상기 A와 B를 비교하면 열처리를 수행한 소자의 경우 에너지 효율이 32% 개선되었고, 수명은 63% 개선되었음을 확인할 수 있다. 이는 열처리 공정으로 인하여 발광층 및 정공수송층의 접합계면 특성이 안정화되었고, 접합계면 특성의 안정화로 인하여 유기발광다이오드의 효율이 상승하고, 수명이 증가된 것으로 분석될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 구성을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
130 - 전사기판
144 - 발열패턴
146 - 유기박막
148 - 유기박막
170 - 피전사기판
171 - 제 1전극
173 - 격벽
175 - 정공주입층
177 - 정공수송층

Claims (8)

  1. 유기박막이 형성된 전사기판 상에 피전사기판을 대향하여 합착하는 단계;
    상기 전사기판 상에 형성된 발열패턴에 전기 에너지를 공급하여 유기박막을 피전사기판으로 전사하는 단계;
    상기 전사기판 및 피전사기판을 탈착하는 단계; 및
    상기 피전사 기판을 진공 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 열처리하는 단계는 상기 유기박막의 유리 전이점(Tg) 이상이고 상기 유기박막의 용융점(Tm) 이하의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 열처리하는 단계는 100℃에서 30분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 열처리하는 단계에서 상기 진공 분위기는 10-5 torr 이하에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전사기판 및 피전사기판를 대향하여 합착하는 단계 전에,
    상기 전사기판 상에 상기 발열패턴을 증착한 후 상기 발열패턴 상에 상기 유기박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 전사기판 및 피전사기판를 대향하여 합착하는 단계 전에,
    상기 피전사기판 상에 박막트렌지스터(TFT)를 형성한 후 상기 박막트렌지스터 상에 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL) 및 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL)을 차례로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 열처리하는 단계 후에,
    상기 피전사기판 상에 전자주입층(Electron Injection Layer: EIL) 및 전자수송층(Electron Transport Layer: ETL)을 차례로 증착하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 유기박막 전사방법은 모든 단계를 진공 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법.
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JP2008226698A (ja) 2007-03-14 2008-09-25 Sony Corp 表示装置の製造方法およびこれに用いるドナー基板、並びに表示装置

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