JP2008150662A - マスク蒸着法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置 - Google Patents
マスク蒸着法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008150662A JP2008150662A JP2006339500A JP2006339500A JP2008150662A JP 2008150662 A JP2008150662 A JP 2008150662A JP 2006339500 A JP2006339500 A JP 2006339500A JP 2006339500 A JP2006339500 A JP 2006339500A JP 2008150662 A JP2008150662 A JP 2008150662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- vapor deposition
- filter
- substrate
- splash
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 133
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 26
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 68
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229910001853 inorganic hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- -1 tetramethyl aluminum oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】蒸着マスクを介して被処理基板に成膜する際にスプラッシュが発生した場合でも、粒子状欠陥のない薄膜を成膜することのでき、かつ、マスク開口部に目詰まりの発生しないマスク蒸着法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置を提供する。
【解決手段】被処理基板20に対する成膜パターンに対応するマスク開口部310が形成された蒸着用マスク31を被処理基板20の被成膜面側に重ね、蒸着源12の側から供給された成膜材料流をマスク開口部310を介して被成膜面に供給する。その際、蒸着用マスク31と蒸着源12との間には、成膜材料流が通過可能かつマスク開口部310より開口幅の狭いフィルタ開口部410を備えたスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を配置する。
【選択図】図2
【解決手段】被処理基板20に対する成膜パターンに対応するマスク開口部310が形成された蒸着用マスク31を被処理基板20の被成膜面側に重ね、蒸着源12の側から供給された成膜材料流をマスク開口部310を介して被成膜面に供給する。その際、蒸着用マスク31と蒸着源12との間には、成膜材料流が通過可能かつマスク開口部310より開口幅の狭いフィルタ開口部410を備えたスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を配置する。
【選択図】図2
Description
本発明は、被処理基板に対して蒸着用マスクを重ねた状態で真空蒸着、スパッタ成膜、イオンプレーティングなどの蒸着を行うマスク蒸着法、このマスク蒸着法を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置に関するものである。
各種半導体装置や電気光学装置の製造工程では、成膜パターンに対応するマスク開口部を備えた蒸着用マスクを被処理基板に重ね、この状態で真空蒸着法、スパッタ成膜、イオンプレーティングなどの蒸着を行うことがある。例えば、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス(以下、ELという)装置の製造工程において、発光素子用の有機EL材料(有機機能層)を所定形状に形成する際にフォトリソグラフィ技術を利用すると、パターニング用のレジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能材料が水分や酸素に触れて劣化するおそれがあるため、レジストマスクを必要としないマスク蒸着法を用いて有機機能層を形成することが提案されている(特許文献1参照)。
特開2002−305079号公報
しかしながら、従来のマスク蒸着法およびマスク蒸着装置では、成膜材料を加熱などにより蒸発させる際、蒸着材料やターゲットの純度、蒸着材料やターゲットへの気泡の混入、温度むらなどに起因して、突沸などにより成膜材料が液状に飛散する現象、いわゆるスプラッシュが発生し、被処理基板や蒸着用マスクに成膜材料が粒状に付着することがある。例えば、図7に模式的に示すように、有機EL装置の素子基板2を製造する工程において、画素電極4の上方に発光層7(有機機能層)や陰極9をマスク蒸着法により形成する際にスプラッシュが発生すると、発光層7を形成するための成膜材料のスプラッシュ粒子7a、あるいは陰極9を形成するための成膜材料のスプラッシュ粒子9a、9bが付着、侵入することがあり、このようなスプラッシュ粒子7a、9a、9bは、輝度低下や短絡に起因する暗点を発生させるため好ましくない。また、蒸着用マスクには、成膜パターンに対応するマスク開口部が形成されており、スプラッシュによって、スプラッシュ粒子7a、9a、9bが蒸着用マスクに付着すると、マスク開口部に目詰まりが発生し、以降、所望のパターンを形成することができなくなるという問題点もある。
以上の問題に鑑みて、本発明の課題は、蒸着マスクを介して被処理基板に成膜する際にスプラッシュが発生した場合でも、粒子状欠陥のない薄膜を成膜することのでき、かつ、マスク開口部に目詰まりの発生しないマスク蒸着法、このマスク蒸着法を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された蒸着用マスクを前記被処理基板の被成膜面側に重ね、成膜材料供給源側から供給された成膜材料流を前記マスク開口部を介して前記被成膜面に供給するマスク成膜方法において、前記蒸着用マスクと前記成膜材料供給源との間に、前記成膜材料流が通過可能かつ前記マスク開口部より開口幅の狭いフィルタ開口部を備えたスプラッシュ粒子捕捉用フィルタを配置することを特徴とする。
また、本発明では、被処理基板の被成膜面に向けて成膜材料流を供給する成膜材料供給源と、該成膜材料供給源と前記被処理基板との間に配置され、当該被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部を備えた蒸着用マスクとを有する成膜装置において、前記蒸着用マスクと前記成膜材料供給源との間に、前記成膜材料流が通過可能かつ前記マスク開口部より開口幅の狭いフィルタ開口部を備えたスプラッシュ粒子捕捉用フィルタが配置されていることを特徴とする。
本発明において、「蒸着」とは、真空蒸着に限らず、スパッタ成膜やイオンプレーティングなど、成膜材料の原子や分子が成膜材料流として供給される気相成膜法全般を含む意味である。また、「スプラッシュ粒子」とは、加熱などの方法により蒸着材料を蒸発させる際、突沸などによって成膜材料が液状粒子などとして飛散した粒子のことをいい、かかるスプラッシュ粒子は、蒸着分子や蒸着原子よりも粒径が大きい。
本発明においては、蒸着の際、スプラッシュにより発生したスプラッシュ粒子が蒸着用マスクおよび被処理基板に向けて飛散した場合でも、蒸着用マスクと成膜材料供給源との間にはスプラッシュ粒子捕捉用フィルタが配置されているので、スプラッシュ粒子は、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタによって捕捉され、蒸着用マスクおよび成膜材料供給源に到達しない。従って、被処理基板にはスプラッシュ粒子が付着しないので、粒子状欠陥のない薄膜を形成することができる。また、蒸着用マスクにもスプラッシュ粒子が付着しないので、マスク開口がスプラッシュ粒子で目詰まりすることもない。さらに、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタには、成膜材料流が通過可能なフィルタ開口部が形成されているので、被処理基板に対する成膜に支障がない。
本発明において、前記被処理基板および前記蒸着用マスクを前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタに対して相対移動させながら成膜することが好ましい。このように構成すると、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタにスプラッシュ粒子が捕捉されてフィルタ開口部の一部が目詰まりした場合でも、被処理基板への成膜に支障がない。
本発明において、前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタは、単結晶シリコン製であることが好ましい。このように構成すると、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタに付着したスプラッシュ粒子や堆積物を除去するための洗浄を行っても、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタが侵されないので、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタを繰り返し使用することができる。
本発明において、前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタはチップ状に形成され、当該チップ状のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタが複数枚、面内方向に配列された状態で支持基板に保持されている構成を採用することができる。このように構成すると、被処理基板を大型化した場合でも、容易に対応することができる。
本発明において、前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタは、板材に対するエッチングにより前記フィルタ開口部が形成されてなることが好ましい。
本発明において、前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタでは、前記フィルタ開口部が複数、マトリクス状に形成されている構成や、前記フィルタ開口部が複数、スリット状に並列している構成を採用することができる。これらの構成のうち、前記フィルタ開口部が複数、スリット状に並列している構成を採用した場合には、成膜材料流の通過を妨げることなく、スプラッシュ粒子を確実に捕捉することができる。
本発明を適用したマスク蒸着法は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造に利用することができる。この場合、前記被処理基板は、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される素子基板である。
以下に、図面を参照して本発明を適用したマスク蒸着法およびマスク蒸着装置について説明する。なお、以下の実施の形態では、本発明が適用される対象として有機EL装置を例示する。
[実施の形態1]
(有機EL装置の構成例)
図1は、本発明が適用される有機EL装置の要部断面図である。図1に示す有機EL装置1は、表示装置や、電子写真方式を利用したプリンタに使用されるラインヘッドとして用いられるものであり、複数の有機EL素子3を配列してなる発光素子群3Aを備えている。有機EL素子3は、陽極として機能する画素電極4と、この画素電極4からの正孔を注入/輸送する正孔輸送層6と、有機EL物質からなる発光層7(有機機能層)と、電子を注入/輸送する電子注入層8と、陰極9と、保護層がこの順に積層された構造になっている。本形態において、素子基板2上には、画素電極4に電気的に接続された駆動用トランジスタ5a(薄膜トランジスタ)などを含む回路部5が、発光素子群3Aの下層側に形成されている。
(有機EL装置の構成例)
図1は、本発明が適用される有機EL装置の要部断面図である。図1に示す有機EL装置1は、表示装置や、電子写真方式を利用したプリンタに使用されるラインヘッドとして用いられるものであり、複数の有機EL素子3を配列してなる発光素子群3Aを備えている。有機EL素子3は、陽極として機能する画素電極4と、この画素電極4からの正孔を注入/輸送する正孔輸送層6と、有機EL物質からなる発光層7(有機機能層)と、電子を注入/輸送する電子注入層8と、陰極9と、保護層がこの順に積層された構造になっている。本形態において、素子基板2上には、画素電極4に電気的に接続された駆動用トランジスタ5a(薄膜トランジスタ)などを含む回路部5が、発光素子群3Aの下層側に形成されている。
有機EL装置1がボトムエミッション方式である場合は、発光層7で発光した光を画素電極4の側から出射するため、素子基板2の基体としては、ガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)などの透明基板が用いられる。その際、陰極9を光反射膜によって構成すれば、発光層7で発光した光を陰極9で反射して透明基板の側から出射することができる。これに対して、有機EL装置1がトップエミッション方式である場合は、発光層7で発光した光を陰極9の側から出射するため、素子基板2の基体は透明である必要はない。但し、有機EL装置1がトップエミッション方式である場合でも、素子基板2に対して光出射側とは反対側の面に反射層(図示せず)を配置して、発光層7で発光した光を陰極9の側から出射する場合には、素子基板2の基体として透明基板を用いること必要がある。また、有機EL装置1がトップエミッション方式である場合において、素子基板2の基体と発光層7との間に反射層を形成して、発光層7で発光した光を陰極9の側から出射する場合には、素子基板2の基体は透明である必要はない。
(有機EL装置1の製造方法)
有機EL装置1を製造するには、素子基板2に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔輸送層6、発光層7、電子注入層8などの有機機能層は、水分や酸素により劣化しやすいため、発光層7などの有機機能層を形成する際、さらには、電子注入層8の上層に陰極9を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能層が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、発光層7などの有機機能層を形成する際、さらには陰極9を形成する際には、以下に詳述するマスク蒸着法を利用して、素子基板2に所定形状の薄膜を形成し、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。
有機EL装置1を製造するには、素子基板2に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔輸送層6、発光層7、電子注入層8などの有機機能層は、水分や酸素により劣化しやすいため、発光層7などの有機機能層を形成する際、さらには、電子注入層8の上層に陰極9を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能層が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、発光層7などの有機機能層を形成する際、さらには陰極9を形成する際には、以下に詳述するマスク蒸着法を利用して、素子基板2に所定形状の薄膜を形成し、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。
(マスク蒸着装置の構成例)
図2は、本発明を適用したマスク蒸着装置の構成を示す概略構成図である。
図2は、本発明を適用したマスク蒸着装置の構成を示す概略構成図である。
図2に示すように、本形態のマスク蒸着装置10では、蒸着室11内の上方位置に、被処理基板20(素子基板2/透明基板21)および蒸着用マスク31を保持する基板ホルダ19が配置されている。被処理基板20および蒸着用マスク31は、素子基板2(被処理基板20)の下面側(被成膜面側)の所定位置に蒸着用マスク31を重ねた状態で基板ホルダ19により保持され、成膜時、この状態で、矢印Aで示すように回転する。蒸着用マスク31の構成については、図3(a)、(b)を参照して後述するが、被処理基板20に対する成膜パターンに対応するマスク開口部310が形成されている。
蒸着室11内の下方位置には、被処理基板20に向けて蒸着分子や蒸着原子を供給する蒸着源12(成膜材料供給源)が配置されており、蒸着源12は、蒸着材料を内部に保持する坩堝121、坩堝121内の蒸着材料を加熱するためのヒータ122、および坩堝121の上部開口を開閉するシャッタ123を備えている。
さらに、本形態では、蒸着用マスク31と蒸着源12との間には、蒸着源12から蒸着用マスク31および被処理基板20に向かう蒸着分子や蒸着原子などの成膜材料流が通過可能なフィルタ開口部410を備えたスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41が配置されている。スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41の構成については、図4を参照して後述するが、本形態において、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は、蒸着用マスク31と蒸着源12との間のうち、蒸着源12よりも蒸着用マスク31に近い位置に固定されている。このため、成膜時、被処理基板20および蒸着用マスク31は、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41および蒸着源12に対して相対的に回転することになる。
(蒸着用マスク31の構成)
図3(a)、(b)は蒸着用マスクの説明図である。図3(a)、(b)に示すマスク部材30A、30Bのうち、図3(a)に示すマスク部材30Aは、厚さが約0.25〜0.5mmの矩形薄板状の蒸着用マスク31を矩形枠状の枠体33に取り付けた構成となっている。蒸着用マスク31および枠体33は各々、金属材料(例えばステンレス、インバー、42アロイ、ニッケル合金等)、ガラス、セラミックス、シリコンなどからなり、蒸着用マスク31については多結晶シリコンからなることが好ましい。蒸着用マスク31は、被処理基板20に対する成膜パターンに対応する複数のマスク開口部310が、並行かつ一定間隔に形成されている。マスク開口部310は例えば、幅寸法が約1〜3mm、長さ寸法が200〜300mm、ピッチが約12mmとなっている。枠体33は、蒸着用マスク31と略同等の大きさの開口部340が形成された支持基板34と、蒸着用マスク31のマスク開口部310の間に配置されてマスク開口部310の間を支持する梁部35と、梁部35に対して長手方向の張力を付与させて支持基板34に固定する固定部材36とを備えている。梁部35は、マスク開口部310の間のうち、マスク開口部310の長手方向に沿うように配置されており、マスク開口部310で挟まれた領域よりも狭い幅寸法を備えている。梁部35は、金属材料(例えばステンレス、インバー、42アロイ、ニッケル合金等)、ガラス、セラミックス、シリコン、SUS430などにより構成されている。
図3(a)、(b)は蒸着用マスクの説明図である。図3(a)、(b)に示すマスク部材30A、30Bのうち、図3(a)に示すマスク部材30Aは、厚さが約0.25〜0.5mmの矩形薄板状の蒸着用マスク31を矩形枠状の枠体33に取り付けた構成となっている。蒸着用マスク31および枠体33は各々、金属材料(例えばステンレス、インバー、42アロイ、ニッケル合金等)、ガラス、セラミックス、シリコンなどからなり、蒸着用マスク31については多結晶シリコンからなることが好ましい。蒸着用マスク31は、被処理基板20に対する成膜パターンに対応する複数のマスク開口部310が、並行かつ一定間隔に形成されている。マスク開口部310は例えば、幅寸法が約1〜3mm、長さ寸法が200〜300mm、ピッチが約12mmとなっている。枠体33は、蒸着用マスク31と略同等の大きさの開口部340が形成された支持基板34と、蒸着用マスク31のマスク開口部310の間に配置されてマスク開口部310の間を支持する梁部35と、梁部35に対して長手方向の張力を付与させて支持基板34に固定する固定部材36とを備えている。梁部35は、マスク開口部310の間のうち、マスク開口部310の長手方向に沿うように配置されており、マスク開口部310で挟まれた領域よりも狭い幅寸法を備えている。梁部35は、金属材料(例えばステンレス、インバー、42アロイ、ニッケル合金等)、ガラス、セラミックス、シリコン、SUS430などにより構成されている。
図3(b)に示すマスク部材30Bは、ベース基板をなす支持基板37に、複数のチップ状の蒸着用マスク31を取り付けた構成を有しており、複数の蒸着用マスク31は各々、アライメントされて支持基板37に陽極接合や接着剤などの方法で接合されている。支持基板37には、複数の開口部370が平行、かつ一定間隔で設けられており、複数の蒸着用マスク31は各々、開口部370を塞ぐように支持基板37上に固定されている。蒸着用マスク31には、被処理基板20に対する成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部310が複数一定間隔で平行に設けられている。蒸着用マスク31は、面方位(100)を有する単結晶シリコンや、面方位(110)を有する単結晶シリコンなどからなり、マスク開口部310は、フォトリソグラフィ技術、およびテトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチング技術により形成される。支持基板37としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英などからなる透明基板が用いられている。
(スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41の構成)
図4は、図2に示すスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41の平面図である。図4に示すように、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は、薄板に対して、略正方形のフィルタ開口部410を複数、マトリクス状に形成した構造を有しており、フィルタ開口部410の幅寸法は、スプラッシュにより発生する粒子(スプラッシュ粒子)の粒径(21〜50μmを想定)、およびマスク開口部310の幅寸法よりも小さく構成されており、本形態では一辺の長さ寸法が20μmに設定されている。
図4は、図2に示すスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41の平面図である。図4に示すように、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は、薄板に対して、略正方形のフィルタ開口部410を複数、マトリクス状に形成した構造を有しており、フィルタ開口部410の幅寸法は、スプラッシュにより発生する粒子(スプラッシュ粒子)の粒径(21〜50μmを想定)、およびマスク開口部310の幅寸法よりも小さく構成されており、本形態では一辺の長さ寸法が20μmに設定されている。
スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は、金属材料(例えばステンレス、インバー、42アロイ、ニッケル合金等)、ガラス、セラミックス、シリコンなどからなり、これらの材料のうち、多結晶シリコンによってスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を形成することが好ましい。スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を多結晶シリコンによって形成する場合、フィルタ開口部410は、フォトリソグラフィ技術、およびテトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチング技術により形成される。
(マスク蒸着法、および本形態の主な効果)
再び図2において、マスク蒸着装置10を用いて被処理基板20に所定パターンの薄膜を形成するには、蒸着室11内を真空引きするとともに、蒸着源12において坩堝121内の蒸着材料を加熱し、蒸着材料が所定温度に達すると、シャッタ123を開位置に移動させる。その結果、坩堝121の内部から被処理基板20に向けて蒸着分子や蒸着原子の成膜材料流が供給される。ここで、被処理基板20の下面側には蒸着用マスク31が重ねて配置され、この蒸着用マスク31には、被処理基板20に対する成膜パターンに対応するマスク開口部310が形成されているので、被処理基板20の下面側にはマスク開口部310に対応する形状に薄膜が形成される。例えば、発光層7を形成する場合には、低分子有機EL材料を加熱、蒸発させ、蒸着用マスク31のマスク開口部310を介して被処理基板20の下面に発光層7をストライプ状に形成する。正孔輸送層6、電子注入層8、陰極9などの形成も略同様に行う。
再び図2において、マスク蒸着装置10を用いて被処理基板20に所定パターンの薄膜を形成するには、蒸着室11内を真空引きするとともに、蒸着源12において坩堝121内の蒸着材料を加熱し、蒸着材料が所定温度に達すると、シャッタ123を開位置に移動させる。その結果、坩堝121の内部から被処理基板20に向けて蒸着分子や蒸着原子の成膜材料流が供給される。ここで、被処理基板20の下面側には蒸着用マスク31が重ねて配置され、この蒸着用マスク31には、被処理基板20に対する成膜パターンに対応するマスク開口部310が形成されているので、被処理基板20の下面側にはマスク開口部310に対応する形状に薄膜が形成される。例えば、発光層7を形成する場合には、低分子有機EL材料を加熱、蒸発させ、蒸着用マスク31のマスク開口部310を介して被処理基板20の下面に発光層7をストライプ状に形成する。正孔輸送層6、電子注入層8、陰極9などの形成も略同様に行う。
このようにしてマスク蒸着を行う際、蒸着材料内での純度ばらつきや、蒸着材料内への気泡の混入、蒸着材料の温度むらなどがあると、突沸などにより成膜材料が液状に飛散するスプラッシュ現象が発生し、被処理基板や蒸着用マスクに成膜材料が粒状に付着することになる。しかるに本形態では、蒸着用マスク31と蒸着源12との間にスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41が配置されているので、スプラッシュ粒子は、フィルタ開口部410を通過できず、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に捕捉される。従って、スプラッシュ粒子が被処理基板20に到達することがないので、スプラッシュ粒子に起因する粒子状欠陥の発生を防止することができる。それ故、図7を参照して説明したスプラッシュ粒子7a、9a、9bの付着などが発生しないので、トップエミッション方式の有機EL装置1であれば、発光層成膜材料のスプラッシュ粒子7aの付着に起因する輝度低下、陰極成膜材料のスプラッシュ粒子9bの付着に起因する出射光の低下、陰極成膜材料のスプラッシュ粒子9aの発光層7への混入に起因する短絡などが発生しない。また、ボトムエミッション方式の有機EL装置1でも、発光層成膜材料のスプラッシュ粒子7aの付着に起因する輝度低下や、陰極成膜材料のスプラッシュ粒子9aの発光層7への混入に起因する短絡などが発生しない。
また、スプラッシュ粒子は、蒸着用マスク31に到達することがないので、マスク開口部310がスプラッシュ粒子によって目詰まりすることがない。それ故、同一の蒸着用マスク31を用いて多数枚の被処理基板20を処理しても、常に、マスク開口部310に対応する高いパターン精度をもって薄膜を形成することができる。
さらに、スプラッシュ粒子はスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41によって捕捉されるが、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41には、成膜材料流が通過可能なフィルタ開口部410が形成されているので、被処理基板20に対する成膜に支障がない。しかも、被処理基板20および蒸着用マスク31をスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に対して相対移動させながら成膜するので、スプラッシュ粒子によってフィルタ開口部410の一部が目詰まりした場合でも、被処理基板20への成膜に支障がない。
さらにまた、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は、単結晶のシリコンから形成されており、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に堆積した蒸着材料をエッチング等により除去する際、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41が侵されにくい。それ故、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に付着した堆積物を溶解、除去しながら、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を繰り返し使用することができる。
[実施の形態2]
図5は、本発明の実施の形態2に係るスプラッシュ粒子捕捉用フィルタの平面図である。なお、本形態および後述する実施の形態3は、基本的な構成が実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図5は、本発明の実施の形態2に係るスプラッシュ粒子捕捉用フィルタの平面図である。なお、本形態および後述する実施の形態3は、基本的な構成が実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図5に示すスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41も、実施の形態1と同様、薄板に対して複数のフィルタ開口部410を形成した構造を有している。但し、本形態のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41では、スリット状のフィルタ開口部410が複数、並列するように形成されており、その幅寸法は、スプラッシュにより発生する粒子(スプラッシュ粒子)の粒径(21〜50μmを想定)、およびマスク開口部310よりも狭く、20μmに設定されている。
本形態でも、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は、金属材料(例えばステンレス、インバー、42アロイ、ニッケル合金等)、ガラス、セラミックス、シリコンなどからなり、これらの材料のうち、多結晶シリコンによって形成することが好ましい。スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を多結晶シリコンによって形成する場合、フィルタ開口部410は、テトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチングにより形成される。
このような構成のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を用いてマスク蒸着を行った場合も、実施の形態1と同様、蒸着材料での突沸によりスプラッシュが発生しても、スプラッシュ粒子は、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に捕捉され、被処理基板20および蒸着用マスク31に到達することがない。また、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41には、成膜材料流が通過可能なフィルタ開口部410が形成されているので、被処理基板20に対する成膜に支障がない。さらに、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は、単結晶のシリコンから形成されており、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に堆積した蒸着材料をエッチング等により除去する際、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41が侵されにくいなど、実施の形態1と同様な効果を奏する。
また、本形態では、フィルタ開口部410は複数、並列するスリット状に形成されていため、フィルタ開口部410の総開口面積が広い。このため、本形態のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41によれば、実施の形態1と同等のスプラッシュ粒子捕捉能力を有する一方、実施の形態1に係るスプラッシュ粒子捕捉用フィルタと比較して成膜材料流がスムーズに通過するので、成膜材料がスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に付着するのを最小限に止めることができる。
[実施の形態3]
図6は、本発明の実施の形態3に係るスプラッシュ粒子捕捉用フィルタの平面図である。図6に示すスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41も、実施の形態1と同様、薄板に対して複数のフィルタ開口部410を形成した構造を有している。但し、本形態では、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41が矩形のチップ状に形成されており、複数枚のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41が面内方向に配列された状態で支持基板43に陽極接合や接着剤などにより接合され、スプラッシュ粒子捕捉部材40を構成している。
図6は、本発明の実施の形態3に係るスプラッシュ粒子捕捉用フィルタの平面図である。図6に示すスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41も、実施の形態1と同様、薄板に対して複数のフィルタ開口部410を形成した構造を有している。但し、本形態では、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41が矩形のチップ状に形成されており、複数枚のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41が面内方向に配列された状態で支持基板43に陽極接合や接着剤などにより接合され、スプラッシュ粒子捕捉部材40を構成している。
支持基板43には、貫通穴からなる複数の開口部430が形成されており、複数のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は各々、開口部430を塞ぐように支持基板43上に固定されている。
本形態でも、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は、金属材料(例えばステンレス、インバー、42アロイ、ニッケル合金等)、ガラス、セラミックス、シリコンなどからなり、これらの材料のうち、面方位(100)あるいは面方位(110)を有する単結晶シリコンによって形成することが好ましい。スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を多結晶シリコンによって形成する場合、フィルタ開口部410は、テトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチングにより形成される。なお、支持基板43としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英などからなる透明基板が用いられている。
本形態において、スプラッシュ粒子捕捉部材40では4枚のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41が用いられており、大型の被処理基板20から4枚の素子基板2を製造するのに用いられる。このため、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41の位置は、大型の被処理基板20において素子基板2を切り出す位置に対応する。従って、成膜時、被処理基板20、蒸着用マスク31およびスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は互いに固定された状態にあるが、このような形態でも、被処理基板20、蒸着用マスク31およびスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41は蒸着源12に対して一体で回転移動することが好ましい。
また、複数枚のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を互いに近接させて支持基板43に固定した場合、成膜時、被処理基板20および蒸着用マスク31をスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に対して回転移動させる構成を採用してもよい。
このように構成したスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41およびスプラッシュ粒子捕捉部材40を用いた場合も、実施の形態1と同様な効果を奏する。
また、本形態によれば、チップ状のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を複数枚、用いてスプラッシュ粒子捕捉部材40を構成しているので、被処理基板20の大型化に容易に対応することができる。
さらに、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41の一部が破損した場合は、破損したスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41のみを交換すればよいので、経済的である。特に被処理基板20の大型化に対応するにあたってスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を大型化すると、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41の1枚当たりのコストが増大し、かつ、一部が破損するような事態も発生しやすくなるが、本形態によれば、破損したスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41のみを交換すればよいので特に経済的である。
[その他の実施の形態]
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記形態については、真空蒸着法により成膜を行う場合を例に説明したが、スパッタ成膜法やイオンプレーティング法などの蒸着法を採用する場合にも本発明を適用することができる。また、近年、イオンプレーティング法についてはプラズマを利用したプラズマコーティングが提案されており、かかる蒸着法に対しても、本発明を適用することができる。また、プラズマコーティングによれば、SiO2膜やSiON膜を形成することもできるが、かかる薄膜を形成する際、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に付着した堆積物を除去するには緩衝ふっ酸溶液などを用いたエッチングを行うことになり、かかるエッチング液はシリコンも侵してしまう。しかるに、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を多結晶シリコンによって形成すれば、他のシリコン材料に比してエッチング耐性が高いので、SiO2膜やSiON膜の成膜に用いた場合でも、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に付着した堆積物を溶解、除去しながら、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を繰り返し使用することができる。
また、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を加熱するヒータを設け、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41を加熱した状態で成膜してもよい。このように構成すると、スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ41に対して蒸着分子や蒸着原子が付着することを防止することができる。
1・・有機EL装置、2・・素子基板、3・・有機EL素子、7・・発光層、9・・陰極、10・・マスク蒸着装置、11・・蒸着室、12・・蒸着源、20・・被処理基板、31・・蒸着用マスク、41・・スプラッシュ粒子捕捉用フィルタ、310・・マスク開口部、410・・フィルタ開口部
Claims (9)
- 被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された蒸着用マスクを前記被処理基板の被成膜面側に重ね、成膜材料供給源側から供給された成膜材料流を前記マスク開口部を介して前記被成膜面に供給するマスク蒸着法において、
前記蒸着用マスクと前記成膜材料供給源との間に、前記成膜材料流が通過可能かつ前記マスク開口部より開口幅の狭いフィルタ開口部を備えたスプラッシュ粒子捕捉用フィルタを配置することを特徴とするマスク蒸着法。 - 前記被処理基板および前記蒸着用マスクを前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタに対して相対移動させながら成膜することを特徴とする請求項1に記載のマスク蒸着法。
- 前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタは、単結晶シリコン製であることを特徴とする請求項1または2に記載のマスク蒸着法。
- 前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタはチップ状に形成され、当該チップ状のスプラッシュ粒子捕捉用フィルタが複数枚、面内方向に配列された状態で支持基板に保持されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載のマスク蒸着法。
- 前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタは、板材に対するエッチングにより前記フィルタ開口部が形成されてなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のマスク蒸着法。
- 前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタでは、前記フィルタ開口部が複数、マトリクス状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載のマスク蒸着法。
- 前記スプラッシュ粒子捕捉用フィルタでは、前記フィルタ開口部が複数、スリット状に並列していることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載のマスク蒸着法。
- 請求項1乃至7の何れか一項に記載のマスク蒸着法を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記被処理基板は、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される素子基板であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 被処理基板の被成膜面に向けて成膜材料流を供給する成膜材料供給源と、該成膜材料供給源と前記被処理基板との間に配置され、当該被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部を備えた蒸着用マスクとを有するマスク蒸着装置において、
前記蒸着用マスクと前記成膜材料供給源との間には、前記成膜材料流が通過可能かつ前記マスク開口部より開口幅の狭いフィルタ開口部を備えたスプラッシュ粒子捕捉用フィルタが配置されていることを特徴とするマスク蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006339500A JP2008150662A (ja) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | マスク蒸着法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006339500A JP2008150662A (ja) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | マスク蒸着法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008150662A true JP2008150662A (ja) | 2008-07-03 |
Family
ID=39653150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006339500A Withdrawn JP2008150662A (ja) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | マスク蒸着法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008150662A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103340013A (zh) * | 2011-03-11 | 2013-10-02 | 夏普株式会社 | 蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置 |
CN107190232A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-09-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示基板的蒸镀装置、蒸镀设备及蒸镀方法 |
US11235516B2 (en) | 2013-02-12 | 2022-02-01 | Carbon, Inc. | Method and apparatus for three-dimensional fabrication |
JP2022107539A (ja) * | 2020-01-30 | 2022-07-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置製造用マスク |
CN115261784A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-11-01 | 固安翌光科技有限公司 | 一种掩膜版结构及oled器件 |
US11772324B2 (en) | 2014-06-20 | 2023-10-03 | Carbon, Inc. | Three-dimensional printing with reciprocal feeding of polymerizable liquid |
US11786711B2 (en) | 2013-08-14 | 2023-10-17 | Carbon, Inc. | Continuous liquid interphase printing |
-
2006
- 2006-12-18 JP JP2006339500A patent/JP2008150662A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103340013A (zh) * | 2011-03-11 | 2013-10-02 | 夏普株式会社 | 蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置 |
KR101502715B1 (ko) * | 2011-03-11 | 2015-03-13 | 샤프 가부시키가이샤 | 증착 장치, 증착 방법 및 유기 el 표시 장치 |
US9240572B2 (en) | 2011-03-11 | 2016-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition device, vapor deposition method, and organic EL display device |
US11235516B2 (en) | 2013-02-12 | 2022-02-01 | Carbon, Inc. | Method and apparatus for three-dimensional fabrication |
US11786711B2 (en) | 2013-08-14 | 2023-10-17 | Carbon, Inc. | Continuous liquid interphase printing |
US11772324B2 (en) | 2014-06-20 | 2023-10-03 | Carbon, Inc. | Three-dimensional printing with reciprocal feeding of polymerizable liquid |
CN107190232A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-09-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示基板的蒸镀装置、蒸镀设备及蒸镀方法 |
JP2022107539A (ja) * | 2020-01-30 | 2022-07-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置製造用マスク |
CN115261784A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-11-01 | 固安翌光科技有限公司 | 一种掩膜版结构及oled器件 |
CN115261784B (zh) * | 2022-07-29 | 2023-10-27 | 固安翌光科技有限公司 | 一种掩膜版结构及oled器件 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008150662A (ja) | マスク蒸着法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置 | |
TWI227649B (en) | Manufacturing method for organic EL device | |
JP2008196003A (ja) | 蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
CN100447946C (zh) | 掩模及其制造方法、掩模芯片及其制造方法以及电子设备 | |
US7491557B2 (en) | Thin film etching method and method of fabricating liquid crystal display device using the same | |
TWI555862B (zh) | 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及薄膜圖案形成方法 | |
KR100622161B1 (ko) | 마스크 및 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법,유기 el 표시 장치의 제조 방법, 유기 el 장치, 및전자 기기 | |
KR100755352B1 (ko) | 마스크, 마스크의 제조 방법, 패턴 형성 장치, 패턴 형성방법 | |
JP2005206939A (ja) | 薄膜形成方法、薄膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 | |
KR20080048653A (ko) | 마스크 장치 및 그를 이용한 평판 표시 장치의 제조방법 | |
JP2008223102A (ja) | 蒸着装置、および蒸着方法 | |
WO2018223806A1 (zh) | 掩模板、有机电致发光显示面板及其封装方法 | |
JP2011068978A (ja) | マスク組立体、その製造方法及びそれを用いた平板表示装置用蒸着装置 | |
JP7097821B2 (ja) | シャドーマスク堆積システム及びその方法 | |
JP7364432B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法 | |
KR20070100155A (ko) | 증착 장치, 증착 방법, 전기 광학 장치의 제조 방법, 및성막 장치 | |
JP2014109050A (ja) | 蒸着装置用蒸発源 | |
JP2008196002A (ja) | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 | |
JP2008231446A (ja) | インライン式蒸着装置および成膜方法 | |
JP2011127218A (ja) | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 | |
KR20050062446A (ko) | 마스크, 마스크의 제조 방법, 유기 전계 발광 장치의 제조방법, 유기 전계 발광 장치, 및 전자기기 | |
TWI737795B (zh) | 高精準度蔽蔭遮罩沉積系統及其方法 | |
JP2008196029A (ja) | 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク | |
KR101362165B1 (ko) | 마스크 장치 및 이를 이용한 평판 표시장치의 제조방법 | |
JP4944367B2 (ja) | マスク構造体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100302 |