CN103340013B - 蒸镀装置和蒸镀方法 - Google Patents
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 260
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 253
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 103
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 87
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 307
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 197
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 197
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 132
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 271
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 158
- 239000010408 film Substances 0.000 description 120
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 241000278713 Theora Species 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010018265 Gigantism Diseases 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aphthacene Chemical compound 0.000 description 2
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- BFMYDTVEBKDAKJ-UHFFFAOYSA-L disodium;(2',7'-dibromo-3',6'-dioxido-3-oxospiro[2-benzofuran-1,9'-xanthene]-4'-yl)mercury;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Na+].O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC(Br)=C([O-])C([Hg])=C1OC1=C2C=C(Br)C([O-])=C1 BFMYDTVEBKDAKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N triphenylene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-phenylbenzene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-2-one Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(O)=CC=C3C=CC2=C1 UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001136782 Alca Species 0.000 description 1
- KLYCPFXDDDMZNQ-UHFFFAOYSA-N Benzyne Chemical compound C1=CC#CC=C1 KLYCPFXDDDMZNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDOKHBNNNHBVNJ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12.N1C=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12.N1C=CC=CC=C1 KDOKHBNNNHBVNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGSQSIIKJKUUBH-UHFFFAOYSA-N [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C2C=C1 Chemical compound [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C2C=C1 RGSQSIIKJKUUBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002469 indenes Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N pentaphene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=CC3=CC2=C1 JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
-
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Abstract
具备:蒸镀源(60),该蒸镀源(60)具备放出蒸镀颗粒(91)的多个蒸镀源开口(61);限制单元(80),该限制单元(80)具备多个限制开口(82);和蒸镀掩模(70),该蒸镀掩模(70)仅在分别通过多个限制开口的蒸镀颗粒到达的多个蒸镀区域(72)内形成有多个掩模开口(71)。多个蒸镀区域,沿与基板(10)的法线方向和基板的移动方向正交的第二方向,夹着蒸镀颗粒不到达的非蒸镀区域(73)配置。在沿基板的法线方向看时,相对于与第二方向平行的直线上的非蒸镀区域,在基板的移动方向上的不同位置,形成有蒸镀颗粒通过的掩模开口。由此,能够在基板上的期望的位置稳定地形成端缘的模糊被抑制的蒸镀覆膜。
Description
技术领域
本发明涉及用于在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀装置和蒸镀方法。另外,本发明涉及包括有机EL(ElectroLuminescence:电致发光)元件的有机EL显示装置,该有机EL元件具备通过蒸镀形成的发光层。
背景技术
近年来,在各种商品和领域中使用平板显示器,要求平板显示器进一步大型化、高画质化、低耗电化。
在这样的状况下,具备利用有机材料的电场发光(ElectroLuminescence)的有机EL元件的有机EL显示装置,作为全固体型且在能够低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板显示器,受到了高度的关注。
例如,在有源矩阵方式的有机EL显示装置中,在设置有TFT(薄膜晶体管)的基板上设置有薄膜状的有机EL元件。在有机EL元件中,在一对电极之间叠层有包含发光层的有机EL层。TFT与一对电极中的一个电极连接。通过向一对电极间施加电压使发光层发光来进行图像显示。
在全彩色的有机EL显示装置中,通常,具备红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各颜色的发光层的有机EL元件作为子像素排列形成在基板上。通过使用TFT使这些有机EL元件有选择地以期望的亮度发光来进行彩色图像显示。
为了制造有机EL显示装置,需要按每个有机EL元件以规定图案形成包含发各色光的有机发光材料的发光层。
作为以规定图案形成发光层的方法,例如,已知有真空蒸镀法、喷墨法、激光转印法。例如,在低分子型有机EL显示装置(OLED)中,大多使用真空蒸镀法。
在真空蒸镀法中,使用形成有规定图案的开口的掩模(也称为阴影掩模)。使密合固定有掩模的基板的被蒸镀面与蒸镀源相对。然后,使来自蒸镀源的蒸镀颗粒(成膜材料)通过掩模的开口而蒸镀在被蒸镀面上,由此形成规定图案的覆膜。蒸镀按每个发光层的颜色进行(将此称为“分涂蒸镀”)。
例如,在专利文献1、2中记载有使掩模相对于基板依次移动来进行各颜色的发光层的分涂蒸镀的方法。在这样的方法中,使用与基板同等大小的掩模,在蒸镀时,掩模以覆盖基板的被蒸镀面的方式被固定。
在这样的以往的分涂蒸镀法中,如果基板增大,则需要掩模也随之大型化。但是,当使掩模增大时,由于掩模的自重弯曲和伸长,容易在基板与掩模之间产生间隙。而且,其间隙的大小根据基板的被蒸镀面的位置的不同而不同。因此,难以进行高精度的图案化,会发生蒸镀位置的偏移和混色,难以实现高精细化。
另外,当使掩模增大时,掩模和保持该掩模的框架等变得巨大,其重量也增加,因此,操作变得困难,有可能给生产率和安全性带来障碍。另外,蒸镀装置和附随于其的装置也同样巨大化、复杂化,因此,装置设计变得困难,设置成本也变得高昂。
因此,在专利文献1、2中记载的以往的分涂蒸镀法中,难以应对大型基板,例如,对超过60英寸大小的那样的大型基板,难以以量产水平进行分涂蒸镀。
专利文献3中记载有一种蒸镀方法,在该蒸镀方法中,在使蒸镀源和蒸镀掩模相对于基板相对移动的同时,使从蒸镀源放出的蒸镀颗粒通过蒸镀掩模的掩模开口后附着在基板上。如果采用该蒸镀方法,则即使是大型基板,也不需要与其相应地使蒸镀掩模大型化。
可是,因为需要使蒸镀掩模相对于基板相对移动,所以需要使基板与蒸镀掩模分离。在专利文献3中,从各个方向飞来的蒸镀颗粒能够向蒸镀掩模的掩模开口入射,因此,在基板上形成的覆膜的宽度比掩模开口的宽度扩大,在覆膜的端缘产生模糊(毛边)。
专利文献4中记载有一种蒸镀装置,该蒸镀装置具备:沿第一方向配置的多个喷嘴;沿第一方向配置的多个狭缝;和在多个喷嘴与多个狭缝之间沿第一方向配置的多个遮断壁。从多个喷嘴的各个喷嘴放出的蒸镀颗粒,通过遮断壁之间的空间,通过多个狭缝,附着于在与第一方向正交的第二方向上行进的基板上而形成薄膜。根据该蒸镀装置,遮断壁限制向狭缝入射的蒸镀颗粒的第一方向的入射角度,因此,能够使在基板上形成的覆膜的第一方向的端缘的模糊减少。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平8-227276号公报
专利文献2:日本特开2000-188179号公报
专利文献3:日本特开2004-349101号公报
专利文献4:日本特开2010-270397号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在专利文献4的蒸镀装置中,由于由温度变化引起的热膨胀差和蒸镀装置的组装误差等,存在多个遮断壁相对于多个喷嘴或多个狭缝在第一方向上相对发生位置偏移的情况。当发生这样的位置偏移时,从喷嘴放出的蒸镀颗粒会通过本不打算通过的狭缝,因此,存在不在基板上的期望的位置形成覆膜的问题。
本发明的目的是,解决上述的以往的问题,在基板上的期望的位置稳定地形成端缘的模糊(毛边)被抑制的蒸镀覆膜。
用于解决技术问题的手段
本发明的蒸镀装置是在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀装置,上述蒸镀装置具备:蒸镀单元;和移动机构,该移动机构使上述基板和上述蒸镀单元中的一个,沿与上述基板的法线方向正交的第一方向,相对于上述基板和上述蒸镀单元中另一个相对移动。上述蒸镀单元具备:蒸镀源,该蒸镀源具备各自放出蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口;限制单元,该限制单元具备从上述多个蒸镀源开口放出的上述蒸镀颗粒分别通过的多个限制开口;和蒸镀掩模,该蒸镀掩模仅在分别通过上述多个限制开口的上述蒸镀颗粒到达的多个蒸镀区域内形成有多个掩模开口。上述多个蒸镀区域,沿与上述法线方向和上述第一方向正交的第二方向,夹着上述蒸镀颗粒不到达的非蒸镀区域配置。在沿上述法线方向看时,相对于与上述第二方向平行的直线上的上述非蒸镀区域,在上述第一方向上的不同位置,形成有上述蒸镀颗粒通过的掩模开口。
本发明的蒸镀方法是具有使蒸镀颗粒附着在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀工序的蒸镀方法,使用上述的本发明的蒸镀装置进行上述蒸镀工序。
本发明的有机EL显示装置,具备使用上述的本发明的蒸镀方法形成的覆膜作为发光层。
发明效果
根据本发明的蒸镀装置和蒸镀方法,多个蒸镀区域沿第二方向夹着蒸镀颗粒不到达的非蒸镀区域配置,因此,即使限制单元相对于蒸镀源和蒸镀掩模在第二方向上发生位置偏移,也不会发生在基板上形成的覆膜的位置偏移。
另外,在沿基板的法线方向看时,相对于与第二方向平行的直线上的非蒸镀区域,在第一方向上的不同位置,形成有蒸镀颗粒通过的掩模开口,因此,能够防止由于存在非蒸镀区域而在与该非蒸镀区域对应的基板上的区域不形成覆膜的不良情况。
在蒸镀颗粒通过限制单元的限制开口时,限制单元对蒸镀颗粒根据其入射角度有选择地进行捕捉,因此,仅规定的入射角度以下的蒸镀颗粒向掩模开口入射。由此,蒸镀颗粒相对于基板的最大入射角度变小,因此能够抑制在基板上形成的覆膜的端缘产生的模糊。
本发明的有机EL显示装置具备使用上述的蒸镀方法形成的发光层,因此,能够成品率高地得到高品质的有机EL显示装置。
附图说明
图1是表示有机EL显示装置的概略结构的截面图。
图2是表示构成图1所示的有机EL显示装置的像素的结构的平面图。
图3是沿图2的3-3线的构成有机EL显示装置的TFT基板的向视截面图。
图4是按工序顺序表示有机EL显示装置的制造工序的流程图。
图5是表示本发明的实施方式1的蒸镀装置的基本结构的立体图。
图6是图5所示的蒸镀装置的、沿与基板的行进方向垂直的通过第一蒸镀源的面的正面截面图。
图7是图5所示的蒸镀装置的、沿与基板的行进方向垂直的通过第二蒸镀源的面的正面截面图。
图8是图5所示的蒸镀装置中使用的限制单元的平面图。
图9是图5所示的蒸镀装置中使用的蒸镀掩模的平面图。
图10是表示使用图5所示的蒸镀装置在基板上形成条状的覆膜的情形的透视平面图。
图11是对在覆膜的端缘产生模糊的原因进行说明的、沿与基板的行进方向垂直的面的放大截面图。
图12是表示比较例的蒸镀装置的基本结构的立体图。
图13是图12所示的比较例的蒸镀装置的、沿与基板的行进方向垂直的通过蒸镀源的面的正面截面图。
图14A是表示在图12所示的比较例的蒸镀装置中、在限制单元没有发生位置偏移的状态下在基板上形成的覆膜的放大截面图。图14B是表示在图12所示的比较例的蒸镀装置中、在限制单元相对于蒸镀源开口发生了位置偏移的状态下在基板上形成的覆膜的放大截面图。
图15A是表示在图5所示的蒸镀装置中、在限制单元没有发生位置偏移的状态下在基板上形成的覆膜的、沿通过第一蒸镀源的包括图9的15-15线的面的向视放大截面图。
图15B是表示在图5所示的蒸镀装置中、在限制单元相对于蒸镀源开口发生了位置偏移的状态下在基板上形成的覆膜的、沿通过第一蒸镀源的面的放大截面图。
图16是在本发明的实施方式1的蒸镀装置中使用的另一个蒸镀掩模的平面图。
图17是在本发明的实施方式1的蒸镀装置中使用的又一个蒸镀掩模的平面图。
图18是表示本发明的实施方式2的蒸镀装置的基本结构的立体图。
图19是图18所示的蒸镀装置中使用的限制单元的平面图。
图20是图18所示的蒸镀装置中使用的蒸镀掩模的平面图。
图21是表示使用图18所示的蒸镀装置在基板上形成条状的覆膜的情形的透视平面图。
图22是本发明的实施方式3的蒸镀装置中使用的限制单元的平面图。
图23是搭载有图22所示的限制单元的本发明的实施方式3的蒸镀装置中使用的蒸镀掩模的平面图。
图24是本发明的实施方式3的蒸镀装置中使用的另一个限制单元的平面图。
图25是搭载有图24所示的限制单元的本发明的实施方式3的蒸镀装置中使用的蒸镀掩模的平面图。
具体实施方式
本发明的蒸镀装置是在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀装置,上述蒸镀装置具备:蒸镀单元;和移动机构,该移动机构使上述基板和上述蒸镀单元中的一个,沿与上述基板的法线方向正交的第一方向,相对于上述基板和上述蒸镀单元中另一个相对移动。上述蒸镀单元具备:蒸镀源,该蒸镀源具备各自放出蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口;限制单元,该限制单元具备从上述多个蒸镀源开口放出的上述蒸镀颗粒分别通过的多个限制开口;和蒸镀掩模,该蒸镀掩模仅在分别通过上述多个限制开口的上述蒸镀颗粒到达的多个蒸镀区域内形成有多个掩模开口。上述多个蒸镀区域,沿与上述法线方向和上述第一方向正交的第二方向,夹着上述蒸镀颗粒不到达的非蒸镀区域配置。在沿上述法线方向看时,相对于与上述第二方向平行的直线上的上述非蒸镀区域,在上述第一方向上的不同位置,形成有上述蒸镀颗粒通过的掩模开口。
在上述的本发明的蒸镀装置中,优选:在沿上述法线方向看时,上述多个蒸镀区域沿与上述第二方向平行并且在上述第一方向上的位置不同的多条直线配置。由此,多个蒸镀源开口、多个限制开口和多个掩模开口各自的配置的自由度提高。
优选:在沿上述法线方向看时,上述多个蒸镀区域沿与上述第二方向平行并且在上述第一方向上的位置不同的2条直线呈交错状配置。由此,能够分别高效率地配置多个蒸镀源开口、多个限制开口和多个掩模开口,实现本发明的蒸镀装置。
在上述的本发明的蒸镀装置中,在沿上述法线方向看时,上述非蒸镀区域可以相对于上述第一方向和上述第二方向倾斜。由此,能够将多个蒸镀源开口、多个限制开口和多个蒸镀区域沿与第二方向平行的一条直线配置。因此,能够使蒸镀源、限制单元和蒸镀掩模的第一方向上的尺寸减小,并且使它们轻量化。此外,在本发明中,非蒸镀区域相对于第一方向和第二方向“倾斜”,是指非蒸镀区域延伸的方向(即,非蒸镀区域的长边方向)相对于第一方向和第二方向既不垂直也不平行。
在上述的本发明的蒸镀装置中,优选使通过在上述第一方向的不同位置配置的多个掩模开口的蒸镀颗粒重叠而形成共同的覆膜。由此,蒸镀材料的利用效率提高,量产时的生产率提高。另外,能够在基板的第二方向的广范围内形成均匀厚度的覆膜。
在上述的本发明的蒸镀装置中,优选上述蒸镀区域的上述第二方向上的宽度比上述蒸镀区域内的存在掩模开口的区域的上述第二方向上的宽度大。由此,能够防止由于限制单元相对于蒸镀源和蒸镀掩模在第二方向上发生位置偏移而不在期望的位置形成覆膜的事态的发生。
在上述的本发明的蒸镀方法中,优选上述覆膜为有机EL元件的发光层。
以下,给出优选的实施方式对本发明进行详细说明。但是,本发明并不限定于以下的实施方式,这是不言而喻的。在以下的说明中参照的各图,为说明方便起见,仅简化地表示了本发明的实施方式的构成部件中为了说明本发明所需要的主要部件。因此,本发明可具备在以下的各图中没有表示的任意的构成部件。另外,以下的各图中的部件的尺寸没有忠实地表示出实际的构成部件的尺寸和各部件的尺寸比率等。
(有机EL显示装置的结构)
对能够应用本发明来制造的有机EL显示装置的一个例子进行说明。本例子的有机EL显示装置是从TFT基板侧取出光的底部发光型的有机EL显示装置,通过对包括红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各颜色的像素(子像素)的发光进行控制来进行全彩色的图像显示。
首先,在以下对上述有机EL显示装置的整体结构进行说明。
图1是表示有机EL显示装置的概略结构的截面图。图2是表示构成图1所示的有机EL显示装置的像素的结构的平面图。图3是沿图2的3-3线的构成有机EL显示装置的TFT基板的向视截面图。
如图1所示,有机EL显示装置1具有在设置有TFT12(参照图3)的TFT基板10上依次设置有与TFT12连接的有机EL元件20、粘接层30和密封基板40的结构。有机EL显示装置1的中央是进行图像显示的显示区域19,有机EL元件20配置在该显示区域19内。
有机EL元件20通过使用粘接层30将叠层有该有机EL元件20的TFT基板10与密封基板40贴合而被封入在这一对基板10、40间。这样有机EL元件20被封入在TFT基板10与密封基板40之间,由此,防止了氧气和水分从外部浸入有机EL元件20。
TFT基板10,如图3所示,具备例如玻璃基板等透明的绝缘基板11作为支承基板。但是,在顶部发光型的有机EL显示装置中,绝缘基板11不需要透明。
在绝缘基板11上,如图2所示,设置有多个配线14,该多个配线14包括沿水平方向敷设的多个栅极线和沿垂直方向敷设且与栅极线交叉的多个信号线。对栅极线进行驱动的未图示的栅极线驱动电路与栅极线连接,对信号线进行驱动的未图示的信号线驱动电路与信号线连接。在绝缘基板11上,在由这些配线14包围的各区域,呈矩阵状配置有包括红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的有机EL元件20的子像素2R、2G、2B。
子像素2R发射红色光,子像素2G发射绿色光,子像素2B发射蓝色光。在列方向(图2的上下方向)上配置有相同颜色的子像素,在行方向(图2的左右方向)上重复配置有包括子像素2R、2G、2B的重复单元。构成行方向的重复单元的子像素2R、2G、2B构成像素2(即,1个像素)。
各子像素2R、2G、2B具备承担各颜色的发光的发光层23R、23G、23B。发光层23R、23G、23B在列方向(图2的上下方向)上呈条状延伸设置。
对TFT基板10的结构进行说明。
TFT基板10,如图3所示,在玻璃基板等透明的绝缘基板11上具备TFT12(开关元件)、配线14、层间膜13(层间绝缘膜、平坦化膜)、边缘罩15等。
TFT12作为对子像素2R、2G、2B的发光进行控制的开关元件发挥功能,按每个子像素2R、2G、2B设置。TFT12与配线14连接。
层间膜13也作为平坦化膜发挥功能,以覆盖TFT12和配线14的方式叠层在绝缘基板11上的显示区域19的整个面上。
在层间膜13上形成有第一电极21。第一电极21经由在层间膜13中形成的接触孔13a与TFT12电连接。
边缘罩15以覆盖第一电极21的图案端部的方式形成在层间膜13上。边缘罩15是用于防止由于在第一电极21的图案端部有机EL层27变薄或发生电场集中而导致构成有机EL元件20的第一电极21与第二电极26短路的绝缘层。
在边缘罩15中,按每个子像素2R、2G、2B设置有开口15R、15G、15B。该边缘罩15的开口15R、15G、15B成为各子像素2R、2G、2B的发光区域。换言之,各子像素2R、2G、2B由具有绝缘性的边缘罩15分隔开。边缘罩15也作为元件分离膜发挥功能。
对有机EL元件20进行说明。
有机EL元件20是能够通过低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件,依次具备第一电极21、有机EL层27和第二电极26。
第一电极21是具有向有机EL层27注入(供给)空穴的功能的层。第一电极21如上所述经由接触孔13a与TFT12连接。
有机EL层27,如图3所示,在第一电极21与第二电极26之间,从第一电极21侧起,依次具备空穴注入层兼空穴输送层22、发光层23R、23G、23B、电子输送层24和电子注入层25。
在本实施方式中,将第一电极21作为阳极,将第二电极26作为阴极,但也可以将第一电极21作为阴极,将第二电极26作为阳极,在该情况下,构成有机EL层27的各层的顺序反转。
空穴注入层兼空穴输送层22兼具作为空穴注入层的功能和作为空穴输送层的功能。空穴注入层是具有使向发光层23R、23G、23B的空穴注入效率提高的功能的层。空穴输送层是具有使向发光层23R、23G、23B的空穴输送效率提高的功能的层。空穴注入层兼空穴输送层22以覆盖第一电极21和边缘罩15的方式均匀地形成在TFT基板10的显示区域19的整个面上。
在本实施方式中,设置有空穴注入层和空穴输送层一体化的空穴注入层兼空穴输送层22,但本发明并不限定于此,空穴注入层和空穴输送层也可以作为相互独立的层形成。
在空穴注入层兼空穴输送层22上,以覆盖边缘罩15的开口15R、15G、15B的方式,分别与子像素2R、2G、2B的列对应地形成有发光层23R、23G、23B。发光层23R、23G、23B是具有使从第一电极21侧注入的空穴和从第二电极26侧注入的电子复合而射出光的功能的层。发光层23R、23G、23B分别包含低分子荧光色素或金属配位化合物等发光效率高的材料。
电子输送层24是具有使从第二电极26向发光层23R、23G、23B的电子输送效率提高的功能的层。
电子注入层25是具有使从第二电极26向发光层23R、23G、23B的电子注入效率提高的功能的层。
电子输送层24以覆盖发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22的方式,在这些发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22上遍及TFT基板10的显示区域19的整个面均匀地形成。另外,电子注入层25以覆盖电子输送层24的方式,在电子输送层24上遍及TFT基板10的显示区域19的整个面均匀地形成。
在本实施方式中,电子输送层24和电子注入层25作为相互独立的层设置,但本发明并不限定于此,也可以作为两者一体化的单一的层(即,电子输送层兼电子注入层)设置。
第二电极26是具有向有机EL层27注入电子的功能的层。第二电极26以覆盖电子注入层25的方式,在电子注入层25上遍及TFT基板10的显示区域19的整个面均匀地形成。
此外,发光层23R、23G、23B以外的有机层不是作为有机EL层27必需的,只要根据要求的有机EL元件20的特性进行取舍选择即可。另外,有机EL层27根据需要也可以进一步具有载流子阻挡层。例如,通过在发光层23R、23G、23B与电子输送层24之间追加空穴阻挡层作为载流子阻挡层,能够阻止空穴漏到电子输送层24,提高发光效率。
(有机EL显示装置的制造方法)
接着,在以下对有机EL显示装置1的制造方法进行说明。
图4是按工序顺序表示上述的有机EL显示装置1的制造工序的流程图。
如图4所示,本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法例如依次具备TFT基板和第一电极的制作工序S1、空穴注入层和空穴输送层的形成工序S2、发光层的形成工序S3、电子输送层的形成工序S4、电子注入层的形成工序S5、第二电极的形成工序S6、和密封工序S7。
以下,对图4的各工序进行说明。但是,以下所示的各构成要素的尺寸、材质、形状等只不过是一个例子,本发明并不限定于此。另外,在本实施方式中,将第一电极21作为阳极,将第二电极26作为阴极,在与此相反将第一电极21作为阴极、将第二电极26作为阳极的情况下,有机EL层的叠层顺序与以下的说明反转。同样,构成第一电极21和第二电极26的材料也与以下的说明反转。
首先,用公知的方法在绝缘基板11上形成TFT12和配线14等。作为绝缘基板11,例如能够使用透明的玻璃基板或塑料基板等。在一个实施例中,作为绝缘基板11,能够使用厚度为约1mm、纵横尺寸为500×400mm的矩形形状的玻璃板。
接下来,以覆盖TFT12和配线14的方式在绝缘基板11上涂敷感光性树脂,利用光刻技术进行图案化,由此形成层间膜13。作为层间膜13的材料,例如能够使用丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等绝缘性材料。但是,聚酰亚胺树脂一般不透明,是有色的。因此,在制造如图3所示的底部发光型的有机EL显示装置1的情况下,作为层间膜13,优选使用丙烯酸树脂等透明性树脂。层间膜13的厚度只要能够消除TFT12的上表面的台阶即可,没有特别限定。在一个实施例中,能够使用丙烯酸树脂形成厚度约2μm的层间膜13。
接着,在层间膜13中形成用于将第一电极21与TFT12电连接的接触孔13a。
接着,在层间膜13上形成第一电极21。即,在层间膜13上形成导电膜(电极膜)。接下来,在导电膜上涂敷光致抗蚀剂,使用光刻技术进行图案化后,以氯化铁作为蚀刻液,对导电膜进行蚀刻。然后,使用抗蚀剂剥离液将光致抗蚀剂剥离,再进行基板清洗。由此,在层间膜13上得到矩阵状的第一电极21。
作为第一电极21使用的导电膜材料,能够使用:ITO(IndiumTinOxide:铟锡氧化物)、IZO(IndiumZincOxide:铟锌氧化物)、镓掺杂氧化锌(GZO)等透明导电材料;金(Au)、镍(Ni)、铂(Pt)等金属材料。
作为导电膜的叠层方法,能够使用溅射法、真空蒸镀法、CVD(chemicalvapordeposition、化学蒸镀)法、等离子体CVD法、印刷法等。
在一个实施例中,能够通过溅射法,使用ITO形成厚度约100nm的第一电极21。
接着,形成规定图案的边缘罩15。边缘罩15例如能够使用与层间膜13同样的绝缘材料,能够用与层间膜13同样的方法进行图案化。在一个实施例中,能够使用丙烯酸树脂形成厚度约1μm的边缘罩15。
通过以上工序,制作TFT基板10和第一电极21(工序S1)。
接着,对经过工序S1的TFT基板10,进行减压烘焙处理以进行脱水,进一步进行氧等离子体处理以进行第一电极21的表面清洗。
接着,在上述TFT基板10上,利用蒸镀法在TFT基板10的显示区域19的整个面上形成空穴注入层和空穴输送层(在本实施方式中为空穴注入层兼空穴输送层22)(S2)。
具体而言,将显示区域19的整个面开口的开放式掩模密合固定于TFT基板10,在使TFT基板10和开放式掩模一起旋转的同时,通过开放式掩模的开口将空穴注入层和空穴输送层的材料蒸镀在TFT基板10的显示区域19的整个面上。
空穴注入层和空穴输送层,可以如上所述一体化,也可以为相互独立的层。层的厚度,每一层例如为10~100nm。
作为空穴注入层和空穴输送层的材料,例如可以举出:苯炔、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、多芳基链烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、茋、苯并菲、氮杂苯并菲和它们的衍生物;聚硅烷类化合物;乙烯基咔唑类化合物、噻吩类化合物、苯胺类化合物等杂环式共轭类的单体、低聚物或聚合物等。
在一个实施例中,能够使用4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)形成厚度30nm的空穴注入层兼空穴输送层22。
接着,在空穴注入层兼空穴输送层22上,以覆盖边缘罩15的开口15R、15G、15B的方式,呈条状形成发光层23R、23G、23B(S3)。发光层23R、23G、23B以按红色、绿色、蓝色的各颜色分涂规定区域的方式进行蒸镀(分涂蒸镀)。
作为发光层23R、23G、23B的材料,可使用低分子荧光色素、金属配位化合物等发光效率高的材料。例如可以举出:蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、蒽、苝、苉、荧蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、六苯并苯、丁二烯、香豆素、吖啶、茋和它们的衍生物;三(8-羟基喹啉)铝配位化合物;双(羟基苯并喹啉)铍配位化合物;三(二苯甲酰甲基)菲咯啉铕配位化合物;二甲苯甲酰基乙烯基联苯等。
发光层23R、23G、23B可以仅包括上述的有机发光材料,也可以包含空穴输送层材料、电子输送层材料、添加剂(供体、受体等)、发光性的掺杂剂等。另外,也可以为在高分子材料(粘结用树脂)或无机材料中分散有这些材料的结构。从提高发光效率和长寿命化的观点出发,优选在主体材料中分散有发光性的掺杂剂的结构。
发光层23R、23G、23B的厚度能够设为例如10~100nm。
本发明的蒸镀方法和蒸镀装置能够特别适合用于该发光层23R、23G、23B的分涂蒸镀。使用本发明的发光层23R、23G、23B的形成方法的详细情况将在后面进行说明。
接着,以覆盖空穴注入层兼空穴输送层22和发光层23R、23G、23B的方式,利用蒸镀法在TFT基板10的显示区域19的整个面上形成电子输送层24(S4)。电子输送层24能够通过与上述的空穴注入层和空穴输送层的形成工序S2同样的方法形成。
接着,以覆盖电子输送层24的方式,利用蒸镀法在TFT基板10的显示区域19的整个面上形成电子注入层25(S5)。电子注入层25能够通过与上述的空穴注入层和空穴输送层的形成工序S2同样的方法形成。
作为电子输送层24和电子注入层25的材料,例如能够使用:喹啉、苝、邻二氮杂菲、双苯乙烯基、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮和它们的衍生物或金属配位化合物、LiF(氟化锂)等。
如上所述,电子输送层24和电子注入层25可以作为一体化的单一层形成,或者也可以作为独立的层形成。各层的厚度例如为1~100nm。另外,电子输送层24和电子注入层25的合计厚度例如为20~200nm。
在一个实施例中,能够使用Alq(三(8-羟基喹啉)铝)形成厚度30nm的电子输送层24,使用LiF(氟化锂)形成厚度1nm的电子注入层25。
接着,以覆盖电子注入层25的方式,利用蒸镀法在TFT基板10的显示区域19的整个面上形成第二电极26(S6)。第二电极26能够通过与上述的空穴注入层和空穴输送层的形成工序S2同样的方法形成。作为第二电极26的材料(电极材料),适合使用功函数小的金属等。作为这样的电极材料,例如可举出镁合金(MgAg等)、铝合金(AlLi、AlCa、AlMg等)、金属钙等。第二电极26的厚度例如为50~100nm。在一个实施例中,能够使用铝形成厚度50nm的第二电极26。
为了阻止氧气和水分从外部浸入到有机EL元件20内,可以进一步在第二电极26上以覆盖第二电极26的方式设置保护膜。作为保护膜的材料,能够使用具有绝缘性或导电性的材料,例如可举出氮化硅或氧化硅。保护膜的厚度例如为100~1000nm。
通过以上工序,能够在TFT基板10上形成包括第一电极21、有机EL层27和第二电极26的有机EL元件20。
接下来,如图1所示,利用粘接层30将形成有有机EL元件20的TFT基板10与密封基板40贴合,将有机EL元件20封入。作为密封基板40,例如能够使用厚度为0.4~1.1mm的玻璃基板或塑料基板等绝缘基板。
这样,得到有机EL显示装置1。
在这样的有机EL显示装置1中,当通过来自配线14的信号输入使TFT12导通(ON)时,从第一电极21向有机EL层27注入空穴。另一方面,从第二电极26向有机EL层27注入电子。空穴和电子在发光层23R、23G、23B内复合,在使能量失活时射出规定颜色的光。通过控制各子像素2R、2G、2B的发光亮度,能够在显示区域19显示规定的图像。
以下,对通过分涂蒸镀来形成发光层23R、23G、23B的工序S3进行说明。
(实施方式1)
-蒸镀装置的基本结构-
图5是表示本发明的实施方式1的蒸镀装置的基本结构的立体图。图6是图5所示的蒸镀装置的、沿通过第一蒸镀源60a的面的正面截面图。图7是图5所示的蒸镀装置的、沿通过第二蒸镀源60b的面的正面截面图。
蒸镀单元50包括蒸镀源60、蒸镀掩模70、和配置在它们之间的限制单元80。基板10在相对于蒸镀掩模70与蒸镀源60相反的一侧以一定速度沿箭头10a移动。为以下说明方便起见,设定以与基板10的移动方向(第一方向)10a平行的水平方向轴为Y轴、以与Y轴垂直的水平方向轴为X轴、以与X轴和Y轴垂直的上下方向轴为Z轴的XYZ正交坐标系。Z轴与基板10的被蒸镀面10e的法线方向平行。为说明方便起见,将Z轴方向的箭头侧(图6、图7的纸面的上侧)称为“上侧”。
蒸镀源60具备第一蒸镀源60a和第二蒸镀源60b。第一蒸镀源60a和第二蒸镀源60b在其上表面(即,与蒸镀掩模70相对的面)分别具备多个第一蒸镀源开口61a和多个第二蒸镀源开口61b。多个第一蒸镀源开口61a和多个第二蒸镀源开口61b配置在Y轴方向的不同位置,分别沿与X轴方向(第二方向)平行的直线以一定间距配置。多个第一蒸镀源开口61a的X轴方向间距与多个第二蒸镀源开口61b的X轴方向间距相同。多个第一蒸镀源开口61a的X轴方向位置,相对于多个第二蒸镀源开口61b的X轴方向位置,在X轴方向上偏移其X轴方向间距的一半。各蒸镀源开口61a、61b具有与Z轴平行地向上方开口的喷嘴形状。第一蒸镀源开口61a和第二蒸镀源开口61b向蒸镀掩模70放出作为覆膜90的材料的蒸镀颗粒。在本实施方式中,从第一蒸镀源开口61a放出的蒸镀颗粒与从第二蒸镀源开口61b放出的蒸镀颗粒相同,将从第一蒸镀源开口61a放出的蒸镀颗粒称为第一蒸镀颗粒91a,将从第二蒸镀源开口61b放出的蒸镀颗粒称为第二蒸镀颗粒91b,以区别两者。
在蒸镀源60的上方配置有限制单元80。图8是限制单元80的平面图。在图8中,也一并表示了在限制单元80的下方配置的蒸镀源60。限制单元80形成有多个限制开口,该多个限制开口各自是在Z轴方向上贯通限制单元80的贯通孔。限制开口的开口形状为其长轴方向与Y轴平行的大致长方形。多个限制开口包括:沿与X轴方向平行的直线以与多个第一蒸镀源开口61a相同的间距配置的多个第一限制开口82a;和沿与X轴方向平行的另一直线以与多个第二蒸镀源开口61b相同的间距配置的多个第二限制开口82b。如从图8能够容易地理解的那样,当沿与Z轴平行的方向看时,多个第一蒸镀源60a和多个第二蒸镀源60b呈交错状配置,同样,多个第一限制开口82a和多个第二限制开口82b也呈交错状配置。
在X轴方向上相邻的第一限制开口82a由第一限制部81a隔开(参照图6),在X轴方向上相邻的第二限制开口82b由第二限制部81b隔开(参照图7)。在本实施方式中,在X轴方向上,在相邻的第一限制部81a的中央配置有1个第一蒸镀源开口61a。另外,在X轴方向上,在相邻的第二限制部81b的中央配置有1个第二蒸镀源开口61b。其结果,多个第一限制开口82a与多个第一蒸镀源开口61a一对一地对应,分别配置在对应的第一蒸镀源开口61a的上方。同样,多个第二限制开口82b与多个第二蒸镀源开口61b一对一地对应,分别配置在对应的第二蒸镀源开口61b的上方。
但是,本发明并不限定于此,也可以构成为多个第一限制开口82a对应于1个第一蒸镀源开口61a,或者,也可以构成为1个第一限制开口82a对应于多个第一蒸镀源开口61a。同样,也可以构成为多个第二限制开口82b对应于1个第二蒸镀源开口61b,或者,也可以构成为1个第二限制开口82b对应于多个第二蒸镀源开口61b。在本发明中,“与蒸镀源开口对应的限制开口”是指以从蒸镀源开口放出的蒸镀颗粒能够通过的方式设计的限制开口。
在图5、图8中,在X轴方向上配置的第一蒸镀源开口和第二蒸镀源开口61a、61b以及第一限制开口和第二限制开口82a、82b的个数分别为4个,但是本发明并不限定于此,可以比其多也可以比其少。
为了防止附着的蒸镀材料再蒸发等,限制单元80可以包括用于对限制单元80进行冷却的冷却装置。作为冷却装置,没有特别限制,例如能够任意地选择用于使制冷剂(例如水)通过的配管、帕尔贴元件等冷却元件等。
蒸镀材料会附着在限制单元80上。因此,优选按规定的期间将附着有蒸镀材料的限制单元80更换为新的限制单元80。为了使限制单元80的更换作业容易,限制单元80可以构成为能够分割为多个部分。
在相对于限制单元80与蒸镀源60相反的一侧配置有蒸镀掩模70。图9是蒸镀掩模70的平面图。在图9中,一并表示了在蒸镀掩模70的下方配置的蒸镀源60的第一蒸镀源开口61a和第二蒸镀源开口61b。蒸镀掩模70是其主面(面积最大的面)与XY面平行的板状物,多个第一掩模开口71a和多个第二掩模开口71b在X轴方向的不同位置形成。第一掩模开口和第二掩模开口71a、71b是在Z轴方向上贯通蒸镀掩模70的贯通孔。在本实施方式中,各掩模开口71a、71b的开口形状为与Y轴平行的缝隙形状,但是本发明并不限定于此。全部掩模开口71a、71b的形状和尺寸可以相同,也可以不同。
优选蒸镀掩模70由未图示的掩模张紧机构保持。掩模张紧机构通过对蒸镀掩模70在与其主面平行的方向上施加张力,来防止蒸镀掩模70发生由自重引起的弯曲和伸长。
多个蒸镀源开口61a、61b与限制单元80在Z轴方向上分离,并且,限制单元80与蒸镀掩模70在Z轴方向上分离。优选蒸镀源60a、60b、限制单元80和蒸镀掩模70的相对位置至少在进行分涂蒸镀的期间中实质上一定。
如图6和图7所示,基板10由保持装置55保持。作为保持装置55,例如,能够使用利用静电力来保持基板10的与被蒸镀面10e相反的一侧的面的静电吸盘。由此,能够以实质上没有基板10的由自重引起的弯曲的状态保持基板10。但是,保持基板10的保持装置55并不限定于静电吸盘,也可以为其以外的装置。
被保持装置55保持的基板10,通过移动机构56,在相对于蒸镀掩模70与蒸镀源60相反的一侧,在与蒸镀掩模70隔开一定间隔的状态下,以一定速度沿与Y轴平行的移动方向10a(参照图5)被扫描(移动)。基板10的移动可以是往复移动,或者,也可以是仅朝向任一方的单方向移动。移动机构56的结构没有特别限制。例如能够使用利用电动机使进给螺杆旋转的进给螺杆机构或线性电动机等公知的搬送驱动机构。
上述的蒸镀单元50、基板10、保持基板10的保持装置55、和使基板10移动的移动机构56被收纳在未图示的真空腔室内。真空腔室是被密封的容器,其内部空间被减压而维持在规定的低压力状态。
从第一蒸镀源开口61a放出的第一蒸镀颗粒91a依次通过限制单元80的第一限制开口82a和蒸镀掩模70的第一掩模开口71a,附着在基板10的被蒸镀面(即,基板10的与蒸镀掩模70相对的一侧的面)10e上(参照图6)。同样,从第二蒸镀源开口61b放出的第二蒸镀颗粒91b依次通过限制单元80的第二限制开口82b和蒸镀掩模70的第二掩模开口71b,附着在基板10的被蒸镀面10e上(参照图7)。在图6和图7中,用虚线表示从第一蒸镀源开口和第二蒸镀源开口61a、61b放出、并通过第一限制开口和第二限制开口82a、82b的第一蒸镀颗粒和第二蒸镀颗粒91a、91b的粒流(蒸镀流)的轮廓。
当在图5中使基板10沿Y轴的箭头的方向移动时,如图10所示,在基板10上,首先,通过第一掩模开口71a的第一蒸镀颗粒91a附着在基板10上,接着,通过第二掩模开口71b的第二蒸镀颗粒91a附着。其结果,在基板10上形成在Y轴方向上延伸的条状的覆膜90。此外,在图10中,为了使在基板10的被蒸镀面10e上形成的覆膜90的图案容易理解,图示了隔着基板10透视的覆膜90。此外,为了使得容易理解,在图6中,仅图示了由通过第一掩模开口71a的第一蒸镀颗粒91a形成的覆膜90,在图7中,仅图示了由通过第二掩模开口71b的第二蒸镀颗粒91b形成的覆膜90。
如图6所示,在蒸镀掩模70中,将通过第一限制开口82a的第一蒸镀颗粒91a的粒流(第一蒸镀流)到达的区域称为第一蒸镀区域72a。多个第一蒸镀区域72a沿X轴方向以一定间距配置。在X轴方向上相邻的第一蒸镀区域72a相互不重叠而独立,在它们之间形成有第一蒸镀颗粒91a不到达的第一非蒸镀区域73a。第一非蒸镀区域73a相当于从第一蒸镀源开口61a看到的第一限制部81a的影子。
同样,如图7所示,在蒸镀掩模70中,将通过第二限制开口82b的第二蒸镀颗粒91b到达的区域称为第二蒸镀区域72b。多个第二蒸镀区域72b沿X轴方向以一定间距配置。在X轴方向上相邻的第二蒸镀区域72b相互不重叠而独立,在它们之间形成有第二蒸镀颗粒91b的粒流(第二蒸镀流)不到达的第二非蒸镀区域73b。第二非蒸镀区域73b相当于从第二蒸镀源开口61b看到的第二限制部81b的影子。
如图9所示,第一蒸镀区域和第二蒸镀区域72a、72b具有与第一限制开口和第二限制开口82a、82b的开口形状对应的大致矩形形状。第一蒸镀区域和第二蒸镀区域72a、72b分别沿Y轴方向位置不同的与X轴平行的2条直线La、Lb呈交错状配置。第一掩模开口71a仅在第一蒸镀区域72a内形成,第二掩模开口71b仅在第二蒸镀区域72b内形成。第一非蒸镀区域和第二非蒸镀区域73a、73b沿与Y轴平行的方向延伸。
形成覆膜90的第一蒸镀颗粒91a必定通过第一限制开口82a和第一掩模开口71a。另外,形成覆膜90的第二蒸镀颗粒91b必定通过第二限制开口82b和第二掩模开口71b。第一蒸镀颗粒91a不会通过第二限制开口82b而到达基板10的被蒸镀面10e。同样,第二蒸镀颗粒91b不会通过第一限制开口82a而到达基板10的被蒸镀面10e。限制单元80和蒸镀掩模70被设计成使得从蒸镀源开口61a、61b放出的蒸镀颗粒91a、91b不会不通过限制开口82a、82b和掩模开口71a、71b而到达基板10的被蒸镀面10e,可以进一步根据需要设置妨碍蒸镀颗粒91a、91b的飞翔的防附着板等(未图示)。
通过按红色、绿色、蓝色的各颜色改变第一蒸镀颗粒91a和/或第二蒸镀颗粒91b的材料进行3次蒸镀(分涂蒸镀),能够在基板10的被蒸镀面10e上形成与红色、绿色、蓝色的各颜色对应的条状的覆膜90(即,发光层23R、23G、23B)。
根据本实施方式1,基板10相对于包括蒸镀掩模70的蒸镀单元50沿移动方向10a移动,因此,对蒸镀掩模70的、基板10的移动方向10a的尺寸Lm,能够与基板10的同方向的尺寸无关地进行设定。因此,能够使用比基板10小的蒸镀掩模70。因此,即使将基板10大型化,也不需要将蒸镀掩模70大型化,因此,蒸镀掩模70的自重弯曲和伸长成为问题的可能性低。另外,蒸镀掩模70和保持其的框架等也不会巨大化和重量化。因此,能够容易地进行对大型基板的分涂蒸镀。
在本实施方式1中,掩模开口71a、71b的X轴方向位置和X轴方向尺寸(开口宽度)能够考虑要形成的覆膜90的图案,蒸镀源开口61a、61b、掩模开口71a、71b和基板10的相对位置关系,以及蒸镀掩模70的厚度等,根据几何学的计算来确定。
另外,掩模开口71a、71b的Y轴方向尺寸(开口长度)能够考虑要形成的覆膜90的厚度、以及掩模开口71a、71b与蒸镀源开口61a、61b的相对位置关系等来确定。覆膜90的厚度能够通过利用数值计算求出在形成该覆膜的区域附着的蒸镀颗粒的总量(蒸镀速率的积分值)而算出。
-限制单元的作用-
对限制单元80的第一限制部和第二限制部81a、81b的效果进行说明。
如图6和图7所示,从各蒸镀源开口61a、61b具有某种展宽(指向性)地放出蒸镀颗粒91a、91b。即,从蒸镀源开口61a、61b放出的蒸镀颗粒91a、91b的数量在蒸镀源开口61a、61b的正上方向(Z轴方向)上最多,随着相对于正上方向所成的角度(出射角度)增大而逐渐减少。从蒸镀源开口61a、61b放出的各蒸镀颗粒91a、91b向各自的放出方向直进。因此,在不存在限制单元80的情况下,向各掩模开口71a、71b飞来得最多的是从位于其正下方的蒸镀源开口放出的蒸镀颗粒,但是并不限定于此,从位于斜下方的蒸镀源开口放出的蒸镀颗粒也飞来。
图11是通过某个第一掩模开口71a的、与图6同样沿与XZ面平行的面的放大截面图。虚线91a表示在不存在限制单元80的情况下以最大入射角度通过第一掩模开口71a的第一蒸镀颗粒91a的轨迹。如上所述,从各个方向飞来的蒸镀颗粒91a通过掩模开口71a。到达基板10的被蒸镀面10e的蒸镀颗粒91的数量在掩模开口71a的正上方的区域最多,随着远离该区域而逐渐减少。因此,如图11所示,在基板10的被蒸镀面10e上,在将掩模开口71a向正上方向投影到基板10上的区域,形成厚并且具有大致一定厚度的覆膜主要部分90c,在其两侧形成随着远离覆膜主要部分90c而逐渐变薄的模糊(毛边)部分90e。该模糊部分90e产生覆膜90的端缘的模糊。
虽然省略图示,但是上述的说明对于由通过第二掩模开口71b的第二蒸镀颗粒91b形成的覆膜也同样适用。
为了使模糊部分90e的宽度We减小,只要使蒸镀掩模70与基板10的间隔减小即可。但是,因为需要使基板10相对于蒸镀掩模70相对移动,所以不能使蒸镀掩模70与基板10的间隔为零。
当模糊部分90e的宽度We增大、模糊部分90e达到相邻的不同颜色的发光层区域时,会产生“混色”,或有机EL元件的特性变差。为了使得不产生混色,为了使得模糊部分90e不达到相邻的不同颜色的发光层区域,需要使像素(是指图2的子像素2R、2G、2B)的开口宽度变窄、或者使像素的间距增大,以使非发光区域增大。可是,当使像素的开口宽度变窄时,发光区域变小,因此亮度下降。当为了得到需要的亮度而提高电流密度时,有机EL元件会寿命变短,或容易损伤,可靠性下降。另一方面,当使像素间距增大时,不能实现高精细显示,显示品质下降。
与此相对,在本实施方式中,如图6和图7所示,在蒸镀源60与蒸镀掩模70之间设置有限制单元80。从各蒸镀源开口61a、61b具有某种展宽(指向性)地放出的蒸镀颗粒91a、91b中速度矢量的X轴方向成分大的蒸镀颗粒91a、91b,与限制部81a、81b碰撞并附着在其上,因此不能通过限制开口82a、82b,不能到达掩模开口71a、71b。即,限制部81a、81b对从蒸镀源开口61a、61b放出的蒸镀颗粒91a、91b的蒸镀流的X轴方向的扩展角度进行限制。其结果,向掩模开口71a、71b入射的蒸镀颗粒91a、91b的入射角度被限制。在此,相对于掩模开口71a、71b的“入射角度”,以在向XZ面的投影图中向掩模开口71a、71b入射的蒸镀颗粒91a、91b的飞翔方向相对于Z轴所成的角度来定义。
通过这样沿X轴方向配置多个限制部81a、81b,X轴方向的蒸镀颗粒91a、91b的指向性提高。因此,能够使模糊部分90e的宽度We减小。因此,如果使用本实施方式的蒸镀装置进行发光层23R、23G、23B的分涂蒸镀,则能够防止混色的发生。由此,能够使像素间距缩小,在该情况下,能够提供能够进行高精细显示的有机EL显示装置。另一方面,也可以不改变像素间距而扩大发光区域,在该情况下,能够提供能够进行高亮度显示的有机EL显示装置。另外,因为不需要为了高亮度化而提高电流密度,所以,有机EL元件不会寿命变短或损伤,能够防止可靠性下降。
-将蒸镀区域呈交错状配置的作用-
接着,与比较例进行比较来说明第一蒸镀区域和第二蒸镀区域72a、72b如图9所示呈交错状配置的效果。
图12是表示比较例的蒸镀装置的基本结构的立体图。该蒸镀装置与图5所示的本实施方式1的蒸镀装置同样,具备蒸镀单元950,该蒸镀单元950依次具备蒸镀源960、限制单元980和蒸镀掩模970。在图12中,为了使得在蒸镀掩模970上形成的掩模开口971的配置清楚,表示了以双点划线表示基板10而透视的蒸镀掩模970。
蒸镀源960具备沿X轴方向以一定间距配置的多个蒸镀源开口961。蒸镀源开口961的X轴方向间距为图5所示的本实施方式1的第一蒸镀源开口61a的X轴方向间距(或第二蒸镀源开口61b的X轴方向间距)的一半。
在限制单元980上,沿与X轴平行的直线,以与多个蒸镀源开口961相同的间距形成有多个限制开口982。多个限制开口982与多个蒸镀源开口961一对一地对应,配置在对应的蒸镀源开口961的上方。在X轴方向上相邻的限制开口982由限制部981隔开。
在蒸镀掩模970上,沿X轴方向配置有多个掩模开口971。掩模开口971形成为使得:在与利用图5所示的本实施方式的蒸镀装置形成的覆膜90(参照图10)相同的X轴方向位置形成覆膜90。
图13是沿通过蒸镀源960的与XZ面平行的面的、图12的蒸镀装置的截面图。与图6和图7同样,在蒸镀掩模970中,将通过限制开口982的蒸镀颗粒91的粒流(蒸镀流)到达的区域称为蒸镀区域972。与图6和图7不同,在X轴方向上相邻的蒸镀区域972相互一部分重叠地连续。因此,在蒸镀掩模970上,不形成相当于从蒸镀源开口961看到的限制部981的影子的非蒸镀区域(参照图6的第一非蒸镀区域73a和图7的第二非蒸镀区域73b)。
与图5所示的本实施方式1的蒸镀装置同样,图12、图13所示的比较例的蒸镀装置的限制单元980的限制部981对向掩模开口971入射的蒸镀颗粒91的入射角度进行限制。因此,能够使图11所示的模糊部分90e的宽度We减小。
可是,在上述的比较例的蒸镀装置中,存在以下问题:当限制单元980相对于蒸镀源开口961在X轴方向上发生位置偏移时,不能在基板10上的期望的位置形成覆膜。
以下对此进行说明。
图14A是表示在限制单元980相对于蒸镀源开口961没有发生位置偏移的状态下在基板10上形成的覆膜90的截面图。在X轴方向上,蒸镀源开口961配置于在X轴方向上相邻的一对限制部981的中央位置。从蒸镀源开口961放出的蒸镀颗粒91中,通过该蒸镀源开口961的正上方的限制开口982且进一步通过掩模开口971的蒸镀颗粒91,附着在基板10上形成覆膜90。
图14B是表示在限制单元980相对于蒸镀源开口961和蒸镀掩模970从图14A的状态沿X轴方向向图14B的纸面的左方发生了位置偏移的状态下在基板10上形成的覆膜90的截面图。限制单元980发生位置偏移,由此,限制开口982也发生位置偏移,因此,蒸镀区域972也相对于蒸镀掩模970发生位置偏移。
如将图14A和图14B进行比较能够理解的那样,由于限制单元980的位置偏移,放出向掩模开口971x入射的蒸镀颗粒91的蒸镀源开口发生替换。由此,在图14B中,不形成在图14A中形成的覆膜90m,取而代之,在不期望的位置形成有覆膜90n。即,覆膜90m偏移至覆膜90n的位置。
图14B所示的、覆膜90不形成在期望的位置的问题是因为:在X轴方向上相邻的蒸镀区域972相互一部分重叠,在该重叠的部分的附近形成有掩模开口(在上述的例子中为掩模开口971x)。
图14B所示的、限制单元980相对于蒸镀源开口961和蒸镀掩模970在X轴方向上的位置偏移,例如有可能在更换限制单元980的情况下发生。如上所述,速度矢量的X轴方向成分大的蒸镀颗粒91被限制部981捕捉,因此,随着时间的经过,在限制部981的表面上会堆积蒸镀材料。当蒸镀材料的堆积厚度增大时,限制部981对蒸镀颗粒91的捕捉特性下降,或由于限制开口982的X轴方向尺寸缩小,由限制部981实现的蒸镀颗粒91的入射角度限制功能下降。另外,当堆积在限制部981上的蒸镀材料剥落而落下时,会将真空腔室内污染。因此,需要定期地将附着有蒸镀材料的限制单元980更换为没有附着蒸镀材料的洁净的限制单元980。在安装洁净的限制单元980时,存在图14B所示的限制单元980相对于蒸镀源开口961和蒸镀掩模970在X轴方向上发生位置偏移的可能性。
另外,图14B所示的限制单元980在X轴方向上的位置偏移,也可能由于蒸镀源960和限制单元980分别热膨胀而发生。蒸镀源960使气化的蒸镀材料作为蒸镀颗粒91从蒸镀源开口961放出,因此,需要维持为高温,其热膨胀不能避免。另外,限制单元980也被来自蒸镀源960的辐射热加热而热膨胀。另外,蒸镀源960和限制单元980,因为材料不同所以线膨胀系数不同。其结果,存在限制部981相对于蒸镀源开口961发生位置偏移的可能性。
当蒸镀装置大型化时,容易产生限制单元980的安装误差,另外,蒸镀源960与限制单元980的热膨胀差变大,因此,图14B所示的限制单元980在X轴方向上的位置偏移一般会变大。
此外,更换限制单元980时的限制单元980的位置偏移,不仅有可能在X轴方向上发生而且有可能在Y轴方向上发生。但是,因为覆膜90为在Y轴方向上延伸的条状,所以,即使限制单元980在Y轴方向上发生位置偏移,覆膜90的位置实质上也不变化。
接着,对在本实施方式1中不发生在图14B中说明的覆膜90的位置偏移的理由进行说明。
图15A是表示在本实施方式1的蒸镀装置中、在限制单元80没有发生位置偏移的理想状态下在基板10上形成的覆膜的、沿通过第一蒸镀源60a的包括图9的15-15线的面的向视扩大截面图。
作为通过第一限制开口82a的第一蒸镀颗粒91a的粒流(第一蒸镀流)到达的蒸镀掩模70上的区域的第一蒸镀区域72a,夹着非蒸镀区域73a在X轴方向上相互分离地配置。在各第一蒸镀区域72a内,形成有多个第一掩模开口71a。通过第一掩模开口71a的第一蒸镀颗粒91a附着在基板10的被蒸镀面10e上形成第一覆膜90a。
在本例子中,如在图10中说明的那样,基板10向图5的Y轴的箭头方向移动。虽然未图示,但是在比图15A的截面更靠基板10的移动方向的下游侧的位置,通过第二掩模开口71b的第二蒸镀颗粒91b附着在基板10的被蒸镀面10e上形成第二覆膜90b。在图15A中,用虚线一并表示了第二覆膜90b。
图15B是表示在限制单元80相对于第一蒸镀源开口61a和蒸镀掩模70从图15A的状态沿X轴方向向图15B的纸面的左方发生了位置偏移的状态下在基板10上形成的覆膜的、沿通过第一蒸镀源60a的面的放大截面图。为了参考,用双点划线表示了发生位置偏移前(即,图15A的状态)的第一限制部81a和第一蒸镀颗粒91a的粒流。限制单元80发生位置偏移,由此,第一限制开口82a也发生位置偏移,因此,第一蒸镀区域72a也相对于蒸镀掩模70在X轴方向上以偏移量Sx发生偏移。
但是,如将图15A和图15B进行比较能够理解的那样,在位置偏移的前后,各第一蒸镀区域72a内包含的第一掩模开口71a不变化。因此,放出向各第一掩模开口71a入射的第一蒸镀颗粒91a的第一蒸镀源开口91a的位置、即向各第一掩模开口71a入射的第一蒸镀颗粒91a的入射角度在位置偏移的前后不变化。
在图15A和图15B中,对由通过第一掩模开口71a的第一蒸镀颗粒91a形成的覆膜90a进行了说明,该说明对于由通过第二掩模开口71b的第二蒸镀颗粒91b形成的覆膜90b也同样适用。
如以上所述,在本实施方式中,如图9所示,沿着与X轴平行的直线(直线La、Lb),蒸镀区域(第一蒸镀区域72a和第二蒸镀区域72b)夹着非蒸镀区域(第一非蒸镀区域73a和第二非蒸镀区域73b)在X轴方向上相互独立地配置。另外,掩模开口(第一掩模开口71a和第二掩模开口71b)仅配置在蒸镀区域(第一蒸镀区域72a和第二蒸镀区域72b)内。
由此,在本实施方式1中,即使限制单元80相对于蒸镀源60a、60b和蒸镀掩模70在X轴方向上发生位移,在基板10上形成的覆膜90的位置也不变化。
在本实施方式1中,在基板10上,以大致一定的X轴方向间距形成有多个条状的覆膜90。当在蒸镀掩模70上存在非蒸镀区域时,在与该非蒸镀区域对应的基板上的区域不能形成覆膜。因此,在本实施方式中,如图9所示,将第一蒸镀区域72a和第二蒸镀区域72b呈交错状配置。由此,能够相对于直线La上的第一非蒸镀区域73a在Y轴方向上的不同位置形成第二掩模开口71b。另外,能够相对于直线Lb上的第二非蒸镀区域73b在Y轴方向上的不同位置形成第一掩模开口71a。其结果,能够在基板10的X轴方向的广范围内,以微小的大致一定的X轴方向间距形成多个条状的覆膜90。
非蒸镀区域73a、73b的X轴方向宽度能够考虑限制单元80的假想的X轴方向的位置偏移量等任意地设定。
掩模开口形成在蒸镀区域内。当由于限制单元80在X轴方向上发生位置偏移,掩模开口超出蒸镀区域时,蒸镀颗粒不向该掩模开口入射,因此,存在不在期望的位置形成覆膜的可能性。因此,当如图15A所示,将蒸镀区域(第一蒸镀区域72a)的X轴方向宽度设为Wd、将存在掩模开口的区域(掩模开口区域)的X轴方向宽度设为Wo时,优选比Wo/Wd<1,进一步优选比Wo/Wd与1相比充分小。此外,宽度Wo由在蒸镀区域内存在的多个掩模开口中的位于X轴方向的两外侧的2个掩模开口各自的外侧的端缘间的距离来定义。比Wo/Wd的上限能够考虑限制单元80的假想的X轴方向的位置偏移量等任意地设定。
在上述的例子中,构成蒸镀源60的第一蒸镀源60a和第二蒸镀源60b是分别设置的,但是两者也可以一体化。
在上述的例子中,在共同的限制单元80上形成有多个第一限制开口82a和多个第二限制开口82b,但是限制单元80也可以分割为形成有多个第一限制开口82a的第一限制单元和形成有多个第二限制开口82b的第二限制单元。同样,在上述的例子中,在共同的蒸镀掩模70上形成有多个第一掩模开口71a和多个第二掩模开口71b,但是蒸镀掩模70也可以分割为形成有多个第一掩模开口71a的第一蒸镀掩模和形成有多个第二掩模开口71b的第二蒸镀掩模。
也可以将与1个蒸镀区域或相互接近的多个蒸镀区域对应的蒸镀源开口、限制开口和掩模开口设为1个块,将蒸镀源、限制单元和蒸镀掩模按每块进行分割。在该情况下,也可以按每块任意地设定蒸镀条件。
在上述的例子中,将多个蒸镀区域沿与X轴平行的2条直线呈交错状配置,但是本发明并不限定于此。如上所述,只要蒸镀区域夹着非蒸镀区域沿X轴方向配置、并且相对于非蒸镀区域在Y轴方向的不同位置形成有掩模开口即可。
例如,也可以如图16所示,将蒸镀区域72a、72b、72c分别沿与X轴平行的3条直线La、Lb、Lc以一定间距配置。其结果,蒸镀区域72a、72b、72c呈台阶状配置。在蒸镀区域72a、72b、72c内分别形成有多个掩模开口71a、71b、71c。以蒸镀区域72a、72b、72c形成在这样的位置的方式,配置蒸镀源开口61a、61b、61c和限制开口(未图示)。在图16的结构中也是,蒸镀区域72a、72b、72c夹着非蒸镀区域73a、73b、73c在X轴方向上配置。而且,相对于非蒸镀区域73a在Y轴方向的不同位置配置有蒸镀区域72b、72c的掩模开口71b、71c。对于非蒸镀区域73b和非蒸镀区域73c也是同样。
也可以将多个蒸镀区域沿与X轴平行的4条以上的直线相互独立地配置。
在上述的例子中,仅由通过1个掩模开口的蒸镀颗粒形成1个条状的覆膜,但是本发明并不限定于此。例如,也能够通过将在Y轴方向的不同位置配置的多个蒸镀区域以其X轴方向位置的至少一部分相互重叠的方式配置,由通过多个掩模开口的蒸镀颗粒形成1个条状的覆膜。将其一个例子示于图17。蒸镀区域72a、72b、72c、72d分别沿与X轴方向平行的4条直线La、Lb、Lc、Ld以一定间距配置。其结果,蒸镀区域72a、72b、72c、72d呈台阶状配置。在蒸镀区域72a、72b、72c、72d内分别形成有多个掩模开口71a、71b、71c、71d。以蒸镀区域72a、72b、72c、72d形成在这样的位置的方式,配置蒸镀源开口61a、61b、61c、61d和限制开口(未图示)。在本例子中,通过掩模开口71a的蒸镀颗粒与通过掩模开口71b的蒸镀颗粒重叠,或通过掩模开口71b的蒸镀颗粒与通过掩模开口71c的蒸镀颗粒重叠,或通过掩模开口71c的蒸镀颗粒与通过掩模开口71d的蒸镀颗粒重叠,或通过掩模开口71d的蒸镀颗粒与通过掩模开口71a的蒸镀颗粒重叠,由此形成各条状的覆膜。
(实施方式2)
以下,以与实施方式1的不同点为中心对实施方式2进行说明。在以下的说明中参照的附图中,对于与在实施方式1中说明的部件对应的部件,赋予相同的符号,省略对它们的重复说明。
图18是表示本发明的实施方式2的蒸镀装置的基本结构的立体图。
蒸镀源60在其上表面(即,与蒸镀掩模70相对的面)具备沿与X轴方向平行的直线以一定间距配置的多个蒸镀源开口61。各蒸镀源开口61具有与Z轴平行地向上方开口的喷嘴形状,向蒸镀掩模70放出作为覆膜90的材料的蒸镀颗粒91。
在蒸镀源60的上方配置有限制单元80。图19是限制单元80的平面图。在图19中,也一并表示了在限制单元80的下方配置的蒸镀源60。限制单元80形成有多个限制开口82,该多个限制开口82各自是在Z轴方向上贯通限制单元80的贯通孔。限制开口82的开口形状为其长轴方向相对于X轴和Y轴倾斜的大致长方形。多个限制开口82在与X轴方向平行的方向、以与多个蒸镀源开口61相同的间距配置。多个限制开口82与多个蒸镀源开口61一对一地对应,分别配置在对应的蒸镀源开口61的上方。在X轴方向上相邻的限制开口82由限制部81隔开。限制部81相对于X轴和Y轴倾斜。
在相对于限制单元80与蒸镀源60相反的一侧配置有蒸镀掩模70。图20是蒸镀掩模70的平面图。在图20中,一并表示了在蒸镀掩模70的下方配置的蒸镀源60的蒸镀源开口61。双点划线72表示从蒸镀源开口61放出、且通过与该蒸镀源开口61对应的限制开口82的蒸镀颗粒91的粒流(蒸镀流)到达的蒸镀区域。多个蒸镀区域72沿X轴方向配置。蒸镀区域72具有与限制开口82的开口形状对应的大致矩形形状。在X轴方向上相邻的蒸镀区域72相互不重叠而独立,在它们之间形成有蒸镀颗粒91不到达的非蒸镀区域73。非蒸镀区域73相当于从蒸镀源开口61看到的限制部81的影子。非蒸镀区域73相对于X轴和Y轴倾斜。
在蒸镀掩模70上,仅在蒸镀区域72内形成有多个掩模开口71。掩模开口71是在Z轴方向上贯通蒸镀掩模70的贯通孔。掩模开口71的开口形状是与Y轴平行的缝隙形状。全部掩模开口71的形状和尺寸可以相同,也可以不同。各蒸镀区域72内的多个掩模开口71的X轴方向间距可以一定,也可以不同。
与实施方式1同样,在本实施方式2中也是,从蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91依次通过限制单元80的限制开口82和蒸镀掩模70的掩模开口71,附着在基板10的被蒸镀面(即,基板10的与蒸镀掩模70相对的一侧的面)10e上。当在图18中使基板10向Y轴的箭头的方向移动时,如图21所示,在基板10上的与各掩模开口71的位置对应的位置,形成在Y轴方向上延伸的条状的覆膜90。如图20所示,形成有多个掩模开口71的蒸镀区域72倾斜,因此,在X轴方向上相邻的蒸镀区域72的一部分在Y轴方向上相互相对。因此,当在图21中使基板10向箭头10a的方向移动时,在基板10上的某个位置,会附着通过某个蒸镀区域72内的掩模开口71的蒸镀颗粒,接着,会附着通过相对于该蒸镀区域72位于左侧相邻位置的蒸镀区域72内的掩模开口71的蒸镀颗粒。即,在基板10上的同一位置会附着分别通过Y轴方向位置不同的2个掩模开口71的蒸镀颗粒。此外,在图21中,为了使在基板10的被蒸镀面10e上形成的覆膜90的图案容易理解,图示了隔着基板10透视的覆膜90。
在本实施方式2中,限制开口82和蒸镀区域72的长边方向均相对于X轴和Y轴倾斜,在这一点上与实施方式1不同。但是,与实施方式1同样,在实施方式2中也是,如图20所示,沿着由点划线表示的与X轴平行的直线L,蒸镀区域72夹着非蒸镀区域73在X轴方向上相互独立地配置。另外,掩模开口71仅配置在蒸镀区域72内。因此,与在图15A和图15B中说明的同样,在本实施方式2中也是,即使限制单元80相对于蒸镀源60和蒸镀掩模70在X轴方向上发生位移,在基板10上形成的覆膜90的位置也不变化。
另外,例如相对于图20的直线L上的非蒸镀区域73在Y轴方向上的不同位置形成有掩模开口71。因此,能够如图21所示,在基板10上,在基板10的X轴方向的广范围内,以微小的大致一定的X轴方向间距形成多个条状的覆膜90。
在本实施方式2中,蒸镀源开口61、限制开口82和蒸镀区域72各自沿与X轴平行的一条直线配置,因此,与蒸镀源开口61a、61b、限制开口82a、82b和蒸镀区域72a、72b各自沿与X轴平行的两条直线配置的实施方式1相比,能够使蒸镀源60、限制单元80和蒸镀掩模70各自的Y轴方向的尺寸减小,并且使它们轻量化。因此,对降低蒸镀装置的成本和提高各部件的尺寸精度有利。另外,能够使蒸镀掩模70的面积减小,因此,能够使蒸镀掩模70的由自重引起的弯曲减少,另外,能够使对蒸镀掩模70施加的张力的均匀性提高。其结果,蒸镀掩模70的精度提高,能够使在基板10上形成的覆膜90的图案精度和成品率提高。
从蒸镀源开口61放出的蒸镀颗粒91具有指向性,因此,通过位于远离蒸镀源开口61的位置(即,蒸镀源开口61的斜上方的位置)的掩模开口71的蒸镀颗粒的数量通常少。在本实施方式2中,如图20所示,相对于位于远离蒸镀源开口61的位置的掩模开口71,在Y轴方向的不同位置配置另外的掩模开口71,利用这2个掩模开口71形成1个条状的覆膜90(参照图21)。由此,蒸镀材料的利用效率和量产时的生产率提高。
此外,在X轴方向的两端部分,不能如上述那样利用Y轴方向位置不同的多个掩模开口71形成1个条状的覆膜90,因此,如图20所示,使位于X轴方向的两端部分的掩模开口71在Y轴方向上较长。由此,能够遍及X轴方向的整个范围形成均匀厚度的多个覆膜90。
本实施方式2除了上述以外与实施方式1相同。能够将实施方式1的说明直接或适当变更后应用于本实施方式2。
(实施方式3)
本实施方式3在限制单元80上形成的限制开口82的形状和蒸镀掩模70上形成的掩模开口71的配置方面与实施方式2不同。以下,以与实施方式1、2的不同点为中心对本实施方式3进行说明。在以下的说明中参照的附图中,对于与在实施方式1、2中说明的部件对应的部件,赋予相同的符号,省略对它们的重复说明。
图22是本发明的实施方式3的蒸镀装置中使用的限制单元80的平面图。在图22中,也一并表示了在限制单元80的下方配置的蒸镀源60。在该限制单元80上,沿与X轴方向平行的方向形成有与多个蒸镀源开口61一对一地对应的多个限制开口82。多个限制开口82中的两端的限制开口为大致梯形(或五角形),除它们以外的限制开口为三角形(正三角形或等腰三角形)。在X轴方向上相邻的三角形的限制开口的朝向相互反转。在X轴方向上相邻的限制开口82由限制部81隔开。限制部81相对于X轴和Y轴倾斜。
图23是适合于图22所示的限制单元80的蒸镀掩模70的平面图。在图23中,一并表示了在蒸镀掩模70的下方配置的蒸镀源60的蒸镀源开口61。双点划线72表示从蒸镀源开口61放出、且通过与该蒸镀源开口61对应的限制开口82的蒸镀颗粒91的粒流(蒸镀流)到达的蒸镀区域。多个蒸镀区域72沿X轴方向配置。蒸镀区域72具有与图22所示的限制开口82的开口形状对应的形状。在各蒸镀区域72内,形成有具有与Y轴平行的缝隙形状的多个掩模开口71。在X轴方向上相邻的蒸镀区域72相互不重叠而独立,在它们之间形成有蒸镀颗粒91不到达的非蒸镀区域73。非蒸镀区域73相当于从蒸镀源开口61看到的限制部81的影子。非蒸镀区域73相对于X轴和Y轴倾斜。
图24是本发明的实施方式3的蒸镀装置中使用的另一个限制单元80的平面图。在图24中,也一并表示了在限制单元80的下方配置的蒸镀源60。在该限制单元80上,沿与X轴方向平行的方向形成有与多个蒸镀源开口61一对一地对应的多个限制开口82。多个限制开口82中的两端的限制开口为大致L字形状,除它们以外的限制开口为异形Z字形状。在X轴方向上相邻的限制开口82由限制部81隔开。限制部81具有:与X轴平行的直线部分;和从其两端起与Y轴平行地延伸的直线部分。
图25是适合于图24所示的限制单元80的蒸镀掩模70的平面图。在图25中,一并表示了在蒸镀掩模70的下方配置的蒸镀源60的蒸镀源开口61。双点划线72表示从蒸镀源开口61放出、且通过与该蒸镀源开口61对应的限制开口82的蒸镀颗粒91的粒流(蒸镀流)到达的蒸镀区域。多个蒸镀区域72沿X轴方向配置。蒸镀区域72具有与图24所示的限制开口82的开口形状对应的形状。在各蒸镀区域72内,形成有具有与Y轴平行的缝隙形状的多个掩模开口71。在X轴方向上相邻的蒸镀区域72至少在X轴方向上相互不重叠而独立,在它们之间形成有蒸镀颗粒91不到达的非蒸镀区域73。非蒸镀区域73相当于从蒸镀源开口61看到的限制部81的影子。非蒸镀区域73具有:与X轴平行的直线部分;和从其两端起与Y轴平行地延伸的直线部分。
在使用图22的限制单元80和图23的蒸镀掩模70的情况下、以及使用图24的限制单元80和图25的蒸镀掩模70的情况下,均与上述的实施方式1、2同样,能够在基板10上形成多个条状的覆膜90。另外,与实施方式2同样,多个覆膜90中的一部分覆膜90由分别通过Y轴方向的位置不同的2个掩模开口71的蒸镀颗粒重叠而形成。
在本实施方式3中,关于限制开口82的形状和掩模开口71的配置与实施方式1、2不同。但是,与实施方式1、2同样,在本实施方式3中也是,如图23和图25所示,沿着由点划线表示的与X轴平行的直线L,蒸镀区域72夹着非蒸镀区域73在X轴方向上相互独立地配置。另外,掩模开口71仅配置在蒸镀区域72内。因此,与在图15A和图15B中说明的同样,在本实施方式3中也是,即使限制单元80相对于蒸镀源60和蒸镀掩模70在X轴方向上发生位移,在基板10上形成的覆膜90的位置也不变化。
另外,例如,相对于图23和图25的直线L上的非蒸镀区域73在Y轴方向上的不同位置形成有掩模开口71。因此,与实施方式1、2同样,能够在基板10上,在基板10的X轴方向的广范围内,以微小的大致一定的X轴方向间距形成多个条状的覆膜90。
与实施方式2(参照图20)相比,在本实施方式3(参照图23、图25)中,能够在蒸镀源开口61的上方的更广的区域配置掩模开口71,因此,能够使通过限制单元80和蒸镀掩模70而到达基板10的蒸镀材料的量增多。因此,能够有效地利用蒸镀材料,因此能够使材料利用效率和量产时的生产率提高。
与实施方式2同样,在本实施方式3中也是,蒸镀源开口61、限制开口82和蒸镀区域72各自沿与X轴平行的一条直线配置,因此,能够使蒸镀源60、限制单元80和蒸镀掩模70各自的Y轴方向的尺寸减小,并且使它们轻量化。因此,对降低蒸镀装置的成本和提高各部件的尺寸精度有利。另外,能够使蒸镀掩模70的面积减小,因此,能够使蒸镀掩模70的由自重引起的弯曲减少,另外,能够使对蒸镀掩模70施加的张力的均匀性提高。其结果,蒸镀掩模70的精度提高,能够使在基板10上形成的覆膜90的图案精度和成品率提高。
与实施方式2同样,在本实施方式3中也是,如图23和图25所示,相对于位于远离蒸镀源开口61的位置的掩模开口71,在Y轴方向的不同位置配置另外的掩模开口71,利用这2个掩模开口71形成1个条状的覆膜90。由此,蒸镀材料的利用效率和量产时的生产率提高。
此外,在X轴方向的两端部分,不能如上述那样利用Y轴方向位置不同的多个掩模开口71形成1个条状的覆膜90,因此,如图23和图25所示,使位于X轴方向的两端部分的掩模开口71在Y轴方向上较长。由此,能够遍及X轴方向的整个范围形成均匀厚度的多个覆膜90。
本实施方式3除了上述以外与实施方式1、2相同。能够将实施方式1、2的说明直接或适当变更后应用于本实施方式3。
上述的实施方式1~3只不过是例示。本发明并不限定于上述的实施方式1~3,能够适当地进行变更。
在基板10的X轴方向尺寸大的情况下,可以使X轴方向位置和Y轴方向位置不同地配置多个上述的各实施方式中所示的蒸镀单元50。
在上述的实施方式1~3中,基板10相对于不动的蒸镀单元50移动,但是本发明并不限定于此,只要使蒸镀单元50和基板10中的一个相对于另一个相对移动即可。例如,也可以使基板10的位置一定而使蒸镀单元50移动,或者,也可以使蒸镀单元50和基板10两者移动。
在上述的实施方式1~3中,将基板10配置在蒸镀单元50的上方,但是蒸镀单元50与基板10的相对位置关系并不限定于此。例如,也可以将基板10配置在蒸镀单元50的下方,或者,也可以将蒸镀单元50和基板10在水平方向上相对配置。
在上述的实施方式1~3中,以形成有机EL元件的发光层的情况为例进行了说明,但是本发明并不限定于此。例如,在为了按每种颜色使电流-电压特性一致的目的、或者利用微腔效应来调整发光光谱的目的等而按每种颜色改变有机EL元件的发光层以外的层的厚度的情况下,能够利用本发明。另外,在利用蒸镀法形成构成有机EL元件的薄膜以外的各种薄膜的情况下,能够利用本发明。
产业上的可利用性
本发明的利用领域没有特别限制,能够优选利用于有机EL显示装置的发光层的形成。
符号说明
10基板
10a第一方向(基板的移动方向)
10e被蒸镀面
20有机EL元件
23R、23G、23B发光层
50蒸镀单元
56移动机构
60蒸镀源
60a第一蒸镀源
60b第二蒸镀源
61、61a、61b蒸镀源开口
70蒸镀掩模
71、71a、71b掩模开口
72、72a、72b蒸镀区域
73、73a、73b非蒸镀区域
80限制单元
81、81a、81b限制部
82、82a、82b限制开口
90覆膜
90e模糊部分
90c覆膜主要部分
91、91a、91b蒸镀颗粒
L、La、Lb、Lc、Ld与第二方向平行的直线
Claims (6)
1.一种蒸镀装置,其为在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀装置,其特征在于:
所述蒸镀装置具备:蒸镀单元;和移动机构,该移动机构使所述基板和所述蒸镀单元中的一个,沿与所述基板的法线方向正交的第一方向,相对于所述基板和所述蒸镀单元中另一个相对移动,
所述蒸镀单元具备:
蒸镀源,该蒸镀源具备各自放出蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口;
限制单元,该限制单元具备从所述多个蒸镀源开口放出的所述蒸镀颗粒分别通过的多个限制开口;和
蒸镀掩模,该蒸镀掩模仅在分别通过所述多个限制开口的所述蒸镀颗粒到达的多个蒸镀区域内形成有多个掩模开口,
所述多个蒸镀区域,沿与第二方向平行的一条直线,夹着所述蒸镀颗粒不到达的非蒸镀区域配置,其中,所述第二方向是与所述法线方向和所述第一方向正交的方向,
在沿所述法线方向看时,相对于与所述第二方向平行的直线上的所述非蒸镀区域,在所述第一方向上的不同位置,形成有所述蒸镀颗粒通过的掩模开口,
所述多个限制开口沿所述第二方向配置,在所述第二方向上相邻的所述限制开口由限制部隔开,所述非蒸镀区域相当于从所述蒸镀源开口看到的所述限制部的影子,
在沿所述法线方向看时,所述多个限制开口的开口形状为其长轴方向相对于所述第一方向和所述第二方向倾斜的大致长方形。
2.一种蒸镀装置,其为在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀装置,其特征在于:
所述蒸镀装置具备:蒸镀单元;和移动机构,该移动机构使所述基板和所述蒸镀单元中的一个,沿与所述基板的法线方向正交的第一方向,相对于所述基板和所述蒸镀单元中另一个相对移动,
所述蒸镀单元具备:
蒸镀源,该蒸镀源具备各自放出蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口;
限制单元,该限制单元具备从所述多个蒸镀源开口放出的所述蒸镀颗粒分别通过的多个限制开口;和
蒸镀掩模,该蒸镀掩模仅在分别通过所述多个限制开口的所述蒸镀颗粒到达的多个蒸镀区域内形成有多个掩模开口,
所述多个蒸镀区域,沿与第二方向平行的一条直线,夹着所述蒸镀颗粒不到达的非蒸镀区域配置,其中,所述第二方向是与所述法线方向和所述第一方向正交的方向,
在沿所述法线方向看时,相对于与所述第二方向平行的直线上的所述非蒸镀区域,在所述第一方向上的不同位置,形成有所述蒸镀颗粒通过的掩模开口,
所述多个限制开口沿所述第二方向配置,在所述第二方向上相邻的所述限制开口由限制部隔开,所述非蒸镀区域相当于从所述蒸镀源开口看到的所述限制部的影子,
在沿所述法线方向看时,所述多个限制开口中的所述第二方向的两端的限制开口的开口形状为大致梯形,除它们以外的限制开口的开口形状为三角形。
3.一种蒸镀装置,其为在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀装置,其特征在于:
所述蒸镀装置具备:蒸镀单元;和移动机构,该移动机构使所述基板和所述蒸镀单元中的一个,沿与所述基板的法线方向正交的第一方向,相对于所述基板和所述蒸镀单元中另一个相对移动,
所述蒸镀单元具备:
蒸镀源,该蒸镀源具备各自放出蒸镀颗粒的多个蒸镀源开口;
限制单元,该限制单元具备从所述多个蒸镀源开口放出的所述蒸镀颗粒分别通过的多个限制开口;和
蒸镀掩模,该蒸镀掩模仅在分别通过所述多个限制开口的所述蒸镀颗粒到达的多个蒸镀区域内形成有多个掩模开口,
所述多个蒸镀区域,沿与第二方向平行的一条直线,夹着所述蒸镀颗粒不到达的非蒸镀区域配置,其中,所述第二方向是与所述法线方向和所述第一方向正交的方向,
在沿所述法线方向看时,相对于与所述第二方向平行的直线上的所述非蒸镀区域,在所述第一方向上的不同位置,形成有所述蒸镀颗粒通过的掩模开口,
所述多个限制开口沿所述第二方向配置,在所述第二方向上相邻的所述限制开口由限制部隔开,所述非蒸镀区域相当于从所述蒸镀源开口看到的所述限制部的影子,
在沿所述法线方向看时,所述多个限制开口中的所述第二方向的两端的限制开口的开口形状为大致L字形状,除它们以外的限制开口的开口形状为异形Z字形状。
4.如权利要求1~3中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于:
使通过在所述第一方向的不同位置配置的多个掩模开口的蒸镀颗粒重叠而形成共同的覆膜。
5.如权利要求1~3中任一项所述的蒸镀装置,其特征在于:
所述蒸镀区域的所述第二方向上的宽度比所述蒸镀区域内的存在掩模开口的区域的所述第二方向上的宽度大。
6.一种蒸镀方法,其具有使蒸镀颗粒附着在基板上形成规定图案的覆膜的蒸镀工序,其特征在于:
使用权利要求1~5中任一项所述的蒸镀装置进行所述蒸镀工序。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011-054319 | 2011-03-11 | ||
JP2011054319 | 2011-03-11 | ||
PCT/JP2012/055380 WO2012124512A1 (ja) | 2011-03-11 | 2012-03-02 | 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103340013A CN103340013A (zh) | 2013-10-02 |
CN103340013B true CN103340013B (zh) | 2016-06-22 |
Family
ID=46830587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280007201.3A Active CN103340013B (zh) | 2011-03-11 | 2012-03-02 | 蒸镀装置和蒸镀方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9240572B2 (zh) |
JP (2) | JPWO2012124512A1 (zh) |
KR (1) | KR101502715B1 (zh) |
CN (1) | CN103340013B (zh) |
WO (1) | WO2012124512A1 (zh) |
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-
2012
- 2012-03-02 KR KR1020137022878A patent/KR101502715B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-02 CN CN201280007201.3A patent/CN103340013B/zh active Active
- 2012-03-02 WO PCT/JP2012/055380 patent/WO2012124512A1/ja active Application Filing
- 2012-03-02 JP JP2013504654A patent/JPWO2012124512A1/ja active Pending
- 2012-03-02 US US13/984,799 patent/US9240572B2/en active Active
-
2013
- 2013-07-10 JP JP2013144228A patent/JP5766239B2/ja active Active
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JPWO2012124512A1 (ja) | 2014-07-17 |
US20130337597A1 (en) | 2013-12-19 |
JP5766239B2 (ja) | 2015-08-19 |
WO2012124512A1 (ja) | 2012-09-20 |
KR20130119495A (ko) | 2013-10-31 |
KR101502715B1 (ko) | 2015-03-13 |
JP2013237931A (ja) | 2013-11-28 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |